JP2956574B2 - Single crystal pulling device - Google Patents
Single crystal pulling deviceInfo
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Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はCZ法による単結晶
の育成に使用される単結晶引上げ装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a single crystal pulling apparatus used for growing a single crystal by the CZ method.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体ディバイスの製造に使用されるシ
リコンウェーハの素材としては、CZ法により育成され
たシリコン単結晶が多用されている。CZ法によるシリ
コン単結晶の育成では、周知の通り、引上げ軸の下端に
種結晶を装着し、石英坩堝内に生成されたシリコン融液
にこの種結晶を浸け、この状態から種結晶を回転させな
がら引上げることにより、種結晶の下方にシリコン単結
晶を育成する。2. Description of the Related Art As a material of a silicon wafer used for manufacturing a semiconductor device, a silicon single crystal grown by a CZ method is frequently used. As is well known, in growing a silicon single crystal by the CZ method, a seed crystal is attached to the lower end of a pulling shaft, the seed crystal is immersed in a silicon melt generated in a quartz crucible, and the seed crystal is rotated from this state. While pulling, a silicon single crystal is grown below the seed crystal.
【0003】ここで種結晶は、直径が10数mm程度の
シリコン単結晶からなる細かい棒体であり、上端部がシ
ードチャックに連結され、下端部がシリコン融液に浸漬
される。種結晶をシリコン融液に浸漬すると、熱衝撃に
より転位が導入されるため、種結晶をシリコン融液に浸
漬した後に種結晶の直径を絞り、しばらくの間この状態
を維持して結晶の無転位化を図るいわゆる種絞りが実施
される。種絞り部の直径は無転位化の観点から5mm以
下が必要とされ、3mm以下が望ましいとされている。Here, the seed crystal is a fine rod made of a silicon single crystal having a diameter of about several tens of mm, the upper end of which is connected to a seed chuck, and the lower end of which is immersed in a silicon melt. When the seed crystal is immersed in the silicon melt, dislocations are introduced by thermal shock. A so-called seed squeezing is carried out for the purpose. The diameter of the seed drawing portion is required to be 5 mm or less from the viewpoint of eliminating dislocations, and is desirably 3 mm or less.
【0004】ところで、CZ法により育成されるシリコ
ン単結晶は、これまでは直径が8インチで重量が100
kg前後のものが主流であった。しかし、最近になって
更なる大径化が求められ、直径が12インチ以上のシリ
コン単結晶の育成も企画されている。単結晶の直径が大
きくなると、当然その重量も増え、直径が12インチの
場合で重量は200kgに達する。Meanwhile, a silicon single crystal grown by the CZ method has a diameter of 8 inches and a weight of 100.
Those around kg were the mainstream. However, recently, a further increase in the diameter is required, and the growth of a silicon single crystal having a diameter of 12 inches or more is also being planned. As the diameter of the single crystal increases, the weight naturally increases, and when the diameter is 12 inches, the weight reaches 200 kg.
【0005】育成中の単結晶の重量は種結晶の特に種絞
り部に集中し、結晶重量が増大すると種絞り部にかかる
荷重も増大するが、シリコンの破壊強度は20kg/m
m2程度であり、200kgのシリコン単結晶を確実に
保持するためには、少なく見積もっても5mmを超える
直径が種絞り部に必要となる。ところが、5mmを超え
る直径では種結晶を無転位化することが不可能である。
従って、現状の技術では200kgに達する単結晶の育
成は不可能である。[0005] The weight of the single crystal during the growth is concentrated on the seed crystal, particularly at the seed drawing part. When the crystal weight increases, the load applied to the seed drawing part also increases, but the breaking strength of silicon is 20 kg / m2.
m 2 and about, in order to securely hold the silicon single crystal of 200kg is required for seed throttle portion diameter greater than 5mm be underestimated. However, if the diameter exceeds 5 mm, it is impossible to make the seed crystal dislocation-free.
Therefore, it is impossible to grow a single crystal reaching 200 kg with the current technology.
