JP4058556B2 - 放射電熱器と温度検出装置とを備えている調理装置 - Google Patents

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Description

本発明は、放射電熱器(電気加熱器)と温度検出装置とを備え、前記放射電熱器が、例えばガラス−セラミックの調理板の下の位置に設けられている調理装置に関する。より詳細には、本発明は、温度の関数として変化する電気パラメ−タを有する検出素子が設けられている調理装置に関する。
放射電熱器は、非常によく知られており、特にガラス−セラミック材料の調理板の下にこの調理板に接触して設けられている。そして、このような電熱器に電気機械式又は電子式の熱センサを設けることは一般的な実施であり、その目的は調理板の上面の最大温度を制限することにある。
WO 95/16334は、ガラスセラミック表面からの放射に基づきこのガラスセラミック表面の温度を制御する一次元又は二次元の熱電センサを開示し、このセンサは加熱エレメントからの直接放射から遮蔽されている。
US−A−4 103 275は、支持体としての絶縁フォーマと抵抗材料としての薄い白金層とから成る抵抗温度計のための抵抗測定手段を開示し、白金層のための支持体は0℃〜1000℃の範囲の間で白金よりも大きな熱膨張係数を有する材料で作られている。
現在の技術においては、温度検出プローブが加熱エレメントと調理板の下側部との間の空間に設けられている。
このような構成の欠点は、検出プローブにより得られる温度が加熱エレメントからの直接放射により著しく影響を及ぼされ、調理板の上面の温度を正確に反映するものでないことである。プローブ温度は、典型的には、調理板の上面の対応する温度よりも100〜200℃も高くなることがある。その結果として、検出プローブと調理板の上面との間には2つの温度勾配があり、すなわち、その一方の温度勾配は検出プローブと調理板の下側部との間の温度勾配であり、また他方の温度勾配は調理板の下側部とその上面との間の温度勾配であり。これらの温度勾配は、例えば、電熱器の出力密度、電熱器の温度プロフィル、及び調理板の上面上に置かれている選択した調理容器による熱負荷の結果として、非常に変化する。このような調理容器は、調理板の上面の温度に影響を及ぼす。
このような電熱器に用いられている温度センサは、あらかじめ設定した温度値で加熱エレメントへ電力を供給しないように設けられている。このようなあらかじめ設定する温度値は、異常負荷状態(例えば、調理容器のない負荷、沸騰乾燥、調理板上における調理容器のずれ、沸騰状態にもたされるくぼみ基部を備えている調理容器)の要求の下で調理板の許容最大温度を維持するための妥協する値であり、調理板上に置かれている調理容器の形の負荷に関して沸騰を生じさせる状態の下で加熱エレメントへ電力を供給しない可能性を最少にする。沸騰を生じさせる状態の下での加熱エレメントの繰り返しのスイッチングは、沸騰するまでの時間が増大することから、好ましくない。
電子式温度センサが用いられるときには、発生する加熱エレメントのこのような好ましくないスイッチングの可能性は、専用の“急速沸騰”制御設定内にインテリジェント制御プロフィルを組み入れることにより、著しく減少することができる。しかし、これは高価であるインテリジェント、通常はディジタルのマイクロプロセッサコントローラの使用を必要とする。
温度センサのあらかじめ設定する温度値の公差範囲は、この温度値が上述した変数を混合するので、問題である。電気機械式の温度センサは、材料、設計及び製造技術により課される制限の結果として、典型的に、50〜60℃の公差範囲をもたらす。また、現在入手できる電子式温度センサは、非常に低い公差範囲をもたらすが、しかし、これらの装置は、それらに要求される制御回路と一緒に、電気機械式の温度センサシステムよりも著しくコストが高い。
更に、上述した変数及び温度勾配のために、上述した電子式温度センサは最大温度制御装置としてのみ有益であり、その結果、電子式温度センサは所定の温度値で加熱エレメントへ電力を供給しない。このような電子式温度センサは、“閉ループ”制御温度調節を含んで要求される調理作業サイクルにしたがって調理板の温度を制御することができる制御装置をサポートすることができない。ガラス−セラミックの調理板を有する調理器具のための現在の温度調節装置は、事実上、“開ループ”である。このような温度調節装置は、調理容器の材料及び幾何学的形状の変化、調理容器の質量、及び調理容器内の食品の質量及び熱容量、そして最も重要なのは、調理容器及びその内容物が熱くなって水の蒸発を伴うときの温度勾配の変化を考慮することができない。電熱器の一定の調節は、特に低い設定で、使用者により要求されるものである。
