JP4033508B2 - Electrostatic chuck - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明はCVDやエッチング等の半導体の製造行程やその他の処理、運搬において使用される静電チャックに関する。
【0002】
【従来の技術】
CVDやエッチング等の半導体の製造行程においては、ウエハが真空チャンバ内で静電チャックにより保持され、種々の処理が行われる。チップのパターンの細分化によって、微細なゴミが問題視されるようになり、メカニカルなチャックによる発塵や処理時のゴミが問題になっている。このような観点から静電チャックの採用率が増えてきている。
【0003】
静電チャックは、基板と、電極を有する表面絶縁層(誘電体)とを備え、ウエハを静電チャックに吸着保させるときに、ウエハは表面絶縁層の上に載置される。ウエハは、ウエハと電極との間に作用するクーロン力によって表面絶縁層に保持される。このような静電チャックは例えば特開平7−18438号公報に開示されている。
【0004】
静電チャックの表面絶縁層は接着剤により基板に接着される。例えば、表面絶縁層はセラミックで作られ、基板はアルミニウムで作られ、表面絶縁層を基板に接着するためにシリコン接着剤が使用される。半導体の製造行程においては、ウエハはCVDやエッチングのために高温の処理室内で処理されることがあり、静電チャックはウエハとともに高温にさらされる。シリコン接着剤は表面絶縁層と基板の熱膨張差を吸収するためには有効な接着剤である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
静電チャックは、通電することにより吸着作用が生じ、通電を停止することにより吸着作用がなくなる。通電を停止したら、直ちに吸着作用がなくなってウエハを静電チャックから取り出すことができることが望ましい。
しかし、表面絶縁層及び接着剤層に電荷が蓄積されていると、通電を停止しても、残留吸着作用が生じることがある。残留吸着作用は、表面絶縁層及び接着剤層の体積固有抵抗の値によって大きくなったり、小さくなったりする。残留吸着作用が大きいと、ウエハを静電チャックから簡単に取り出すことができなくなる。そこで、ウエハを裏面からピンによって突き上げて、強制的にウエハを離脱させることがある。しかし、この場合には、ウエハの割れや、跳ねや、放電等が発生し、歩留りが低下する問題点がある。
【0006】
また、ウエハの裏面からガスを吹き出してウエハを離脱させたり、離脱時に処理とは別に再度短時間プラズマを起こし、残留電荷の除去を行ったりする試みがある。しかし、これらの方法では、スループットの低下を招く。
さらに、シリコン接着剤によって表面絶縁層を基板に接着する構成においては、例えばエッチング処理(特に等方性エッチング)において、シリコン接着剤がエッチングされてしまい、寿命が短くなるとともに、絶縁破壊を引き起こす原因になることがある。このため、静電チャック全体をセラミックで作る等の試みがなされているが、この方式では熱伝導性が極端に悪く、価格も高くなるという問題点があった。
【0007】
本発明の目的は、残留吸着作用を低減でき、且つ長寿命の静電チャックを提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明による静電チャックは、基板と、電極を有する表面絶縁層と、該表面絶縁層と該基板とを接着する接着剤層とを備え、該表面絶縁層は1014Ωcm以上の抵抗を有するセラミックであり、該接着剤層は1014Ωcm以上の抵抗を有するセラミック系の接着剤からなることを特徴とする。
この構成においては、セラミック系の接着剤がエッチング等により損傷されにくく、長寿命の静電チャックを提供することができる。また、セラミック系の接着剤はその含有成分の調整により、その体積固有抵抗を制御することができる。従って、接着剤層は表面絶縁層と同等の抵抗をもつようにする。これによって、表面絶縁層と接着剤層とが、残留吸着作用を低減又は生じさせないような体積固有抵抗をもつように設定され、よって残留吸着作用を低減又は解消することができる。また、セラミック系接着剤は熱伝導性のよいものを選ぶのが好ましい。
【0009】
請求項2においては、基板と、電極を有する表面絶縁層と、該表面絶縁層と該基板とを接着する接着剤層とを備え、該表面絶縁層は108Ωcm以上1011Ωcm以下の抵抗を有するセラミックであり、該接着剤層は108Ωcm以上1011Ωcm以下の抵抗を有するセラミック系の接着剤からなることを特徴とする。体積固有抵抗が108 Ωcm以下のものは、静電的には導通みなされ、あまり用いられない。体積固有抵抗が1011Ωcmから1014Ωcmの間にあると、残留吸着作用が発生しやすい。