【0006】このような問題を解決するために、特公平
5−65477号公報等には単結晶のトップ部にクビレ
を形成し、そのクビレ部を複数の爪により周囲からクラ
ンプして、単結晶を引き上げる種結晶に依存しない引上
げ技術が示されている。In order to solve such a problem, Japanese Unexamined Patent Publication No. 5-65477 discloses a method in which a crack is formed at the top of a single crystal, and the crack is clamped from the periphery with a plurality of claws to form a single crystal. A seeding-independent pulling technique is shown.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】単結晶に形成したクビ
レ部を直接クランプする技術は、クランプ爪が不用意に
開かない限り、200kgを超える単結晶も確実に引上
げ、その落下を防止することができる。しかし、現状の
育成技術では、結晶引上げ軸に対して対称的なクビレ部
を形成することが困難である。そのため、クビレ部をク
ランプして単結晶の育成を行った場合には、単結晶が芯
円性を損ない、有転位化や直径制御精度の低下という問
題が生じる。また単結晶が引上げ軸方向においてくねっ
た形状になり、後工程の外周部切削による切削代の増大
も大きな問題となる。The technique of directly clamping a crack formed on a single crystal is a technique for securely pulling up a single crystal exceeding 200 kg and preventing its fall unless a clamp claw is carelessly opened. it can. However, it is difficult to form a crack portion symmetrical with respect to the crystal pulling axis with the current growth technique. For this reason, when a single crystal is grown by clamping a cracked portion, the single crystal loses core circularity, causing problems such as dislocations and reduction in diameter control accuracy. Further, the single crystal has a meandering shape in the direction of the pulling axis, and an increase in the cutting allowance due to the cutting of the outer peripheral portion in a later step also poses a serious problem.
【0008】本発明の目的は、200kgを超える単結
晶についてもその落下を確実に防止し、且つその防止に
伴う引上げへの悪影響を可及的に回避することができる
単結晶引上げ装置を提供することにある。An object of the present invention is to provide a single crystal pulling apparatus capable of reliably preventing a single crystal exceeding 200 kg from dropping and avoiding as much as possible adverse effects on pulling due to the prevention. It is in.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明の単結晶引上げ装
置は、CZ法により原料融液から単結晶を回転させなが
ら引上げ、且つ単結晶のトップ部にクビレを形成する引
上げ装置本体と、内側に単結晶のトップ部が存在する状
態で単結晶と共に上昇する環状ベースと、環状ベースの
周方向複数位置に結晶半径方向を向けて配置され、且つ
その結晶半径方向に移動可能な複数の結晶保持ピンと、
環状ベースの荷重を複数の結晶保持ピンの結晶中心方向
の推進力に変換する手段とを具備する。SUMMARY OF THE INVENTION A single crystal pulling apparatus of the present invention comprises a pulling apparatus body for pulling a single crystal from a raw material melt while rotating the single crystal by a CZ method, and forming a crack at a top portion of the single crystal; An annular base which rises together with the single crystal in a state where a single crystal top portion is present, and a plurality of crystal holding members which are arranged in a plurality of circumferential positions of the annular base in a crystal radial direction and are movable in the crystal radial direction. idea,
Means for converting the load of the annular base into a driving force in the direction of the crystal center of the plurality of crystal holding pins.
【0010】本発明の単結晶引上げ装置においては、複
数の結晶保持ピンを結晶外面に非接触の状態でクビレ部
内に嵌合させ、この状態で環状ベースを上昇させること
により、単結晶が従来通り種結晶に保持されて引上げら
れる。種結晶の破壊により単結晶が落下すると、クビレ
部より上の大径部が複数の結晶保持ピンに引っ掛かる。
そうすると、単結晶の荷重が複数の結晶保持ピンを介し
て環状ベースに付加され、見掛け上、環状ベースの荷重
が増大する。その結果、複数の結晶保持ピンの結晶中心
方向への推進力が増大する。かくして、単結晶が複数の
結晶保持ピンにより確実に保持される。In the single crystal pulling apparatus of the present invention, a plurality of crystal holding pins are fitted into the crevice portion in a non-contact state with the outer surface of the crystal, and the annular base is raised in this state, so that the single crystal can be formed as in the prior art. It is held by the seed crystal and pulled up. When the single crystal falls due to the destruction of the seed crystal, the large-diameter portion above the crack portion is caught by the plurality of crystal holding pins.
Then, the load of the single crystal is applied to the annular base via the plurality of crystal holding pins, and apparently the load of the annular base increases. As a result, the driving force of the plurality of crystal holding pins toward the crystal center increases. Thus, the single crystal is securely held by the plurality of crystal holding pins.
