JP4014059B2 - 枚葉式真空処理装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は枚葉式真空処理装置に関するものであり、更に詳しくは、基板の処理能力が増大された枚葉式真空処理装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
真空処理装置には、多数枚のウェーハを単位として、直列に接続された複数の真空処理室をトレイによって搬送し処理するインライン方式真空処理装置と、多角筒形状の搬送室の側壁面に複数の真空処理室を配置してウェーハを1枚ずつ処理する比較的新しい枚葉式真空処理装置とがある。これまであまり問題にならなかったプロセスのダスト汚染であっても、ウェーハ中における1個の半導体素子の面積が大きくなると素子の歩留りを大幅に低下させるので、最近ではウェーハを1枚ずつ処理する枚葉式真空処理装置が使用されるようになっている。
【0003】
図6は従来例の枚葉式真空処理装置2を概念的に示す平面図である。平面図で正八角形の形状を有する搬送室80の各側壁面に1対1の対応で箱形状を有する仕込・取出室81、仕込・取出室83のほかに、加熱または冷却室82、第1成膜室84、第2成膜室85等の真空処理室がそれぞれのゲートバルブ81g、82g、83g、84g、85gを介して配設されている。また仕込・取出室81、83にはゲートバルブ81g、83gと対向する側に大気側との間を開閉するゲートバルブ81a、83aが設けられている。そしてこれらの各室81〜85、および中央の搬送室80は何れも独立して真空排気することが可能となっている。また、ウェーハWは搬送室80の中心部に設置した真空側搬送ロボット91のハンド93に載せて各室間を搬送され、仕込・取出室81、83を除く各室内で真空処理される。なお、上記の第1成膜室84、第2成膜室85以外に、搬送室80の外周壁面に、一点鎖線で示すように、他の真空処理室を配設することができる。
【0004】
上記において、仕込・取出室81、83とは、ウェーハWの仕込みにも、取り出しにも使用可能な室であり、一方をウェーハWの仕込み専用、他方をウェーハWの取り出し専用とすることもできる。加熱または冷却室82、例えば加熱室82は成膜前のウェーハWを加熱する室であり、加熱室とする代わりに成膜直後の温度上昇しているウェーハWを冷却する冷却室82とすることもできる。また、第1成膜室84、第2成膜室85は、例えば同一内容のスパッタリングが重ねて施されたり、成膜材料の異なるスパッタリングが行なわれたり、またスパッタリング、CVDなど異なる成膜方法が行なわれたりする。
【0005】
この従来例の枚葉式真空処理装置2によってウェーハWに成膜を行なう場合のプロセスの一例を挙げると、仕込・取出室81のゲートバルブ81gを閉じたままゲートバルブ81aを開けて仕込・取出室81を大気開放し、図示しない大気側搬送ロボットによって1枚のウェーハWを仕込・取出室81へ挿入した後、ゲートバルブ81aを閉じて仕込・取出室81を所定の真空度まで真空排気してからゲートバルブ81gを開けて、仕込・取出室81と搬送室80とを連通させる。次いで、搬送室80の中央部に設置されている真空側搬送ロボット91によって仕込・取出室81からウェーハWを取り出し、ゲートバルブ82gを開けた加熱室82へ挿入してゲートバルブ82gを閉じる。必要な場合には真空排気して所定の加熱を行ない、加熱が終ると、加熱室82のゲートバルブ82gを開けて搬送ロボット91によってウェーハWを取り出し、続いてゲートバルブ84gを開けた第1成膜室84へ挿入してゲートバルブ84gを閉じる。必要な場合には真空排気して所定の成膜を行ない、成膜が完了するとゲートバルブ84gを開け、搬送ロボット91によりウェーハWを取り出し、続いて同様にしてウェーハWを第2成膜室85へ挿入して成膜を施し、最終的にはゲートバルブ81gを開けてウェーハWを仕込・取出室81へ戻す。次いで、仕込・取出室81のゲートバルブ81gを閉じ、ゲートバルブ81aを開けてウェーハWを仕込・取出室81から大気側へ取り出すようにして1枚ずつ真空処理される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
従来例の枚葉式真空処理装置2による上述した成膜例では、ウェーハWは搬送室80の周囲の各室を
仕込・取出室81 ⇒ 加熱室82 ⇒ 第1成膜室84 ⇒ 第2
成膜室85 ⇒ 仕込・取出室81
