JP4067987B2 - Inspection circuit, semiconductor integrated circuit device, and inspection method thereof - Google Patents

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、検査回路を有する半導体集積回路装置（以下、ＬＳＩとする）及び、その検査方法に関し、特に光ビームを用いてウエハ上に作製されたＬＳＩに非接触に電気的な信号を入力し、或いは光ビームを用いてＬＳＩの電気的な信号を非接触に検出し、ＬＳＩが設計通りに動作していることを確認する検査回路を備えたＬＳＩ及び、その検査方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ウエハ上に作製されたＬＳＩの検査においては、電気的な信号を入力し、それに対する電気的な出力信号を観測し、期待値と比較することによりＬＳＩの検査を実施してきた。そのため、ウエハ上のＬＳＩに電気的な信号を入力し、或いは電気的な信号を観測するために、ウエハ上に設けられたパッドと呼ばれる領域に、細く針上に形成されたプローブを機械的に押し当てることで電気的な接続を構成し、ＬＳＩの外部から電気的な信号をＬＳＩに入力し、電気的な出力信号を観測してきた。
【０００３】
ところで、ＬＳＩの微細化が進行し、回路規模が大きくなるにつれＬＳＩに設置されるパッドの数が増大し、パッド領域の縮小、パッド密度の増大が引き起こされてきた。そのため、パッドを介してＬＳＩと外部との電気的な接続を行うプローブも、より細く、且つ高密度に構成する必要に迫られてきている。しかし、プローブを細く、高密度に作製し、且つ定められたパッド位置に正確に接触するように構成することは大変難しく、プローブの作製に困難を極めている。更に、プローブを正確にパッドに接触させるには、精密な位置合せが必要であり、操作性が問題となっている。
【０００４】
加えて、プローブを用いてＬＳＩと電気的な接続を行うためにはプローブを機械的にＬＳＩに接触させる必要があり、ＬＳＩの破損や、プローブの摩耗を引き起こすことが不可避であった。
【０００５】
そこで、特許文献１では、ＬＳＩの検査において電気的な信号を一旦発光装置を介して光信号に変換し、この光信号をＬＳＩに設けられた光電圧変換素子に伝えることで光信号を電気的な信号に再度変換してＬＳＩに伝えることで、プローブを使用せずにＬＳＩに非接触な状態で電気的な信号を印加している。又、電気的な出力信号を観測するために、電子ビームを照射し、その２次電子を検出することで出力信号を観測することで、同様に非接触な状態で電気的な信号を観測している。
【０００６】
又、特許文献２では、ＬＳＩの検査において電気的な信号をＬＳＩに入力するために、電気信号を発光ダイオードを用いて一旦光信号に変換し、ＬＳＩ上に設けた光・電気変換素子（ＣＣＤ）を用いて再度電気信号に変化させてＬＳＩに入力することで、ＬＳＩに非接触に電気信号を印加する方法が示されている。一方、ＬＳＩの出力信号はＬＳＩ上に設けられたパッドを介してプローブを接触させることで従来と同様に電気信号を観測している。
【０００７】
又、特許文献３では、ＬＳＩの検査においてＬＳＩにフォトダイオードやフォトトランジスタなどの光電気変換手段を設け、外部からの光信号を電気信号に変換してＬＳＩに伝達したり、又逆にＬＳＩの電気信号を光信号に変換して外部に伝える構造としている。そしてＬＳＩとテスタとの電気信号のやりとりを光を用いることでプローブを介在させず、非接触で行うことで、プローブを用いることに起因する、困難なプローブ作製や、回路の破損、プローブの摩耗等の問題に対処している。
【０００８】
【特許文献１】
特開平４−１３９８４６号公報（図１−３、ｐ．２）
【特許文献２】
特開平４−５５８２号公報（図１、ｐ．３）
【特許文献３】
特開昭６４−８１２４４号公報（第１図、ｐ．３）
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、特許文献１の方法では光信号を電気的な信号に変換するのに光電圧変換素子を用いることのみ示され、その具体的な方法、装置は開示されていない。又電子ビームを用いて電気的な信号を観測するためには観測対象であるＬＳＩを真空中に保持する必要があり、その操作性や、観測に要する時間、観測精度などに問題がある。
【００１０】
又、特許文献２の方法では、光信号を電気信号に変換するにおいて、光・電気変換素子（ＣＣＤ）を用いることが記載されているが、具体的な回路構成が記載されていないため、現実的に電気信号がＬＳＩに入力できるかどうか不明である。更にＬＳＩの出力信号の観測にはパッドとプローブを用いた機械的な接触を使用しており、ＬＳＩの微細化、高密度化によるパッドの高密度化によるプローブ作製の困難化や、機械的接触による回路の破損やプローブの摩耗等に対して何等問題を解決していない。
【００１１】
更に、特許文献３の方法では、光電気変換手段を設け、光を介して電気信号をＬＳＩに入力したり、電気信号の出力を観測するとの記載があるがその具体的な装置の記載は成されておらず不明である。
【００１２】
このように、従来の技術では、信号入力に関しては、光電気変換素子（手段）を用いて光信号を電気信号に変換し、ＬＳＩに入力するとされているが、具体的な回路や、方法が明示されておらず、実際に光信号を用いて電気信号をＬＳＩに入力できるかどうか不明である。例えば、どのような装置を用い、どのような方法でＬＳＩに“１”（高レベル），“０”（低レベル），“Ｚ”（ハイインピーダンス）を入力するかは開示されていない。
【００１３】
又、出力信号の観測についても、光電気変換素子（手段）を用いてＬＳＩの電気信号を光信号に変換し、光信号を観測することでＬＳＩの電気信号の観測を非接触で行うとされているが、具体的な回路や装置は示されておらず、現実にそれが実現できるかどうかが不明である。例えば、電気信号における“１”，“０”，“Ｚ”をどのように光信号を用いて検出するかは開示されていない。
【００１４】
本発明の目的は、ＬＳＩの検査において、光信号を用いてＬＳＩに非接触に“０”，“１”，“Ｚ”の電気信号を入力することを可能とする検査回路を提供し、更に、この検査回路を使用してＬＳＩに非接触で、“０”，“１”，“Ｚ”の信号を入力する方法を提供することにある。
【００１５】
又、本発明の他の目的は、ＬＳＩの検査において、光信号を用いて非接触でＬＳＩの“０”，“１”，“Ｚ”の電気信号を観測することを可能とする検査回路を提供し、更に、この検査回路を使用してＬＳＩに非接触で、“０”，“１”，“Ｚ”の各信号を観測する方法を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
そのため、本発明による第１の検査回路は、予め定められた波長、強度、大きさの第１光ビームを照射され、その照射の有無を検知する第１受光部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第２光ビームを照射され、その照射の有無を検知する第２受光部と、
“１”信号を供給する“１”信号供給部と、
“０”信号を供給する“０”信号供給部と、
前記第１受光部及び前記第２受光部における、個々の光ビームの照射の有無によって、“１”信号供給部、或いは“０”信号供給部からの信号を第１信号として出力する出力制御部とを有し、前記第１信号が前記信号入力用電極に印加されることを特徴とする。
【００１７】
或いは、この第１の検査回路は、“１”信号を供給する“１”信号供給部と、“０”信号を供給する“０”信号供給部と、
前記信号入力用電極に接続された第１ノードと前記“１”信号供給部との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第１光ビームが照射されたとき、“１”信号が前記第１ノードに伝達される第１光応答手段と、
前記第１ノードと前記“０”信号供給部との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第２光ビームが照射されたとき、“０”信号が前記第１ノードに伝達される第２光応答手段と、を有する構成とすることもできる。
【００１８】
又、本発明の第２の検査回路は、
複数の異なる光ビームの照射の有無の組み合わせにより、当該信号出力用電極の出力された信号値を所定の信号値と比較し比較結果を判定値として出力する機能を有する比較判定部を含むことを特徴とする。
【００１９】
又、本発明の第３の検査回路は、
複数の異なる光ビームの照射の有無の組み合わせにより、当該信号出力用電極の出力された信号値を所定の信号値と比較し比較結果を判定値として出力する機能を有する比較判定部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第８光ビームを照射され、その照射の有無を検知する第８受光部と、
前記第８受光部への光ビームの照射により記憶状態が初期化され、初期化以後の入力信号値を記憶すると共に最終判定値として出力する記憶部と、を有し、
前記判定値が前記記憶部に入力される構成とすることができる。
【００２０】
又、本発明の第４の検査回路は、
複数の異なる光ビームの照射の有無の組み合わせにより、当該信号出力用電極の出力された信号値を所定の信号値と比較し比較結果を判定値として出力する機能を有する比較判定部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第８光ビームを照射され、その照射の有無を検知する第８受光部と、
前記第８受光部への光ビームの照射により記憶状態が初期化され、初期化以後の入力信号値を記憶すると共に最終判定値として出力する記憶部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第９光ビームを照射され、その照射の有無を検知する第９受光部と、
前記第９受光部への光ビームの照射の有無と前記最終判定値によって電源電流を増加させる機能を有する電流制御部と、を有し、
前記判定値が前記記憶部に入力される構成としてもよい。
【００２１】
或いは、第４の検査回路は、
複数の異なる光ビームの照射の有無の組み合わせにより、当該信号出力用電極の出力された信号値を所定の信号値と比較し比較結果を判定値として出力する機能を有する比較判定部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第８光ビームを照射され、その照射の有無を検知する第８受光部と、
前記第８受光部への光ビームの照射により記憶状態が初期化され、初期化以後の入力信号値を記憶すると共に、最終判定値として第２出力端から出力する記憶部と、
前記第２出力端と所定の電源との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第９光ビームが照射されたときに導通する第９光応答手段を、を有し、
前記判定値が前記記憶部に入力される構成とすることもできる。
【００２２】
尚、上記第２の検査回路乃至第４の検査回路において、前記比較判定部は、
予め定められた波長、強度、大きさの第３光ビームを照射され、その照射の有無を検知する第３受光部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第４光ビームを照射され、その照射の有無を検知する第４受光部と、
“１”信号を供給する“１”信号供給部と、
“０”信号を供給する“０”信号供給部と、
前記第３受光部及び前記第４受光部における、個々の光ビームの照射の有無によって、“１”信号供給部、或いは“０”信号供給部からの信号を第２信号として出力する第２出力制御部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第５光ビームを照射され、その照射を検知する第５受光部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第６光ビームを照射され、その照射を検知する第６受光部と、
前記第５受光部及び前記第６受光部に対する個々の光ビームの照射の有無と、前記信号出力用電極の信号値とから定められる信号値を第３信号として出力する制御部と、
前記第２信号と前記第３信号とを入力して前記第２信号の信号値と前記第３信号の信号値とを比較し、その一致、不一致を判定して結果を第４信号として出力する比較部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第７光ビームを照射され、その照射を検知する第７受光部と、
前記第７受光部における前記第７光ビームの照射により、前記第４信号を判定値として出力するゲート部と、を有する構成とすることができる。
【００２３】
或いは、前記比較判定部は、
“１”信号を供給する“１”信号供給部と、
“０”信号を供給する“０”信号供給部と、
所定の第２ノードと前記“１”信号供給部との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第３光ビームが照射されたとき、“１”信号が前記第２ノードに伝達される第３光応答手段と、
前記第２ノードと前記“０”信号供給部との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第４光ビームが照射されたとき、“０”信号が前記第２ノードに伝達される第４光応答手段と、
前記信号出力用電極に接続された第３ノードと前記“１”信号供給部との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第５光ビームが照射されたとき、“１”信号が前記第３ノードに伝達される第５光応答手段と、
前記第３ノードと前記“０”信号供給部との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第６光ビームが照射されたとき、“０”信号が前記第３ノードに伝達される第６光応答手段と、
二つの比較入力端の一方が前記第２ノードに他方が前記第３ノードにそれぞれ接続され、前記第２ノードから入力される第２信号と前記第３ノードから入力される第３信号のそれぞれの信号値を比較し、その一致、不一致を判定して結果を第１出力端から第４信号として出力する比較部と、
前記第１出力端と第４ノードとの間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第７光ビームが照射されたとき、前記第４信号が前記第４ノードに伝達されて判定値として出力される第７光応答手段と、を有する構成としてもよい。
【００２４】
本発明のＬＳＩ検査方法は、複数の光ビームの照射の有無の組み合わせにより、所望の信号を印加する第１検査回路及び出力された信号と期待値との比較を行う機能を有する第２検査回路を備えたＬＳＩの検査方法であって、
予め定められた波長、強度、大きさの光ビームを前記第２検査回路の予め定められた場所の受光部に照射し初期化を行うステップ（図１３のステップ１０１、ステップ１０２）と、
予め定められた波長、強度、大きさの光ビームを予め定められたスケジュールで前記第１検査回路の予め定められた場所の受光部に照射して、前記ＬＳＩにテスト信号を入力するステップ（図１３のステップ１０３、ステップ１０４）と、
予め定められた波長、強度、大きさの光ビームを予め定められたスケジュールで前記第２検査回路の予め定められた場所の受光部に照射して、前記ＬＳＩの出力信号と期待値とを比較し、比較結果を判定値として出力するステップ（図１３のステップ１０５、ステップ１０６）と、を含む。
【００２５】
又、本発明のＬＳＩ検査方法は、予め定められた波長、強度、大きさの光ビームを予め定められたスケジュールで前記第２検査回路の予め定められた場所の受光部に照射して、当該ＬＳＩの検査結果を電源電流値の変化として知るステップ（図１３のステップ１０７、ステップ１０８）を、更に含む構成としてもよい。
【００２６】
本発明では、二つの受光部にそれぞれ対応する２本の光ビームの照射の有無により被検査ＬＳＩに電気的な信号を印加している。このため、被検査ＬＳＩに機械的に接触することなく電気的な信号を印加することが可能である。又、本発明では５つの受光部にそれぞれ対応する５本の光ビームの照射の有無により被検査ＬＳＩの信号値の期待値との比較を行っている。このため、被検査ＬＳＩに機械的に接触することなく電気的な信号を観測することが可能である。
【００２７】
【発明の実施の形態】
次に、本発明について図面を参照して説明する。尚、以下の説明で同じ構成要素には、同じ参照符号を付して、繰り返しての説明は省略する。
図１は、本発明の検査回路及びこの検査回路を内蔵するＬＳＩの第１の実施形態を説明するための図で、（ａ）はＬＳＩの模式的な概略平面図、（ｂ）はこのＬＳＩに内蔵される第１の検査回路の構成を示すブロック図である。図１を参照すると、本実施形態のＬＳＩ１００に内蔵される第１の検査回路１０は、第１光ビームを受光し、受光の有無を判定する第１受光部１があり出力制御部４に接続されている。同様に第２光ビームを受光し、受光の有無を判定する第２受光部２があり出力制御部４に接続されている。ＬＳＩ１００の信号入力用電極である第１端子６に入力される信号の種別は通常“１”（高レベル），“０”（低レベル），“Ｚ”（ハイインピーダンス）であるが、そのうち“１”信号を供給する“１”信号供給部３、及び“０”信号を供給する“０”信号供給部５は、いずれも出力制御部４に接続されている。出力制御部４は第１受光部１、第２受光部２における受光の有無により“１”，“０”，“Ｚ”の各信号を生成して第１信号として出力し、第１端子６に印加する。第１端子６は、ＬＳＩ１００の内部回路部１０２の図示されていない所定の素子に接続されている。
【００２８】
次に第１の検査回路１０の動作を説明する。尚、ＬＳＩ１００の所定の電源端子には、通常のプローブ等（図示せず）により外部から所定の電源が供給されるものとする。第１受光部１に第１光ビームが照射されると第１受光部１はそれを感知し出力制御部４に受光の有無を伝達する。同様に第２受光部２に第２光ビームが照射されると第２受光部２はそれを感知し出力制御部４に受光の有無を伝達する。ＬＳＩでは、通常電圧値を以って信号を区別し、電源電圧に等しいか、或いはそれに近い値の場合、信号値を“１”とし、接地電位に等しいか、或いはそれに近い場合信号値を“０”としている。又、電圧値が不定で、電気的に他の端子と極めて高い抵抗値で接続されている、或いは「浮いている」状態のときの信号値を“Ｚ”としている。“１”信号供給部３は、“１”（高レベル）信号を供給する手段であるが、通常は電源（以下、ＶDDとし、電源端子、電源電圧についても同じくＶDDとして特に区別せずに使用する）であり出力制御部４に“１”信号を供給している。“０”信号供給部５は通常は接地（以下、ＧＮＤとし、接地端子、接地電位についても同じくＧＮＤとして特に区別せずに使用する）であり、“０”（低レベル）信号を出力制御部４に供給している。出力制御部４では第１受光部１に光ビームが照射されたとき、第１受光部１から光ビームを感知した旨が伝達され、それにより“１”信号供給部３から供給されている“１”信号を第１信号として出力し第１端子６に印加する。一方第２受光部２に光ビームが照射されたときには、第２受光部２から光ビームを感知した旨が伝達され、それにより“０”信号供給部からの“０”信号を第１信号として出力し、第１端子６に印加する。第１受光部１及び第２受光部２のいずれにも光ビームが照射されないときには、出力制御部４は“Ｚ”信号を第１信号として出力し、第１端子６に印加する。従来の手法では、第１端子６に電気的に接続しているパッド（不図示）を設け、或いは第１端子６そのものがパッドであり、このパッドにプローブを機械的に接触させることにより、電気信号をＬＳＩ１００に入力していた。本実施形態では、プローブの代わりに第１の検査回路１０を設け、第１端子６に電気信号（＝第１信号）を印加し、ＬＳＩ１００の入力信号としてＬＳＩ１００の内部回路部１０２に伝達している。尚、第１受光部１と第２受光部２に同時に光ビームを照射することは禁止されている。
【００２９】
又、以下の説明において、各受光部に照射される各光ビームは、各受光部において照射の有無を検知できる強度、波長でなくてはならない。なぜならば、受光部は通常、光ビームの波長に対する感度特性、強度に対する感度特性を有するからである。更に、各光ビームは外部から検査回路に照射するため、ＬＳＩ上に形成された各受光部の上層の物質を透過して受光部に光ビームを到達させる必要があり、波長、強度を選択して光ビームの照射／無照射が受光部に検知できるようにすると共に、隣接する受光部間の干渉を避けるために光ビームの大きさを十分細くしなくてはならない。
【００３０】
図２は、第１の検査回路１０によるＬＳＩ１００への信号入力方法を説明する図である。ＬＳＩ１００の第１端子６に信号“１”を印加したい場合には、第１受光部１に第１光ビームを照射し、第２受光部２に光ビームを照射しない。第１端子６に信号“０”を印加したい場合には、第２受光部２に第２光ビームを照射し、第１受光部１に光ビームを照射しない。第１端子６に“Ｚ”信号を印加したい場合には、第１受光部１と第２受光部２のいずれにも光ビームを照射しない。第１受光部１と第２受光部２の両方に同時に光ビームを照射することは禁止されている。
【００３１】
次に第１の検査回路１０の具体例について、図面を参照しながら詳細に説明する。図３は第１の検査回路１０の具体例を示す回路図である。この例では、第１受光部１が、ＶDDとＧＮＤとの間に第１抵抗（以下、ｊを整数としたとき、第ｊ抵抗をRjと表すものとする）と第１フォトダイオード（以下、ｊを整数としたとき、第ｊフォトダイオードをPDｊと表すものとする）とを備え、ＶDDとPD１のカソードとの間にR1が接続され、PD１のアノードがＧＮＤに接続され、PD１のカソードとR1の一端との共通接続点が、出力制御部４の一方の入力端に接続されている。又、第２受光部２は、ＶDDとＧＮＤとの間にR2とPD２とを備え、ＶDDにPD１のカソードが接続され、PD１のアノードがＧＮＤとの間にR2が接続され、PD２のアノードとR2の一端との共通接続点が、出力制御部４の他方の入力端に接続されている。出力制御部４は、ＶDDとＧＮＤとの間に第１のｐチャネル電界効果トランジスタ（以下、ｊを整数としたとき、第ｊのｐチャネル電界効果トランジスタをPMｊと表すものとする）のソース・ドレイン路と、第１のｎチャネル電界効果トランジスタ（以下、ｊを整数としたとき、第ｊのｎチャネル電界効果トランジスタをNMｊと表すものとする）のソース・ドレイン路とがこの順序で直列に接続され、PM１のゲート電極が一方の入力端となり、NM１のゲート電極が他方の入力端となり、PM１のソース・ドレイン路とNM１のソース・ドレイン路との共通接続点であるノードＮ11が出力制御部４の出力端となって、ノードN1１から第１信号が出力される。言い換えると、PD１のカソードとR1の一端との共通接続点がPM１のゲート電極と接続され、PD２のアノードとR2の一端との共通接続点がNM１のゲート電極と接続され、ノードＮ11が第１端子６と接続され、第１信号が第１端子６に印加される。
【００３２】
この構成で、PD１及びPD２のいずれにも光ビームが照射されていないときには、PD１及びPD２はいずれもOFF 状態であり、PM１のゲート電極にはＶDDが印加され、NM１のゲート電極にはＧＮＤが印加されるので、PM１及びNM１のいずれも非導通で、ノードＮ11はフローティング状態となり、第１端子６には“Ｚ”信号が印加される。又、PD１に第１光ビームＡが照射されると、PD１はON状態となり、PM１のゲート電極の電位が低下して、PM１が導通する。このとき、PD２には光ビームは照射されないので、NM１は非導通のままであり、ノードＮ11の電位はほぼＶDDと等しくなり、第１端子６には“１”が印加される。逆に、PD２に第２光ビームＢが照射されると、PD２はON状態となり、NM１のゲート電極の電位が上昇して、NM１が導通する。このとき、PD１には光ビームは照射されないので、PM１は非導通のままであり、ノードＮ11の電位はほぼＧＮＤと等しくなり、第１端子６には“０”が印加される。
【００３３】
尚、PD１とPD２に、それぞれ第１光ビームＡと第２光ビームＢが同時に照射されると、PM１とNM１が同時に導通状態となり、ＶDDとＧＮＤ間に大きな電流が流れるため、PD１とPD２に同時に光ビームを照射することは禁止される。
【００３４】
次に、第１の検査回路１０の変形例について説明する。図４は第１の検査回路の変形例を説明するための図で、（ａ）及び（ｂ）はそれぞれブロック図と、一例の具体的な回路図である。図４を参照すると、変形例の第１の検査回路１０ａは、“１”信号供給部３と、“０”信号供給部５と、
第１ノードＮ１と“１”信号供給部３との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第１光ビームが照射されたとき、“１”信号が第１ノードＮ１に伝達される第１光応答手段７と、
第１ノードＮ１と“０”信号供給部５との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第２光ビームが照射されたとき、“０”信号が第１ノードＮ１に伝達される第２光応答手段８と、を備え、第１ノードＮ１が第１端子６に接続されている。
【００３５】
より具体的には、第１光応答手段７であるPD1aと、第２光応答手段８であるPD2aを備え、PD1aのアノードとカソードが、第１ノードＮ１とＶDDにそれぞれ接続され、PD2aのアノードとカソードが、ＧＮＤと第１ノードＮ１にそれぞれ接続され、第ノードＮ１が第１端子６に接続されている。
【００３６】
この変形例の動作について説明する。PD1a及びPD2aのいずれにも光ビームが照射されていないときには、PD1a及びPD2aはいずれもOFF 状態であり、第１ノードＮ１はフローティング状態となって、第１端子６には“Ｚ”信号が印加される。第１光ビームＡのみが照射され、PD1aに第１光ビームＡが照射されるとPD1aはON状態となり、PD2aはOFF 状態のままであるため、第１ノードＮ１の電位はほぼＶDDと等しくなり、第１端子６には“１”信号が入力されることとなる。又、第２光ビームＢのみが照射され、PD2aに第２光ビームＢが照射されるとPD2aはON状態となり、PD1aはOFF 状態のままであるために、第１ノードＮ１の電位はほぼＧＮＤと等しくなり、第１端子６には“０”信号が印加されることとなる。変形例においても、第１光ビームＡと第２光ビームＢを同時に照射するとPD1aとPD2aが同時にON状態となり、ＶDD−ＧＮＤ間に大きな電流が流れるために、第１光ビームＡと第２光ビームＢを同時に照射することは禁止される。
【００３７】
次に本発明の第２の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。図５は、本発明の第２の実施形態を説明するための図で、（ａ）はＬＳＩの模式的な概略平面図、（ｂ）はこのＬＳＩに内蔵される第２の検査回路の構成を示すブロック図である。図５を参照すると、本実施形態のＬＳＩ１１０に内蔵される第２の検査回路３０は比較判定部２５のみで構成され、この比較判定部２５が“１”信号供給部３と、“０”信号供給部５と、第３受光部１２と、出力制御部１３と、第４受光部１４と、第５受光部１６と、制御部１７と、第６受光部１８と、比較部１９と、ゲート部２０と、第７受光部２１とを備える。第３受光部１２は出力制御部１３に接続され、光ビームの第３受光部１２への照射を感知して受光の有無を出力制御部１３に伝える。第４受光部１４は出力制御部１３に接続され、光ビームの第４受光部１４への照射を感知して受光の有無を出力制御部１３に伝える。
【００３８】
出力制御部１３は第３受光部１２、第４受光部１４における光ビームの照射の有無により“１”，“０”，“Ｚ”の各種信号を生成し、二つの入力端を備えた比較部１９の一方の入力端に出力する機能を有する。具体的には、第３受光部１２にのみ光ビームが照射されている場合に“１”信号供給部３からの信号“１”を出力し、第４受光部１４にのみ光ビームが照射されている場合に“０”信号供給部５からの信号値“０”を出力する。
【００３９】
第５受光部１６は、制御部１７に接続され、第５受光部１６への光ビームの照射を感知して照射の有無を制御部１７に伝える。第６受光部１８は制御部１７に接続され、第６受光部１８への光ビームの照射を感知して照射の有無を制御部１７に伝える。
【００４０】
制御部１７には、“１”信号供給部３と“０”信号供給部５が接続され、それぞれから信号“１”と信号“０”が供給される。制御部１７は、第５受光部１６と第６受光部１８からの照射の有無の情報により、信号“１”，信号“０”，信号“Ｚ”を出力すると共に、出力端がノードＮ12に接続され、第５受光部１６と第６受光部１８に対する光ビームの照射の有無及び信号出力用電極である第２端子１１に出力されている信号値によりノードＮ12の信号値を決定する機能を有する。具体的には、第５受光部１６にのみ光ビームが照射され、且つ第２端子１１にＬＳＩ１１０の内部回路部１１２から信号値“０”が出力されている場合は信号値“０”をそのままノードＮ12の信号値とし、第２端子１１に信号値“１”や信号値“Ｚ”が出力されている場合には“１”信号供給部３からの信号値“１”をノードＮ12の信号値とする機能を有する。又、第６受光部１８にのみ光ビームが照射され、且つ第２端子１１にＬＳＩ１１０の内部回路部１１２から信号値“１”が出力されている場合はノードＮ12の信号値は“１”になり、第２端子１１に信号値“０”や信号値“Ｚ”が出力されている場合には“０”信号供給部５からの信号値“０”をノードＮ12の信号値とする機能を有する。尚、第２端子１１は、ノードＮ12に接続されると共に、ＬＳＩ１１０の内部回路部１１２の所定の素子（図示せず）に接続される。第２端子１１は、従来のＬＳＩ検査手法であれば、パッド、或いはパッドに接続するＬＳＩの端子に相当する。
