JP4104242B2

JP4104242B2 - Single crystal pulling apparatus and single crystal pulling method

Info

Publication number: JP4104242B2
Application number: JP09414399A
Authority: JP
Inventors: 清隆高野
Original assignee: 株式会社スーパーシリコン研究所
Priority date: 1999-03-31
Filing date: 1999-03-31
Publication date: 2008-06-18
Anticipated expiration: 2019-03-31
Also published as: JP2000281486A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、引上げＣＺ（Czochralski）法によりＳｉ（シリコン）の無転位の単結晶を製造するための単結晶引き上げ装置及び単結晶引き上げ方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、引上げＣＺ法による単結晶製造装置では、高耐圧気密チャンバ内を１０torr程度に減圧して新鮮なＡｒ（アルゴン）ガスを流すとともに、チャンバ内の下方に設けられた石英ルツボ内の多結晶を加熱して溶融し、この融液の表面に種結晶を上から浸漬し、種結晶と石英ルツボを回転、上下移動させながら種結晶を引き上げることにより、種結晶の下に上端が突出した円錐形の上部コーン部と、円筒形のボディ部と下端が突出した円錐形の下部コーン部より成る単結晶（いわゆるインゴット）を成長させるように構成されている。
【０００３】
また、近年では、単結晶が大口径化してその分、重量も重くなり、種結晶をワイヤやシャフトにより引き上げるのみではダッシュネック部がその重量に耐えきれないので、ダッシュネック部の下に「径大部」を形成してその下に「径小部」を形成することにより「環状のくびれ」を形成し、この「環状のくびれ」を別の係止部材（以下、くびれ係止部材）で係止して引き上げる方式が知られている。また、くびれを形成しないで、直胴部（ボディ部）を係止して引き上げる方式も知られている。
【０００４】
この種の従来例としては、例えば特開平９−２８９３号公報に示されるように単結晶格納チャンバの上に昇降可能なベローズを配置するとともに、このベローズ内にくびれ係止部材をベローズとともに昇降可能に配置し、更にベローズの上にワイヤ巻き取りドラムを配置した構造が知られている。したがって、このような構成では、単結晶の引き上げ速度Ｖcは、ワイヤ巻き取り速度（単にワイヤ速度ともいう）Ｖwとくびれ係止部材速度（ベローズ速度）Ｖbの合計となる（Ｖc＝Ｖw＋Ｖb）。なお、ベローズの代わりに、非伸縮の上部チャンバ内にくびれや直胴部を係止する部材を昇降可能に設けた構造も知られている。
【０００５】
そして、荷重をワイヤ（又はシャフト）からくびれ係止部材に移動させる場合には、まず、くびれを形成した後、図２に示すように
▲１▼円筒形のボディ部（直胴部）の形成を開始すると引き上げ速度Ｖcを一定にするために、ワイヤ速度Ｖwを引き上げ速度Ｖc＝０．４ｍｍ/minにするとともにベローズ速度Ｖb＝０にする。
▲２▼次いで引き上げドライブをワイヤ側からベローズ側に切り替えるために、ワイヤ速度Ｖw＝０になるように一定の加速度で減速するとともに、ベローズ速度Ｖbを引き上げ速度Ｖc＝０．４ｍｍ/minになるように一定の加速度で加速する。
▲３▼次いでベローズ速度Ｖbを引き上げ速度Ｖcより速い速度（１．４ｍｍ/min）まで一定の加速度で加速するとともに、ワイヤ速度Ｖwを−１．０ｍｍ/minになるように、すなわちワイヤが下降するように一定の加速度で減速する。
▲４▼次いでベローズ速度Ｖb＝１．４ｍｍ/min、ワイヤ速度Ｖw＝−１．０ｍｍ/minの一定速度にする。ここで、上記の制御▲１▼〜▲４▼では、単結晶の荷重は全て、未だワイヤにより支持されている。
【０００６】
▲５▼’そして、くびれ係止部材がくびれに当接する寸前になると、すなわちワイヤ荷重が最大（１２０ｋｇ＝単結晶重量１００ｋｇ＋ワイヤの重さ２０ｋｇ）になると、破線で示すようにベローズ速度Ｖbを引き上げ速度＝０．４ｍｍ/minになるように加速度ａを制御しながら減速するとともに、ワイヤ速度Ｖw＝０になるように加速度−ａを制御しながら加速する。このとき、荷重が移動するにつれてワイヤ荷重が減少するので、ワイヤ荷重に応じて図３及び以下に示すような速度制御（Ｖc＝Ｖw＋Ｖb）を行う。
【０００７】

