KR20030073586A - Rf filter circuit and laminated ceramic filter - Google Patents

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KR20030073586A
KR20030073586A KR1020020013222A KR20020013222A KR20030073586A KR 20030073586 A KR20030073586 A KR 20030073586A KR 1020020013222 A KR1020020013222 A KR 1020020013222A KR 20020013222 A KR20020013222 A KR 20020013222A KR 20030073586 A KR20030073586 A KR 20030073586A
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이창용
김형호
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삼성전기주식회사
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Abstract

PURPOSE: A high frequency filter circuit and a stacked ceramic filter are provided to reduce insertion losses and achieve improved inhibit characteristics. CONSTITUTION: A high frequency filter circuit comprises a first capacitor(C1) and a second capacitor(C2) connected in serial between an input terminal(IN) and an output terminal(OUT); a first inductor(L1) connected in parallel to the serial circuit of the first and second capacitors; and a second inductor(L2) and a third capacitor(C3) connected in serial to the ground from the contact of the first and second capacitors.

Description

고주파 필터 회로 및 적층 세라믹 필터{RF FILTER CIRCUIT AND LAMINATED CERAMIC FILTER}RF FILTER CIRCUIT AND LAMINATED CERAMIC FILTER}

본 발명은 고주파 필터 회로 및 적층 세라믹 필터에 관한 것으로, 특히 듀얼모드 이동통신용 단말기의 고주파 복합부품에 적용되는 고주파 필터를 간단한 회로로 개선함으로서, 소형화 제작이 가능하고, 또한 삽입손실을 줄일 수 있으며, 저지특성을 향상시키도록 하는 고주파 필터 회로 및 적층 세라믹 필터에 관한 것이다.The present invention relates to a high frequency filter circuit and a multilayer ceramic filter. In particular, by improving a high frequency filter applied to a high frequency composite component of a dual mode mobile communication terminal with a simple circuit, it is possible to miniaturize and reduce the insertion loss. It relates to a high frequency filter circuit and a multilayer ceramic filter to improve the stopping characteristics.

일반적으로, 최근의 이동통신 단말기의 구성이 CDMA, GPS, PCS등 여러 가지 모드를 동시에 처리할 수 있도록 개발이 진행되고 있는데, 이에 따라 단말기의 프론트-엔드(Front-end)단에서 신호를 분리해 줄 수 있는 필터의 개발이 요구되고 있다.In general, the development of the mobile communication terminal in recent years to develop a process that can simultaneously handle a variety of modes, such as CDMA, GPS, PCS, accordingly, by separating the signal from the front-end of the terminal There is a need for development of a filter that can be applied.

도 1은 일반적인 듀얼모드 단말기의 개략적인 구성도로서, 1.85GHz~1.99GHz의 PCS 대역과 대략 1.575GHz의 GPS 대역 및 859MHz AMPS 대역을 스위칭하는 RF 스위치(11)를 포함하고, 이 RF 스위치(11)를 통한 1.85GHz~1.99GHz의 PCS 대역은 PCS 송수신기(21)로 제공되고, 그리고, 대략 1.575GHz의 GPS 대역과 859MHz AMPS 대역은 다시 다이플렉서(12)에 의해 1.575GHz의 GPS 대역은 GPS 수신기(22)로 제공되고, 859MHz AMPS 대역은 AMPS 송수신기(23)로 제공된다.1 is a schematic configuration diagram of a general dual-mode terminal, which includes an RF switch 11 for switching a PCS band of 1.85 GHz to 1.99 GHz, a GPS band of approximately 1.575 GHz, and a 859 MHz AMPS band, and the RF switch 11 The PCS band of 1.85 GHz to 1.99 GHz is provided to the PCS transceiver 21, and the GPS band of approximately 1.575 GHz and the 859 MHz AMPS band are again converted by the diplexer 12 to the GPS band of 1.575 GHz. It is provided to the receiver 22, and the 859 MHz AMPS band is provided to the AMPS transceiver 23.

도 2는 도 1의 듀얼모드 주파수 특성도로서, 도 2를 참조하면, 상기 다이플렉서(12)는 859MHz의 AMPS 대역을 통과시키기 위해 로우패스필터(LPF)로 동작하고, 또한, 1.575GHz의 GPS 대역을 통과시키기 위해서 하이패스필터(HPF)로 동작한다.FIG. 2 is a dual mode frequency characteristic diagram of FIG. 1. Referring to FIG. 2, the diplexer 12 operates as a low pass filter (LPF) to pass an AMPS band of 859 MHz. It operates as a high pass filter (HPF) to pass the GPS band.

그러나, 여러 가지 신호를 동시에 필터링 하기에는 모드 수가 증가하고 모드간에 주파수 간격이 가까워지고 있어서 기존의 싱글모드에 사용되던 필터의 삽입손실을 유지하면서 원하는 신호만을 통과시키는 우수한 필터를 구현하기가 어려워 L고 있다. 게다가, GPS와 US-PCS의 경우에 있어서, 주파수 간격이 300MHz정도로 가까워 다이플렉서(diplexer) 및 트리플렉서(triplexer)를 제작하기가 어려우므로, 단품 필터를 사용하지 않고 여러 부품을 복합화 하여 사용하는 것이 대안으로 제시되고 있다. 그 부품들 중에서 GPS 신호단으로 PCS신호를 저지하고 GPS신호만을 통과시키는 저역통과필터(low pass filter)가 필요한데, GPS신호와 PCS신호는 주파수 대역이 가깝기 때문에 신호의 분리가 더 어렵다.However, in order to filter several signals at the same time, the number of modes increases and the frequency interval between the modes is getting closer, making it difficult to implement an excellent filter that passes only the desired signal while maintaining the insertion loss of the filter used in the conventional single mode. . In addition, in the case of GPS and US-PCS, it is difficult to manufacture a diplexer and a triplexer because the frequency interval is close to about 300 MHz, so that multiple parts are combined without using a single filter. Is proposed as an alternative. Among them, a low pass filter is required to block the PCS signal and pass only the GPS signal to the GPS signal stage. The signal separation is more difficult because the GPS signal and the PCS signal are close in frequency band.