【００４１】
比較部１９の他方の入力端はノードＮ12と接続され、ノードＮ12の信号値が伝達されている。比較部１９は、出力制御部１３から出力された信号値とノードＮ12からの信号値を比較し、同一であるか、異なるかを判別し、その結果をゲート部１７に伝達する。具体的には、出力制御部１３から出力された信号値とノードＮ12からの信号値とを比較し、両者が同じ値（信号値“１”どうし、又は信号値“０”どうし）であれば一致を示す信号値“０”を出力し、両者が異なる値であれば（信号値“０”と信号値“１”）、不一致を示す信号値“１”を出力する。
【００４２】
第７受光部２１は、ゲート部１７に接続され、第７受光部２１への光ビームの照射の有無をゲート部１７に伝える。ゲート部１７は、第７受光部２１に光ビームが照射されているときに比較部１９からの信号を判定値として出力し、光ビームが第７受光部２１に照射されていないときには信号値“０”を判定値として出力する機能を有する。
【００４３】
尚、第２の検査回路３０においても第３受光部１２と第４受光部１４に同時に光ビームを照射することは禁止されている。
【００４４】
次に第２の検査回路３０の動作を説明する。
先ず、ＬＳＩ１１０の内部回路部１１２に接続された第２端子１１に信号値“１”が出力されているかどうかを判定する動作について説明する。第３受光部１２に光ビームを照射し、第４受光部１４には照射しないことで出力制御部１３から信号値“１”が出力され、比較部１９の一方の入力端に信号値“１”が入力される。第６受光部１８に光ビームを照射し、第５受光部１６に照射しないことで制御部１７の機能により、第２端子１１に信号値“１”が出力されていればノードＮ12の信号値は“１”となり、比較部１９の他方の入力端に信号値“１”が入力される。一方、第２端子１１に信号値“０”や信号値“Ｚ”が出力されている場合、制御部１７の機能によりノードＮ12の信号値は“０”となり比較部１９の他方の入力端に信号値“０”が入力される。
【００４５】
その結果、第２端子１１の信号値を判定するタイミングで第７受光部２１に光ビームを照射することで、第２端子１１に信号値“１”が出力されていれば一致を示す信号値“０”が判定値として出力され、そうでない場合には不一致を示す信号値“１”が判定値として出力される。
【００４６】
次に、第２端子１１に信号値“０”が出力されているかどうかを判定する動作を説明する。第４受光部１４に光ビームを照射し、第３受光部１２には照射しないことで出力制御部１３から信号値“０”が出力され、比較部１９の一方の入力端に信号値“０”が入力される。第５受光部１６に光ビームを照射し、第６受光部１８に照射しないことで制御部１７の機能により、内部回路部１１２から第２端子１１に信号値“０”が出力されていればノードＮ12の信号値は“０”となり比較部１９の他方の入力端に信号値“０”が出力される。一方、内部回路部１１２から第２端子１１に信号値“１”や信号値“Ｚ”が出力されている場合、制御部１７の機能によりノードＮ12の信号値は“１”となり、比較部１９の他方の入力端に信号値“１”が出力される。
【００４７】
その結果、第２端子１１の信号値を判定するタイミングで第７受光部２１に光ビームを照射することで、第２端子１１に信号値“０”がＬＳＩ１１０から出力されていれば信号値“０”が判定値として出力され、そうでない場合には信号値“１”が判定値として出力される。
【００４８】
次に、内部回路部１１２から第２端子１１に信号値“Ｚ”が出力されているかどうかを判定する動作を説明する。この動作は判定する動作を２回に分けて実施する。先ず、第３受光部１２に光ビームを照射し、第４受光部１４には照射しないことで出力制御部１３から信号値“１”が出力され、比較部１９の一方の入力端に信号値“１”が入力される。第５受光部１６に光ビームを照射し、第６受光部１８に照射しないことで制御部１７の機能により、内部回路部１１２から第２端子１１に出力されている信号値が“Ｚ”か“１”であればノードＮ12の信号値は“１”となり、比較部１９の他方の入力端に信号値“１”が入力される。一方、内部回路部１１２から第２端子１１に出力されている信号値が“０”の場合、制御部１７の機能により、ノードＮ12の信号値は“０”となり、比較部１９の他方の入力端に信号値“０”が入力される。その結果、第１の判定するタイミングで第７受光部２１に光ビームを照射することで、内部回路部１１２から第２端子１１に出力されている信号値が“１”か“Ｚ”であれば一致を示す信号値“０”が判定値として出力され、そうでない場合には不一致を示す信号値“１”が判定値として出力される。
【００４９】
続いて、第４受光部１４に光ビームを照射し、第３受光部１２には照射しないことで出力制御部１３から信号値“０”が出力され、比較部１９の一方の入力端に信号値“０”が入力される。第６受光部１８に光ビームを照射し、第５受光部１６に照射しないことで制御部１７の機能により、内部回路部１１２から第２端子１１に出力されている信号値が“Ｚ”か“０”であれば、ノードＮ12の信号値は“０”となり、比較部１９の他方の入力端に信号値“０”が入力される。一方、内部回路部１１２から第２端子１１に出力されている信号値が“１”であれば、制御部１７の機能によりノードＮ12の信号値は“１”となり、比較部１９の他方の入力端に信号値“１”が入力される。その結果、第２の判定するタイミングで第７受光部２１に光ビームを照射することで、内部回路部１１２から第２端子１１に出力されている信号値が“０”か“Ｚ”であれば一致を示す信号値“０”が判定値として出力され、そうでない場合には不一致を示す信号値“１”が判定値として出力される。
【００５０】
上記説明のとおり、第２端子１１の信号値を判定するタイミングで、内部回路部１１２から第２端子１１に信号値“Ｚ”が出力されていれば、ゲート部２０から出力される判定値は常に一致を示す“０”となる。しかし、内部回路部１１２から第２端子１１に出力されている信号値が“１”や“０”の場合には、いずれかの判定タイミングにおいて不一致を示す判定値“１”が出力される。
【００５１】
尚、第２端子１１の信号値が信号値“Ｘ”（信号値が“０”か“１”か不定）、或いは判定するタイミングにおいて第２端子１１の信号値の判定を要しない場合には、判定するタイミングにおいて第７受光部２１に光ビームを照射しないことで、判定値は常に一致を示す“０”となり、出力信号値の不一致検出に影響を及ぼすことは無い。
【００５２】
又、第２の検査回路３０においても第３受光部１２と第４受光部１４に同時に光ビームを照射することは禁止されている。
【００５３】
次に第２の検査回路３０の具体例を図面を参照しながら説明する。
図６は第２の検査回路３０の一具体例を説明するための図で、（ａ）は全体回路図、（ｂ）及び（ｃ）はゲート部２０の詳細回路の例である。図６を参照すると、この具体例の第２の検査回路３０を構成する比較判定部２５は、第３受光部１２が、ＶDDとＧＮＤとの間にR3とPD３とを備え、ＶDDとPD３のカソードとの間にR3が接続され、PD３のアノードがＧＮＤに接続され、PD３のカソードとR3の一端との共通接続点が、出力制御部１３の一方の入力端に接続されている。又、第４受光部１４は、ＶDDとＧＮＤとの間にR4とPD４とを備え、ＶDDにPD４のカソードが接続され、PD４のアノードとＧＮＤとの間にR4が接続され、PD４のアノードとR4の一端との共通接続点が、出力制御部１３の他方の入力端に接続されている。出力制御部１３は、ＶDDとＧＮＤとの間にPM２のソース・ドレイン路と、NM２のソース・ドレイン路とがこの順序で直列に接続され、PM２のゲート電極が一方の入力端となり、NM２のゲート電極が他方の入力端となり、PM２のソース・ドレイン路とNM２のソース・ドレイン路との共通接続点であるノードＮ13が出力制御部１３の出力端となっている。言い換えると、PD３のカソードとR3の一端との共通接続点がPM２のゲート電極と接続され、PD４のアノードとR4の一端との共通接続点がNM２のゲート電極と接続されている。
【００５４】
又、第５受光部１６が、ＶDDとＧＮＤとの間にR5とPD５とを備え、ＶDDとPD５のカソードとの間にR5が接続され、PD５のアノードがＧＮＤに接続され、PD５のカソードとR5の一端との共通接続点が、制御部１７の一方の入力端に接続されている。又、第６受光部１８は、ＶDDとＧＮＤとの間にR6とPD６とを備え、ＶDDにPD６のカソードが接続され、PD６のアノードとＧＮＤとの間にR6が接続され、PD６のアノードとR6の一端との共通接続点が、制御部１７の他方の入力端に接続されている。制御部１７は、ＶDDとＧＮＤとの間に、R7，PM３のソース・ドレイン路，NM３のソース・ドレイン路，及びR8が、この順序で直列に接続され、PM３のゲート電極，NM３のゲート電極，及びPM３のソース・ドレイン路とNM３のソース・ドレイン路との共通接続点が、それぞれ制御部１７の一方の入力端，他方の入力端，及び出力端となり、この出力端がノードＮ12と接続されている。より具体的には、ＶDDとPM３のソース・ドレイン路の一端との間にR7が接続され、PM３のソース・ドレイン路の他端とNM３のソース・ドレイン路の一端とが接続され、NM３のソース・ドレイン路の他端とＧＮＤとの間にR8が接続され、PD５のカソードとR5の一端との共通接続点がPM３のゲート電極と接続され、PD６のアノードとR6の一端との共通接続点がNM３のゲート電極と接続されている。尚、R7の抵抗値は、第２端子１１に信号値“０”が出力されているときに、NM３がOFF の状態でPM３がONとなってもノードＮ12の信号値が“０”を保持できるように設定される。又、R8の抵抗値は、逆に、第２端子１１に信号値“１”が出力されているときに、PM３がOFF の状態でNM３がONとなってもノードＮ12の信号値が“１”を保持できるように設定される。
【００５５】
比較部１９は排他的論理和回路（以下、ＸＯＲとする）で構成され、比較部１９の一方の入力端となるＸＯＲの入力端IN１とノードＮ13が接続され、比較部１９の他方の入力端となるＸＯＲの入力端IN２とノードＮ12が接続され、比較部１９のＸＯＲの出力端OUT は、ゲート部２０の入力端Ａと接続される。ゲート部２０は、特に限定されないが、例えば図６（ｂ）に示すように２入力論理積回路（以下、ＡＮＤとする）で構成できる。具体的には、一方の入力端をゲート部２０の入力端Ａ，他方の入力端を制御入力端Ｃとし、ＡＮＤの出力端をゲート部２０の出力端Ｂとすればよい。尚、図６（ｂ）の例は、制御入力端Ｃに信号値“１”が入力されたとき、入力端Ａに入力された信号値がそのまま出力端Ｂに出力され、制御入力端Ｃに信号値“０”が入力されたときは入力端Ａに入力される信号値に関わらず出力端Ｂから常に信号値“０”が出力される構成である。第７受光部２１は、ＶDDとＧＮＤとの間にPD７とR9とを備え、ＶDDにPD７のカソードが接続され、PD７のアノードとＧＮＤとの間にR9が接続され、PD７のアノードとR9の一端との共通接続点が、ゲート部２０の制御入力端Ｃに接続されている。この構成で、ＸＯＲの出力端OUT が比較部１９の第１出力端となり、出力端OUT から第４信号が出力される。尚、第２の検査回路３０においてもPD３とPD４に同時に光ビームを照射することは禁止される。
【００５６】
次に、第２の検査回路３０の具体例の動作を説明する。
先ず、ＬＳＩ１１０の内部回路部１１２に接続された第２端子１１に信号値“１”が出力されているかどうかを判定する動作を説明する。PD３に光ビームを照射し、PD４には照射しないことでPM２のみがONするので、ノードＮ13の信号値は“１”となり、ＸＯＲの入力端IN１に期待値として信号値“１”が入力される。PD６に光ビームを照射し、PD５に照射しないことでNM３のみがONするが、内部回路部１１２から第２端子１１に信号値“１”が出力されていれば、NM３とＧＮＤの間に上記のように抵抗値を設定されたR8が接続されているためノードＮ12の信号値は“１”となり、ＸＯＲの入力端IN２に信号値“１”が入力され、ＸＯＲの出力端OUT から第４信号として一致を示す信号値“０”が出力される。一方、第２端子１１に信号値“０”や信号値“Ｚ”が出力されている場合、NM３がONしていることでノードＮ12の信号値は“０”となりＸＯＲの入力端IN２に信号値“０”が入力され、ＸＯＲの出力端OUT から第４信号として不一致を示す信号値“１”が出力される。
【００５７】
その結果、第２端子１１の信号値を判定するタイミングでPD７に光ビームを照射することでゲート部２０の制御入力端Ｃに信号値“１”が印加され、第２端子１１に信号値“１”が出力されていれば一致を示す信号値“０”が判定値として出力され、そうでない場合には不一致を示す信号値“１”が判定値として出力される。
【００５８】
次に、第２端子１１に信号値“０”が出力されているかどうかを判定する動作を説明する。PD４に光ビームを照射し、PD３には照射しないことでNM２のみがONするので、ノードＮ13の信号値は“０”となり、ＸＯＲの入力端IN１に期待値として信号値“０”が入力される。PD５に光ビームを照射し、PD６に照射しないことでPM３のみがONするが、内部回路部１１２から第２端子１１に信号値“０”が出力されていれば、ＶDDとPM３の間に、上記のように抵抗値を設定されたR7が接続されているためノードＮ12の信号値は“０”となり、ＸＯＲの入力端IN２に信号値“０”が入力されてＸＯＲの出力端OUT から第４信号として一致を示す信号値“０”が出力される。一方、第２端子１１に信号値“１”や信号値“Ｚ”が出力されている場合、PM３がONしていることでノードＮ12の信号値は“１”となりＸＯＲの入力端IN２に信号値“１”が入力され、ＸＯＲの出力端OUT から第４信号として不一致を示す信号値“１”が出力される。
【００５９】
その結果、第２端子１１の信号値を判定するタイミングでPD７に光ビームを照射することでゲート部２０の制御入力端Ｃに信号値“１”が印加され、第２端子１１に信号値“０”が出力されていれば一致を示す信号値“０”が判定値として出力され、そうでない場合には不一致を示す信号値“１”が判定値として出力される。
【００６０】
次に、内部回路部１１２から第２端子１１に信号値“Ｚ”が出力されているかどうかを判定する動作を説明する。この動作は判定する動作を２回に分けて実施する。先ず、PD３に光ビームを照射し、PD４には照射しないことでPM２のみがONするので、ノードＮ13の信号値は“１”となり、ＸＯＲの入力端IN１に信号値“１”が入力される。又、PD５に光ビームを照射し、PD６に照射しないことでPM３のみがONするので、内部回路部１１２から第２端子１１に出力されている信号値が“Ｚ”か“１”であればノードＮ12の信号値は“１”となり、ＸＯＲの入力端IN２に信号値“１”が入力され、ＸＯＲの出力端OUT から第４信号として一致を示す信号値“０”が出力される。一方、内部回路部１１２から第２端子１１に出力されている信号値が“０”の場合、PM３のみがONしているが、ＶDDとPM３の間にR7が接続されているためノードＮ12の信号値は“０”となり、ＸＯＲの入力端IN２に信号値“０”が入力され、ＸＯＲの出力端OUT から第４信号として不一致を示す信号値“１”が出力される。その結果、第１の判定するタイミングでPD７に光ビームを照射することで、内部回路部１１２から第２端子１１に出力されている信号値が“１”か“Ｚ”であれば一致を示す信号値“０”が判定値として出力され、そうでない場合には不一致を示す信号値“１”が判定値として出力される。
【００６１】
続いて、PD４に光ビームを照射し、PD３には照射しないことでNM２のみがONするので、ノードＮ13の信号値は“０”となり、ＸＯＲの入力端IN１に信号値“０”が入力される。又、PD６に光ビームを照射し、PD５に照射しないことでNM３のみがONするので、内部回路部１１２から第２端子１１に出力されている信号値が“Ｚ”か“０”であれば、ノードＮ12の信号値は“０”となり、ＸＯＲの入力端IN２に信号値“０”が入力され、ＸＯＲの出力端OUT から第４信号として一致を示す信号値“０”が出力される。一方、内部回路部１１２から第２端子１１に出力されている信号値が“１”の場合、NM３のみがONしているが、NM３とＧＮＤとの間にR8が接続されているためノードＮ12の信号値は“１”となり、ＸＯＲの入力端IN２に信号値“１”が入力され、ＸＯＲの出力端OUT から第４信号として不一致を示す信号値“１”が出力される。その結果、第２の判定するタイミングでPD７に光ビームを照射することで、内部回路部１１２から第２端子１１に出力されている信号値が“０”か“Ｚ”であれば一致を示す信号値“０”が判定値として出力され、そうでない場合には不一致を示す信号値“１”が判定値として出力される。
【００６２】
上記説明のとおり、第２の検査回路３０の具体例においても、第２端子１１の信号値を判定するタイミングで、内部回路部１１２から第２端子１１に信号値“Ｚ”が出力されていれば、ゲート部２０から出力される判定値は常に一致を示す“０”となる。しかし、内部回路部１１２から第２端子１１に出力されている信号値が“１”や“０”の場合には、いずれかの判定タイミングにおいて不一致を示す判定値“１”が出力される。
【００６３】
尚、第２端子１１の信号値が信号値“Ｘ”、或いは判定するタイミングにおいて第２端子１１の信号値の判定を要しない場合には、判定するタイミングにおいてPD７に光ビームを照射しないことで、判定値は常に“０”となり、出力信号値の不一致検出に影響を及ぼすことは無い。
【００６４】
又、PM２及びNM２が同時にONするとＶDD−ＧＮＤ間に大きな電流が流れるため、PD３とPD４に同時に光ビームを照射することは禁止される。
【００６５】
次に、第２の検査回路３０の変形例について説明する。図７は第２の検査回路の変形例を説明するための図で、（ａ）及び（ｂ）はそれぞれブロック図と、一例の具体的な回路図である。図７を参照すると、変形例の第２の検査回路３０ａを構成する比較判定部２５ａは、
“１”信号供給部３と、“０”信号供給部５と、
第２ノードＮ２と“１”信号供給部３との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第３光ビームが照射されたとき、“１”信号が第２ノードＮ２に伝達される第３光応答手段３１と、
第２ノードＮ２と“０”信号供給部５との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第４光ビームが照射されたとき、“０”信号が第２ノードＮ２に伝達される第４光応答手段３２と、
第２端子１１に接続された第３ノードＮ３と“１”信号供給部３との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第５光ビームが照射されたとき、“１”信号が第３ノードＮ３に伝達される第５光応答手段３３と、
第３ノードＮ３と“０”信号供給部５との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第６光ビームが照射されたとき、“０”信号が第３ノードＮ３に伝達される第６光応答手段３４と、
二つの比較入力端の一方である入力端IN１が第２ノードＮ２に接続され、他方である入力端IN２が第３ノードＮ３に接続され、第２ノードＮ２から入力される第２信号と第３ノードＮ３から入力される第３信号のそれぞれの信号値を比較し、その一致、不一致を判定して結果を第１出力端である出力端OUT から第４信号として出力する比較部３５と、
出力端OUT と第４ノードＮ４との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第７光ビームが照射されたとき、第４信号が第４ノードＮ４に伝達されて判定値として出力される第７光応答手段３６と、を備えている。
【００６６】
より具体的には、第２の検査回路３０ａは、第３光応答手段３１であるPD3aと、第４光応答手段３２であるPD4aと、第５光応答手段３３であるPD5a及びＲ5aと、第６光応答手段３４であるPD6a及びＲ6aと、比較部３５であるＸＯＲと、第７光応答手段３６であるPD7a及びＲ9aと、を備えている。
【００６７】
そして、PD3aのアノードとカソードが第２ノードＮ２とＶDDにそれぞれ接続され、PD4aのアノードとカソードがＧＮＤと第２ノードＮ２にそれぞれ接続され、ＶDDとPD5aのカソードとの間にＲ5aが接続され、PD5aのアノード及びPD6aのカソードが第３ノードＮ３に接続され、PD6aのアノードとＧＮＤの間にＲ6aが接続され、第３ノードＮ３が第２端子１１と接続されている。又、ＸＯＲの入力端IN１及び入力端IN２が第２ノードＮ２及び第３ノードＮ３とそれぞれ接続され、比較部３５の第１出力端であるＸＯＲの出力端OUT がPD7aのカソードと接続され、PD7aのアノードとＧＮＤの間にＲ9aが接続され、PD7aのアノードとＲ9aの一端との共通接続点が判定値の出力端となる第４ノードＮ４と接続されている。尚、Ｒ5aの抵抗値は、第２端子１１に信号値“０”が出力されているときに、PD6aには光ビームが照射されずPD5aに光ビームが照射されても、即ちPD6aがOFF の状態でPD5aがONとなっても第３ノードＮ３の信号値が“０”を保持できるように設定される。又、Ｒ6aの抵抗値は、逆に、第２端子１１に信号値“１”が出力されているときに、PD5aには光ビームが照射されずPD6aに光ビームが照射されても、即ちPD5aがOFF の状態でPD6aがONとなっても第３ノードＮ３の信号値が“１”を保持できるように設定される。又、上記接続において、ＶDDと第３ノードＮ３との間でPD5aとＲ5aの接続順序を逆にしてもよく、同様に第３ノードＮ３とＧＮＤとの間でPD6aとＲ6aの接続順序を逆にしてもよい。又、第２の検査回路３０ａにおいても、ＶDD−ＧＮＤ間に大きな電流を流さないようにするため、PD3aとPD4aに同時に光ビームを照射することは禁止される。
【００６８】
次に、この変形例の第２の検査回路３０ａの動作について説明する。
PD3aに光ビームが照射されPD4aに光ビームが照射されない場合、PD3aがON状態となりPD4aがOFF 状態となるため第２ノードＮ２の信号値は“１”となり、ＸＯＲの入力端IN１に信号値“１”が入力される。逆に、PD4aに光ビームが照射され、PD3aに光ビームが照射されない場合には、第２ノードＮ２の信号値は“０”となり、ＸＯＲの入力端IN１に信号値“０”が入力される。
【００６９】
PD5aに光ビームが照射されPD6aに光ビームが照射されない場合、PD5aがON状態となり、PD6aはOFF 状態となる。このとき内部回路部１１２から第２端子１１に出力される信号値が“０”であった場合、ＶDDからＲ5a，PD5a，及び第３ノードＮ３を通って第２端子１１に向かって電流が流れるが、Ｒ5aの抵抗値は上記のように設定されているので第３ノードＮ３の信号値は“０”のままとなる。一方、第２端子１１に出力されている信号値が“１”である場合には、Ｒ5aを通じて電流は流れず、第３ノードＮ３の信号値は第２端子１１の信号値と同じ“１”となる。又、第２端子１１の信号値が“Ｚ”（ハイインピーダンス状態）であった場合、PD5aがON状態であるために、第３ノードＮ３の信号値は“１”となる。
【００７０】
PD6aに光ビームが照射され、PD5aに光ビームが照射されない場合、PD6aがON状態となり、PD5aはOFF 状態となる。このとき内部回路部１１２から第２端子１１に出力されている信号値が“１”であった場合、第２端子１１から第３ノードＮ３，PD6a及びＲ6aを通ってＧＮＤに向かって電流が流れるが、Ｒ6aの抵抗値が上記のように設定されているので、第３ノードＮ３の信号値は“１”のままとなる。一方、第２端子１１に出力された信号値が“０”である場合には、Ｒ6aを通じて電流は流れず、第３ノードＮ３の信号値は“０”となる。又、第２端子１１に出力された信号値が“Ｚ”であった場合、PD5aがOFF 状態且つPD6aがON状態であるので、第３ノードＮ３の信号値は“０”となる。
【００７１】
次に、第２端子１１の信号値の判定方法を説明する。
先ず、判定タイミングにおいて内部回路部１１２から第２端子１１に出力されている信号値が“１”であるかどうかを判定するには、PD3aとPD6aにはビームを照射し、PD4aとPD5aには光ビームを照射しない。そして、判定タイミングにおいてPD7aに光ビームを照射することで、第２端子１１の信号値が“１”であれば第４ノードＮ４に出力される判定値は“０”を示し、第２端子１１の信号値が“０”か“Ｚ”であれば第４ノードＮ４に出力される判定値は“１”となる。即ち、判定値に“１”が出力されれば判定タイミングにおいて第２端子１１の信号値が“１”ではないことが分かる。
【００７２】
又、判定タイミングにおいて、第２端子１１に内部回路部１１２から出力されている信号値が“０”であるかどうかを判定するには、PD4aとPD5aには光ビームを照射し、PD3aとPD6aには光ビームを照射しない。そして判定タイミングにおいてPD7aに光ビームを照射することで、第２端子１１の信号値が“０”であれば第４ノードＮ４に出力される判定値は“０”を示し、第２端子１１の信号値が“１”か“Ｚ”であれば第４ノードＮ４に出力される判定値は“１”となる。即ち、判定値に“１”が出力されれば判定タイミングにおいて第２端子１１の信号値が“０”ではないことが分かる。又、判定タイミングにおいて第２端子１１の信号値が“Ｚ”であるかどうかを判定するには、PD3aとPD5aには光ビームを照射し、PD4aとPD6aには光ビームを照射しない。そして判定タイミングにおいてPD7aに光ビームを照射することで、第２端子１１の信号値が“Ｚ”か“１”であれば第４ノードＮ４に出力される判定値は“０”を示し、第２端子１１の信号値が“０”であれば第４ノードＮ４に出力される判定値は“１”となる。続いて、PD4aとPD6aには光ビームを照射し、PD3aとPD5aには光ビームを照射しない。そして判定タイミングにおいてPD7aに光ビームを照射することで、第２端子１１の信号値が“Ｚ”か“０”であれば第４ノードＮ４に出力される判定値は“０”を示し、第２端子１１の信号値が“１”であれば第４ノードＮ４に出力される判定値は“１”となる。即ち、判定値に“１”が出力されれば判定タイミングにおいて第２端子１１の信号値が“Ｚ”ではないことが分かる。
【００７３】
尚、上記光ビームの波長、強度は各フォトダイオードを適切にON状態にしうる波長、強度でなくてはならず、且つ所定のフォトダイオードのみに照射し、他のフォトダイオードに照射しないように十分に細く絞り込む必要がある。
【００７４】
次に本発明の第３の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。図８は、本実施形態の第３の検査回路４０を説明するための図で、（ａ）は全体構成を示すブロック図、（ｂ）は（ａ）の記憶回路４１の構成を示す回路図である。尚、第３の検査回路４０は、改めて図示しないが、ＬＳＩ１１０で第２の検査回路３０の代わりに搭載されたもの、即ちＬＳＩ１１０の第２端子１１に接続されたものとして説明する。図８を参照すると、第３の検査回路４０は、比較判定部２５と、記憶ブロック４２を備えた構成となっている。記憶ブロック４２は、記憶部４３と第８受光部４５で構成され、記憶部４３は第２の検査回路３０から出力された判定値を記憶すると共に最終判定信号として第２出力端から出力し、第８受光部４５は光ビームの照射を受けて記憶部４３を初期化する。
【００７５】
この記憶ブロック４２の動作は次のようになる。受光部４５に光ビームが照射されると、初期化信号が記憶部４３の初期化信号入力端に送られ、記憶部４３の記憶情報は初期化される。記憶部４３は、比較判定部２５から出力されデータ入力端に入力される判定値を遂次記憶する。言い換えると、記憶部４３のデータ入力端に入力される判定値は、信号“０”か信号“１”のいずれかであるが、もし信号“１”が入力されたら、この事実を以降記憶しておき最終判定値として第２出力端から出力する。最終判定値は信号“０”か信号“１”のいずれかであり、信号“０”は記憶部４３に“１”なる判定値が初期化以降入力されていないことを示し、信号“１”は記憶部４３に初期化以降少なくとも１回以上“１”なる判定値が入力されたことを示す。
【００７６】
次に、記憶ブロック４３の一具体例について説明する。図８（ｂ）を参照すると、この具体例は、記憶部４３がＲＳフリップフロップ（以下、ＲＳＦ／Ｆとする）で構成され、第８受光部４５がカソードとアノードがＶDDとノードＮ14にそれぞれ接続されたPD８と、両端がノードＮ14とＧＮＤにそれぞれ接続されたＲ10で構成される。そして、ＲＳＦ／Ｆのセット信号入力端子（以下、Ｓ端子とする），初期化信号入力端子（以下、Ｒ端子とする）及びＱ端子が、それぞれ記憶部４３のデータ入力端，初期化信号入力端及び第２出力端となる。そして、比較判定部２５から出力された判定値信号及びノードＮ14から出力される初期化信号がそれぞれＳ端子及びＲ端子に入力され、第２出力端であるＲＳＦ／ＦのＱ端子から最終判定値が出力される。
