JP3994839B2 - 光モジュール - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光モジュールに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来から、ブラッグ回折格子は、ブラッグ条件を満たす特定の波長(ブラッグ波長)の光を選択的に反射させることができるので、例えば光通信システムにおいて波長選択フィルタとして用いられる。ブラッグ回折格子は、光ファイバ端部付近に周期的な屈折率変化を与えることにより該光ファイバ内に形成され、この屈折率変化の周期により決定されるブラッグ波長の光が反射することとなる。このようなブラッグ回折格子が作り込まれた光ファイバは、その先端部分がフェルール等の搭載部材に取り付けられて固定される(例えば、特許文献1参照。)。
【0003】
【特許文献1】
特開2000−353845号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ブラッグ回折格子が作り込まれた光ファイバの搭載部材への固定は、当該ファイバのうちフェルール内に収納された部分全体を、接着剤を介してフェルール内壁に密着固定することにより行われる。この場合、上記光ファイバをフェルールに固定する際に、直接光ファイバ、特にブラッグ回折格子が形成された回折格子領域にストレスが加えられ、ブラッグ回折格子の反射特性が変化してしまう。
【0005】
本発明は上述の点に鑑みてなされたもので、光ファイバに形成されたブラッグ回折格子の反射特性が変化するのを抑制することが可能な光モジュールを提供することを課題とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る光モジュールは、柱状の部材からなり、当該部材の中心軸方向に延びて形成された貫通孔と、貫通孔の内周面が露出するように柱状の部材の一部を切り欠くことにより形成された搭載面とを含み、アルミナあるいはジルコニアからなるフェルールと、貫通孔に挿通され、搭載面側に所定の長さ突出して固定される光ファイバと、搭載面に設けられ、光ファイバの端部と光学的に結合する光半導体素子と、を有し、光ファイバにおける搭載面側に突出した部分には、ブラッグ回折格子が形成されていることを特徴としている。
【0007】
本発明に係る光モジュールでは、光ファイバが、フェルールの貫通孔に挿通され、当該フェルールの搭載面側に所定の長さ突出して固定されるので、光ファイバをフェルールに固定した後に、光ファイバにおける搭載面側に突出して配置された部分にブラッグ回折格子を形成することが可能となる。この結果、光ファイバに形成されたブラッグ回折格子の反射特性が変化するのを抑制することができる。
【0008】
また、本発明では、搭載面に設けられ、光ファイバの端部と光学的に結合する光半導体素子を更に有している。これにより、上記光半導体素子がフェルールの搭載面に配置されることとなり、モジュールを小型化することができる。
また、本発明では、フェルールがアルミナあるいはジルコニアからなる。アルミナあるいはジルコニアは、より加工性に優れ、広く利用されている材料であると共に、熱的に安定であり、電気的絶縁性に優れ、微細な加工も可能である。
【0009】
また、光半導体素子が、半導体光増幅素子であることが好ましい。このように構成した場合、小型の光送信モジュールを実現することができる。
【0010】
また、光半導体素子が、フォトダイオードであることが好ましい。このように構成した場合、小型の光受信モジュールを実現することができる。
【0011】
また、前記搭載面は、前記溝が延びる方向に沿って配置された第1及び第2の領域を含み、光ファイバにおけるブラッグ回折格子が形成された部分は第1の領域に位置しており所定の波長帯の入射光を反射し、当該所定の波長帯とは異なる所定の波長帯の入射光を透過する光学素子と、搭載面の第1の領域に設けられ、光学素子と光学的に結合する半導体受光素子と、を更に有し、光半導体素子が、半導体発光素子であり、半導体発光素子は、光ファイバの端部と対向するように搭載面の第2の領域に設けられ、光学素子は、光ファイバにおけるブラッグ回折格子が形成された部分と光ファイバにおける貫通孔に挿通された部分との間に設けられ、当該両部分に光学的に結合されていることが好ましい。このように構成した場合、小型の光送受信モジュールを実現することができる。