【０００８】
▲６▼ワイヤ荷重がワイヤの重さ２０ｋｇのみになると、ベローズ速度Ｖb＝引き上げ速度Ｖc＝０．４ｍｍ/minの一定速度にし、ワイヤ速度Ｖw＝０にする。
【０００９】
したがって、上記の▲５▼’では、荷重をワイヤからくびれ係止部材に徐々に移行させる際に単結晶自体の成長速度Ｖcが変化しないように、ワイヤの下降速度Ｖwと同一速度分を単結晶成長速度Ｖcに加算してくびれ係止部材の上昇速度Ｖbを制御することにより、ワイヤの下降速度を相殺する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のような荷重移動方法▲５▼’では、くびれなどを係止する部材が上昇しながらくびれなどを徐々に係止して荷重がワイヤから徐々に移動する際に、ワイヤが弛んでいる場合に引き上げ速度Ｖcが増加し、このため単結晶が有転位化するという問題点がある。また、たとえ有転位化しなくても引き上げ速度Ｖcの増加により単結晶の径が細くなり、欠陥品となる。この問題点は、種結晶をワイヤの代わりにシャフトにより引き上げる構成においても、シャフトの歪みにより同様な問題が発生する。
【００１１】
本発明は上記従来例の問題点に鑑み、種結晶を支持する部材から単結晶を支持する部材に荷重を移動させる場合に単結晶の引き上げ速度を常に一定に制御することができる単結晶引き上げ装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記目的を達成するために、種結晶を介して単結晶を引き上げる第１の引き上げ手段と、前記単結晶を把持手段により係止して前記第１の引き上げ手段と共に引き上げる第２の引き上げ手段とを備え、前記第１の引き上げ手段による引き上げ速度Ｖwと前記第２の引き上げ手段による引き上げ速度Ｖbの合計が単結晶引き上げ速度Ｖcに略一致するよう、かつ前記第２の引き上げ手段が前記単結晶の係止を開始した後、前記第１の引き上げ手段による引き上げ速度Ｖwをマイナスの値から徐々に「０」になるように制御するよう構成された単結晶引き上げ装置において、
前記第１の引き上げ手段による引き上げ速度Ｖwがマイナスの値から「０」に向かうとき、前記第２の引き上げ手段による引き上げ速度ＶbがＶb＝Ｖc＋α×(-Ｖw)（ただし、０≦α≦１であって、αは、単結晶の引き上げにともない、「１．００」から「０．００」に変化する値）を満足するように制御する制御手段を備えたことを特徴とする単結晶引き上げ装置が提供される。
【００１３】
また、本発明によれば、種結晶を介して単結晶を引き上げる第１の引き上げ手段と、前記単結晶を係止して前記第１の引き上げ手段と共に引き上げる第２の引き上げ手段とを備えた単結晶引き上げ装置を用いて単結晶を引き上げる方法であって、前記第１の引き上げ手段による引き上げ速度Ｖwと前記第２の引き上げ手段による引き上げ速度Ｖbの合計が単結晶引き上げ速度Ｖcに略一致するよう、かつ前記第２の引き上げ手段が前記単結晶の係止を開始した後、前記第１の引き上げ手段による引き上げ速度Ｖwをマイナスから徐々に「０」になるように制御する単結晶引き上げ方法において、
