JPH09130103A - Band pass filter provided with multi-layered substrate-incorporated trap - Google Patents

Band pass filter provided with multi-layered substrate-incorporated trap

Info

Publication number
JPH09130103A
JPH09130103A JP28301795A JP28301795A JPH09130103A JP H09130103 A JPH09130103 A JP H09130103A JP 28301795 A JP28301795 A JP 28301795A JP 28301795 A JP28301795 A JP 28301795A JP H09130103 A JPH09130103 A JP H09130103A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
trap
layer
conductor
capacitor
filter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP28301795A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshiyuki Endo
俊行 遠藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nihon Cement Co Ltd
Original Assignee
Nihon Cement Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nihon Cement Co Ltd filed Critical Nihon Cement Co Ltd
Priority to JP28301795A priority Critical patent/JPH09130103A/en
Publication of JPH09130103A publication Critical patent/JPH09130103A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an inexpensive and compact band pass filter provided with trap of 800MHz to 2GHz band by using a standard organic multilayered substrate and a capacitor ship on the market. SOLUTION: This band pass filter provided with trap of 800MHz to 2GHz band consists of conductor layers 5 to 8, an organic dielectric layer, a multilayered substrate, and a capacitor chip 9 mounted on the multilayered substrate, and components of the filter other than the capacitor 9 and an input/ output terminal 11 are provided on internal conductor layers. Conductor layers 5 to 8 constituting the filter are electrically connected to each other via through hole 12 to 14.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話や、PH
S(personal handy phonesys
tem)用の携帯用無線機等に用いられる800MHz
〜2GHz帯の高周波バンドパスフィルタに関し、より
具体的には、有機系多層基板の内層に構成した多層基板
内層型トラップ付きバンドパスフィルタに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a mobile phone and a PH.
S (personal handy phones)
800MHz used for portable radios for tem)
The present invention relates to a high-frequency bandpass filter of 2 GHz band, and more specifically, to a multilayer substrate inner layer type bandpass filter with a trap formed in an inner layer of an organic multilayer substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】携帯電話や、PHSの急速な普及によ
り、携帯用無線機の性能の向上と小型化が強く求められ
ている。一般的な電子回路については、より多くの回路
素子がワンチップに納められるなどして小型化が進む
中、特に800MHz〜2GHz帯の高周波バンドパス
フィルタの小型化が強く望まれている。また、製造コス
トの引き下げ、全体的な製造工程の簡略化などの既存の
課題に対する解決がより緊急に求められている。
2. Description of the Related Art Due to the rapid spread of mobile phones and PHS, there is a strong demand for improvement in performance and miniaturization of portable radios. Regarding general electronic circuits, miniaturization of high-frequency bandpass filters in the 800 MHz to 2 GHz band is strongly desired, especially as more circuit elements are accommodated in one chip and miniaturization progresses. Further, there is an urgent need to solve existing problems such as reduction of manufacturing cost and simplification of the whole manufacturing process.

【0003】従来、コンデンサやコイルなどのバンドパ
スフィルタの構成要素をセラミックスの多層基板に作り
込む技術はよく知られている。このようなバンドパスフ
ィルタは、他の回路要素と一緒にセラミックス基板内に
納めることができるので、バンドパスフィルタだけのた
めの別個の製造工程を必要とせず、回路の小型化も可能
であるという利点を有していた。
[0003] Conventionally, a technique of incorporating components of a bandpass filter such as a capacitor and a coil into a ceramic multilayer substrate is well known. Since such a bandpass filter can be housed in a ceramic substrate together with other circuit elements, a separate manufacturing process for the bandpass filter alone is not required, and the circuit can be downsized. Had an advantage.