【0013】
また、搭載部材を支持するとともに、光半導体素子に電気的に接続されるリードフレームを更に有することが好ましい。このように構成した場合、リードフレームにより、モジュールの外部基板への搭載が可能となると共に、光半導体素子と外部基板との電気的接続を容易に行うことができる。
【0014】
また、光ファイバにおける搭載面側に突出した部分及び光半導体素子を封止する樹脂体を更に有することが好ましい。このように構成した場合、光ファイバにおける搭載面側に突出した部分及び光半導体素子を良好に保持することができると共に、各要素を保護することができる。
【0021】
【発明の実施の形態】
本発明の好適な実施形態について図面を参照して説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【0022】
(第1実施形態)
第1実施形態は、本発明を、入力された電気信号を光信号へと変換して送信する光送信モジュールに適用したものである。図1は、本第1実施形態に係る光送信モジュールの断面構成を示す図面である。図2は、図1に示した光送信モジュールの平面構成を示す図面であり、図3は、図1に示した光送信モジュールの外観構成を示す斜視図である。
【0023】
図1〜図3を参照すると、光送信モジュールOM1は、搭載部材としてのフェルール1、光ファイバ3、光半導体素子としての半導体光増幅素子5等を有する。
【0024】
フェルール1は、セラミック材料(本実施形態においては、アルミナあるいはジルコニア)からなる柱状(本実施形態においては、円柱状)の部材であり、その中心には当該部材の中心軸方向に延びて形成された貫通孔7が設けられている。この貫通孔7は、フェルール1の中心軸に対して±2μm程度の精度で形成されている。フェルール1の一端には、当該フェルール1の中心軸に対して平行な搭載面9が設けられている。この搭載面9は研磨法または放電加工等により形成することができる。そして、この搭載面9はフェルール1の中心軸より所定の距離、例えば10μm程度離間し、その精度は±5μm程度以内となるように貫通孔7を切り欠くことにより形成されている。これらにより、フェルール1は、貫通孔7が形成された第1の部分1aと、貫通孔7に連続して当該貫通孔7が延びる方向に延びる溝11が形成された第2の部分1bとを含むこととなる。
【0025】
たとえば、フェルール1の直径は1.25mm〜2.50mmに設定し、中心軸方向での長さは5mm〜15mmに設定することができる。また、貫通孔7の直径は、126μm±2μmに設定することができる。また、フェルール1の中心軸方向での搭載面9の長さは、3mm〜15mmに設定することができる。
【0026】
光ファイバ3は、フェルール1の貫通孔7に挿通され、搭載面9側に所定の長さ(たとえば、2〜5mm程度)突出した状態で、接着剤等によりフェルール1に固定される。したがって、光ファイバ3は、溝11に所定の長さ突出するように貫通孔7に挿通されて固定されている。
【0027】
光ファイバ3における搭載面9側に突出、すなわち溝11に突出してその一部が露出している部分には、ブラッグ回折格子13が設けられている。このブラッグ回折格子13は、光ファイバ3がフェルール1に固定された後に形成される。ブラッグ回折格子13は、後述するように、光送信モジュールOM1において、半導体光増幅素子5の光反射面5bとともに光共振器を構成する。典型的な値を例示すると、ブラッグ回折格子13のピッチは0.46μm程度でよく、また、ブラッグ回折格子13の全長は2mm〜3.0mmとすることができる。上述のピッチを有するブラッグ回折格子13の反射波長は、例えば1310nm帯といった波長帯にあることができる。
【0028】