のように辿って成膜され、図6において矢印で示したような軌跡で搬送される。そして、この間においてウェーハWを搬送する搬送ロボット91の動作を解析すると、表1のようになる。
【0007】
【表1】
【0008】
従来例の枚葉式真空処理装置2を使用する上記のような成膜例において、単位時間当たりのウェーハWの処理枚数を増大させようとする場合、各真空処理室での真空処理に要する時間は変更し得ないとすると、真空側搬送ロボット91の搬送速度を高速化することが一つの選択手段となる。しかし、真空側搬送ロボット91の搬送速度を高速化するためには、従来は真空側搬送ロボット91のハンド93に載せるだけであったウェーハWをハンド93にチャックすることが必要になるが、このチャッキングはダストの発生を招く怖れがあり、現状では採用し難い。
【0009】
本発明は上述の問題に鑑みてなされ、真空側搬送ロボットの搬送速度を高速化させることなく、単位時間当たりのウェーハWの処理枚数を増大させることが可能な枚葉式真空処理装置を提供することを課題とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記の課題は請求項1の構成によって解決されるが、その解決手段を後述する実施の形態の図1によって示せば、 図1は枚葉式真空処理装置1の搬送室10と、搬送室10の側壁面にゲートバルブを介することなく設けられた基板受渡室10Sとを概念的に示す平面図であり、基板受渡室10S内に仕込・取出部11、加熱部12、仕込・取出部13が設けられている。そのほか搬送室10の他の側壁面には従来例の成膜室と同様な第1成膜室14、第2成膜室15が設けられている。そして基板であるウェーハWは搬送室10の中心部に設置した真空側搬送ロボット61によって各室間を搬送されて真空処理される。
【0011】
図2のA、B、Cは図1における[2]−[2]線方向の断面で示される基板受渡室10S内の仕込・取出部13における各構成要素の動作を概念的に示す図である。なお、仕込・取出部13と仕込・取出部11とは全く同様に構成されているので、図2は仕込・取出部11を示す図であるとして説明する。仕込・取出部11は第1仕切板34によって、搬送室10に連通している上半部21と大気に連通している下半部31とに仕切られており、下半部31の外周側壁32にはウェーハWの仕込みと取り出しを行なうための仕込・取出穴33が設けられている。そして第1仕切板34には下半部31と上半部21との間でウェーハWを受け渡すための貫通穴である受渡穴35が形成されている。
【0012】
上記の下半部31には、その底面板24を上下に挿通する軸37によって受渡穴35の下面側を開閉する下側弁体38がウェーハ・ホールダを兼ねて設けられている。また、上半部21には、その天井板22を上下に挿通する軸27によって仕込・受渡穴33の上面側を開閉する第1上側弁体28が設けられている。そして、第1仕切板34を介して第1上側弁体28と下側弁体38とが受渡穴35を閉じた時に、ウェーハWを保持し真空排気の可能な第1封止空間30が形成される。
【0013】
図2のAは、受渡穴35に第1上側弁体28が下降されて気密に閉じられ、下降されているウェーハ・ホールダ兼用の下側弁体38に対し、ウェーハWが仕込・取出穴33から挿入されて、移載された状態を示す。次いで、下側弁体38が上昇されて受渡穴35が気密に閉じられ、第1仕切板34を介して第1上側弁体28と下側弁体38との間に、ウェーハWが保持された第1封止空間30が形成されて図2のBの状態となり、この状態で第1封止空間30が真空排気される。第1封止空間30が所定の真空度に達すると、第1上側弁体28が上昇され、図1を参照してウェーハWは仕込・取出部11の上半部21から矢印で示すように同じ基板受渡室10S内の加熱部12へ移される。加熱部12は第1仕切板34の受渡穴35と同様な第2仕切板の貫通穴を下側から閉じるように加熱台が設置されており、後述の図4も参照して、第1上側弁体28と同様に昇降される第2上側弁体が下降した状態において、加熱台上に載置されているウェーハWを覆って真空排気の可能な第2封止空間が形成される。
【0014】
従来例で説明したと同様な成膜を行なうとすると、ウェーハWは基板受渡室10S内の仕込・取出部11から加熱部12へ移され加熱されて、搬送室10へ搬送された後、第1成膜室14、続いて第2成膜室15へ順に挿入されて成膜が行なわれる。
【0015】