도 3은 종래의 고주파 필터회로도이고, 도 4는 도 3의 주파수 특성도이다.3 is a conventional high frequency filter circuit diagram, and FIG. 4 is a frequency characteristic diagram of FIG. 3.

도 3 및 도 4를 참조하면, 종래의 고주파 필터회로는 도 3에 도시한 바와 같은 회로를 3단(T1,T2 및 T3)으로 구성하여 필터로 구현하였으며, 이의 특성은 도 4에 도시한 바와 같으며, 도 4를 참조하면, 포트1에서 포트2로의 주파수 통과 특성은 주파수 그래프(S12)로 도시되어 있으며, 또한 포트2에서 포트2로 반사되는 주파수 반사 특성은 주파수 그래프(S22)로 되어 있는데, 여기서, S12의 1.575GHz GPS주파수를 보면 대역 -3dB보다 낮은 사양을 만족해야 하는데, 그런데, -4dB정도를 보이고 있어 주파수 특성이 좋지 않는 문제점이 있다.Referring to FIGS. 3 and 4, the conventional high frequency filter circuit includes three circuits (T1, T2 and T3) as shown in FIG. 3 and implemented as a filter, and the characteristics thereof are shown in FIG. 4. 4, the frequency passing characteristic from port 1 to port 2 is shown in frequency graph S12, and the frequency reflection characteristic reflected from port 2 to port 2 is shown in frequency graph S22. In this case, when looking at the GPS frequency of the 1.575GHz S12, the specification of the band lower than -3dB should be satisfied. However, since it shows about -4dB, there is a problem in that the frequency characteristic is not good.

이와 같은 결과로 볼 때 원하는 특성을 얻기 위해서는 더 많은 소자가 포함되어야 됩니다. 그러므로 특허에서 제시한 회로로 구성할 경우 이에 비해 간단하고 특성이 우수한 필터를 구할 수 있다고 판단됩니다.As a result, more devices must be included to achieve the desired characteristics. Therefore, it is judged that a simpler and better filter can be obtained by using the circuit proposed in the patent.

이와 같이 300MHz정도로 가까운 주파수 간격에 있는 두 신호를 필터링 할 수 있는 소자를 구현하기 위해서는 공진기의 단수를 증가시켜 만들 수 있지만, 이와 같이 경우에는 소자수의 증가로 인하여 삽입손실의 증가가 생기는 문제점을 가지고 있다.As described above, in order to implement a device capable of filtering two signals at a frequency interval close to 300 MHz, the number of stages of the resonator may be increased, but in this case, the insertion loss may increase due to the increase in the number of devices. have.

그러므로 본 발명은 기존의 필터 구현방식과 다른 회로를 구성하여 삽입손실을 최소화 하면서 두 대역의 신호를 나눠 줄 수 있는 필터의 회로를 구성하고 이를 적층 세라믹 구조로 구현하고자 한다.Therefore, the present invention is to construct a circuit of a filter that can divide the signal of two bands while minimizing the insertion loss by configuring a circuit different from the conventional filter implementation method and implement it in a multilayer ceramic structure.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 따라서, 본 발명의 목적은 듀얼모드 이동통신용 단말기의 고주파 복합부품에 적용되는 고주파 필터를 간단한 회로로 개선함으로서, 소형화 제작이 가능하고, 또한 삽입손실을 줄일수 있으며, 저지특성을 향상시키도록 하는 고주파 필터 회로 및 적층 세라믹 필터를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and therefore, an object of the present invention is to improve the high frequency filter applied to the high frequency composite component of the dual mode mobile communication terminal with a simple circuit, thereby making it possible to miniaturize and insert it. The present invention provides a high frequency filter circuit and a multilayer ceramic filter which can reduce losses and improve the stopping characteristics.

도 1은 일반적인 듀얼모드 단말기의 개략적인 구성도이다.1 is a schematic configuration diagram of a general dual-mode terminal.

도 2는 도 1의 듀얼모드 주파수 특성도이다.FIG. 2 is a dual mode frequency characteristic diagram of FIG. 1.

도 3은 종래의 고주파 필터회로도이다.3 is a conventional high frequency filter circuit diagram.

도 4는 도 3의 주파수 특성도이다.4 is a frequency characteristic diagram of FIG. 3.

도 5는 본 발명에 따른 제1 실시예에 해당하는 고주파 필터회로도이다.5 is a high frequency filter circuit diagram according to the first embodiment of the present invention.

도 6a 및 6b는 도 5의 주파수 특성도이다.6A and 6B are frequency characteristic diagrams of FIG. 5.

도 7은 본 발명에 따른 제2 실시예에 해당하는 고주파 필터회로도이다.7 is a high frequency filter circuit diagram according to a second embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명에 따른 적층 세라믹 필터의 적층 분해 사시도이다.8 is an exploded perspective view of a multilayer ceramic filter according to the present invention.

도 9a 및 9b는 도 8의 적층 세라믹 필터의 평면도 및 측면도이다.9A and 9B are plan and side views of the multilayer ceramic filter of FIG. 8.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

C1,C2,C3 : 커패시터L1,L2 : 인덕터C1, C2, C3: Capacitor L1, L2: Inductor

C11,C12 : 커패시터L11,L12,L13 : 인덕터C11, C12: Capacitor L11, L12, L13: Inductor

상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 기술적인 수단으로써, 본 발명의 고주파 필터 회로는 입력단과 출력단 사이에 직렬로 접속한 제1 및 제2 커패시터; 상기 제1 및 제2 커패시터의 직렬회로에 병렬로 접속한 제1 인덕터; 상기 제1 및 제2 커패시터와의 접점에서 접지로 직렬로 접속한 제2 인덕터 및 제3 커패시터를 구비함을 특징으로 한다.As a technical means for achieving the above object of the present invention, the high frequency filter circuit of the present invention comprises: first and second capacitors connected in series between an input terminal and an output terminal; A first inductor connected in parallel to the series circuit of the first and second capacitors; And a second inductor and a third capacitor connected in series from the contact points of the first and second capacitors to the ground.