更に、ガラス−セラミックの調理板のための最大作動温度は、材料及び製造の開発の結果として、近い将来40℃も増大するであろうと予想される。この温度を増大せしめる目的は、加熱エレメントのスイッチングが生じる前に達成する温度をより高くする機会を与え、これにより沸騰を生じさせるサイクル中に電熱器へ電力を供給しない可能性を減少せしめることにある。現在入手できる温度センサは、既存のセンサ素子及び囲い材料により課される制限のために、電熱器の作動中に出会う、より高く生じる最大温度に耐えるように更なる開発が要求されるであろう。これは、センサ装置のコストの増大を導くものである。
本発明の目的は、上述した問題のひとつ又はそれ以上を除去又は最小にすることにある。
本発明によれば、放射電熱器と電子制御装置とを包含する調理装置であって、前記電熱器が調理板の下の位置にこの調理板と向かい合って配置され、また前記電熱器が前記調理板から間隔を置いている加熱エレメントと温度検出装置とを包含している調理装置において、前記温度検出装置が、前記電熱器内に設けられて前記加熱エレメントにわたって前記電熱器を少なくとも部分的に横切って延びているセラミック材料のビームを包含し、このビームが前記調理板に面するように配置された実質的に平らな上面と前記加熱エレメントからの直接放射にさらされるように配置された下面とを有し、前記平らな上面がその上に設けられている電気素子を有し、この電気素子が前記調理板の温度の関数として変化する電気パラメータを有し、また前記電気素子が電線の手段により前記電気制御装置に電気的に接続され、前記電気制御装置が前記ビームの上面上のひとつの電気素子又は複数の電気素子の各々からの入力信号と手動式制御スイッチ装置からの入力信号とを受け、前記ひとつの電気素子又は複数の電気素子の各々からの入力信号が固定温度いき値を有するフェールセーフ回路により処理され、これにより、前記ひとつの加熱エレメント又は複数の加熱エレメントの各々が前記固定温度いき値より上の温度では電力が供給されないように設けられていることを特徴とする調理装置、が提供される。
前記温度検出装置は、前記電熱器の中央区域に設けることができる。
選択的に、前記温度検出装置はその少なくとも一方の端部分で前記電熱器の外周部において前記電熱器に取り付けることができる。前記ビームの少なくとも一方の端部分は、前記電熱器の外側に延びることができる。
このような場合において、前記ビームはその一方の端部分で前記電熱器にブラケットの手段により取り付けることができ、前記ブラケットは前記ビームの一方の端部分をしっかりと受け入れると共に前記電熱器の外部区域に固定される。前記ブラケットは、金属、セラミックス及びプラスチックから選ぶことができる。
選択的に、前記ビームは、その一方の端部分で、前記電熱器の周囲壁の穴を確実に通過することにより前記電熱器に取り付けることができる。前記周囲壁は、例えば結合ひる石のような、実質的に堅い材料から成ることができる。
端子ブロックを、前記ビームの一方の端部分に又はこの端部分に隣接して設けることができる。
前記ビームは、前記調理板に向かうバイアスばねでもって支持することができる。
前記手動式制御スイッチ装置からの入力信号と、前記ひとつの電気素子又は複数の電気素子の各々からの入力信号とはアナログ又はディジタルの形の信号処理回路により処理することができ、この信号処理回路は前記ひとつの加熱エレメント又は複数の加熱エレメントの各々への電力供給を制御するスイッチ装置と相互関連させられる。前記信号処理回路は、検出された温度を前記手動式制御スイッチ装置の設定位置と比較し、前記検出された温度が前記手動式制御スイッチ装置により設定された温度よりも下か又は上かどうかかによって、前記ひとつの加熱エレメント又は複数の加熱エレメントの各々へ電力をそれぞれ供給し又は供給しないように設けることができる。
前記信号処理回路がディジタル回路であるときには、このディジタル回路は、アナログ−ディジタルコンバータにより前記ひとつの電気素子又は複数の電気素子の各々と相互関連させられていると共にディジタル出力ドライバにより前記手動式制御スイッチ装置と相互関連させられているマイクロプロセッサから成ることができる。
前記信号処理回路がアナログ回路であるときには、このアナログ回路は、前記手動式制御スイッチ回路からの入力信号を前記ひとつの電気素子又は複数の電気素子の各々からの入力信号と比較してこれら2つの入力信号の差に比例した方法で前記ひとつの加熱エレメント又は複数の加熱エレメントの各々への電力供給を制御するアナログ信号処理集積回路から成ることができる。