前記第１の引き上げ手段による引き上げ速度Ｖwがマイナスの値から「０」に向かうとき、前記第２の引き上げ手段による引き上げ速度ＶbがＶb＝Ｖc＋α×(-Ｖw)（ただし、０≦α≦１であって、αは、単結晶の引き上げにともない、「１．００」から「０．００」に変化する値）を満足するように制御することを特徴とする単結晶引き上げ方法が提供される。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。図１は本発明に係る単結晶引き上げ装置の一実施形態を示す構成図、図２、図３は本発明と従来例の速度制御を比較した説明図である。
【００１５】
図１において、主チャンバ１内には図示省略されているが、単結晶１０の原料が溶融している石英ルツボが配置され、石英ルツボの回りにはヒータなどが配置されている。主チャンバ１の上には垂直方向に伸縮可能なベローズ２を介して台座３が取り付けられ、台座３はモータ４により垂直方向に移動可能である。台座３の上には上部チャンバ５が垂直軸の回りを回転可能に取り付けられ、上部チャンバ５内には単結晶１０のくびれ１２を保持するための保持装置６が配置されている。上部チャンバ５の上には、ワイヤ７を昇降させるためにドラム８が配置され、ドラム８（及びワイヤ７）と上部チャンバ５（及び保持装置６）は共にモータ９により垂直軸の回りを回転する。また、保持装置６の先端は不図示の駆動源により開閉可能であり、また、ドラム８は不図示のモータにより回転可能である。
【００１６】
このような構成において、単結晶１０を引き上げる場合には、ワイヤ７の先端に種結晶を取り付けて石英ルツボ内の融液に浸漬し、種結晶と石英ルツボを回転、上下移動させながら種結晶を引き上げることにより、まず種結晶の下にネック部１１を形成し、次いでネック部の下にくびれ１２を形成し、次いでくびれ１２の下に直胴部１３を形成する。この場合の引き上げ速度Ｖcは、単結晶１０の径に略反比例し、また、円筒形の直胴部１３の引き上げ時には一定になるように制御される。この場合、単結晶１０の引き上げ速度Ｖcは、ワイヤ巻き取り速度Ｖwとモータ４によるくびれ係止部材速度（ベローズ速度）Ｖbの合計（Ｖc＝Ｖw＋Ｖb）となる。
【００１７】
このとき、図１（１）に示すように直胴部１３の引き上げをある程度終了するまでは、ベローズ速度Ｖb＝０にしてワイヤ巻き取りのみで引き上げを行う。次いで図１（２）に示すように引き上げドライブをワイヤ巻き取りからベローズ引き上げに移行し、前述したように荷重移動の初期速度制御▲１▼〜▲４▼を行う。そして、本発明の荷重移動中の速度制御▲５▼では、保持装置６の先端がくびれ１２に当接する寸前になると、すなわちワイヤ荷重が最大（１２０ｋｇ＝単結晶重量１００ｋｇ＋ワイヤの重さ２０ｋｇ）になると、ワイヤ速度Ｖwが−１．０ｍｍ/min（下降状態）から「０」（停止状態）になるように制御するとともに、ベローズ速度Ｖbを実線で示すようにＶc＝Ｖb＋α×Ｖw（ただし、０≦α≦１）になるように制御する。
【００１８】
図３は相殺率αをプロットで切り替える場合を示している。荷重が移動するにつれてワイヤ荷重が減少するが、まず、当接直前のワイヤ荷重＝１２０ｋｇの時には