또한, 본 발명의 목적을 달성하기 위한 다른 기술적인 수단으로써, 본 발명의 적층 세라믹 필터는 제1 세라믹 기판상에 접지패턴인 제1 도체패턴을 형성한 제1층; 상기 제1층 상부에 제2 세라믹 기판을 적층하고, 이 제2 세라믹 기판상에 제2 도체패턴을 형성한 제2층; 상기 제2층 상부에 제3 세라믹 기판을 적층하고, 이 제3 세라믹 기판상에 제31 인덕터 패턴 및 제32 인덕터 패턴을 포함하는 제3 도체패턴을 형성한 제3층; 상기 제3층 상부에 제4 세라믹 기판을 적층하고, 이 제4 세라믹 기판상에 제41 인덕터 패턴 및 제42 인덕터 패턴을 포함하는 제4 도체패턴을 형성하고, 이 제41 인덕터 패턴을 상기 제31 인덕터 패턴과 전기적으로 연결하고, 상기 제42 인덕터 패턴을 상기 제32 인덕터 패턴과 전기적으로 연결한 제4층; 상기 제4층 상부에 제5 세라믹 기판을 적층하고, 이 제5 세라믹 기판상에 제5 도체패턴을 형성하여 상기 제5 도체패턴을 상기 제41 인덕터 패턴과 전기적으로 연결한 제5층; 상기 제5층 상부에 제6 세라믹 기판을 적층하고, 이 제6 세라믹 기판상에 제6 도체패턴을 형성하여 상기 제31 인덕터 패턴과 접속한 제6층; 상기 제6층 상부에 제7 세라믹 기판을 적층하고, 이 제7 세라믹 기판상에 제7 도체패턴을 형성하여 입력단과 연결하고, 상기 제32 인덕터 패턴과 전기적으로 연결한 제7층; 상기 제7층 상부에 제8 세라믹 기판을 적층하고, 이 제8 세라믹 기판상에 제8 도체패턴을 형성하여 상기 제6 도체패턴(P6)과 전기적으로 연결한 제8층; 상기 제8층 상부에 제9 세라믹 기판을 적층하고, 이 제9 세라믹 기판상에 제9 도체패턴을 형성하여 출력단과 연결한 제9층; 및 상기 제9층 상부에 제10 세라믹 기판을 적층하고, 이 제10 세라믹 기판상에 제10 도체패턴을 형성하여 상기 제8 도체패턴과 접속한 제10층을 구비함을 특징으로 한다.In addition, as another technical means for achieving the object of the present invention, the multilayer ceramic filter of the present invention comprises: a first layer on which a first conductor pattern, which is a ground pattern, is formed on a first ceramic substrate; A second layer in which a second ceramic substrate is stacked on the first layer, and a second conductor pattern is formed on the second ceramic substrate; A third layer in which a third ceramic substrate is stacked on the second layer, and a third conductor pattern including a thirty-first inductor pattern and a thirty-second inductor pattern is formed on the third ceramic substrate; A fourth ceramic substrate is stacked on the third layer, and a fourth conductor pattern including a forty-first inductor pattern and a forty-second inductor pattern is formed on the fourth ceramic substrate. A fourth layer electrically connected to an inductor pattern and electrically connected to the forty-second inductor pattern with the thirty-second inductor pattern; A fifth layer in which a fifth ceramic substrate is stacked on the fourth layer, and a fifth conductor pattern is formed on the fifth ceramic substrate to electrically connect the fifth conductor pattern to the forty-first inductor pattern; A sixth layer stacked on the fifth layer, and having a sixth conductor pattern formed on the sixth ceramic substrate and connected to the thirty-first inductor pattern; A seventh layer formed on the sixth layer by stacking a seventh ceramic substrate, and forming a seventh conductor pattern on the seventh ceramic substrate to be connected to an input terminal and electrically connected to the thirty-second inductor pattern; An eighth layer laminated on an eighth ceramic substrate on the seventh layer, and having an eighth conductor pattern formed on the eighth ceramic substrate to be electrically connected to the sixth conductor pattern P6; A ninth layer in which a ninth ceramic substrate is stacked on the eighth layer, and a ninth conductor pattern is formed on the ninth ceramic substrate and connected to an output terminal; And a tenth layer stacked over the ninth layer, and having a tenth conductor pattern formed on the tenth ceramic substrate to be connected to the eighth conductor pattern.

이하, 본 발명에 따른 고주파 필터 회로 및 적층 세라믹 필터에 대하여 첨부도면을 참조하여 그 구성 및 작용을 상세하게 설명한다. 본 발명에 참조된 도면에서 실질적으로 동일한 구성과 기능을 가진 구성요소들은 동일한 부호를 사용할 것이다.Hereinafter, the configuration and operation of the high frequency filter circuit and the multilayer ceramic filter according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the drawings referred to in the present invention, components having substantially the same configuration and function will use the same reference numerals.

도 5는 본 발명에 따른 제1 실시예에 해당하는 고주파 필터회로도이고, 도 6a 및 6b는 도 5의 주파수 특성도이다.5 is a high frequency filter circuit diagram according to a first embodiment according to the present invention, and FIGS. 6A and 6B are frequency characteristic diagrams of FIG. 5.

도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 제1 실시예에 해당하는 고주파 필터회로는 입력단과 출력단 사이에 직렬로 접속한 제1 및 제2 커패시터(C1,C2)와, 상기 제1 및 제2 커패시터(C1,C2)의 직렬회로에 병렬로 접속한 제1 인덕터(L1)와, 상기 제1 및 제2 커패시터(C1,C2)와의 접점에서 접지로 직렬로 접속한 제2 인덕터(l2) 및 제3 커패시터(C3)로 구성한다.Referring to FIG. 5, a high frequency filter circuit according to a first embodiment of the present invention includes first and second capacitors C1 and C2 connected in series between an input terminal and an output terminal, and the first and second capacitors. A first inductor L1 connected in parallel to a series circuit of (C1, C2), a second inductor l2 connected in series from the contact point of the first and second capacitors C1, C2 to ground, and a second It consists of three capacitors (C3).