【0004】しかし、セラミックス製の多層基板は、一
般的に、(1)強度が低く割れやすいため、取り扱いが
難しく、(2)誘電率が高いため、設計が難しい、
(3)焼成という工程が必要なため、製造コストが大変
高く、また、納期に時間がかかる、といった問題があ
り、未だに製品としては少ない例しかない。セラミック
スを使用したバンドパスフィルタは、フィルタチップと
して携帯電話用に既に販売されているが、このようなチ
ップ部品の実装領域の大きさは相当なものであり、それ
を使用した回路全体の小型化の妨げとなっている。そし
て、上記のような、セラミックス多層基板が一般に有す
る問題点を持っている。
However, ceramic multilayer substrates are generally difficult to handle because of (1) low strength and easy cracking, and (2) high permittivity, making design difficult.
(3) Since the process of baking is required, there are problems that the manufacturing cost is very high and the delivery time is long, and there are still only a few examples as products. Bandpass filters using ceramics have already been sold as filter chips for mobile phones, but the size of the mounting area for such chip components is considerable, and it is possible to reduce the size of the entire circuit using them. Is hindering Then, there is a problem that the ceramic multilayer substrate generally has.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、標準
的な有機系多層基板と市販のコンデンサチップを使用し
て、安価で小型の800MHz〜2GHz帯のトラップ
付きバンドパスフィルタを提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an inexpensive and compact bandpass filter with a trap in the 800 MHz to 2 GHz band using a standard organic multilayer substrate and a commercially available capacitor chip. With the goal.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、複数の導体層
と複数の有機系誘電体層とを含む多層基板と、該多層基
板の上に表面実装されたコンデンサチップとからなり、
該コンデンサと入出力端子以外のフィルタの構成要素を
内部の導体層に設けた、800MHz〜2GHz帯のト
ラップ付きバンドパスフィルタを提供する。さらに、本
発明は、上記トラップ付きバンドパスフィルタにおい
て、フィルタを構成する導体層を貫通スルーホールによ
り電気的に接続したフィルタを提供する。
The present invention comprises a multi-layer substrate including a plurality of conductor layers and a plurality of organic dielectric layers, and a capacitor chip surface-mounted on the multi-layer substrate.
Provided is a bandpass filter with a trap in the 800 MHz to 2 GHz band, in which the constituent elements of the filter other than the capacitor and the input / output terminal are provided in an internal conductor layer. Furthermore, the present invention provides the above-mentioned bandpass filter with a trap, in which the conductor layers forming the filter are electrically connected by through-holes.

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】本発明において用いられるコンデ
ンサチップは、広く市販されているコンデンサチップを
使用することができる。コンデンサの容量としては、約
0.5pFから約3pF程度である。現在市販されてい
るコンデンサチップの大きさは、約1mmから約2mm
程度の大きさである。このように、コンデンサチップ自
体の大きさが小さいので、バンドパスフィルタ全体の大
きさも小さいものとすることができ、回路の小型化が図
れる利点が本発明にはある。また、コンデンサチップを
使用したことにより、有機系基板材料の誘電損失の影響
が少なくなるという利点がある。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The capacitor chip used in the present invention may be a capacitor chip that is widely available on the market. The capacitance of the capacitor is about 0.5 pF to about 3 pF. The size of the capacitor chip currently on the market is about 1 mm to about 2 mm.
It is of the order of magnitude. As described above, the size of the capacitor chip itself is small, so that the size of the entire bandpass filter can be made small, and the present invention has an advantage that the circuit can be downsized. Further, the use of the capacitor chip has an advantage that the influence of the dielectric loss of the organic substrate material is reduced.

【0008】本発明における導体層は、チップコンデン
サを表面実装するための導体部分を1層と数えて、フィ
ルタ回路の要部を構成するストリップラインとあわせて
最低でも2層必要である。通常は、2層のシールド用導
体膜とあわせて、少なくとも4層必要である。しかし、
誘電体層の数も同様であるが、それ以上の任意の数の導
体層があってよい。
For the conductor layer in the present invention, the conductor portion for mounting the chip capacitor on the surface is counted as one layer, and at least two layers are required together with the strip line which constitutes the main part of the filter circuit. Usually, at least four layers are required together with two layers of the conductor film for shielding. But,
The number of dielectric layers is similar, but there may be any number of conductor layers above that.

【0009】本発明のバンドパスフィルタにおいて用い
られる基板用の有機系誘電体としては、特に限定はされ
ないが、ガラスエポキシ樹脂などを好適に用いることが
できる。また誘電体層の数は、特に限定されない。上記
のようにシールド層2層を加えて4層の導体層がある場
合には、誘電体層の数は、3以上であればよく、上限は
特にない。
The organic dielectric for the substrate used in the bandpass filter of the present invention is not particularly limited, but glass epoxy resin or the like can be preferably used. The number of dielectric layers is not particularly limited. When there are four conductor layers including two shield layers as described above, the number of dielectric layers may be three or more, and there is no particular upper limit.