【００７７】
次に、この具体例の記憶ブロック４３の動作について説明する。PD８に光ビームが照射されるとPD８がON状態となり、ノードＮ14の電位がＧＮＤからほぼＶDDに上昇するので、ＲＳＦ／ＦのＲ端子に電源電圧が印加、即ち信号“１”が印加される。これによりＲＳＦ／ＦのＱ端子の出力は“０”信号となり、初期化が完了する。PD８に光ビームの照射が無ければ、Ｒ端子には信号“０”が印加されている。比較判定部２５から出力される判定値として信号“０”か“１”がＲＳＦ／ＦのＳ端子に印加されるが、１回でも信号“１”が入力されると、ＲＳＦ／Ｆの機能によりＱ端子に信号“１”が出力される。この出力は以後維持され、ＲＳＦ／Ｆが再度初期化されるまで、この値を保持し続ける。このＱ端子の出力が最終判定値となる。即ち、記憶部４３は初期化後、信号“１”か“０”の判定値を記憶し、信号“１”の入力があった場合、信号“１”を最終判定値として出力し、信号“１”の入力が無い場合には、信号“０”を最終判定値として出力する機能を有する。
【００７８】
次に、記憶ブロック４２の他の具体例について説明する。図９は他の具体例の記憶ブロック４２ａの回路図である。記憶ブロック４２ａは、ＲＳＦ／Ｆで構成された記憶部４３と、カソードとアノードがノードＮ15とＧＮＤにそれぞれ接続されたPD8a及び両端がＶDDとノードＮ15にそれぞれ接続されたＲ10ａで構成された第８受光部４５ａと、入力端がノードＮ15に接続された反転回路（以下、ＩＮＶとする）４７で構成され、ＩＮＶ４７から出力される信号が記憶部４３の初期化信号入力端であるＲＳＦ／ＦのＲ端子に入力される。この第８受光部４５ａのノードＮ15ａの光ビームの照射の有無に対応する信号値は、図８（ｂ）の第８受光部４５のノードＮ15の光ビームの照射の有無に対応する信号値と逆になっているが、ＩＮＶ４７を介してＲＳＦ／ＦのＲ端子に入力することで、記憶ブロック４２ａも記憶ブロック４２と全く同様の動作をすることが分かる。
【００７９】
次に本発明の第４の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。図１０は、本実施形態の第４の検査回路６０を説明するための図で、（ａ）は全体構成を示すブロック図、（ｂ）は（ａ）の電流変調回路５０の構成の一具体例を示す回路図である。尚、第４の検査回路６０も、改めて図示しないが、ＬＳＩ１１０で第２の検査回路３０の代わりに搭載されたもの、即ちＬＳＩ１１０の第２端子１１に接続されたものとして説明する。図１０を参照すると、第４の検査回路６０は、第３の検査回路４０に電流変調回路５０が付加された構成、従って比較判定部２５と記憶ブロック４２と電流変調回路５０を備えた構成となっている。第３の検査回路４０を構成する比較判定部２５や記憶ブロック４２は上記説明のとおりであり、以下、電流変調回路５０を中心に説明する。電流変調回路５０は、第９受光部５１と電流制御部５２で構成される。第３の検査回路４０の記憶ブロック４２から出力された最終判定値は電流制御部５２に送られる。電流制御部５２はＶDDとＧＮＤに接続されている。第９受光部５１は電流制御部５２に接続され、第９受光部５１に対する光ビームの照射の有無に応じた信号を電流制御部５２に伝達する。
【００８０】
次に、電流変調回路５０の動作を説明する。電流制御部５２は、受光部５１から受光部５１における光ビームの照射の有無に応じた信号を受け、光ビームが照射されていた場合に、記憶ブロック４２から出力された最終判定値が信号“１”であればＶDDからＧＮＤに電流を流し、それ以外のときには電流を流さない機能を有する。この電流を不図示の電流観測装置、例えばＬＳＩテスタ等で観測することにより最終判定値が“１”であるか“０”であるかが分かる。即ち、受光部５１への光ビームの照射時と非照射時とで、ＶDD−ＧＮＤ間に流れる電流に差があれば最終判定値は“１”であり、差が無ければ“０”であると判断できる。
【００８１】
次に、電流変調回路５０の一具体例を、図１０（ｂ）を参照して説明する。図１０（ｂ）を参照すると、第９受光部５１は、カソードとアノードがＶDDとノードＮ16にそれぞれ接続されたPD９と、両端がノードＮ16とＧＮＤにそれぞれ接続されたＲ11で構成されており、ノードＮ16が第９受光部５１の出力端となっている。又、電流制御部５２は、NM３，NM４及びＲ12で構成され、Ｒ12の両端がNM４のソース電極とＧＮＤにそれぞれ接続され、NM４のゲート電極がノードＮ16と接続され、NM４のドレイン電極とＶDDの間にNM３のソース・ドレイン路が接続され、NM３のゲート電極が電流制御部５２の入力端となって、記憶ブロック４２から出力された最終判定値が印加される。
【００８２】
次に、この電流変調回路５０の動作を説明する。最終判定値が“０”であった場合、その電位は通常ＧＮＤレベルでありNM３はOFF 状態となるので、PD９への光ビームの照射の有無に関わらず、電流変調回路５０のＶDD−ＧＮＤ間に電流は流れない。一方、最終判定値が“１”であった場合、その電位は通常ＶDDレベルであってNM３がON状態となり、PD９へ光ビームが照射されるとノードＮ16の電位が上昇してNM４もON状態となり、電流変調回路５０のＶDD−ＧＮＤ間に電流が流れる。但し、PD９への光ビームの照射が無いときにはノードＮ16の電位はＧＮＤレベルでNM４はOFF 状態であり、電流変調回路５０のＶDD−ＧＮＤ間に電流は流れない。この電流は、通常、被検査対象ＬＳＩ１１０の電源電流との合計値として観測されるために、不図示の電源電流観測装置を用いて、PD９への光ビームの照射の有無に対応して電源電流の観測結果が増減すれば最終判定値は“１”であることが分かる。逆に光ビームの照射の有無によって電源電流の観測結果が変化しなければ、最終判定値は“０”であることが分かる。
【００８３】
次に、電流変調回路５０の他の具体例を説明する。図１１は、他の具体例の電流変調回路５０ａの回路図である。図１１を参照すると、電流変調回路５０ａは記憶部４３の第２出力端であるＲＳＦ／ＦのＱ端子と所定の電源であるＧＮＤとの間に接続された第９光応答手段５５で構成され、第９光応答手段５５はPD9aとＲ11ａで構成されている。尚、PD9aのカソードがＲＳＦ／ＦのＱ端子と接続され、PD9aのアノードとＧＮＤとの間にＲ11ａの両端がそれぞれ接続されている。この電流変調回路５０ａにおいても、最終判定値が“１”であった場合にのみ、PD９ａに光ビームが照射されると、Ｑ端子、PD9a及びＲ11ａの経路でＶDD−ＧＮＤ間に流れる電流が被検査対象ＬＳＩ１１０の電源電流に加算されるのは、電流変調回路の５０と同様であり、詳細な説明は省略する。
【００８４】
次に、ＬＳＩが信号入力用電極である第１端子、信号出力用電極である第２端子と、信号入力用電極と信号出力用電極を兼ねた第３端子を備えている場合の構成について説明する。図１２は、第１端子，第２端子及び第３端子を全て備えたＬＳＩ１２０の模式的なブロック図である。図１２に示されるように、ＬＳＩ１２０は、第１端子７１と、第２端子７３と、第３端子７５と、内部回路部１２２と、ＶDD及びＧＮＤを備え、更に、第１端子７１には第１の検査回路１０_1が接続され、第２端子７３には第４の検査回路６０_1が接続され、第３端子７５には第１の検査回路１０_2及び第４の検査回路６０_2が接続されている。即ち、第３端子７５は、信号入力用電極である、と同時に信号出力用電極でもあるので、それぞれに対応する検査回路が接続されている。
【００８５】
尚、ＬＳＩ１２０が実際の装置に搭載されて使用される際は、通常、第１端子７１，第２端子７３及び第３端子７５を含む各端子がワイヤボンディング等の公知の接続技術により外部端子に接続されて使用される。これは、先に説明したＬＳＩ１００やＬＳＩ１１０の場合も同様である。
【００８６】
第１端子７１に接続された第１の検査回路１０_1は、光ビームの照射により非接触で第１端子７１に所望の電気信号を印加し、検査対象であるＬＳＩ１２０に対して電気信号を入力している。同様に、第３端子７５に接続された第１の検査回路１０_2は、光ビームの照射により非接触で第３端子７５に所望の電気信号を印加し、ＬＳＩ１２０に対して電気信号を入力している。
【００８７】
第２端子７３に接続された第４の検査回路６０_1は、光ビームの照射により非接触で内部回路部１２２から第２端子７３に出力された信号値が所定の期待値と一致しているか判定し、判定結果に応じてＬＳＩ１２０の電源電流を変調する。同様に、第３端子７５に接続された第４の検査回路６０_2は、光ビームの照射により非接触で内部回路部１２２から第３端子７５に出力された信号値が所定の期待値と一致しているか判定し、判定結果に応じてＬＳＩ１２０の電源電流を変調する。
【００８８】
尚、第３端子７５に接続された第１の検査回路１０_2及び第４の検査回路６０_2が同時に動作させられることは無い。
【００８９】
又、第１の検査回路１０_1及び第１の検査回路１０_2の機能は上述した第１の検査回路１０と同じであり、第４の検査回路６０_1及び第４の検査回路６０_2の機能は第４の検査回路６０と同じであるので詳細な説明は省略する。
【００９０】
次に、ＬＳＩ１２０の検査方法について図面を参照して説明する。図１３は、ＬＳＩ１２０の検査方法の一例を説明するフローチャートである。ＬＳＩの検査においては、予め定められた入力信号をＬＳＩに入力したときに、予め定められた期待値信号と一致した出力信号が出力されれば、ＬＳＩは良品と判断され、一致しなければ不良品と判断される。
【００９１】
本発明のＬＳＩの検査方法は、複数の光ビームの照射の有無の組み合わせにより、所望の信号を印加する第１検査回路及び出力された信号と期待値との比較を行う機能を有する第２検査回路を備えたＬＳＩの検査方法であって、
予め定められた波長、強度、大きさの光ビームを第２検査回路の予め定められた場所の受光部に照射し初期化を行うステップ（図１３のステップ１０１とステップ１０２）と、
予め定められた波長、強度、大きさの光ビームを予め定められたスケジュールで第１検査回路の予め定められた場所の受光部に照射して、当該ＬＳＩにテスト信号を入力するステップ（図１３のステップ１０３とステップ１０４）と、
予め定められた波長、強度、大きさの光ビームを予め定められたスケジュールで第２検査回路の予め定められた場所の受光部に照射して、当該ＬＳＩの出力信号と期待値とを比較し、比較結果を判定値として出力するステップ（図１３のステップ１０５とステップ１０６）と、
予め定められた波長、強度、大きさの光ビームを第２検査回路の予め定められた場所の受光部に照射し、当該ＬＳＩの電源電流の増加の有無でＬＳＩの検査結果を知るステップ（図１３のステップ１０７とステップ１０８）を、含み構成される。
【００９２】
尚、ＬＳＩ１２０では、第１の検査回路１０_1及び第１の検査回路１０_2が上記ＬＳＩの検査方法における第１検査回路に該当し、第４の検査回路６０_1及び第４の検査回路６０_2が第２検査回路に該当する。以下、具体的に説明する。
【００９３】
ＬＳＩ１２０の検査を実施するには、予め定められた入力信号を生成するために、第１の検査回路１０_1や第１の検査回路１０_2に対し、それぞれ２本の光ビームを適当なタイミングで照射／無照射を行い、予め定められた入力信号を生成する。生成された入力信号は第１端子７１や第３端子７５を介してＬＳＩ１２０に入力される（図１３のステップ１０３、ステップ１０４）。
【００９４】
ＬＳＩ１２０の出力は第２端子７３や第３端子７５に表われる。これらの信号が予め定められた期待値信号と一致するか否かを判断するため、第４の検査回路６０_1に含まれる比較判定部２５_1や第４の検査回路６０_2に含まれる比較判定部２５_2に５本の光ビームをそれぞれ適当なタイミングで照射／無照射を行う。期待値信号と出力信号との比較は複数の時刻で行われるのが普通である、各時刻において期待値信号と出力信号との比較が実施され、その度に、一致、不一致の判定値が比較判定部２５_1や比較判定部２５_2から出力される（図１３のステップ１０５、ステップ１０６）。
【００９５】
検査開始前に第４の検査回路６０_1含まれる記憶ブロック４２_1及び第４の検査回路６０_2に含まれる記憶ブロック４２_2に光ビームを照射することで、これらの記憶状態は初期化されている（図１３のステップ１０１、ステップ１０２）。検査開始によって、各時刻における期待値信号と出力信号との一致、不一致の判定値が記憶ブロック４２_1や記憶ブロック４２_2に送られてくる。記憶ブロック４２_1や記憶ブロック４２_2では判定値として不一致が送られてきたかどうかを記憶し、最終的に光ビームの照射によって不一致が送られてきたか否かを最終判定値（不一致の有無）としてそれぞれ出力する。この出力を観測することでＬＳＩ１２０の検査結果が判明する。又、記憶ブロック４２_1や記憶ブロック４２_2の最終判定値の出力を不図示の論理和回路（或いは論理積回路）で圧縮して１つの圧縮出力とすることで、この圧縮出力のみを観測することでＬＳＩ１２０の検査結果を知ることが可能となる。
【００９６】
第４の検査回路６０_1に含まれる電流変調回路５０_1や第４の検査回路６０_2に含まれる電流変調回路５０_2では、光ビームの照射／無照射と最終判定値によってＬＳＩ１２０の電源電流に反映させる（図１３のステップ１０７、ステップ１０８）。即ち、不一致があれば光ビームの照射により電源電流値を増加させ、光ビームの無照射時、又は不一致が無い場合には電源電流を増加させない。
【００９７】
最終的にＬＳＩテスタ等の電源電流観測装置（図示せず）によって電源電流を観測し、電流変調回路５０_1や電流変調回路５０_2に光ビームが照射されたとき電源電流が増加すればＬＳＩ１２０は不良品と判定され、電源電流が不変であればＬＳＩ１２０は良品と判定される。
【００９８】
次に具体的なテスト信号を用いたＬＳＩの検査手法を説明する。
図１４は、図１２に示したＬＳＩ１２０を検査するためのテスト信号（入力信号、出力期待値信号）の一例をタイミングチャート風に表した図である。図１４に示した例を用いてＬＳＩ１２０の検査方法を具体的に説明する。
【００９９】
第１の検査回路１０_1は光ビームＡ１と光ビームＡ２の照射の有無により信号“０”，“１”，“Ｚ”を生成し、第１端子７１に印加する。第１の検査回路１０_1は光ビームＡ１のみが照射されたときに信号“１”を生成し、光ビームＡ２のみが照射されたときに信号“０”を生成する。いずれの光ビームも照射されないときには信号“Ｚ”を生成する。
【０１００】
第１の検査回路１０_2は光ビームＢ１と光ビームＢ２の照射の有無により信号“０”，“１”，“Ｚ”を生成し、第３端子７５に印加する。第１の検査回路１０_2は光ビームＢ１のみが照射されたときに信号“１”を生成し、光ビームＢ２のみが照射されたときに信号“０”を生成する。光ビームＢ１，Ｂ２のいずれも照射されないときには信号“Ｚ”を生成する。更に、比較判定部２５_2は光ビームＣ１〜Ｃ５の５本の光ビームの照射／無照射により、第３端子７５の信号値を観測し、特定の時刻において期待信号値との比較を行い、両者の一致、不一致を判定し、判定値を記憶ブロック４２_2に伝達する。第３端子７５の信号値が“１”であるかの判定には（即ち、出力期待信号値は“１”）、光ビームＣ１と光ビームＣ４を照射し、光ビームＣ２と光ビームＣ３は照射しない。このような状態において、信号値を判定する時刻において光ビームＣ５を照射すると、この時点で第３端子７５の信号値が“１”であれば一致なる判定値を出力し、信号値が“１”以外の場合には不一致なる判定値を出力する。同様に第３端子７５の信号値が“０”であるかの判定には（即ち、出力期待信号値は“０”）、光ビームＣ２と光ビームＣ３を照射し、光ビームＣ１と光ビームＣ４は照射しない。このような状態において、信号値を判定する時刻において光ビームＣ５を照射すると、この時点で第３端子７５の信号値が“０”であれば一致なる判定値を出力し、信号値が“０”以外の場合には不一致なる判定値を出力する。更に、第３端子７５の信号値が“Ｚ”であるかの判定には（即ち、出力期待信号値は“Ｚ”）、光ビームＣ１と光ビームＣ３を照射し、光ビームＣ２と光ビームＣ４は照射しない。このような状態において、信号値を判定する第１の時刻において光ビームＣ５を照射する、続いて、光ビームＣ２と光ビームＣ４を照射し、光ビームＣ１と光ビームＣ３は照射しない。このような状態において、信号値を判定する第２の時刻において光ビームＣ５を照射する。信号値を判定する第１の時刻、及び第２の時刻において入出力端子の値が常に“Ｚ”であれば一致なる判定値を出力し、そうでなければ不一致なる判定値を出力する。
【０１０１】
記憶ブロック４２_2は光ビームＣ６の照射によって記憶が初期化される。電流変調回路５０_2は光ビームＣ７の照射によって記憶ブロック４２_2に不一致が記憶されていれば電源電流値を増大させ、一致しか記憶されていなければ電源電流値に影響を与えない。
【０１０２】
比較判定部２５_1は、５本の光ビームＤ１〜Ｄ５の照射／無照射によって、第２端子７３の信号値と期待値との比較を行い、判定値を出力する。第２端子７３の値が“１”であるかの判定には、光ビームＤ１と光ビームＤ４を照射し、光ビームＤ２と光ビームＤ３は照射しない、判定時刻において光ビームＤ５を照射することで、この時刻で第２端子７３の信号値が“１”であれば一致なる判定値を出力し、そうでなければ不一致なる判定値を出力する。又、第２端子７３の値が“０”であるかの判定には、光ビームＤ２と光ビームＤ３を照射し、光ビームＤ１と光ビームＤ４は照射しない、判定時刻において光ビームＤ５を照射することで、この時刻で第２端子７３の信号値が“０”であれば一致なる判定値を出力し、そうでなければ不一致なる判定値を出力する。更に、第２端子７３の値が“Ｚ”であるかの判定には、光ビームＤ１と光ビームＤ３を照射し、光ビームＤ２と光ビームＤ４は照射しない、そして第１の判定時刻において光ビームＤ５を照射する。次に、光ビームＤ２と光ビームＤ４を照射し、光ビームＤ１と光ビームＤ３は照射しない、そして第２の判定時刻において光ビームＤ５を照射する。いずれの判定時刻においても第２端子７３の信号値が“Ｚ”であれば一致なる判定値を出力し、そうでなければ不一致なる判定値を出力する。記憶ブロック４２_1は光ビームＤ６の照射により記憶状態が初期化され、以降比較判定部２５_1から送られてくる一致、不一致の判定値を記憶する。電流変調回路５０_1は記憶ブロック４２_1に不一致の記憶があれば、光ビームＤ７の照射により電源電流を増加させる。
【０１０３】
第１端子７１に印加されるテスト信号は図１４に示すように時刻Ｔ１〜Ｔ６において“０”，“１”，“１”，“０”，“１”，“０”である。これらのテスト信号を第１端子７１に印加するために、光ビームＡ１と光ビームＡ２を図１４に示したようなスケジュールで照射する。ここで斜線で塗りつぶされている区間が各光ビームを照射している期間である（図１４中の他の光ビームも同じ意味）。即ち、光ビームＡ１の照射によって信号“１”を、光ビームＡ２の照射によって信号“０”を第１端子７１に印加している。
【０１０４】
第３端子７５は信号入出力兼用端子であり、信号の入力と出力に用いられる。図１４に示した例では、時刻Ｔ１、Ｔ２において信号“１”，“０”を印加し、時刻Ｔ３，Ｔ４においては出力信号が表われ、その期待信号値はいずれも“１”である（“Ｈ”は出力期待値が“１”であることを示す）。続く時刻Ｔ５では信号“０”が印加され、時刻Ｔ６では再度出力信号が表われ、その期待値は“０”となる（“Ｌ”は出力期待値が“０”であることを示す）。これらの信号を印加、観測するために図１４に示すようなスケジュールで光ビームＢ１，Ｂ２、光ビームＣ１〜Ｃ５が照射される。即ち、時刻Ｔ１で信号“１”を印加するために光ビームＢ１が照射され、時刻Ｔ２及び時刻Ｔ５で信号“０”を印加するために光ビームＢ２が照射される。時刻Ｔ３，Ｔ４での期待値信号値“１”との判定においては、光ビームＣ１，Ｃ４を照射し、光ビームＣ２，Ｃ３を無照射としている。そして判定タイミングにおいて光ビームＣ５を照射し、第３端子７５における信号値と期待値“１”との一致を判定している。又時刻Ｔ６での期待値信号値“０”に対する判定では光ビームＣ２，Ｃ３を照射すると共に、光ビームＣ１，Ｃ４を無照射としている。そして判定タイミングにおいて光ビームＣ５を照射し、第３端子７５における出力信号値と期待値“０”との一致を判定している。尚、これに先立ち、記憶ブロック４２_2を初期化するために時刻Ｔ０に光ビームＣ６を照射している。
【０１０５】
第２端子７３は出力端子であり、出力信号のみが表われる。“Ｈ”と“Ｌ”の意味は第３端子７５の場合と同じであり、それぞれ期待信号値が“１”、“０”であることを示す。更に、“Ｘ”は期待信号値が不定、或いは判定の必要が無いことを意味し、“Ｚ”は期待信号値が“Ｚ”であることを意味する。時刻Ｔ１，Ｔ２では第２端子７３の信号値の判定の必要が無いために光ビームＤ１〜Ｄ５は照射されない。時刻Ｔ３，Ｔ６においては期待信号値が“１”であるために光ビームＤ１とＤ４が照射され、光ビームＤ２とＤ３は無照射である。そして、判定タイミングにおいて光ビームＤ５が照射されて第２端子７３における出力信号値と期待信号値“１”との比較が行われ、一致が判定される。時刻Ｔ４では期待信号値が“０”であるため、光ビームＤ２とＤ３が照射され、光ビームＤ１とＤ４は照射されない。そして、判定タイミングにおいて光ビームＤ５が照射されて第２端子７３における出力信号値と期待信号値“０”との比較が行われ、一致が判定される。時刻Ｔ５では第２端子７３の出力信号値が“Ｚ”であるか否かを判定している。そのために先ず光ビームＤ１とＤ３を照射し、光ビームＤ２とＤ４とを無照射としている。そして第１の判定タイミングにおいて光ビームＤ５を照射している。更に、光ビームＤ１とＤ３の照射を停止すると共に、光ビームＤ２とＤ４の照射を開始している。そして第２の判定タイミングにおいて光ビームＤ５を照射している。これにより第２端子７３の出力信号値がそれぞれの判定タイミングで“Ｚ”であれは判定値として一致が得られる。尚、これらに先立ち記憶ブロック４２_1の初期化のために光ビームＤ６を時刻Ｔ０において照射している。最終的にＬＳＩ１２０の出力信号値が期待信号値と一致したか否かを判断するために時刻Ｔ７以降に光ビームＣ７及びＤ７を照射している。もし、不一致が存在した場合、光ビームＣ７及びＤ７の照射時にのみ電源電流値が上昇することが観察されるために、不図示の電源電流観測装置によって、その増加を検知することでＬＳＩ１２０の出力信号値と期待信号値との比較結果が判明し、即ち、ＬＳＩ１２０の検査結果が得られることとなる。
【０１０６】
尚、本発明は上記実施形態の説明に限定されるものでなく、その要旨の範囲内において種々変更が可能である。例えば、上記実施形態は各検査回路がＬＳＩの各端子に接続された例で説明したが、必要に応じて内部回路部の特定のノードに接続するようにしてもよい。特に、ＬＳＩの開発時の各種評価等に際して、予めこのような検査回路が組み込まれていれば、内部回路の詳細な評価が可能になるという効果がある。又、必ずしも全ての信号端子に検査回路接続する必要は無く、各信号端子で入力或いは出力される信号の特性に応じて選択的に接続してもよい。
【０１０７】
【発明の効果】
以上説明したとおり、本発明によれば、ウエハ状態のＬＳＩの電気的特性を、信号用電極に非接触で検査することができる。このため、電源供給用のプローブさえ準備すればよく、プローブの作成が容易になると共に、プローブの機械的接触によるＬＳＩの破壊の虞も低減できる、という効果が得られる。
【０１０８】
又、検査における信号の印加や観測にプローブとして光ビームを用いることで、プローブサイズの微細化やプローブ位置精度の高精度化が可能となり、より高密度なＬＳＩの検査が実施できる、という効果も得られる。
【０１０９】
更に、光ビームを用いて電気信号を印加、観測するので、インダクタンス等の影響を受けず高速に電気信号の印加、観測が可能となり、より高い周波数を用いたＬＳＩの検査を容易に実施できる、という効果も得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の検査回路及びこの検査回路を内蔵するＬＳＩの第１の実施形態を説明するための図で、（ａ）はＬＳＩの模式的な概略平面図、（ｂ）はこのＬＳＩに内蔵される第１の検査回路の構成を示すブロック図である。
【図２】第１の検査回路によるＬＳＩへの信号入力方法を説明する図である。
【図３】第１の検査回路の具体例を示す回路図である。
【図４】第１の検査回路の変形例を説明するための図で、（ａ）及び（ｂ）はそれぞれブロック図と、一例の具体的な回路図である。
【図５】本発明の第２の実施形態を説明するための図で、（ａ）はＬＳＩの模式的な概略平面図、（ｂ）はこのＬＳＩに内蔵される第２の検査回路の構成を示すブロック図である。
【図６】第２の検査回路の一具体例を説明するための図で、（ａ）は全体回路図、（ｂ）及び（ｃ）はゲート部の詳細回路の例である。
【図７】第２の検査回路の変形例を説明するための図で、（ａ）及び（ｂ）はそれぞれブロック図と、一例の具体的な回路図である。
【図８】本発明の第３の実施形態の第３の検査回路説明するための図で、（ａ）は全体構成を示すブロック図、（ｂ）は（ａ）の記憶回路の構成を示す回路図である。
【図９】他の具体例の記憶ブロックの回路図である。
【図１０】本発明の第４の実施形態の第４の検査回路を説明するための図で、（ａ）は全体構成を示すブロック図、（ｂ）は（ａ）の電流変調回路の構成の一具体例を示す回路図である。
【図１１】他の具体例の電流変調回路の回路図である。
【図１２】第１端子，第２端子，並びに信号入力用電極及び信号出力用電極を兼ねた第３端子を全て備えたＬＳＩの模式的なブロック図である。
【図１３】図１２のＬＳＩの検査方法の一例を説明するフローチャートである。
【図１４】図１２に示したＬＳＩを検査するためのテスト信号（入力信号、出力期待値信号）の一例をタイミングチャート風に表した図である。
【符号の説明】
１ 第１受光部
２ 第２受光部
３ “１”信号供給部
４，１３ 出力制御部
５ “０”信号供給部
６，７１ 第１端子
７ 第１光応答手段
８ 第２光応答手段
１０ 第１の検査回路
１１，７３ 第２端子
１２ 第３受光部
１４ 第４受光部
１６ 第５受光部
１７ 制御部
１８ 第６受光部
１９，３５ 比較部
２０ ゲート部
２１ 第７受光部
２５ 比較判定部
３０ 第２の検査回路
３１ 第３光応答手段
３２ 第４光応答手段
３３ 第５光応答手段
３４ 第６光応答手段
３６ 第７光応答手段
４０ 第３の検査回路
４２ 記憶ブロック
４３ 記憶部
４５ 第８受光部
４７ ＩＮＶ
５０ 電流変調回路
５１ 第９受光部
５２ 電流制御部
５５ 第９光応答手段
６０ 第４の検査回路
７５ 第３端子
１００，１１０，１２０ ＬＳＩ
１０２，１１２，１２２ 内部回路部[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device (hereinafter referred to as an LSI) having an inspection circuit and an inspection method thereof, and more particularly, to input an electrical signal in a non-contact manner to an LSI fabricated on a wafer using a light beam. The present invention also relates to an LSI including an inspection circuit that detects an electrical signal of an LSI using a light beam in a non-contact manner and confirms that the LSI is operating as designed, and an inspection method thereof.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, in an inspection of an LSI manufactured on a wafer, an LSI is inspected by inputting an electrical signal, observing an electrical output signal corresponding to the input, and comparing it with an expected value. Therefore, in order to input an electrical signal to the LSI on the wafer or to observe the electrical signal, a probe formed on the needle is mechanically placed in a region called a pad provided on the wafer. An electrical connection is configured by pressing, an electrical signal is input to the LSI from the outside of the LSI, and an electrical output signal has been observed.