상기 고주파 필터회로는 인덕턴스 및 커패시턴스의 설정에 따라 하이패스필터 또는 로우패스필터로 구현되는데, 예를 들어, 1.575GHz의 GPS 주파수 대역과 1.92GHz의 US PCS 주파수 대역을 포함하는 듀얼 모드중, 도 6b에 도시한 바와같이, 1.92GHz의 US PCS 주파수 대역을 통과시키기 위한 하이패스필터로 인덕턴스 및 커패시턴스를 설정할 수 있고, 또는 상기 듀얼 모드중, 도 6a에 도시한 바와같이, 1.575GHz의 GPS 주파수 대역을 통과시키기 위한 로우패스필터로 인덕턴스 및 커패시턴스를 설정할 수 있다.The high frequency filter circuit is implemented as a high pass filter or a low pass filter according to the setting of inductance and capacitance, for example, among dual modes including a GPS frequency band of 1.575 GHz and a US PCS frequency band of 1.92 GHz, FIG. 6B. As shown in Fig. 1, inductance and capacitance can be set with a high pass filter for passing the US PCS frequency band of 1.92 GHz, or in the dual mode, as shown in Fig. 6A, the GPS frequency band of 1.575 GHz is used. The low pass filter allows the inductance and capacitance to be set.

도 6a를 참조하면, 포트1에서 포트2로의 주파수 통과 특성은 주파수 그래프(S12)로 도시되어 있으며, 또한 포트2에서 포트2로 반사되는 주파수 반사 특성은 주파수 그래프(S22)로 되어 있는데, 도 6a에서 보는 바와 같이, S12에 대해 통과대역인 1.575GHz GPS 주파수를 보면 대역 -3dB보다 낮은 사양을 만족해야 하는데, 도 6a에서는 -3dB정도보다 휠씬 낮은 거의 0dB임을 알 수 있으며, 이는 그 만큼 주파수 특성이 종래의 필터 회로에 비해서 양호하다는 것을 알 수 있다.Referring to FIG. 6A, the frequency passing characteristic from the port 1 to the port 2 is illustrated by the frequency graph S12, and the frequency reflecting characteristic reflected from the port 2 to the port 2 is the frequency graph S22. As can be seen, the 1.575 GHz GPS frequency, which is the passband for S12, should satisfy the specification lower than the band -3 dB, which is almost 0 dB much lower than the -3 dB in FIG. It turns out that it is favorable compared with the conventional filter circuit.

또한, 도 6b를 참조하면, 포트1에서 포트2로의 주파수 통과 특성은 주파수 그래프(S12)로 도시되어 있으며, 또한 포트2에서 포트2로 반사되는 주파수 반사 특성은 주파수 그래프(S22)로 되어 있는데, 도 6a에서 보는 바와같이, S12에 대해 통과대역인 1.82GHz~1.99GHz PCS주파수를 보면 대역 -3dB보다 낮은 사양을 만족해야 하는데, 도 6a에서는 -3dB정도보다 휠씬 낮은 거의 0dB임을 알 수 있으며, 이는 그 만큼 주파수 특성이 종래의 필터 회로에 비해서 양호하다는 것을 알 수 있다.In addition, referring to FIG. 6B, the frequency passing characteristic from the port 1 to the port 2 is illustrated by the frequency graph S12, and the frequency reflecting characteristic reflected from the port 2 to the port 2 is the frequency graph S22. As shown in FIG. 6A, the passband 1.82 GHz to 1.99 GHz PCS frequency for S12 should satisfy the specification lower than the band -3 dB. In FIG. 6 a, it is almost 0 dB much lower than about -3 dB. It can be seen that the frequency characteristic is as good as that of the conventional filter circuit.

이와 같이, 본 발명에 따른 제1 실시예에 해당하는 고주파 필터 회로에 의하면, 간단한 회로로서 차단주파수 근처에서의 가파른 주파수 특성을 갖는 것으로서, 종래의 필터회로로 이와 같은 특성을 갖기 위해서는 하이패스필터 또는 로우패스필터 회로를 여러단으로 구성하여야 하는데, 이러한 종래의 필터회로는 회로가 복잡해지는 문제점이 있으나, 본 발명의 고주파 필터회로에 의하면, 간단한 필터회로로 우수한 주파수 특성을 갖게 된다.As described above, the high frequency filter circuit according to the first embodiment of the present invention is a simple circuit having a steep frequency characteristic near a cutoff frequency. In order to have such characteristics in a conventional filter circuit, a high pass filter or The low-pass filter circuit should be composed of several stages, but such a conventional filter circuit has a problem that the circuit becomes complicated, but according to the high frequency filter circuit of the present invention, it has excellent frequency characteristics with a simple filter circuit.

도 7은 본 발명에 따른 제2 실시예에 해당하는 고주파 필터회로도로서, 도 7을 참조하면, 본 발명에 따른 제2 실시예에 해당하는 고주파 필터회로는 입력단과 출력단 사이에 직렬로 접속한 제1 및 제2 인덕터(L11,L12)와, 상기 제1 및 제2 인덕터(L11,L12)의 직렬회로에 병렬로 접속한 제1 커패시터(C11)와, 상기 제1 및 제2 인덕터(L11,L12)와의 접점에서 접지로 직렬로 접속한 제2 커패시터(C12) 및 제3 인덕터(L13)로 구성한다.7 is a high frequency filter circuit diagram according to a second embodiment according to the present invention. Referring to FIG. 7, a high frequency filter circuit according to the second embodiment according to the present invention is connected in series between an input terminal and an output terminal. The first and second inductors L11 and L12, the first capacitor C11 connected in parallel to the series circuits of the first and second inductors L11 and L12, and the first and second inductors L11, A second capacitor C12 and a third inductor L13 connected in series from the contact point with L12 to the ground.