【0010】特に、本発明のバンドパスフィルタは、一
般的に広く利用されている有機系誘電体を基板材料とし
て使用しているので、フィルタ以外の、例えば、ローノ
イズアンプやミキサ回路とともに一つの多層基板中に構
成することができることを特徴としている。このような
場合には、4以上の誘電体層を用いることが有利な場合
がある。
In particular, since the bandpass filter of the present invention uses the organic dielectric material that is generally widely used as the substrate material, one multilayer structure other than the filter, for example, a low noise amplifier or a mixer circuit is used. It is characterized in that it can be formed in a substrate. In such cases, it may be advantageous to use more than three dielectric layers.

【0011】入出力のためのI/O端子を構成する部分
は、例えば、チップコンデンサが表面実装される表面に
設けることができるが、その他の構成も可能である。例
えば、他の回路と同一の多層基板に本発明のバンドパス
フィルタを設ける場合には、入出力を多層基板の表面で
はなく、その内部で行うことが好ましい場合がある。ま
た、導体層間の電気的な接続は、スルーホールにより行
うことができるが、本発明の場合には、層構成が簡素化
できるので、ブラインドスルーホールではなく、貫通ス
ルーホールによりこの接続を行うことができる。貫通ス
ルーホールにより電気的接続を行う場合には、導体層と
誘電体各層を貫通する穴を開けて、その後メッキ処理等
によりその穴を導体で満たすことにより、ブラインドス
ルーホールの場合に較べて製造工程がより簡易になる。
The portion constituting the I / O terminal for input / output can be provided on the surface on which the chip capacitor is surface-mounted, but other configurations are also possible. For example, when the bandpass filter of the present invention is provided on the same multilayer substrate as other circuits, it may be preferable to perform input / output not on the surface of the multilayer substrate but inside thereof. Further, the electrical connection between the conductor layers can be made by the through holes, but in the case of the present invention, since the layer structure can be simplified, this connection should be made by the through holes instead of the blind through holes. You can When electrical connection is made using through-holes, holes are made through the conductor layer and each dielectric layer, and then the holes are filled with conductors by plating, etc. The process becomes simpler.

【0012】[0012]

【実施例】以下に具体的な回路構成を参照しながら、本
発明のバンドパスフィルタの構成と特性をより詳細に説
明する。しかし、下記の実施例は、単に例として示した
ものであり、特許請求の範囲に記載された発明の範囲を
限定するものではない。図1には、本発明の一実施例で
ある通過帯域の上下にトラップを入れたバンドパスフィ
ルタの回路構成を示す。この回路は、PHS用に設計さ
れたものである。本実施例においては、コンデンサ1の
容量Cmを、1pFとし、1005チップとして広く市
販されているものを用いた。主要なストリップライン
2、3が示されており、ストリップライン3同士の結合
定数はMである。入出力用の端子4がある。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The configuration and characteristics of the bandpass filter of the present invention will be described in more detail below with reference to specific circuit configurations. However, the following examples are given merely as examples and do not limit the scope of the invention described in the claims. FIG. 1 shows a circuit configuration of a bandpass filter in which traps are provided above and below a pass band according to an embodiment of the present invention. This circuit is designed for PHS. In this embodiment, the capacitance Cm of the capacitor 1 is set to 1 pF, and a commercially available 1005 chip is used. The main striplines 2 and 3 are shown, and the coupling constant between the striplines 3 is M. There is a terminal 4 for input / output.

