JP4096075B2 - 新規な組成物及びそれを用いた磁気記録媒体 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気記録媒体用潤滑剤等として有用な組成物及び該組成物を用いて得られる磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
磁気記録の分野に於いては、デジタル化、小型化、長時間化などの高性能化が進んでおり、磁気記録媒体の高密度化への要求が高まっている。特に近年では、磁気記録層を強磁性金属薄膜層で構成した金属薄膜型磁気記録媒体が、短波長記録に極めて有利なことから、これらに関する研究が盛んに行われている。
その中で、磁気記録媒体用の潤滑剤についても注目が集まっており、潤滑剤を改良することで磁気記録媒体自体の高性能化が期待できることが判ってきている。
【０００３】
従来、磁気記録媒体用の潤滑剤としては、例えばカルボン酸エステル類が知られているが、特に高温多湿条件下で保存すると潤滑剤層の撥水性が不十分なため、潤滑剤を含有する層中に水分が浸入し易くなって、その結果潤滑剤の吸着状態が変化したり、潤滑剤自体が凝集してしまう為、初期の特性を維持できない等の問題点を有している。
【０００４】
また、フルオロカルボン酸及びフルオロカルボン酸より得られたエステル等は、フルオロカルボン酸が強酸であるために、磁気記録層表面や磁気記録層を保護する保護層表面を傷めてしまうこと、誘導されるエステル類は加水分解し易く耐候性が不十分であること、有用とされる炭素数の大きいフルオロカルボン酸の合成は困難であり、比較的炭素数の小さいフルオロカルボン酸及びそれから得られるエステルは、低摩擦化の効果、即ち走行耐久性が不十分であること等の問題点を有している。
【０００５】
モノカルボン酸とパーフルオロアルキルアルコールとから成るエステルタイプの潤滑剤（特開昭62-256218号）は、１分子内に極性基であるカルボニル基が１個存在するため、分子の断面積が比較的小さく、磁気記録層の表面や磁気記録層を保護する保護層の表面を覆いやすいという利点を有しているが、分子内のアルキル基は表面に対して傾斜を持って配向しているため、その潤滑作用を充分に発揮しにくいという問題点を有している。
【０００６】
また、ジカルボン酸とフルオロアルキルアルコールとから成るエステルタイプの潤滑剤（特開平5-128498号、特開平5-282662号、特開平6-28717号）は、表面上で１分子当たり２個の極性基で吸着し配向するため、分子内のアルキル基は表面に対して傾斜をとり難く、その潤滑作用を発揮し易いという利点を有している。 その反面、分子内に２個の極性基を有することで分子の断面積が比較的大きく、表面を覆い難いという問題点を有している。更に、高温多湿条件下で保存した後室温に戻すと分子の配向力が強いが故に再結晶が起こることがあるので、磁気記録媒体の耐候性を低下させる要因となる。更に、構造上分子量が大きくなりがちであることから、これを用いた磁気記録媒体の低温でのスチル特性が低下する等の問題点も有している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記した如き状況に鑑みなされたもので、前記した如き欠点がなく、走行耐久性、スチル寿命、耐候性に優れた磁気記録媒体を製造し得る組成物、並びに該組成物を含んで成る磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、一般式［１］
Ｒ1−ＣＯＯ−Ｒ2 ［１］
（式中、Ｒ1はフッ素原子を含んでいてもよい高級脂肪族炭化水素残基を表し、Ｒ2はフッ素原子及び／又は酸素原子を含んでいてもよい脂肪族炭化水素残基を表す。）で示される化合物と、一般式［２］
【０００９】
【化２】
【００１０】
（式中、Ｒ3はフッ素原子を含んでいてもよい高級脂肪族炭化水素残基を表し、Ｒ4及びＲ5は夫々独立してフッ素原子及び／又は酸素原子を含んでいてもよい脂肪族炭化水素残基又は水素原子を表す。但し、Ｒ4又はＲ5の少なくとも一方が１個以上の酸素原子を含んでいてもよい含フッ素脂肪族炭化水素残基である。）で示される化合物とを含んで成る組成物、及びこの組成物を含有して成る層を有する磁気記録媒体、
及び一般式［５］
Ｒ8−ＣＯＯ−Ｒ9−Ｒｆ ［５］
（式中、Ｒ8は炭素数１３のアルキル基を表し、Ｒ9は炭素数２〜６のメチレン鎖を表し、Ｒｆは炭素数７〜２０のパーフルオロアルキル基を表す。）で示される化合物、の発明に関する。
【００１１】
本発明者等は、高性能な磁気記録媒体を製造し得る潤滑剤について鋭意研究を重ねた結果、一般式［１］で示される化合物と一般式［２］で示される化合物とを含んで成る組成物を磁気記録媒体用潤滑剤として使用することにより、従来の潤滑剤の有する上記問題点を解決できることを見出し、本発明を完成するに到った。
【００１２】
一般式［１］に於いて、Ｒ1で表されるフッ素原子を含んでいてもよい高級脂肪族炭化水素残基の高級脂肪族炭化水素残基としては、直鎖状でも分枝状でもよいが、直鎖状のものが好ましく、通常炭素数６〜２４、好ましくは８〜２４、更に好ましくは１１〜２４のものが挙げられる。具体的には、例えばｎ-ヘキシル基，イソヘキシル基，ヘプチル基，オクチル基，ノニル基，デシル基，ウンデシル基，ドデシル基，テトラデシル基，ヘキサデシル基，オクタデシル基，イコシル基，ドコシル基，テトラコシル基等のアルキル基が挙げられる。また、該脂肪族炭化水素残基は１〜４、好ましくは１〜３個の二重結合を有していてもよい。具体的には、例えば8-ヘプタデセニル基等のアルケニル基、8,11-ヘプタデカジエニル基等のアルカジエニル基、8,11,14-ヘプタデカトリエニル基等のアルカトリエニル基、4,7,10,13-ノナデカテトラエニル基等のアルカテトラエニル基が挙げられる。
【００１３】
Ｒ1で示されるフッ素原子を含んでいる高級脂肪族炭化水素残基としては、上記高級脂肪族炭化水素残基の水素原子のうち通常１〜４１、好ましくは２〜１８個がフッ素原子に置換されたものが挙げられる。中でもフッ素原子で置換されていない水素原子を有する基が好ましい。
【００１４】
尚、磁気記録媒体用潤滑剤として用いた場合には、Ｒ1はフッ素原子を含んでいないものの方が好ましく、パーフルオロアルキル基を用いることは適当でない
。
【００１５】
Ｒ2で表されるフッ素原子及び／又は酸素原子を含んでいてもよい脂肪族炭化水素残基の脂肪族炭化水素残基としては、通常炭素数１〜２６、好ましくは４〜２０、更に好ましくは４〜１４のものが挙げられ、直鎖状であることが好ましい。 具体的には、例えばメチル基，エチル基，プロピル基，ブチル基，ペンチル基，ヘキシル基，へプチル基，オクチル基，ノニル基，デシル基，ウンデシル基，ドデシル基，テトラデシル基，ヘキサデシル基，オクタデシル基，イコシル基，ドコシル基，テトラコシル基，ヘキサコシル基等のアルキル基が挙げられる。
また、該脂肪族炭化水素残基は１〜４、好ましくは１〜３個の二重結合を有していてもよい。具体的には、例えば8-ヘプタデセニル基等のアルケニル基、8,11-ヘプタデカジエニル基等のアルカジエニル基、8,11,14-ヘプタデカトリエニル基等のアルカトリエニル基、4,7,10,13-ノナデカテトラエニル基等のアルカテトラエニル基が挙げられる。
【００１６】
フッ素原子を含んでいる脂肪族炭化水素残基としては、上記脂肪族炭化水素残基の水素原子が通常１〜５３、好ましくは２〜４１個がフッ素原子に置換されたものが挙げられる。
【００１７】
酸素原子を含んでいる脂肪族炭化水素残基としては、脂肪族炭化水素残基の鎖中の任意の位置に−Ｏ−基を１〜４、好ましくは１又は２個有しているものが挙げられ、具体的には、例えば-CH2-O-CH3，-CH2CH2-O-CH3，-CH2CH2-O-CH2CH3，-CH2CH2-O-CH2CH2-O-CH3，-CH2CH2-O-CH2CH2-O-C8H17，-CH2CH2-O-CH2CH2-O-C9H17，-(CH2)5-O-(CH2)7-O-(CH2)3CH3等が挙げられる。
【００１８】
フッ素原子及び酸素原子を含んでいる脂肪族炭化水素残基としては、酸素原子を含んでいる脂肪族炭化水素残基の水素原子のうち１〜５３、好ましくは１〜４１、更に好ましくは１〜１９個がフッ素原子に置換されたものが挙げられる。具体的には、例えば-CH2-O-CH2F，-CH2CHF-O-CH2F，-CH2CF2-O-CF2CH3，-CF2CF2-O-CH2CH2-O-CH3，-(CH2)5-O-(CH2)7-O-(CF2)3CH3，-(CH2)5-O-(CH2)7-O-C3F7，-CH2CH2-O-CH2CH2-O-C8F17，-CH2CH2-O-CH2CH2-O-C9F17等が挙げられる。
【００１９】
また、Ｒ2で表されるフッ素原子及び／又は酸素原子を含んでいてもよい脂肪族炭化水素残基の好ましい例としては、一般式［３］
−Ｒ6−Ｙ ［３］
（式中、Ｒ6は酸素原子を含んでいてもよいメチレン鎖を表し、Ｙはフルオロアルキル基を表す。）で示される基等が挙げられる。
【００２０】
一般式［３］に於いて、Ｒ6で表される酸素原子を含んでいてもよいメチレン鎖のメチレン鎖としては、通常炭素数１以上、好ましくは１〜６のメチレン鎖が挙げられ、具体的には、例えばメチレン，エチレン，トリメチレン，テトラメチレン，ペンタメチレン，へキサメチレン等が挙げられる。
【００２１】
酸素原子を含んでいるメチレン鎖としては、メチレン鎖中の任意の位置に−Ｏ−基を１〜４、好ましくは１又は２個有しているメチレン鎖が挙げられ、具体的には、例えば-CH2-O-，-CH2CH2-O-CH2-，-CH2CH2-O-CH2CH2-，-CH2CH2-O-CH2CH2-O-，-CH2CH2-O-CH2CH2-O-CH2CH2-，-CH2CH2-O-CH2CH2CH2-O-CH2-，-CH2CH2CH2-O-CH2-O-CH2-O-CH2CH2-等が挙げられる。
【００２２】
中でも、Ｒ6は酸素原子を含んでいないものがより好ましい。
【００２３】
Ｙで表されるフルオロアルキル基のアルキル基としては、通常炭素数１〜２０、好ましくは２〜９のものが挙げられ、具体的には、例えばメチル基，エチル基，プロピル基，ブチル基，ペンチル基，ヘキシル基，へプチル基，オクチル基，ノニル基，デシル基，ウンデシル基，ドデシル基，テトラデシル基，ヘキサデシル基，オクタデシル基，イコシル基等のアルキル基が挙げられる。フルオロアルキル基としては、上記アルキル基の水素原子のうち通常１〜４１、好ましくは２〜１９個がフッ素原子に置換されたものが挙げられる。
【００２４】
一般式［１］で示される化合物の代表的な例としては、例えばＣ13Ｈ27ＣＯＯＣ4Ｈ9，Ｃ15Ｈ31ＣＯＯＣ4Ｈ9，Ｃ17Ｈ35ＣＯＯＣ4Ｈ9，Ｃ17Ｈ33ＣＯＯＣ4Ｈ9等の高級脂肪酸エステル、Ｃ13Ｈ27ＣＯＯＣＨ2ＣＨ2Ｃ8Ｆ17，Ｃ15Ｈ31ＣＯＯＣＨ2ＣＨ2Ｃ8Ｆ17，Ｃ17Ｈ35ＣＯＯＣＨ2ＣＨ2Ｃ8Ｆ17，Ｃ17Ｈ33ＣＯＯＣＨ2ＣＨ2Ｃ8Ｆ17，Ｃ13Ｈ27ＣＯＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣ9Ｆ17，Ｃ15Ｈ31ＣＯＯＣ4Ｆ9，Ｃ17Ｈ31ＣＯＯＣＨ2ＣＨ2Ｃ8Ｆ17等のフッ素含有高級脂肪酸エステル等が挙げられる。
【００２５】
一般式［２］に於いて、Ｒ3で示されるフッ素原子を含んでいてもよい高級脂肪族炭化水素残基の高級脂肪族炭化水素残基としては、直鎖状でも分枝状でもよく、通常炭素数６以上、好ましくは８〜２４、更に好ましくは１１〜２４のものが挙げられる。具体的には、例えばｎ-ヘキシル基，イソヘキシル基，ヘプチル基，オクチル基，ノニル基，デシル基，ウンデシル基，ドデシル基，テトラデシル基，ヘキサデシル基，オクタデシル基，イコシル基，ドコシル基，テトラコシル基等のアルキル基が挙げられる。
また、該脂肪族炭化水素残基は１〜４、好ましくは１〜３個の二重結合を有していてもよい。具体的には、例えば8-ヘプタデセニル基等のアルケニル基、8,11-ヘプタデカジエニル基等のアルカジエニル基、8,11,14-ヘプタデカトリエニル基等のアルカトリエニル基、4,7,10,13-ノナデカテトラエニル基等のアルカテトラエニル基が挙げられる。
【００２６】