前記ひとつの加熱エレメント又は複数の加熱エレメントの各々への電力供給の制御は、前記ひとつの加熱エレメント又は複数の加熱エレメントの各々への電力供給を制御するように作動する半導体スイッチ装置の特定の制御要求に適合した出力信号により行うことができる。
前記ひとつの加熱エレメント又は複数の加熱エレメントの各々の制御は、閉ループの方法で行うことができる。
前記ビームの上面は、前記調理板に接触するように又は前記調理板に接近するように配置することができる。前記ビームの実質的に平らな上面は、前記調理板から実質的に3.5mmよりも大きくない距離で前記調理板に面するように配置することができる。前記ビームの実質的に平らな上面は、好適には前記調理板から実質的に0.5mmから3.5mmまでの距離で、一層好適には前記調理板から実質的に0.5mmから2.0mmまでの距離で、前記調理板に面するように配置することができる。
温度の関数として変化する電気パラメータを有する前記電気素子は、フィルム及びフォイルの形から選ぶことができる。
前記フィルム又はフォイルの形の電気素子はフィルム又はフォイルの形の導電体を有することができ、この導電体は前記電気素子から前記ビームの一方の端部分にまで延びると共に前記電熱器の外周部で前記電気素子に取り付けられるようにされる。
前記フィルム又はフォイルの形の電気素子は電気抵抗体から成ることができ、この電気抵抗体の電気抵抗は温度関数として変化する。このような電気抵抗体は白金から成ることができる。前記電気素子は、厚いフィルムの形とすることができる。
例えばガラス又はセラミックの保護層を、前記電気素子の上に設けることができる。
熱放射反射材料の層を、前記ビームの上面に設けることができる。
前記ビームは、例えばT形又はH形の断面を有することにより、構造的に補強することができる。
前記ビームは、ステアタイト、アルミナ及びコーディエライトから成ることができる。
各々が加熱エレメントを備えている複数の加熱区域を、電熱器内に、例えば同心の配列で実質的に互いに接して設けることができ、これらの加熱区域の数と対応する複数の電気素子が前記ビームの実質的に平らな上面上に設けられ、これらの各電気素子が対応する前記加熱区域に設けられて、これにより前記調理板を監視できるようにする。前記複数の加熱区域間の温度差は、前記複数の電気素子と協同する電子制御装置により決定することができ、この電子制御装置は、前記調理板上の調理容器の置き位置及び/又は前記調理板上の調理容器の大きさ及び/又は前記調理板上の調理容器の基部の曲率を決定するために用いられる。
本発明の調理装置は、次のような利点がある。すなわち、ビームの上面上の例えばフィルム又はフォイルのひとつ又は複数の温度応答電気素子が調理板に向けられて、ひとつ又は複数の加熱エレメントからの直接放射にさらされていない。ビームは、温度応答電気素子を加熱エレメントから遮蔽する。
温度検出装置は、次のように構成されている。すなわち、温度検出装置は調理板の下側部の付近に設けることができ、これにより、温度検出装置と調理板の下側部との間の温度勾配が著しく減少されることを保証する。また、加熱エレメントと温度検出装置との間の距離の増大が得られ、これは加熱エレメントからの直接放射の温度検出装置への影響を減少せしめる。
調理板と温度検出装置との間の温度差が低い結果として、温度検出装置を、採用される調理板のより高い最大温度でも一層信頼があるように作ることができる。550〜590℃の現在の最大温度と比較して、590〜630℃の平均最高温度がガラス−セラミックの調理板のために採用されることが期待される。
本発明から得られる他の利点は、次のとおりである。すなわち、電熱器は、調理容器での沸騰サイクル中における加熱エレメントの好ましくないスイッチングを受けることなしに、自由な放射状態の下で低い調理板温度を提供するように構成することができることである。自由な放射状態の下で低い調理板温度を有することは、これらの状態の下での熱損失を減少せしめ、これにより、調理器具の効率の増大を得る。
温度検出装置と調理板との間の改良した熱結合は、低コストの電子制御技術の使用を可能にし、マイクロコントローラにプログラム化されているソフトウェア−ベースドアルゴリズムを介して適用される特別の高温エクスカーションプロフィールの必要を除去する。
最大温度制御は、単一の所定の設定点を介して行うことができ、低コストの集積回路の使用、アナログ又はディジタル技術の使用、及び温度制限関数と電熱器エネルギー調節関数との組み合わせを可能にする。
また、電熱器の入力エネルギーの調節により調理板温度の閉ループ制御を適用できる可能性がある。調理板温度は、調節制御装置への入力として適用することができ、一層調和した及び予想可能な電力制御を行うことを可能にする。