【0011】複数の結晶保持ピンを結晶外面に接触させ
て、引上げ中の単結晶を直接保持することも可能であ
る。その場合も単結晶をその荷重を利用して確実に保持
することができる。ただし、この場合は環状ベースを周
方向に回転させる必要がある。It is also possible to directly hold a single crystal being pulled by bringing a plurality of crystal holding pins into contact with the outer surface of the crystal. Also in that case, the single crystal can be reliably held by utilizing the load. However, in this case, it is necessary to rotate the annular base in the circumferential direction.
【0012】[0012]
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図示
例に基づいて説明する。図1は本発明を実施した単結晶
引上げ装置の1例についてその主要部を示す立面図、図
2は図1のA−A線矢視図である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is an elevation view showing a main part of an example of a single crystal pulling apparatus embodying the present invention, and FIG. 2 is a view taken along line AA of FIG.
【0013】本引上げ装置は、シリコンの原料融液から
シリコン単結晶10を引き上げる引上げ装置本体30
と、引上げ中の単結晶10の落下を防止するために引上
げ装置本体30のプルチャンバー31内に設けられた単
結晶保持機構40とを具備する。This pulling apparatus is a pulling apparatus main body 30 for pulling a silicon single crystal 10 from a silicon raw material melt.
And a single crystal holding mechanism 40 provided in a pull chamber 31 of the pulling apparatus main body 30 to prevent the single crystal 10 from falling during pulling.
【0014】引上げ装置本体30は、従来の引上げ装置
と基本的に同じであって、プルチャンバー31内を通っ
てメインチャンバー内に垂下するワイヤ32の下端にシ
ードチャック33を取付け、これに装着した種結晶20
を原料融液に浸漬した状態から、ワイヤ32を回転させ
ながら上昇させることにより、種結晶20の下方に単結
晶10を育成し、プルチャンバー31内に引込む。また
育成初期に引上げ速度等を制御することにより、単結晶
10のトップ部にクビレ部11を形成する。The pulling device main body 30 is basically the same as a conventional pulling device. A seed chuck 33 is attached to a lower end of a wire 32 that passes through a pull chamber 31 and hangs down in a main chamber, and is attached thereto. Seed crystal 20
The single crystal 10 is grown below the seed crystal 20 by rotating the wire 32 while rotating the wire 32 from a state of being immersed in the raw material melt, and pulled into the pull chamber 31. By controlling the pulling speed and the like in the early stage of the growth, the cracked portion 11 is formed at the top of the single crystal 10.
【0015】引上げ装置本体30のプルチャンバー31
内に設けられた単結晶保持機構40は、内側中心部をワ
イヤ32が挿通する環状ベース41を有する。環状ベー
ス41はプルチャンバー31の内側にリング42および
ベアリング43により昇降自在かつ回転自在に支持され
ている。すなわち、リング42はプルチャンバー31の
内面に設けた複数の縦リブ44に案内されて昇降可能で
あり、環状ベース41はこのリング42の内側にベアリ
ング43を介して支持されている。そして、この環状ベ
ース41はシードチャック33に載って上昇する円形の
支持板45の外周部複数箇所から垂下した複数のワイヤ
46により懸吊支持される。The pull chamber 31 of the pulling apparatus main body 30
The single crystal holding mechanism 40 provided therein has an annular base 41 through which a wire 32 passes through an inner central portion. The annular base 41 is supported inside the pull chamber 31 by a ring 42 and a bearing 43 so as to be vertically movable and rotatable. That is, the ring 42 can be moved up and down by being guided by a plurality of vertical ribs 44 provided on the inner surface of the pull chamber 31, and the annular base 41 is supported inside the ring 42 via the bearing 43. The annular base 41 is suspended and supported by a plurality of wires 46 hanging from a plurality of outer peripheral portions of a circular support plate 45 which rises on the seed chuck 33.