基板受渡室10S内には上述のような仕込・取出部11、加熱部12、仕込・取出部13が設けられており、仕込・取出部11,13から加熱部12へのウェーハWの移動、および加熱部12から仕込・取出部11,13へのウェーハWの移動が、搬送ロボット61のアーム62の進退運動を含まないアーム62の旋回によって行われるので、詳しくは後述するように、真空処理のためにウェーハWを搬送する搬送室10内の搬送ロボット61の搬送動作の回数、旋回角度が低減され、その結果、ウェーハWの搬送距離が短くなって、単位時間当たりのウェーハWの処理枚数が増大される。
【0016】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態による枚葉式真空処理装置について、図面を参照して具体的に説明する。
【0017】
図1は実施の形態の枚葉式真空処理装置1を概念的に示す平面図であり、従来例の図6に対応する図である。枚葉式真空処理装置1は平面図で正八角形を基本形とする搬送室10の側壁面に真空処理室として第1成膜室14、第2成膜室15がそれぞれのゲートバルブ14g、15gを介して配設されている。なお、これらの各真空処理室14、15、および搬送室10は何れも独立して真空排気することが可能となっている。そして、ウェーハWは搬送室10の中心部に設置した搬送ロボット61のハンド63に載せて各室間を搬送され真空処理される。また、第1成膜室14、第2成膜室15が配設されている以外の搬送室10の側壁面に、一点鎖線で示すように、他の真空処理室を配設し得る。上記した点に関しては従来例の枚葉式真空処理装置2と基本的に同様であるが、本実施の形態の枚葉式真空処理装置1が従来例の枚葉式真空処理装置2と大きく異なるところは、搬送室10の側壁面の2面に相当する部分においてゲートバルブを介することなく基板受渡室10Sが設けられており、この基板受渡室10S内に従来例の仕込・取出室81、83、加熱室82とは全く異なった構成の仕込・取出部11、加熱部12、仕込・取出部13の計3部が搬送室10内の搬送ロボット61のアーム62の旋回の中心を中心とする同心円上に配置されていることにある。
【0018】
図2のA、B、Cは、図1における[2]−[2]線方向の断面で示される基板受渡室10S内の仕込・取出部13の各構成要素の動作を概念的に示す図であるが、仕込・取出部13と仕込・取出部11とは全く同様に構成されているので、図2は仕込・取出部11を示すものとして説明する。 仕込・取出部11は第1仕切板34によって搬送室10に連通している上半部21と大気に連通している下半部31とに仕切られており、下半部31の外周側壁32には図示しない大気側搬送ロボットによってウェーハWの仕込み、取り出しを行なうための仕込・取出穴33が設けられている。そして、第1仕切板34には下半部31と上半部21との間でウェーハWを受け渡しするための貫通穴である受渡穴35が形成されている。下半部31には、その底面板24を上下に挿通する軸37によって受渡穴35の下面側を開閉する下側弁体38がウェーハ・ホールダを兼ねて設けられており、下側弁体38の上面の外周縁部にはシール・リング39が取り付けられている。
【0019】
また、上半部21には、その天井板22を上下に挿通する軸27によって受渡穴35の上面側を開閉する第1上側弁体28がその周壁部28rと共に設けられ、周壁部28rの下端面にはシール・リング29が取り付けられている。そして、第1仕切板34を介して第1上側弁体28と下側弁体38とが受渡穴35を閉じた時に、第1上側弁体28と下側弁体38との間にウェーハWが保持された真空排気の可能な第1封止空間30が形成されるが、その第1封止空間30を真空排気する真空ポンプ71に接続するための第1排気用細孔36が第1仕切板34内に穿設されている。なお、第1上側弁体28の軸27は大気側と真空側との隔壁である天井板22を上下に挿通されているので、真空漏れに対する軸シールのために、上半部21内には金属ベローズ26が軸27の周囲を囲って上端部を天井板22の下面に、下端部を第1上側弁体28の上面に気密に接続して取り付けられている。そのほか、加熱部12は図示を省略するが、第1仕切板34の受渡穴35と同様な第2仕切板の貫通穴を下側から閉じるように加熱台が設置されており、第1上側弁体28と同様な第2上側弁体が加熱台を開閉する。そして第2上側弁体が下降した状態において、加熱台に載置されたウェーハWを覆って真空排気の可能な第2封止空間が形成される。また第2仕切板には第2封止空間を真空排気するための第2排気用細孔が穿設されている。
【0020】