本発明を良く理解し、また本発明が実際どのようにして実施されるかを一層明確に示すために、以下添付図面を参照して本発明の実施例について詳述する。
図1及び図2を参照するに、放射電熱器2は金属製の皿様支持体4を包含し、この支持板4は、例えば微孔性熱及び電気絶縁材料のような熱及び電気絶縁材料の基部6と、例えば結合ひる石のような熱及び電気絶縁材料の周囲壁8とを有する。周囲壁8は、適当にはガラス−セラミック材料の調理板12の下側部10に接触するように配設されている。
少なくともひとつの放射電気加熱エレメント14は、電熱器内において基部6に関して支持されている。この加熱エレメント14は、周知の形の任意のエレメント、例えばワイヤ、リボン、フォイル又はランプの形のエレメント、若しくはこれらの形の組み合わせから成ることができる。特に、加熱エレメント14は縁に沿って基部6上に支持されているひとつ又はそれ以上の波形リボンの加熱エレメントから成ることができる。
少なくともひとつの加熱エレメント14は、電熱器の縁に設けられている端子ブロック16の手段により電子制御装置20を介して電源18に接続され、電子制御装置20には手動式制御スイッチ装置22が設けられている。この手動式制御スイッチ装置22は、電熱器2内の少なくともひとつの加熱エレメント14のために選択した加熱セッティングを提供するように設けられている回転可能なノブを有する。
調理板12は、その上面25上に調理容器24を受けるように設けられている。
図3及び図4に詳細に示されている温度検出装置26が、電熱器2に設けられている。この温度検出装置26は、セラミック材料のビーム28を包含し、このビーム28は、その一方の端部分30で電熱器の外周部に支持されていると共に、少なくともひとつの加熱エレメント14の上方をかつ加熱エレメント14から間隔をおいて電熱器を少なくとも部分的にわたって延びている。ビーム28は、調理板12の下側部10に接触して又は接近してこの調理板12の下側部10と面するように配置された実質的に平らな上面32を有する。好適には、ビーム28の上面32は調理板12の下側部10から少なくとも0.5mmだけ、しかし約3.5mm以上ではなく、好適には約2.0mm以上ではなく間隔を置かれる。
ビーム28は、適当には、ステアタイト、アルミナ又はコーディエライトセラミック材料から成り、かつ曲げ及び/又は破断の危険を最少にするために構造的に補強される。このような構造的な補強は、適当には、図3に示されるようなH形断面、又は後述する図7の実施例に示されるようなT形断面のビーム28を用意することにより、成し遂げられる。
ビーム28は、少なくともひとつの加熱エレメント14からの直接放射にさらされるように配置された下面34を有する。このビーム28の下面34には、少なくともひとつの加熱エレメント14からの直接放射の熱をビーム28により吸収するのを最少にするために、例えば銀のような熱放射反射材料の層を設けることができる。
ビーム28の実質的に平らな上面32には、調理板12の温度の関数として変化する電気パラメータを有するフィルム又はフォイルの形の少なくともひとつの電気素子36が設けられている。この少なくともひとつの電気素子36は、この電気素子からビーム28の端部分30における端子ランド40にまで延びているフィルム又はフォイルの形の導電体38を有する。
フィルム又はフォイルの形の少なくともひとつの電気素子36は、好適には、電気抵抗が温度の関数として変化する少なくともひとつの電気抵抗素子から成る。このような少なくともひとつの電気抵抗素子は、適当には、白金から成る。
少なくともひとつの電気素子36及びリード線38は、適当には、ビーム28の上面にスクリーン印刷及び焼成することにより作られている厚いフィルムの形である。
例えばガラス又はセラミックのような保護層42を、フィルム又はフォイルの形の少なくともひとつの電気素子36の上に設けることができる。
ビーム28は、周囲壁8の穴及び電熱器2の皿様支持体4のリムを通して延びるように配置され、これによりビーム28の端部分30は電熱器2の外側に配置される。
ビーム28は、電熱器2に、適当には金属、セラミック又はプラスチックス材料のブラケット44の手段により固定され、このブラケット44はビーム28の端部分30に固定されると共に電熱器2の皿様支持体4のリムにブラケット44の穴48を貫通するねじ付きファスナー46により固定される。ブラケット44がプラスチック材料であるときには、ビーム28はブラケット44中にインサートモールドされたその端部分30を有することができる。ブラケット44がセラミック材料であるときには、ブラケット44とビーム28の端部分30との間にあり継ぎした相互接続が形成されるようにブラケット44をビーム28の端部分30に固定することができる。
