JP3988101B2

JP3988101B2 - Stacked small low-pass filter

Info

Publication number: JP3988101B2
Application number: JP29938098A
Authority: JP
Inventors: 洋一田中
Original assignee: Hitachi Metals Ltd
Current assignee: Hitachi Metals Ltd
Priority date: 1998-10-21
Filing date: 1998-10-21
Publication date: 2007-10-10
Anticipated expiration: 2018-10-21
Also published as: JP2000134001A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、移動体通信機器に使用される積層型ローパスフィルタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来例の積層型ローパスフィルタの内部構造図を図４に、斜視図を図６に示す。また、従来例の等価回路図を図５に示す。この従来例は、π型回路のローパスフィルタであり、インダクタ２１、２２とコンデンサ２３、２３、２５とから構成され、二つの入出力端子２６、２７間にインダクタ２１、２２が直列接続され、これらのインダクタ２１、２２の両端のそれぞれがコンデンサ２３〜２５によって接地されている。
【０００３】
この従来例のローパスフィルタは、誘電体層３１Ａ〜３１Ｅが積層されて形成されており、最上位置の誘電体層３１Ｅを除く各誘電体層３１Ａ〜３１Ｄ上には所定形状の電極が形成されている。
【０００４】
最下層の誘電体層３１Ａ上にはアース電極３２が形成され、誘電体層３１Ｂ上にはアース電極３２と対向するように三つのコンデンサ電極３３ａ、３３ｂ、３３ｃが形成されている。これらのコンデンサ電極３３ａ〜３３ｃとアース電極３２との間にコンデンサ２３〜２５を構成する静電容量が形成される。
【０００５】
また、誘電体層３１ｃ上には二つのコイル電極３４ａ、３４ｂが形成されている。これらのコイル電極３４ａ、３４ｂは蛇行するようにまた互いに対象となるように形成されている。
【０００６】
さらに、誘電体層３１Ｄ上にはシールド電極３５が形成され、この上に最上層の誘電体層３１Ｅが積層されている。
【０００７】
この従来例のローパスフィルタ２０の側面には図３に示すように複数の外部電極が形成され、これらの外部電極によって各層に形成された電極の接続が行われ、前述したπ型のローパスフィルタ２０が形成される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
この従来の積層型ローパスフィルタでは、３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×１．２ｍｍ（高さ）といった形状で作成されていたが、更に小型化の要求が強い。しかし、従来構造の積層型ローパスフィルタを単に相似形で小型化しても、必要とされるインダクタや、キャパシタの回路定数を得ることは困難であった。
【０００９】
本発明の目的は、上記の問題点に鑑み、良好な特性が得られる小型の積層型ローパスフィルタを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記の目的を達成するために、誘電体層と電極パターンを適宜積層し、一体化してなる積層型ローパスフィルタにおいて、前記電極パターンによりインダクタとコンデンサが形成内蔵され、第一のインダクタと、該第一のインダクタと並列に接続された第一のコンデンサと、前記並列回路の両端に、一方が該並列回路に接続されて他方が接地される二つの第二のコンデンサとを備え、前記第一のコンデンサを構成するコンデンサ用電極と前記第二のコンデンサを構成するコンデンサ用電極の少なくとも一つが同一の電極である。
【００１１】
また本発明は、誘電体層と電極パターンを適宜積層し、一体化してなる積層型ローパスフィルタにおいて、前記電極パターンによりインダクタとコンデンサが形成内蔵され、第一のインダクタと、該第一のインダクタと並列に接続される第一のコンデンサと、前記第一のインダクタと第一のコンデンサとの並列回路の両端に、一方が該並列回路に接続されて他方が接地される二つの第二のコンデンサとを備え、前記積層体は、少なくとも３つのアース電極層を有し、第１のアース電極層と第２のアース電極層の間に第一のインダクタが形成され、該第一のインダクタと第１のアース電極との間、及び第一のインダクタと第２のアース電極との間には、第二のコンデンサ用の電極が配置され、第２のアース電極層と第３のアース電極層の間に、第一のコンデンサ用の電極と第二のコンデンサ用の電極が配置されている積層小型ローパスフィルタである。
【００１２】
また本発明は、前記インダクタが、電極パターンを積層方向に接続して形成されて、１ターン以上巻回された構造となっており、前記インダクタを構成するインダクタ用電極パターンは、前記第一のコンデンサを構成するコンデンサ用電極及び前記第二のコンデンサを構成するコンデンサ用電極と異なる層に形成されたことを特徴とする積層小型ローパスフィルタである。