実施の形態の基板受渡室10Sにおける仕込・取出部11、および加熱部12は以上の様に構成されているが、次にその作用を説明する。
【0021】
図2のAは、第1上側弁体28が下降されて受渡穴35の上面側が気密に閉とされ、下降されているウェーハ・ホールダ兼用の下側弁体38に対し、ウェーハWが図示しない大気側搬送ロボットによって仕込・取出穴33から挿入されて、移載された状態を示す。
【0022】
次いで、下側弁体38が上昇されて受渡穴35の下面側が気密に閉とされ、第1仕切板34を介して第1上側弁体28との間に、ウェーハWを保持した第1封止空間30が形成されて図2のBの状態となるが、続いて第1排気用細孔36に接続されている真空ポンプ71によって第1封止空間30が排気される。
【0023】
第1封止空間30が所定の真空度に達すると第1上側弁体28が上昇され、図1を参照して仕込・取出部11のウェーハWは搬送ロボット61によって矢印で示すように旋回されて同じ基板受渡室10S内の加熱部12へ移動され、加熱されてから搬送室10内へ搬入されるが、その後、続いて従来例で説明したと同様な成膜を行なうとして、ウェーハWは第1成膜室14、続いて第2成膜室15へ順に挿入されて成膜が行なわれる。
【0024】
上述した成膜例では、ウェーハWは搬送室10の周囲の各部、各室を
仕込・取出部11 ⇒ 加熱部12 ⇒ 第1成膜室14
⇒ 第2成膜室15 ⇒ 仕込・取出部11
のように辿り、図1において矢印で示したような軌跡で搬送される。そして、この間においてウェーハWを搬送する搬送ロボット61の動作を解析すると、表2のようになる。
【0025】
【表2】
【0026】
すなわち、従来例の枚葉式真空処理装置2では、搬送ロボット61の動作回数は12動作であったに対して、実施の形態の枚葉式真空処理装置1においては、基板受渡室10S内に上記のような構成の仕込・取出部11、加熱部12、仕込・取出部13が設けられていることにより、従来例と同様な成膜を行っても、搬送ロボット61の動作回数は10動作となり、かつ旋回角度のトータルも従来例の135度から112.5度と小さくなってウェーハWの搬送距離が短くなり、単位時間当りのウェーハWの処理枚数が増大される。
【0027】
【実施例】
以下、実施例の枚葉式真空処理装置について説明する。
【0028】
図3は実施例の基板受渡室110Sを備えた搬送室110、および付帯設備からなる枚葉式真空処理装置3の部分破断斜視図である。基本形状が扁平な正八角筒である搬送室110の外周壁面に形成されている挿入窓114w、115w、…、119wとの間に図示を省略したそれぞれのゲートバルブを介し、二点鎖線で示すように、それぞれ独立して真空排気の可能な第1成膜室114、第2成膜室115、その他の真空処理室116、…、119が配設されている。そして、搬送室110の2面の周壁面に相当する部分にゲートバルブを介することなく設けられた基板受渡室110Sには、図1の配列とは異なるが、仕込部111、加熱部112、および取出部113が、搬送室110内の真空側搬送ロボット161の旋回の中心軸160を中心とする同心円上に設けられている。真空側搬送ロボット161は、周知のように、伸縮自在のアーム162が全方位へ旋回可能なように中心軸160に取り付けられており、アーム162の先端部にはウェーハWを載せる二股のハンド163が設けられている。真空側搬送ロボット161は基板受渡室110S内の仕込部111、加熱部112、取出部113、搬送室110の周囲の第1成膜室114、 第2成膜室115、その他の真空処理室116、…、119と搬送室110との間でウェーハWを出し入れする。
【0029】
また、基板受渡室110Sの手前側に設けられたバッファーステーション41の上段41uにはウェーハWの位置合わせを行うためのアライナー42を中にしてウェーハ・カセット43が一列に並べて置かれ、アライナー42と基板受渡室110Sの間となるバッファーステーション41の下段41dには大気側搬送ロボット51が設けられている。大気側搬送ロボット51は例えば水平多関節のダブルアームで構成されており、先端部の二股のハンド53にウェーハWを載せて搬送する。大気側搬送ロボット51はウェーハ・カセット43から1枚ずつウェーハWを取り出してアライナー42へ搬送し、アライナー42内でウェーハWのオリフラ(オリエンテーション・フラット)又はノッチを利用してウェーハWの向きを整えた後、基板受渡室110Sの仕込部111の下半部131へ一方のハンドで搬送し、既に真空処理が完了して取出部113内に載置されているウェーハWをもう一方のハンドで取り出してウェーハ・カセット43へ戻すようになっている。