端子ブロック50は、ブラケット44に適当に固定されていると共に、リード線52によりビーム28の端部分30の端子ランド40に接続されている。ビームの端部分30が電熱器の外側に配置されているので、リード線52は高温に耐えることできる必要はなく、例えば銅のような材料から成ることができる。
ブラケット44がプラスチックス又はセラミックの材料であるときには、端子ブロック50はブラケット44と一体に形成することができる。
温度検出装置26は、電線54により電子制御装置20に接続されている。
図5に示されるように、ビーム28をその端部分30で電熱器2に固定するようにブラケット44を設ける代わりに、ビーム28は電熱器の周囲壁8の補形し合う形状の穴56に固定されるその端部分30を有することができる。このような周囲壁、特に結合ひる石の周囲壁8は電熱器2へのビーム28の満足する固定を提供するように設けることができる。
図6、図7及び図8は、T形の断面とされたビーム28が調理板12の下側部10に対してばね荷重されていることを除いては、図1−図4の実施例と実質的に同一の実施例を示す。このようなばね荷重は、ビーム28の上面32と調理板12の下側部10との間の接触を可能にし、一方、機械的衝撃荷重状態にさらされたときの調理板12及び/又は温度検出装置26への機械的損傷の危険を最少にする。
ばね荷重は、適当には例えばニッケルめっきした金属である端支持ブラケット44とビーム28の端部分30の下側部との間で協働するひとつ又はそれ以上のコイルばね58を設けることにより、成し遂げられる。また、ストラット60が電熱器2の中央区域に設けられ、このストラット60はビーム28から下向きに延び、金属製の皿様支持体4の基部6に設けた穴を通って、皿様支持体4に固定した金属ブラケット62に設けた穴内に延びている。コイルばね64は、ストラット60と金属ブラケット62との間で協働するように設けられている。
本発明にしたがって構成した放射電熱器2は、次のような利点を有する。すなわち、温度検出装置26が調理板12に熱的に密接して連結され、これにより温度検出装置26と調理板12の下側部10との間の温度勾配が最小にされることを保証する。ビーム28の上面32上のフィルム又はフォイルの形の少なくともひとつの温度応答電気素子36はビーム28の厚さにより少なくともひとつの加熱エレメント14からの直接放射から遮蔽され、少なくともひとつの温度応答電気素子36は主として調理板12の温度に応答する。これは、簡単にした電子制御装置20を用いることを可能にする。
温度検出装置26が調理板12に非常に接近していることは、少なくともひとつの加熱エレメント14と温度検出装置26との間の距離の増大を生じせしめ、これはビーム28の下側部の反射層の任意の特徴と組み合って、温度検出装置26のひとつ又は複数の温度応答素子36への、少なくともひとつの加熱エレメント14からの直接放射の影響を減少せしめる。
次に図9を参照するに、放射電熱器2は、多数の加熱区域が設けられていることを除いては、図1及び図2の電熱器と同一の方法で構成されている。加熱区域は2つ以上考えられるけれども、図示されるように、2つの加熱区域66及び68が設けられている。これらの加熱区域66,68は同心的に配置され、かつ各加熱区域には少なくともひとつの加熱エレメント14A,14Bが設けられている。加熱区域66は、単独で又は加熱区域68と一緒に電力が供給されるように設けられている。
温度検出装置26Aは、フィルム又はフォイルの形の2つの別々の温度応答電気素子36A及び36Bがビーム28の上面32上に設けられていることを除いては、温度検出装置26のために前述したと実質的に同じ方法で設けられている。電気素子36Aは加熱区域66の上の調理板の領域の温度を監視し、また電気素子36Bは加熱区域68の上の調理板の領域の温度を監視する。
調理又は加熱区域66と68との間の温度差の変化は、電熱器にわたって調理板上に置かれている調理容器(例えば、図2に示されている調理容器24)の大きさを検出するために監視することができる。もし外側の加熱区域68の上の調理板の温度が内側の加熱区域66の上の調理板の温度よりも増大する場合には、これは、小さい調理容器が内側の加熱区域66にわたって置かれているが、しかし両方の加熱区域66,68に電力が供給されていることを示す。もし両方の加熱区域66,68が過度に熱くなっていると検出された場合には、これは、両方の加熱区域66,68が自由な放射状態の下で、すなわち調理容器が置かれていないで電力が供給されていることを示す。
