JPH0650335B2 - Leak current test circuit - Google Patents

Leak current test circuit

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JPH0650335B2
JPH0650335B2 JP59081398A JP8139884A JPH0650335B2 JP H0650335 B2 JPH0650335 B2 JP H0650335B2 JP 59081398 A JP59081398 A JP 59081398A JP 8139884 A JP8139884 A JP 8139884A JP H0650335 B2 JPH0650335 B2 JP H0650335B2
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JP
Japan
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terminal
level
leak current
test circuit
current test
Prior art date
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卓 山崎
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Seiko Epson Corp
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は入力端子の入力リーク電流を検定するリーク電
流検定回路に関する。
The present invention relates to a leak current test circuit for testing an input leak current of an input terminal.

〔従来技術〕[Prior art]

第1図にフアクシミリなどして用いられている従来の密
着イメージ・センサにおけるセンサ情報読取回路の例を
示す。端子Iは直接フオトセンサに接続された、個々の
フオトセンサからの情報を受ける入力端子である。1は
Nチヤネルトランジスタであり、クリア信号Cをハイに
することにより、端子Iの寄生容量に蓄積された電荷を
除去する働きをする。Vssは負側の電源ラインである。
この図は入力端子Iをロウにプリチヤージする場合を示
したものであるが、Pチヤネルトランジスタのみを用い
てハイにプリチヤージする場合もある。2はクロツクド
インバータであるが、代わりにアナログスイツチを用い
る場合もある。3はシフトレジスタであり、シフトクロ
ツクCLとシフトレジスタ出力Qは第2図に示すような
タイムチヤートで動作する。
FIG. 1 shows an example of a sensor information reading circuit in a conventional contact image sensor used as a facsimile. The terminal I is an input terminal that is directly connected to the photosensor and receives information from each photosensor. Reference numeral 1 denotes an N-channel transistor, which functions to remove the electric charge accumulated in the parasitic capacitance of the terminal I by making the clear signal C high. Vss is the negative power supply line.
Although this figure shows the case where the input terminal I is precharged to low, it may be precharged to high by using only the P channel transistor. Reference numeral 2 is a clocked inverter, but an analog switch may be used instead. Reference numeral 3 is a shift register, and the shift clock CL and the shift register output Q operate in a time chart as shown in FIG.

センサには耐湿性や高温での信頼性が良好であること
や、光応答が速いことからアモルフアスシリコン(α−
Si:H)によるフオトダイオードが主に用いられてい
るが、α−Si:Hのフオトダイオードは光起電流が極
めて小さいという使いにくさがある。光起電流を増すに
は光源の光を強くするとか、センサの受光面積を広くす
るという手段が考えられるが、前者は光源の寿命を短か
くさせるし、後者は像のボケをもたらしたり実装不可能
にさせる。上記の理由によりセルフオツクスレンズを通
してセンサに入いる光強度は通常百ルクス程度とされ、
またセンサの受光面積は分解能が8ドツト/mmで約10
0μm程度であり、16ドツト/mmで約60μm
度であり、これから得られる光起電流は約1nAであ
る。このためセンサ情報を受ける入力端子の許容リーク
は室温で数十PA以下に抑える必要がある。こういつた
極めて微弱なリークの有無をLSIテスタを用いて検定
し保証するには、極めて高価な専用の高精度テスターが
必要になり、また仮に高精度テスターをそろえたとして
も、ノイズや誘導によりPAレベルの検定を量産規模で
行なうことは事実上不可能に近い。すなわちIC自体を
作ることは出来ても、微細の入力リーク電流がある不良
ICを不良品としてリジエクトすることが出来ない。
The sensor has good humidity resistance and high reliability at high temperature, and it has a fast optical response.
Although a photodiode based on Si: H) is mainly used, an α-Si: H photodiode has an extremely small photocurrent, which is unusable. In order to increase the photovoltaic current, it is conceivable to increase the light from the light source or widen the light receiving area of the sensor.The former shortens the life of the light source, and the latter causes image blurring or mounting failure Make it possible. For the above reason, the light intensity entering the sensor through the self-ox lens is usually about 100 lux,
The light receiving area of the sensor is about 10 with a resolution of 8 dots / mm.
It is about 0 μm , about 60 μm at 16 dots / mm, and the photocurrent obtained from this is about 1 nA. Therefore, it is necessary to suppress the allowable leak of the input terminal that receives the sensor information to several tens of PA or less at room temperature. In order to certify and guarantee the presence or absence of such extremely weak leaks using an LSI tester, an extremely expensive dedicated high-precision tester is required, and even if a high-precision tester is prepared, noise and induction It is virtually impossible to perform PA level verification on a mass production scale. That is, although the IC itself can be manufactured, a defective IC having a minute input leakage current cannot be rejected as a defective product.