Ｒ3で示されるフッ素原子を含んでいる高級脂肪族炭化水素残基としては、前記脂肪族炭化水素残基の水素原子のうち１〜４９、好ましくは２〜２４個がフッ素原子に置換されたものが挙げられる。
【００２７】
尚、Ｒ3としては、フッ素原子を含んでいないものがより好ましい。
【００２８】
Ｒ4及びＲ5で表されるフッ素原子及び／又は酸素原子を含んでいてもよい脂肪族炭化水素残基の脂肪族炭化水素残基としては、通常炭素数１〜２６、好ましくは４〜２０、更に好ましくは４〜１４のものが挙げられ、直鎖状であることが好ましい。具体的には、例えばメチル基，エチル基，プロピル基，ブチル基，ペンチル基，ヘキシル基，へプチル基，オクチル基，ノニル基，デシル基，ウンデシル基，ドデシル基，テトラデシル基，ヘキサデシル基，オクタデシル基，イコシル基，ドコシル基，テトラコシル基，ヘキサコシル基等のアルキル基が挙げられる。
また、該脂肪族炭化水素残基は１〜４、好ましくは１〜３個の二重結合を有していてもよい。具体的には、例えば8-ヘプタデセニル基等のアルケニル基、8,11-ヘプタデカジエニル基等のアルカジエニル基、8,11,14-ヘプタデカトリエニル基等のアルカトリエニル基、4,7,10,13-ノナデカテトラエニル基等のアルカテトラエニル基が挙げられる。
【００２９】
フッ素原子を含んでいる脂肪族炭化水素残基としては、上記脂肪族炭化水素残基の水素原子のうち１〜５３、好ましくは２〜２４個がフッ素原子に置換されたものが挙げられる。
【００３０】
酸素原子を含んでいる脂肪族炭化水素残基としては、脂肪族炭化水素残基の鎖中の任意の位置に−Ｏ−基を１〜４、好ましくは１又は２個有しているものが挙げられ、具体的には、例えば-CH2-O-CH3，-CH2CH2-O-CH3，-CH2CH2-O-CH2CH3，-CH2CH2-O-CH2CH2-O-CH3，-CH2CH2-O-CH2CH2-O-C9H17，-(CH2)5-O-(CH2)7-O-(CH2)3CH3等が挙げられる。
【００３１】
フッ素原子及び酸素原子を含んでいる脂肪族炭化水素残基としては、前記酸素原子を含んでいる脂肪族炭化水素残基の水素原子のうち１〜３３、好ましくは２〜９個がフッ素原子に置換されたもの等が挙げられる。具体的には、例えば-CH2-O-CH2F，-CH2CHF-O-CH2F，-CH2CF2-O-CF2CH3，-CF2CF2-O-CH2CH2-O-CH3，-(CH2)5-O-(CH2)7-O-(CF2)3CH3，-(CH2)5-O-(CH2)7-O-C3F7，-CH2CH2-O-CH2CH2-O-C9F17等が挙げられる。
【００３２】
また、Ｒ4及びＲ5で表されるフッ素原子及び／又は酸素原子を含んでいてもよい脂肪族炭化水素残基の好ましい例としては、一般式［４］
−Ｒ7−Ｚ ［４］
（式中、Ｒ7は酸素原子を含んでいてもよいメチレン鎖を表し、Ｚはフルオロアルキル基を表す。）で示される基等が挙げられる。
【００３３】
一般式［４］に於いて、Ｒ7で表される酸素原子を含んでいてもよいメチレン鎖のメチレン鎖としては、通常炭素数１以上、好ましくは１〜６のメチレン鎖が挙げられ、具体的には、例えばメチレン，エチレン，トリメチレン，テトラメチレン，ペンタメチレン，へキサメチレン等が挙げられる。
【００３４】
酸素原子を含んでいるメチレン鎖としては、メチレン鎖中の任意の位置に−Ｏ−基を１〜４、好ましくは１又は２個有しているメチレン鎖が挙げられ、具体的には、例えば-CH2-O-，-CH2CH2-O-CH2-，-CH2CH2-O-CH2CH2-，-CH2CH2-O-CH2CH2-O-，-CH2CH2-O-CH2CH2-O-CH2CH2-，-CH2CH2-O-CH2CH2CH2-O-CH2-，-CH2CH2CH2-O-CH2-O-CH2-O-CH2CH2-等が挙げられる。
【００３５】
中でも、Ｒ7は酸素原子を含んでいないものがより好ましい。
【００３６】
Ｚで表されるフルオロアルキル基のアルキル基としては、通常炭素数１〜２０、好ましくは２〜９のものが挙げられ、具体的には、例えばメチル基，エチル基，プロピル基，ブチル基，ペンチル基，ヘキシル基，へプチル基，オクチル基，ノニル基，デシル基，ウンデシル基，ドデシル基，テトラデシル基，ヘキサデシル基，オクタデシル基，イコシル基等のアルキル基が挙げられる。フルオロアルキル基としては、上記アルキル基の水素原子のうち通常１〜４１、好ましくは２〜１９個がフッ素原子に置換されたものが挙げられる。
【００３７】
一般式［２］で示される化合物の代表的な例としては、例えば下記の化合物等が挙げられる。
【００３８】
【化３】
【００３９】
【化４】
【００４０】
【化５】
【００４１】
【化６】
【００４２】
【化７】
【００４３】
一般式［１］で示される化合物のうち、下記一般式［５］で示される化合物は新規化合物である。
【００４４】
Ｒ8−ＣＯＯ−Ｒ9−Ｒｆ ［５］
【００４５】
（式中、Ｒ8は炭素数１３のアルキル基を表し、Ｒ9は炭素数２〜６のメチレン鎖を表し、Ｒｆは炭素数７〜２０のパーフルオロアルキル基を表す。）
【００４６】
一般式［５］に於いて、Ｒ8で表される炭素数１３のアルキル基としては、直鎖状或いは分枝状のアルキル基、好ましくは直鎖状のアルキル基が挙げられる。具体的には、例えばｎ-トリデシル基、１-メチルドデシル基、２-メチルドデシル基、５-メチルドデシル基、12-メチルドデシル基、１-エチルウンデシル基、４-エチルウンデシル基、８-エチルウンデシル基、11-エチルウンデシル基等が挙げられる。
【００４７】
Ｒｆで表される炭素数７〜２０のパーフルオロアルキル基としては、直鎖状のものが好ましく、具体的には、例えばパーフルオロへプチル基，パーフルオロオクチル基，パーフルオロノニル基，パーフルオロデシル基，パーフルオロウンデシル基，パーフルオロドデシル基，パーフルオロテトラデシル基，パーフルオロヘキサデシル基，パーフルオロオクタデシル基，パーフルオロイコシル基等が挙げられる。
【００４８】
本発明の組成物を構成する一般式［１］で示される化合物は、例えばＲ1ＣＯＯＨで示される化合物又は一般式［６］
Ｒ1ＣＯＸ ［６］
（式中、Ｒ1は前記と同じ。Ｘはハロゲン原子を表す。）で示される化合物と、Ｒ2ＯＨ（式中、Ｒ2は前記と同じ。）で示される化合物とを縮合剤を用いて脱水縮合或いは脱ハロゲン酸縮合させエステル化することによって得られる。
【００４９】
Ｒ2ＯＨで示される化合物の使用量は、Ｒ1ＣＯＯＨで示される化合物又はＲ1ＣＯＸで示される化合物に対して通常１〜３、好ましくは１.１〜１.５当量である。
【００５０】
一般式［６］に於いて、Ｘで表されるハロゲン原子としては、例えば塩素原子，臭素原子，ヨウ素原子，フッ素原子等が挙げられる。
縮合剤としては、通常縮合剤として用いられるものであればよいが、例えば濃硫酸，五酸化二リン，無水塩化亜鉛等の無機脱水剤類、例えばＮ,Ｎ'−ジシクロヘキシルカルボジイミド，1-エチル-3-（3-ジメチルアミノプロピルカルボジイミド）塩酸塩等のカルボジイミド類、ポリリン酸、無水酢酸、カルボニルジイミダゾール、ｐ−トルエンスルホニルクロライド等が挙げられる。
【００５１】
縮合剤の使用量は、縮合剤の種類によって異なるが、Ｒ1ＣＯＯＨで示される化合物又はＲ1ＣＯＸで示される化合物に対して通常０.０１倍モル以上、好ましくは０.０５〜１.５倍モルである。より具体的には、例えば濃硫酸等の脱水触媒の場合はＲ1ＣＯＯＨで示される化合物又はＲ1ＣＯＸで示される化合物に対して通常０.０１〜０.５倍モル、好ましくは０.０５〜０.２倍モル、例えばＮ,Ｎ'−ジシクロヘキシルカルボジイミド等の脱水剤の場合は、Ｒ1ＣＯＯＨで示される化合物又はＲ1ＣＯＸで示される化合物に対して通常１倍モル以上、好ましくは１〜１.５倍モルである。
【００５２】
反応溶媒としては、反応に影響が無い限り如何なる溶媒でもよく、例えばベンゼン，トルエン，キシレン等の芳香族炭化水素類、塩化メチル，ジクロロメタン，クロロホルム，四塩化炭素，トリクロロエチレン，テトラクロロエチレン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類及びジメチルエーテル，ジエチルエーテル，ジイソプロピルエーテル等のエーテル類等が挙げられるが、中でも例えばトルエン，ベンゼン等の水と共沸する性質を有するものが好ましい。これらは夫々単独で用いても、２種以上組み合わせて用いてもよい。
【００５３】
反応温度は、通常７０〜１５０℃、好ましくは８０〜１２０℃である。
反応時間は、通常３０分〜１０時間、好ましくは１〜８時間である。
上記以外の反応操作及び後処理等は公知の同種反応のそれに準じて行えばよい。
【００５４】
本発明の一般式［５］で示される化合物は、Ｒ1ＣＯＯＨで示される化合物又はＲ1ＣＯＸで示される化合物の代わりに、例えばＲ8ＣＯＯＨ（Ｒ8は前記と同じ。）で示される化合物又はＲ8ＣＯＸ（Ｒ8及びＸは前記と同じ。）で示される化合物を用い、Ｒ2ＯＨの代わりにＲｆ−Ｒ9ＯＨ（式中、Ｒｆ及びＲ9は前記と同じ。）で示される化合物を用いて、上記した一般式［１］で示される化合物を合成する方法に従って合成することにより容易に得られる。
【００５５】
Ｒ4及びＲ5が夫々独立して脂肪族炭化水素残基である一般式［２］で示される化合物は、例えば一般式［７］
【００５６】
【化８】
【００５７】
（式中、Ｒ3は前記に同じ。）で示される化合物又は一般式［８］
【００５８】
【化９】
【００５９】
（式中、Ｒ3及びＸは前記に同じ。）で示される化合物と、Ｒ4ＯＨ及びＲ5ＯＨで示される化合物とを、縮合剤を用いて脱水縮合或いは脱ハロゲン酸縮合させエステル化することで得られる。
【００６０】
Ｒ4ＯＨ及びＲ5ＯＨで示される化合物の総使用量は、一般式［７］又は［８］で示される化合物に対して、通常当量又は若干過剰量である。
【００６１】
縮合剤としては、例えば通常縮合剤として用いられるものであればよいが、例えば濃硫酸，五酸化二リン，無水塩化亜鉛等の無機脱水剤類、例えばＮ,Ｎ'−ジシクロヘキシルカルボジイミド，1-エチル-3-（3-ジメチルアミノプロピルカルボジイミド）塩酸塩等のカルボジイミド類、ポリリン酸、無水酢酸、カルボニルジイミダゾール、ｐ−トルエンスルホニルクロライド等が挙げられる。
【００６２】
縮合剤の使用量は、縮合剤の種類によって異なるが、一般式［７］又は［８］で示される化合物に対して通常０.０１モル倍以上、好ましくは０.０５〜３倍モルである。より具体的には、例えば濃硫酸等の脱水触媒の場合は、一般式［７］又は［８］で示される化合物に対して通常０.０１〜０.５倍モル、好ましくは０.０５〜０.２倍モル、例えばＮ,Ｎ'−ジシクロヘキシルカルボジイミド等の脱水剤の場合は一般式［７］又は［８］で示される化合物に対して通常１倍モル以上、好ましくは１〜３倍モルである。
【００６３】
反応溶媒としては、反応に影響が無い限り如何なる溶媒でもよく、例えばベンゼン，トルエン，キシレン等の芳香族炭化水素類、塩化メチル，ジクロロメタン，クロロホルム，四塩化炭素，トリクロロエチレン，テトラクロロエチレン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類及びジメチルエーテル，ジエチルエーテル，ジイソプロピルエーテル等のエーテル類等が挙げられるが、中でも例えばトルエン，ベンゼン等の水と共沸する性質を有するものが好ましい。これらは夫々単独で用いても、２種以上組み合わせて用いてもよい。
【００６４】
反応温度は、通常７０〜１５０℃、好ましくは８０〜１２０℃である。
反応時間は、通常３０分〜１０時間、好ましくは２〜８時間である。
【００６５】
また、Ｒ4又はＲ5が水素原子である一般式［２］で示される化合物は、例えば一般式［７］
【００６６】
【化１０】
【００６７】
（式中、Ｒ3は前記と同じ。）で示される化合物と、Ｒ4ＯＨ又はＲ5ＯＨで示される化合物とを、脱水縮合或いは脱ハロゲン酸縮合させエステル化することで得られる。
【００６８】
Ｒ4ＯＨで示される化合物又はＲ5ＯＨで示される化合物の使用量は、一般式［７］で示される化合物に対して実質的に等モルである。
【００６９】
反応溶媒としては、反応に影響がなければ如何なる溶媒を使用してもよく、例えば一般式［２］で示されるジエステルタイプの化合物の合成で使用される溶媒と同じもの等が挙げられる。
【００７０】
反応温度は、通常７０〜１５０℃、好ましくは８０〜１２０℃である。