もし内側の加熱区域66の上の調理板の温度が外側の加熱区域68の上の調理板の温度よりも高いと検出された場合には、これは、弓状に曲がった基部を有する調理容器が調理板上に置かれていることを示す。
図10は、本発明において使用するための電子制御装置20の一実施例を示す。装置20は、温度検出装置26のフィルム又はフォイルの形の少なくともひとつの温度応答素子36からの入力信号と、手動式制御スイッチ装置22からの入力信号とを受けるように設けられている。温度検出装置26からの入力信号は温度の固定いき値を有するフェールセーフ回路70により処理され、これにより、少なくともひとつの加熱エレメント14は例えばリレーのようなメインスイッチ72の作動により上記温度の固定いき値で電力が供給されないように設けられている。
手動式制御スイッチ装置22からの入力信号はアナログ又はディジタルの形の信号処理回路74により処理され、この信号処理回路74は少なくともひとつの加熱エレメント14への電力供給を制御するために、例えばトライアックのような半導体式制御スイッチ76と相互関連されている。信号処理回路74は、温度検出装置26により検出された温度を手動式制御スイッチ装置22の設定値と比較し、検出された温度が手動式制御スイッチ装置22により設定された温度よりも下か又は上かによって少なくともひとつの加熱エレメント14へ電力を供給し又は供給しないようにする。
処理回路74がディジタル回路であるときには、処理回路74は、適当には、アナログ−ディジタルコンバータの手段により温度検出装置26と相互関連されていると共にディジタル出力ドライバの手段により手動式制御スイッチ装置22と相互関連されているマイクロプロセッサから成る。
処理回路74がアナログ回路であるときは、処理回路74は、適当には、アナログ信号処理する集積回路から成り、この集積回路は、手動式制御スイッチ回路22からの入力信号を温度検出装置26からの入力信号と比較し、これら2つの入力信号間の差に比例した方法で少なくともひとつの加熱エレメント14への電力供給を制御する。少なくともひとつの加熱エレメント14への電力供給のこのような制御は、半導体スイッチ76の特定の制御要求に適合するようにした出力信号により行われる。
少なくともひとつの加熱エレメントの制御は、したがって、閉ループ制御として知られている方法により行うことができる。
放射電熱器を包含する本発明による調理装置の一実施例の平面図であって、本実施例による電熱器には温度検出装置の一実施例が設けられていると共に電子制御装置が設けられ、電子制御装置は概略的に示されている。 図1の電熱器の、調理板より下の断面図である。 図1の電熱器に設けられている温度検出装置を特定の角度方向から示す斜視図である。 図1の電熱器に設けられている温度検出装置を図3とは異なる角度方向から示す斜視図である。 図1の電熱器に設けられている温度検出装置を取り付ける装置の他の例を示す斜視図である。 温度検出装置を備えて、本発明の一部分を形成する放射電熱器の他の実施例の断面図である。 図6の電熱器に設けられている温度検出装置を特定の角度方向から示す斜視図である。 図6の電熱器に設けられている温度検出装置を図7とは異なる角度方向から示す斜視図である。 本発明の一部分を形成する放射電熱器の更に他の実施例の平面図であって、本実施例による電熱器は2つの加熱区域を有すると共に温度検出装置が設けられている。 本発明の一部分を形成する放射電熱器と一緒に使用する電子制御装置の一実施例のダイヤグラムである。

Claims (36)

  1. 放射電熱器(2)と電子制御装置(20)とを包含する調理装置であって、前記電熱器(2)が調理板(12)の下の位置にこの調理板と向かい合って配置され、また前記電熱器(2)が前記調理板から間隔を置いている加熱エレメント(14)と温度検出装置(26)とを包含している調理装置において、前記温度検出装置が、前記電熱器(2)内に設けられて前記加熱エレメント(14)にわたって前記電熱器を少なくとも部分的に横切って延びているセラミック材料のビーム(28)を包含し、このビームが前記調理板(12)に面するように配置された実質的に平らな上面(32)と前記加熱エレメントからの直接放射にさらされるように配置された下面(34)とを有し、前記平らな上面がその上に設けられている電気素子(36)を有し、この電気素子(36)が前記調理板の温度の関数として変化する電気パラメータを有し、また前記電気素子(36)が電線(54)の手段により前記電気制御装置(20)に電気的に接続され、前記電気制御装置(20)が前記ビーム(28)の上面(32)上のひとつの電気素子(36)又は複数の電気素子(36)の各々からの入力信号と手動式制御スイッチ装置(22)からの入力信号とを受け、前記ひとつの電気素子(36)又は複数の電気素子(36)の各々からの入力信号が固定温度いき値を有するフェールセーフ回路(70)により処理され、これにより、前記ひとつの加熱エレメント(14)又は複数の加熱エレメント(14)の各々が前記固定温度いき値より上の温度では電力が供給されないように設けられていることを特徴とする調理装置。