〔目的〕〔Purpose〕

本発明は上記のような不具合点を解決するためのもの
で、IC自体にPAレベルの入力リークの有無をチエツ
クさせ増幅して出力させる機能を持たせることにより、
PAレベルの入力リーク電流を持つ不良ICをリジエク
トできるようにすることを目的としている。
The present invention is intended to solve the above-described problems, and the IC itself is provided with a function of checking for the presence or absence of PA-level input leakage, amplifying it, and outputting it.
It is intended to allow a defective IC having a PA-level input leakage current to be rejected.

〔概要〕〔Overview〕

本発明のリーク電流検定回路は、複数の入力端子を各々
試験的にハイレベル又はロウレベルのうち所定のレベル
に設定し、かつ前記所定のレベルに設定した後、前記複
数の入力端子をハイインピーダンスの状態とする手段
と、前記複数の入力端子から出力される前記所定レベル
に基づく複数の信号を、各々複数のインピーダンス変換
手段を介して単一の出力端子へ順次出力させる手段とを
設けたことを特徴とする。
The leak current test circuit of the present invention sets a plurality of input terminals to a predetermined level of a high level or a low level on a test basis, and sets the plurality of input terminals to a high impedance state after setting the predetermined level. And a means for sequentially outputting a plurality of signals based on the predetermined level output from the plurality of input terminals to a single output terminal through a plurality of impedance conversion means. Characterize.

〔実施例〕〔Example〕

第3〜6図は本発明の実施例である。以下の説明におい
てはハイレベルを1、ロウレベルを0として記述する。
第3図においては、C・=1、0の時は入力端子Iには
すべてロウのレベルが与えられ、・=0、1の時は入
力端子IにはPチヤネルトランジスタ4によりハイのレ
ベルが与えられ、・=1の時は入力端子Iはハイイ
ンピーダンスとなる。C・T=1の状態は禁止状態であ
る。
3 to 6 are examples of the present invention. In the following description, the high level is 1 and the low level is 0.
In FIG. 3, when C. = 1, 0, all the low levels are given to the input terminal I, and when C = 0 and 1, the high level is applied to the input terminal I by the P channel transistor 4. When given, and. = 1, the input terminal I becomes high impedance. The state of C · T = 1 is a prohibited state.

第3図の回路において入力端子Iのリーク電流を検定す
る方法を以下に述べる。まず端子Iがハイにリークして
いるか否かを調べるには、瞬間的にC・=1にして端
子Iをロウレベルにプリチヤージした後、一定時間・
=1の状態を保ちその後端子Iのレベルがリークによ
ってハイに変わっていることがないかどうか、端子Iの
レベルを順次出力させる手段であるシフトレジスタを動
作させ、シリアル信号出力ラインOut端子から順次送
り出されてくる情報をチェックする。逆に端子Iがロウ
にリークしているか否かを調べるには、瞬間的に・T
=1にして端子Iをハイレベルにプリチヤージした後、
一定時間・=1の状態を保ち、その後シフトレジス
タを動作させ、端子Iのレベルがリークによつてロウに
変わつていることがないかどうかをOut端子から送り出
されてくる情報をチエツクする。端子Iの寄生容量は普
通1〜2PFであり高々5PFである。それ故10PA
以上のリークがあるか否かを調べるには、端子Iをプリ
チヤージした後のダイナミツクホールド時間を1秒もと
れば十分である。
A method for testing the leak current of the input terminal I in the circuit of FIG. 3 will be described below. First, to check whether or not the terminal I is leaking high, after instantaneously precharging the terminal I to a low level by setting C · = 1, a predetermined time
If the level of the terminal I is not changed to high due to leakage after keeping the state of = 1, the shift register which is means for sequentially outputting the level of the terminal I is operated, and the serial signal output line Out terminal is sequentially operated. Check the information sent out. On the contrary, to check whether the terminal I is leaking low, instantaneously
= 1 and pre-charge the terminal I to high level,
The state of = 1 is maintained for a certain period of time, and then the shift register is operated to check the information sent from the Out terminal as to whether the level of the terminal I has not changed to low due to leakage. The parasitic capacitance of the terminal I is usually 1 to 2 PF and at most 5 PF. Therefore 10 PA
In order to check whether or not there is the above leakage, it is sufficient to obtain the dynamic hold time after precharging the terminal I for 1 second.

端子Iにレベルを与えるのに入力端子自体をプローブす
る必要がなく、またダイナミツクホールドしている端子
Iのリーク電流によるレベル変化はインピーダンス変換
手段であるクロツクドインバータ2により増幅されてOu
tに出力されるため、端子Iをプローブしてレベル変化
を直接観察する必要はない。すなわち入力端子I自体を
全くプローブすることなしに、端子Iにリーク電流があ
るか否か検定できる。端子Iを直接プローブしないた
め、端子Iのレベルがノイズや誘導により変わつてしま
い誤判定するということを避けることが出来る。
It is not necessary to probe the input terminal itself in order to give a level to the terminal I, and the level change due to the leakage current of the terminal I that is dynamically held is amplified by the clocked inverter 2 which is the impedance conversion means and Ou.
Since it is output to t, it is not necessary to directly probe the terminal I to observe the level change. That is, it is possible to test whether or not there is a leak current at the terminal I without probing the input terminal I itself. Since the terminal I is not directly probed, it is possible to avoid erroneous determination because the level of the terminal I is changed by noise or induction.