ブラッグ回折格子13の形成方法については、SiO2(石英ガラス)系光ファイバのコアまたはクラッドに予め感光性成分としてGeO2(酸化ゲルマニウム)を添加しておき、これに例えば紫外光など所定波長の光を照射させて、その光エネルギー強度分布などに応じた屈折率変化パターンを形成することによってブラッグ回折格子13の形成するのが一般的である。具体的には、光ファイバに対して、マスクを介してレーザなどの光源から所定波長の紫外光を照射することによって、コアまたはクラッドの少なくとも一方に所定の屈折率変化パターンの書込を行う。
【0029】
半導体光増幅素子5は、その光出射面5aが光ファイバ3の端部と対向するようにフェルール1の搭載面9に設けられ、光ファイバ3の端部と光学的に結合している。この半導体光増幅素子5は、例えば、InGaAsP/InPのダブルヘテロ構造の半導体光増幅素子チップを用いることができる。また、半導体光増幅素子5は、例えば、搭載面9に形成されたメタライズ層(メタライズパターン)上に実装することにより、搭載面9に設けることができる。
【0030】
半導体光増幅素子5は、その一端面が光出射面5aとされ、他端面が光反射面5bとされている。光反射面5bは、コーティングされており、その反射率は85〜100%である。
【0031】
光送信モジュールOM1は、以下の通り動作する。光送信モジュールOM1において、半導体光増幅素子5に所定の信号を含んだ電流を流すと、その光出射面5aから光が出力される。この光は、光ファイバ3の端面を透過して光ファイバ3内に入射する。その後、光ファイバ3に設けられたブラッグ回折格子13と半導体光増幅素子5の光反射面5bとの間でレーザ発振が生じる。レーザ発振により発生したレーザ光は、光ファイバ3を透過し、端面から外部へ放出される。
【0032】
なお、フェルール1の搭載面9に形成された溝11の深さは、搭載面9に載置、固定された状態の半導体光増幅素子5の発光部中央部が貫通孔7の中心軸上、すなわち、光ファイバ3の中心軸上にくるように設定されるのが理想的である。これにより、半導体光増幅素子5が発する光を光ファイバ3に効率よく導入することができる。
【0033】
以上のように、本第1実施形態の光送信モジュールOM1では、光ファイバ3が、フェルール1の貫通孔7に挿通され、当該フェルール1の搭載面9側に所定の長さ突出して固定されるので、光ファイバ3をフェルール1に固定した後に、光ファイバ3における搭載面9側に突出して配置された部分にブラッグ回折格子13を容易に形成することが可能となる。この結果、光ファイバ3に形成されたブラッグ回折格子13の反射特性が変化するのを抑制することができる。
【0034】
本第1実施形態の光送信モジュールOM1においては、フェルール1の搭載面9に半導体光増幅素子5が実装されるので、小型の光送信モジュールOM1を実現することができる。
【0035】
また、本第1実施形態の光送信モジュールOM1においては、フェルール1がセラミック材料からなる。セラミック材料は熱的に安定であり、電気的絶縁性に優れ、微細な加工も可能である。また、セラミック材料がアルミナあるいはジルコニアであると、より加工性に優れ、広く利用されている材料であるので好ましい。
【0036】
なお、上記第1実施形態の変形例としては、図4に示されるように、光送信モジュールOM1が有する光ファイバ3を、ピッグテール部分15を有する光ファイバ3としてもよい。
【0037】
(第2実施形態)
第2実施形態は、本発明を、入力された光信号を電気信号へと変換して受信する光受信モジュールに適用したものである。図5は、本第2実施形態に係る光受信モジュールの断面構成を示す図面である。図6は、図5に示した光受信モジュールの平面構成を示す図面であり、図7は、図5に示した光受信モジュールの外観構成を示す斜視図である。
【0038】
図5〜図7を参照すると、光受信モジュールOM2は、フェルール1、光ファイバ3、光半導体素子としてのフォトダイオード21等を有する。
【0039】