[0003]
By the way, as the miniaturization of LSI progresses and the circuit scale increases, the number of pads installed on the LSI increases, and the pad area is reduced and the pad density is increased. For this reason, there is an urgent need for a probe that electrically connects an LSI to the outside via a pad to be thinner and denser. However, it is very difficult to fabricate the probe to be thin and dense, and to accurately contact a predetermined pad position, which makes it difficult to manufacture the probe. Furthermore, in order to bring the probe into contact with the pad accurately, precise alignment is necessary, and operability is a problem.
[0004]
In addition, in order to make electrical connection with the LSI using the probe, it is necessary to bring the probe into mechanical contact with the LSI, which inevitably causes damage to the LSI and wear of the probe.
[0005]
Therefore, in Patent Document 1, an electrical signal is temporarily converted into an optical signal via a light emitting device in the inspection of the LSI, and the optical signal is electrically transmitted by transmitting the optical signal to an optical voltage conversion element provided in the LSI. By converting the signal again into a simple signal and transmitting it to the LSI, an electrical signal is applied in a non-contact state to the LSI without using a probe. In addition, in order to observe an electrical output signal, by irradiating an electron beam and observing the output signal by detecting the secondary electrons, the electrical signal is similarly observed in a non-contact state. ing.
[0006]
In Patent Document 2, in order to input an electrical signal to the LSI in the LSI inspection, the electrical signal is once converted into an optical signal using a light emitting diode, and a photoelectric conversion element (CCD) provided on the LSI. ) Is again changed to an electric signal and input to the LSI, thereby applying the electric signal to the LSI in a non-contact manner. On the other hand, as for the output signal of the LSI, the electrical signal is observed as in the conventional case by contacting the probe through the pad provided on the LSI.
[0007]
In Patent Document 3, photoelectric inspection means such as a photodiode or a phototransistor is provided in the LSI for the inspection of the LSI, an optical signal from the outside is converted into an electric signal and transmitted to the LSI, or vice versa. The structure is such that an electrical signal is converted into an optical signal and transmitted to the outside. And, by exchanging electrical signals between the LSI and the tester without using a probe by using light, it is difficult to make probes, damage the circuit, or wear the probe due to the use of the probe. It deals with such problems.
[0008]
[Patent Document 1]
Japanese Patent Laid-Open No. 4-139846 (FIGS. 1-3, p. 2)
[Patent Document 2]
JP-A-4-5582 (FIG. 1, p. 3)
[Patent Document 3]
JP-A 64-81244 (FIG. 1, p. 3)
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
However, the method of Patent Document 1 only shows that an optical voltage conversion element is used to convert an optical signal into an electrical signal, and no specific method or apparatus is disclosed. In order to observe an electrical signal using an electron beam, it is necessary to hold the LSI to be observed in a vacuum, and there are problems in operability, time required for observation, observation accuracy, and the like.
[0010]
Further, in the method of Patent Document 2, it is described that an optical / electrical conversion element (CCD) is used to convert an optical signal into an electrical signal. However, since a specific circuit configuration is not described, it is a reality. It is unclear whether an electrical signal can be input to the LSI. Furthermore, mechanical contact using pads and probes is used for observing LSI output signals, making probe fabrication more difficult due to miniaturization and higher density of pads due to higher density of pads, and mechanical contact. It does not solve any problems with respect to circuit breakage or probe wear due to the above.
[0011]
Furthermore, in the method of Patent Document 3, there is a description that photoelectric conversion means is provided and an electrical signal is input to the LSI via light or an output of the electrical signal is observed. It is not yet known.
[0012]
As described above, in the prior art, regarding signal input, an optical signal is converted into an electrical signal using a photoelectric conversion element (means) and input to an LSI. However, there are specific circuits and methods. It is not specified, and it is unclear whether an electric signal can actually be input to an LSI using an optical signal. For example, it is not disclosed which device is used and in which method “1” (high level), “0” (low level), and “Z” (high impedance) are input to the LSI.
[0013]
Also, regarding the observation of the output signal, it is said that the LSI electrical signal is converted into an optical signal by using a photoelectric conversion element (means), and the optical signal is observed to perform the non-contact observation of the LSI electrical signal. However, specific circuits and devices are not shown, and it is unclear whether this can be realized in practice. For example, it is not disclosed how to detect “1”, “0”, “Z” in an electrical signal using an optical signal.
[0014]
An object of the present invention is to provide an inspection circuit capable of inputting electrical signals of “0”, “1”, and “Z” to an LSI in a non-contact manner using an optical signal in the inspection of the LSI. Another object of the present invention is to provide a method for inputting “0”, “1”, and “Z” signals in a non-contact manner to an LSI using this inspection circuit.
[0015]
Another object of the present invention is to provide an inspection circuit capable of observing an electrical signal of “0”, “1”, “Z” of an LSI in a non-contact manner using an optical signal in the inspection of the LSI. Furthermore, another object of the present invention is to provide a method for observing each signal of “0”, “1”, and “Z” in a non-contact manner with the LSI using this inspection circuit.
[0016]
[Means for Solving the Problems]
Therefore, the first inspection circuit according to the present invention is irradiated with the first light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size, and detects the presence or absence of the irradiation,
A second light receiving unit that is irradiated with a second light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size and detects the presence or absence of the irradiation;
A “1” signal supply unit for supplying a “1” signal;
A “0” signal supply unit for supplying a “0” signal;
An output control unit that outputs a signal from a “1” signal supply unit or a “0” signal supply unit as a first signal depending on whether or not each light beam is irradiated in the first light receiving unit and the second light receiving unit. The first signal is applied to the signal input electrode.
[0017]
Alternatively, the first inspection circuit includes a “1” signal supply unit that supplies a “1” signal, a “0” signal supply unit that supplies a “0” signal,
Connected between the first node connected to the signal input electrode and the “1” signal supply unit, and when a first light beam having a predetermined wavelength, intensity and size is irradiated, “1” A first optical response means for transmitting a signal to the first node;
Connected between the first node and the “0” signal supply unit, and when a second light beam having a predetermined wavelength, intensity and size is irradiated, a “0” signal is transmitted to the first node. It is also possible to adopt a configuration having second optical response means to be transmitted.
[0018]
The second inspection circuit of the present invention is
A comparison / determination unit having a function of comparing a signal value output from the signal output electrode with a predetermined signal value and outputting a comparison result as a determination value according to a combination of presence / absence of irradiation with a plurality of different light beams; Features.
[0019]
The third inspection circuit of the present invention is
A comparison / determination unit having a function of comparing a signal value output from the signal output electrode with a predetermined signal value and outputting a comparison result as a determination value by a combination of the presence or absence of irradiation with a plurality of different light beams;
An eighth light receiving unit that is irradiated with an eighth light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size and detects the presence or absence of the irradiation;
A storage unit that is initialized by irradiation of the light beam to the eighth light receiving unit, stores an input signal value after initialization, and outputs it as a final determination value;
The determination value may be input to the storage unit.
[0020]
The fourth inspection circuit of the present invention is
A comparison / determination unit having a function of comparing a signal value output from the signal output electrode with a predetermined signal value and outputting a comparison result as a determination value by a combination of the presence or absence of irradiation with a plurality of different light beams;
An eighth light receiving unit that is irradiated with an eighth light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size and detects the presence or absence of the irradiation;
A storage state is initialized by irradiation of the light beam to the eighth light receiving unit, an input signal value after initialization is stored and output as a final determination value;
A ninth light receiving unit that is irradiated with a ninth light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size and detects the presence or absence of the irradiation;
A current control unit having a function of increasing a power supply current by the presence or absence of irradiation of the light beam to the ninth light receiving unit and the final determination value;
The determination value may be input to the storage unit.
[0021]
Alternatively, the fourth inspection circuit is
A comparison / determination unit having a function of comparing a signal value output from the signal output electrode with a predetermined signal value and outputting a comparison result as a determination value by a combination of the presence or absence of irradiation with a plurality of different light beams;
An eighth light receiving unit that is irradiated with an eighth light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size and detects the presence or absence of the irradiation;
A storage state is initialized by irradiation of the light beam to the eighth light receiving unit, an input signal value after initialization is stored, and a storage unit that outputs from the second output terminal as a final determination value;
A ninth optical response means connected between the second output terminal and a predetermined power source and conducting when a ninth light beam having a predetermined wavelength, intensity and size is irradiated;
The determination value may be input to the storage unit.
[0022]
In the second to fourth inspection circuits, the comparison / determination unit includes:
A third light receiving unit that is irradiated with a third light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size and detects the presence or absence of the irradiation;
A fourth light receiving unit that is irradiated with a fourth light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size and detects the presence or absence of the irradiation;
A “1” signal supply unit for supplying a “1” signal;
A “0” signal supply unit for supplying a “0” signal;
A second output that outputs a signal from the “1” signal supply unit or the “0” signal supply unit as a second signal depending on whether or not each light beam is irradiated in the third light receiving unit and the fourth light receiving unit. A control unit;
A fifth light receiving unit that is irradiated with a fifth light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size and detects the irradiation;
A sixth light receiving unit that is irradiated with a sixth light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size and detects the irradiation;
A control unit that outputs, as a third signal, a signal value determined from whether or not each light beam is irradiated to the fifth light receiving unit and the sixth light receiving unit, and a signal value of the signal output electrode;
The second signal and the third signal are inputted, the signal value of the second signal is compared with the signal value of the third signal, the coincidence or mismatch is judged, and the result is outputted as the fourth signal A comparison unit;
A seventh light receiving unit that is irradiated with a seventh light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size and detects the irradiation;
And a gate portion that outputs the fourth signal as a determination value by irradiation of the seventh light beam in the seventh light receiving portion.
[0023]
Alternatively, the comparison determination unit
A “1” signal supply unit for supplying a “1” signal;
A “0” signal supply unit for supplying a “0” signal;
Connected between a predetermined second node and the “1” signal supply unit, and when a third light beam having a predetermined wavelength, intensity and size is irradiated, a “1” signal is transmitted to the second node. A third optical response means transmitted to
Connected between the second node and the “0” signal supply unit, and when a fourth light beam having a predetermined wavelength, intensity and size is irradiated, a “0” signal is transmitted to the second node. A fourth optical response means to be transmitted;
When a fifth light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size is irradiated between the third node connected to the signal output electrode and the “1” signal supply unit, “1” A fifth optical response means for transmitting a signal to the third node;
Connected between the third node and the “0” signal supply unit, and when a sixth light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size is irradiated, a “0” signal is transmitted to the third node. Transmitted sixth optical response means;
One of the two comparison input terminals is connected to the second node and the other is connected to the third node, respectively. The second signal input from the second node and the third signal input from the third node A comparator that compares the signal values, determines the match and mismatch, and outputs the result as a fourth signal from the first output end;
The fourth signal is transmitted to the fourth node when a seventh light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size is irradiated between the first output terminal and the fourth node. It is good also as a structure which has a 7th optical response means output as a determination value.
[0024]
The LSI inspection method of the present invention includes a first inspection circuit that applies a desired signal and a second inspection circuit that has a function of comparing an output signal with an expected value based on a combination of the presence or absence of irradiation of a plurality of light beams. An LSI inspection method comprising:
Irradiating a light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size to a light receiving unit at a predetermined location of the second inspection circuit to perform initialization (step 101 and step 102 in FIG. 13);
A step of irradiating a light receiving unit at a predetermined location of the first inspection circuit with a light beam having a predetermined wavelength, intensity and size according to a predetermined schedule and inputting a test signal to the LSI (FIG. 13 step 103, step 104),
A light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size is irradiated on a light receiving unit at a predetermined location of the second inspection circuit according to a predetermined schedule, and the output signal of the LSI is compared with an expected value. And a step of outputting the comparison result as a determination value (step 105 and step 106 in FIG. 13).
[0025]
In addition, the LSI inspection method of the present invention irradiates a light receiving unit at a predetermined location of the second inspection circuit with a predetermined schedule, a light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size. It may be configured to further include a step (Step 107 and Step 108 in FIG. 13) of knowing the inspection result of the LSI as a change in the power supply current value.
[0026]
In the present invention, an electrical signal is applied to the LSI to be inspected according to the presence or absence of irradiation of two light beams respectively corresponding to the two light receiving portions. For this reason, it is possible to apply an electrical signal without mechanically contacting the LSI to be inspected. In the present invention, the signal value of the LSI to be inspected is compared with the expected value depending on whether or not the five light beams respectively corresponding to the five light receiving portions are irradiated. For this reason, it is possible to observe an electrical signal without mechanically contacting the LSI to be inspected.
[0027]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Next, the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description, the same components are denoted by the same reference numerals, and repeated description is omitted.
1A and 1B are diagrams for explaining a first embodiment of an inspection circuit of the present invention and an LSI incorporating the inspection circuit. FIG. 1A is a schematic schematic plan view of the LSI, and FIG. It is a block diagram which shows the structure of the 1st test | inspection circuit built in. Referring to FIG. 1, the first inspection circuit 10 built in the LSI 100 of the present embodiment has a first light receiving unit 1 that receives the first light beam and determines the presence or absence of light reception, and is connected to the output control unit 4. Has been. Similarly, there is a second light receiving unit 2 that receives the second light beam and determines the presence or absence of light reception, and is connected to the output control unit 4. The types of signals input to the first terminal 6 which is a signal input electrode of the LSI 100 are normally “1” (high level), “0” (low level), and “Z” (high impedance). The “1” signal supply unit 3 that supplies the “1” signal and the “0” signal supply unit 5 that supplies the “0” signal are both connected to the output control unit 4. The output control unit 4 generates “1”, “0”, and “Z” signals according to the presence / absence of light reception in the first light receiving unit 1 and the second light receiving unit 2 and outputs them as first signals. Apply to. The first terminal 6 is connected to a predetermined element (not shown) of the internal circuit unit 102 of the LSI 100.
[0028]
Next, the operation of the first inspection circuit 10 will be described. It is assumed that predetermined power is supplied from the outside to a predetermined power terminal of the LSI 100 by a normal probe or the like (not shown). When the first light beam is irradiated on the first light receiving unit 1, the first light receiving unit 1 senses this and transmits the presence / absence of light reception to the output control unit 4. Similarly, when the second light beam is irradiated onto the second light receiving unit 2, the second light receiving unit 2 senses this and transmits the presence / absence of light reception to the output control unit 4. In LSI, a signal is distinguished by a normal voltage value. When the signal value is equal to or close to the power supply voltage, the signal value is “1”. When the signal value is equal to or close to the ground potential, the signal value is “ 0 ”. Further, the signal value when the voltage value is indefinite and electrically connected to other terminals with a very high resistance value or in the “floating” state is “Z”. The “1” signal supply unit 3 is a means for supplying a “1” (high level) signal, but is usually used as a power supply (hereinafter referred to as VDD, and the power supply terminal and the power supply voltage are also similarly distinguished as VDD. The “1” signal is supplied to the output control unit 4. The “0” signal supply unit 5 is normally grounded (hereinafter referred to as “GND”, and the ground terminal and the ground potential are also used without distinction as “GND”), and the “0” (low level) signal is output control unit. 4 is supplied. In the output control unit 4, when the first light receiving unit 1 is irradiated with the light beam, the first light receiving unit 1 is notified that the light beam has been detected, and is thereby supplied from the “1” signal supply unit 3. The 1 ″ signal is output as the first signal and applied to the first terminal 6. On the other hand, when the second light receiving unit 2 is irradiated with the light beam, the second light receiving unit 2 is notified that the light beam has been sensed, and thereby the “0” signal from the “0” signal supply unit is used as the first signal. Output and apply to the first terminal 6. When neither the first light receiving unit 1 nor the second light receiving unit 2 is irradiated with the light beam, the output control unit 4 outputs the “Z” signal as the first signal and applies it to the first terminal 6. In the conventional method, a pad (not shown) electrically connected to the first terminal 6 is provided, or the first terminal 6 itself is a pad, and the probe is mechanically brought into contact with the pad to thereby electrically A signal was input to the LSI 100. In the present embodiment, a first inspection circuit 10 is provided in place of the probe, an electric signal (= first signal) is applied to the first terminal 6, and is transmitted as an input signal of the LSI 100 to the internal circuit unit 102 of the LSI 100. Yes. Note that it is prohibited to simultaneously irradiate the first light receiving unit 1 and the second light receiving unit 2 with the light beam.
[0029]
Further, in the following description, each light beam applied to each light receiving unit must have an intensity and a wavelength that can detect the presence or absence of irradiation in each light receiving unit. This is because the light receiving section usually has sensitivity characteristics with respect to the wavelength of the light beam and sensitivity characteristics with respect to intensity. Furthermore, since each light beam irradiates the inspection circuit from the outside, it is necessary to transmit the substance on the upper layer of each light receiving part formed on the LSI to reach the light receiving part, and select the wavelength and intensity. Therefore, it is necessary to make the size of the light beam sufficiently thin so that irradiation / non-irradiation of the light beam can be detected by the light receiving portion and interference between adjacent light receiving portions is avoided.
[0030]
FIG. 2 is a diagram for explaining a signal input method to the LSI 100 by the first inspection circuit 10. When it is desired to apply the signal “1” to the first terminal 6 of the LSI 100, the first light receiving unit 1 is irradiated with the first light beam, and the second light receiving unit 2 is not irradiated with the light beam. When it is desired to apply the signal “0” to the first terminal 6, the second light beam is irradiated to the second light receiving unit 2 and the light beam is not irradiated to the first light receiving unit 1. When it is desired to apply the “Z” signal to the first terminal 6, neither the first light receiving unit 1 nor the second light receiving unit 2 is irradiated with the light beam. It is prohibited to simultaneously irradiate both the first light receiving unit 1 and the second light receiving unit 2 with the light beam.
[0031]
Next, a specific example of the first inspection circuit 10 will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 3 is a circuit diagram showing a specific example of the first inspection circuit 10. In this example, the first light receiving unit 1 includes a first resistor (hereinafter, j is represented as Rj when j is an integer) and a first photodiode (hereinafter, j) between VDD and GND. (where j is an integer, the jth photodiode is represented as PDj), R1 is connected between VDD and the cathode of PD1, the anode of PD1 is connected to GND, and the cathode of PD1 A common connection point with one end of R 1 is connected to one input end of the output control unit 4. The second light receiving unit 2 includes R2 and PD2 between VDD and GND, the cathode of PD1 is connected to VDD, R2 is connected between the anode of PD1 and GND, and the anode of PD2 A common connection point with one end of R 2 is connected to the other input end of the output control unit 4. The output control unit 4 includes a source of a first p-channel field effect transistor between VDD and GND (hereinafter, when j is an integer, the j-th p-channel field effect transistor is represented as PMj). A drain path and a source / drain path of a first n-channel field effect transistor (hereinafter, j is an integer representing NMj when j is an integer) are connected in series in this order. Connected, PM1 gate electrode becomes one input terminal, NM1 gate electrode becomes the other input terminal, and node N11, which is the common connection point between the source / drain path of PM1 and the source / drain path of NM1, outputs control. The first signal is output from the node N11 as an output terminal of the unit 4. In other words, the common connection point between the cathode of PD1 and one end of R1 is connected to the gate electrode of PM1, the common connection point between the anode of PD2 and one end of R2 is connected to the gate electrode of NM1, and node N11 is the first. Connected to the terminal 6, the first signal is applied to the first terminal 6.
[0032]
In this configuration, when neither PD1 nor PD2 is irradiated with a light beam, both PD1 and PD2 are in the OFF state, VDD is applied to the gate electrode of PM1, and GND is applied to the gate electrode of NM1. Therefore, both PM1 and NM1 are non-conductive, the node N11 is in a floating state, and the “Z” signal is applied to the first terminal 6. When PD1 is irradiated with the first light beam A, PD1 is turned on, the potential of the gate electrode of PM1 is lowered, and PM1 becomes conductive. At this time, since the PD2 is not irradiated with the light beam, NM1 remains non-conductive, the potential of the node N11 becomes substantially equal to VDD, and "1" is applied to the first terminal 6. Conversely, when PD2 is irradiated with the second light beam B, PD2 is turned on, the potential of the gate electrode of NM1 rises, and NM1 becomes conductive. At this time, since the PD1 is not irradiated with the light beam, PM1 remains nonconductive, the potential of the node N11 becomes substantially equal to GND, and “0” is applied to the first terminal 6.
[0033]
When PD1 and PD2 are simultaneously irradiated with the first light beam A and the second light beam B, respectively, PM1 and NM1 become conductive at the same time, and a large current flows between VDD and GND. Simultaneous irradiation with a light beam is prohibited.
[0034]
Next, a modified example of the first inspection circuit 10 will be described. FIG. 4 is a diagram for explaining a modified example of the first inspection circuit, and (a) and (b) are a block diagram and a specific circuit diagram of an example, respectively. Referring to FIG. 4, the modified first test circuit 10 a includes a “1” signal supply unit 3, a “0” signal supply unit 5,
Connected between the first node N1 and the “1” signal supply unit 3, and when a first light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size is irradiated, a “1” signal is applied to the first node N1. Transmitted first optical response means 7;
Connected between the first node N1 and the “0” signal supply unit 5, and when a second light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size is irradiated, a “0” signal is applied to the first node N1. Second optical response means 8 to be transmitted, and the first node N 1 is connected to the first terminal 6.
[0035]
More specifically, PD1a as the first light response means 7 and PD2a as the second light response means 8 are provided, and the anode and cathode of PD1a are connected to the first node N1 and VDD, respectively, and the anode of PD2a And the cathode are respectively connected to the GND and the first node N1, and the first node N1 is connected to the first terminal 6.
[0036]
The operation of this modification will be described. When neither PD1a nor PD2a is irradiated with a light beam, both PD1a and PD2a are in the OFF state, the first node N1 is in a floating state, and the “Z” signal is applied to the first terminal 6. Is done. When only the first light beam A is irradiated and the PD1a is irradiated with the first light beam A, the PD1a is turned on and the PD2a remains in the off state, so that the potential of the first node N1 becomes substantially equal to VDD. The “1” signal is input to the first terminal 6. Further, when only the second light beam B is irradiated and the PD2a is irradiated with the second light beam B, the PD2a is turned on and the PD1a remains in the off state, so that the potential of the first node N1 is almost GND. Thus, the “0” signal is applied to the first terminal 6. Also in the modified example, when the first light beam A and the second light beam B are simultaneously irradiated, PD1a and PD2a are simultaneously turned on, and a large current flows between VDD and GND. Simultaneous irradiation with the beam B is prohibited.
[0037]
Next, a second embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. 5A and 5B are diagrams for explaining a second embodiment of the present invention. FIG. 5A is a schematic schematic plan view of an LSI, and FIG. 5B is a configuration of a second inspection circuit built in the LSI. FIG. Referring to FIG. 5, the second inspection circuit 30 built in the LSI 110 of this embodiment includes only the comparison / determination unit 25, and the comparison / determination unit 25 includes the “1” signal supply unit 3 and the “0” signal. Supply unit 5, third light receiving unit 12, output control unit 13, fourth light receiving unit 14, fifth light receiving unit 16, control unit 17, sixth light receiving unit 18, comparison unit 19, and gate Unit 20 and a seventh light receiving unit 21. The third light receiving unit 12 is connected to the output control unit 13, senses the irradiation of the light beam to the third light receiving unit 12, and notifies the output control unit 13 of the presence or absence of light reception. The fourth light receiving unit 14 is connected to the output control unit 13, senses the irradiation of the light beam on the fourth light receiving unit 14, and notifies the output control unit 13 of the presence or absence of light reception.