である。そして、荷重移動が進んでワイヤ荷重＝１００ｋｇ、７０ｋｇ、５０ｋｇ、３０ｋｇ、２２ｋｇ、２０ｋｇ（荷重移動完了時）の時には次のような速度制御（Ｖc＝α×Ｖw＋Ｖb）を行う。
【００１９】

【００２０】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、種結晶を支持する部材から単結晶を支持する部材に荷重を移動中に、種結晶を支持する部材の下降速度の減少分より単結晶を支持する部材の上昇速度の減少分を少なくしたので、種結晶を支持する部材から単結晶を支持する部材に荷重を移動させる場合に単結晶の引き上げ速度を常に一定に制御することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る単結晶引き上げ装置の一実施形態を示す構成図である。
【図２】本発明と従来例の速度制御を比較した説明図である。
【図３】本発明と従来例の速度制御を比較した説明図である。
【符号の説明】
１主チャンバ
２ベローズ
３台座
４モータ
７ワイヤ
６保持装置（くびれ係止部材：ベローズ、台座、モータと共に第２の引き上げ手段を構成する）
８ドラム（ワイヤと共に第１の引き上げ手段を構成する）
１０単結晶
１２くびれ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a single crystal pulling apparatus and a single crystal pulling method for producing a dislocation-free single crystal of Si (silicon) by a pulling CZ (Czochralski) method.
[0002]
[Prior art]
In general, in a single crystal manufacturing apparatus using the pulling CZ method, the inside of a high pressure-resistant airtight chamber is decompressed to about 10 torr and a fresh Ar (argon) gas is allowed to flow, and a polycrystal in a quartz crucible provided below the chamber is removed. Cone shape with the upper end protruding under the seed crystal by heating and melting, immersing the seed crystal on the surface of this melt from above, pulling up the seed crystal while rotating and moving the seed crystal and quartz crucible up and down A single crystal (so-called ingot) comprising a cylindrical body portion and a conical lower cone portion projecting from the lower end is grown.
[0003]
Also, in recent years, the diameter of single crystals has increased and the weight has increased, and the dash neck cannot withstand the weight just by pulling the seed crystal with a wire or shaft. By forming a “large part” and forming a “small diameter part” below it, an “annular constriction” is formed, and this “annular constriction” is separated by another locking member (hereinafter referred to as a constricting locking member). A method of locking and pulling up is known. In addition, there is also known a method in which a straight body portion (body portion) is locked and pulled up without forming a constriction.
[0004]
As a conventional example of this type, for example, as shown in Japanese Patent Laid-Open No. 9-2893, a bellows that can be raised and lowered is disposed on a single crystal storage chamber, and a constriction locking member can be raised and lowered together with the bellows in the bellows. Further, a structure in which a wire take-up drum is further arranged on the bellows is known. Therefore, in such a configuration, the single crystal pulling speed Vc is the sum of the wire winding speed (also simply referred to as the wire speed) Vw and the constriction locking member speed (bellows speed) Vb (Vc = Vw + Vb). A structure is also known in which a member for locking a constriction or a straight body portion is provided in a non-stretchable upper chamber so as to be movable up and down instead of the bellows.
[0005]
When the load is moved from the wire (or shaft) to the constriction locking member, first, the constriction is formed, and then, as shown in FIG. 2, (1) formation of a cylindrical body (straight body) Is started, the wire speed Vw is set to the pulling speed Vc = 0.4 mm / min and the bellows speed Vb = 0 to make the pulling speed Vc constant.
(2) Next, in order to switch the pulling drive from the wire side to the bellows side, the speed is decelerated at a constant acceleration so that the wire speed Vw = 0, and the bellows speed Vb is set to the pulling speed Vc = 0.4 mm / min. Accelerate at a constant acceleration.
(3) Next, the bellows speed Vb is accelerated at a constant acceleration to a speed (1.4 mm / min) higher than the pulling speed Vc, and the wire speed Vw is set to -1.0 mm / min, that is, the wire is lowered. To decelerate at a constant acceleration.
(4) Next, the bellows speed Vb = 1.4 mm / min and the wire speed Vw = −1.0 mm / min are set to constant speeds. Here, in the controls {circle around (1)} to {circle around (4)}, all the loads of the single crystal are still supported by the wires.
[0006]
(5) Then, when the constriction locking member is about to come into contact with the constriction, that is, when the wire load reaches the maximum (120 kg = single crystal weight 100 kg + wire weight 20 kg), the bellows speed Vb is increased as shown by the broken line. While decelerating while controlling the acceleration a so that the speed = 0.4 mm / min, it accelerates while controlling the acceleration −a so that the wire speed Vw = 0. At this time, since the wire load decreases as the load moves, speed control (Vc = Vw + Vb) as shown in FIG. 3 and the following is performed according to the wire load.
[0007]