反応時間は、通常３０分〜３０時間、好ましくは２〜２５時間である。
上記以外の反応操作及び後処理等は公知の同種反応のそれに準じて行えばよい。
【００７１】
本発明の組成物において、一般式［１］で示される化合物と一般式［２］で示される化合物は、通常５／９５〜８０／２０、好ましくは２０／８０〜６５／３５の範囲で含有される。
本発明の組成物を用いて磁気記録媒体表面にこれを含む層を形成する場合には、本発明の組成物は適当な溶媒に溶解して用いられる。
【００７２】
この際に用いられる溶媒としては、本発明の組成物を溶解しうる有機溶媒が挙げられるが、具体的には、例えばアセトン，エチルメチルケトン，イソブチルメチルケトン，ｔ−ブチルメチルケトン，シクロヘキサノン等のケトン類、例えばヘキサン，ヘプタン，オクタン，シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類、ベンゼン，トルエン，キシレン等の芳香族炭化水素類、メタノール，エタノール，ｎ−プロパノール，イソプロパノール，ｎ−ブタノール，イソブタノール，ｔ−ブタノール等のアルコール類等が挙げられる。中でも水酸基やカルボニル基を有するものが好ましい。これらは夫々単独で用いても、２種以上組み合わせて用いてもよい。
【００７３】
本発明の組成物においては、一般式［１］で示される化合物の融点が、一般式［２］で示される化合物のそれより低いような組み合わせを用いるのが好ましい。
【００７４】
一般式［１］で示される化合物と一般式［２］で示される化合物との融点の差は、通常８０℃以下、好ましくは３〜５０℃、更に好ましくは５〜３０℃程度である。
【００７５】
斯かる本発明組成物は、各種環境下で保存した場合或いは大きな環境変化が起きた場合でも結晶化を起こし難く、且つ極めて優れた耐候性及び潤滑性を有し、磁気記録媒体用潤滑剤として有用なものである。
【００７６】
本発明の磁気記録媒体においては、通常非磁性基板、磁気記録層、保護層及び本発明の組成物を含んで成る層がこの順序で形成されている。
また、磁気記録媒体の形状としては、例えばテープ状及びディスク状等が挙げられる。
【００７７】
磁気記録媒体を構成する非磁性基板としては、例えばポリエチレンテレフタレート，ポリエチレンナフタレート，ポリイミド，ポリアミド，ポリ塩化ビニル，ポリカーボネート，ポリエチルエーテルケトン，ポリスルホン等の高分子フィルム等から成る基板等、ガラス基板、アルミニウム基板等が挙げられ、中でも可撓材料がより好ましい。
【００７８】
基板の厚さは、その用途によって多少異なるが、通常３μｍ〜５ｍｍ、好ましくは３〜１００μｍである。基板がテープ状の場合、その厚さは３〜１０μｍであることがより好ましく、基板がディスク状の場合は３０〜７５μｍであることがより好ましい。
【００７９】
磁気記録層としては、例えばコバルト，ニッケル，クロム，鉄，又はそれらの合金，或いは前記金属を主成分として成る金属薄膜層等が挙げられる。
磁気記録層の厚さは、通常５０〜３００ｎｍ、好ましくは１００〜２００ｎｍである。
【００８０】
保護層としては、例えば炭素を含有するプラズマ重合膜を含んで成る保護層、好ましくは例えばメタン，エタン，エチレン，プロパン，プロピレン，アセチレン，ブタン，ベンゼン等の脂肪族炭化水素ガス単独若しくは適宜混合したガスを原料として調製されたプラズマ重合膜等が挙げられる。
【００８１】
磁気記録層を非磁性基板上に形成する方法としては、例えば真空蒸着、スパッタリング及びイオンプレーティング等の真空中成膜法等の公知の方法が挙げられる。
保護層を磁気記録層上に形成する方法としては、ＤＣ、ＡＣ、１０ｋＨｚ〜２０ＭＨｚの高周波等の電源を用いて、減圧下に於ける原料ガス或いは原料ガスとアルゴンガスのプラズマ放電により、磁気記録層上に成膜する方法等の公知の方法が挙げられる。
【００８２】
本発明の組成物を含有して成る層を保護層上に形成する方法としては、例えばナイフコート，バーコート，キスコート（キスローラーコート），ディップコート，リバースロールコート，ダイノズルコート，エクストルージョンノズルコート，グラビヤコート，スピンコート，オフセットグラビヤコート等の公知の方法が挙げられ、中でも磁気記録媒体の形状がテープ状である場合には、リバースロールコート，エクストルージョンノズルコート等、形状がディスク状である場合には、スピンコート，ディップコート等が好ましい。
【００８３】
組成物の使用量は、通常保護層表面の面積に対し０.１〜３０ｍｇ／ｍ2、好ましくは１〜１０ｍｇ／ｍ2である。使用量が０.１ｍｇ／ｍ2より少なくなると、潤滑作用やスチル寿命が十分に発揮されないことがあり、また、３０ｍｇ／ｍ2より大きくなるとスティックスリップを起こし、走行不良が起きることがある。
組成物を含有して成る層の膜厚は、通常組成物を構成する分子が１分子〜数分子重なった程度の厚さである。
【００８４】
また、テープ状磁気記録媒体は、磁気記録層と反対側の非磁性基板表面にバックコート層を有していてもよい。
バックコート層は、結合剤樹脂１００重量と無機化合物の粒子及び／又はカーボンブラック３０〜４００重量とを適当な有機溶媒に混合分散させて得られる塗料を塗布することによって得られる。また、該バックコート層は有機添加剤を含んでいてもよい。
【００８５】
結合剤樹脂としては、例えば塩化ビニル系共重合体、ポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂等の高分子化合物等が挙げられ、製造しようとする磁気記録媒体の特性及び製造条件等によって夫々単独で用いても組み合わせても用いてもよい。
無機化合物としては、例えば炭酸カルシウム、アルミナ、α−酸化鉄等が挙げられ、これらの粒子は磁気記録媒体に要求される電気抵抗、摩擦特性等からそのサイズを選択すればよい。
【００８６】
有機溶媒としては、例えばアセトン，エチルメチルケトン，２−ヘキサノンアセトフェノン，シクロヘキサノン，ベンゾフェノン等のケトン類、ベンゼン，トルエン，ｏ−キシレン，ｐ−キシレン，ｍ−キシレン，ナフタレン，クメン，ｔ−ブチルベンゼン等の芳香族炭化水素類等が挙げられ、使用する結合剤樹脂が適当に溶解するものであればよい。
【００８７】
また、有機添加剤としては、本発明の組成物に加えて、通常この分野で用いられる例えば脂肪酸、脂肪酸エステル、分散剤、界面活性剤等が挙げられる。
有機添加剤の使用量は、無機化合物の粒子及び／又はカーボンブラックが１００重量に対して０.１〜５重量程度である。
【００８８】
磁気記録媒体がテープ状である場合には、バックコート層中に本発明の組成物を含ませておいて、当該組成物の一部を磁気記録層に転写する等の方法を用いて当該組成物を含む層を保護層の上に形成してもよい。
以下に実施例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらにより何等限定されるものではない。
【００８９】
【実施例】
実施例１．ミリスチン酸パーフルオロオクチルエチルエステルの合成
ミリスチン酸５００ｇ、パーフルオロオクチルエタノール１１００ｇ及びトルエン２３００ｍｌを混合し、攪拌しながら濃硫酸２０ｇを徐々に加えた。濃硫酸を加えた後、約２時間３０分激しく還流させ、共沸水分がなくなるまで反応させた。反応後、反応液を冷却し、脱色炭処理させ、攪拌しながらアセトニトリルを加えて、５〜１０℃に氷冷し１時間晶析させた。晶析したものをアセトニトリルで洗浄濾過した後、乾燥してミリスチン酸パーフルオロオクチルエチルエステル１１２０ｇ（収率７５％）を得た。
該化合物は、赤外吸収スペクトル、1Ｈ-ＮＭＲ及びガスクロマトグラフィーの分析結果から、目的とする化合物であることが確認された。また、該化合物の融点は４６.０℃であった。
1ＨーＮＭＲ(270MHz,CDCl3) δppm：0.85-0.90(t,3H,-CH3) 1.26(s,20H,-(CH 2 )10-CH3) 1.58-1.65(t,2H,-CH 2 -(CH2)10-) 2.29-2.35(t,2H,-CH 2 -COO-) 2.47(t,2H,-CH 2 -CF2-) 4.35-4.40(t,2H,-COO-CH 2 -)
ＩＲ(KBr disk) δcm-1：1747(C=O,ester) 1204,1150(C-F,fluoride)
【００９０】
参考例１．パルミチン酸パーフルオロオクチルエチルエステルの合成
パルミチン酸５１ｇ、パーフルオロオクチルエタノール１０２ｇ、トルエン２８０ｍｌ及びｐ−トルエンスルホン酸１ｇを使用した以外は、実施例１と同様にして、パルミチン酸パーフルオロオクチルエチルエステル１２５ｇ（収率８９％）を得た。
該化合物は、赤外吸収スペクトル、1Ｈ-ＮＭＲ及びガスクロマトグラフィーの分析結果から、目的とする化合物であることが確認された。また、該化合物の融点は５０.６℃であった。
1ＨーＮＭＲ(270MHz,CDCl3) δppm：0.85-0.90(t,3H,-CH3) 1.26(s,24H,-(CH 2 )12-CH3) 1.58-1.65(t,2H,-CH 2 -(CH2)12-) 2.29-2.35(t,2H,-CH 2 -COO-) 2.47(t,2H,-CH 2 -CF2-) 4.35-4.40(t,2H,-COO-CH 2 -)
ＩＲ(KBr disk) δcm-1：1747(C=O,ester) 1204,1150(C-F,fluoride)
【００９１】
参考例２．ステアリン酸パーフルオロオクチルエチルエステルの合成
ステアリン酸５７ｇ、パーフルオロオクチルエタノール９８ｇ、トルエン２９０ｍｌ及びｐ−トルエンスルホン酸１ｇを使用した以外は、実施例１と同様にして、ステアリン酸パーフルオロオクチルエチルエステル１３２ｇ（収率９１％）を得た。
該化合物は、赤外吸収スペクトル、1Ｈ-ＮＭＲ及びガスクロマトグラフィーの分析結果から、目的とする化合物であることが確認された。また、該化合物の融点は５６.８℃であった。
1ＨーＮＭＲ(270MHz,CDCl3) δppm：0.85-0.90(t,3H,-CH3) 1.26(s,28H,-(CH 2 )14-CH3) 1.58-1.65(t,2H,-CH 2 -(CH2)12-) 2.29-2.35(t,2H,-CH 2 -COO-) 2.47(t,2H,-CH 2 -CF2-) 4.35-4.40(t,2H,-COO-CH 2 -)
ＩＲ(KBr disk) δcm-1：1747(C=O,ester) 1204,1150(C-F,fluoride)
【００９２】
参考例３．オレイン酸パーフルオロオクチルエチルエステルの合成
オレイン酸５７ｇ、パーフルオロオクチルエタノール９３ｇ及びトルエン３４０ｍｌを混合し、攪拌しながらｐ−トルエンスルホン酸３ｇを徐々に加えた後、約１時間３０分激しく還流させ、共沸水分がなくなるまで反応させた。反応後、反応液を冷却し、減圧濃縮させトルエンを除去しｎ−ヘキサン３００ｍｌを加え溶解させた。溶解させたものをカラム処理し、オレイン酸パーフルオロオクチルエチルエステル１２９ｇ（収率８８％）を得た。
該化合物は、赤外吸収スペクトル及びガスクロマトグラフィーの分析結果から、目的とする化合物であることが確認された。
ＩＲ(KBr disk) δcm-1：1747(C=O,ester) 1204,1150(C-F,fluoride)
【００９３】
参考例４．リノール酸パーフルオロオクチルエチルエステルの合成
リノール酸５６ｇ、パーフルオロオクチルエタノール９３ｇ、トルエン３４０ｍｌ及びｐ−トルエンスルホン酸３ｇを使用した以外は、参考例３と同様にして、リノール酸パーフルオロオクチルエチルエステル１２８ｇ（収率８８％）を得た。
該化合物は、赤外吸収スペクトル及びガスクロマトグラフィーの分析結果から、目的とする化合物であることが確認された。
ＩＲ(KBr disk) δcm-1：1746(C=O,ester) 1204,1150(C-F,fluoride)
【００９４】
参考例５．テトラデカニルコハク酸ジパーフルオロオクチルエチルエステルの合成
ｎ−テトラデカニル無水コハク酸１５０ｇ、パーフルオロオクチルエタノール５１０ｇ、トルエン１０００ｍｌ及び濃硫酸５ｍｌを使用した以外は、実施例１と同様にして、テトラデカニルコハク酸ジパーフルオロオクチルエチルエステル５２０ｇ（収率８５％）を得た。