【0010】
また、請求項3に記載の静電チャックは、該表面絶縁層と該基板との間で該接着剤層を取り囲むシールを更に有することを特徴とする。この構成では、接着剤層がシールによって取り囲まれ、このシールがエッチング等により損傷されにくい材料で形成されるので、接着剤層が損傷しない。従って、静電チャックの寿命は低下しない。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施例について説明する。
図1は本発明の第1実施例の静電チャック10を示す図である。静電チャック10は、アルミニウムの基板12と、円板状のセラミックの表面絶縁層14とからなる。この表面絶縁層14は平坦な円板状の電極16a,16bを有する。各電極16a,16bは例えば半円形状、あるいは櫛歯状に形成されることができる。電極16a,16bは例えば蒸着により表面絶縁層14の表面に設けられ、導線18,20により電源に接続される。ウエハWは表面絶縁層14にのせられ、クーロン力により静電チャック10に保持される。
【0012】
表面絶縁層14は接着剤層22により基板12に接着されている。接着剤層22は表面絶縁層14と同等の抵抗をもつセラミック系の接着剤(例えばジルコニア、マグネシア、アルミナベースのもの)からなる。例えば、表面絶縁層14が体積固有抵抗が1014Ωcm以上の高抵抗型のセラミックからなる場合には、接着剤層22も体積固有抵抗が1014Ωcm以上の表面絶縁層14と同等の抵抗をもつようにする。また、表面絶縁層14が体積固有抵抗が108 Ωcmから1011Ωcmの範囲にある低抵抗型のセラミックからなる場合には、接着剤層22も体積固有抵抗が108 Ωcmから1011Ωcmの範囲にある表面絶縁層14と同等の抵抗をもつようにする。
【0013】
図2は本発明の第2実施例の静電チャック10を示す図である。静電チャック10は、アルミニウムの基板12と、円板状のセラミックの表面絶縁層14とからなる。この表面絶縁層14は電極16a,16bを有し、電極16a,16bは表面絶縁層14の内部に埋設されている。例えば、2枚のセラミックのグリーンシートを準備し、一方のグリーンシートに電極16a,16bを蒸着しておき、2枚のグリーンシートを重ねて焼成すれば、この構成の表面絶縁層14を得ることができる。電極16a,16bは導線18,20により電源に接続される。この場合にも、表面絶縁層14は接着剤層22により基板12に接着され、接着剤層22は表面絶縁層14と同等の抵抗をもつセラミック系の接着剤からなる。
【0014】
図3は本発明の第3実施例の静電チャック10を示す図である。静電チャック10は、アルミニウムの基板12と、円板状のセラミックの表面絶縁層14とからなる。この表面絶縁層14は平坦な1つの円板状の電極16を有し、電極16が図1と同様に表面絶縁層14の表面に蒸着されている。電極16は導線18により電源に接続される。この場合にも、表面絶縁層14は接着剤層22により基板12に接着され、接着剤層22は表面絶縁層14と同等の抵抗をもつセラミック系の接着剤からなる。
【0015】
図4は本発明の第4実施例の静電チャック10を示す図である。静電チャック10は、アルミニウムの基板12と、円板状のセラミックの表面絶縁層14とからなる。この表面絶縁層14は平坦な1つの円板状の電極16を有し、電極16が図2と同様に表面絶縁層14の内部に埋設されている。電極16は導線18により電源に接続される。この場合にも、表面絶縁層14は接着剤層22により基板12に接着され、接着剤層22は表面絶縁層14と同等の抵抗をもつセラミック系の接着剤からなる。
【0016】
図5は本発明の第5実施例の静電チャック10を示す図である。静電チャック10は、アルミニウムの基板12と、円板状のセラミックの表面絶縁層14とからなる。この表面絶縁層14は平坦な1つの円板状の電極16あるいは2つの電極16a,16bを有する。電極16,16a,16bは導線により電源に接続される。
【0017】
この場合にも、表面絶縁層14は接着剤層22により基板12に接着され、接着剤層22は表面絶縁層14と同等の抵抗をもつセラミック系の接着剤からなる。また、サイドシール24が表面絶縁層14と基板12との間で接着剤層22を取り囲むように設けられる。サイドシール24は、この静電チャック10に保持されたウエハをエッチングする際にエッチングされない材料で形成されている。
【0018】