[0008]
(6) When the wire load is only 20 kg of wire weight, the bellows speed Vb = the pulling speed Vc = a constant speed of 0.4 mm / min and the wire speed Vw = 0.
[0009]
Therefore, in the above (5) ', the single crystal has the same speed as the wire descending speed Vw so that the growth rate Vc of the single crystal itself does not change when the load is gradually transferred from the wire to the constriction locking member. By adding to the growth speed Vc and controlling the rising speed Vb of the constriction locking member, the lowering speed of the wire is offset.
[0010]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the load moving method {circle around (5)} described above, when the member that locks the constriction and the like rises, the constriction and the like are gradually locked and the load gradually moves from the wire. In this case, the pulling speed Vc increases, and there is a problem that the single crystal is dislocated. Even if dislocations are not formed, the diameter of the single crystal is reduced due to an increase in the pulling speed Vc, resulting in a defective product. This problem is caused by the distortion of the shaft even in the configuration in which the seed crystal is pulled up by the shaft instead of the wire.
[0011]
In view of the problems of the conventional example, the present invention is a single crystal pulling apparatus capable of constantly controlling the pulling speed of a single crystal when moving a load from a member supporting a seed crystal to a member supporting a single crystal. The purpose is to provide.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the present invention provides a first pulling means for pulling a single crystal through a seed crystal, and a second pulling means for locking the single crystal by a gripping means and pulling it together with the first pulling means. Means, the total of the pulling speed Vw by the first pulling means and the pulling speed Vb by the second pulling means substantially coincides with the single crystal pulling speed Vc, and the second pulling means is the single pulling speed. In the single crystal pulling apparatus configured to control the pulling speed Vw by the first pulling means to gradually become “0” from a negative value after starting the locking of the crystal,
When the pulling speed Vw by the first pulling means goes from a negative value to “0”, the pulling speed Vb by the second pulling means is Vb = Vc + α × (−Vw) (where 0 ≦ α ≦ 1 there are, alpha is with the pulling of the single crystal, "1.00" single crystal pulling, characterized in that it comprises a control means for controlling so as to satisfy the values) you change to "0.00" from An apparatus is provided.
[0013]
In addition, according to the present invention, the first pulling means for pulling the single crystal through the seed crystal and the second pulling means for locking the single crystal and pulling it together with the first pulling means are provided. A method of pulling a single crystal using a crystal pulling apparatus, wherein the sum of the pulling speed Vw by the first pulling means and the pulling speed Vb by the second pulling means is substantially equal to the single crystal pulling speed Vc. In addition, in the single crystal pulling method for controlling the pulling speed Vw by the first pulling means to gradually become “0” from minus after the second pulling means starts the locking of the single crystal,
When the pulling speed Vw by the first pulling means goes from a negative value to “0”, the pulling speed Vb by the second pulling means is Vb = Vc + α × (−Vw) (where 0 ≦ α ≦ 1 there, alpha is with the pulling of the single crystal, the single crystal pulling method characterized by controlling so as to satisfy the values) change to "0.00" from the "1.00" is provided .
[0014]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a single crystal pulling apparatus according to the present invention, and FIGS. 2 and 3 are explanatory diagrams comparing the speed control of the present invention with a conventional example.
[0015]
In FIG. 1, although not shown in the main chamber 1, a quartz crucible in which the raw material of the single crystal 10 is melted is disposed, and a heater or the like is disposed around the quartz crucible. A pedestal 3 is mounted on the main chamber 1 via a bellows 2 that can expand and contract in the vertical direction, and the pedestal 3 can be moved in the vertical direction by a motor 4. An upper chamber 5 is mounted on the pedestal 3 so as to be rotatable about a vertical axis, and a holding device 6 for holding the constriction 12 of the single crystal 10 is disposed in the upper chamber 5. Above the upper chamber 5, a drum 8 is arranged to raise and lower the wire 7, and both the drum 8 (and the wire 7) and the upper chamber 5 (and the holding device 6) are rotated around a vertical axis by a motor 9. . The tip of the holding device 6 can be opened and closed by a drive source (not shown), and the drum 8 can be rotated by a motor (not shown).
[0016]
In such a configuration, when pulling up the single crystal 10, a seed crystal is attached to the tip of the wire 7 and immersed in the melt in the quartz crucible, and the seed crystal and the quartz crucible are rotated and moved up and down. By pulling up, first, the neck portion 11 is formed under the seed crystal, then the constriction 12 is formed under the neck portion, and then the straight body portion 13 is formed under the constriction 12. In this case, the pulling speed Vc is approximately inversely proportional to the diameter of the single crystal 10 and is controlled to be constant when the cylindrical straight body portion 13 is pulled up. In this case, the pulling speed Vc of the single crystal 10 is the sum of the wire winding speed Vw and the constriction locking member speed (bellows speed) Vb by the motor 4 (Vc = Vw + Vb).
[0017]
At this time, as shown in FIG. 1 (1), until the straight body portion 13 is lifted to some extent, the bellows speed Vb is set to 0 and the pulling is performed only by winding the wire. Next, as shown in FIG. 1 (2), the pulling drive shifts from winding the wire to pulling the bellows, and the initial speed control {circle around (1)} to {circle around (4)} is performed as described above. In the speed control (5) during the movement of the load of the present invention, when the tip of the holding device 6 is about to come into contact with the constriction 12, that is, the wire load is maximized (120 kg = single crystal weight 100 kg + wire weight 20 kg). Then, the wire speed Vw is controlled to become “0” (stop state) from −1.0 mm / min (down state), and the bellows speed Vb is Vc = Vb + α × Vw (note that 0) ≦ α ≦ 1).
[0018]
FIG. 3 shows a case where the cancellation rate α is switched by plotting. The wire load decreases as the load moves. First, when the wire load immediately before contact is 120 kg,