該化合物は、赤外吸収スペクトル、1Ｈ-ＮＭＲ及びガスクロマトグラフィーの分析結果から、目的とする化合物であることが確認された。また、該化合物の融点は４７.９℃であった。
1ＨーＮＭＲ(270MHz,CDCl3) δppm：0.88(t,3H,-CH3) 1.25(s,24H,-(CH 2 )12-CH3) 1.40-1.75(m,2H,-CH 2 -(CH2)12-CH3) 2.35-2.55(m,5H,CH,-CH 2 -CF2-×2) 2.65-2.85(t,2H,-CH 2 -COO-) 4.38-4.40(q,4H,-COO-CH 2 -×2)
ＩＲ(KBr disk) δcm-1：1744(C=O,ester) 1220,1147(C-F,fluoride)
【００９５】
参考例６．オクタデシルコハク酸モノパーフルオロオクチルエチルエステルの合成
オクタデシル無水コハク酸４６０ｇ、パーフルオロオクチルエタノール６１０ｇ及びトルエン３０００ｍｌを混合し、加熱還流して副生する水を除去しながら２４時間反応させた。反応後、減圧濃縮させトルエンを除去し、メタノール３０００ｍｌに加熱溶解させ、冷却、晶析させた。この溶液を７〜１０℃で１時間攪拌後、結晶を濾去し、メタノールで洗浄し、乾燥してオクタデシルコハク酸モノパーフルオロオクチルエチルエステル９７０ｇ（収率９１％）を得た。
該化合物は、赤外吸収スペクトル、1Ｈ-ＮＭＲ及びガスクロマトグラフィーの分析結果から、目的とする化合物であることが確認された。また、該化合物の融点は５８.０℃であった。
1ＨーＮＭＲ(270MHz,CDCl3) δppm：0.88(t,3H,-CH3) 1.25(s,32H,-CH2-(CH 2 )16-CH3) 1.40-1.75(m,2H,-CH 2 -(CH2)16-CH3) 2.35-2.55(m,3H,CH,-CH 2 -CF2-) 2.65-2.85(t,2H,-CH 2 -COO-) 4.38-4.40(q,2H,-COO-CH 2 -)
ＩＲ(KBr disk) δcm-1：1738(C=O,ester) 1203,1150(C-F,fluoride)
【００９６】
参考例７．オクタデシルコハク酸ジパーフルオロオクチルエチルエステルの合成オクタデシル無水コハク酸５０ｇ、パーフルオロオクチルエタノール１３５ｇ、トルエン２８０ｍｌを混合し、これに濃硫酸５ｇを注入後、加熱還流して副生する水を除去しながら、６時間反応させた。反応後５〜８℃に冷却し析出した結晶を濾取した。その後、湿晶のままアセトン３００ｍｌに加熱溶解させ、脱色炭処理後冷却、晶析させた。この溶液を１０〜１５℃で２時間攪拌後、結晶を濾取し、アセトンで洗浄し、乾燥してオクタデシルコハク酸ジパーフルオロオクチルエチルエステル１４３ｇ（収率：８０％）を白色結晶性粉末として得た。 該化合物は、1Ｈ-ＮＭＲ及びガスクロマトグラフィーの分析により目的物であることが確認された。また、該化合物の融点は５９.１〜６０.９℃であった。
1ＨーＮＭＲ(270MHz,CDCl3) δppm：0.88(t,3H,-CH3) 1.25(s,32H,-CH2-(CH 2 ) 16 -CH3) 1.40-1.75(m,2H,-CH 2 -(CH2)16-CH3) 2.35-2.55(m,5H,CH,-CH 2 -CF2-×2) 2.65-2.85(t,2H,-CH 2 -COO-) 4.38-4.40(q,4H,-COO-CH 2 -×2)
【００９７】
参考例８．オクタデセニルコハク酸ジパーフルオロオクチルエチルエステルの合成
オクタデセニル無水コハク酸１８ｇ、パーフルオロオクチルエタノール４６ｇ、トルエン１１０ｍｌ及び濃硫酸１ｍｌを使用した以外は、実施例１と同様にして、オクタデセニルコハク酸ジパーフルオロオクチルエチルエステル５１ｇ（収率８１％）を得た。
該化合物は、赤外吸収スペクトル、1Ｈ-ＮＭＲ及びガスクロマトグラフィーの分析結果から、目的とする化合物であることが確認された。また、該化合物の融点は４０.５℃であった。
1ＨーＮＭＲ(270MHz,CDCl3) δppm：0.88(t,3H,-CH3) 1.25(s,28H,-CH2-(CH 2 )14-CH3) 1.95-2.00(m,2H,-CH 2 -(CH2)14-CH3) 2.35-2.55(m,5H,CH,-CH 2 -CF2-×2) 2.65-2.85(t,2H,-CH 2 -COO-) 4.38-4.40(q,4H,-COO-CH 2 -×2)
ＩＲ(KBr disk) δcm-1：1747(C=O,ester) 1204,1150(C-F,fluoride)
【００９８】
実施例２．本発明の組成物の製造
一般式［１］と一般式［２］とで示される化合物を表１に示した割合で混合して本発明の組成物を得た。
【００９９】
実施例３〜３０．本発明の潤滑剤を用いた磁気記録媒体であるデジタルビデオカメラ（ＤＶＣ）テープの製造
厚さ６.５μｍのポリエチレンテレフタレート製フィルムを非磁性基板とし、その上に厚さ２００ｎｍのコバルト蒸着型磁気記録層、厚さ１０ｎｍのエチレンを原料としたプラズマ重合膜から成る保護層をこの順序で常法に従って形成し、該保護層の上に、表１に示す所定の本発明の潤滑剤を所定量（ｍｇ／ｍ2）含んでなる層（潤滑層）を常法に従って形成した。尚、保護層を設けた後、磁気記録層と反対側の非磁性基板表面にカーボンブラック／フェノキシ樹脂／ポリウレタン樹脂＝５０／２５／２５の配合比のバックコート層を塗布によって設けた。これを６.３５ｍｍ巾に切断して本発明の潤滑剤を用いたＤＶＣテープを製造した。
【０１００】
比較例１〜２９．
本発明の潤滑剤を含んでなる層の代わりに、表２に示す所定の化合物を所定量（ｍｇ／ｍ2）含んでなる層（潤滑層）とした以外は実施例３と同様にしてＤＶＣテープを製造した。尚、実施例２〜３０及び比較例１〜２９で使用した化合物の構造式は以下の通りである。
【０１０１】
・Ａ群
Ａ−１ Ｃ13Ｈ27ＣＯＯＣＨ2ＣＨ2Ｃ8Ｆ17
【０１０２】
Ａ−２ Ｃ13Ｈ27ＣＯＯＣ4Ｈ9
【０１０３】
Ａ−３ Ｃ15Ｈ31ＣＯＯＣＨ2ＣＨ2Ｃ8Ｆ17
【０１０４】
Ａ−４ Ｃ17Ｈ35ＣＯＯＣＨ2ＣＨ2Ｃ8Ｆ17
【０１０５】
Ａ−５ Ｃ17Ｈ33ＣＯＯＣＨ2ＣＨ2Ｃ8Ｆ17
【０１０６】
Ａ−６ Ｃ13Ｈ27ＣＯＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣ9Ｆ17
【０１０７】
Ａ−７ Ｃ15Ｈ31ＣＯＯＣ4Ｆ9
【０１０８】
Ａ−８ Ｃ17Ｈ35ＣＯＯＣ4Ｈ9
【０１０９】
Ａ−９ Ｃ17Ｈ33ＣＯＯＣ4Ｈ9
【０１１０】
Ａ−１０ Ｃ17Ｈ31ＣＯＯＣＨ2ＣＨ2Ｃ8Ｆ17
【０１１１】
・Ｂ群
Ｂ−１
【０１１２】
【化１１】
【０１１３】
Ｂ−２
【０１１４】
【化１２】
【０１１５】
Ｂ−３
【０１１６】
【化１３】
【０１１７】
Ｂ−４
【０１１８】
【化１４】
【０１１９】
Ｂ−５
【０１２０】
【化１５】
【０１２１】
実験例１．ＤＶＣテープの特性の検討
実施例３〜３０及び比較例１〜２９で得られたＤＶＣテープについて、摩擦係数及びスチル寿命を下記の方法に従って測定した。また、同ＤＶＣテープの潤滑剤層上の結晶析出の有無も下記方法により観察した。
【０１２２】
（摩擦係数の測定）
２ｍｍφ、０.２ＳのＳＵＳ３０３ピンに所定のＤＶＣテープを９０゜抱きつけ、０.１Ｎの荷重を与えた後、１８.８ｍｍ／Ｓで１００パスさせ、テンションピッックアップによって張力を測定し、オイラーの式によって各パス毎の摩擦係数を求め、その最大値を摩擦係数として表１に示した。
・判定基準
磁気記録媒体の摩擦係数は、一般に０.３２以下であれば実用上問題なく、０.２５以下であればＤＶＣテープ用として特に優れているといえる。
【０１２３】
（スチル寿命の測定）
改造ＤＶＣを使用し、０℃又は２０℃で１０分間記録を行った後、再生した。再生５分後に静止状態とし、この時点から、画像及び出力のチェックをして何れかに異常を生じた時点迄の時間をスチル寿命とした。
・判定基準
スチル寿命は、長いほど好ましいが、実用上は３０分以上であることが望ましい。
【０１２４】
（潤滑剤層上の結晶析出の有無の観察）
３０℃、湿度９０％の条件下でＤＶＣテープを３週間保存し、１００倍率の光学顕微鏡で潤滑剤層表面の結晶析出の有無を観察した。
・判定基準
○：特に結晶は認められない。（耐候性良好）
△：一部に粒状の結晶が認められるが実用上は問題ない。（耐候性良好）
×：粒状或いは針状の結晶が全面に見られ実用上の問題あり。（耐候性不良）
【０１２５】
（結果）
実施例３〜３０で得られたＤＶＣテープに於ける結果を表１に示す。
【０１２６】
【表１】
【０１２７】
比較例１〜２９で得られたＤＶＣテープに於ける結果を表２に示す。
【０１２８】
【表２】
【０１２９】
表１及び２から明らかなように、Ａ群の化合物又はＢ群の化合物のみを潤滑剤として使用し製造した磁気記録媒体と異なり、Ａ群の化合物とＢ群の化合物とから成る本発明の組成物を潤滑剤として含んで成る磁気記録媒体は、その組み合わせやその比率に拘わらず、摩擦特性に優れ、スチル寿命が十分長く、且つある程度の温度及び湿度の変化に対して結晶を析出することがない、即ち耐候性にも優れていることが判った。
【０１３０】
また、Ａ−１の化合物を用いた実施例５〜７は、Ａ−２の化合物を用いた実施例１２〜１４より優れた走行耐久性を示すことが判る。
更に、実施例５は、Ａ−３〜Ａ−１０を用いた実施例２１〜２７及び３０に比べ潤滑剤として総合的に優れた特性を示すことが判る。
これらのことは、一般式［５］で示される化合物がＡ−２〜Ａ−１０の化合物より優れた特性を有していることを示す。
【０１３１】
【発明の効果】
本発明は、走行耐久性、スチル寿命、耐候性に優れた磁気記録媒体を製造し得る組成物、並びに該組成物を用いた磁気記録媒体を提供するものである。
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気記録媒体用潤滑剤等として有用な組成物及び該組成物を用いて得られる磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
磁気記録の分野に於いては、デジタル化、小型化、長時間化などの高性能化が進んでおり、磁気記録媒体の高密度化への要求が高まっている。特に近年では、磁気記録層を強磁性金属薄膜層で構成した金属薄膜型磁気記録媒体が、短波長記録に極めて有利なことから、これらに関する研究が盛んに行われている。
その中で、磁気記録媒体用の潤滑剤についても注目が集まっており、潤滑剤を改良することで磁気記録媒体自体の高性能化が期待できることが判ってきている。
【０００３】
従来、磁気記録媒体用の潤滑剤としては、例えばカルボン酸エステル類が知られているが、特に高温多湿条件下で保存すると潤滑剤層の撥水性が不十分なため、潤滑剤を含有する層中に水分が浸入し易くなって、その結果潤滑剤の吸着状態が変化したり、潤滑剤自体が凝集してしまう為、初期の特性を維持できない等の問題点を有している。
【０００４】
また、フルオロカルボン酸及びフルオロカルボン酸より得られたエステル等は、フルオロカルボン酸が強酸であるために、磁気記録層表面や磁気記録層を保護する保護層表面を傷めてしまうこと、誘導されるエステル類は加水分解し易く耐候性が不十分であること、有用とされる炭素数の大きいフルオロカルボン酸の合成は困難であり、比較的炭素数の小さいフルオロカルボン酸及びそれから得られるエステルは、低摩擦化の効果、即ち走行耐久性が不十分であること等の問題点を有している。
【０００５】
モノカルボン酸とパーフルオロアルキルアルコールとから成るエステルタイプの潤滑剤（特開昭62-256218号）は、１分子内に極性基であるカルボニル基が１個存在するため、分子の断面積が比較的小さく、磁気記録層の表面や磁気記録層を保護する保護層の表面を覆いやすいという利点を有しているが、分子内のアルキル基は表面に対して傾斜を持って配向しているため、その潤滑作用を充分に発揮しにくいという問題点を有している。
【０００６】