[0038]
The output control unit 13 generates various signals “1”, “0”, and “Z” according to the presence or absence of light beam irradiation in the third light receiving unit 12 and the fourth light receiving unit 14, and includes two input terminals. The unit 19 has a function of outputting to one input end. Specifically, when only the third light receiving unit 12 is irradiated with the light beam, the signal “1” from the “1” signal supply unit 3 is output, and only the fourth light receiving unit 14 is irradiated with the light beam. If so, the signal value “0” from the “0” signal supply unit 5 is output.
[0039]
The fifth light receiving unit 16 is connected to the control unit 17, senses the irradiation of the light beam to the fifth light receiving unit 16, and notifies the control unit 17 of the presence or absence of irradiation. The sixth light receiving unit 18 is connected to the control unit 17, senses irradiation of the light beam to the sixth light receiving unit 18, and notifies the control unit 17 of the presence or absence of irradiation.
[0040]
A “1” signal supply unit 3 and a “0” signal supply unit 5 are connected to the control unit 17, and a signal “1” and a signal “0” are supplied from each. The control unit 17 outputs a signal “1”, a signal “0”, and a signal “Z” based on information on the presence / absence of irradiation from the fifth light receiving unit 16 and the sixth light receiving unit 18, and an output terminal to the node N 12. A function of determining the signal value of the node N12 based on the signal value output to the second terminal 11 that is connected and whether or not the fifth light receiving unit 16 and the sixth light receiving unit 18 are irradiated with the light beam and the signal output electrode. Have. Specifically, when only the fifth light receiving unit 16 is irradiated with the light beam and the signal value “0” is output from the internal circuit unit 112 of the LSI 110 to the second terminal 11, the signal value “0” is used as it is. When the signal value “1” or the signal value “Z” is output to the second terminal 11 as the signal value of the node N12, the signal value “1” from the “1” signal supply unit 3 is used as the signal of the node N12. Has the function of value. Further, when the light beam is applied only to the sixth light receiving unit 18 and the signal value “1” is output from the internal circuit unit 112 of the LSI 110 to the second terminal 11, the signal value of the node N 12 is set to “1”. When the signal value “0” or the signal value “Z” is output to the second terminal 11, the signal value “0” from the “0” signal supply unit 5 is used as the signal value of the node N 12. Have. The second terminal 11 is connected to the node N12 and to a predetermined element (not shown) of the internal circuit unit 112 of the LSI 110. The second terminal 11 corresponds to a pad or an LSI terminal connected to the pad in the case of a conventional LSI inspection method.
[0041]
The other input terminal of the comparison unit 19 is connected to the node N12, and the signal value of the node N12 is transmitted. The comparison unit 19 compares the signal value output from the output control unit 13 with the signal value from the node N12, determines whether they are the same or different, and transmits the result to the gate unit 17. Specifically, the signal value output from the output control unit 13 is compared with the signal value from the node N12, and if both are the same value (signal values “1” or signal values “0”). A signal value “0” indicating coincidence is output, and if they are different values (signal value “0” and signal value “1”), a signal value “1” indicating mismatch is output.
[0042]
The seventh light receiving unit 21 is connected to the gate unit 17 and transmits to the gate unit 17 whether or not the seventh light receiving unit 21 is irradiated with the light beam. The gate unit 17 outputs the signal from the comparison unit 19 as a determination value when the seventh light receiving unit 21 is irradiated with the light beam, and the signal value “when the light beam is not irradiated on the seventh light receiving unit 21. It has a function of outputting 0 ″ as a judgment value.
[0043]
In the second inspection circuit 30, it is prohibited to simultaneously irradiate the third light receiving unit 12 and the fourth light receiving unit 14 with the light beam.
[0044]
Next, the operation of the second inspection circuit 30 will be described.
First, an operation for determining whether or not the signal value “1” is output to the second terminal 11 connected to the internal circuit unit 112 of the LSI 110 will be described. By irradiating the third light receiving unit 12 with the light beam and not irradiating the fourth light receiving unit 14, the signal value “1” is output from the output control unit 13, and the signal value “1” is output to one input terminal of the comparison unit 19. "Is entered. If the signal value “1” is output to the second terminal 11 by the function of the control unit 17 by irradiating the sixth light receiving unit 18 with the light beam and not irradiating the fifth light receiving unit 16, the signal value of the node N 12 Becomes “1”, and the signal value “1” is input to the other input terminal of the comparator 19. On the other hand, when the signal value “0” or the signal value “Z” is output to the second terminal 11, the signal value of the node N 12 becomes “0” by the function of the control unit 17, and the other input terminal of the comparison unit 19 is connected. A signal value “0” is input.
[0045]
As a result, when the signal value “1” is output to the second terminal 11 by irradiating the seventh light receiving unit 21 with the light beam at the timing of determining the signal value of the second terminal 11, the signal value indicating coincidence. “0” is output as the determination value. Otherwise, a signal value “1” indicating a mismatch is output as the determination value.
[0046]
Next, an operation for determining whether or not the signal value “0” is output to the second terminal 11 will be described. By irradiating the fourth light receiving unit 14 with a light beam and not irradiating the third light receiving unit 12, a signal value “0” is output from the output control unit 13, and a signal value “0” is output to one input terminal of the comparison unit 19. "Is entered. If the signal value “0” is output from the internal circuit unit 112 to the second terminal 11 by the function of the control unit 17 by irradiating the fifth light receiving unit 16 with the light beam and not irradiating the sixth light receiving unit 18. The signal value of the node N12 is “0”, and the signal value “0” is output to the other input terminal of the comparison unit 19. On the other hand, when the signal value “1” or the signal value “Z” is output from the internal circuit unit 112 to the second terminal 11, the signal value of the node N 12 becomes “1” by the function of the control unit 17. The signal value “1” is output to the other input terminal.
[0047]
As a result, if the signal value “0” is output from the LSI 110 to the second terminal 11 by irradiating the seventh light receiving unit 21 with the light beam at the timing of determining the signal value of the second terminal 11, the signal value “ “0” is output as the determination value; otherwise, the signal value “1” is output as the determination value.
[0048]
Next, an operation for determining whether or not the signal value “Z” is output from the internal circuit unit 112 to the second terminal 11 will be described. This operation is performed by dividing the determination operation into two times. First, by irradiating the third light receiving unit 12 with a light beam and not irradiating the fourth light receiving unit 14, a signal value “1” is output from the output control unit 13, and a signal value is output to one input terminal of the comparison unit 19. “1” is input. Whether the signal value output from the internal circuit unit 112 to the second terminal 11 is “Z” by the function of the control unit 17 by irradiating the fifth light receiving unit 16 with the light beam and not the sixth light receiving unit 18. If “1”, the signal value of the node N 12 is “1”, and the signal value “1” is input to the other input terminal of the comparison unit 19. On the other hand, when the signal value output from the internal circuit unit 112 to the second terminal 11 is “0”, the signal value of the node N 12 becomes “0” by the function of the control unit 17, and the other input of the comparison unit 19 A signal value “0” is input to the end. As a result, by irradiating the seventh light receiving unit 21 with the light beam at the first determination timing, the signal value output from the internal circuit unit 112 to the second terminal 11 is “1” or “Z”. For example, the signal value “0” indicating coincidence is output as the determination value. Otherwise, the signal value “1” indicating mismatch is output as the determination value.
[0049]
Subsequently, by irradiating the fourth light receiving unit 14 with a light beam and not irradiating the third light receiving unit 12, a signal value “0” is output from the output control unit 13, and a signal is output to one input terminal of the comparison unit 19. The value “0” is input. Whether the signal value output from the internal circuit unit 112 to the second terminal 11 is “Z” by the function of the control unit 17 by irradiating the sixth light receiving unit 18 with the light beam and not irradiating the fifth light receiving unit 16. If it is “0”, the signal value of the node N 12 is “0”, and the signal value “0” is input to the other input terminal of the comparison unit 19. On the other hand, if the signal value output from the internal circuit unit 112 to the second terminal 11 is “1”, the signal value of the node N 12 becomes “1” by the function of the control unit 17, and the other input of the comparison unit 19 A signal value “1” is input to the end. As a result, by irradiating the seventh light receiving unit 21 with the light beam at the second determination timing, the signal value output from the internal circuit unit 112 to the second terminal 11 is “0” or “Z”. For example, the signal value “0” indicating coincidence is output as the determination value. Otherwise, the signal value “1” indicating mismatch is output as the determination value.
[0050]
As described above, if the signal value “Z” is output from the internal circuit unit 112 to the second terminal 11 at the timing of determining the signal value of the second terminal 11, the determination value output from the gate unit 20 is It is always “0” indicating coincidence. However, when the signal value output from the internal circuit unit 112 to the second terminal 11 is “1” or “0”, a determination value “1” indicating a mismatch at any determination timing is output.
[0051]
When the signal value of the second terminal 11 is the signal value “X” (the signal value is “0” or “1” or undefined), or the signal value of the second terminal 11 does not need to be determined at the determination timing. By not irradiating the seventh light receiving unit 21 with the light beam at the determination timing, the determination value is always “0” indicating the coincidence, and does not affect the detection of the mismatch of the output signal values.
[0052]
In the second inspection circuit 30, it is prohibited to irradiate the third light receiving unit 12 and the fourth light receiving unit 14 with the light beam at the same time.
[0053]
Next, a specific example of the second inspection circuit 30 will be described with reference to the drawings.
6A and 6B are diagrams for explaining a specific example of the second inspection circuit 30. FIG. 6A is an overall circuit diagram, and FIGS. 6B and 6C are examples of detailed circuits of the gate unit 20. FIG. Referring to FIG. 6, in the comparison / determination unit 25 constituting the second inspection circuit 30 of this specific example, the third light receiving unit 12 includes R3 and PD3 between VDD and GND, R3 is connected to the cathode, the anode of PD3 is connected to GND, and a common connection point between the cathode of PD3 and one end of R3 is connected to one input end of the output control unit 13. The fourth light receiving unit 14 includes R4 and PD4 between VDD and GND, the cathode of PD4 is connected to VDD, R4 is connected between the anode of PD4 and GND, and the anode of PD4 A common connection point with one end of R4 is connected to the other input end of the output control unit 13. In the output control unit 13, the source / drain path of PM2 and the source / drain path of NM2 are connected in series in this order between VDD and GND, and the gate electrode of PM2 serves as one input terminal. The gate electrode serves as the other input terminal, and a node N13 that is a common connection point between the source / drain path of PM2 and the source / drain path of NM2 serves as the output terminal of the output control unit 13. In other words, the common connection point between the cathode of PD3 and one end of R3 is connected to the gate electrode of PM2, and the common connection point between the anode of PD4 and one end of R4 is connected to the gate electrode of NM2.
[0054]
The fifth light receiving section 16 includes R5 and PD5 between VDD and GND, R5 is connected between VDD and the cathode of PD5, the anode of PD5 is connected to GND, and the cathode of PD5 A common connection point with one end of R5 is connected to one input end of the control unit 17. The sixth light receiving unit 18 includes R6 and PD6 between VDD and GND, the cathode of PD6 is connected to VDD, R6 is connected between the anode of PD6 and GND, and the anode of PD6 A common connection point with one end of R6 is connected to the other input end of the control unit 17. In the control unit 17, the source / drain path of R7, PM3, the source / drain path of NM3, and R8 are connected in series in this order between VDD and GND, the gate electrode of PM3, and the gate electrode of NM3 , And the common connection point between the source / drain path of PM3 and the source / drain path of NM3 are one input terminal, the other input terminal, and the output terminal of the control unit 17, respectively, and this output terminal is connected to the node N12. Has been. More specifically, R7 is connected between VDD and one end of the source / drain path of PM3, and the other end of the source / drain path of PM3 is connected to one end of the source / drain path of NM3. R8 is connected between the other end of the source / drain path and GND, the common connection point between the cathode of PD5 and one end of R5 is connected to the gate electrode of PM3, and the common connection between the anode of PD6 and one end of R6 The point is connected to the gate electrode of NM3. As for the resistance value of R7, when the signal value “0” is output to the second terminal 11, the signal value of the node N12 holds “0” even if PM3 is turned on while NM3 is turned off. It is set to be possible. On the other hand, when the signal value “1” is output to the second terminal 11, the resistance value of R8 is “1” even if NM3 is turned on while PM3 is OFF. "Is set so that it can be retained.
[0055]
The comparison unit 19 is configured by an exclusive OR circuit (hereinafter referred to as XOR), and the XOR input terminal IN1 serving as one input terminal of the comparison unit 19 and the node N13 are connected, and the other input terminal of the comparison unit 19 is connected. The XOR input terminal IN2 and the node N12 are connected, and the XOR output terminal OUT of the comparison unit 19 is connected to the input terminal A of the gate unit 20. The gate unit 20 is not particularly limited, but can be configured by a 2-input AND circuit (hereinafter referred to as AND) as shown in FIG. 6B, for example. Specifically, one input terminal may be the input terminal A of the gate unit 20, the other input terminal may be the control input terminal C, and the AND output terminal may be the output terminal B of the gate unit 20. In the example of FIG. 6B, when the signal value “1” is input to the control input terminal C, the signal value input to the input terminal A is output to the output terminal B as it is, and is input to the control input terminal C. When the signal value “0” is input, the signal value “0” is always output from the output terminal B regardless of the signal value input to the input terminal A. The seventh light receiving unit 21 includes PD7 and R9 between VDD and GND, the cathode of PD7 is connected to VDD, R9 is connected between the anode of PD7 and GND, and the anode of PD7 and R9 are connected. A common connection point with one end is connected to the control input terminal C of the gate unit 20. With this configuration, the output terminal OUT of the XOR becomes the first output terminal of the comparison unit 19, and the fourth signal is output from the output terminal OUT. In the second inspection circuit 30, it is prohibited to irradiate the PD 3 and PD 4 with the light beam at the same time.
[0056]
Next, the operation of a specific example of the second inspection circuit 30 will be described.
First, an operation for determining whether or not the signal value “1” is output to the second terminal 11 connected to the internal circuit unit 112 of the LSI 110 will be described. Since only the PM2 is turned on by irradiating the PD3 with the light beam and not the PD4, the signal value at the node N13 is “1”, and the signal value “1” is input as the expected value to the input terminal IN1 of the XOR. The Only the NM3 is turned on by irradiating the PD6 with the light beam and not irradiating the PD5. However, if the signal value “1” is output from the internal circuit unit 112 to the second terminal 11, the above-described operation is performed between NM3 and GND. Thus, the signal value of the node N12 is “1”, the signal value “1” is input to the input terminal IN2 of the XOR, and the fourth output from the output terminal OUT of the XOR. A signal value “0” indicating coincidence is output as a signal. On the other hand, when the signal value “0” or the signal value “Z” is output to the second terminal 11, the signal value of the node N12 becomes “0” because NM3 is ON, and the signal is input to the input terminal IN2 of the XOR. A value “0” is input, and a signal value “1” indicating a mismatch is output as the fourth signal from the output terminal OUT of the XOR.
[0057]
As a result, the signal value “1” is applied to the control input terminal C of the gate unit 20 by irradiating the PD 7 with the light beam at the timing of determining the signal value of the second terminal 11, and the signal value “ If “1” is output, the signal value “0” indicating coincidence is output as the determination value. If not, the signal value “1” indicating disagreement is output as the determination value.
[0058]
Next, an operation for determining whether or not the signal value “0” is output to the second terminal 11 will be described. Since only the NM2 is turned on by irradiating the PD4 with the light beam and not the PD3, the signal value of the node N13 becomes “0”, and the signal value “0” is inputted as the expected value to the input terminal IN1 of the XOR. The By irradiating PD5 with a light beam and not irradiating PD6, only PM3 is turned on. However, if a signal value “0” is output from the internal circuit unit 112 to the second terminal 11, between VDD and PM3, Since R7 having a resistance value set as described above is connected, the signal value of the node N12 becomes “0”, the signal value “0” is input to the input terminal IN2 of the XOR, and the signal value “0” is input from the output terminal OUT of the XOR. A signal value “0” indicating coincidence is output as four signals. On the other hand, when the signal value “1” or the signal value “Z” is output to the second terminal 11, the signal value of the node N12 becomes “1” because PM3 is ON, and the signal is input to the input terminal IN2 of the XOR. A value “1” is input, and a signal value “1” indicating a mismatch is output as the fourth signal from the output terminal OUT of the XOR.
[0059]
As a result, the signal value “1” is applied to the control input terminal C of the gate unit 20 by irradiating the PD 7 with the light beam at the timing of determining the signal value of the second terminal 11, and the signal value “ If “0” is output, the signal value “0” indicating coincidence is output as the determination value. Otherwise, the signal value “1” indicating disagreement is output as the determination value.
[0060]
Next, an operation for determining whether or not the signal value “Z” is output from the internal circuit unit 112 to the second terminal 11 will be described. This operation is performed by dividing the determination operation into two times. First, by irradiating PD3 with a light beam and not irradiating PD4, only PM2 is turned on, so that the signal value at node N13 is "1", and the signal value "1" is input to the input terminal IN1 of XOR. . Also, only the PM 3 is turned on by irradiating the PD 5 with the light beam and not irradiating the PD 6, so if the signal value output from the internal circuit unit 112 to the second terminal 11 is “Z” or “1”. The signal value of the node N12 is “1”, the signal value “1” is input to the input terminal IN2 of the XOR, and the signal value “0” indicating coincidence is output as the fourth signal from the output terminal OUT of the XOR. On the other hand, when the signal value output from the internal circuit unit 112 to the second terminal 11 is “0”, only PM3 is ON, but since R7 is connected between VDD and PM3, the node N12 The signal value is “0”, the signal value “0” is input to the input terminal IN2 of the XOR, and the signal value “1” indicating mismatch is output as the fourth signal from the output terminal OUT of the XOR. As a result, by irradiating the PD 7 with the light beam at the first determination timing, the signal value output from the internal circuit unit 112 to the second terminal 11 is “1” or “Z”, indicating a match. The signal value “0” is output as the determination value. Otherwise, the signal value “1” indicating mismatch is output as the determination value.
[0061]
Subsequently, only the NM2 is turned on by irradiating the PD4 with the light beam and not the PD3, so that the signal value of the node N13 becomes “0”, and the signal value “0” is input to the input terminal IN1 of the XOR. The Further, only the NM3 is turned on by irradiating the PD 6 with the light beam and not irradiating the PD 5, so if the signal value output from the internal circuit unit 112 to the second terminal 11 is “Z” or “0”. The signal value of the node N12 becomes “0”, the signal value “0” is input to the input terminal IN2 of the XOR, and the signal value “0” indicating coincidence is output as the fourth signal from the output terminal OUT of the XOR. On the other hand, when the signal value output from the internal circuit unit 112 to the second terminal 11 is “1”, only NM3 is ON, but the node N12 is connected because R8 is connected between NM3 and GND. The signal value “1” is “1”, the signal value “1” is input to the input terminal IN2 of the XOR, and the signal value “1” indicating mismatch is output as the fourth signal from the output terminal OUT of the XOR. As a result, by irradiating the PD 7 with the light beam at the second determination timing, the signal value output from the internal circuit unit 112 to the second terminal 11 is “0” or “Z”, indicating a match. The signal value “0” is output as the determination value. Otherwise, the signal value “1” indicating mismatch is output as the determination value.
[0062]
As described above, also in the specific example of the second inspection circuit 30, the signal value “Z” is output from the internal circuit unit 112 to the second terminal 11 at the timing of determining the signal value of the second terminal 11. For example, the determination value output from the gate unit 20 is always “0” indicating coincidence. However, when the signal value output from the internal circuit unit 112 to the second terminal 11 is “1” or “0”, a determination value “1” indicating a mismatch at any determination timing is output.
[0063]
When the signal value of the second terminal 11 is the signal value “X” or when the determination of the signal value of the second terminal 11 is not required at the determination timing, the PD 7 is not irradiated with the light beam at the determination timing. The determination value is always “0” and does not affect the output signal value mismatch detection.
[0064]
Further, when PM2 and NM2 are simultaneously turned on, a large current flows between VDD and GND, so that it is prohibited to irradiate PD3 and PD4 with a light beam at the same time.
[0065]
Next, a modification of the second inspection circuit 30 will be described. FIG. 7 is a diagram for explaining a modification of the second inspection circuit. FIGS. 7A and 7B are a block diagram and an example of a specific circuit diagram, respectively. Referring to FIG. 7, the comparison / determination unit 25a constituting the second inspection circuit 30a of the modification example is
“1” signal supply unit 3, “0” signal supply unit 5,
Connected between the second node N2 and the “1” signal supply unit 3, and when a third light beam having a predetermined wavelength, intensity and size is irradiated, the “1” signal is applied to the second node N2. Transmitted third optical response means 31;
Connected between the second node N2 and the “0” signal supply unit 5, and when a fourth light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size is irradiated, the “0” signal is applied to the second node N2. Transmitted fourth optical response means 32;
Connected between the third node N3 connected to the second terminal 11 and the “1” signal supply unit 3, and when a fifth light beam having a predetermined wavelength, intensity and size is irradiated, “1” A fifth optical response means 33 in which the signal is transmitted to the third node N3;
Connected between the third node N3 and the “0” signal supply unit 5, and when a sixth light beam having a predetermined wavelength, intensity and size is irradiated, the “0” signal is applied to the third node N3. Transmitted sixth optical response means 34;
One of the two comparison input terminals, the input terminal IN1 is connected to the second node N2, and the other input terminal IN2 is connected to the third node N3. The second signal input from the second node N2 and the third signal A comparison unit 35 that compares the respective signal values of the third signal input from the node N3, determines the match or mismatch, and outputs the result as the fourth signal from the output terminal OUT that is the first output terminal;
The fourth signal is transmitted to the fourth node N4 when the seventh light beam is connected between the output terminal OUT and the fourth node N4 and is irradiated with a predetermined wavelength, intensity, and size. The seventh optical response means 36 that is output as
[0066]
More specifically, the second inspection circuit 30a includes the PD3a as the third optical response means 31, the PD4a as the fourth optical response means 32, PD5a and R5a as the fifth optical response means 33, PD 6a and R6a which are six light response means 34, XOR which is a comparison unit 35, and PD7a and R9a which are seventh light response means 36 are provided.
[0067]
The anode and cathode of PD3a are connected to the second node N2 and VDD, respectively, the anode and cathode of PD4a are connected to GND and the second node N2, respectively, and R5a is connected between VDD and the cathode of PD5a, The anode of PD5a and the cathode of PD6a are connected to the third node N3, R6a is connected between the anode of PD6a and GND, and the third node N3 is connected to the second terminal 11. Further, the input terminal IN1 and the input terminal IN2 of the XOR are connected to the second node N2 and the third node N3, respectively, and the output terminal OUT of the XOR which is the first output terminal of the comparison unit 35 is connected to the cathode of the PD7a. R9a is connected between this anode and GND, and a common connection point between the anode of PD7a and one end of R9a is connected to a fourth node N4 serving as an output terminal for the determination value. The resistance value of R5a is such that when the signal value "0" is output to the second terminal 11, the PD6a is not irradiated with the light beam but the PD5a is irradiated with the light beam, that is, the PD6a is OFF. Even if PD5a is turned on in this state, the signal value of the third node N3 is set to be able to hold “0”. On the other hand, the resistance value of R6a is reverse to the case where the PD5a is not irradiated with the light beam when the signal value "1" is output to the second terminal 11, that is, PD5a is irradiated. The signal value of the third node N3 is set to be able to hold “1” even when the PD 6a is turned on in the state where is turned off. In the above connection, the connection order of PD5a and R5a may be reversed between VDD and the third node N3. Similarly, the connection order of PD6a and R6a is reversed between the third node N3 and GND. May be. Also in the second inspection circuit 30a, it is prohibited to simultaneously irradiate the PD3a and PD4a with the light beam in order to prevent a large current from flowing between VDD and GND.
[0068]
Next, the operation of the second inspection circuit 30a of this modification will be described.
When PD3a is irradiated with a light beam and PD4a is not irradiated with a light beam, PD3a is turned on and PD4a is turned off, so that the signal value of the second node N2 is “1”, and the signal value “is” at the input terminal IN1 of XOR. 1 "is input. Conversely, when the PD4a is irradiated with the light beam and the PD3a is not irradiated with the light beam, the signal value of the second node N2 is “0”, and the signal value “0” is input to the input terminal IN1 of the XOR. .
[0069]
When the PD5a is irradiated with the light beam and the PD6a is not irradiated with the light beam, the PD5a is turned on and the PD6a is turned off. At this time, when the signal value output from the internal circuit unit 112 to the second terminal 11 is “0”, a current flows from VDD to the second terminal 11 through R5a, PD5a, and the third node N3. However, since the resistance value of R5a is set as described above, the signal value of the third node N3 remains "0". On the other hand, when the signal value output to the second terminal 11 is “1”, no current flows through R5a, and the signal value of the third node N3 is “1” which is the same as the signal value of the second terminal 11. It becomes. When the signal value of the second terminal 11 is “Z” (high impedance state), the signal value of the third node N3 is “1” because the PD 5a is in the ON state.
[0070]
When the PD6a is irradiated with the light beam and the PD5a is not irradiated with the light beam, the PD6a is turned on and the PD5a is turned off. At this time, when the signal value output from the internal circuit unit 112 to the second terminal 11 is “1”, a current flows from the second terminal 11 to the GND through the third nodes N3, PD6a and R6a. However, since the resistance value of R6a is set as described above, the signal value of the third node N3 remains "1". On the other hand, when the signal value output to the second terminal 11 is “0”, no current flows through R6a, and the signal value of the third node N3 is “0”. When the signal value output to the second terminal 11 is “Z”, the signal value of the third node N3 is “0” because PD5a is in the OFF state and PD6a is in the ON state.
[0071]
Next, a method for determining the signal value of the second terminal 11 will be described.
First, in order to determine whether the signal value output from the internal circuit unit 112 to the second terminal 11 at the determination timing is “1”, the PD3a and PD6a are irradiated with a beam, and the PD4a and PD5a are irradiated. Do not irradiate the light beam. When the signal value of the second terminal 11 is “1” by irradiating the PD 7a with the light beam at the determination timing, the determination value output to the fourth node N4 indicates “0”, and the second terminal 11 If the signal value of “0” is “0” or “Z”, the determination value output to the fourth node N4 is “1”. That is, if “1” is output as the determination value, it can be understood that the signal value of the second terminal 11 is not “1” at the determination timing.