【0030】
図4は図3の基板受渡室110Sを拡大して示す部分破断斜視図である。基板受渡室110Sに設けられた仕込部111は、図2で説明したように、搬送室110に連通している上半部121と、大気に連通している下半部131とに仕切られており、下半部131の正面側の外壁132にはウェーハWを大気側搬送ロボット51の二股のハンド53によって下半部131へ挿入するための仕込穴133が形成されている。また、上半部121と下半部131とを仕切る第1仕切板134には下半部131と上半部121との間でウェーハWを受け渡しする受渡穴135が形成されている。下半部131には、その底蓋板124を上下に挿通する軸137によって受渡穴135の下面側を開閉する下側弁体138がウェーハ・ホールダを兼ねて設けられており、基板受渡室110Sの底面側に固定された空気圧シリンダ137Cによって昇降される。下側弁体138の上面には、大気側搬送ロボット51の二股のハンド53、および真空側搬送ロボット161の二股のハンド163の挿入ガイド溝138tが形成され、下側弁体138の上面の外周縁部にはゴム製のシール・リング139が取り付けられている。
【0031】
また、第1仕切板134の上方となる仕込部111の上半部121には、その天井蓋板122を上下に挿通する軸127によって受渡穴135の上面側を開閉する第1上側弁体128がその周壁部128rと共に設けられ、周壁部128rの下端面にはゴム製のシール・リング129が取り付けられている。第1上側弁体128を開閉させる軸127は基板受渡室110Sの上面側に固定された空気圧シリンダ127Cによって昇降される。そして、第1仕切板134を介して第1上側弁体128とウェーハWを載置した下側弁体138とが閉じられた時に真空排気の可能な第1封止空間が形成される。この第1封止空間は、図2のBにおける第1封止空間30に相当するものであるが、図4においては示し難いので符号は付していない。また、第1封止空間を排気するための真空排気系は図示を省略している。
【0032】
更には、第1上側弁体128の軸127が上半部121の天井蓋板122を挿通して上下動することによる真空漏れに対して、上半部121内には、金属ベローズ126が上下の端部を天井蓋板122の下面と、第1上側弁体128の上面とに気密に接続して軸127を囲うように取り付けられている。なお、取出部113は仕込部111と全く同様に構成されているので、同一構成要素には同一の符号を付してそれらの説明は省略する。そのほか、上記の上半部121の天井蓋板122、下半部131の底蓋板124は取り外すことができ、第1上側弁体128や下側弁体138の交換が可能である以外に、仕込部111を仕込・取出部として使用し、取出部113を冷却部に変更することも可能となっている。以降、仕込部、取出部、および仕込・取出部を総称する場合には仕込取出部とする。
【0033】
また、基板受渡室110S内の加熱部112は図4に示されていない第2仕切板に設置されたウェーハWの加熱台158と、その上方の第2上側弁体148とから構成されており、加熱台158の表面には真空側搬送ロボット161の二股のハンド163のみの挿入ガイド溝158tが形成されている。ウェーハWの加熱時に下降されて加熱台158のカバーとなる第2上側弁体148が周壁部148rと共に設けられており、周壁部148rの下端面にはシール・リング149が取り付けられている。すなわち、第2上側弁体148が取り付けられている軸147は基板受渡室110Sの上面側に固定された空気圧シリンダ147Cによって昇降されるが、第2上側弁体148が下降されると、ウェーハWが載置された加熱台158との間に真空排気の可能な第2封止空間が形成されるようになっている。この第2封止空間も第1封止空間と同様、図4においては示し難いので符号は付していない。また、軸147が加熱部112の天井蓋板142を挿通して上下されることによる真空漏れを防ぐために、金属ベローズ146が上下の端部を天井蓋板142の下面と、第2上側弁体148の上面とに気密に接続して軸147を囲うように取り付けられていることは仕込部111および取出部113と全く同様である。
【0034】