  2. 請求項1記載の調理装置において、前記温度検出装置(26)が前記電熱器(2)の中央区域に設けられていることを特徴とする調理装置。
  3. 請求項1記載の調理装置において、前記温度検出装置(26)がその少なくとも一方の端部分で前記電熱器(2)の外周部において前記電熱器に取り付けられていることを特徴とする調理装置。
  4. 請求項3記載の調理装置において、前記ビーム(28)の少なくとも一方の端部分が前記電熱器(2)の外側に延びていることを特徴とする調理装置。
  5. 請求項4記載の調理装置において、前記ビーム(28)がその一方の端部分で前記電熱器(2)にブラケット(44)の手段により取り付けられ、前記ブラケットが前記ビームの一方の端部分をしっかりと受け入れると共に前記電熱器の外部区域に固定されていることを特徴とする調理装置。
  6. 請求項5記載の調理装置において、前記ブラケット(44)が金属、セラミック及びプラスチックスから選ばれていることを特徴とする調理装置。
  7. 請求項3又は4記載の調理装置において、前記ビーム(28)が、その一方の端部分で、前記電熱器(2)の周囲壁(8)の穴(56)を確実に通過することにより前記電熱器に取り付けられていることを特徴とする調理装置。
  8. 請求項7記載の調理装置において、前記周囲壁(8)が実質的に堅い材料から成ることを特徴とする調理装置。
  9. 請求項8記載の調理装置において、前記周囲壁(8)が結合ひる石から成ることを特徴とする調理装置。
  10. 請求項3〜9のいずれか一項に記載の調理装置において、端子ブロック(50)が前記ビームの一方の端部分に又はこの端部分に隣接して設けられていることを特徴とする調理装置。
  11. 請求項1〜10のいずれか一項に記載の調理装置において、前記ビーム(28)が前記調理板(12)に向かうバイアスばね(58)でもって支持されていることを特徴とする調理装置。
  12. 請求項1〜11のいずれか一項に記載の調理装置において、前記手動式制御スイッチ装置(22)からの入力信号と、前記ひとつの電気素子(36)又は複数の電気素子(36)の各々からの入力信号とがアナログ又はディジタルの形の信号処理回路(74)により処理され、この信号処理回路が前記ひとつの加熱エレメント(14)又は複数の加熱エレメント(14)の各々への電力供給を制御するスイッチ装置(76)と相互関連させられていることを特徴とする調理装置。
  13. 請求項12記載の調理装置において、前記信号処理回路(74)が、検出された温度を前記手動式制御スイッチ装置(22)の設定位置と比較し、前記検出された温度が前記手動式制御スイッチ装置(22)により設定された温度よりも下か又は上かどうかかによって、前記ひとつの加熱エレメント(14)又は複数の加熱エレメント(14)の各々へ電力をそれぞれ供給し又は供給しないように設けられていることを特徴とする調理装置。
  14. 請求項12又は13記載の調理装置において、前記信号処理回路(74)がディジタル回路であり、このディジタル回路が、アナログ−ディジタルコンバータにより前記ひとつの電気素子(36)又は複数の電気素子(36)の各々と相互関連させられていると共にディジタル出力ドライバにより前記手動式制御スイッチ装置(22)と相互関連させられているマイクロプロセッサから成ることを特徴とする調理装置。
  15. 請求項12又は13記載の調理装置において、前記信号処理回路(74)がアナログ回路であり、このアナログ回路が、前記手動式制御スイッチ回路(22)からの入力信号を前記ひとつの電気素子(36)又は複数の電気素子(36)の各々からの入力信号と比較してこれら2つの入力信号の差に比例した方法で前記ひとつの加熱エレメント(14)又は複数の加熱エレメント(14)の各々への電力供給を制御するアナログ信号処理集積回路から成ることを特徴とする調理装置。
  16. 請求項15記載の調理装置において、前記ひとつの加熱エレメント(14)又は複数の加熱エレメント(14)の各々への電力供給の制御が、前記ひとつの加熱エレメント又は複数の加熱エレメントの各々への電力供給を制御するように作動する半導体スイッチ装置(76)の特定の制御要求に適合した出力信号により行われることを特徴とする調理装置。