フォトダイオード21は、その光入射面21aが光ファイバ3の端部と対向するようにフェルール1の搭載面9に設けられ、光ファイバ3の端部と光学的に結合している。このフォトダイオード21は、例えば、受光部としてInGaAsPを有する端面入射型フォトダイオードを用いることができる。また、フォトダイオード21は、例えば、搭載面に形成されたメタライズ層(メタライズパターン)上に実装することにより、搭載面に設けることができる。
【0040】
以上のように、本第2実施形態の光受信モジュールOM2においても、光ファイバ3が、フェルール1の貫通孔7に挿通され、当該フェルール1の搭載面9側に所定の長さ突出して固定されるので、光ファイバ3をフェルール1に固定した後に、光ファイバ3における搭載面9側に突出して配置された部分にブラッグ回折格子13を容易に形成することが可能となる。この結果、光ファイバ3に形成されたブラッグ回折格子13の反射特性が変化するのを抑制することができる。
【0041】
また、本第2実施形態の光受信モジュールOM2においては、フェルール1の搭載面9にフォトダイオード21が実装されるので、小型の光受信モジュールOM2を実現することができる。
【0042】
なお、上記第2実施形態の変形例としては、図8に示されるように、光受信モジュールOM2が有する光ファイバ3を、ピッグテール部分15を有する光ファイバ3としてもよい。
【0043】
(第3実施形態)
第3実施形態は、本発明を、入力された電気信号を光信号へと変換して送信する一方、入力された光信号を電気信号へと変換して受信する光送受信モジュールに適用したものである。図9は、本第3実施形態に係る光送受信モジュールの断面構成を示す図面である。図10は、図9に示した光送受信モジュールの平面構成を示す図面であり、図11は、図9に示した光送受信モジュールの正面構成を示す図面であり、図12は、図9に示した光送受信モジュールの外観構成を示す斜視図である。また、図13は、図9に示した光送受信モジュールにおいて、樹脂体を除いた状態での外観構成を示す斜視図である。
【0044】
図9〜図12を参照すると、光送受信モジュールOM3は、フェルール1、光ファイバ3、半導体発光素子としての半導体光増幅素子5、半導体受光素子としてのフォトダイオード31、光学素子33等を有する。
【0045】
フェルール1の搭載面9は、第1の領域9aと、第2の領域9bとを有している。第1の領域9a及び第2の領域9bは、溝11が延びる方向に沿って配置されている。光ファイバ3におけるブラッグ回折格子13が形成された部分は、第1の領域9aに位置している。
【0046】
半導体光増幅素子5は、その光出射面5aが光ファイバ3の端部と対向するようにフェルール1における搭載面9の第2の領域9bに設けられ、光ファイバ3の端部と光学的に結合している。
【0047】
光学素子33は、第1の波長帯(例えば、1550nm帯)の入射光を反射し、第1の波長帯とは異なる第2の波長帯(例えば、1310nm帯)の入射光を透過する。この光学素子33としては、誘電体多層膜を有する光フィルタを用いることができる。光学素子33は、第1の領域9aにおける光ファイバ3のブラッグ回折格子13が形成された部分3aと光ファイバ3における貫通孔7に挿通された部分3bとの間に設けられ、当該両部分3a,3bに光学的に結合されている。光学素子33は、フェルール1の搭載面9と鋭角(例えば、30°程度)を成す。
【0048】
光学素子33は、光ファイバ3に設けられたブラッグ回折格子13と半導体光増幅素子5の光反射面5bとの間で生じたレーザ発振により発生した第2の波長帯のレーザ光を透過する。一方、光学素子33は、光ファイバ3内を上記レーザ光とは反対方向に伝播する第1の波長帯の光を反射する。
【0049】
フォトダイオード31は、搭載面9の第1の領域9aに設けられ、光学素子33と光学的に結合する。このフォトダイオード31としては、裏面入射型のフォトダイオードを用いることができる。フォトダイオード31は、マウント部材35上に搭載されており、光ファイバ3上に配置される。つまり、フォトダイオード31とフェルール1との間に、光ファイバ3が設けられている。マウント部材35は、光ファイバ3を固定するために利用する固定部材として利用できる。フォトダイオード31は、光ファイバ3(貫通孔7に挿通された部分3a)、光学素子33及びマウント部材35を介して入射する第1の波長帯の光を受光する。