[0072]
In order to determine whether or not the signal value output from the internal circuit unit 112 to the second terminal 11 is “0” at the determination timing, PD4a and PD5a are irradiated with a light beam, and PD3a and PD6a. Is not irradiated with a light beam. Then, by irradiating the PD 7a with the light beam at the determination timing, if the signal value of the second terminal 11 is “0”, the determination value output to the fourth node N4 indicates “0”, and the second terminal 11 If the signal value is “1” or “Z”, the determination value output to the fourth node N4 is “1”. That is, if “1” is output as the determination value, it can be understood that the signal value of the second terminal 11 is not “0” at the determination timing. In order to determine whether or not the signal value of the second terminal 11 is “Z” at the determination timing, PD3a and PD5a are irradiated with a light beam, and PD4a and PD6a are not irradiated with a light beam. Then, by irradiating the PD7a with the light beam at the determination timing, if the signal value of the second terminal 11 is “Z” or “1”, the determination value output to the fourth node N4 indicates “0”. If the signal value of the two terminals 11 is “0”, the determination value output to the fourth node N4 is “1”. Subsequently, PD4a and PD6a are irradiated with a light beam, and PD3a and PD5a are not irradiated with a light beam. Then, by irradiating the PD7a with the light beam at the determination timing, if the signal value of the second terminal 11 is “Z” or “0”, the determination value output to the fourth node N4 indicates “0”. If the signal value of the two terminals 11 is “1”, the determination value output to the fourth node N4 is “1”. That is, if “1” is output as the determination value, it can be understood that the signal value of the second terminal 11 is not “Z” at the determination timing.
[0073]
Note that the wavelength and intensity of the light beam must be such that each photodiode can be appropriately turned on, and is sufficient to irradiate only a predetermined photodiode and not to other photodiodes. It is necessary to narrow down to details.
[0074]
Next, a third embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIGS. 8A and 8B are diagrams for explaining the third inspection circuit 40 of the present embodiment. FIG. 8A is a block diagram showing the overall configuration, and FIG. 8B is a circuit diagram showing the configuration of the memory circuit 41 of FIG. It is. Although not shown, the third inspection circuit 40 is described as being mounted on the LSI 110 in place of the second inspection circuit 30, that is, connected to the second terminal 11 of the LSI 110. Referring to FIG. 8, the third inspection circuit 40 includes a comparison / determination unit 25 and a storage block 42. The storage block 42 includes a storage unit 43 and an eighth light receiving unit 45. The storage unit 43 stores the determination value output from the second inspection circuit 30, and outputs it from the second output terminal as a final determination signal. The eighth light receiving unit 45 initializes the storage unit 43 upon receiving the light beam.
[0075]
The operation of the storage block 42 is as follows. When the light receiving unit 45 is irradiated with the light beam, an initialization signal is sent to the initialization signal input terminal of the storage unit 43, and the stored information in the storage unit 43 is initialized. The storage unit 43 sequentially stores the determination value output from the comparison determination unit 25 and input to the data input terminal. In other words, the determination value input to the data input terminal of the storage unit 43 is either the signal “0” or the signal “1”. If the signal “1” is input, this fact is stored thereafter. The final determination value is output from the second output terminal. The final judgment value is either a signal “0” or a signal “1”. The signal “0” indicates that a judgment value “1” has not been input to the storage unit 43 since initialization, and a signal “1” Indicates that a determination value of “1” has been input to the storage unit 43 at least once after initialization.
[0076]
Next, a specific example of the storage block 43 will be described. Referring to FIG. 8B, in this specific example, the storage unit 43 is configured by an RS flip-flop (hereinafter referred to as RSF / F), the eighth light receiving unit 45 has a cathode and an anode at VDD and a node N14, respectively. It is composed of a PD 8 connected and R 10 whose both ends are connected to the nodes N 14 and GND, respectively. The RSF / F set signal input terminal (hereinafter referred to as S terminal), initialization signal input terminal (hereinafter referred to as R terminal) and Q terminal are the data input terminal and initialization signal input of the storage unit 43, respectively. End and second output end. Then, the determination value signal output from the comparison determination unit 25 and the initialization signal output from the node N14 are input to the S terminal and the R terminal, respectively, and the final determination value is output from the Q terminal of the RSF / F which is the second output terminal. Is output.
[0077]
Next, the operation of the storage block 43 of this specific example will be described. When the PD8 is irradiated with the light beam, the PD8 is turned on and the potential of the node N14 rises from GND to almost VDD, so that the power supply voltage is applied to the R terminal of the RSF / F, that is, the signal “1” is applied. . As a result, the output of the Q terminal of the RSF / F becomes a “0” signal, and the initialization is completed. If the PD 8 is not irradiated with a light beam, a signal “0” is applied to the R terminal. The signal “0” or “1” is applied to the S terminal of the RSF / F as a determination value output from the comparison determination unit 25. If the signal “1” is input even once, the function of the RSF / F As a result, the signal “1” is output to the Q terminal. This output is maintained thereafter, and keeps this value until RSF / F is reinitialized. The output of this Q terminal becomes the final judgment value. That is, the storage unit 43 stores the determination value of the signal “1” or “0” after the initialization. When the signal “1” is input, the storage unit 43 outputs the signal “1” as the final determination value. When there is no input of “1”, the signal “0” is output as a final determination value.
[0078]
Next, another specific example of the storage block 42 will be described. FIG. 9 is a circuit diagram of the storage block 42a of another specific example. The storage block 42a includes a storage unit 43 composed of RSF / F, a PD 8a whose cathode and anode are connected to the nodes N15 and GND, respectively, and an eighth node composed of R10a whose both ends are connected to VDD and the node N15. The light receiving unit 45a and an inverting circuit (hereinafter referred to as INV) 47 whose input end is connected to the node N15, and a signal output from the INV 47 is an RSF / F of the initialization signal input end of the storage unit 43 Input to the R terminal. The signal value corresponding to the presence or absence of the light beam irradiation of the node N15a of the eighth light receiving unit 45a is the signal value corresponding to the presence or absence of the light beam irradiation of the node N15 of the eighth light receiving unit 45 of FIG. Although it is reversed, it can be seen that the storage block 42a operates in exactly the same way as the storage block 42 by inputting to the R terminal of the RSF / F via the INV 47.
[0079]
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. 10A and 10B are diagrams for explaining a fourth inspection circuit 60 according to the present embodiment. FIG. 10A is a block diagram showing the overall configuration, and FIG. 10B is a specific example of the configuration of the current modulation circuit 50 in FIG. It is a circuit diagram which shows an example. The fourth inspection circuit 60 is also described as being mounted on the LSI 110 in place of the second inspection circuit 30, that is, connected to the second terminal 11 of the LSI 110, although not shown again. Referring to FIG. 10, the fourth test circuit 60 has a configuration in which a current modulation circuit 50 is added to the third test circuit 40, and thus a configuration including the comparison / determination unit 25, the storage block 42, and the current modulation circuit 50. It has become. The comparison / determination unit 25 and the storage block 42 constituting the third inspection circuit 40 are as described above. Hereinafter, the current modulation circuit 50 will be mainly described. The current modulation circuit 50 includes a ninth light receiving unit 51 and a current control unit 52. The final determination value output from the storage block 42 of the third inspection circuit 40 is sent to the current control unit 52. The current control unit 52 is connected to VDD and GND. The ninth light receiving unit 51 is connected to the current control unit 52, and transmits a signal according to whether or not the ninth light receiving unit 51 is irradiated with the light beam to the current control unit 52.
[0080]
Next, the operation of the current modulation circuit 50 will be described. The current control unit 52 receives a signal from the light receiving unit 51 according to the presence or absence of irradiation of the light beam in the light receiving unit 51, and when the light beam is irradiated, the final determination value output from the storage block 42 is the signal “ If it is 1 ″, it has a function of flowing a current from VDD to GND and not flowing a current in other cases. By observing this current with a current observation device (not shown) such as an LSI tester, it is possible to determine whether the final judgment value is “1” or “0”. That is, the final determination value is “1” if there is a difference in the current flowing between VDD and GND between when the light receiving unit 51 is irradiated with the light beam and when it is not irradiated, and “0” if there is no difference. It can be judged.
[0081]
Next, a specific example of the current modulation circuit 50 will be described with reference to FIG. Referring to FIG. 10 (b), the ninth light receiving portion 51 is composed of PD9 having a cathode and an anode connected to VDD and a node N16, respectively, and R11 having both ends connected to a node N16 and GND, respectively. The node N16 is an output end of the ninth light receiving unit 51. The current controller 52 includes NM3, NM4, and R12. Both ends of R12 are connected to the source electrode of NM4 and GND, respectively, the gate electrode of NM4 is connected to the node N16, the drain electrode of NM4 and VDD The source / drain path of NM3 is connected between them, and the gate electrode of NM3 becomes the input terminal of the current control unit 52, and the final judgment value output from the storage block 42 is applied.
[0082]
Next, the operation of the current modulation circuit 50 will be described. When the final judgment value is “0”, the potential is normally at the GND level and NM3 is in the OFF state. Therefore, between VDD and GND of the current modulation circuit 50 regardless of whether the light beam is irradiated on the PD 9 or not. Current does not flow through. On the other hand, when the final judgment value is “1”, the potential is normally at the VDD level and NM3 is turned on. When the light beam is irradiated to PD9, the potential of node N16 rises and NM4 is also turned on. Thus, a current flows between VDD and GND of the current modulation circuit 50. However, when the PD 9 is not irradiated with the light beam, the potential of the node N16 is at the GND level and NM4 is in the OFF state, and no current flows between VDD and GND of the current modulation circuit 50. Since this current is usually observed as a total value with the power supply current of the LSI to be inspected 110, a power supply current corresponding to whether or not the PD 9 is irradiated with a light beam using a power supply current observation device (not shown). It can be seen that the final judgment value is “1” if the observation results increase or decrease. Conversely, if the observation result of the power supply current does not change depending on whether or not the light beam is irradiated, the final determination value is “0”.
[0083]
Next, another specific example of the current modulation circuit 50 will be described. FIG. 11 is a circuit diagram of a current modulation circuit 50a of another specific example. Referring to FIG. 11, the current modulation circuit 50 a includes ninth optical response means 55 connected between the Q terminal of the RSF / F that is the second output terminal of the storage unit 43 and GND that is a predetermined power source. The ninth optical response means 55 is composed of PD9a and R11a. The cathode of PD9a is connected to the Q terminal of RSF / F, and both ends of R11a are connected between the anode of PD9a and GND. Also in this current modulation circuit 50a, only when the final judgment value is "1", when a light beam is irradiated onto the PD 9a, the current flowing between VDD and GND through the path of the Q terminal, PD9a and R11a is covered. The addition to the power supply current of the LSI to be inspected 110 is the same as that of the current modulation circuit 50, and detailed description thereof is omitted.
[0084]
Next, a description will be given of a configuration when the LSI includes a first terminal that is a signal input electrode, a second terminal that is a signal output electrode, and a third terminal that serves both as a signal input electrode and a signal output electrode. To do. FIG. 12 is a schematic block diagram of the LSI 120 including all of the first terminal, the second terminal, and the third terminal. As shown in FIG. 12, the LSI 120 includes a first terminal 71, a second terminal 73, a third terminal 75, an internal circuit unit 122, VDD and GND, and the first terminal 71 has a first terminal 71. One inspection circuit 10_1 is connected, a fourth inspection circuit 60_1 is connected to the second terminal 73, and a first inspection circuit 10_2 and a fourth inspection circuit 60_2 are connected to the third terminal 75. That is, since the third terminal 75 is a signal input electrode and at the same time a signal output electrode, a corresponding inspection circuit is connected thereto.
[0085]
When the LSI 120 is mounted and used in an actual device, the terminals including the first terminal 71, the second terminal 73, and the third terminal 75 are normally used as external terminals by a known connection technique such as wire bonding. Connected and used. The same applies to the LSI 100 and the LSI 110 described above.
[0086]
The first inspection circuit 10_1 connected to the first terminal 71 applies a desired electric signal to the first terminal 71 in a non-contact manner by irradiation with a light beam, and inputs the electric signal to the LSI 120 to be inspected. ing. Similarly, the first inspection circuit 10_2 connected to the third terminal 75 applies a desired electric signal to the third terminal 75 in a non-contact manner by light beam irradiation, and inputs the electric signal to the LSI 120. Yes.
[0087]
The fourth inspection circuit 60_1 connected to the second terminal 73 determines whether the signal value output from the internal circuit unit 122 to the second terminal 73 in a non-contact manner by light beam irradiation matches a predetermined expected value. Then, the power supply current of the LSI 120 is modulated according to the determination result. Similarly, in the fourth inspection circuit 60_2 connected to the third terminal 75, the signal value output from the internal circuit unit 122 to the third terminal 75 in a non-contact manner by irradiation with the light beam matches the predetermined expected value. The power supply current of the LSI 120 is modulated according to the determination result.
[0088]
Note that the first inspection circuit 10_2 and the fourth inspection circuit 60_2 connected to the third terminal 75 are not operated simultaneously.
[0089]
The functions of the first inspection circuit 10_1 and the first inspection circuit 10_2 are the same as those of the first inspection circuit 10, and the functions of the fourth inspection circuit 60_1 and the fourth inspection circuit 60_2 are the fourth. Since it is the same as the inspection circuit 60, detailed description is omitted.
[0090]
Next, an inspection method for the LSI 120 will be described with reference to the drawings. FIG. 13 is a flowchart for explaining an example of an inspection method for the LSI 120. In the LSI inspection, if a predetermined input signal is input to the LSI and an output signal that matches the predetermined expected value signal is output, the LSI is determined to be non-defective. It is judged as a good product.
[0091]
The LSI inspection method of the present invention includes a first inspection circuit that applies a desired signal and a second inspection function that compares an output signal with an expected value based on a combination of the presence or absence of irradiation of a plurality of light beams. A method for inspecting an LSI having a circuit,
Irradiating a light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size to a light receiving unit at a predetermined location of the second inspection circuit to perform initialization (step 101 and step 102 in FIG. 13);
A step of irradiating a light receiving unit at a predetermined location of the first inspection circuit with a light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size according to a predetermined schedule and inputting a test signal to the LSI (FIG. 13). Step 103 and step 104) of FIG.
A light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size is irradiated onto a light receiving unit at a predetermined location of the second inspection circuit according to a predetermined schedule, and the output signal of the LSI is compared with an expected value. , Outputting the comparison result as a determination value (step 105 and step 106 in FIG. 13);
A step of irradiating a light receiving unit at a predetermined location of the second inspection circuit with a light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size, and knowing the result of the LSI inspection based on whether or not the power supply current of the LSI increases. 13 steps 107 and 108).
[0092]
In the LSI 120, the first inspection circuit 10_1 and the first inspection circuit 10_2 correspond to the first inspection circuit in the LSI inspection method, and the fourth inspection circuit 60_1 and the fourth inspection circuit 60_2 are the second inspection circuit. Corresponds to the circuit. This will be specifically described below.
[0093]
In order to inspect the LSI 120, in order to generate a predetermined input signal, each of the first inspection circuit 10_1 and the first inspection circuit 10_2 is irradiated with two light beams at appropriate timings. No irradiation is performed and a predetermined input signal is generated. The generated input signal is input to the LSI 120 via the first terminal 71 and the third terminal 75 (step 103 and step 104 in FIG. 13).
[0094]
The output of the LSI 120 appears at the second terminal 73 and the third terminal 75. In order to determine whether or not these signals match a predetermined expected value signal, the comparison / determination unit 25_1 included in the fourth inspection circuit 60_1 and the comparison / determination unit 25_2 included in the fourth inspection circuit 60_2 Irradiation / non-irradiation of each of the five light beams is performed at an appropriate timing. The comparison between the expected value signal and the output signal is usually performed at a plurality of times. At each time, the expected value signal and the output signal are compared. It is output from the determination unit 25_1 or the comparison determination unit 25_2 (step 105 and step 106 in FIG. 13).
[0095]
By irradiating the storage block 42_1 included in the fourth inspection circuit 60_1 and the storage block 42_2 included in the fourth inspection circuit 60_2 before the start of inspection, these storage states are initialized (FIG. 13). Step 101, Step 102). By the start of the inspection, the match / mismatch determination value between the expected value signal and the output signal at each time is sent to the storage block 42_1 and the storage block 42_2. The memory block 42_1 and the memory block 42_2 store whether or not a mismatch has been sent as a judgment value, and finally output whether or not a mismatch has been sent by irradiation with a light beam as a final judgment value (whether or not there is a mismatch). To do. By observing this output, the inspection result of the LSI 120 can be determined. In addition, by compressing the output of the final judgment value of the storage block 42_1 and the storage block 42_2 by a logical sum circuit (or logical product circuit) (not shown) to obtain one compressed output, only this compressed output is observed. It becomes possible to know the inspection result of the LSI 120.
[0096]
In the current modulation circuit 50_1 included in the fourth inspection circuit 60_1 and the current modulation circuit 50_2 included in the fourth inspection circuit 60_2, the light source irradiation / non-irradiation and the final determination value are reflected in the power supply current of the LSI 120 (FIG. 13 step 107, step 108). That is, if there is a mismatch, the power supply current value is increased by light beam irradiation, and the power supply current is not increased when there is no light beam irradiation or when there is no mismatch.
[0097]
Finally, the power supply current is observed by a power supply current observation device (not shown) such as an LSI tester, and if the power supply current increases when the current modulation circuit 50_1 or the current modulation circuit 50_2 is irradiated with the light beam, the LSI 120 is defective. If the power supply current remains unchanged, the LSI 120 is determined to be non-defective.
[0098]
Next, an LSI inspection method using a specific test signal will be described.
FIG. 14 is a timing chart-like example of a test signal (input signal, output expected value signal) for inspecting the LSI 120 shown in FIG. A method for inspecting the LSI 120 will be specifically described using the example shown in FIG.
[0099]
The first inspection circuit 10_1 generates signals “0”, “1”, and “Z” depending on whether or not the light beams A1 and A2 are irradiated, and applies them to the first terminal 71. The first inspection circuit 10_1 generates a signal “1” when only the light beam A1 is irradiated, and generates a signal “0” when only the light beam A2 is irradiated. When no light beam is irradiated, a signal “Z” is generated.
[0100]
The first inspection circuit 10_2 generates signals “0”, “1”, and “Z” depending on whether or not the light beam B1 and the light beam B2 are irradiated, and applies them to the third terminal 75. The first inspection circuit 10_2 generates a signal “1” when only the light beam B1 is irradiated, and generates a signal “0” when only the light beam B2 is irradiated. When neither of the light beams B1 and B2 is irradiated, a signal “Z” is generated. Further, the comparison / determination unit 25_2 observes the signal value of the third terminal 75 by irradiating / non-irradiating the five light beams C1 to C5, and compares the signal value with the expected signal value at a specific time. Are matched, and the decision value is transmitted to the storage block 42_2. To determine whether the signal value of the third terminal 75 is “1” (that is, the output expected signal value is “1”), the light beam C1 and the light beam C4 are irradiated, and the light beam C2 and the light beam C3 are Do not irradiate. In this state, when the light beam C5 is irradiated at the time when the signal value is determined, if the signal value of the third terminal 75 is “1” at this time, a matching determination value is output, and the signal value is “1”. In the case other than "", a discrepancy judgment value is output. Similarly, to determine whether the signal value of the third terminal 75 is “0” (that is, the output expected signal value is “0”), the light beam C2 and the light beam C3 are irradiated, and the light beam C1 and the light beam are irradiated. C4 is not irradiated. In this state, when the light beam C5 is irradiated at the time when the signal value is determined, if the signal value of the third terminal 75 is “0” at this time, a matching determination value is output, and the signal value is “0”. In the case other than "", a discrepancy judgment value is output. Further, to determine whether the signal value of the third terminal 75 is “Z” (that is, the output expected signal value is “Z”), the light beam C1 and the light beam C3 are irradiated, and the light beam C2 and the light beam are irradiated. C4 is not irradiated. In such a state, the light beam C5 is irradiated at the first time for determining the signal value, and then the light beam C2 and the light beam C4 are irradiated, but the light beam C1 and the light beam C3 are not irradiated. In such a state, the light beam C5 is irradiated at the second time for determining the signal value. If the value of the input / output terminal is always “Z” at the first time and the second time at which the signal value is determined, a matching determination value is output, otherwise a mismatching determination value is output.
[0101]
The storage of the storage block 42_2 is initialized by irradiation with the light beam C6. The current modulation circuit 50_2 increases the power supply current value if the mismatch is stored in the storage block 42_2 by the irradiation of the light beam C7, and does not affect the power supply current value if only the match is stored.
[0102]
The comparison / determination unit 25_1 compares the signal value of the second terminal 73 with the expected value by irradiation / non-irradiation of the five light beams D1 to D5, and outputs a determination value. In determining whether the value of the second terminal 73 is “1”, the light beam D1 and the light beam D4 are irradiated, the light beam D2 and the light beam D3 are not irradiated, and the light beam D5 is irradiated at the determination time. Thus, if the signal value at the second terminal 73 is “1” at this time, a coincidence determination value is output, and if not, a disagreement determination value is output. In order to determine whether the value of the second terminal 73 is “0”, the light beam D2 and the light beam D3 are irradiated, the light beam D1 and the light beam D4 are not irradiated, and the light beam D5 is irradiated at the determination time. Thus, if the signal value at the second terminal 73 is “0” at this time, a coincidence determination value is output, and if not, a disagreement determination value is output. Further, in determining whether the value of the second terminal 73 is “Z”, the light beam D1 and the light beam D3 are irradiated, the light beam D2 and the light beam D4 are not irradiated, and the light at the first determination time. Irradiate beam D5. Next, the light beam D2 and the light beam D4 are irradiated, the light beam D1 and the light beam D3 are not irradiated, and the light beam D5 is irradiated at the second determination time. At any determination time, if the signal value at the second terminal 73 is “Z”, a coincidence determination value is output, and if not, a disagreement determination value is output. The memory block 42_1 is initialized by the irradiation of the light beam D6, and stores the coincidence / mismatch judgment values sent from the comparison judgment unit 25_1. If there is a mismatched storage in the storage block 42_1, the current modulation circuit 50_1 increases the power supply current by irradiation with the light beam D7.
[0103]
As shown in FIG. 14, the test signals applied to the first terminal 71 are “0”, “1”, “1”, “0”, “1”, “0” at times T1 to T6. In order to apply these test signals to the first terminal 71, the light beam A1 and the light beam A2 are irradiated according to a schedule as shown in FIG. Here, the section filled with diagonal lines is the period during which each light beam is irradiated (the other light beams in FIG. 14 have the same meaning). That is, the signal “1” is applied to the first terminal 71 by the irradiation of the light beam A1, and the signal “0” is applied to the first terminal 71 by the irradiation of the light beam A2.
[0104]
The third terminal 75 is a signal input / output terminal and is used for signal input and output. In the example shown in FIG. 14, signals “1” and “0” are applied at times T1 and T2, output signals appear at times T3 and T4, and the expected signal values are both “1” ( “H” indicates that the expected output value is “1”). At subsequent time T5, the signal “0” is applied, and at time T6, the output signal appears again, and its expected value becomes “0” (“L” indicates that the expected output value is “0”). In order to apply and observe these signals, the light beams B1 and B2 and the light beams C1 to C5 are irradiated according to a schedule as shown in FIG. That is, the light beam B1 is irradiated to apply the signal “1” at time T1, and the light beam B2 is irradiated to apply the signal “0” at time T2 and time T5. In the determination of the expected value signal value “1” at the times T3 and T4, the light beams C1 and C4 are irradiated and the light beams C2 and C3 are not irradiated. Then, the light beam C5 is irradiated at the determination timing, and the coincidence between the signal value at the third terminal 75 and the expected value “1” is determined. In the determination for the expected value signal value “0” at time T6, the light beams C2 and C3 are irradiated and the light beams C1 and C4 are not irradiated. Then, the light beam C5 is irradiated at the determination timing, and it is determined whether the output signal value at the third terminal 75 matches the expected value “0”. Prior to this, the light beam C6 is irradiated at time T0 in order to initialize the storage block 42_2.
[0105]
The second terminal 73 is an output terminal, and only the output signal appears. The meanings of “H” and “L” are the same as in the case of the third terminal 75 and indicate that the expected signal values are “1” and “0”, respectively. Furthermore, “X” means that the expected signal value is indefinite or does not need to be determined, and “Z” means that the expected signal value is “Z”. At times T1 and T2, there is no need to determine the signal value of the second terminal 73, so the light beams D1 to D5 are not irradiated. At times T3 and T6, since the expected signal value is “1”, the light beams D1 and D4 are irradiated, and the light beams D2 and D3 are not irradiated. Then, the light beam D5 is irradiated at the determination timing, the output signal value at the second terminal 73 is compared with the expected signal value “1”, and the match is determined. Since the expected signal value is “0” at time T4, the light beams D2 and D3 are irradiated and the light beams D1 and D4 are not irradiated. Then, the light beam D5 is irradiated at the determination timing, the output signal value at the second terminal 73 is compared with the expected signal value “0”, and the coincidence is determined. At time T5, it is determined whether or not the output signal value of the second terminal 73 is “Z”. For this purpose, the light beams D1 and D3 are first irradiated, and the light beams D2 and D4 are not irradiated. The light beam D5 is emitted at the first determination timing. Further, the irradiation of the light beams D1 and D3 is stopped, and the irradiation of the light beams D2 and D4 is started. The light beam D5 is irradiated at the second determination timing. Thereby, if the output signal value of the second terminal 73 is “Z” at each determination timing, a coincidence is obtained as the determination value. Prior to these, the light beam D6 is irradiated at time T0 for initialization of the storage block 42_1. Finally, in order to determine whether or not the output signal value of the LSI 120 matches the expected signal value, the light beams C7 and D7 are irradiated after the time T7. If there is a discrepancy, it is observed that the power supply current value rises only when the light beams C7 and D7 are irradiated. Therefore, the output of the LSI 120 is detected by detecting the increase by a power supply current observation device (not shown). A comparison result between the signal value and the expected signal value is found, that is, an inspection result of the LSI 120 is obtained.
[0106]
In addition, this invention is not limited to description of the said embodiment, A various change is possible within the range of the summary. For example, although the above embodiment has been described with an example in which each inspection circuit is connected to each terminal of the LSI, it may be connected to a specific node of the internal circuit unit as necessary. Particularly, when such an inspection circuit is incorporated in advance in various evaluations at the time of LSI development, there is an effect that detailed evaluation of the internal circuit becomes possible. Further, it is not always necessary to connect the inspection circuit to all the signal terminals, and they may be selectively connected according to the characteristics of signals input or output at each signal terminal.
[0107]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the electrical characteristics of the LSI in the wafer state can be inspected without contact with the signal electrode. For this reason, it is only necessary to prepare a probe for supplying power, which makes it easy to create the probe and reduces the possibility of LSI destruction due to mechanical contact of the probe.
[0108]
In addition, by using a light beam as a probe for signal application and observation in inspection, the probe size can be miniaturized and the probe position accuracy can be increased, so that higher density LSI inspection can be performed. can get.
[0109]
Furthermore, since an electric signal is applied and observed using a light beam, the electric signal can be applied and observed at high speed without being affected by inductance, etc., and LSI inspection using a higher frequency can be easily performed. The effect is also obtained.
[Brief description of the drawings]
1A and 1B are diagrams for explaining a first embodiment of an inspection circuit of the present invention and an LSI incorporating the inspection circuit, wherein FIG. 1A is a schematic schematic plan view of the LSI, and FIG. It is a block diagram which shows the structure of the 1st test | inspection circuit built in.
FIG. 2 is a diagram for explaining a signal input method to an LSI by a first inspection circuit.
FIG. 3 is a circuit diagram showing a specific example of a first inspection circuit.
FIGS. 4A and 4B are diagrams for explaining a modified example of the first inspection circuit. FIGS. 4A and 4B are a block diagram and a specific circuit diagram of an example, respectively.