図6は上記各実施例において、表面絶縁層14が体積固有抵抗が1014Ωcm以上の高抵抗型のセラミック(例えばAl2 O3 ,MgO,SiO2 ,CaOを含むもの)からなる場合を示す図である。接着剤層22も体積固有抵抗が1014Ωcm以上の表面絶縁層14と同等の抵抗をもつようにする。
この場合には、表面絶縁層14及び接着剤層22の抵抗が非常に高いために、微小な電流も流れず、表面絶縁層14及び接着剤層22に電荷が蓄積されない。従って、電極16,16a,16bへの通電を停止したときに、残留吸着作用は生じず、通電停止と同時に静電チャック10の吸着力はなくなってウエハを取り出すことができる。
【0019】
図7は上記各実施例において、表面絶縁層14が体積固有抵抗が108 Ωcmから1011Ωcmの範囲にある低抵抗型のセラミック(例えばAl2 O3 ,MgO,SiO2 ,CaO,TiO2 ,Cr2 O2 を含むもの)からなる場合を示す図である。接着剤層22も体積固有抵抗が108 Ωcmから1011Ωcmの範囲にある表面絶縁層14と同等の抵抗をもつようにする。
【0020】
この場合には、表面絶縁層14及び接着剤層22の抵抗が比較的に低いために、微小な電流が流れ、表面絶縁層14及び接着剤層22に電荷が蓄積される。蓄積された電荷は吸着界面でジョンソンラーベック力として作用し、ケーロン力と合わせて、強力な吸着力を及ぼす。そして、通電を停止したときには、表面絶縁層14及び接着剤層22の体積固有抵抗が108 Ωcmから1011Ωcmの範囲にあると、微小な電流は比較的に流れやすいので、蓄積されていた電荷が容易に抜けていき、残留吸着作用はほとんどない。
【0021】
表面絶縁層14及び接着剤層22、またはそれらの一方の体積固有抵抗が1011Ωcmから1014Ωcmの範囲にあると、微小な電流は流れることができて、残留電荷が蓄積され、そして、通電を停止したときには、蓄積されていた電荷が抜けにくく、残留吸着作用が生じる。
図8は、温度と体積固有抵抗との関係を示す図である。線Xは表面絶縁層14に使用されるセラミックの性質の一例を示す図である。表面絶縁層14に使用されるセラミックは、温度が高くなると体積固有抵抗が低下する性質がある。従って、使用目的に応じてセラミックの種類を選択する必要がある。体積固有抵抗が1014Ωcm以上で、微小電流が流れない、高抵抗型のセラミックは、低温領域で使用するのに適している。体積固有抵抗が108 Ωcmから1011Ωcmの範囲にある、電荷の抜けがいい、低高抵抗型のセラミックは、高温領域で使用するのに適している。体積固有抵抗が108 Ωcmから1011Ωcmの範囲にある場合には、電荷が残留しやすく、残留吸着作用があるので、ウエハを静電チャックから取り出す場合には、補助の離脱手段を使用する必要がある。
【0022】
以上は本発明を半導体製造用の静電チャックを例として説明したが、本発明は半導体製造用の静電チャックに限定されるものではない。吸着するものとしてはウエハに限定されるものでもない。例えば、ウエハに限らず、その他の物品を搬送する搬送手段や、加熱、冷却装置等に設けた静電チャックとしてもよい。
【0023】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、残留吸着作用を低減でき、且つ長寿命の静電チャックを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例の静電チャックを示す断面図である。
【図2】本発明の他の実施例の静電チャックを示す断面図である。
【図3】本発明の他の実施例の静電チャックを示す断面図である。
【図4】本発明の他の実施例の静電チャックを示す断面図である。
【図5】本発明の他の実施例の静電チャックを示す断面図である。
【図6】高抵抗型の表面絶縁層を使用した場合の静電チャックを示す図である。
【図7】低抵抗型の表面絶縁層を使用した場合の静電チャックを示す図である。
【図8】表面絶縁層を形成するセラミックの温度と抵抗の関係を示す図である。
【符号の説明】
10…静電チャック
12…基板
14…表面絶縁層
16,16a,16b…電極
22…接着剤層[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an electrostatic chuck used in semiconductor manufacturing processes such as CVD and etching, and other processing and transportation.