第4図は隣り合う端子間にリークがあるか否かも検定で
きるように、第3図を改善した例である。入力端子Inと
In+1を1つの繰り返し単位として、くり返し配列するも
のである。ここでは、T1,T2,Cの三つの信号のうちT1
みハイにすれば隣り合う入力端子に交互にロウ、ハイの
レベルを与えることが出来、またT2のみハイにすればT1
がハイであつた時と逆位相のレベルを与えることが出来
る。三つの制御信号をすべてロウにすればハイインピー
ダンスすなわちダイナミツクホールドさせることが出
来、ダイナミツクホールドしている時の端子Iのレベル
の読み出しは先に述べた方法と同じである。
FIG. 4 is an example in which FIG. 3 is improved so that it can be verified whether or not there is a leak between adjacent terminals. Input terminal In and
I n + 1 is repeatedly arranged with one repeating unit. Here, if only T 1 of the three signals T 1 , T 2 and C is set to high, low and high levels can be alternately applied to adjacent input terminals, and if only T 2 is set to high, T 1 1
It is possible to give a level opposite in phase to when it was high. If all three control signals are set to low, high impedance, that is, dynamic hold can be performed, and reading of the level of the terminal I during dynamic hold is the same as the method described above.

第5図はT信号をハイにした時、端子Iをシフトレジス
タ内容と同一内容のレベルにセツトすることが出来る回
路例である。あらかじめシフトレジスタを所望の状態に
セツトしておけば、それに対応して各端子Iを各々任意
にセツトすることが出来る。
FIG. 5 shows an example of a circuit in which the terminal I can be set to the same level as the contents of the shift register when the T signal is made high. If the shift register is set to a desired state in advance, each terminal I can be optionally set correspondingly.

〔効果〕〔effect〕

以上述べたように本発明によれば、情報を受ける個々の
入力端子のPAオーダーの極めて微弱なリークを、それ
らの入力端子を直接プローブせずに検定することができ
るため、ICが良品か否かを量産規模で充分に安定して
判定でき、信頼性の高い製品を提供することが可能とな
る。またその検定のために極めて高価な高精度テスタな
ども用意する必要はない。
As described above, according to the present invention, an extremely weak leak of the PA order of each input terminal that receives information can be verified without directly probing those input terminals. It is possible to judge whether or not it is on a mass-production scale, and to provide highly reliable products. Moreover, it is not necessary to prepare an extremely expensive high-precision tester for the verification.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は従来の密着イメージ・センサにおけるセンサ情
報読取回路の例であり、第2図はそこで用いられている
シフトレジスタの動作をタイムチヤートで示した図であ
る。 第3〜5図は本発明の実施例を示す図である。 1,5……Nチヤネルトランジスタ 2……クロツクドインバータ 3……シフトレジスタ 4,6……Pチヤネルトランジスタ 7……ORゲート 8……インバータ 9……NORゲート 10……NANDゲート 11……ANDゲート C……クリア信号 T,T1,T2……テスト信号 CL……シフトクロツク
FIG. 1 is an example of a sensor information reading circuit in a conventional contact image sensor, and FIG. 2 is a time chart showing the operation of a shift register used therein. 3 to 5 are views showing an embodiment of the present invention. 1,5 ...... N channel transistor 2 ...... Clocked inverter 3 ...... Shift register 4,6 ...... P Channel transistor 7 ...... OR gate 8 ...... Inverter 9 ...... NOR gate 10 ...... NAND gate 11 ...... AND gate C …… Clear signal T, T 1 , T 2 … Test signal CL …… Shift clock

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】複数の入力端子を各々試験的にハイレベル
又はロウレベルのうち所定のレベルに設定し、かつ前記
所定のレベルに設定した後、前記複数の入力端子をハイ
インピーダンスの状態とする手段と、 前記複数の入力端子から出力される前記所定のレベルに
基づく複数の信号を、各々複数のインピーダンス変換手
段を介して単一の出力端子へ順次出力させる手段と、 を設けたことを特徴とするリーク電流検定回路。
1. Means for setting a plurality of input terminals to a predetermined level of a high level or a low level on a trial basis, and setting the plurality of input terminals to a high impedance state after setting the predetermined level. And a means for sequentially outputting a plurality of signals based on the predetermined level output from the plurality of input terminals to a single output terminal through a plurality of impedance conversion means, respectively. Leak current test circuit.
JP59081398A 1984-04-23 1984-04-23 Leak current test circuit Expired - Lifetime JPH0650335B2 (en)

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JPS6043840A (en) * 1983-08-22 1985-03-08 Hitachi Ltd Semiconductor integrated circuit device

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