5A and 5B are diagrams for explaining a second embodiment of the present invention, in which FIG. 5A is a schematic schematic plan view of an LSI, and FIG. 5B is a configuration of a second inspection circuit incorporated in the LSI; FIG.
6A and 6B are diagrams for explaining a specific example of a second inspection circuit, where FIG. 6A is an overall circuit diagram, and FIGS. 6B and 6C are examples of detailed circuits of a gate portion.
FIGS. 7A and 7B are diagrams for explaining a modification of the second inspection circuit, in which FIGS. 7A and 7B are a block diagram and a specific circuit diagram, respectively, of an example; FIGS.
8A and 8B are diagrams for explaining a third test circuit according to the third embodiment of the present invention, in which FIG. 8A is a block diagram showing an overall configuration, and FIG. 8B is a configuration of a memory circuit of FIG. It is a circuit diagram.
FIG. 9 is a circuit diagram of a storage block according to another specific example;
FIGS. 10A and 10B are diagrams for explaining a fourth inspection circuit according to a fourth embodiment of the present invention, where FIG. 10A is a block diagram showing an overall configuration, and FIG. 10B is a configuration of a current modulation circuit of FIG. It is a circuit diagram which shows one specific example.
FIG. 11 is a circuit diagram of another specific example of a current modulation circuit.
FIG. 12 is a schematic block diagram of an LSI including all of a first terminal, a second terminal, and a third terminal serving as both a signal input electrode and a signal output electrode.
13 is a flowchart for explaining an example of an inspection method for the LSI shown in FIG. 12;
14 is a timing chart-like example of a test signal (input signal, output expected value signal) for inspecting the LSI shown in FIG. 12. FIG.
[Explanation of symbols]
1 1st light-receiving part
2 Second light receiving part
3 “1” signal supply section
4,13 Output controller
5 “0” signal supply section
6,71 1st terminal
7 First optical response means
8 Second optical response means
10 First inspection circuit
11, 73 2nd terminal
12 3rd light-receiving part
14 4th light-receiving part
16 5th light-receiving part
17 Control unit
18 6th light-receiving part
19, 35 comparison part
20 Gate part
21 7th light-receiving part
25 Comparison judgment part
30 Second inspection circuit
31 Third optical response means
32 Fourth optical response means
33 fifth optical response means
34 Sixth optical response means
36 7th optical response means
40 Third inspection circuit
42 storage blocks
43 Memory
45 8th light receiving part
47 INV
50 Current modulation circuit
51 9th light-receiving part
52 Current controller
55 Ninth optical response means
60 Fourth inspection circuit
75 3rd terminal
100, 110, 120 LSI
102, 112, 122 Internal circuit section

Claims (15)

半導体集積回路装置の信号入力用電極に接続された検査回路であって、
予め定められた波長、強度、大きさの第１光ビームを照射され、その照射の有無を検知するとともに、照射の有無に応じた第１の電位を出力する第１受光部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第２光ビームを照射され、その照射の有無を検知するとともに、照射の有無に応じた第２の電位を出力する第２受光部と、
“１”（高レベル）信号を供給する“１”信号供給部と、
“０”（低レベル）信号を供給する“０”信号供給部と、
前記第１受光部から前記第１の電位を供給され、前記第２受光部から前記第２の電位を供給され、前記“１”信号供給部から前記“１”信号を供給され、前記“０”信号供給部からの前記”０”信号を供給され、前記第１の電位と前記第２の電位に応答して、第１信号として、前記“１”信号、前記“０”信号、”Ｚ”（ハイインピーダンス）信号のいずれかを出力する出力制御部と
を有し、
前記第１光ビームは、前記第１受光部によって検知できるような波長、強度を有するとともに、隣接する受光部間の干渉が避けられるような大きさを有するように制御され、
前記第２光ビームは、前記第２受光部によって検知できるような波長、強度を有するとともに、隣接する受光部間の干渉が避けられるような大きさを有するように制御され、
前記第１信号が前記信号入力用電極に印加されることを特徴とする検査回路。An inspection circuit connected to a signal input electrode of a semiconductor integrated circuit device,
A first light-receiving unit that is irradiated with a first light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size, detects the presence or absence of the irradiation, and outputs a first potential according to the presence or absence of irradiation ;
A second light receiving unit that is irradiated with a second light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size, detects the presence or absence of the irradiation, and outputs a second potential according to the presence or absence of the irradiation ;
A “1” signal supply unit for supplying a “1” (high level) signal;
A “0” signal supply unit for supplying a “0” (low level) signal;
The first potential is supplied from the first light receiving unit , the second potential is supplied from the second light receiving unit , the “1” signal is supplied from the “1” signal supply unit , and the “0” is supplied. The “0” signal from the “signal supply unit” is supplied, and in response to the first potential and the second potential, the “1” signal, the “0” signal, “Z” An output control unit that outputs any of the “high impedance” signals ,
The first light beam has a wavelength and intensity that can be detected by the first light receiving unit, and is controlled to have a size that avoids interference between adjacent light receiving units,
The second light beam has a wavelength and intensity that can be detected by the second light receiving unit, and is controlled to have a size that avoids interference between adjacent light receiving units,
The inspection circuit, wherein the first signal is applied to the signal input electrode. 前記第１受光部は、前記“１”信号供給部から前記“１”信号を供給され、前記“０”信号供給部から前記“０”信号を供給され、照射の有無に応じて、前記“１”信号または前記“０”信号のいずれかを出力し、The first light receiving unit is supplied with the “1” signal from the “1” signal supply unit, and is supplied with the “0” signal from the “0” signal supply unit. Output either 1 ”signal or“ 0 ”signal,
前記第２受光部は、前記“１”信号供給部から前記“１”信号を供給され、前記“０”信号供給部から前記“０”信号を供給され、照射の有無に応じて、前記“１”信号または前記“０”信号のいずれかを出力し、The second light receiving unit is supplied with the “1” signal from the “1” signal supply unit, and is supplied with the “0” signal from the “0” signal supply unit. Output either 1 ”signal or“ 0 ”signal,
前記出力制御部はさらに、第１のトランジスタと、第２のトランジスタとを有し、The output control unit further includes a first transistor and a second transistor,
前記第１受光部から供給される前記第１の電位は、前記第１のトランジスタのゲートに入力され、前記第２受光部から供給される前記第２の電位は、前記第２のトランジスタのゲートに入力されることを特徴とする請求項１に記載の検査回路。The first potential supplied from the first light receiving portion is input to the gate of the first transistor, and the second potential supplied from the second light receiving portion is the gate of the second transistor. The inspection circuit according to claim 1, wherein the inspection circuit is input to the inspection circuit. 半導体集積回路装置の信号出力用電極に接続された検査回路であって、
複数の異なる光ビームの照射の有無の組み合わせにより、当該信号出力用電極の出力された信号値を所定の信号値と比較し比較結果を判定値として出力する機能を有する比較判定部を含み、
且つこの比較判定部が、
予め定められた波長、強度、大きさの第３光ビームを照射され、その照射の有無を検知するとともに、照射の有無に応じた第３の電位を出力する第３受光部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第４光ビームを照射され、その照射の有無を検知するとともに、照射の有無に応じた第４の電位を出力する第４受光部と、
“１”（高レベル）信号を供給する“１”信号供給部と、
“０”（低レベル）信号を供給する“０”信号供給部と、
前記第３受光部から前記第３の電位を供給され、前記第４受光部から前記第４の電位を供給され、前記“１”信号供給部から前記“１”信号を供給され、前記“０”信号供給部から前記“１”信号を供給され、前記第１の電位と前記第２の電位に応答して、第２信号として、前記“１”信号、前記“０”信号、”Ｚ”（ハイインピーダンス）信号のいずれかを出力する出力制御部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第５光ビームを照射され、その照射を検知するとともに、照射の有無に応じた第５の電位を供給する第５受光部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第６光ビームを照射され、その照射を検知するとともに、照射の有無に応じた第５の電位を供給する第６受光部と、
前記第５受光部から前記第５の電位を供給され、前記第６受光部から前記第６の電位を 供給され、前記信号出力用電極の信号値を供給され、前記第５の電位と前記第６の電位と前記信号出力用電極の信号値とに応答して、第３信号として、前記“１”信号、前記“０”信号のいずれかを出力する制御部と、
前記第２信号と前記第３信号とを入力して前記第２信号の信号値と前記第３信号の信号値とを比較し、その一致、不一致を判定して結果を第４信号として出力する比較部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第７光ビームを照射され、その照射を検知する、第７受光部と、
前記第７受光部にける前記第７光ビームの照射により、前記第４信号を判定値として出力するゲート部と、
を有し、
前記第３光ビームは、前記第３受光部によって検知できるような波長、強度を有するとともに、隣接する受光部間の干渉が避けられるような大きさを有するように制御され、
前記第４光ビームは、前記第４受光部によって検知できるような波長、強度を有するとともに、隣接する受光部間の干渉が避けられるような大きさを有するように制御され、
前記第５光ビームは、前記第５受光部によって検知できるような波長、強度を有するとともに、隣接する受光部間の干渉が避けられるような大きさを有するように制御され、
前記第６光ビームは、前記第６受光部によって検知できるような波長、強度を有するとともに、隣接する受光部間の干渉が避けられるような大きさを有するように制御され、
前記第７光ビームは、前記第７受光部によって検知できるような波長、強度を有するとともに、隣接する受光部間の干渉が避けられるような大きさを有するように制御されることを特徴とする検査回路。An inspection circuit connected to a signal output electrode of a semiconductor integrated circuit device,
A comparison / determination unit having a function of outputting a comparison result as a determination value by comparing a signal value output from the signal output electrode with a predetermined signal value by a combination of presence / absence of irradiation with a plurality of different light beams,
And this comparison judgment part is
A third light receiving unit that is irradiated with a third light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size, detects the presence or absence of the irradiation, and outputs a third potential according to the presence or absence of the irradiation ;
A fourth light receiving unit that is irradiated with a fourth light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size, detects the presence or absence of the irradiation, and outputs a fourth potential according to the presence or absence of irradiation ;
A “1” signal supply unit for supplying a “1” (high level) signal;
A “0” signal supply unit for supplying a “0” (low level) signal;
The third light receiving unit is supplied with the third potential, the fourth light receiving unit is supplied with the fourth potential, the “1” signal supplying unit is supplied with the “1” signal, and the “0” is supplied. "The signal " 1 "is supplied from the signal supply unit , and in response to the first potential and the second potential, as the second signal, the " 1 "signal, the" 0 "signal," Z " An output controller that outputs one of the (high impedance) signals ;
A fifth light receiving section that is irradiated with a fifth light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size, detects the irradiation, and supplies a fifth potential according to the presence or absence of irradiation ;
A sixth light receiving unit that is irradiated with a sixth light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size, detects the irradiation, and supplies a fifth potential according to the presence or absence of irradiation ;
The fifth light receiving portion is supplied with the fifth potential, the sixth light receiving portion is supplied with the sixth potential, the signal value of the signal output electrode is supplied, and the fifth potential and the fifth potential are supplied. In response to the potential of 6 and the signal value of the signal output electrode, a control unit that outputs either the “1” signal or the “0” signal as a third signal;
The second signal and the third signal are inputted, the signal value of the second signal is compared with the signal value of the third signal, the coincidence or mismatch is judged, and the result is outputted as the fourth signal A comparison unit;
A seventh light receiving unit that is irradiated with a seventh light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size and detects the irradiation;
A gate unit that outputs the fourth signal as a determination value by irradiation of the seventh light beam in the seventh light receiving unit;
I have a,
The third light beam has a wavelength and intensity that can be detected by the third light receiving unit, and is controlled to have a size such that interference between adjacent light receiving units is avoided,
The fourth light beam has a wavelength and intensity that can be detected by the fourth light receiving unit, and is controlled to have a size such that interference between adjacent light receiving units is avoided,
The fifth light beam has a wavelength and intensity that can be detected by the fifth light receiving unit, and is controlled to have a size that avoids interference between adjacent light receiving units,
The sixth light beam has a wavelength and intensity that can be detected by the sixth light receiving unit, and is controlled to have a size that avoids interference between adjacent light receiving units,
The seventh light beam has a wavelength and intensity that can be detected by the seventh light receiving unit, and is controlled to have a size that avoids interference between adjacent light receiving units. Inspection circuit. 半導体集積回路装置の信号出力用電極に接続された検査回路であって、
複数の異なる光ビームの照射の有無の組み合わせにより、当該信号出力用電極の出力された信号値を所定の信号値と比較し比較結果を判定値として出力する機能を有する比較判定部を含み、
且つこの比較判定部が、
“１”（高レベル）信号を供給する“１”信号供給部と、
“０”（低レベル）信号を供給する“０”信号供給部と、
所定の第２ノードと前記“１”信号供給部との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第３光ビームが照射されたとき、“１”信号が前記第２ノードに伝達される第３光応答手段と、
前記第２ノードと前記“０”信号供給部との間に接続され、予め定められた波長、強度、
大きさの第４光ビームが照射されたとき、“０”信号が前記第２ノードに伝達される第４光応答手段と、
前記信号出力用電極に接続された第３ノードと前記“１”信号供給部との間に接続され、
予め定められた波長、強度、大きさの第５光ビームが照射されたとき、“１”信号が前記
第３ノードに伝達される第５光応答手段と、
前記第３ノードと前記“０”信号供給部との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第６光ビームが照射されたとき、“０”信号が前記第３ノードに伝達される第６光応答手段と、
二つの比較入力端の一方が前記第２ノードに他方が前記第３ノードにそれぞれ接続され、
前記第２ノードから入力される第２信号と前記第３ノードから入力される第３信号のそれぞれの信号値を比較し、その一致、不一致を判定して結果を第１出力端から第４信号として出力する比較部と、
前記第１出力端と第４ノードとの間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第７光ビームが照射されたとき、前記第４信号が前記第４ノードに伝達されて判定値として出力される第７光応答手段と、
を有し、
前記第３光ビームは、前記第３光応答手段によって検知できるような波長、強度を有するとともに、隣接する光応答手段間の干渉が避けられるような大きさを有するように制御され、
前記第４光ビームは、前記第４光応答手段によって検知できるような波長、強度を有するとともに、隣接する光応答手段間の干渉が避けられるような大きさを有するように制御され、
前記第５光ビームは、前記第５光応答手段によって検知できるような波長、強度を有するとともに、隣接する光応答手段間の干渉が避けられるような大きさを有するように制御され、
前記第６光ビームは、前記第６光応答手段によって検知できるような波長、強度を有するとともに、隣接する光応答手段間の干渉が避けられるような大きさを有するように制御され、
前記第７光ビームは、前記第７光応答手段によって検知できるような波長、強度を有するとともに、隣接する光応答手段間の干渉が避けられるような大きさを有するように制御されることを特徴とする検査回路。 An inspection circuit connected to a signal output electrode of a semiconductor integrated circuit device,
A comparison / determination unit having a function of outputting a comparison result as a determination value by comparing a signal value output from the signal output electrode with a predetermined signal value by a combination of presence / absence of irradiation with a plurality of different light beams,
And this comparison judgment part is
A “1” signal supply unit for supplying a “1” (high level) signal;
A “0” signal supply unit for supplying a “0” (low level) signal;
Connected between a predetermined second node and the “1” signal supply unit, and when a third light beam having a predetermined wavelength, intensity and size is irradiated, a “1” signal is transmitted to the second node. A third optical response means transmitted to
Connected between the second node and the “0” signal supply unit, a predetermined wavelength, intensity,
A fourth optical response means for transmitting a “0” signal to the second node when a fourth light beam of a size is irradiated;
A third node connected to the signal output electrode and the “1” signal supply unit;
A fifth optical response means for transmitting a "1" signal to the third node when a fifth light beam having a predetermined wavelength, intensity and size is irradiated;
Connected between the third node and the “0” signal supply unit, and when a sixth light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size is irradiated, a “0” signal is transmitted to the third node. Transmitted sixth optical response means;
One of the two comparison input terminals is connected to the second node and the other is connected to the third node,
The signal values of the second signal input from the second node and the third signal input from the third node are compared, their coincidence and mismatch are determined, and the result is output from the first output terminal to the fourth signal. A comparison unit that outputs as
The fourth signal is transmitted to the fourth node when a seventh light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size is irradiated between the first output terminal and the fourth node. A seventh optical response means output as a judgment value;
Have
The third light beam has a wavelength and intensity that can be detected by the third light response means, and is controlled to have a size that avoids interference between adjacent light response means,
The fourth light beam has a wavelength and intensity that can be detected by the fourth light response means, and is controlled to have a size such that interference between adjacent light response means is avoided,
The fifth light beam has a wavelength and intensity that can be detected by the fifth light response means, and is controlled to have a size that avoids interference between adjacent light response means,
The sixth light beam has a wavelength and intensity that can be detected by the sixth light response means, and is controlled to have a size such that interference between adjacent light response means is avoided,
The seventh light beam has a wavelength and intensity that can be detected by the seventh light response means, and is controlled to have a size that avoids interference between adjacent light response means. inspection circuit to be. 予め定められた波長、強度、大きさの第８光ビームを必要に応じて照射され、その照射の有無を検知する第８受光部と、
前記第８受光部への光ビームの照射により記憶状態が初期化され、初期化以後の入力信号値を記憶すると共に最終判定値として第２出力端から出力する記憶部を、
更に備え、
前記第８光ビームは、前記第８受光部によって検知できるような波長、強度を有するとともに、隣接する受光部間の干渉が避けられるような大きさを有するように制御され、
前記判定値が前記記憶部に入力されることを特徴とする請求項３又は４に記載の検査回路。An eighth light receiving unit that irradiates an eighth light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size as necessary, and detects the presence or absence of the irradiation;
A storage state is initialized by irradiation of the light beam to the eighth light receiving unit, an input signal value after initialization is stored, and a storage unit that outputs from the second output terminal as a final determination value,
In addition,
The eighth light beam has a wavelength and intensity that can be detected by the eighth light receiving unit, and is controlled to have a size such that interference between adjacent light receiving units is avoided,
The inspection circuit according to claim 3, wherein the determination value is input to the storage unit. 予め定められた波長、強度、大きさの第９光ビームを必要に応じて照射され、その照射の有無を検知する第９受光部と、
前記第９受光部への光ビームの照射の有無と前記最終判定値によって電源電流を増加させる機能を有する電流制御部と、
を更に有し、
前記第９光ビームは、前記第９受光部によって検知できるような波長、強度を有するとともに、隣接する受光部間の干渉が避けられるような大きさを有するように制御されることを特徴とする請求項５記載の検査回路。A ninth light receiving unit that irradiates a ninth light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size as necessary, and detects the presence or absence of the irradiation;
A current control unit having a function of increasing a power supply current according to presence / absence of irradiation of the light beam to the ninth light receiving unit and the final determination value;
Was further Yes,
The ninth light beam has a wavelength and intensity that can be detected by the ninth light receiving unit, and is controlled to have a size that can avoid interference between adjacent light receiving units. The inspection circuit according to claim 5. 前記第２出力端と所定の電源との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第９光ビームが照射されたときに導通する第９光応答手段を、更に有し、
前記第９光ビームは、前記第９光応答手段によって検知できるような波長、強度を有するとともに、隣接する光応答手段間の干渉が避けられるような大きさを有するように制御されることを特徴とする請求項５記載の検査回路。Which is connected between the second output terminal and a predetermined power, a predetermined wavelength, intensity, a ninth light responsive means conductive when the ninth light beam size is irradiated, and further organic,
The ninth light beam has a wavelength and intensity that can be detected by the ninth light response means, and is controlled to have a size that avoids interference between adjacent light response means. The inspection circuit according to claim 5. 信号入力用電極と信号出力用電極を有する半導体集積回路装置であって、
前記信号入力用電極が第１の検査回路を備え、且つこの第１の検査回路が、
予め定められた波長、強度、大きさの第１光ビームを照射され、その照射の有無を検知するとともに、照射の有無に応じた第１の電位を出力する第１受光部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第２光ビームを照射され、その照射の有無を検知するとともに、照射の有無に応じた第２の電位を出力する第２受光部と、
“１”（高レベル）信号を供給する“１”信号供給部と、
“０”（低レベル）信号を供給する“０”信号供給部と、
前記第１受光部から前記第１の電位を供給され、前記第２受光部から前記第２の電位を供給され、前記“１”信号供給部から前記“１”信号を供給され、前記“０”信号供給部からの前記”０”信号を供給され、前記第１の電位と前記第２の電位に応答して、第１信号として、前記“１”信号、前記“０”（低レベル）信号、”Ｚ”（ハイインピーダンス ）信号のいずれか出力する出力制御部とを有し、
前記第１信号が前記信号入力用電極に印加され、
前記信号出力用電極が第３の検査回路を備え、
且つこの第３の検査回路が、
複数の異なる光ビームの照射の有無の組み合わせにより、当該信号出力用電極の出力された信号値を所定の信号値と比較し比較結果を判定値として出力する機能を有する比較判定部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第８光ビームを照射され、その照射の有無を検知する第８受光部と、
前記第８受光部への光ビームの照射により記憶状態が初期化され、初期化以後の入力信号値を記憶すると共に最終判定値として出力する記憶部と、
を有し、
前記判定値が前記記憶部に入力され、
前記第１光ビームは、前記第１受光部によって検知できるような波長、強度を有するとともに、隣接する受光部間の干渉が避けられるような大きさを有するように制御され、
前記第２光ビームは、前記第２受光部によって検知できるような波長、強度を有するとともに、隣接する受光部間の干渉が避けられるような大きさを有するように制御され、
前記第８光ビームは、前記第８受光部によって検知できるような波長、強度を有するとともに、隣接する受光部間の干渉が避けられるような大きさを有するように制御されることを特徴とする半導体集積回路装置。A semiconductor integrated circuit device having a signal input electrode and a signal output electrode,
The signal input electrode includes a first inspection circuit, and the first inspection circuit includes:
A first light-receiving unit that is irradiated with a first light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size, detects the presence or absence of the irradiation, and outputs a first potential according to the presence or absence of irradiation ;
A second light receiving unit that is irradiated with a second light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size, detects the presence or absence of the irradiation, and outputs a second potential according to the presence or absence of the irradiation ;
A “1” signal supply unit for supplying a “1” (high level) signal;
A “0” signal supply unit for supplying a “0” (low level) signal;
The first potential is supplied from the first light receiving unit , the second potential is supplied from the second light receiving unit , the “1” signal is supplied from the “1” signal supply unit , and the “0” is supplied. The “0” signal from the “signal supply unit” is supplied, and in response to the first potential and the second potential, as the first signal , the “1” signal, the “0” (low level) An output control unit that outputs either a signal or a “Z” (high impedance ) signal ,
The first signal is applied to the signal input electrode ;
The signal output electrode includes a third inspection circuit;
And this third inspection circuit is
A comparison / determination unit having a function of comparing a signal value output from the signal output electrode with a predetermined signal value and outputting a comparison result as a determination value by a combination of the presence or absence of irradiation with a plurality of different light beams;
An eighth light receiving unit that is irradiated with an eighth light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size and detects the presence or absence of the irradiation;
A storage state is initialized by irradiation of the light beam to the eighth light receiving unit, an input signal value after initialization is stored and output as a final determination value;
Have
The determination value is input to the storage unit,
The first light beam has a wavelength and intensity that can be detected by the first light receiving unit, and is controlled to have a size that avoids interference between adjacent light receiving units,
The second light beam has a wavelength and intensity that can be detected by the second light receiving unit, and is controlled to have a size that avoids interference between adjacent light receiving units,
The eighth light beam, which has a wavelength, intensity, such as can be detected by the eighth light receiving portion is controlled so as to have an interference is sized such avoided between the light receiving portion adjacent to said Rukoto Semiconductor integrated circuit device. 信号入力用電極と信号出力用電極を有する半導体集積回路装置であって、
前記信号入力用電極が第１の検査回路を備え、且つこの第１の検査回路が、
“１”（高レベル）信号を供給する“１”信号供給部と、
“０”（低レベル）信号を供給する“０”信号供給部と、
前記信号入力用電極に接続された第１ノードと前記“１”信号供給部との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第１光ビームが照射されたとき、“１”信号が前記
第１ノードに伝達される第１光応答手段と、
前記第１ノードと前記“０”信号供給部との間に接続され、予め定められた波長、強度、
大きさの第２光ビームが照射されたとき、“０”信号が前記第１ノードに伝達される第２光応答手段と、
を有し、
前記信号出力用電極が第３の検査回路を備え、且つこの第３の検査回路が、
複数の異なる光ビームの照射の有無の組み合わせにより、当該信号出力用電極の出力された信号値を所定の信号値と比較し比較結果を判定値として出力する機能を有する比較判定部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第８光ビームを照射され、その照射の有無を検知する第８受光部と、
前記第８受光部への光ビームの照射により記憶状態が初期化され、初期化以後の入力信号値を記憶すると共に最終判定値として出力する記憶部と、
を有し、
前記判定値が前記記憶部に入力され、
前記第１光ビームは、前記第１光応答手段によって検知できるような波長、強度を有するとともに、隣接する光応答手段間の干渉が避けられるような大きさを有するように制御され、
前記第２光ビームは、前記第２光応答手段によって検知できるような波長、強度を有するとともに、隣接する光応答手段間の干渉が避けられるような大きさを有するように制御され、
前記第８光ビームは、前記第８受光部によって検知できるような波長、強度を有するとと もに、隣接する受光部間の干渉が避けられるような大きさを有するように制御されることを特徴とする半導体集積回路装置。A semiconductor integrated circuit device having a signal input electrode and a signal output electrode,
The signal input electrode includes a first inspection circuit, and the first inspection circuit includes:
A “1” signal supply unit for supplying a “1” (high level) signal;
A “0” signal supply unit for supplying a “0” (low level) signal;
Connected between the first node connected to the signal input electrode and the “1” signal supply unit, and when a first light beam having a predetermined wavelength, intensity and size is irradiated, “1” A first optical response means for transmitting a signal to the first node;
Connected between the first node and the “0” signal supply unit, a predetermined wavelength, intensity,
Second optical response means for transmitting a “0” signal to the first node when a second light beam of a size is irradiated;
I have a,
The signal output electrode includes a third inspection circuit, and the third inspection circuit includes:
A comparison / determination unit having a function of comparing a signal value output from the signal output electrode with a predetermined signal value and outputting a comparison result as a determination value by a combination of the presence or absence of irradiation with a plurality of different light beams;
An eighth light receiving unit that is irradiated with an eighth light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size and detects the presence or absence of the irradiation;
A storage state is initialized by irradiation of the light beam to the eighth light receiving unit, an input signal value after initialization is stored and output as a final determination value;
Have
The determination value is input to the storage unit,
The first light beam has a wavelength and intensity that can be detected by the first light response means, and is controlled to have a size such that interference between adjacent light response means is avoided,
The second light beam has a wavelength and intensity that can be detected by the second light response means, and is controlled to have a size that avoids interference between adjacent light response means,
The eighth light beam, the eighth wavelength, such as can be detected by the light receiving unit, and a monitor having a strength, a Rukoto is controlled so as to have an interference is sized such avoided between adjacent light receiving portions A semiconductor integrated circuit device. 信号入力用電極と信号出力用電極を有する半導体集積回路装置であって、
前記信号入力用電極が第１の検査回路を備え、且つこの第１の検査回路が、