It is. When the load movement advances and the wire load is 100 kg, 70 kg, 50 kg, 30 kg, 22 kg, 20 kg (when the load movement is completed), the following speed control (Vc = α × Vw + Vb) is performed.
[0019]

[0020]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the member that supports the single crystal from the decrease in the descending speed of the member that supports the seed crystal while moving the load from the member that supports the seed crystal to the member that supports the single crystal. Since the decrease in the ascent rate is reduced, when the load is moved from the member supporting the seed crystal to the member supporting the single crystal, the pulling rate of the single crystal can always be controlled to be constant .
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a configuration diagram showing an embodiment of a single crystal pulling apparatus according to the present invention.
FIG. 2 is an explanatory diagram comparing speed control of the present invention and a conventional example.
FIG. 3 is an explanatory diagram comparing speed control of the present invention and a conventional example.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Main chamber 2 Bellows 3 Base 4 Motor 7 Wire 6 Holding device (Constriction locking member: The 2nd raising means is comprised with a bellows, a base, and a motor)
8 Drum (constitutes the first lifting means together with the wire)
10 Single crystal 12 Constriction

Claims

A first pulling means for pulling up the single crystal through a seed crystal; and a second pulling means for locking the single crystal by a gripping means and pulling it together with the first pulling means. After the second pulling means starts locking of the single crystal, the sum of the pulling speed Vw by the second pulling speed Vb and the pulling speed Vb by the second pulling means substantially coincides with the single crystal pulling speed Vc. In the single crystal pulling apparatus configured to control the pulling speed Vw by the pulling means of 1 so as to gradually become “0” from a negative value,
When the pulling speed Vw by the first pulling means goes from a negative value to “0”, the pulling speed Vb by the second pulling means is Vb = Vc + α × (−Vw) (where 0 ≦ α ≦ 1 there are, alpha is with the pulling of the single crystal, "1.00" single crystal pulling, characterized in that it comprises a control means for controlling so as to satisfy the values) you change to "0.00" from apparatus.

The single crystal pulling apparatus according to claim 1, wherein the first pulling means winds up a wire having a seed crystal attached to a tip by a drum.

The single crystal pulling apparatus according to claim 1, wherein the first pulling means lifts and lowers a shaft having a seed crystal attached to a tip thereof.

4. The single crystal pulling apparatus according to claim 1, wherein the second pulling means locks a constriction formed between the seed crystal and the straight body part. 5.

The single crystal pulling apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the second pulling means locks the straight body portion.

Using a single crystal pulling apparatus comprising a first pulling means for pulling up a single crystal through a seed crystal and a second pulling means for locking the single crystal and pulling it together with the first pulling means The pulling speed Vw by the first pulling means and the pulling speed Vb by the second pulling means are substantially equal to the single crystal pulling speed Vc, and the second pulling means In the single crystal pulling method for controlling the pulling speed Vw by the first pulling means so as to gradually become “0” from minus after starting the locking of the single crystal,
When the pulling speed Vw by the first pulling means goes from a negative value to “0”, the pulling speed Vb by the second pulling means is Vb = Vc + α × (−Vw) (where 0 ≦ α ≦ 1 there are, alpha is with the pulling of the single crystal, "1.00" single crystal pulling method characterized by controlling so as to satisfy the values) change to "0.00" from.