【0016】環状ベース41上の周方向複数位置にはワ
イヤ46の配置位置に対応して複数本の結晶保持ピン4
7が配設されている。結晶保持ピン47はいずれもプル
チャンバー31の半径方向、すなわち結晶半径方向を向
き、且つその結晶半径方向に移動自在に支持されてい
る。そして、環状ベース41の上に支持板45が重なっ
た状態でワイヤ46が環状ベース41内のピニオンギア
に巻き取られることにより、結晶保持ピン47は外周側
の退避位置に固定される。環状ベース41の上に重なっ
た支持板45が上昇し環状ベース41から離れると、環
状ベース41からワイヤ46が引出されると共にピニオ
ンギアが回転することにより、結晶保持ピン47は内周
側の結晶保持位置まで前進する。At a plurality of circumferential positions on the annular base 41, a plurality of crystal holding pins 4 corresponding to the positions of the wires 46 are provided.
7 are provided. Each of the crystal holding pins 47 faces the radial direction of the pull chamber 31, that is, the crystal radial direction, and is supported movably in the crystal radial direction. Then, the wire 46 is wound around a pinion gear in the annular base 41 in a state where the support plate 45 is superimposed on the annular base 41, so that the crystal holding pin 47 is fixed to the retracted position on the outer peripheral side. When the support plate 45 superimposed on the annular base 41 rises and separates from the annular base 41, the wire 46 is pulled out from the annular base 41 and the pinion gear rotates, so that the crystal holding pin 47 is moved to the crystal on the inner peripheral side. Move forward to the holding position.
【0017】複数本の結晶保持ピン47の各先端を通る
円の直径は、結晶保持ピン47が外周側の退避位置に存
在する状態で、単結晶10のクビレ部11より上方の部
分の最大直径より大きく、結晶保持ピン47が内周側の
結晶保持位置に存在する状態では、前記最大直径より小
さく且つクビレ部11の最小直径より大きく設定されて
いる。The diameter of a circle passing through the tips of the plurality of crystal holding pins 47 is the maximum diameter of a portion of the single crystal 10 above the crevice 11 in a state where the crystal holding pins 47 are in the retracted position on the outer peripheral side. In the state where the crystal holding pin 47 is located at the crystal holding position on the inner peripheral side, the diameter is set to be smaller than the maximum diameter and larger than the minimum diameter of the crevice portion 11.
【0018】次に、本引上げ装置を用いた単結晶10の
育成方法について説明する。Next, a method of growing the single crystal 10 using the pulling apparatus will be described.
【0019】引上げ装置本体30のシードチャック33
に装着された種結晶20をメインチャンバー内に設置さ
れた坩堝内の原料融液に漬け、ワイヤ32を回転させな
がら上昇させることにより、種絞りを行い、引続き単結
晶10のトップ部にクビレ部11を形成し、その後にシ
ョルダー部および直胴部を順に形成する。The seed chuck 33 of the pulling apparatus main body 30
The seed crystal 20 attached to the crucible placed in the main chamber is immersed in the raw material melt and raised while rotating the wire 32 to perform seed drawing. Then, a shoulder portion and a straight body portion are formed in this order.
【0020】このとき、単結晶保持機構40の環状ベー
ス41はプルチャンバー31の下端部内に保持され、支
持板45はこの環状ベース41の上に載った状態にあ
る。従って、複数本の結晶保持ピン47は外周側の退避
位置に存在する。At this time, the annular base 41 of the single crystal holding mechanism 40 is held in the lower end of the pull chamber 31, and the support plate 45 is placed on the annular base 41. Therefore, the plurality of crystal holding pins 47 are located at the retracted positions on the outer peripheral side.
【0021】単結晶10の育成が進むと、シードチャッ
ク33がプルチャンバー31内の環状ベース41の内側
を通過し、支持板45に当たる。そうすると、支持板4
5はシードチャック33の上に載りシードチャック33
と共に回転しながら上昇し始める。これにより、環状ベ
ース41からワイヤ46が引出され、複数本の結晶保持
ピン47が同時に前進し、ワイヤ46の引出しが完了し
た時点で、可動ピン47は内周側の結晶保持位置に到達
する。そして、この時点で複数本の結晶保持ピン47の
内側に単結晶10のクビレ部11が位置するように、単
結晶10の育成を行うことにより、複数本の結晶保持ピ
ン47は単結晶10のクビレ部11内に、結晶外面に非
接触の状態で嵌合する。As the growth of the single crystal 10 proceeds, the seed chuck 33 passes through the inside of the annular base 41 in the pull chamber 31 and hits the support plate 45. Then, the support plate 4
5 is placed on the seed chuck 33 and the seed chuck 33
It starts to rise while rotating with it. As a result, the wire 46 is pulled out from the annular base 41, and the plurality of crystal holding pins 47 advance at the same time. When the drawing of the wire 46 is completed, the movable pin 47 reaches the crystal holding position on the inner peripheral side. At this point, the single crystal 10 is grown so that the crack portion 11 of the single crystal 10 is located inside the plurality of crystal holding pins 47, so that the plurality of crystal holding pins 47 It fits inside the crack portion 11 in a non-contact state with the outer surface of the crystal.