予め定められた波長、強度、大きさの第１光ビームを照射され、その照射の有無を検知するとともに、照射の有無に応じた第１の電位を出力する第１受光部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第２光ビームを照射され、その照射の有無を検知するとともに、照射の有無に応じた第２の電位を出力する第２受光部と、
“１”（高レベル）信号を供給する“１”信号供給部と、
“０”（低レベル）信号を供給する“０”信号供給部と、
前記第１受光部から前記第１の電位を供給され、前記第２受光部から前記第２の電位を供給され、前記“１”信号供給部から前記“１”信号を供給され、前記“０”信号供給部からの前記”０”信号を供給され、前記第１の電位と前記第２の電位に応答して、第１信号として、前記“１”信号、前記“０”信号、”Ｚ”（ハイインピーダンス）信号のいずれか出力する出力制御部と
を有し、
前記第１信号が前記信号入力用電極に印加され、
前記信号出力用電極が第４の検査回路を備え、且つこの第４の検査回路が、
複数の異なる光ビームの照射の有無の組み合わせにより、当該信号出力用電極の出力された信号値を所定の信号値と比較し比較結果を判定値として出力する機能を有する比較判定部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第８光ビームを照射され、その照射の有無を検知する第８受光部と、
前記第８受光部への光ビームの照射により記憶状態が初期化され、初期化以後の入力信号値を記憶すると共に最終判定値として出力する記憶部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第９光ビームを照射され、その照射の有無を検知する第９受光部と、
前記第９受光部への光ビームの照射の有無と前記最終判定値によって電源電流を増加させる機能を有する電流制御部と、
を有し、
前記判定値が前記記憶部に入力され、
前記第１光ビームは、前記第１受光部によって検知できるような波長、強度を有するとともに、隣接する受光部間の干渉が避けられるような大きさを有するように制御され、
前記第２光ビームは、前記第２受光部によって検知できるような波長、強度を有するとともに、隣接する受光部間の干渉が避けられるような大きさを有するように制御され、
前記第８光ビームは、前記第８受光部によって検知できるような波長、強度を有するとともに、隣接する受光部間の干渉が避けられるような大きさを有するように制御され、
前記第９光ビームは、前記第９受光部によって検知できるような波長、強度を有するとともに、隣接する受光部間の干渉が避けられるような大きさを有するように制御されることを特徴とする半導体集積回路装置。 A semiconductor integrated circuit device having a signal input electrode and a signal output electrode,
The signal input electrode includes a first inspection circuit, and the first inspection circuit includes:
A first light receiving unit that is irradiated with a first light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size, detects the presence or absence of the irradiation, and outputs a first potential according to the presence or absence of irradiation;
A second light receiving unit that is irradiated with a second light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size, detects the presence or absence of the irradiation, and outputs a second potential according to the presence or absence of the irradiation;
A “1” signal supply unit for supplying a “1” (high level) signal;
A “0” signal supply unit for supplying a “0” (low level) signal;
The first potential is supplied from the first light receiving unit, the second potential is supplied from the second light receiving unit, the “1” signal is supplied from the “1” signal supply unit, and the “0” is supplied. The “0” signal from the “signal supply unit” is supplied, and in response to the first potential and the second potential, the “1” signal, the “0” signal, “Z” ”(High impedance) output controller that outputs one of the signals
Have
The first signal is applied to the signal input electrode;
The signal output electrode includes a fourth inspection circuit, and the fourth inspection circuit includes:
A comparison / determination unit having a function of comparing a signal value output from the signal output electrode with a predetermined signal value and outputting a comparison result as a determination value by a combination of the presence or absence of irradiation with a plurality of different light beams;
Wavelength stipulated Me pre intensity is irradiated with the eighth light beam size, and the eighth light-receiving unit for detecting the presence or absence of irradiation,
A storage state is initialized by irradiation of the light beam to the eighth light receiving unit, an input signal value after initialization is stored and output as a final determination value;
A ninth light receiving unit that is irradiated with a ninth light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size, and detects the presence or absence of the irradiation;
A current control unit having a function of increasing a power supply current according to presence / absence of light beam irradiation to the ninth light receiving unit and the final determination value;
Have
The determination value is input to the storage unit,
The first light beam has a wavelength and intensity that can be detected by the first light receiving unit, and is controlled to have a size that avoids interference between adjacent light receiving units,
The second light beam has a wavelength and intensity that can be detected by the second light receiving unit, and is controlled to have a size that avoids interference between adjacent light receiving units,
The eighth light beam has a wavelength and intensity that can be detected by the eighth light receiving unit, and is controlled to have a size such that interference between adjacent light receiving units is avoided,
The ninth light beam has a wavelength and intensity that can be detected by the ninth light receiving unit, and is controlled to have a size that can avoid interference between adjacent light receiving units. Semiconductor integrated circuit device. 信号入力用電極と信号出力用電極を有する半導体集積回路装置であって、
前記信号入力用電極が第１の検査回路を備え、且つこの第１の検査回路が、
“１”（高レベル）信号を供給する“１”信号供給部と、
“０”（低レベル）信号を供給する“０”信号供給部と、
前記信号入力用電極に接続された第１ノードと前記“１”信号供給部との間に接続され、
予め定められた波長、強度、大きさの第１光ビームが照射されたとき、“１”信号が前記第１ノードに伝達される第１光応答手段と、
前記第１ノードと前記“０”信号供給部との間に接続され、予め定められた波長、強度、
大きさの第２光ビームが照射されたとき、“０”信号が前記第１ノードに伝達される第２光応答手段と、
を有し、
前記信号出力用電極が第４の検査回路を備え、且つこの第４の検査回路が、
複数の異なる光ビームの照射の有無の組み合わせにより、当該信号出力用電極の出力された信号値を所定の信号値と比較し比較結果を判定値として出力する機能を有する比較判定部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第８光ビームを照射され、その照射の有無を検知する第８受光部と、
前記第８受光部への光ビームの照射により記憶状態が初期化され、初期化以後の入力信号値を記憶すると共に最終判定値として出力する記憶部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第９光ビームを照射され、その照射の有無を検知する第９受光部と、
前記第９受光部への光ビームの照射の有無と前記最終判定値によって電源電流を増加させる機能を有する電流制御部と、を有し、
前記判定値が前記記憶部に入力され、
前記第１光ビームは、前記第１光応答手段によって検知できるような波長、強度を有するとともに、隣接する光応答手段間の干渉が避けられるような大きさを有するように制御され、
前記第２光ビームは、前記第２光応答手段によって検知できるような波長、強度を有するとともに、隣接する光応答手段間の干渉が避けられるような大きさを有するように制御され、
前記第８光ビームは、前記第８受光部によって検知できるような波長、強度を有するとともに、隣接する受光部間の干渉が避けられるような大きさを有するように制御され、
前記第９光ビームは、前記第９受光部によって検知できるような波長、強度を有するとともに、隣接する受光部間の干渉が避けられるような大きさを有するように制御されることを特徴とする半導体集積回路装置。 A semiconductor integrated circuit device having a signal input electrode and a signal output electrode,
The signal input electrode includes a first inspection circuit, and the first inspection circuit includes:
A “1” signal supply unit for supplying a “1” (high level) signal;
A “0” signal supply unit for supplying a “0” (low level) signal;
A first node connected to the signal input electrode and the “1” signal supply unit;
First optical response means for transmitting a "1" signal to the first node when a first light beam having a predetermined wavelength, intensity and size is irradiated;
Connected between the first node and the “0” signal supply unit, a predetermined wavelength, intensity,
Second optical response means for transmitting a “0” signal to the first node when a second light beam of a size is irradiated;
Have
The signal output electrode includes a fourth inspection circuit, and the fourth inspection circuit includes:
A comparison / determination unit having a function of comparing a signal value output from the signal output electrode with a predetermined signal value and outputting a comparison result as a determination value by a combination of the presence or absence of irradiation with a plurality of different light beams;
An eighth light receiving unit that is irradiated with an eighth light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size and detects the presence or absence of the irradiation;
A storage state is initialized by irradiation of the light beam to the eighth light receiving unit, an input signal value after initialization is stored and output as a final determination value;
A ninth light receiving unit that is irradiated with a ninth light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size, and detects the presence or absence of the irradiation;
A current control unit having a function of increasing a power supply current by the presence / absence of irradiation of the light beam to the ninth light receiving unit and the final determination value;
The determination value is input to the storage unit,
The first light beam has a wavelength and intensity that can be detected by the first light response means, and is controlled to have a size such that interference between adjacent light response means is avoided,
The second light beam has a wavelength and intensity that can be detected by the second light response means, and is controlled to have a size that avoids interference between adjacent light response means,
The eighth light beam has a wavelength and intensity that can be detected by the eighth light receiving unit, and is controlled to have a size such that interference between adjacent light receiving units is avoided,
The ninth light beam has a wavelength and intensity that can be detected by the ninth light receiving unit, and is controlled to have a size that can avoid interference between adjacent light receiving units. Semiconductor integrated circuit device. 信号入力用電極と信号出力用電極を有する半導体集積回路装置であって、前記信号入力用電極が第１の検査回路を備え、且つこの第１の検査回路が、
予め定められた波長、強度、大きさの第１光ビームを照射され、その照射の有無を検知するとともに、照射の有無に応じた第１の電位を出力する第１受光部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第２光ビームを照射され、その照射の有無を検知するとともに、照射の有無に応じた第２の電位を出力する第２受光部と、
“１”（高レベル）信号を供給する“１”信号供給部と、
“０”（低レベル）信号を供給する“０”信号供給部と、
前記第１受光部から前記第１の電位を供給され、前記第２受光部から前記第２の電位を供給され、前記“１”信号供給部から前記“１”信号を供給され、前記“０”信号供給部からの前記”０”信号を供給され、前記第１の電位と前記第２の電位に応答して、第１信号として、前記“１”信号、前記“０”信号、”Ｚ”（ハイインピーダンス）信号のいずれか出力する出力制御部と
を有し、
前記第１信号が前記信号入力用電極に印加され、
前記信号出力用電極が第４の検査回路を備え、且つこの第４の検査回路が、
複数の異なる光ビームの照射の有無の組み合わせにより、当該信号出力用電極の出力された信号値を所定の信号値と比較し比較結果を判定値として出力する機能を有する比較判定部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第８光ビームを照射され、その照射の有無を検知する第８受光部と、
前記第８受光部への光ビームの照射により記憶状態が初期化され、初期化以後の入力信号値を記憶すると共に、最終判定値として第２出力端から出力する記憶部と、
前記第２出力端と所定の電源との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第９光ビームが照射されたときに導通する第９光応答手段を、を有し、
前記判定値が前記記憶部に入力され、
前記第１光ビームは、前記第１受光部によって検知できるような波長、強度を有するとともに、隣接する受光部間の干渉が避けられるような大きさを有するように制御され、
前記第２光ビームは、前記第２受光部によって検知できるような波長、強度を有するとともに、隣接する受光部間の干渉が避けられるような大きさを有するように制御され、
前記第８光ビームは、前記第８受光部によって検知できるような波長、強度を有するとともに、隣接する受光部間の干渉が避けられるような大きさを有するように制御され、
前記第９光ビームは、前記第９光応答手段によって検知できるような波長、強度を有するとともに、隣接する光応答手段間の干渉が避けられるような大きさを有するように制御されることを特徴とする半導体集積回路装置。 A semiconductor integrated circuit device having a signal input electrode and a signal output electrode, wherein the signal input electrode includes a first inspection circuit, and the first inspection circuit includes:
A first light receiving unit that is irradiated with a first light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size, detects the presence or absence of the irradiation, and outputs a first potential according to the presence or absence of irradiation;
A second light receiving unit that is irradiated with a second light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size, detects the presence or absence of the irradiation, and outputs a second potential according to the presence or absence of the irradiation;
A “1” signal supply unit for supplying a “1” (high level) signal;
A “0” signal supply unit for supplying a “0” (low level) signal;
The first potential is supplied from the first light receiving unit, the second potential is supplied from the second light receiving unit, the “1” signal is supplied from the “1” signal supply unit, and the “0” is supplied. The “0” signal from the “signal supply unit” is supplied, and in response to the first potential and the second potential, the “1” signal, the “0” signal, “Z” ”(High impedance) output controller that outputs one of the signals
Have
The first signal is applied to the signal input electrode;
The signal output electrode includes a fourth inspection circuit, and the fourth inspection circuit includes:
A comparison / determination unit having a function of comparing a signal value output from the signal output electrode with a predetermined signal value and outputting a comparison result as a determination value by a combination of the presence or absence of irradiation with a plurality of different light beams;
An eighth light receiving unit that is irradiated with an eighth light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size and detects the presence or absence of the irradiation;
A storage state is initialized by irradiation of the light beam to the eighth light receiving unit, an input signal value after initialization is stored, and a storage unit that outputs from the second output terminal as a final determination value;
A ninth optical response means connected between the second output terminal and a predetermined power source and conducting when a ninth light beam having a predetermined wavelength, intensity and size is irradiated;
The determination value is input to the storage unit,
The first light beam has a wavelength and intensity that can be detected by the first light receiving unit, and is controlled to have a size that avoids interference between adjacent light receiving units,
The second light beam has a wavelength and intensity that can be detected by the second light receiving unit, and is controlled to have a size that avoids interference between adjacent light receiving units,
The eighth light beam has a wavelength and intensity that can be detected by the eighth light receiving unit, and is controlled to have a size such that interference between adjacent light receiving units is avoided,
The ninth light beam has a wavelength and intensity that can be detected by the ninth light response means, and is controlled to have a size that avoids interference between adjacent light response means. A semiconductor integrated circuit device. 信号入力用電極と信号出力用電極を有する半導体集積回路装置であって、前記信号入力用電極が第１の検査回路を備え、且つこの第１の検査回路が、
“１”（高レベル）信号を供給する“１”信号供給部と、
“０”（低レベル）信号を供給する“０”信号供給部と、
前記信号入力用電極に接続された第１ノードと前記“１”信号供給部との間に接続され、
予め定められた波長、強度、大きさの第１光ビームが照射されたとき、“１”信号が前記第１ノードに伝達される第１光応答手段と、
前記第１ノードと前記“０”信号供給部との間に接続され、予め定められた波長、強度、
大きさの第２光ビームが照射されたとき、“０”信号が前記第１ノードに伝達される第２光応答手段と、
を有し、
前記信号出力用電極が第４の検査回路を備え、且つこの第４の検査回路が、
複数の異なる光ビームの照射の有無の組み合わせにより、当該信号出力用電極の出力された信号値を所定の信号値と比較し比較結果を判定値として出力する機能を有する比較判定部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第８光ビームを照射され、その照射の有無を検知する第８受光部と、
前記第８受光部への光ビームの照射により記憶状態が初期化され、初期化以後の入力信号値を記憶すると共に、最終判定値として第２出力端から出力する記憶部と、
前記第２出力端と所定の電源との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第９光ビームが照射されたときに導通する第９光応答手段を、を有し、
前記判定値が前記記憶部に入力され、
前記第１光ビームは、前記第１光応答手段によって検知できるような波長、強度を有するとともに、隣接する光応答手段間の干渉が避けられるような大きさを有するように制御され、
前記第２光ビームは、前記第２光応答手段によって検知できるような波長、強度を有するとともに、隣接する光応答手段間の干渉が避けられるような大きさを有するように制御され、
前記第８光ビームは、前記第８受光部によって検知できるような波長、強度を有するとともに、隣接する受光部間の干渉が避けられるような大きさを有するように制御され、
前記第９光ビームは、前記第９光応答手段によって検知できるような波長、強度を有するとともに、隣接する光応答手段間の干渉が避けられるような大きさを有するように制御されることを特徴とする半導体集積回路装置。 A semiconductor integrated circuit device having a signal input electrode and a signal output electrode, wherein the signal input electrode includes a first inspection circuit, and the first inspection circuit includes:
A “1” signal supply unit for supplying a “1” (high level) signal;
A “0” signal supply unit for supplying a “0” (low level) signal;
A first node connected to the signal input electrode and the “1” signal supply unit;
First optical response means for transmitting a "1" signal to the first node when a first light beam having a predetermined wavelength, intensity and size is irradiated;
Connected between the first node and the “0” signal supply unit, a predetermined wavelength, intensity,
Second optical response means for transmitting a “0” signal to the first node when a second light beam of a size is irradiated;
Have
The signal output electrode includes a fourth inspection circuit, and the fourth inspection circuit includes:
A comparison / determination unit having a function of comparing a signal value output from the signal output electrode with a predetermined signal value and outputting a comparison result as a determination value by a combination of the presence or absence of irradiation with a plurality of different light beams;
An eighth light receiving unit that is irradiated with an eighth light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size and detects the presence or absence of the irradiation;
A storage state is initialized by irradiation of the light beam to the eighth light receiving unit, an input signal value after initialization is stored, and a storage unit that outputs from the second output terminal as a final determination value;
A ninth optical response means connected between the second output terminal and a predetermined power source and conducting when a ninth light beam having a predetermined wavelength, intensity and size is irradiated;
The determination value is input to the storage unit ,
The first light beam has a wavelength and intensity that can be detected by the first light response means, and is controlled to have a size such that interference between adjacent light response means is avoided,
The second light beam has a wavelength and intensity that can be detected by the second light response means, and is controlled to have a size that avoids interference between adjacent light response means,
The eighth light beam has a wavelength and intensity that can be detected by the eighth light receiving unit, and is controlled to have a size such that interference between adjacent light receiving units is avoided,
The ninth light beam has a wavelength and intensity that can be detected by the ninth light response means, and is controlled to have a size that avoids interference between adjacent light response means. A semiconductor integrated circuit device. 前記比較判定部が、
予め定められた波長、強度、大きさの第３光ビームを照射され、その照射の有無を検知するとともに、照射の有無に応じた第３の電位を出力する第３受光部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第４光ビームを照射され、その照射の有無を検知するとともに、照射の有無に応じた第４の電位を出力する第４受光部と、
“１”（高レベル）信号を供給する“１”信号供給部と、
“０”（低レベル）信号を供給する“０”信号供給部と、
前記第３受光部から前記第３の電位を供給され、前記第４受光部から前記第４の電位を供給され、前記“１”信号供給部から前記“１”信号を供給され、前記“０”信号供給部からの前記”０”信号を供給され、前記第３の電位と前記第４の電位に応答して、第１信号として、前記“１”信号、前記“０”信号、”Ｚ”（ハイインピーダンス）信号のいずれかを出力する第２出力制御部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第５光ビームを照射され、その照射を検知するとともに、照射の有無に応じた第５の電位を供給する第５受光部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第６光ビームを照射され、その照射を検知するとともに、照射の有無に応じた第６の電位を供給する第６受光部と、
前記第５受光部から前記第５の電位を供給され、前記第６受光部から前記第６の電位を供給され、前記信号出力用電極の信号値を供給され、前記第５の電位と前記第６の電位と前記信号出力用電極の信号値とに応答して、第３信号として、前記“１”信号、前記“０”信号のいずれかを出力する制御部と、
前記第２信号と前記第３信号とを入力して前記第２信号の信号値と前記第３信号の信号値とを比較し、その一致、不一致を判定して結果を第４信号として出力する比較部と、
予め定められた波長、強度、大きさの第７光ビームを照射され、その照射を検知する第７受光部と、
前記第７受光部における前記第７光ビームの照射により、前記第４信号を判定値として出力するゲート部と、
を有し、
前記第３光ビームは、前記第３受光部によって検知できるような波長、強度を有するとともに、隣接する受光部間の干渉が避けられるような大きさを有するように制御され、
前記第４光ビームは、前記第４受光部によって検知できるような波長、強度を有するとともに、隣接する受光部間の干渉が避けられるような大きさを有するように制御され、
前記第５光ビームは、前記第５受光部によって検知できるような波長、強度を有するとともに、隣接する受光部間の干渉が避けられるような大きさを有するように制御され、
前記第６光ビームは、前記第６受光部によって検知できるような波長、強度を有するとともに、隣接する受光部間の干渉が避けられるような大きさを有するように制御され、
前記第７光ビームは、前記第７受光部によって検知できるような波長、強度を有するとともに、隣接する受光部間の干渉が避けられるような大きさを有するように制御されることを特徴とする請求項８乃至１３いずれか１項に記載の半導体集積回路装置。The comparison determination unit
A third light receiving unit that is irradiated with a third light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size, detects the presence or absence of the irradiation, and outputs a third potential according to the presence or absence of the irradiation ;
A fourth light receiving unit that is irradiated with a fourth light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size, detects the presence or absence of the irradiation, and outputs a fourth potential according to the presence or absence of irradiation ;
A “1” signal supply unit for supplying a “1” (high level) signal;
A “0” signal supply unit for supplying a “0” (low level) signal;
The third light receiving portion is supplied with the third potential, the fourth light receiving portion is supplied with the fourth potential, the “1” signal supplying portion is supplied with the “1” signal, and the “0” is supplied. The “0” signal from the “signal supply unit” is supplied, and in response to the third potential and the fourth potential, the “1” signal, the “0” signal, “Z” A second output controller that outputs any of the “high impedance” signals ;
A fifth light receiving section that is irradiated with a fifth light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size, detects the irradiation, and supplies a fifth potential according to the presence or absence of irradiation ;
A sixth light receiving unit that is irradiated with a sixth light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size, detects the irradiation, and supplies a sixth potential according to the presence or absence of irradiation ;
The fifth light receiving portion is supplied with the fifth potential, the sixth light receiving portion is supplied with the sixth potential, the signal value of the signal output electrode is supplied, and the fifth potential and the fifth potential are supplied. A control unit that outputs one of the “1” signal and the “0” signal as a third signal in response to the potential of 6 and the signal value of the signal output electrode ;
The second signal and the third signal are inputted, the signal value of the second signal is compared with the signal value of the third signal, the coincidence or mismatch is judged, and the result is outputted as the fourth signal A comparison unit;
A seventh light receiving unit that is irradiated with a seventh light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size and detects the irradiation;
A gate unit that outputs the fourth signal as a determination value by irradiation of the seventh light beam in the seventh light receiving unit;
I have a,
The third light beam has a wavelength and intensity that can be detected by the third light receiving unit, and is controlled to have a size such that interference between adjacent light receiving units is avoided,
The fourth light beam has a wavelength and intensity that can be detected by the fourth light receiving unit, and is controlled to have a size such that interference between adjacent light receiving units is avoided,
The fifth light beam has a wavelength and intensity that can be detected by the fifth light receiving unit, and is controlled to have a size that avoids interference between adjacent light receiving units,
The sixth light beam has a wavelength and intensity that can be detected by the sixth light receiving unit, and is controlled to have a size that avoids interference between adjacent light receiving units,
The seventh light beam has a wavelength and intensity that can be detected by the seventh light receiving unit, and is controlled to have a size that avoids interference between adjacent light receiving units. The semiconductor integrated circuit device according to claim 8 . 前記比較判定部が、
“１”（高レベル）信号を供給する“１”信号供給部と、
“０”（低レベル）信号を供給する“０”信号供給部と、
所定の第２ノードと前記“１”信号供給部との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第３光ビームが照射されたとき、“１”信号が前記第２ノードに伝達される第３光応答手段と、
前記第２ノードと前記“０”信号供給部との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第４光ビームが照射されたとき、“０”信号が前記第２ノードに伝達される第４光応答手段と、
前記信号出力用電極に接続された第３ノードと前記“１”信号供給部との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第５光ビームが照射されたとき、“１”信号が前記第３ノードに伝達される第５光応答手段と、
前記第３ノードと前記“０”信号供給部との間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第６光ビームが照射されたとき、“０”信号が前記第３ノードに伝達される第６光応答手段と、
二つの比較入力端の一方が前記第２ノードに他方が前記第３ノードにそれぞれ接続され、前記第２ノードから入力される第２信号と前記第３ノードから入力される第３信号のそれぞれの信号値を比較し、その一致、不一致を判定して結果を第１出力端から第４信号として出力する比較部と、
前記第１出力端と第４ノードとの間に接続され、予め定められた波長、強度、大きさの第７光ビームが照射されたとき、前記第４信号が前記第４ノードに伝達されて判定値として出力される第７光応答手段と、
を有し、
前記第３光ビームは、前記第３光応答手段によって検知できるような波長、強度を有するとともに、隣接する光応答手段間の干渉が避けられるような大きさを有するように制御され、
前記第４光ビームは、前記第４光応答手段によって検知できるような波長、強度を有するとともに、隣接する光応答手段間の干渉が避けられるような大きさを有するように制御され、
前記第５光ビームは、前記第５光応答手段によって検知できるような波長、強度を有するとともに、隣接する光応答手段間の干渉が避けられるような大きさを有するように制御され、
前記第６光ビームは、前記第６光応答手段によって検知できるような波長、強度を有するとともに、隣接する光応答手段間の干渉が避けられるような大きさを有するように制御され、
前記第７光ビームは、前記第７光応答手段によって検知できるような波長、強度を有するとともに、隣接する光応答手段間の干渉が避けられるような大きさを有するように制御されることを特徴とする請求項８乃至１３いずれか１項に記載の半導体集積回路装置。The comparison determination unit
A “1” signal supply unit for supplying a “1” (high level) signal;
A “0” signal supply unit for supplying a “0” (low level) signal;
Connected between a predetermined second node and the “1” signal supply unit, and when a third light beam having a predetermined wavelength, intensity and size is irradiated, a “1” signal is transmitted to the second node. A third optical response means transmitted to
Connected between the second node and the “0” signal supply unit, and when a fourth light beam having a predetermined wavelength, intensity and size is irradiated, a “0” signal is transmitted to the second node. A fourth optical response means to be transmitted;
When a fifth light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size is irradiated between the third node connected to the signal output electrode and the “1” signal supply unit, “1” A fifth optical response means for transmitting a signal to the third node;
Connected between the third node and the “0” signal supply unit, and when a sixth light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size is irradiated, a “0” signal is transmitted to the third node. Transmitted sixth optical response means;
One of the two comparison input terminals is connected to the second node and the other is connected to the third node, respectively. The second signal input from the second node and the third signal input from the third node A comparator that compares the signal values, determines the match and mismatch, and outputs the result as a fourth signal from the first output end;
The fourth signal is transmitted to the fourth node when a seventh light beam having a predetermined wavelength, intensity, and size is irradiated between the first output terminal and the fourth node. A seventh optical response means output as a judgment value;
I have a,
The third light beam has a wavelength and intensity that can be detected by the third light response means, and is controlled to have a size that avoids interference between adjacent light response means,
The fourth light beam has a wavelength and intensity that can be detected by the fourth light response means, and is controlled to have a size such that interference between adjacent light response means is avoided,
The fifth light beam has a wavelength and intensity that can be detected by the fifth light response means, and is controlled to have a size that avoids interference between adjacent light response means,
The sixth light beam has a wavelength and intensity that can be detected by the sixth light response means, and is controlled to have a size such that interference between adjacent light response means is avoided,
The seventh light beam has a wavelength and intensity that can be detected by the seventh light response means, and is controlled to have a size that avoids interference between adjacent light response means. the semiconductor integrated circuit device according to any one of claims 8 to 13,.
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