また、ジカルボン酸とフルオロアルキルアルコールとから成るエステルタイプの潤滑剤（特開平5-128498号、特開平5-282662号、特開平6-28717号）は、表面上で１分子当たり２個の極性基で吸着し配向するため、分子内のアルキル基は表面に対して傾斜をとり難く、その潤滑作用を発揮し易いという利点を有している。 その反面、分子内に２個の極性基を有することで分子の断面積が比較的大きく、表面を覆い難いという問題点を有している。更に、高温多湿条件下で保存した後室温に戻すと分子の配向力が強いが故に再結晶が起こることがあるので、磁気記録媒体の耐候性を低下させる要因となる。更に、構造上分子量が大きくなりがちであることから、これを用いた磁気記録媒体の低温でのスチル特性が低下する等の問題点も有している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記した如き状況に鑑みなされたもので、前記した如き欠点がなく、走行耐久性、スチル寿命、耐候性に優れた磁気記録媒体を製造し得る組成物、並びに該組成物を含んで成る磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、一般式［１］
Ｒ1−ＣＯＯ−Ｒ2 ［１］
（式中、Ｒ1はフッ素原子を含んでいてもよい高級脂肪族炭化水素残基を表し、Ｒ2はフッ素原子及び／又は酸素原子を含んでいてもよい脂肪族炭化水素残基を表す。）で示される化合物と、一般式［２］
【０００９】
【化２】
（式中、Ｒ3はフッ素原子を含んでいてもよい高級脂肪族炭化水素残基を表し、Ｒ4及びＲ5は夫々独立してフッ素原子及び／又は酸素原子を含んでいてもよい脂肪族炭化水素残基又は水素原子を表す。但し、Ｒ4又はＲ5の少なくとも一方が１個以上の酸素原子を含んでいてもよい含フッ素脂肪族炭化水素残基である。）で示される化合物とを含んで成る組成物、及びこの組成物を含有して成る層を有する磁気記録媒体、
及び一般式［５］
Ｒ8−ＣＯＯ−Ｒ9−Ｒｆ ［５］
（式中、Ｒ8は炭素数１３のアルキル基を表し、Ｒ9は炭素数２〜６のメチレン鎖を表し、Ｒｆは炭素数７〜２０のパーフルオロアルキル基を表す。）で示される化合物、の発明に関する。
【００１１】
本発明者等は、高性能な磁気記録媒体を製造し得る潤滑剤について鋭意研究を重ねた結果、一般式［１］で示される化合物と一般式［２］で示される化合物とを含んで成る組成物を磁気記録媒体用潤滑剤として使用することにより、従来の潤滑剤の有する上記問題点を解決できることを見出し、本発明を完成するに到った。
【００１２】
一般式［１］に於いて、Ｒ1で表されるフッ素原子を含んでいてもよい高級脂肪族炭化水素残基の高級脂肪族炭化水素残基としては、直鎖状でも分枝状でもよいが、直鎖状のものが好ましく、通常炭素数６〜２４、好ましくは８〜２４、更に好ましくは１１〜２４のものが挙げられる。具体的には、例えばｎ-ヘキシル基，イソヘキシル基，ヘプチル基，オクチル基，ノニル基，デシル基，ウンデシル基，ドデシル基，テトラデシル基，ヘキサデシル基，オクタデシル基，イコシル基，ドコシル基，テトラコシル基等のアルキル基が挙げられる。また、該脂肪族炭化水素残基は１〜４、好ましくは１〜３個の二重結合を有していてもよい。具体的には、例えば8-ヘプタデセニル基等のアルケニル基、8,11-ヘプタデカジエニル基等のアルカジエニル基、8,11,14-ヘプタデカトリエニル基等のアルカトリエニル基、4,7,10,13-ノナデカテトラエニル基等のアルカテトラエニル基が挙げられる。
【００１３】
Ｒ1で示されるフッ素原子を含んでいる高級脂肪族炭化水素残基としては、上記高級脂肪族炭化水素残基の水素原子のうち通常１〜４１、好ましくは２〜１８個がフッ素原子に置換されたものが挙げられる。中でもフッ素原子で置換されていない水素原子を有する基が好ましい。
【００１４】
尚、磁気記録媒体用潤滑剤として用いた場合には、Ｒ1はフッ素原子を含んでいないものの方が好ましく、パーフルオロアルキル基を用いることは適当でない
。
【００１５】
Ｒ2で表されるフッ素原子及び／又は酸素原子を含んでいてもよい脂肪族炭化水素残基の脂肪族炭化水素残基としては、通常炭素数１〜２６、好ましくは４〜２０、更に好ましくは４〜１４のものが挙げられ、直鎖状であることが好ましい。 具体的には、例えばメチル基，エチル基，プロピル基，ブチル基，ペンチル基，ヘキシル基，へプチル基，オクチル基，ノニル基，デシル基，ウンデシル基，ドデシル基，テトラデシル基，ヘキサデシル基，オクタデシル基，イコシル基，ドコシル基，テトラコシル基，ヘキサコシル基等のアルキル基が挙げられる。
また、該脂肪族炭化水素残基は１〜４、好ましくは１〜３個の二重結合を有していてもよい。具体的には、例えば8-ヘプタデセニル基等のアルケニル基、8,11-ヘプタデカジエニル基等のアルカジエニル基、8,11,14-ヘプタデカトリエニル基等のアルカトリエニル基、4,7,10,13-ノナデカテトラエニル基等のアルカテトラエニル基が挙げられる。
【００１６】
フッ素原子を含んでいる脂肪族炭化水素残基としては、上記脂肪族炭化水素残基の水素原子が通常１〜５３、好ましくは２〜４１個がフッ素原子に置換されたものが挙げられる。
【００１７】
酸素原子を含んでいる脂肪族炭化水素残基としては、脂肪族炭化水素残基の鎖中の任意の位置に−Ｏ−基を１〜４、好ましくは１又は２個有しているものが挙げられ、具体的には、例えば-CH2-O-CH3，-CH2CH2-O-CH3，-CH2CH2-O-CH2CH3，-CH2CH2-O-CH2CH2-O-CH3，-CH2CH2-O-CH2CH2-O-C8H17，-CH2CH2-O-CH2CH2-O-C9H17，-(CH2)5-O-(CH2)7-O-(CH2)3CH3等が挙げられる。
【００１８】
フッ素原子及び酸素原子を含んでいる脂肪族炭化水素残基としては、酸素原子を含んでいる脂肪族炭化水素残基の水素原子のうち１〜５３、好ましくは１〜４１、更に好ましくは１〜１９個がフッ素原子に置換されたものが挙げられる。具体的には、例えば-CH2-O-CH2F，-CH2CHF-O-CH2F，-CH2CF2-O-CF2CH3，-CF2CF2-O-CH2CH2-O-CH3，-(CH2)5-O-(CH2)7-O-(CF2)3CH3，-(CH2)5-O-(CH2)7-O-C3F7，-CH2CH2-O-CH2CH2-O-C8F17，-CH2CH2-O-CH2CH2-O-C9F17等が挙げられる。
【００１９】
また、Ｒ2で表されるフッ素原子及び／又は酸素原子を含んでいてもよい脂肪族炭化水素残基の好ましい例としては、一般式［３］
−Ｒ6−Ｙ ［３］
（式中、Ｒ6は酸素原子を含んでいてもよいメチレン鎖を表し、Ｙはフルオロアルキル基を表す。）で示される基等が挙げられる。
【００２０】
一般式［３］に於いて、Ｒ6で表される酸素原子を含んでいてもよいメチレン鎖のメチレン鎖としては、通常炭素数１以上、好ましくは１〜６のメチレン鎖が挙げられ、具体的には、例えばメチレン，エチレン，トリメチレン，テトラメチレン，ペンタメチレン，へキサメチレン等が挙げられる。
【００２１】
酸素原子を含んでいるメチレン鎖としては、メチレン鎖中の任意の位置に−Ｏ−基を１〜４、好ましくは１又は２個有しているメチレン鎖が挙げられ、具体的には、例えば-CH2-O-，-CH2CH2-O-CH2-，-CH2CH2-O-CH2CH2-，-CH2CH2-O-CH2CH2-O-，-CH2CH2-O-CH2CH2-O-CH2CH2-，-CH2CH2-O-CH2CH2CH2-O-CH2-，-CH2CH2CH2-O-CH2-O-CH2-O-CH2CH2-等が挙げられる。
【００２２】
中でも、Ｒ6は酸素原子を含んでいないものがより好ましい。
【００２３】
Ｙで表されるフルオロアルキル基のアルキル基としては、通常炭素数１〜２０、好ましくは２〜９のものが挙げられ、具体的には、例えばメチル基，エチル基，プロピル基，ブチル基，ペンチル基，ヘキシル基，へプチル基，オクチル基，ノニル基，デシル基，ウンデシル基，ドデシル基，テトラデシル基，ヘキサデシル基，オクタデシル基，イコシル基等のアルキル基が挙げられる。フルオロアルキル基としては、上記アルキル基の水素原子のうち通常１〜４１、好ましくは２〜１９個がフッ素原子に置換されたものが挙げられる。
【００２４】
一般式［１］で示される化合物の代表的な例としては、例えばＣ13Ｈ27ＣＯＯＣ4Ｈ9，Ｃ15Ｈ31ＣＯＯＣ4Ｈ9，Ｃ17Ｈ35ＣＯＯＣ4Ｈ9，Ｃ17Ｈ33ＣＯＯＣ4Ｈ9等の高級脂肪酸エステル、Ｃ13Ｈ27ＣＯＯＣＨ2ＣＨ2Ｃ8Ｆ17，Ｃ15Ｈ31ＣＯＯＣＨ2ＣＨ2Ｃ8Ｆ17，Ｃ17Ｈ35ＣＯＯＣＨ2ＣＨ2Ｃ8Ｆ17，Ｃ17Ｈ33ＣＯＯＣＨ2ＣＨ2Ｃ8Ｆ17，Ｃ13Ｈ27ＣＯＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣ9Ｆ17，Ｃ15Ｈ31ＣＯＯＣ4Ｆ9，Ｃ17Ｈ31ＣＯＯＣＨ2ＣＨ2Ｃ8Ｆ17等のフッ素含有高級脂肪酸エステル等が挙げられる。
【００２５】
一般式［２］に於いて、Ｒ3で示されるフッ素原子を含んでいてもよい高級脂肪族炭化水素残基の高級脂肪族炭化水素残基としては、直鎖状でも分枝状でもよく、通常炭素数６以上、好ましくは８〜２４、更に好ましくは１１〜２４のものが挙げられる。具体的には、例えばｎ-ヘキシル基，イソヘキシル基，ヘプチル基，オクチル基，ノニル基，デシル基，ウンデシル基，ドデシル基，テトラデシル基，ヘキサデシル基，オクタデシル基，イコシル基，ドコシル基，テトラコシル基等のアルキル基が挙げられる。
また、該脂肪族炭化水素残基は１〜４、好ましくは１〜３個の二重結合を有していてもよい。具体的には、例えば8-ヘプタデセニル基等のアルケニル基、8,11-ヘプタデカジエニル基等のアルカジエニル基、8,11,14-ヘプタデカトリエニル基等のアルカトリエニル基、4,7,10,13-ノナデカテトラエニル基等のアルカテトラエニル基が挙げられる。
【００２６】
Ｒ3で示されるフッ素原子を含んでいる高級脂肪族炭化水素残基としては、前記脂肪族炭化水素残基の水素原子のうち１〜４９、好ましくは２〜２４個がフッ素原子に置換されたものが挙げられる。
【００２７】
尚、Ｒ3としては、フッ素原子を含んでいないものがより好ましい。
【００２８】
Ｒ4及びＲ5で表されるフッ素原子及び／又は酸素原子を含んでいてもよい脂肪族炭化水素残基の脂肪族炭化水素残基としては、通常炭素数１〜２６、好ましくは４〜２０、更に好ましくは４〜１４のものが挙げられ、直鎖状であることが好ましい。具体的には、例えばメチル基，エチル基，プロピル基，ブチル基，ペンチル基，ヘキシル基，へプチル基，オクチル基，ノニル基，デシル基，ウンデシル基，ドデシル基，テトラデシル基，ヘキサデシル基，オクタデシル基，イコシル基，ドコシル基，テトラコシル基，ヘキサコシル基等のアルキル基が挙げられる。
また、該脂肪族炭化水素残基は１〜４、好ましくは１〜３個の二重結合を有していてもよい。具体的には、例えば8-ヘプタデセニル基等のアルケニル基、8,11-ヘプタデカジエニル基等のアルカジエニル基、8,11,14-ヘプタデカトリエニル基等のアルカトリエニル基、4,7,10,13-ノナデカテトラエニル基等のアルカテトラエニル基が挙げられる。
【００２９】
フッ素原子を含んでいる脂肪族炭化水素残基としては、上記脂肪族炭化水素残基の水素原子のうち１〜５３、好ましくは２〜２４個がフッ素原子に置換されたものが挙げられる。
【００３０】
酸素原子を含んでいる脂肪族炭化水素残基としては、脂肪族炭化水素残基の鎖中の任意の位置に−Ｏ−基を１〜４、好ましくは１又は２個有しているものが挙げられ、具体的には、例えば-CH2-O-CH3，-CH2CH2-O-CH3，-CH2CH2-O-CH2CH3，-CH2CH2-O-CH2CH2-O-CH3，-CH2CH2-O-CH2CH2-O-C9H17，-(CH2)5-O-(CH2)7-O-(CH2)3CH3等が挙げられる。
【００３１】
フッ素原子及び酸素原子を含んでいる脂肪族炭化水素残基としては、前記酸素原子を含んでいる脂肪族炭化水素残基の水素原子のうち１〜３３、好ましくは２〜９個がフッ素原子に置換されたもの等が挙げられる。具体的には、例えば-CH2-O-CH2F，-CH2CHF-O-CH2F，-CH2CF2-O-CF2CH3，-CF2CF2-O-CH2CH2-O-CH3，-(CH2)5-O-(CH2)7-O-(CF2)3CH3，-(CH2)5-O-(CH2)7-O-C3F7，-CH2CH2-O-CH2CH2-O-C9F17等が挙げられる。
【００３２】