또한, 본 발명의 제1 실시예에서 전술한 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 해당하는 고주파 필터회로는 인덕턴스 및 커패시턴스의 설정에 따라 하이패스필터 또는 로우패스필터로 구현되는데, 예를 들어, 1.575GHz의 GPS 주파수 대역과 1.92GHz의 US PCS 주파수 대역을 포함하는 듀얼 모드중, 도 6b에 도시한 바와같이, 1.92GHz의 US PCS 주파수 대역을 통과시키기 위한 하이패스필터로 인덕턴스 및 커패시턴스를 설정할 수 있고, 또는 상기 듀얼 모드중, 도 6a에 도시한 바와같이, 1.575GHz의 GPS 주파수 대역을 통과시키기 위한 로우패스필터로 인덕턴스 및 커패시턴스를 설정할 수 있다.In addition, as described above in the first embodiment of the present invention, the high frequency filter circuit corresponding to the second embodiment of the present invention is implemented as a high pass filter or a low pass filter according to the setting of inductance and capacitance. In the dual mode including the GPS frequency band of 1.575 GHz and the US PCS frequency band of 1.92 GHz, as shown in FIG. 6B, inductance and capacitance are set as a high pass filter for passing the US PCS frequency band of 1.92 GHz. Alternatively, in the dual mode, as shown in FIG. 6A, inductance and capacitance can be set as a low pass filter for passing a GPS frequency band of 1.575 GHz.

상기한 본 발명의 제1 실시예 및 제2 실시예에서 보인 본 발명의 고주파 필터 회로에 있어서, 본 발명의 기본은 기존의 공진회로의 내부에 공진회로를 더 추가하는 것으로서, 도 5에서와 같이 입력포트와 출력포트 사이를 병렬 공진회로로 연결하고, 병렬 공진회로 내부에서 그라운드로 연결되는 직렬 공진회로를 연결하는 것으로서 캐패시터를 둘로 나누어 직렬 공진회로를 연결하거나 인덕터를 둘로 나누어 그 사이에 직렬 공진회로를 연결하여 제작할 수 있다.In the high frequency filter circuit of the present invention shown in the first and second embodiments of the present invention described above, the basis of the present invention is to further add a resonant circuit inside the existing resonant circuit, as shown in FIG. It connects the input port and the output port with parallel resonant circuit, and connects the series resonant circuit connected to the ground inside the parallel resonant circuit. Can be produced by connecting.

전술한 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 해당하는 회로를 도 8에 도시한 바와 같은 적층 세라믹 필터로 구현할 수 있는데, 이에 대해서 설명하면 다음과 같다.As described above, the circuit corresponding to the first embodiment of the present invention can be implemented with a multilayer ceramic filter as shown in FIG. 8, which will be described below.

도 8은 본 발명에 따른 적층 세라믹 필터의 적층 분해 사시도이고, 도 9a 및 9b는 도 8의 적층 세라믹 필터의 평면도 및 측면도이다.8 is an exploded perspective view of a multilayer ceramic filter according to the present invention, and FIGS. 9A and 9B are plan and side views of the multilayer ceramic filter of FIG. 8.

도 8, 도9a 및 도 9b를 참조하면, 본 발명에 따른 적층 세라믹 필터는 제1 세라믹 기판상에 접지패턴인 제1 도체패턴(P1)을 형성한 제1층(LP1)와, 상기 제1층(LP1) 상부에 제2 세라믹 기판을 적층하고, 이 제2 세라믹 기판상에 제2 도체패턴(P2)을 형성한 제2층(LP2)와, 상기 제2층(LP2) 상부에 제3 세라믹 기판을 적층하고, 이 제3 세라믹 기판상에 제31 인덕터 패턴 및 제32 인덕터 패턴을 포함하는 제3 도체패턴(P31,P32)을 형성한 제3층(LP3)과, 상기 제3층(LP3) 상부에 제4 세라믹 기판을 적층하고, 이 제4 세라믹 기판상에 제41 인덕터 패턴 및 제42 인덕터 패턴을 포함하는 제4 도체패턴(P41,P42)을 형성하고, 이 제41 인덕터 패턴(P41)을 상기 제31 인덕터 패턴(P31)과 전기적으로 연결하고, 상기 제42 인덕터 패턴(P42)을 상기 제32 인덕터 패턴(P32)과 전기적으로 연결한 제4층(LP4)과, 상기 제4층(LP4) 상부에 제5 세라믹 기판을 적층하고, 이 제5 세라믹 기판상에 제5 도체패턴(P5)을 형성하여 상기 제5 도체패턴(P5)을 상기 제41 인덕터 패턴(P41)과 전기적으로 연결한 제5층(LP5)과, 상기 제5층(LP5) 상부에 제6 세라믹 기판을 적층하고, 이 제6 세라믹 기판상에 제6 도체패턴(P6)을 형성하여 상기 제31 인덕터 패턴(P31)과 접속한 제6층(LP6)과, 상기 제6층(LP6) 상부에 제7 세라믹 기판을 적층하고, 이 제7 세라믹 기판상에 제7 도체패턴(P7)을 형성하여 입력(IN)단과 연결하고, 상기 제32 인덕터 패턴(P32)과 전기적으로 연결한 제7층(LP7)과, 상기 제7층(LP7) 상부에 제8 세라믹 기판을 적층하고, 이 제8 세라믹 기판상에 제8 도체패턴(P8)을 형성하여 상기 제6 도체패턴(P6)과 전기적으로 연결한 제8층(LP8)과, 상기 제8층(LP8) 상부에 제9 세라믹 기판을 적층하고, 이 제9 세라믹 기판상에 제9 도체패턴(P9)을 형성하여 출력(OUT)단과 연결한 제9층(LP9)과, 상기 제9층(LP9) 상부에 제10 세라믹 기판을 적층하고, 이 제10 세라믹 기판상에 제10 도체패턴(P10)을 형성하여 상기 제8 도체패턴(P8)과 접속한 제10층(LP10)으로 구성한다.8, 9A, and 9B, the multilayer ceramic filter according to the present invention includes a first layer LP1 having a first conductor pattern P1 formed as a ground pattern on a first ceramic substrate, and the first layer LP1. A second ceramic substrate is laminated on the layer LP1, and a second conductive layer P2 is formed on the second ceramic substrate, and a third layer is formed on the second layer LP2. A third layer LP3 having a ceramic substrate stacked and forming third conductor patterns P31 and P32 including a thirty-first inductor pattern and a thirty-second inductor pattern on the third ceramic substrate, and the third layer ( A fourth ceramic substrate is stacked on the LP3), and fourth conductor patterns P41 and P42 including the forty-first inductor pattern and the forty-second inductor pattern are formed on the fourth ceramic substrate, and the forty-first inductor pattern ( A fourth layer LP4 electrically connecting P41 to the thirty-first inductor pattern P31, and electrically connecting the forty-second inductor pattern P42 to the thirty-second inductor pattern P32; A fifth ceramic substrate is stacked on the fourth layer LP4, and a fifth conductor pattern P5 is formed on the fifth ceramic substrate to form the fifth conductor pattern P5 in the forty-first inductor pattern P41. A fifth layer LP5 electrically connected to the fifth layer LP, and a sixth ceramic substrate stacked on the fifth layer LP5, and a sixth conductor pattern P6 is formed on the sixth ceramic substrate to form the sixth ceramic pattern P6. The sixth layer LP6 connected to the inductor pattern P31 and the seventh ceramic substrate are stacked on the sixth layer LP6, and the seventh conductor pattern P7 is formed on the seventh ceramic substrate. A seventh layer LP7 connected to an input IN terminal and electrically connected to the thirty-second inductor pattern P32, and an eighth ceramic substrate stacked on the seventh layer LP7. An eighth layer LP8 formed by forming an eighth conductor pattern P8 on the substrate and electrically connected to the sixth conductor pattern P6, and a ninth ceramic substrate stacked on the eighth layer LP8. , This ninth year A ninth layer LP9 having a ninth conductor pattern P9 formed on the mixed substrate and connected to an output OUT terminal, and a tenth ceramic substrate stacked on the ninth layer LP9, The tenth conductor pattern P10 is formed on the substrate to form a tenth layer LP10 connected to the eighth conductor pattern P8.