実施例の枚葉式真空処理装置3に設けられた基板受渡室110Sにおける仕込部111、加熱部112、取出部113は以上の様に構成されているが、次にその作用を説明する。すなわち、図4を参照し、仕込部111において上半部121の第1上側弁体128が空気圧シリンダ127Cによって下降されて第1仕切板134の受渡穴135の上面側を閉じ、ウェーハ・ホールダ兼用の下半部131の下側弁体138は下降されている状態において、大気側搬送ロボット51の二股のハンド53が、図3のウェーハ・カセット43から取り出し、アライナー42で向きを整えた未処理のウェーハWを、基板受渡室110Sの正面の仕込穴133から挿入する。ハンド53が下側弁体138の上面のガイド溝138tに導かれてウェーハWを下側弁体138上へ移載し、仕込穴133から引き抜かれると、空気圧シリンダ137Cによって下側弁体138はウェーハWと共に上昇されて受渡穴135の下面側を閉じる。
【0035】
第1上側弁体128と下側弁体138とが第1仕切板134を介して受渡穴135を閉じることによって図2のBの第1封止空間30と同様な第1封止空間が形成され、図示しない真空排気系によって排気される。そして同空間が所定の真空度に達すると第1上側弁体128が上昇されて下側弁体138上のウェーハWが上半部121内で露出される。続いて、搬送室110内の真空側搬送ロボット161が起動され、ハンド163が下側弁体138のガイド溝138tに沿って挿入され、ウェーハWをハンド163上に載せる。そして真空側搬送ロボット161のアーム162は図3に示す中心軸160の回りに旋回され、図4においてウェーハWを同じ基板受渡室110S内で第2上側弁体148が上昇されている加熱部112へ移動させ、ウェーハWを加熱台158に載置する。そして、ハンド163が搬送室110内へ引き戻されると、第2上側弁体148が空気圧シリンダ147Cによって下降されて、加熱台158を覆うことにより第2封止空間が形成される。
【0036】
第2封止空間は必要な場合には真空排気され、ウェーハWは加熱台158によって所定の温度に加熱される。加熱が終わると第2上側弁体148は上昇され、真空側搬送ロボット161のハンド163が加熱台158のガイド溝158tに沿って挿入されてウェーハWをハンド163に載せ、図3に示す搬送室110内へ引き戻す。続いて、ハンド163を挿入窓114wから挿入してウェーハWをゲートバルブ(図示されていない)の開けられた第1成膜室114内へ挿入し、ハンド163を搬送室110へ引き戻してから、ゲートバルブを閉じて、ウェーハWに成膜が施される。なお、真空側搬送ロボット161によるウェーハWの搬入の様子は図3の真空処理室119に示されている。
【0037】
成膜が完了するとゲートバルブを開け、真空側搬送ロボット161のハンド163によってウェーハWを第1成膜室114から搬送室110へ引き戻し、ゲートバルブを閉じてから、続いて同様にしてウェーハWを第2成膜室85へ挿入して成膜を施し、必要な場合には更に他の真空処理室で真空処理してから最終的にウェーハWを基板受渡室110Sの取出部113内の下側弁体138に載置する。取出部113内へ移動された真空処理済みのウェーハWは、大気側搬送ロボット51が未処理のウェーハWを基板受渡室110の仕込部111へ挿入する時に、同時に大気側搬送ロボット51によって大気側へ取り出される。
【0038】
本実施の形態および本実施例による枚葉式真空処理装置は以上の様に構成され作用するが、 勿論、本発明はこれらに限られることなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【0039】
例えば本実施の形態を示す図1においては、搬送室10を八角筒形状として、その側壁面の二面に相当する部分に基板受渡室10Sを設け、その基板受渡室10S内に仕込・取出部11、13と加熱部12の計3部を設けたが、搬送室10は五角筒形状、六角筒形状、七角筒形状であってもよく、また九角筒形状や十角筒形状であってもよい。また仕込部、取出部、仕込・取出部、および加熱部、冷却部、その他の真空処理部の中から組み合わせて基板受渡室内に設ける部の数はその基板受渡室が設けられている多角筒形状の搬送室の側壁面の面数と同じか、あるいはそれよりも大である限りにおいて、基板受渡室の大きさやその内部に設ける部の数は制限されない。
【0040】