また、Ｒ4及びＲ5で表されるフッ素原子及び／又は酸素原子を含んでいてもよい脂肪族炭化水素残基の好ましい例としては、一般式［４］
−Ｒ7−Ｚ ［４］
（式中、Ｒ7は酸素原子を含んでいてもよいメチレン鎖を表し、Ｚはフルオロアルキル基を表す。）で示される基等が挙げられる。
【００３３】
一般式［４］に於いて、Ｒ7で表される酸素原子を含んでいてもよいメチレン鎖のメチレン鎖としては、通常炭素数１以上、好ましくは１〜６のメチレン鎖が挙げられ、具体的には、例えばメチレン，エチレン，トリメチレン，テトラメチレン，ペンタメチレン，へキサメチレン等が挙げられる。
【００３４】
酸素原子を含んでいるメチレン鎖としては、メチレン鎖中の任意の位置に−Ｏ−基を１〜４、好ましくは１又は２個有しているメチレン鎖が挙げられ、具体的には、例えば-CH2-O-，-CH2CH2-O-CH2-，-CH2CH2-O-CH2CH2-，-CH2CH2-O-CH2CH2-O-，-CH2CH2-O-CH2CH2-O-CH2CH2-，-CH2CH2-O-CH2CH2CH2-O-CH2-，-CH2CH2CH2-O-CH2-O-CH2-O-CH2CH2-等が挙げられる。
【００３５】
中でも、Ｒ7は酸素原子を含んでいないものがより好ましい。
【００３６】
Ｚで表されるフルオロアルキル基のアルキル基としては、通常炭素数１〜２０、好ましくは２〜９のものが挙げられ、具体的には、例えばメチル基，エチル基，プロピル基，ブチル基，ペンチル基，ヘキシル基，へプチル基，オクチル基，ノニル基，デシル基，ウンデシル基，ドデシル基，テトラデシル基，ヘキサデシル基，オクタデシル基，イコシル基等のアルキル基が挙げられる。フルオロアルキル基としては、上記アルキル基の水素原子のうち通常１〜４１、好ましくは２〜１９個がフッ素原子に置換されたものが挙げられる。
【００３７】
一般式［２］で示される化合物の代表的な例としては、例えば下記の化合物等が挙げられる。
【００３８】
【化３】
【化４】
【化５】
【化６】
【化７】
一般式［１］で示される化合物のうち、下記一般式［５］で示される化合物は新規化合物である。
【００４４】
Ｒ8−ＣＯＯ−Ｒ9−Ｒｆ ［５］
【００４５】
（式中、Ｒ8は炭素数１３のアルキル基を表し、Ｒ9は炭素数２〜６のメチレン鎖を表し、Ｒｆは炭素数７〜２０のパーフルオロアルキル基を表す。）
【００４６】
一般式［５］に於いて、Ｒ8で表される炭素数１３のアルキル基としては、直鎖状或いは分枝状のアルキル基、好ましくは直鎖状のアルキル基が挙げられる。具体的には、例えばｎ-トリデシル基、１-メチルドデシル基、２-メチルドデシル基、５-メチルドデシル基、12-メチルドデシル基、１-エチルウンデシル基、４-エチルウンデシル基、８-エチルウンデシル基、11-エチルウンデシル基等が挙げられる。
【００４７】
Ｒｆで表される炭素数７〜２０のパーフルオロアルキル基としては、直鎖状のものが好ましく、具体的には、例えばパーフルオロへプチル基，パーフルオロオクチル基，パーフルオロノニル基，パーフルオロデシル基，パーフルオロウンデシル基，パーフルオロドデシル基，パーフルオロテトラデシル基，パーフルオロヘキサデシル基，パーフルオロオクタデシル基，パーフルオロイコシル基等が挙げられる。
【００４８】
本発明の組成物を構成する一般式［１］で示される化合物は、例えばＲ1ＣＯＯＨで示される化合物又は一般式［６］
Ｒ1ＣＯＸ ［６］
（式中、Ｒ1は前記と同じ。Ｘはハロゲン原子を表す。）で示される化合物と、Ｒ2ＯＨ（式中、Ｒ2は前記と同じ。）で示される化合物とを縮合剤を用いて脱水縮合或いは脱ハロゲン酸縮合させエステル化することによって得られる。
【００４９】
Ｒ2ＯＨで示される化合物の使用量は、Ｒ1ＣＯＯＨで示される化合物又はＲ1ＣＯＸで示される化合物に対して通常１〜３、好ましくは１.１〜１.５当量である。
【００５０】
一般式［６］に於いて、Ｘで表されるハロゲン原子としては、例えば塩素原子，臭素原子，ヨウ素原子，フッ素原子等が挙げられる。
縮合剤としては、通常縮合剤として用いられるものであればよいが、例えば濃硫酸，五酸化二リン，無水塩化亜鉛等の無機脱水剤類、例えばＮ,Ｎ'−ジシクロヘキシルカルボジイミド，1-エチル-3-（3-ジメチルアミノプロピルカルボジイミド）塩酸塩等のカルボジイミド類、ポリリン酸、無水酢酸、カルボニルジイミダゾール、ｐ−トルエンスルホニルクロライド等が挙げられる。
【００５１】
縮合剤の使用量は、縮合剤の種類によって異なるが、Ｒ1ＣＯＯＨで示される化合物又はＲ1ＣＯＸで示される化合物に対して通常０.０１倍モル以上、好ましくは０.０５〜１.５倍モルである。より具体的には、例えば濃硫酸等の脱水触媒の場合はＲ1ＣＯＯＨで示される化合物又はＲ1ＣＯＸで示される化合物に対して通常０.０１〜０.５倍モル、好ましくは０.０５〜０.２倍モル、例えばＮ,Ｎ'−ジシクロヘキシルカルボジイミド等の脱水剤の場合は、Ｒ1ＣＯＯＨで示される化合物又はＲ1ＣＯＸで示される化合物に対して通常１倍モル以上、好ましくは１〜１.５倍モルである。
【００５２】
反応溶媒としては、反応に影響が無い限り如何なる溶媒でもよく、例えばベンゼン，トルエン，キシレン等の芳香族炭化水素類、塩化メチル，ジクロロメタン，クロロホルム，四塩化炭素，トリクロロエチレン，テトラクロロエチレン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類及びジメチルエーテル，ジエチルエーテル，ジイソプロピルエーテル等のエーテル類等が挙げられるが、中でも例えばトルエン，ベンゼン等の水と共沸する性質を有するものが好ましい。これらは夫々単独で用いても、２種以上組み合わせて用いてもよい。
【００５３】
反応温度は、通常７０〜１５０℃、好ましくは８０〜１２０℃である。
反応時間は、通常３０分〜１０時間、好ましくは１〜８時間である。
上記以外の反応操作及び後処理等は公知の同種反応のそれに準じて行えばよい。
【００５４】
本発明の一般式［５］で示される化合物は、Ｒ1ＣＯＯＨで示される化合物又はＲ1ＣＯＸで示される化合物の代わりに、例えばＲ8ＣＯＯＨ（Ｒ8は前記と同じ。）で示される化合物又はＲ8ＣＯＸ（Ｒ8及びＸは前記と同じ。）で示される化合物を用い、Ｒ2ＯＨの代わりにＲｆ−Ｒ9ＯＨ（式中、Ｒｆ及びＲ9は前記と同じ。）で示される化合物を用いて、上記した一般式［１］で示される化合物を合成する方法に従って合成することにより容易に得られる。
【００５５】
Ｒ4及びＲ5が夫々独立して脂肪族炭化水素残基である一般式［２］で示される化合物は、例えば一般式［７］
【００５６】
【化８】
（式中、Ｒ3は前記に同じ。）で示される化合物又は一般式［８］
【００５８】
【化９】
（式中、Ｒ3及びＸは前記に同じ。）で示される化合物と、Ｒ4ＯＨ及びＲ5ＯＨで示される化合物とを、縮合剤を用いて脱水縮合或いは脱ハロゲン酸縮合させエステル化することで得られる。
【００６０】
Ｒ4ＯＨ及びＲ5ＯＨで示される化合物の総使用量は、一般式［７］又は［８］で示される化合物に対して、通常当量又は若干過剰量である。
【００６１】
縮合剤としては、例えば通常縮合剤として用いられるものであればよいが、例えば濃硫酸，五酸化二リン，無水塩化亜鉛等の無機脱水剤類、例えばＮ,Ｎ'−ジシクロヘキシルカルボジイミド，1-エチル-3-（3-ジメチルアミノプロピルカルボジイミド）塩酸塩等のカルボジイミド類、ポリリン酸、無水酢酸、カルボニルジイミダゾール、ｐ−トルエンスルホニルクロライド等が挙げられる。
【００６２】
縮合剤の使用量は、縮合剤の種類によって異なるが、一般式［７］又は［８］で示される化合物に対して通常０.０１モル倍以上、好ましくは０.０５〜３倍モルである。より具体的には、例えば濃硫酸等の脱水触媒の場合は、一般式［７］又は［８］で示される化合物に対して通常０.０１〜０.５倍モル、好ましくは０.０５〜０.２倍モル、例えばＮ,Ｎ'−ジシクロヘキシルカルボジイミド等の脱水剤の場合は一般式［７］又は［８］で示される化合物に対して通常１倍モル以上、好ましくは１〜３倍モルである。
【００６３】
反応溶媒としては、反応に影響が無い限り如何なる溶媒でもよく、例えばベンゼン，トルエン，キシレン等の芳香族炭化水素類、塩化メチル，ジクロロメタン，クロロホルム，四塩化炭素，トリクロロエチレン，テトラクロロエチレン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類及びジメチルエーテル，ジエチルエーテル，ジイソプロピルエーテル等のエーテル類等が挙げられるが、中でも例えばトルエン，ベンゼン等の水と共沸する性質を有するものが好ましい。これらは夫々単独で用いても、２種以上組み合わせて用いてもよい。
【００６４】
反応温度は、通常７０〜１５０℃、好ましくは８０〜１２０℃である。
反応時間は、通常３０分〜１０時間、好ましくは２〜８時間である。
【００６５】
また、Ｒ4又はＲ5が水素原子である一般式［２］で示される化合物は、例えば一般式［７］
【００６６】
【化１０】
（式中、Ｒ3は前記と同じ。）で示される化合物と、Ｒ4ＯＨ又はＲ5ＯＨで示される化合物とを、脱水縮合或いは脱ハロゲン酸縮合させエステル化することで得られる。
【００６８】
Ｒ4ＯＨで示される化合物又はＲ5ＯＨで示される化合物の使用量は、一般式［７］で示される化合物に対して実質的に等モルである。
【００６９】
反応溶媒としては、反応に影響がなければ如何なる溶媒を使用してもよく、例えば一般式［２］で示されるジエステルタイプの化合物の合成で使用される溶媒と同じもの等が挙げられる。
【００７０】
反応温度は、通常７０〜１５０℃、好ましくは８０〜１２０℃である。
反応時間は、通常３０分〜３０時間、好ましくは２〜２５時間である。
上記以外の反応操作及び後処理等は公知の同種反応のそれに準じて行えばよい。
【００７１】
本発明の組成物において、一般式［１］で示される化合物と一般式［２］で示される化合物は、通常５／９５〜８０／２０、好ましくは２０／８０〜６５／３５の範囲で含有される。
本発明の組成物を用いて磁気記録媒体表面にこれを含む層を形成する場合には、本発明の組成物は適当な溶媒に溶解して用いられる。
【００７２】
この際に用いられる溶媒としては、本発明の組成物を溶解しうる有機溶媒が挙げられるが、具体的には、例えばアセトン，エチルメチルケトン，イソブチルメチルケトン，ｔ−ブチルメチルケトン，シクロヘキサノン等のケトン類、例えばヘキサン，ヘプタン，オクタン，シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類、ベンゼン，トルエン，キシレン等の芳香族炭化水素類、メタノール，エタノール，ｎ−プロパノール，イソプロパノール，ｎ−ブタノール，イソブタノール，ｔ−ブタノール等のアルコール類等が挙げられる。中でも水酸基やカルボニル基を有するものが好ましい。これらは夫々単独で用いても、２種以上組み合わせて用いてもよい。
【００７３】
本発明の組成物においては、一般式［１］で示される化合物の融点が、一般式［２］で示される化合物のそれより低いような組み合わせを用いるのが好ましい。
【００７４】
一般式［１］で示される化合物と一般式［２］で示される化合物との融点の差は、通常８０℃以下、好ましくは３〜５０℃、更に好ましくは５〜３０℃程度である。
【００７５】
斯かる本発明組成物は、各種環境下で保存した場合或いは大きな環境変化が起きた場合でも結晶化を起こし難く、且つ極めて優れた耐候性及び潤滑性を有し、磁気記録媒体用潤滑剤として有用なものである。
【００７６】
本発明の磁気記録媒体においては、通常非磁性基板、磁気記録層、保護層及び本発明の組成物を含んで成る層がこの順序で形成されている。
また、磁気記録媒体の形状としては、例えばテープ状及びディスク状等が挙げられる。
【００７７】
磁気記録媒体を構成する非磁性基板としては、例えばポリエチレンテレフタレート，ポリエチレンナフタレート，ポリイミド，ポリアミド，ポリ塩化ビニル，ポリカーボネート，ポリエチルエーテルケトン，ポリスルホン等の高分子フィルム等から成る基板等、ガラス基板、アルミニウム基板等が挙げられ、中でも可撓材料がより好ましい。
【００７８】
基板の厚さは、その用途によって多少異なるが、通常３μｍ〜５ｍｍ、好ましくは３〜１００μｍである。基板がテープ状の場合、その厚さは３〜１０μｍであることがより好ましく、基板がディスク状の場合は３０〜７５μｍであることがより好ましい。