[0002]
[Prior art]
In semiconductor manufacturing processes such as CVD and etching, a wafer is held by an electrostatic chuck in a vacuum chamber, and various processes are performed. As the chip pattern is subdivided, fine dust is regarded as a problem, and dust generated by a mechanical chuck or dust during processing has become a problem. From this point of view, the adoption rate of electrostatic chucks is increasing.
[0003]
The electrostatic chuck includes a substrate and a surface insulating layer (dielectric) having electrodes, and the wafer is placed on the surface insulating layer when the wafer is attracted and held by the electrostatic chuck. The wafer is held on the surface insulating layer by a Coulomb force acting between the wafer and the electrode. Such an electrostatic chuck is disclosed, for example, in JP-A-7-18438.
[0004]
The surface insulating layer of the electrostatic chuck is bonded to the substrate with an adhesive. For example, the surface insulating layer is made of ceramic, the substrate is made of aluminum, and a silicon adhesive is used to adhere the surface insulating layer to the substrate. In the semiconductor manufacturing process, a wafer may be processed in a high-temperature processing chamber for CVD or etching, and the electrostatic chuck is exposed to a high temperature together with the wafer. The silicon adhesive is an effective adhesive for absorbing the difference in thermal expansion between the surface insulating layer and the substrate.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
The electrostatic chuck generates an attracting action when energized, and disappears when the energization is stopped. It is desirable that when the energization is stopped, the wafer can be taken out of the electrostatic chuck immediately after the adsorption action is lost.
However, if electric charges are accumulated in the surface insulating layer and the adhesive layer, a residual adsorption action may occur even when the energization is stopped. The residual adsorption action increases or decreases depending on the volume resistivity values of the surface insulating layer and the adhesive layer. If the residual adsorption action is large, the wafer cannot be easily removed from the electrostatic chuck. Therefore, the wafer may be forced out by pushing it up from the back surface with pins. However, in this case, there is a problem that the yield is lowered due to the occurrence of cracking, jumping, or discharging of the wafer.
[0006]
There are also attempts to blow off gas from the back surface of the wafer to release the wafer, or to generate plasma again for a short time separately from the processing at the time of removal to remove residual charges. However, these methods cause a decrease in throughput.
Furthermore, in the configuration in which the surface insulating layer is bonded to the substrate with the silicon adhesive, for example, in the etching process (especially isotropic etching), the silicon adhesive is etched, the life is shortened, and the cause of dielectric breakdown is caused. May be. For this reason, attempts have been made to make the entire electrostatic chuck from ceramics, but this method has a problem that the thermal conductivity is extremely poor and the price is high.
[0007]
An object of the present invention is to provide an electrostatic chuck that can reduce the residual adsorption action and has a long life.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
An electrostatic chuck according to the present invention includes a substrate, a surface insulating layer having electrodes, and an adhesive layer that adheres the surface insulating layer and the substrate, and the surface insulating layer has a resistance of 10 14 Ωcm or more. The adhesive layer is made of a ceramic adhesive having a resistance of 10 14 Ωcm or more.
In this configuration, the ceramic adhesive is not easily damaged by etching or the like, and a long-life electrostatic chuck can be provided. In addition, the volume resistivity of the ceramic adhesive can be controlled by adjusting the components contained therein. Accordingly, the adhesive layer has a resistance equivalent to that of the surface insulating layer. As a result, the surface insulating layer and the adhesive layer are set to have a volume resistivity that does not reduce or cause the residual adsorption action, and thus the residual adsorption action can be reduced or eliminated. In addition, it is preferable to select a ceramic adhesive having good thermal conductivity.
[0009]
According to a second aspect of the present invention, a substrate, a surface insulating layer having an electrode, and an adhesive layer for bonding the surface insulating layer and the substrate are provided, and the surface insulating layer has a resistance of 10 8 Ωcm or more and 10 11 Ωcm or less. The adhesive layer is made of a ceramic adhesive having a resistance of 10 8 Ωcm or more and 10 11 Ωcm or less. Those having a volume resistivity of 10 8 Ωcm or less are considered to be electrically conductive and are rarely used. If the volume resistivity is between 10 11 Ωcm and 10 14 Ωcm, the residual adsorption action tends to occur.