【0013】また、図2には、図1の回路構成を実現す
るための導体層5〜8のパターンを示す。図2におい
て、導体層4層5〜8のパターンとそれを電気的に接続
するための貫通スルーホール12〜14のみが示されて
いる。表面を構成する第1層5には、チップコンデンサ
9が置かれ、このコンデンサ接続用の端子部分10と入
出力用の導体部分11が設けられている。この第1層5
の表面にはすべてのスルーホール12〜14が見える。
第2層6はグラウンドのシールド層をなす内層であり、
コンデンサチップ用端子10と入出力用端子11にそれ
ぞれ接続するスルーホール13と14は、このシールド
層とは電気的に接続していない。しかし、グラウンド用
のスルーホール12が、この第2層6に電気的に接続し
ている。さらに、もう一つの内層である第3層7には、
本発明のフィルタのコンデンサ以外の回路要素となるス
トリップライン15が導体膜により形成されている。3
組6本のスルーホール12〜14のすべてが、この第3
層の導体と何らかの形で電気的に接続している。第4層
8の導体は、裏面に当たるシールド層を形成している。
このシールド用導体膜に電気的に接続しているのは、グ
ラウンド用スルーホール12のみであり、他のスルーホ
ール13、14は、裏面の表面に出ているものの、この
シールド用導体膜に電気的に接続していない。
Further, FIG. 2 shows patterns of the conductor layers 5 to 8 for realizing the circuit configuration of FIG. In FIG. 2, only the patterns of the conductor layers 4 to 5 and the through through holes 12 to 14 for electrically connecting them are shown. A chip capacitor 9 is placed on the first layer 5 constituting the surface, and a terminal portion 10 for connecting the capacitor and a conductor portion 11 for input / output are provided. This first layer 5
All through holes 12-14 are visible on the surface of the.
The second layer 6 is an inner layer that forms a ground shield layer,
The through holes 13 and 14 respectively connected to the capacitor chip terminal 10 and the input / output terminal 11 are not electrically connected to this shield layer. However, the ground through hole 12 is electrically connected to the second layer 6. Furthermore, in the other inner layer, the third layer 7,
The strip line 15 which is a circuit element other than the capacitor of the filter of the present invention is formed of a conductor film. 3
All of the through holes 12 to 14 of the set of 6 are the third
Somehow electrically connected to the layer conductors. The conductor of the fourth layer 8 forms a shield layer corresponding to the back surface.
Only the ground through hole 12 is electrically connected to the shield conductor film, and the other through holes 13 and 14 are exposed on the back surface, but the shield conductor film is electrically connected to the shield conductor film. Not connected.

【0014】なお、図2においては導体のパターンとス
ルーホールのみを示した。現実の回路を構成するために
は、この導体層間に有機系誘電体の層を配置する。この
誘電体層の材質としては、本実施例においては、三菱ガ
ス化学製EL240を用い、層厚としては、1層当たり
約0.3mmを採用した。導体層の厚さは約18μmで
あった。
In FIG. 2, only the conductor pattern and the through holes are shown. In order to form an actual circuit, an organic dielectric layer is arranged between the conductor layers. In this embodiment, as the material of the dielectric layer, EL240 manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd. was used, and the layer thickness was about 0.3 mm per layer. The conductor layer had a thickness of about 18 μm.

【0015】図3には、この導体パターンの平面図とそ
の大きさを示す。パターンの縦と横の大きさは、それぞ
れ、約5.5mmと約9mmとした。パターン中の各要
素大きさは、縦横の辺の長さにほぼ縮尺して示してあ
る。
FIG. 3 shows a plan view of this conductor pattern and its size. The vertical and horizontal dimensions of the pattern were about 5.5 mm and about 9 mm, respectively. The size of each element in the pattern is shown in a substantially reduced scale in the lengths of the vertical and horizontal sides.

【0016】図4には、積層した誘電体層16と導体層
の断面を模式的に示す。この図においては、貫通スルー
ホール12と13が貫通して表面と裏面に出ている様子
が看取できる。
FIG. 4 schematically shows a cross section of the laminated dielectric layer 16 and conductor layer. In this figure, it can be seen that the through-holes 12 and 13 penetrate and appear on the front and back surfaces.

【0017】図5と図6には、本実施例のトラップ付き
バンドパスフィルタの特性について、実際に測定した結
果を示す。図5には、通過特性を周波数の関数として示
す。図6には、リターンロス特性を同じく周波数の関数
として示す。
FIG. 5 and FIG. 6 show the results of actual measurement of the characteristics of the bandpass filter with a trap of this embodiment. FIG. 5 shows the pass characteristic as a function of frequency. FIG. 6 also shows the return loss characteristic as a function of frequency.