【００７９】
磁気記録層としては、例えばコバルト，ニッケル，クロム，鉄，又はそれらの合金，或いは前記金属を主成分として成る金属薄膜層等が挙げられる。
磁気記録層の厚さは、通常５０〜３００ｎｍ、好ましくは１００〜２００ｎｍである。
【００８０】
保護層としては、例えば炭素を含有するプラズマ重合膜を含んで成る保護層、好ましくは例えばメタン，エタン，エチレン，プロパン，プロピレン，アセチレン，ブタン，ベンゼン等の脂肪族炭化水素ガス単独若しくは適宜混合したガスを原料として調製されたプラズマ重合膜等が挙げられる。
【００８１】
磁気記録層を非磁性基板上に形成する方法としては、例えば真空蒸着、スパッタリング及びイオンプレーティング等の真空中成膜法等の公知の方法が挙げられる。
保護層を磁気記録層上に形成する方法としては、ＤＣ、ＡＣ、１０ｋＨｚ〜２０ＭＨｚの高周波等の電源を用いて、減圧下に於ける原料ガス或いは原料ガスとアルゴンガスのプラズマ放電により、磁気記録層上に成膜する方法等の公知の方法が挙げられる。
【００８２】
本発明の組成物を含有して成る層を保護層上に形成する方法としては、例えばナイフコート，バーコート，キスコート（キスローラーコート），ディップコート，リバースロールコート，ダイノズルコート，エクストルージョンノズルコート，グラビヤコート，スピンコート，オフセットグラビヤコート等の公知の方法が挙げられ、中でも磁気記録媒体の形状がテープ状である場合には、リバースロールコート，エクストルージョンノズルコート等、形状がディスク状である場合には、スピンコート，ディップコート等が好ましい。
【００８３】
組成物の使用量は、通常保護層表面の面積に対し０.１〜３０ｍｇ／ｍ2、好ましくは１〜１０ｍｇ／ｍ2である。使用量が０.１ｍｇ／ｍ2より少なくなると、潤滑作用やスチル寿命が十分に発揮されないことがあり、また、３０ｍｇ／ｍ2より大きくなるとスティックスリップを起こし、走行不良が起きることがある。
組成物を含有して成る層の膜厚は、通常組成物を構成する分子が１分子〜数分子重なった程度の厚さである。
【００８４】
また、テープ状磁気記録媒体は、磁気記録層と反対側の非磁性基板表面にバックコート層を有していてもよい。
バックコート層は、結合剤樹脂１００重量と無機化合物の粒子及び／又はカーボンブラック３０〜４００重量とを適当な有機溶媒に混合分散させて得られる塗料を塗布することによって得られる。また、該バックコート層は有機添加剤を含んでいてもよい。
【００８５】
結合剤樹脂としては、例えば塩化ビニル系共重合体、ポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂等の高分子化合物等が挙げられ、製造しようとする磁気記録媒体の特性及び製造条件等によって夫々単独で用いても組み合わせても用いてもよい。
無機化合物としては、例えば炭酸カルシウム、アルミナ、α−酸化鉄等が挙げられ、これらの粒子は磁気記録媒体に要求される電気抵抗、摩擦特性等からそのサイズを選択すればよい。
【００８６】
有機溶媒としては、例えばアセトン，エチルメチルケトン，２−ヘキサノンアセトフェノン，シクロヘキサノン，ベンゾフェノン等のケトン類、ベンゼン，トルエン，ｏ−キシレン，ｐ−キシレン，ｍ−キシレン，ナフタレン，クメン，ｔ−ブチルベンゼン等の芳香族炭化水素類等が挙げられ、使用する結合剤樹脂が適当に溶解するものであればよい。
【００８７】
また、有機添加剤としては、本発明の組成物に加えて、通常この分野で用いられる例えば脂肪酸、脂肪酸エステル、分散剤、界面活性剤等が挙げられる。
有機添加剤の使用量は、無機化合物の粒子及び／又はカーボンブラックが１００重量に対して０.１〜５重量程度である。
【００８８】
磁気記録媒体がテープ状である場合には、バックコート層中に本発明の組成物を含ませておいて、当該組成物の一部を磁気記録層に転写する等の方法を用いて当該組成物を含む層を保護層の上に形成してもよい。
以下に実施例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらにより何等限定されるものではない。
【００８９】
【実施例】
実施例１．ミリスチン酸パーフルオロオクチルエチルエステルの合成
ミリスチン酸５００ｇ、パーフルオロオクチルエタノール１１００ｇ及びトルエン２３００ｍｌを混合し、攪拌しながら濃硫酸２０ｇを徐々に加えた。濃硫酸を加えた後、約２時間３０分激しく還流させ、共沸水分がなくなるまで反応させた。反応後、反応液を冷却し、脱色炭処理させ、攪拌しながらアセトニトリルを加えて、５〜１０℃に氷冷し１時間晶析させた。晶析したものをアセトニトリルで洗浄濾過した後、乾燥してミリスチン酸パーフルオロオクチルエチルエステル１１２０ｇ（収率７５％）を得た。
該化合物は、赤外吸収スペクトル、1Ｈ-ＮＭＲ及びガスクロマトグラフィーの分析結果から、目的とする化合物であることが確認された。また、該化合物の融点は４６.０℃であった。
1ＨーＮＭＲ(270MHz,CDCl3) δppm：0.85-0.90(t,3H,-CH3) 1.26(s,20H,-(CH 2 )10-CH3) 1.58-1.65(t,2H,-CH 2 -(CH2)10-) 2.29-2.35(t,2H,-CH 2 -COO-) 2.47(t,2H,-CH 2 -CF2-) 4.35-4.40(t,2H,-COO-CH 2 -)
ＩＲ(KBr disk) δcm-1：1747(C=O,ester) 1204,1150(C-F,fluoride)
【００９０】
参考例１．パルミチン酸パーフルオロオクチルエチルエステルの合成
パルミチン酸５１ｇ、パーフルオロオクチルエタノール１０２ｇ、トルエン２８０ｍｌ及びｐ−トルエンスルホン酸１ｇを使用した以外は、実施例１と同様にして、パルミチン酸パーフルオロオクチルエチルエステル１２５ｇ（収率８９％）を得た。
該化合物は、赤外吸収スペクトル、1Ｈ-ＮＭＲ及びガスクロマトグラフィーの分析結果から、目的とする化合物であることが確認された。また、該化合物の融点は５０.６℃であった。
1ＨーＮＭＲ(270MHz,CDCl3) δppm：0.85-0.90(t,3H,-CH3) 1.26(s,24H,-(CH 2 )12-CH3) 1.58-1.65(t,2H,-CH 2 -(CH2)12-) 2.29-2.35(t,2H,-CH 2 -COO-) 2.47(t,2H,-CH 2 -CF2-) 4.35-4.40(t,2H,-COO-CH 2 -)
ＩＲ(KBr disk) δcm-1：1747(C=O,ester) 1204,1150(C-F,fluoride)
【００９１】
参考例２．ステアリン酸パーフルオロオクチルエチルエステルの合成
ステアリン酸５７ｇ、パーフルオロオクチルエタノール９８ｇ、トルエン２９０ｍｌ及びｐ−トルエンスルホン酸１ｇを使用した以外は、実施例１と同様にして、ステアリン酸パーフルオロオクチルエチルエステル１３２ｇ（収率９１％）を得た。
該化合物は、赤外吸収スペクトル、1Ｈ-ＮＭＲ及びガスクロマトグラフィーの分析結果から、目的とする化合物であることが確認された。また、該化合物の融点は５６.８℃であった。
1ＨーＮＭＲ(270MHz,CDCl3) δppm：0.85-0.90(t,3H,-CH3) 1.26(s,28H,-(CH 2 )14-CH3) 1.58-1.65(t,2H,-CH 2 -(CH2)12-) 2.29-2.35(t,2H,-CH 2 -COO-) 2.47(t,2H,-CH 2 -CF2-) 4.35-4.40(t,2H,-COO-CH 2 -)
ＩＲ(KBr disk) δcm-1：1747(C=O,ester) 1204,1150(C-F,fluoride)
【００９２】
参考例３．オレイン酸パーフルオロオクチルエチルエステルの合成
オレイン酸５７ｇ、パーフルオロオクチルエタノール９３ｇ及びトルエン３４０ｍｌを混合し、攪拌しながらｐ−トルエンスルホン酸３ｇを徐々に加えた後、約１時間３０分激しく還流させ、共沸水分がなくなるまで反応させた。反応後、反応液を冷却し、減圧濃縮させトルエンを除去しｎ−ヘキサン３００ｍｌを加え溶解させた。溶解させたものをカラム処理し、オレイン酸パーフルオロオクチルエチルエステル１２９ｇ（収率８８％）を得た。
該化合物は、赤外吸収スペクトル及びガスクロマトグラフィーの分析結果から、目的とする化合物であることが確認された。
ＩＲ(KBr disk) δcm-1：1747(C=O,ester) 1204,1150(C-F,fluoride)
【００９３】
参考例４．リノール酸パーフルオロオクチルエチルエステルの合成
リノール酸５６ｇ、パーフルオロオクチルエタノール９３ｇ、トルエン３４０ｍｌ及びｐ−トルエンスルホン酸３ｇを使用した以外は、参考例３と同様にして、リノール酸パーフルオロオクチルエチルエステル１２８ｇ（収率８８％）を得た。
該化合物は、赤外吸収スペクトル及びガスクロマトグラフィーの分析結果から、目的とする化合物であることが確認された。
ＩＲ(KBr disk) δcm-1：1746(C=O,ester) 1204,1150(C-F,fluoride)
【００９４】
参考例５．テトラデカニルコハク酸ジパーフルオロオクチルエチルエステルの合成
ｎ−テトラデカニル無水コハク酸１５０ｇ、パーフルオロオクチルエタノール５１０ｇ、トルエン１０００ｍｌ及び濃硫酸５ｍｌを使用した以外は、実施例１と同様にして、テトラデカニルコハク酸ジパーフルオロオクチルエチルエステル５２０ｇ（収率８５％）を得た。
該化合物は、赤外吸収スペクトル、1Ｈ-ＮＭＲ及びガスクロマトグラフィーの分析結果から、目的とする化合物であることが確認された。また、該化合物の融点は４７.９℃であった。
1ＨーＮＭＲ(270MHz,CDCl3) δppm：0.88(t,3H,-CH3) 1.25(s,24H,-(CH 2 )12-CH3) 1.40-1.75(m,2H,-CH 2 -(CH2)12-CH3) 2.35-2.55(m,5H,CH,-CH 2 -CF2-×2) 2.65-2.85(t,2H,-CH 2 -COO-) 4.38-4.40(q,4H,-COO-CH 2 -×2)
ＩＲ(KBr disk) δcm-1：1744(C=O,ester) 1220,1147(C-F,fluoride)
【００９５】
参考例６．オクタデシルコハク酸モノパーフルオロオクチルエチルエステルの合成
オクタデシル無水コハク酸４６０ｇ、パーフルオロオクチルエタノール６１０ｇ及びトルエン３０００ｍｌを混合し、加熱還流して副生する水を除去しながら２４時間反応させた。反応後、減圧濃縮させトルエンを除去し、メタノール３０００ｍｌに加熱溶解させ、冷却、晶析させた。この溶液を７〜１０℃で１時間攪拌後、結晶を濾去し、メタノールで洗浄し、乾燥してオクタデシルコハク酸モノパーフルオロオクチルエチルエステル９７０ｇ（収率９１％）を得た。
該化合物は、赤外吸収スペクトル、1Ｈ-ＮＭＲ及びガスクロマトグラフィーの分析結果から、目的とする化合物であることが確認された。また、該化合物の融点は５８.０℃であった。
1ＨーＮＭＲ(270MHz,CDCl3) δppm：0.88(t,3H,-CH3) 1.25(s,32H,-CH2-(CH 2 )16-CH3) 1.40-1.75(m,2H,-CH 2 -(CH2)16-CH3) 2.35-2.55(m,3H,CH,-CH 2 -CF2-) 2.65-2.85(t,2H,-CH 2 -COO-) 4.38-4.40(q,2H,-COO-CH 2 -)
ＩＲ(KBr disk) δcm-1：1738(C=O,ester) 1203,1150(C-F,fluoride)
【００９６】
参考例７．オクタデシルコハク酸ジパーフルオロオクチルエチルエステルの合成オクタデシル無水コハク酸５０ｇ、パーフルオロオクチルエタノール１３５ｇ、トルエン２８０ｍｌを混合し、これに濃硫酸５ｇを注入後、加熱還流して副生する水を除去しながら、６時間反応させた。反応後５〜８℃に冷却し析出した結晶を濾取した。その後、湿晶のままアセトン３００ｍｌに加熱溶解させ、脱色炭処理後冷却、晶析させた。この溶液を１０〜１５℃で２時間攪拌後、結晶を濾取し、アセトンで洗浄し、乾燥してオクタデシルコハク酸ジパーフルオロオクチルエチルエステル１４３ｇ（収率：８０％）を白色結晶性粉末として得た。 該化合物は、1Ｈ-ＮＭＲ及びガスクロマトグラフィーの分析により目的物であることが確認された。また、該化合物の融点は５９.１〜６０.９℃であった。