【0050】
マウント部材35は、第1の波長帯の光を透過可能であり、フォトダイオード31を搭載する搭載面35aを有する。搭載面35aの裏面が光ファイバ3を位置決めするための位置決め面として機能する。フォトダイオード31は、その光入射面が搭載面に向くように設けられている。
【0051】
光送受信モジュールOM3は、リードフレーム37を更に有する。リードフレーム37は、フェルール1の外周面に当接して当該フェルール1を支持する支持部37aと、半導体光増幅素子5と電気的に接続されるリード端子37b,37c、及び、フォトダイオード31と電気的に接続されるリード端子37d,37eを含んでいる。
【0052】
半導体光増幅素子5はアノード及びカソードを有しており、アノードはボンディングワイヤといった接続部材39aを介してリード端子37bに接続され、カソードはボンディングワイヤといった接続部材39bを介してリード端子37cに接続されている。フォトダイオード31は、アノード及びカソードを有しており、アノードはボンディングワイヤといった接続部材39cを介してリード端子37dに接続され、カソードはボンディングワイヤといった接続部材39dを介してリード端子37eに接続されている。
【0053】
また、光送受信モジュールOM3は、光ファイバ3における搭載面9側に突出した部分、半導体光増幅素子5、フォトダイオード31及び光学素子33を封止する樹脂体41を更に有する。この場合、光ファイバ3における搭載面9側に突出した部分及び半導体光増幅素子5、フォトダイオード31及び光学素子33を良好に保持することができると共に、各要素を保護することができる。なお、樹脂体41は、半導体光増幅素子5と光ファイバ3との光学的結合、光学素子33と光ファイバ3(3a,3b)との光学的結合、光学素子33とフォトダイオード31との光学的結合を確実に保つために、第1の波長帯の光及び第2の波長帯の光に対して透明であることが好ましい。
【0054】
以上のように、本第3実施形態の光送受信モジュールOM3においても、光ファイバ3が、フェルール1の貫通孔7に挿通され、当該フェルール1の搭載面9側に所定の長さ突出して固定されるので、光ファイバ3をフェルール1に固定した後に、光ファイバ3における搭載面9側に突出して配置された部分にブラッグ回折格子13を容易に形成することが可能となる。この結果、光ファイバ3に形成されたブラッグ回折格子13の反射特性が変化するのを抑制することができる。
【0055】
また、本第3実施形態の光送受信モジュールOM3においては、フェルール1の搭載面9上に半導体光増幅素子5及びフォトダイオード31が実装されるので、小型の光送受信モジュールOM3を実現することができる。
【0056】
また、本第3実施形態の光送受信モジュールOM3においては、フェルール1を支持するとともに、光半導体素子(半導体光増幅素子5、フォトダイオード31)に電気的に接続されるリードフレーム37を更に有している。これにより、当該リードフレーム37により、光送受信モジュールOM3の外部基板(図示せず)への搭載が可能となると共に、光半導体素子(半導体光増幅素子5、フォトダイオード31)と外部基板との電気的接続を容易に行うことができる。
【0057】
本発明による光モジュールは、上述した実施形態に限られるものではなく、様々な変形が可能である。例えば、光信号を電気信号へと変換する受光素子としては、フォトダイオード21,31以外の素子を用いてもよい。電気信号を光信号へと変換する発光素子としては、半導体光増幅素子5以外の素子を用いてもよい。また、第1実施形態の光送信モジュールOM1及び第2実施形態の光受信モジュールOM2も、リードフレーム37と樹脂体41とを設けるようにしてもよい。また、第3実施形態の光送受信モジュールOM3が有する光ファイバ3も、ピッグテール部分を有する光ファイバを用いることができる。