【0018】[0018]

【発明の効果】上述のように、本発明によれば、導体層
の構成を簡素化できる。したがって、例えば、4層の導
体と貫通スルーホールのみでトラップ付きバンドパスフ
ィルタを構成することができる。また、チップコンデン
サを用いるため、フィルタ回路の小型化を図ることがで
きる。さらに、一般的な回路に用いられる有機系多層基
板を使用しているので、他の回路、アンプ回路やミキサ
ー回路などを本発明のフィルタと同じ基板中に構成でき
るので、通信機に必要な回路全体の小型化に役立つ。
As described above, according to the present invention, the structure of the conductor layer can be simplified. Therefore, for example, a bandpass filter with a trap can be configured with only four layers of conductors and through-holes. Further, since the chip capacitor is used, the filter circuit can be downsized. Furthermore, since an organic multi-layer substrate used for general circuits is used, other circuits, such as an amplifier circuit and a mixer circuit, can be formed in the same substrate as the filter of the present invention, so that a circuit required for a communication device Helps reduce overall size.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施例の回路図を示す。FIG. 1 shows a circuit diagram of an embodiment of the present invention.

【図2】図1の実施例の回路を実現するための導体層の
パターンと貫通スルーホールを示す。
FIG. 2 shows a pattern of conductor layers and through-holes for realizing the circuit of the embodiment of FIG.

【図3】図1の実施例の回路を実現するための導体層の
パターンを示す。
FIG. 3 shows a pattern of conductor layers for realizing the circuit of the embodiment of FIG.

【図4】積層した上記実施例にかかるフィルタの断面の
模式図を示す。
FIG. 4 is a schematic view of a cross section of the filters according to the above-described embodiments that are stacked.

【図5】上記実施例のフィルタの周波数通過特性を示
す。
FIG. 5 shows frequency pass characteristics of the filter of the above embodiment.

【図6】上記実施例のフィルタの周波数リターンロス特
性を示す。
FIG. 6 shows frequency return loss characteristics of the filter of the above embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 コンデンサ 2、3 ストリップライン 4 入出力端子 5 第1導体層(表面) 6 第2導体層 7 第3導体層 8 第4導体層(裏面) 9 コンデンサチップ 10 コンデンサチップ用導体 11 入出力端子導体 12 グラウンド用貫通スルーホール 13、14 貫通スルーホール 15 ストリップライン導体 16 誘電体層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Capacitor 2, 3 Stripline 4 Input / output terminal 5 1st conductor layer (front surface) 6 2nd conductor layer 7 3rd conductor layer 8 4th conductor layer (back surface) 9 Capacitor chip 10 Capacitor chip conductor 11 Input / output terminal conductor 12 ground through hole 13, 14 through through hole 15 stripline conductor 16 dielectric layer

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の導体層と複数の有機系誘電体層と
を含む多層基板と、該多層基板の上に表面実装されたコ
ンデンサチップとからなり、該コンデンサと入出力端子
以外のフィルタの構成要素を該多層基板内部の導体層に
設けた、800MHz〜2GHz帯のトラップ付きバン
ドパスフィルタ。
1. A multilayer substrate including a plurality of conductor layers and a plurality of organic dielectric layers, and a capacitor chip surface-mounted on the multilayer substrate. A bandpass filter with a trap in the 800 MHz to 2 GHz band, in which constituent elements are provided in a conductor layer inside the multilayer substrate.
【請求項2】 フィルタを構成する導体層を貫通スルー
ホールにより電気的に接続したことを特徴とする請求項
1記載の800MHz〜2GHz帯のトラップ付きバン
ドパスフィルタ。
2. A bandpass filter with a trap in the 800 MHz to 2 GHz band according to claim 1, wherein the conductor layers forming the filter are electrically connected through through holes.
JP28301795A 1995-10-31 1995-10-31 Band pass filter provided with multi-layered substrate-incorporated trap Pending JPH09130103A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28301795A JPH09130103A (en) 1995-10-31 1995-10-31 Band pass filter provided with multi-layered substrate-incorporated trap

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28301795A JPH09130103A (en) 1995-10-31 1995-10-31 Band pass filter provided with multi-layered substrate-incorporated trap

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH09130103A true JPH09130103A (en) 1997-05-16

Family

ID=17660155

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP28301795A Pending JPH09130103A (en) 1995-10-31 1995-10-31 Band pass filter provided with multi-layered substrate-incorporated trap