【００１３】
また本発明は、誘電体層と電極パターンを適宜積層し、一体化してなる積層型ローパスフィルタにおいて、前記電極パターンによりインダクタとコンデンサが形成内蔵され、第一のインダクタと、該第一のインダクタと並列に接続される第一のコンデンサと、前記第一のインダクタと第一のコンデンサとの並列回路の両端に、一方が該並列回路に接続されて他方が接地される二つの第二のコンデンサとを備え、前記第一のインダクタを前記二つの第二のコンデンサで挟む構造であり、前記第一のコンデンサを構成するコンデンサ用電極と前記第二のコンデンサを構成するコンデンサ用電極の少なくとも一つが同一の電極であることを特徴とする積層小型ローパスフィルタである。
【００１４】
また本発明は、前記第一のコンデンサを構成するコンデンサ用電極と前記第二のコンデンサを構成するコンデンサ用電極をそれぞれ積層方向の上下に分割して形成したことを特徴とする積層小型ローパスフィルタである。
【００１５】
また本発明は、前記インダクタと前記コンデンサ用電極とは、少なくとも１５０μｍ以上離れていることを特徴とする積層小型ローパスフィルタである。
【００１６】
また本発明は、前記インダクタとアース電極との間に配置された第二のコンデンサ用の電極は、前記インダクタの巻径以上の面積を有することを特徴とする積層小型ローパスフィルタである。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明は、誘電体層と電極パターンを適宜積層し、一体化してなる積層型ローパスフィルタにおいて、前記電極パターンによりインダクタとコンデンサが形成内蔵され、第一のインダクタと、該第一のインダクタと並列に接続された第一のコンデンサと、前記並列回路の両端に、一方が該並列回路に接続されて他方が接地される二つの第二のコンデンサとを具え、前記第一のインダクタを前記二つの第二のコンデンサで挟む構造としている。また、前記第一のインダクタの上下には、第１と第２のアース電極が配置され、該アース電極と前記第一のインダクタとの間には、前記第二のコンデンサ用の電極が配置されている。また第２と第３のアース電極との間には、第二と第一のコンデンサ用の電極が配置されている。これにより、積層構造で、小型のローパスフィルタを得ている。この第一のインダクタを挟む二つの第二のコンデンサは、上側と下側は、それぞれ別の第二のコンデンサが配置されていることが好ましい。
【００１８】
本発明のインダクタは、電極パターンを積層方向に接続して形成され、１ターン以上巻回された構造となっていることが好ましい。これにより、小面積で大きなインダクタンスを得ることができる。また、本発明の第一のコンデンサを構成するコンデンサ用電極と第二のコンデンサを構成するコンデンサ用電極の少なくとも一つが同一の電極とすることにより、積層構造を効率良く構成できる。また、前記第一のコンデンサを構成するコンデンサ用電極と前記第二のコンデンサを構成するコンデンサ用電極をそれぞれ積層方向の上下に分割して形成することにより、大きな容量を得ることができる。
【００１９】
本発明のインダクタと、そのインダクタの上下に配置されるコンデンサ用電極とは、少なくとも１５０μｍ以上離れていることが好ましい。これよりも近いと不要な干渉を生じ、特性が劣化する。
【００２０】
本発明のインダクタの上下には、アース電極が配置されている。このアース電極は、外部との干渉を抑えることと、アース接続される第二のコンデンサ用の電極を対向配置させるために配置されている。また、小型に構成するために、各電極パターンが近づき易くなるが、アース電極とインダクタ電極が、直接的に近接すると、素子の損失が大きくなるため、インダクタとアース電極の間には、コンデンサ電極が配置されている。また、この効果をより有効とするために、このコンデンサ電極は、インダクタの巻径以上の面積を有することが好ましい。
【００２１】
以下図面によって本発明の実施形態の一例を説明する。本発明に係る一実施例の積層構造の説明図を図１に、外観図を図２に、等価回路図を図３に示す。本実施例は、π型回路のローパスフィルタ４０であり、インダクタ４１とコンデンサ４２〜４４とから構成され、二つの入出力端子４５、４６間にインダクタ４１とコンデンサ４２が並列接続され、この並列回路の両端がコンデンサ４３、４４によって接地されている。
【００２２】
最下層の誘電体層５１Ａ上にアース電極５２が形成され、誘電体層５１Ｂ上にコンデンサ電極５２ａ、５２ｂが形成されている。
【００２３】
また、誘電体層５１Ｃ上にコンデンサ電極５３が形成され、誘電体層５１Ｄ上にコンデンサ電極５４ａ、５４ｂが形成されている。
【００２４】
また、誘電体層５１Ｅ上にアース電極５５が形成され、誘電体層５１Ｆ上にコンデンサ電極５６が形成されている。
【００２５】
また、誘電体層５１Ｇ上にライン電極５７が形成され、誘電体層５１Ｈ上にライン電極５８が形成され、誘電体層５１Ｉ上にライン電極５９が形成されている。ライン電極５７とライン電極５８、およびライン電極５８とライン電極５９はスルーホールで接続されている。
【００２６】
誘電体層５１Ｊ上にコンデンサ電極６０が形成され、誘電体層５１Ｋ上にアース電極６１が形成され、さらに最上層に誘電体層５１Ｌが形成されている。
【００２７】