【0058】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、光ファイバに形成されたブラッグ回折格子の反射特性が変化するのを抑制することが可能な光モジュールを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施形態に係る光送信モジュールの断面構成を示す図面である。
【図2】図1に示した光送信モジュールの平面構成を示す図面である。
【図3】図1に示した光送信モジュールの外観構成を示す斜視図である。
【図4】第1実施形態に係る光送信モジュールの変形例の外観構成を示す斜視図である。
【図5】第2実施形態に係る光受信モジュールの断面構成を示す図面である。
【図6】図5に示した光受信モジュールの平面構成を示す図面図である。
【図7】図5に示した光受信モジュールの外観構成を示す斜視図である。
【図8】第2実施形態に係る光受信モジュールの変形例の外観構成を示す斜視図である。
【図9】第3実施形態に係る光送受信モジュールの断面構成を示す図面図である。
【図10】図9に示した光送受信モジュールの平面構成を示す図面図である。
【図11】図9に示した光送受信モジュールの正面構成を示す図面である。
【図12】図9に示した光送受信モジュールの外観構成を示す斜視図である。
【図13】図9に示した光送受信モジュールにおいて、樹脂体を除いた状態での外観構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
1…フェルール、1a…第1の部分、1b…第2の部分、3…光ファイバ、3a…ブラッグ回折格子が形成された部分、3b…貫通孔に挿通された部分、5…半導体光増幅素子、7…貫通孔、9…搭載面、9a…第1の領域、9b…第2の領域、11…溝、13…ブラッグ回折格子、21,31…フォトダイオード、33…光学素子、37…リードフレーム、37a…支持部、37b〜37e…リード端子、41…樹脂体、OM1〜OM3…光送信モジュール。

Claims (6)

  1. 柱状の部材からなり、当該部材の中心軸方向に延びて形成された貫通孔と、前記貫通孔の内周面が露出するように前記柱状の部材の一部を切り欠くことにより形成された搭載面とを含み、アルミナあるいはジルコニアからなるフェルールと、
    前記貫通孔に挿通され、前記搭載面側に所定の長さ突出して固定される光ファイバと、
    前記搭載面に設けられ、前記光ファイバの端部と光学的に結合する光半導体素子と、を有し、
    前記光ファイバにおける前記搭載面側に突出した部分には、ブラッグ回折格子が形成されていることを特徴とする光モジュール。
  2. 前記光半導体素子が、半導体光増幅素子であることを特徴とする請求項に記載の光モジュール。
  3. 前記光半導体素子が、フォトダイオードであることを特徴とする請求項に記載の光モジュール。
  4. 前記搭載面は、前記溝が延びる方向に沿って配置された第1及び第2の領域を含み、前記光ファイバにおけるブラッグ回折格子が形成された部分は前記第1の領域に位置しており
    所定の波長帯の入射光を反射し、当該所定の波長帯とは異なる所定の波長帯の入射光を透過する光学素子と、
    前記搭載面の前記第1の領域に設けられ、前記光学素子と光学的に結合する半導体受光素子と、を更に有し、
    前記光半導体素子が、半導体発光素子であり、
    前記半導体発光素子は、前記光ファイバの端部と対向するように前記搭載面の前記第2の領域に設けられ、
    前記光学素子は、前記光ファイバにおけるブラッグ回折格子が形成された部分と前記光ファイバにおける前記貫通孔に挿通された部分との間に設けられ、当該両部分に光学的に結合されていることを特徴とする請求項1に記載の光モジュール。
  5. 前記搭載部材を支持するとともに、前記光半導体素子に前記電気的に接続されるリードフレームを更に有することを特徴とする請求項1に記載の光モジュール。
  6. 前記光ファイバにおける前記搭載面側に突出した部分及び前記光半導体素子を封止する樹脂体を更に有することを特徴とする請求項1に記載の光モジュール。
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