【0022】ワイヤ46の引出しが完了すると、環状ベ
ース41はワイヤ46に引かれて単結晶10と共に上昇
する。また、支持板45がシードチャック33と共に回
転することにより、単結晶10と同じ速度で周方向に回
転する。When the drawing of the wire 46 is completed, the annular base 41 is pulled by the wire 46 and rises together with the single crystal 10. In addition, when the support plate 45 rotates together with the seed chuck 33, the support plate 45 rotates in the circumferential direction at the same speed as the single crystal 10.
【0023】単結晶10の育成中あるいは育成後に種結
晶20が破断した場合は、単結晶10のクビレ部11よ
り上方の部分が複数本の結晶保持ピン47の各先端に引
っ掛かる。そうすると、単結晶10の荷重が結晶保持ピ
ン47を介して環状ベース41に付加され、結果的に環
状ベース41の荷重が増大する。この荷重はワイヤ46
にかかるので、結晶保持ピン47の内周側への推進力が
増大する。If the seed crystal 20 breaks during or after the growth of the single crystal 10, the portion of the single crystal 10 above the crack portion 11 is hooked on each tip of the plurality of crystal holding pins 47. Then, the load of single crystal 10 is applied to annular base 41 via crystal holding pin 47, and as a result, the load of annular base 41 increases. This load is applied to the wire 46
Therefore, the driving force of the crystal holding pin 47 toward the inner peripheral side increases.
【0024】従って、単結晶10の落下が確実に防止さ
れる。また、単結晶10が通常に育成される場合は、結
晶保持ピン47が結晶外面に接触せず、従来通りの種結
晶20による引上げが行われるので、単結晶10の落下
防止に伴う引上げへの悪影響が回避される。Therefore, the single crystal 10 is reliably prevented from falling. When the single crystal 10 is grown normally, the crystal holding pins 47 do not come into contact with the outer surface of the crystal, and the pulling by the seed crystal 20 is performed in the conventional manner. Adverse effects are avoided.
【0025】複数本の結晶保持ピン47の各先端をクビ
レ部11の結晶外面に接触させるようにした場合は、単
結晶10の荷重の一部を利用したかたちで、クビレ部1
1が結晶保持ピン47により保持され、単結晶10が重
くなるにつれてその保持力が増すので、200kgを超
えるような単結晶10についても育成が可能となる。When the tips of the plurality of crystal holding pins 47 are brought into contact with the outer surface of the crystal of the crack portion 11, the crack portion 1 is formed by utilizing a part of the load of the single crystal 10.
1 is held by the crystal holding pins 47, and the holding force increases as the single crystal 10 becomes heavier, so that the single crystal 10 exceeding 200 kg can be grown.
【0026】直径8インチ、重量150kgのシリコン
単結晶を育成する場合に、本引上げ装置を用いた。単結
晶保持機構40における結晶保持ピン47はクビレ部の
結晶外面に非接触とした。離液後の間欠引上げで意図的
に種結晶を破壊させたが、結晶保持ピン47により確実
に単結晶が保持され、その落下が防止された。The present pulling apparatus was used to grow a silicon single crystal having a diameter of 8 inches and a weight of 150 kg. The crystal holding pins 47 in the single crystal holding mechanism 40 did not come into contact with the crystal outer surface of the crack portion. Although the seed crystal was intentionally destroyed by intermittent pulling after the liquid separation, the single crystal was securely held by the crystal holding pin 47 and its falling was prevented.