  17. 請求項1〜16のいずれか一項に記載の調理装置において、前記少なくともひとつの加熱エレメント(14)の制御が閉ループの方法で行われることを特徴とする調理装置。
  18. 請求項1〜17のいずれか一項に記載の調理装置において、前記ビーム(28)の上面(32)が前記調理板(12)に接触するように配置されていることを特徴とする調理装置。
  19. 請求項1〜17のいずれか一項に記載の調理装置において、前記ビーム(28)の上面(32)が前記調理板(12)に接近するように配置されていることを特徴とする調理装置。
  20. 請求項19記載の調理装置において、前記ビーム(28)の実質的に平らな上面(32)が、前記調理板(12)から実質的に3.5mmよりも大きくない距離で前記調理板に面するように配置されていることを特徴とする調理装置。
  21. 請求項20記載の調理装置において、前記ビーム(28)の実質的に平らな上面(32)が、前記調理板(12)から実質的に0.5mmから3.5mmまでの距離で前記調理板に面するように配置されていることを特徴とする調理装置。
  22. 請求項21記載の調理装置において、前記ビーム(28)の実質的に平らな上面(32)が、前記調理板(12)から実質的に0.5mmから2.0mmまでの距離で前記調理板に面するように配置されていることを特徴とする調理装置。
  23. 請求項1〜22のいずれか一項に記載の調理装置において、温度の関数として変化する電気パラメータを有する前記電気素子(36)が、フィルム及びフォイルの形から選ばれていることを特徴とする調理装置。
  24. 請求項23記載の調理装置において、前記電気素子(36)がフィルム及びフォイルの形から選ばれた導電体を有し、この導電体が前記電気素子から前記ビーム(28)の一方の端部分にまで延びていることを特徴とする調理装置。
  25. 請求項23又は24記載の調理装置において、前記電気素子(36)が電気抵抗体から成り、この電気抵抗体の電気抵抗が温度関数として変化することを特徴とする調理装置。
  26. 請求項25記載の調理装置において、前記電気抵抗体が白金から成ることを特徴とする調理装置。
  27. 請求項23〜26のいずれか一項に記載の調理装置において、前記電気素子(36)が厚いフィルムの形であることを特徴とする調理装置。
  28. 請求項1〜27のいずれか一項に記載の調理装置において、保護層(42)が前記電気素子(36)の上に設けられていることを特徴とする調理装置。
  29. 請求項28記載の調理装置において、前記保護層(42)がガラス及びセラミックから選ばれていることを特徴とする調理装置。
  30. 請求項1〜29のいずれか一項に記載の調理装置において、熱放射反射材料の層が前記ビーム(28)の上面に設けられていることを特徴とする調理装置。
  31. 請求項1〜30のいずれか一項に記載の調理装置において、前記ビーム(28)が構造的に補強されていることを特徴とする調理装置。
  32. 請求項31記載の調理装置において、前記ビーム(28)がT形又はH形の断面を有することを特徴とする調理装置。
  33. 請求項1〜32のいずれか一項に記載の調理装置において、前記ビーム(28)の材料がステアタイト、アルミナ及びコーディエライトから選ばれていることを特徴とする調理装置。
  34. 請求項1〜33のいずれか一項に記載の調理装置において、各々が加熱エレメント(14A,14B)を備えている複数の加熱区域(66,68)が電熱器(2)内に実質的に互いに接して設けられ、これらの加熱区域の数と対応する複数の電気素子(36A,36B)が前記ビーム(28)の実質的に平らな上面(32)上に設けられ、これらの各電気素子が対応する前記加熱区域に設けられて、これにより前記調理板(12)を監視できるようにしたことを特徴とする調理装置。
  35. 請求項34記載の調理装置において、前記複数の加熱区域(66,68)が同心の配列で設けられていることを特徴とする調理装置。
  36. 請求項34又は35記載の調理装置において、前記複数の電気素子(36A,36B)と協同して前記複数の加熱区域(66,68)間の温度差を決定する手段(20)が設けられ、この手段(20)が前記調理板(12)上の調理容器(24)の置き位置及び/又は前記調理板上の調理容器の大きさ及び/又は前記調理板上の調理容器の基部の曲率を決定するために用いられることを特徴とする調理装置。
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