上記誘電体層５１Ａ〜５１Ｌを積層し、焼成一体化して、積層小型ローパスフィルタを構成した。この誘電体層には、誘電率約８のセラミック材料を用い、電極パターンには銀ペーストを用い、スクリーン印刷にて形成し、約９００℃で焼成した。
【００２８】
前述の構成において、ライン電極５７、５８、５９及びそれぞれを接続するスルーホールによってインダクタ４１が構成される。
【００２９】
また、コンデンサ電極５２ｂとアース電極５２との間のキャパシタンス、及びコンデンサ電極５４ｂとアース電極５５との間のキャパシタンス、及びコンデンサ電極６０とアース電極６１との間のキャパシタンスによってコンデンサ４３が構成される。
【００３０】
また、コンデンサ電極５２ａとアース電極５２との間のキャパシタンス、及びコンデンサ電極５４ａとアース電極５５との間のキャパシタンス、及びコンデンサ電極５６とアース電極５５との間のキャパシタンスによってコンデンサ４４が構成される。
【００３１】
また、コンデンサ電極５２ａとコンデンサ電極５３との間のキャパシタンス、及びコンデンサ電極５２ｂとコンデンサ電極５３との間のキャパシタンス、及びコンデンサ電極５４ａとコンデンサ電極５３との間のキャパシタンス、及びコンデンサ電極５４ｂとコンデンサ電極５３との間のキャパシタンスによってコンデンサ４２が構成される。
【００３２】
ここで、コンデンサ電極５２ｂと５４ｂはコンデンサ４３のコンデンサ電極として働くとともにコンデンサ電極４２のコンデンサ電極としても働く。また、コンデンサ電極５２ａと５４ａもコンデンサ４４のコンデンサ電極として働くとともにコンデンサ４２のコンデンサ電極としても働いている。
【００３３】
この実施例の積層小型ローパスフィルタ４０の側面には図２に示すように複数の外部電極が形成され、これらの外部電極によって各層に形成された電極の接続が行われ、ローパスフィルタが形成される。
【００３４】
図７に本実施例による９００ＭＨｚ用のローパスフィルタの挿入損失特性を、図８に減衰量特性を示す。尚、本実施例は、全体の寸法が、２．０ｍｍ×１．２５ｍｍ×１．０ｍｍ（高さ）といった小型に構成されている。この実施例の大きさは、従来例に対し、面積比約５０％、体積比約４０％に小型化されている。また、ライン電極５７とコンデンサ電極５６との間、及びライン電極５９とコンデンサ電極６０との間は、２００μｍとした。この図７、８に示すとおり、本実施例は、小型であるとともに、優れた特性を示している。
【００３５】
なお、本実施例のコイル電極、コンデンサ電極の大きさを変化させることにより、移動体通信で使用される８００ＭＨｚから２４００ＭＨｚの周波数に対応可能である。
【００３６】
以上説明したように、前述の構成によればコイル電極５７、５８、５９をコンデンサ電極５６、６０で挟むことによってコイル電極とアース電極の近接による挿入損失の増大を防ぐとともに、コイル電極を巻回することによって、限られたスペースで高いインダクタンス値を得ている。また、コンデンサ電極を上下に分割して配置するとともに、電極の共用化を図ることで製品を小型化している。
【００３７】
【発明の効果】
本発明によれば、小型で高性能な積層型ローパスフィルタを得ることができ、例えば、携帯電話のようなマイクロ波通信機器の小型化に役立つものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る一実施例の積層構造の説明図である。
【図２】本発明に係る一実施例の外観図である。
【図３】本発明に係る一実施例の等価回路図である。
【図４】従来例の内部構造図である。
【図５】従来例の等価回路図である。
【図６】従来例の斜視図である。
【図７】本発明の実施例の挿入損失特性である。
【図８】本発明の実施例の減衰量特性である。
【符号の説明】
５１Ａ、５１Ｂ、５１Ｃ、５１Ｄ、５１Ｅ、５１Ｆ、５１Ｇ、５１Ｈ、５１Ｉ、５１Ｊ、５１Ｋ、５１Ｌ誘電体層
５２、５５、６１アース電極
５２ａ、５２ｂ、５３、５４ａ、５４ｂ、５６、６０コンデンサ電極
５７、５８、５９インダクタ用ライン電極[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a multilayer low-pass filter used in mobile communication equipment.
[0002]
[Prior art]
FIG. 4 shows an internal structure of a conventional multilayer low-pass filter, and FIG. 6 shows a perspective view thereof. An equivalent circuit diagram of a conventional example is shown in FIG. This conventional example is a low-pass filter of a π-type circuit, which is composed of inductors 21 and 22 and capacitors 23, 23 and 25. Inductors 21 and 22 are connected in series between two input / output terminals 26 and 27. Both ends of the inductors 21 and 22 are grounded by capacitors 23 to 25.