상기 제1층(LP1)의 제1 도체패턴(P1)과 상기 제2층(LP2)의 제2 도체패턴(P2) 사이에 제3 커패시터가 형성되고, 상기 제3층의 제31 인덕터 패턴, 제4층의 제41 인덕터 패턴 및 제5층의 제5 도체패턴이 비아홀을 통해 전기적으로 연결되어 제2 인덕터를 형성하며, 상기 제3층의 제32 인덕터 패턴과 제4층의 제42 인덕터 패턴을 비아홀을 통해 전기적으로 연결하여 제1 인덕터를 형성한다. 그리고, 상기 제6층(LP6)의 제6 도체패턴(P6), 제7층(LP7)의 제7 도체패턴(P7) 및 제8층(LP8)의 제8 도체패턴(P8)으로 제1 커패시터를 형성하고, 상기 제8층(LP8)의 제8 도체패턴(P8), 제9층(LP9)의 제9 도체패턴(P9) 및 제10층(LP10)의 제10 도체패턴(P10)으로 제2 커패시터를 형성한다.A third capacitor is formed between the first conductor pattern P1 of the first layer LP1 and the second conductor pattern P2 of the second layer LP2, and a thirty-first inductor pattern of the third layer, The fourth inductor pattern of the fourth layer and the fifth conductor pattern of the fifth layer are electrically connected to each other through a via hole to form a second inductor, and the thirty-second inductor pattern of the third layer and the forty-second inductor pattern of the fourth layer Are electrically connected through the via holes to form a first inductor. The sixth conductor pattern P6 of the sixth layer LP6, the seventh conductor pattern P7 of the seventh layer LP7, and the eighth conductor pattern P8 of the eighth layer LP8 are first. A capacitor is formed and an eighth conductor pattern P8 of the eighth layer LP8, a ninth conductor pattern P9 of the ninth layer LP9, and a tenth conductor pattern P10 of the tenth layer LP10. To form a second capacitor.

도 8, 도 9a 및 도 9b에는 도 5에 도시한 고주파 필터 회로를 적층 세라믹 필터로 구현할 때 단자 배열을 나타내었다. 이러한 적층 세라믹 필터는 각각의 소자를 칩 내부에 동시에 형성시켜 하나의 칩으로 제작이 가능하기 때문에 집적도를높여 제품을 소형화 할 수 있으며, 특성을 개선시킬 수 있다.8, 9A and 9B show a terminal arrangement when the high frequency filter circuit shown in FIG. 5 is implemented as a multilayer ceramic filter. Such a multilayer ceramic filter can be formed as a single chip by forming each device at the same time inside the chip, thereby increasing the degree of integration, miniaturizing the product and improving the characteristics.

도 8, 도 9a 및 도 9b에 도시한 본 발명의 적층 세라믹 필터의 적층구조 및 배열은 도 5에 도시한 필터회로 및 도 6에 도시한 필터회로를 등가적으로 구현하는 하나의 실시예에 불과하므로, 본 발명의 적층 세라믹 필터는 도 8의 구조 및 배열에 한정되지 않으며, 도 5 및 도 6의 필터 회로를 등가적으로 만족하는한 다양한 변경 및 개조가 가능하다.The laminated structure and arrangement of the multilayer ceramic filter of the present invention shown in Figs. 8, 9A, and 9B are merely one embodiment for equivalently implementing the filter circuit shown in Fig. 5 and the filter circuit shown in Fig. 6. Therefore, the multilayer ceramic filter of the present invention is not limited to the structure and arrangement of FIG. 8, and various modifications and modifications are possible as long as the filter circuits of FIGS. 5 and 6 are equivalently satisfied.

전술한 바와 같은 본 발명이 적용되는 고주파 필터 회로는 하이패스필터 또는 로우패스필터등을 포함할 수 있고, 또한, 본 발명은 다이플렉스(diplexer)뿐만 아니라, 듀플렉서(duplexer)등과 같이, 2가지의 주파수 대역을 선택하는 통신장치 또는 시스템에 적용될 수 있다.The high frequency filter circuit to which the present invention as described above is applied may include a high pass filter or a low pass filter, and the present invention is not only a diplexer but also a duplexer or the like. It can be applied to a communication device or system for selecting a frequency band.