1ＨーＮＭＲ(270MHz,CDCl3) δppm：0.88(t,3H,-CH3) 1.25(s,32H,-CH2-(CH 2 ) 16 -CH3) 1.40-1.75(m,2H,-CH 2 -(CH2)16-CH3) 2.35-2.55(m,5H,CH,-CH 2 -CF2-×2) 2.65-2.85(t,2H,-CH 2 -COO-) 4.38-4.40(q,4H,-COO-CH 2 -×2)
【００９７】
参考例８．オクタデセニルコハク酸ジパーフルオロオクチルエチルエステルの合成
オクタデセニル無水コハク酸１８ｇ、パーフルオロオクチルエタノール４６ｇ、トルエン１１０ｍｌ及び濃硫酸１ｍｌを使用した以外は、実施例１と同様にして、オクタデセニルコハク酸ジパーフルオロオクチルエチルエステル５１ｇ（収率８１％）を得た。
該化合物は、赤外吸収スペクトル、1Ｈ-ＮＭＲ及びガスクロマトグラフィーの分析結果から、目的とする化合物であることが確認された。また、該化合物の融点は４０.５℃であった。
1ＨーＮＭＲ(270MHz,CDCl3) δppm：0.88(t,3H,-CH3) 1.25(s,28H,-CH2-(CH 2 )14-CH3) 1.95-2.00(m,2H,-CH 2 -(CH2)14-CH3) 2.35-2.55(m,5H,CH,-CH 2 -CF2-×2) 2.65-2.85(t,2H,-CH 2 -COO-) 4.38-4.40(q,4H,-COO-CH 2 -×2)
ＩＲ(KBr disk) δcm-1：1747(C=O,ester) 1204,1150(C-F,fluoride)
【００９８】
実施例２．本発明の組成物の製造
一般式［１］と一般式［２］とで示される化合物を表１に示した割合で混合して本発明の組成物を得た。
【００９９】
実施例３〜３０．本発明の潤滑剤を用いた磁気記録媒体であるデジタルビデオカメラ（ＤＶＣ）テープの製造
厚さ６.５μｍのポリエチレンテレフタレート製フィルムを非磁性基板とし、その上に厚さ２００ｎｍのコバルト蒸着型磁気記録層、厚さ１０ｎｍのエチレンを原料としたプラズマ重合膜から成る保護層をこの順序で常法に従って形成し、該保護層の上に、表１に示す所定の本発明の潤滑剤を所定量（ｍｇ／ｍ2）含んでなる層（潤滑層）を常法に従って形成した。尚、保護層を設けた後、磁気記録層と反対側の非磁性基板表面にカーボンブラック／フェノキシ樹脂／ポリウレタン樹脂＝５０／２５／２５の配合比のバックコート層を塗布によって設けた。これを６.３５ｍｍ巾に切断して本発明の潤滑剤を用いたＤＶＣテープを製造した。
【０１００】
比較例１〜２９．
本発明の潤滑剤を含んでなる層の代わりに、表２に示す所定の化合物を所定量（ｍｇ／ｍ2）含んでなる層（潤滑層）とした以外は実施例３と同様にしてＤＶＣテープを製造した。尚、実施例２〜３０及び比較例１〜２９で使用した化合物の構造式は以下の通りである。
【０１０１】
・Ａ群
Ａ−１ Ｃ13Ｈ27ＣＯＯＣＨ2ＣＨ2Ｃ8Ｆ17
【０１０２】
Ａ−２ Ｃ13Ｈ27ＣＯＯＣ4Ｈ9
【０１０３】
Ａ−３ Ｃ15Ｈ31ＣＯＯＣＨ2ＣＨ2Ｃ8Ｆ17
【０１０４】
Ａ−４ Ｃ17Ｈ35ＣＯＯＣＨ2ＣＨ2Ｃ8Ｆ17
【０１０５】
Ａ−５ Ｃ17Ｈ33ＣＯＯＣＨ2ＣＨ2Ｃ8Ｆ17
【０１０６】
Ａ−６ Ｃ13Ｈ27ＣＯＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣ9Ｆ17
【０１０７】
Ａ−７ Ｃ15Ｈ31ＣＯＯＣ4Ｆ9
【０１０８】
Ａ−８ Ｃ17Ｈ35ＣＯＯＣ4Ｈ9
【０１０９】
Ａ−９ Ｃ17Ｈ33ＣＯＯＣ4Ｈ9
【０１１０】
Ａ−１０ Ｃ17Ｈ31ＣＯＯＣＨ2ＣＨ2Ｃ8Ｆ17
【０１１１】
・Ｂ群
Ｂ−１
【０１１２】
【化１１】
Ｂ−２
【０１１４】
【化１２】
Ｂ−３
【０１１６】
【化１３】
Ｂ−４
【０１１８】
【化１４】
Ｂ−５
【０１２０】
【化１５】
実験例１．ＤＶＣテープの特性の検討
実施例３〜３０及び比較例１〜２９で得られたＤＶＣテープについて、摩擦係数及びスチル寿命を下記の方法に従って測定した。また、同ＤＶＣテープの潤滑剤層上の結晶析出の有無も下記方法により観察した。
【０１２２】
（摩擦係数の測定）
２ｍｍφ、０.２ＳのＳＵＳ３０３ピンに所定のＤＶＣテープを９０゜抱きつけ、０.１Ｎの荷重を与えた後、１８.８ｍｍ／Ｓで１００パスさせ、テンションピッックアップによって張力を測定し、オイラーの式によって各パス毎の摩擦係数を求め、その最大値を摩擦係数として表１に示した。
・判定基準
磁気記録媒体の摩擦係数は、一般に０.３２以下であれば実用上問題なく、０.２５以下であればＤＶＣテープ用として特に優れているといえる。
【０１２３】
（スチル寿命の測定）
改造ＤＶＣを使用し、０℃又は２０℃で１０分間記録を行った後、再生した。再生５分後に静止状態とし、この時点から、画像及び出力のチェックをして何れかに異常を生じた時点迄の時間をスチル寿命とした。
・判定基準
スチル寿命は、長いほど好ましいが、実用上は３０分以上であることが望ましい。
【０１２４】
（潤滑剤層上の結晶析出の有無の観察）
３０℃、湿度９０％の条件下でＤＶＣテープを３週間保存し、１００倍率の光学顕微鏡で潤滑剤層表面の結晶析出の有無を観察した。
・判定基準
○：特に結晶は認められない。（耐候性良好）
△：一部に粒状の結晶が認められるが実用上は問題ない。（耐候性良好）
×：粒状或いは針状の結晶が全面に見られ実用上の問題あり。（耐候性不良）
【０１２５】
（結果）
実施例３〜３０で得られたＤＶＣテープに於ける結果を表１に示す。
【０１２６】
【表１】
比較例１〜２９で得られたＤＶＣテープに於ける結果を表２に示す。
【０１２８】
【表２】
表１及び２から明らかなように、Ａ群の化合物又はＢ群の化合物のみを潤滑剤として使用し製造した磁気記録媒体と異なり、Ａ群の化合物とＢ群の化合物とから成る本発明の組成物を潤滑剤として含んで成る磁気記録媒体は、その組み合わせやその比率に拘わらず、摩擦特性に優れ、スチル寿命が十分長く、且つある程度の温度及び湿度の変化に対して結晶を析出することがない、即ち耐候性にも優れていることが判った。
【０１３０】
また、Ａ−１の化合物を用いた実施例５〜７は、Ａ−２の化合物を用いた実施例１２〜１４より優れた走行耐久性を示すことが判る。
更に、実施例５は、Ａ−３〜Ａ−１０を用いた実施例２１〜２７及び３０に比べ潤滑剤として総合的に優れた特性を示すことが判る。
これらのことは、一般式［５］で示される化合物がＡ−２〜Ａ−１０の化合物より優れた特性を有していることを示す。
【０１３１】
【発明の効果】
本発明は、走行耐久性、スチル寿命、耐候性に優れた磁気記録媒体を製造し得る組成物、並びに該組成物を用いた磁気記録媒体を提供するものである。
Claims (11)
- 一般式［１］
Ｒ1−ＣＯＯ−Ｒ2 ［１］
（式中、Ｒ1はフッ素原子を含んでいてもよい高級脂肪族炭化水素残基を表し、Ｒ2はフッ素原子及び／又は酸素原子を含んでいてもよい脂肪族炭化水素残基を表す。）で示される化合物（Ａ）と、一般式［２］
｛式中、Ｒ3はフッ素原子を含んでいてもよい高級脂肪族炭化水素残基を表し、Ｒ4及びＲ5は夫々独立して一般式［４］
−Ｒ 7 −Ｚ ［４］
（式中、Ｒ 7 は酸素原子を含んでいてもよいメチレン鎖を表し、Ｚはフルオロアルキル基を表す。）で示される基又は水素原子を表す。但し、Ｒ4又はＲ5の少なくとも一方は一般式［４］で示される基である。｝で示される化合物（Ｂ）とを含んで成る潤滑剤組成物。 - Ｒ2が一般式［３］
−Ｒ6−Ｙ ［３］
（式中、Ｒ6は酸素原子を含んでいてもよいメチレン鎖を表し、Ｙはフルオロアルキル基を表す。）で示される基である、請求項１に記載の潤滑剤組成物。 - 一般式［３］のＲ6が１〜４個の酸素原子を主鎖中に有する炭素数１〜６のメチレン鎖であり、Ｙが１〜４１個のフッ素原子を有する炭素数１〜２０のフルオロアルキル基である、請求項２に記載の潤滑剤組成物。
- 一般式［４］のＲ ７ が１〜４個の酸素原子を主鎖中に有する炭素数１〜６のメチレン鎖であり、Ｚは１〜４１個のフッ素原子を有する炭素数１〜２０のフルオロアルキル基である、請求項１に記載の潤滑剤組成物。
- 一般式［１］に於いて、Ｒ1は炭素数６〜２４のアルキル基、１〜４個の二重結合を有する炭素数６〜２４の脂肪族炭化水素残基、１〜４１個のフッ素原子を有する炭素数６〜２４のフルオロアルキル基、又は１〜４１個のフッ素原子を有し、１〜４個の二重結合を有する炭素数６〜２４の含フッ素脂肪族炭化水素残基であり、Ｒ2は炭素数１〜２６のアルキル基、１〜４個の二重結合を有する炭素数１〜２６の脂肪族炭化水素残基、１〜４個の酸素原子を主鎖中に有する炭素数１〜２６のアルキル基、１〜４個の二重結合を有し、主鎖中に１〜４個の酸素原子を有する炭素数１〜２６の脂肪族炭化水素残基、１〜５３個のフッ素原子を有する炭素数１〜２６のフルオロアルキル基、１〜５３個のフッ素原子を有し、１〜４個の二重結合を有する炭素数１〜２６の含フッ素脂肪族炭化水素残基、１〜５３個のフッ素原子を有し、１〜４個の酸素原子を主鎖中に有する炭素数１〜２６のフルオロアルキル基、又は１〜５３個のフッ素原子を有し、１〜４個の二重結合を有し、１〜４個の酸素原子を主鎖中に有する炭素数１〜２６の含フッ素脂肪族炭化水素残基であり、一般式［２］に於いて、Ｒ3は炭素数６〜２４のアルキル基、１〜４個の二重結合を有する炭素数６〜２４の脂肪族炭化水素残基、１〜４９個のフッ素原子を有する炭素数６〜２４のフルオロアルキル基、又は１〜４９個のフッ素原子を有し、１〜４個の二重結合を有する炭素数６〜２４の含フッ素脂肪族炭化水素残基であり、Ｒ 4 及びＲ 5 は夫々独立して水素原子又は一般式［４］で示される基であり（但し、少なくとも一方は一般式［４］で示される基である）、一般式［４］に於いて、Ｒ ７ は炭素数１〜６のメチレン鎖、又は１〜４個の酸素原子を主鎖中に有する炭素数１〜６のメチレン鎖であり、Ｚは１〜４１個のフッ素原子を有する炭素数１〜２０のフルオロアルキル基である、請求項１に記載の潤滑剤組成物。
- 一般式［１］で示される化合物（Ａ）が一般式［５］
Ｒ8−ＣＯＯ−Ｒ9−Ｒｆ ［５］
（式中、Ｒ8は炭素数１３のアルキル基を表し、Ｒ9は炭素数２〜６のメチレン鎖を表し、Ｒｆは炭素数７〜２０のパーフルオロアルキル基を表す。）で示される化合物である請求項１に記載の潤滑剤組成物。 - 一般式［１］で示される化合物の融点が、一般式［２］で示される化合物のそれより低いことを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の潤滑剤組成物。
- 非磁性基板、磁気記録層、保護層及び請求項１〜７の何れかに記載の組成物を含有して成る層がこの順序で形成されている磁気記録媒体。
- 磁気記録層が、金属薄膜層である請求項８に記載の磁気記録媒体。
- 非磁性基板が可撓性である請求項８に記載の磁気記録媒体。
- 一般式［１］
Ｒ1−ＣＯＯ−Ｒ2 ［１］
（式中、Ｒ1はフッ素原子を含んでいてもよい高級脂肪族炭化水素残基を表し、Ｒ2はフッ素原子及び／又は酸素原子を含んでいてもよい脂肪族炭化水素残基を表す。）で示される化合物（Ａ）と、一般式［２］
｛式中、Ｒ3はフッ素原子を含んでいてもよい高級脂肪族炭化水素残基を表し、Ｒ4及びＲ5は夫々独立して一般式［４］
−Ｒ 7 −Ｚ ［４］
（式中、Ｒ 7 は酸素原子を含んでいてもよいメチレン鎖を表し、Ｚはフルオロアルキル基を表す。）で示される基又は水素原子を表す。但し、Ｒ4又はＲ5の少なくとも一方は一般式［４］で示される基である。｝で示される化合物（Ｂ）とを含んで成る磁気記録媒体用潤滑剤。
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| JP28270297 | 1997-09-29 | ||
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1998
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