【0027】本引上げ装置を用いて直径8インチ、重量
150kgの単結晶を育成する際に、最終引上げが不可
能な2mmまで種結晶を絞る一方、単結晶保持機構40
によりクビレ部を接触保持した。その結果、種結晶を破
損させることなく単結晶の育成を完了させることができ
た。When growing a single crystal having a diameter of 8 inches and a weight of 150 kg using the pulling apparatus, the seed crystal is narrowed down to 2 mm where final pulling is impossible, while the single crystal holding mechanism 40
The contact portion held the cracked portion. As a result, the growth of the single crystal could be completed without damaging the seed crystal.
【0028】結晶保持ピン47は図示例では4個とした
が、3個以上であれば単結晶10の落下を確実に防止す
ることができる。The number of the crystal holding pins 47 is four in the illustrated example. However, if the number is three or more, the single crystal 10 can be reliably prevented from falling.
【0029】[0029]
【発明の効果】以上に説明した通り、本発明の単結晶引
上げ装置は、荷重を利用して駆動される複数本の結晶保
持ピンにより、結晶保持ピンが結晶外面に接触する場合
も非接触の場合も単結晶の落下を確実に防止することが
できる。そして、結晶保持ピンを結晶外面に対して非接
触とすることにより、単結晶の落下防止に伴う引上げへ
の悪影響を可及的に回避することができる。従って、大
径単結晶の育成技術の確立に大きな効果を発揮する。As described above, the single crystal pulling apparatus of the present invention has a plurality of crystal holding pins driven by using a load. Also in this case, the single crystal can be reliably prevented from falling. By making the crystal holding pin non-contact with the outer surface of the crystal, it is possible to avoid as much as possible an adverse effect on pulling due to prevention of the single crystal from falling. Therefore, it is very effective in establishing a technique for growing a large-diameter single crystal.
【図1】本発明を実施した単結晶引上げ装置の1例につ
いてその主要部を示す立面図である。FIG. 1 is an elevation view showing a main part of an example of a single crystal pulling apparatus embodying the present invention.
【図2】図1のA−A線矢視図である。FIG. 2 is a view taken along the line AA of FIG. 1;
10 単結晶 11 クビレ部 20 種結晶 30 引上げ装置本体 31 プルチャンバー 32 ワイヤ 33 シードチャック 40 単結晶保持機構 41 環状ベース 46 ワイヤ 47 結晶保持ピン DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Single crystal 11 Crack part 20 Seed crystal 30 Pulling apparatus main body 31 Pull chamber 32 Wire 33 Seed chuck 40 Single crystal holding mechanism 41 Annular base 46 Wire 47 Crystal holding pin
Claims (1)
させながら引上げ、且つ単結晶のトップ部にクビレを形
成する引上げ装置本体と、内側に単結晶のトップ部が存
在する状態で単結晶と共に上昇する環状ベースと、環状
ベースの周方向複数位置に結晶半径方向を向けて配置さ
れ、且つその結晶半径方向に移動可能な複数の結晶保持
ピンと、環状ベースの荷重を複数の結晶保持ピンの結晶
中心方向の推進力に変換する手段とを具備することを特
徴とする単結晶引上げ装置。1. A pulling apparatus body for pulling a single crystal from a raw material melt while rotating it by a CZ method, and forming a crack at the top of the single crystal, and a single crystal in a state where the single crystal top is present inside the single crystal. An annular base that rises together with the plurality of crystal holding pins, the plurality of crystal holding pins being arranged in a plurality of positions in the circumferential direction of the annular base in the radial direction of the crystal, and being movable in the crystal radial direction; Means for converting the driving force into a driving force in the direction of the center of the crystal.
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP6920396A JP2956574B2 (en) | 1996-02-28 | 1996-02-28 | Single crystal pulling device |
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JP6920396A JP2956574B2 (en) | 1996-02-28 | 1996-02-28 | Single crystal pulling device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPH09227282A JPH09227282A (en) | 1997-09-02 |
JP2956574B2 true JP2956574B2 (en) | 1999-10-04 |
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ID=13395944
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP6920396A Expired - Lifetime JP2956574B2 (en) | 1996-02-28 | 1996-02-28 | Single crystal pulling device |
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Families Citing this family (3)
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JP4662362B2 (en) * | 2006-02-14 | 2011-03-30 | コバレントマテリアル株式会社 | Single crystal pulling device |
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1996
- 1996-02-28 JP JP6920396A patent/JP2956574B2/en not_active Expired - Lifetime
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