また本実施の形態の基板受渡室10Sにおいては、図1に示したように、大気側から基板受渡室10Sに向かって左側から仕込・取出部13、仕込・取出部11、加熱部12の順に配置し、実施例の基板受渡室110Sにおいては、図4に示したように、取出部113、加熱部112、仕込部111の順に配置したが、これらに限られることなく、仕込・取出部を1室のみ設け、仕込・取出部の片側に加熱部と冷却部とを配置してもよく、また仕込・取出部の両側に加熱部と冷却部とを配置してもよい。また、仕込・取出部の片側または両側に加熱部を2部設けてもよい。このように、仕込部、取出部、加熱部、冷却部の組み合せ、配列は任意に設定することができ、何らの制限はない。
【0041】
また本実施の形態においては、基板受渡室10Sに仕込・取出部11、13、加熱部12を設ける例を説明したが、例えば、図2のAに対応する図5に示すように、下側弁体38を設けず、かつ、仕込・取出穴33を真空ポンプ71に接続し、第1上側弁体28は搬送室10を排気する場合の開閉バルブとして使用することもできる。その他、図2においては、第1仕切板34に第1排気用細孔36を設けたが、第1排気用細孔36はそれ以外の箇所、例えば下側弁体38の軸37に設けることもできる。
【0042】
また本実施の形態を示した図2において、例えば第1上側弁体28や下側弁体38にゴム製のシール・リング29、39を取り付けたが、金属チューブ製のシール・リングとすれは耐熱性が一層向上する。また実施例の図4において、第1上側弁体128の軸127の上下動による真空漏れに対して、金属ベローズ126の上下の端部を、上半部121の天井蓋板122の下面と、第1上側弁体128の上面とに気密に接続して軸127を囲うことにより軸シールしたが、搬送室110に連通する上半部121の真空度がそれほど要求されない場合には、ゴムやポリ四フッ化エチレンによる軸シールを用いてもよい。
【0043】
また本実施の形態においては、基板受渡室10Sに設け得る真空処理部として、加熱部と冷却部を例示したが、それら以外の真空処理部、例えばイオン注入部や不純物拡散部を設けてもよい。
【0044】
【発明の効果】
本発明の枚葉式真空処理装置は上記のような形態で実施され、以下に述べるような効果を奏する。
【0045】
従来例の枚葉式真空処理装置では多角筒形状の搬送室の側壁面に、仕込室、取出室、または仕込・取出室、および加熱室、冷却室等の真空処理室が、それぞれゲートバルブを介して配設されていたのに対して、本発明の枚葉式真空処理装置によれば、多角筒形状の搬送室の側壁面にゲートバルブを介することなく基板受渡室を設けて、その基板受渡室内に従来の箱形状のものとは異なる構成の仕込取出部および基板処理部を、搬送ロボットのア ームの旋回の中心を中心とする同心円上に配置したので、基板受渡室内の仕込取出部と基板処理部との間の基板の移動は、搬送ロボットのアームの伸縮を必要とせず、アームの旋回によって可能となり、基板の搬送時における搬送ロボットの動作回数が低減されるほか、旋回角度も小さくなって基板の搬送距離が低減され、搬送ロボットの搬送速度を高速化させることなく、単位時間当りの基板の処理枚数を増大させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施の形態の枚葉式真空処理装置を概念的に示す平面図である。
【図2】 図1における[2]−[2]線方向の断面図であり、A、B、Cはその作用の各段階を示す。
【図3】 実施例の枚葉式真空処理装置の部分破断斜視図である。
【図4】 図3の主要部を拡大して示す部分破断斜視図である。
【図5】 変形例についての図2に対応する断面図である。
【図6】 従来例の枚葉式真空処理装置を概念的に示す平面図である。
【符号の説明】
1 枚葉式真空処理装置
3 枚葉式真空処理装置
10 搬送室
10S 基板受渡室
11 仕込・取出部
12 加熱部
13 仕込・取出部
14 第1成膜室
15 第2成膜室
21 上半部
22 天井板
24 底面板
27 軸
28 第1上側弁体
29 シール・リング
30 第1封止空間
31 下半部
33 仕込・取出穴
34 第1仕切板
35 受渡穴
36 第1排気用細孔
37 軸
38 下側弁体
39 シール・リング
51 大気側搬送ロボット
52 アーム
53 ハンド
61 真空側搬送ロボット
62 アーム
63 ハンド
Claims (5)
- 伸縮し旋回するアームを有する搬送ロボットを中心部に備えた多角筒形状の搬送室の側壁面にゲートバルブを介して複数の真空処理室が配設されており、仕込まれた基板を前記搬送室から前記真空処理室へ挿入して真空処理し、真空処理が完了した前記基板を前記真空処理室から前記搬送室へ引き戻すことによって前記基板を1枚ずつ真空処理する枚葉式真空処理装置において、