상술한 바와 같은 본 발명에 따르면, 듀얼모드 이동통신용 단말기의 고주파 복합부품에 적용되는 고주파 필터를 간단한 회로로 개선함으로서, 소형화 제작이 가능하고, 또한 삽입손실을 줄일 수 있으며, 저지특성을 향상시키도록 하는 특별한 효과가 있다.According to the present invention as described above, by improving the high-frequency filter applied to the high-frequency composite components of the dual-mode mobile communication terminal with a simple circuit, it is possible to miniaturize and reduce the insertion loss, to improve the blocking characteristics There is a special effect.

또한, GPS대역에서 삽입손실을 줄이고 PCS대역에서는 저지특성을 증가시킬수 있고, 이 때 필요한 각 소자의 값은 적층 세라믹으로 구현이 가능하여 바로 적층 칩으로 제작이 가능하며, 또한 회로를 변형하지 않고 소자값 만을 변화시킬 경우, 로우패스필터 또는 하이패스필터등으로 제작이 가능하다.In addition, the insertion loss in the GPS band can be reduced and the stopping characteristic can be increased in the PCS band. In this case, the value of each device can be implemented with a multilayer ceramic, which can be manufactured directly with a multilayer chip, and without modifying the circuit. If only the value is changed, it can be manufactured with low pass filter or high pass filter.

이상의 설명은 본 발명의 구체적인 실시 예에 대한 설명에 불과하고, 본 발명은 이러한 구체적인 실시 예에 한정되지 않으며, 또한, 본 발명에 대한 상술한 구체적인 실시 예로부터 그 구성의 다양한 변경 및 개조가 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 쉽게 알 수 있다.The above description is only a description of specific embodiments of the present invention, and the present invention is not limited to these specific embodiments, and various changes and modifications of the configuration are possible from the above-described specific embodiments of the present invention. It will be apparent to those skilled in the art to which the present invention pertains.

Claims (12)