[0010]
The electrostatic chuck according to claim 3, further comprising a seal surrounding the adhesive layer between the surface insulating layer and the substrate. In this configuration, the adhesive layer is surrounded by the seal, and the seal is formed of a material that is not easily damaged by etching or the like, so that the adhesive layer is not damaged. Therefore, the life of the electrostatic chuck does not decrease.
[0011]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Examples of the present invention will be described below.
FIG. 1 is a diagram showing an
[0012]
The
[0013]
FIG. 2 is a diagram showing an
[0014]
FIG. 3 is a diagram showing an
[0015]
FIG. 4 is a diagram showing an
[0016]
FIG. 5 is a diagram showing an
[0017]
Also in this case, the
[0018]
FIG. 6 shows a case where the
In this case, since the resistance of the
[0019]
FIG. 7 shows a low resistance type ceramic (for example, Al 2 O 3 , MgO, SiO 2 , CaO, TiO 2) in which the
[0020]
In this case, since the resistance of the
[0021]
When the volume resistivity of the
FIG. 8 is a diagram showing the relationship between temperature and volume resistivity. Line X is a diagram showing an example of the nature of the ceramic used for the
[0022]
Although the present invention has been described by taking the electrostatic chuck for semiconductor manufacture as an example, the present invention is not limited to the electrostatic chuck for semiconductor manufacture. What is adsorbed is not limited to a wafer. For example, not only a wafer but also an electrostatic chuck provided in a conveying means for conveying other articles, a heating / cooling device, or the like may be used.
[0023]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the residual chucking action can be reduced and a long-life electrostatic chuck can be obtained.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an electrostatic chuck according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing an electrostatic chuck according to another embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing an electrostatic chuck according to another embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing an electrostatic chuck according to another embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a sectional view showing an electrostatic chuck according to another embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a diagram showing an electrostatic chuck when a high-resistance surface insulating layer is used.
FIG. 7 is a diagram showing an electrostatic chuck when a low-resistance surface insulating layer is used.
FIG. 8 is a diagram showing a relationship between temperature and resistance of a ceramic forming a surface insulating layer.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
Claims (3)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30318696A JP4033508B2 (en) | 1996-11-14 | 1996-11-14 | Electrostatic chuck |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30318696A JP4033508B2 (en) | 1996-11-14 | 1996-11-14 | Electrostatic chuck |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007025992A Division JP4879771B2 (en) | 2007-02-05 | 2007-02-05 | Electrostatic chuck |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10144779A JPH10144779A (en) | 1998-05-29 |
JP4033508B2 true JP4033508B2 (en) | 2008-01-16 |
Family
ID=17917922
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30318696A Expired - Lifetime JP4033508B2 (en) | 1996-11-14 | 1996-11-14 | Electrostatic chuck |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4033508B2 (en) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6256187B1 (en) * | 1998-08-03 | 2001-07-03 | Tomoegawa Paper Co., Ltd. | Electrostatic chuck device |
JP2005150370A (en) * | 2003-11-14 | 2005-06-09 | Kyocera Corp | Electrostatic chuck |
JP4148180B2 (en) * | 2004-04-23 | 2008-09-10 | 住友電気工業株式会社 | Wafer holder for semiconductor manufacturing equipment |
JP2006344999A (en) * | 2006-09-04 | 2006-12-21 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | Susceptor and its manufacturing method |
JP4879771B2 (en) * | 2007-02-05 | 2012-02-22 | 富士通セミコンダクター株式会社 | Electrostatic chuck |
JP5829509B2 (en) * | 2011-12-20 | 2015-12-09 | 東京エレクトロン株式会社 | Mounting table and plasma processing apparatus |
JP6154665B2 (en) * | 2013-05-28 | 2017-06-28 | リンテック株式会社 | Electrostatic holding device and method for removing object to be held from electrostatic holding device |
JP5992375B2 (en) * | 2013-08-08 | 2016-09-14 | 株式会社東芝 | Electrostatic chuck, mounting plate support, and manufacturing method of electrostatic chuck |
WO2020045432A1 (en) * | 2018-08-29 | 2020-03-05 | 京セラ株式会社 | Electrostatic chuck and method for manufacturing electrostatic chuck |
-
1996
- 1996-11-14 JP JP30318696A patent/JP4033508B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH10144779A (en) | 1998-05-29 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061205 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070205 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070925 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071023 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101102 Year of fee payment: 3 |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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S533 | Written request for registration of change of name |
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