[0003]
The conventional low-pass filter is formed by laminating dielectric layers 31A to 31E, and electrodes having a predetermined shape are formed on the dielectric layers 31A to 31D except for the uppermost dielectric layer 31E. Yes.
[0004]
A ground electrode 32 is formed on the lowermost dielectric layer 31A, and three capacitor electrodes 33a, 33b, and 33c are formed on the dielectric layer 31B so as to face the ground electrode 32. Capacitances constituting the capacitors 23 to 25 are formed between the capacitor electrodes 33 a to 33 c and the ground electrode 32.
[0005]
Two coil electrodes 34a and 34b are formed on the dielectric layer 31c. These coil electrodes 34a and 34b are formed so as to meander and to be mutually targeted.
[0006]
Further, the shield electrode 35 is formed on the dielectric layer 31D, and the uppermost dielectric layer 31E is laminated thereon.
[0007]
A plurality of external electrodes are formed on the side surface of the conventional low-pass filter 20 as shown in FIG. 3, and the electrodes formed in each layer are connected by these external electrodes. Is formed.
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
In this conventional multilayer low-pass filter, the shape is 3.2 mm × 1.6 mm × 1.2 mm (height), but there is a strong demand for further miniaturization. However, it has been difficult to obtain the required circuit constants of the inductor and capacitor even if the multilayer low-pass filter having a conventional structure is simply reduced in size.
[0009]
In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a small stacked low-pass filter capable of obtaining good characteristics.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the present invention provides a laminated low-pass filter in which a dielectric layer and an electrode pattern are appropriately laminated and integrated, and an inductor and a capacitor are formed and built in the electrode pattern, A first capacitor connected in parallel with the first inductor, and two second capacitors, one connected to the parallel circuit and the other grounded at both ends of the parallel circuit , At least one of the capacitor electrode constituting the first capacitor and the capacitor electrode constituting the second capacitor is the same electrode .