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH09130103A (en)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030073586A (en) * 2002-03-12 2003-09-19 삼성전기주식회사 Rf filter circuit and laminated ceramic filter
WO2004006384A1 (en) * 2002-07-05 2004-01-15 Yokowo Co., Ltd. Antenna with built-in filter
US6900708B2 (en) * 2002-06-26 2005-05-31 Georgia Tech Research Corporation Integrated passive devices fabricated utilizing multi-layer, organic laminates
US6987307B2 (en) 2002-06-26 2006-01-17 Georgia Tech Research Corporation Stand-alone organic-based passive devices
US7260890B2 (en) 2002-06-26 2007-08-28 Georgia Tech Research Corporation Methods for fabricating three-dimensional all organic interconnect structures
US7439840B2 (en) 2006-06-27 2008-10-21 Jacket Micro Devices, Inc. Methods and apparatuses for high-performing multi-layer inductors
US7489914B2 (en) 2003-03-28 2009-02-10 Georgia Tech Research Corporation Multi-band RF transceiver with passive reuse in organic substrates
JP4513082B2 (en) * 2000-03-15 2010-07-28 パナソニック株式会社 Laminated electronic parts, laminated duplexers, communication equipment, and high frequency radio equipment

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4513082B2 (en) * 2000-03-15 2010-07-28 パナソニック株式会社 Laminated electronic parts, laminated duplexers, communication equipment, and high frequency radio equipment
KR20030073586A (en) * 2002-03-12 2003-09-19 삼성전기주식회사 Rf filter circuit and laminated ceramic filter
US6900708B2 (en) * 2002-06-26 2005-05-31 Georgia Tech Research Corporation Integrated passive devices fabricated utilizing multi-layer, organic laminates
US6987307B2 (en) 2002-06-26 2006-01-17 Georgia Tech Research Corporation Stand-alone organic-based passive devices
US7260890B2 (en) 2002-06-26 2007-08-28 Georgia Tech Research Corporation Methods for fabricating three-dimensional all organic interconnect structures
WO2004006384A1 (en) * 2002-07-05 2004-01-15 Yokowo Co., Ltd. Antenna with built-in filter
EP1548872A1 (en) * 2002-07-05 2005-06-29 Yokowo Co., Ltd Antenna with built-in filter
EP1548872A4 (en) * 2002-07-05 2006-08-16 Yokowo Seisakusho Kk Antenna with built-in filter
US7132984B2 (en) 2002-07-05 2006-11-07 Yokowo Co., Ltd Antenna with built-in filter
US7068124B2 (en) * 2003-03-28 2006-06-27 Georgia Tech Research Corporation Integrated passive devices fabricated utilizing multi-layer, organic laminates
US7489914B2 (en) 2003-03-28 2009-02-10 Georgia Tech Research Corporation Multi-band RF transceiver with passive reuse in organic substrates
US7439840B2 (en) 2006-06-27 2008-10-21 Jacket Micro Devices, Inc. Methods and apparatuses for high-performing multi-layer inductors

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6822534B2 (en) Laminated electronic component, laminated duplexer and communication device
US7132984B2 (en) Antenna with built-in filter
US6252778B1 (en) Complex electronic component
US7443268B2 (en) Bandpass filter within a multilayered low temperature co-fired ceramic substrate
JP2000286634A (en) Antenna system and its manufacture
US5880649A (en) Multilayered frequency separator
US20040046621A1 (en) Multiplexer
US5834994A (en) Multilayer lowpass filter with improved ground plane configuration
JPH0621701A (en) Filter inclusing dielectric resonator
KR20090094980A (en) Band pass filter
WO1998034343A1 (en) Multilayer lowpass filter with single point ground plane configuration
JPH09130103A (en) Band pass filter provided with multi-layered substrate-incorporated trap
US6911890B2 (en) High frequency laminated device
JPH04246901A (en) High frequency filter
JP4245265B2 (en) Multilayer wiring board having a plurality of filters
JP2000223906A (en) High-pass filter and circuit board equipped with same
JP3381392B2 (en) filter
JP2000341005A (en) High pass filter and printed circuit board
JP2001024463A (en) Band preventing filter and receiving module and portable radio equipment
JPH04301901A (en) Substrate for high frequency module
JPH11274876A (en) Low-pass filter and circuit board
US6881895B1 (en) Radio frequency (RF) filter within multilayered low temperature co-fired ceramic (LTCC) substrate
JPH10276117A (en) Composite switch circuit parts
JPH0645803A (en) Strip line filter and filter device
JP2001119258A (en) Branching filter

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Effective date: 20040319

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02