고주파 필터에 있어서,In the high frequency filter, 입력단과 출력단 사이에 직렬로 접속한 제1 및 제2 커패시터(C1,C2);First and second capacitors C1 and C2 connected in series between an input terminal and an output terminal; 상기 제1 및 제2 커패시터(C1,C2)의 직렬회로에 병렬로 접속한 제1 인덕터(L1);A first inductor L1 connected in parallel to the series circuits of the first and second capacitors C1 and C2; 상기 제1 및 제2 커패시터(C1,C2)와의 접점에서 접지로 직렬로 접속한 제2 인덕터(l2) 및 제3 커패시터(C3)를 구비함을 특징으로 하는 고주파 필터 회로.And a third inductor (l2) and a third capacitor (C3) connected in series from the contact points of the first and second capacitors (C1, C2) to ground. 제1항에 있어서, 상기 고주파 필터회로는The method of claim 1, wherein the high frequency filter circuit 하이패스필터로 인덕턴스 및 커패시턴스를 설정하는 것을 특징으로 하는 고주파 필터회로.A high frequency filter circuit for setting inductance and capacitance with a high pass filter. 제1항에 있어서, 상기 고주파 필터회로는The method of claim 1, wherein the high frequency filter circuit 로우패스필터로 인덕턴스 및 커패시턴스를 설정하는 것을 특징으로 하는 고주파 필터회로.A high frequency filter circuit for setting inductance and capacitance with a low pass filter. 고주파 필터에 있어서,In the high frequency filter, 입력단과 출력단 사이에 직렬로 접속한 제1 및 제2 인덕터(L11,L12);First and second inductors L11 and L12 connected in series between an input terminal and an output terminal; 상기 제1 및 제2 인덕터(L11,L12)의 직렬회로에 병렬로 접속한 제1커패시터(C11);A first capacitor C11 connected in parallel to the series circuits of the first and second inductors L11 and L12; 상기 제1 및 제2 인덕터(L11,L12)와의 접점에서 접지로 직렬로 접속한 제2 커패시터(C12) 및 제3 인덕터(L13)를 구비함을 특징으로 하는 고주파 필터 회로.And a third capacitor (C12) and a third inductor (L13) connected in series from the contact points of the first and second inductors (L11, L12) to ground. 제4항에 있어서, 상기 고주파 필터회로는The method of claim 4, wherein the high frequency filter circuit 하이패스필터로 인덕턴스 및 커패시턴스를 설정하는 것을 특징으로 하는 고주파 필터회로.A high frequency filter circuit for setting inductance and capacitance with a high pass filter. 제4항에 있어서, 상기 고주파 필터회로는The method of claim 4, wherein the high frequency filter circuit 로우패스필터로 인덕턴스 및 커패시턴스를 설정하는 것을 특징으로 하는 고주파 필터회로.A high frequency filter circuit for setting inductance and capacitance with a low pass filter. 제1 세라믹 기판상에 접지패턴인 제1 도체패턴(P1)을 형성한 제1층(LP1);A first layer LP1 having a first conductor pattern P1 formed as a ground pattern on the first ceramic substrate; 상기 제1층(LP1) 상부에 제2 세라믹 기판을 적층하고, 이 제2 세라믹 기판상에 제2 도체패턴(P2)을 형성한 제2층(LP2);A second layer LP2 having a second ceramic substrate stacked on the first layer LP1 and having a second conductor pattern P2 formed on the second ceramic substrate; 상기 제2층(LP2) 상부에 제3 세라믹 기판을 적층하고, 이 제3 세라믹 기판상에 제31 인덕터 패턴 및 제32 인덕터 패턴을 포함하는 제3 도체패턴(P31,P32)을 형성한 제3층(LP3);A third ceramic layer stacked on the second layer LP2 and having third conductor patterns P31 and P32 including a thirty-first inductor pattern and a thirty-second inductor pattern formed thereon; Layer LP3; 상기 제3층(LP3) 상부에 제4 세라믹 기판을 적층하고, 이 제4 세라믹 기판상에 제41 인덕터 패턴 및 제42 인덕터 패턴을 포함하는 제4 도체패턴(P41,P42)을 형성하고, 이 제41 인덕터 패턴(P41)을 상기 제31 인덕터 패턴(P31)과 전기적으로 연결하고, 상기 제42 인덕터 패턴(P42)을 상기 제32 인덕터 패턴(P32)과 전기적으로 연결한 제4층(LP4);A fourth ceramic substrate is stacked on the third layer LP3, and fourth conductor patterns P41 and P42 including the forty-first inductor pattern and the forty-second inductor pattern are formed on the fourth ceramic substrate. Fourth layer LP4 electrically connecting the forty-first inductor pattern P41 to the thirty-first inductor pattern P31, and electrically connecting the forty-second inductor pattern P42 to the thirty-second inductor pattern P32. ; 상기 제4층(LP4) 상부에 제5 세라믹 기판을 적층하고, 이 제5 세라믹 기판상에 제5 도체패턴(P5)을 형성하여 상기 제5 도체패턴(P5)을 상기 제41 인덕터 패턴(P41)과 전기적으로 연결한 제5층(LP5);A fifth ceramic substrate is stacked on the fourth layer LP4, and a fifth conductor pattern P5 is formed on the fifth ceramic substrate to form the fifth conductor pattern P5 in the forty-first inductor pattern P41. ) A fifth layer (LP5) electrically connected; 상기 제5층(LP5) 상부에 제6 세라믹 기판을 적층하고, 이 제6 세라믹 기판상에 제6 도체패턴(P6)을 형성하여 상기 제31 인덕터 패턴(P31)과 접속한 제6층(LP6);The sixth layer LP6, in which a sixth ceramic substrate is stacked on the fifth layer LP5, and a sixth conductor pattern P6 is formed on the sixth ceramic substrate to be connected to the thirty-first inductor pattern P31. ); 상기 제6층(LP6) 상부에 제7 세라믹 기판을 적층하고, 이 제7 세라믹 기판상에 제7 도체패턴(P7)을 형성하여 입력(IN)단과 연결하고, 상기 제32 인덕터 패턴(P32)과 전기적으로 연결한 제7층(LP7);A seventh ceramic substrate is stacked on the sixth layer LP6, and a seventh conductor pattern P7 is formed on the seventh ceramic substrate to be connected to the input IN, and the thirty-second inductor pattern P32 is formed. A seventh layer LP7 electrically connected with the seventh layer LP7; 상기 제7층(LP7) 상부에 제8 세라믹 기판을 적층하고, 이 제8 세라믹 기판상에 제8 도체패턴(P8)을 형성하여 상기 제6 도체패턴(P6)과 전기적으로 연결한 제8층(LP8);An eighth ceramic layer stacked on the seventh layer LP7, and an eighth conductor pattern P8 is formed on the eighth ceramic substrate to be electrically connected to the sixth conductor pattern P6. (LP8); 상기 제8층(LP8) 상부에 제9 세라믹 기판을 적층하고, 이 제9 세라믹 기판상에 제9 도체패턴(P9)을 형성하여 출력(OUT)단과 연결한 제9층(LP9); 및A ninth layer LP9 having a ninth ceramic substrate stacked on the eighth layer LP8 and having a ninth conductive pattern P9 formed on the ninth ceramic substrate and connected to an output terminal; And 상기 제9층(LP9) 상부에 제10 세라믹 기판을 적층하고, 이 제10 세라믹 기판상에 제10 도체패턴(P10)을 형성하여 상기 제8 도체패턴(P8)과 접속한 제10층(LP10)을 구비함을 특징으로 하는 적층 세라믹 필터.A tenth ceramic layer (LP10) on which a tenth ceramic substrate is stacked on the ninth layer (LP9), and a tenth conductor pattern (P10) is formed on the tenth ceramic substrate and connected to the eighth conductor pattern (P8). A multilayer ceramic filter comprising: 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 제1층(LP1)의 제1 도체패턴(P1)과 상기 제2층(LP2)의 제2 도체패턴(P2) 사이에 제3 커패시터가 형성되는 것을 특징으로 하는 적층형 세라믹 필터.The multilayer ceramic filter of claim 1, wherein a third capacitor is formed between the first conductor pattern P1 of the first layer LP1 and the second conductor pattern P2 of the second layer LP2. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 제3층의 제31 인덕터 패턴, 제4층의 제41 인덕터 패턴 및 제5층의 제5 도체패턴이 비아홀을 통해 전기적으로 연결되어 제2 인덕터를 형성하는 것을 특징으로 하는 적층형 세라믹 필터.And the thirty-first inductor pattern of the third layer, the forty-first inductor pattern of the fourth layer, and the fifth conductor pattern of the fifth layer are electrically connected to each other to form a second inductor. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 제3층의 제32 인덕터 패턴과 제4층의 제42 인덕터 패턴을 비아홀을 통해 전기적으로 연결하여 제1 인덕터를 형성하는 것을 특징으로 하는 적층형 세라믹 필터.And a thirty-second inductor pattern of the third layer and a forty-second inductor pattern of a fourth layer to electrically connect the via-holes to form a first inductor. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 제6층(LP6)의 제6 도체패턴(P6), 제7층(LP7)의 제7 도체패턴(P7) 및 제8층(LP8)의 제8 도체패턴(P8)으로 제1 커패시터를 형성하는 것을 특징으로 하는 적층형 세라믹 필터.A first capacitor is connected to the sixth conductive pattern P6 of the sixth layer LP6, the seventh conductive pattern P7 of the seventh layer LP7, and the eighth conductive pattern P8 of the eighth layer LP8. Multilayer ceramic filter, characterized in that it is formed. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 제8층(LP8)의 제8 도체패턴(P8), 제9층(LP9)의 제9 도체패턴(P9) 및 제10층(LP10)의 제10 도체패턴(P10)으로 제2 커패시터를 형성하는 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 필터.A second capacitor is connected to the eighth conductive pattern P8 of the eighth layer LP8, the ninth conductive pattern P9 of the ninth layer LP9, and the tenth conductive pattern P10 of the tenth layer LP10. A multilayer ceramic filter, characterized in that the forming.
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