[0011]
Further, the present invention provides a laminated low-pass filter in which a dielectric layer and an electrode pattern are appropriately laminated and integrated, and an inductor and a capacitor are formed and built in the electrode pattern, and the first inductor, the first inductor, A first capacitor connected in parallel; and two second capacitors, one connected to the parallel circuit and the other grounded, at both ends of the parallel circuit of the first inductor and the first capacitor wherein the laminate has at least three ground electrode layer, the first inductor is formed between the first ground electrode layer and second ground electrode layer, of the first inductor and the first Between the first earth electrode and between the first inductor and the second earth electrode, a second capacitor electrode is disposed between the second earth electrode layer and the third earth electrode layer. In addition, A laminated compact low-pass filter electrodes for the electrode and a second capacitor for one capacitor is arranged.
[0012]
In the present invention, the inductor is formed by connecting electrode patterns in the stacking direction and wound by one turn or more, and the inductor electrode pattern constituting the inductor is the first electrode A multilayer small-sized low-pass filter formed in a layer different from a capacitor electrode constituting a capacitor and a capacitor electrode constituting the second capacitor .
[0013]
Further, the present invention provides a laminated low-pass filter in which a dielectric layer and an electrode pattern are appropriately laminated and integrated, and an inductor and a capacitor are formed and built in the electrode pattern, and the first inductor, the first inductor, A first capacitor connected in parallel; and two second capacitors, one connected to the parallel circuit and the other grounded, at both ends of the parallel circuit of the first inductor and the first capacitor The first inductor is sandwiched between the two second capacitors, and at least one of the capacitor electrode constituting the first capacitor and the capacitor electrode constituting the second capacitor is the same It is a laminated small low-pass filter characterized by being an electrode.
[0014]
According to another aspect of the present invention, there is provided a multilayer small-sized low-pass filter characterized in that the capacitor electrode constituting the first capacitor and the capacitor electrode constituting the second capacitor are each formed by being divided vertically in the lamination direction. is there.
[0015]
The present invention is the multilayer small-sized low-pass filter characterized in that the inductor and the capacitor electrode are separated by at least 150 μm or more.
[0016]
The present invention is the multilayer small low-pass filter characterized in that the second capacitor electrode disposed between the inductor and the ground electrode has an area equal to or larger than the winding diameter of the inductor.
[0017]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The present invention provides a laminated low-pass filter in which a dielectric layer and an electrode pattern are appropriately laminated and integrated, and an inductor and a capacitor are formed and built in the electrode pattern, and the first inductor and the first inductor are connected in parallel. A first capacitor connected to the parallel circuit, and two second capacitors, one of which is connected to the parallel circuit and the other of which is grounded, at both ends of the parallel circuit. The structure is sandwiched between second capacitors. First and second ground electrodes are disposed above and below the first inductor, and an electrode for the second capacitor is disposed between the ground electrode and the first inductor. ing. The second and first capacitor electrodes are disposed between the second and third earth electrodes. Thereby, a small low-pass filter is obtained with a laminated structure. The two second capacitors sandwiching the first inductor are preferably provided with different second capacitors on the upper side and the lower side, respectively.
[0018]
The inductor of the present invention is preferably formed by connecting electrode patterns in the stacking direction and wound around one turn or more. Thereby, a large inductance can be obtained with a small area. In addition, when at least one of the capacitor electrode constituting the first capacitor of the present invention and the capacitor electrode constituting the second capacitor is the same electrode, the laminated structure can be efficiently constructed. Further, a large capacitance can be obtained by dividing the capacitor electrode constituting the first capacitor and the capacitor electrode constituting the second capacitor vertically in the stacking direction.
[0019]
It is preferable that the inductor of the present invention and the capacitor electrodes disposed above and below the inductor are separated from each other by at least 150 μm. If it is closer than this, unnecessary interference occurs and the characteristics deteriorate.
[0020]
Ground electrodes are arranged above and below the inductor of the present invention. This ground electrode is arranged to suppress interference with the outside and to arrange the second capacitor electrode to be grounded so as to face each other. In addition, each electrode pattern can be easily approached because of its small size, but if the ground electrode and the inductor electrode are in direct proximity, the loss of the element increases, so the capacitor electrode is between the inductor and the ground electrode. Is arranged. In order to make this effect more effective, the capacitor electrode preferably has an area larger than the winding diameter of the inductor.
[0021]
Hereinafter, an example of an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is an explanatory view of a laminated structure of one embodiment according to the present invention, FIG. 2 is an external view, and FIG. 3 is an equivalent circuit diagram. The present embodiment is a low-pass filter 40 of a π-type circuit, which is composed of an inductor 41 and capacitors 42 to 44. The inductor 41 and the capacitor 42 are connected in parallel between two input / output terminals 45 and 46, and this parallel circuit. Both ends of are connected to ground by capacitors 43 and 44.
[0022]
A ground electrode 52 is formed on the lowermost dielectric layer 51A, and capacitor electrodes 52a and 52b are formed on the dielectric layer 51B.
[0023]
Capacitor electrode 53 is formed on dielectric layer 51C, and capacitor electrodes 54a and 54b are formed on dielectric layer 51D.
[0024]
The ground electrode 55 is formed on the dielectric layer 51E, and the capacitor electrode 56 is formed on the dielectric layer 51F.
[0025]
A line electrode 57 is formed on the dielectric layer 51G, a line electrode 58 is formed on the dielectric layer 51H, and a line electrode 59 is formed on the dielectric layer 51I. The line electrode 57 and the line electrode 58, and the line electrode 58 and the line electrode 59 are connected through a through hole.
[0026]
A capacitor electrode 60 is formed on the dielectric layer 51J, a ground electrode 61 is formed on the dielectric layer 51K, and a dielectric layer 51L is formed on the uppermost layer.
[0027]
The dielectric layers 51A to 51L were stacked and fired and integrated to form a stacked small low-pass filter. A ceramic material having a dielectric constant of about 8 was used for the dielectric layer, a silver paste was used for the electrode pattern, formed by screen printing, and fired at about 900 ° C.
[0028]
In the above-described configuration, the inductor 41 is configured by the line electrodes 57, 58, 59 and through holes connecting the respective electrodes.
[0029]
The capacitor 43 is configured by the capacitance between the capacitor electrode 52 b and the earth electrode 52, the capacitance between the capacitor electrode 54 b and the earth electrode 55, and the capacitance between the capacitor electrode 60 and the earth electrode 61.
[0030]
The capacitor 44 is configured by the capacitance between the capacitor electrode 52 a and the earth electrode 52, the capacitance between the capacitor electrode 54 a and the earth electrode 55, and the capacitance between the capacitor electrode 56 and the earth electrode 55.
[0031]
Further, the capacitance between the capacitor electrode 52a and the capacitor electrode 53, the capacitance between the capacitor electrode 52b and the capacitor electrode 53, the capacitance between the capacitor electrode 54a and the capacitor electrode 53, and the capacitor electrode 54b and the capacitor electrode. A capacitor 42 is formed by the capacitance between the capacitor 53 and the capacitor 42.
[0032]
Here, the capacitor electrodes 52 b and 54 b function as the capacitor electrode of the capacitor 43 and also as the capacitor electrode of the capacitor electrode 42. The capacitor electrodes 52a and 54a also function as the capacitor electrode of the capacitor 44 and also as the capacitor electrode of the capacitor 42.
[0033]
A plurality of external electrodes are formed on the side surface of the laminated small low-pass filter 40 of this embodiment as shown in FIG. .
[0034]
FIG. 7 shows the insertion loss characteristic of the low-pass filter for 900 MHz according to this embodiment, and FIG. 8 shows the attenuation characteristic. In the present embodiment, the overall dimensions are small, such as 2.0 mm × 1.25 mm × 1.0 mm (height). The size of this embodiment is reduced to about 50% in area ratio and about 40% in volume ratio compared to the conventional example. The distance between the line electrode 57 and the capacitor electrode 56 and the distance between the line electrode 59 and the capacitor electrode 60 were 200 μm. As shown in FIGS. 7 and 8, the present example is compact and has excellent characteristics.
[0035]
In addition, by changing the size of the coil electrode and the capacitor electrode of this embodiment, it is possible to cope with a frequency from 800 MHz to 2400 MHz used in mobile communication.
[0036]
As described above, according to the above-described configuration, the coil electrodes 57, 58, 59 are sandwiched between the capacitor electrodes 56, 60, thereby preventing an increase in insertion loss due to the proximity of the coil electrode and the ground electrode, and winding the coil electrode. By doing so, a high inductance value is obtained in a limited space. In addition, the capacitor electrodes are divided into upper and lower parts, and the products are miniaturized by sharing the electrodes.
[0037]
【The invention's effect】
According to the present invention, a small and high-performance multilayer low-pass filter can be obtained, which is useful for miniaturization of a microwave communication device such as a mobile phone.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an explanatory diagram of a laminated structure of one embodiment according to the present invention.
FIG. 2 is an external view of an embodiment according to the present invention.
FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of an embodiment according to the present invention.
FIG. 4 is an internal structure diagram of a conventional example.
FIG. 5 is an equivalent circuit diagram of a conventional example.
FIG. 6 is a perspective view of a conventional example.
FIG. 7 is an insertion loss characteristic of the embodiment of the present invention.
FIG. 8 is an attenuation characteristic of the embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
51A, 51B, 51C, 51D, 51E, 51F, 51G, 51H, 51I, 51J, 51K, 51L Dielectric layers 52, 55, 61 Earth electrodes 52a, 52b, 53, 54a, 54b, 56, 60 Capacitor electrodes 57, 58, 59 Line electrode for inductor

Claims

In a laminated low-pass filter in which a dielectric layer and an electrode pattern are appropriately laminated and integrated, an inductor and a capacitor are formed and built in by the electrode pattern, and are connected in parallel with the first inductor. A first capacitor, and at both ends of a parallel circuit of the first inductor and the first capacitor, two second capacitors, one connected to the parallel circuit and the other grounded ,
A multilayer small-sized low-pass filter , wherein at least one of the capacitor electrode constituting the first capacitor and the capacitor electrode constituting the second capacitor is the same electrode .

In a laminated low-pass filter in which a dielectric layer and an electrode pattern are appropriately laminated and integrated, an inductor and a capacitor are formed and built in by the electrode pattern, and are connected in parallel with the first inductor. A first capacitor, and at both ends of a parallel circuit of the first inductor and the first capacitor, two second capacitors, one connected to the parallel circuit and the other grounded ,
The laminate includes at least three ground electrode layers, a first inductor is formed between the first ground electrode layer and the second ground electrode layer, and the first inductor and the first ground electrode are formed. And between the first inductor and the second ground electrode, a second capacitor electrode is disposed, and between the second ground electrode layer and the third ground electrode layer, A laminated small low-pass filter, characterized in that an electrode for one capacitor and an electrode for a second capacitor are arranged.

The inductor is formed by connecting the electrode patterns in the stacking direction, has a one turn or more wound structure,
The inductor electrode pattern constituting the inductor is formed in a layer different from the capacitor electrode constituting the first capacitor and the capacitor electrode constituting the second capacitor. The laminated small low-pass filter according to 2.

In a laminated low-pass filter in which a dielectric layer and an electrode pattern are appropriately laminated and integrated, an inductor and a capacitor are formed and built in by the electrode pattern, and are connected in parallel with the first inductor. A first capacitor, and at both ends of a parallel circuit of the first inductor and the first capacitor, two second capacitors, one connected to the parallel circuit and the other grounded,
The first inductor is sandwiched between the two second capacitors,
A multilayer small-sized low-pass filter, wherein at least one of the capacitor electrode constituting the first capacitor and the capacitor electrode constituting the second capacitor is the same electrode.

3. The multilayer small size according to claim 1, wherein the capacitor electrode constituting the first capacitor and the capacitor electrode constituting the second capacitor are each formed by being divided vertically in the lamination direction. Low pass filter.

3. The multilayer low-pass filter according to claim 1, wherein the inductor and the capacitor electrode are separated from each other by at least 150 μm.

The electrode for the second capacitor disposed between the first inductor and the first ground electrode and between the first inductor and the second ground electrode is a winding diameter of the first inductor. 3. The multilayer low-pass filter according to claim 2, having the area described above .