前記搬送室の少なくとも1面以上の連続する前記側壁面に前記ゲートバルブを介することなく基板受渡室が設けられ、前記基板受渡室内には、前記基板を前記基板受渡室へ仕込み、前記基板を前記基板受渡室から取り出す仕込取出部、および前記基板に加熱、冷却、イオン注入または不純物の拡散処理を施す基板処理部が何れも前記搬送ロボットのアームの旋回の中心を中心とする同心円上に配置されており、
前記仕込取出部は、第1仕切板によって第1上半部と第1下半部とに仕切られて、前記第1上半部は前記搬送室に連通し、前記第1下半部は大気に連通しており、かつ前記第1仕切板には前記第1上半部と前記第1下半部との間で前記基板を受け渡すための受渡穴が形成されると共に、前記第1上半部内には上下に移動して前記受渡穴を開閉する第1上側弁体が設けられ、前記第1下半部内には前記基板を載置し得て上下に移動し前記受渡穴を開閉する下側弁体が設けられており、
前記基板処理部は、第2仕切板によって第2上半部と第2下半部とに仕切られて、前記第2上半部は前記搬送室に連通しているが、前記第2下半部は前記第2仕切板に形成された貫通孔を下側から閉じた状態で基板処理台が設けられ、前記第2上半部内には上下に移動して前記基板処理台を開閉する第2上側弁体が設けられており、
前記仕込取出部から前記基板処理部への前記基板の移動、および前記基板処理部から前記仕込取出部への前記基板の移動が、前記搬送ロボットのアームの進退運動を伴わない当該アームの旋回によって行われることを特徴とする枚葉式真空処理装置。 - 前記第1上側弁体と前記下側弁体とが共に前記受渡穴を閉じた状態で形成される第1封止空間が真空排気可能とされていることを特徴とする請求項1に記載の枚葉式真空処理装置。
- 前記第1封止空間の真空排気が前記第1仕切板に穿設された第1排気用細孔を介して行われることを特徴とする請求項2に記載の枚葉式真空処理装置。
- 前記第2上側弁体が前記基板処理台を閉じた状態で形成される第2封止空間が真空排気可能とされていることを特徴とする請求項1に記載の枚葉式真空処理装置。
- 前記第2封止空間の真空排気が前記第2仕切板に穿設された第2排気用細孔を介して行われることを特徴とする請求項4に記載の枚葉式真空処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP36955197A JP4014059B2 (ja) | 1997-12-29 | 1997-12-29 | 枚葉式真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP36955197A JP4014059B2 (ja) | 1997-12-29 | 1997-12-29 | 枚葉式真空処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11195691A JPH11195691A (ja) | 1999-07-21 |
JP4014059B2 true JP4014059B2 (ja) | 2007-11-28 |
Family
ID=18494716
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP36955197A Expired - Fee Related JP4014059B2 (ja) | 1997-12-29 | 1997-12-29 | 枚葉式真空処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4014059B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6468353B1 (en) * | 1997-06-04 | 2002-10-22 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for improved substrate handling |
-
1997
- 1997-12-29 JP JP36955197A patent/JP4014059B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11195691A (ja) | 1999-07-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041001 |
|
A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |