JPH10294634A - Filter - Google Patents
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- JPH10294634A JPH10294634A JP9127206A JP12720697A JPH10294634A JP H10294634 A JPH10294634 A JP H10294634A JP 9127206 A JP9127206 A JP 9127206A JP 12720697 A JP12720697 A JP 12720697A JP H10294634 A JPH10294634 A JP H10294634A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、移動体通信機、例
えば複数の周波数帯域に対応する携帯電話器等に用いら
れるフィルタに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a filter used in a mobile communication device, for example, a portable telephone corresponding to a plurality of frequency bands.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、2つの通信用周波数帯域が比較的
近接している場合、各周波数帯域用の移動体通信機のア
ンテナを共用させることが行われている。図8は、従来
の異なる周波数帯域用の移動体通信機のアンテナを共用
する構成を示すブロック図である。図8おいて、50は
アンテナ、51は同軸スイッチやPINダイオードから
なるスイッチ、52は送信(Tx)側のデュプレクサ、
53は受信(Rx)側のデュプレクサを示す。デュプレ
クサ52の第1の端子52aには、スイッチ51を介し
てアンテナ50が接続され、第2、第3の端子52b、
52cには、それぞれ低域通過フィルタLPF1、LP
F2を介して900MHz帯のTx側の高出力増幅器P
A1と1.8GHz帯のTx側の高出力増幅器PA2と
が接続される。また、同様に、デュプレクサ53の第1
の端子53aには、スイッチ51を介してアンテナ50
が接続され、第2、第3の端子53b、53cには、そ
れぞれ帯域通過フィルタBPF1、BPF2を介して9
00MHz帯のRx側の低雑音増幅器LNA1と1.8
GHz帯のRx側の低雑音増幅器LNA1とが接続され
る。そして、スイッチ51を切り換えてアンテナ50を
デュプレクサ52、またはデュプレクサ53に接続する
ことにより900MHz帯及び1.8GHz帯の2つの
周波数帯において送受信が可能となる。2. Description of the Related Art Conventionally, when two communication frequency bands are relatively close to each other, an antenna of a mobile communication device for each frequency band is commonly used. FIG. 8 is a block diagram showing a configuration in which an antenna of a conventional mobile communication device for a different frequency band is shared. In FIG. 8, 50 is an antenna, 51 is a switch composed of a coaxial switch or a PIN diode, 52 is a duplexer on the transmission (Tx) side,
53 indicates a duplexer on the receiving (Rx) side. The antenna 50 is connected to the first terminal 52a of the duplexer 52 via the switch 51, and the second and third terminals 52b,
52c includes low-pass filters LPF1 and LPF, respectively.
High-power amplifier P on the Tx side in the 900 MHz band via F2
A1 is connected to a 1.8-GHz band Tx-side high-output amplifier PA2. Similarly, the first of the duplexers 53
Of the antenna 50 via the switch 51
Is connected to the second and third terminals 53b and 53c via band-pass filters BPF1 and BPF2, respectively.
Low noise amplifiers LNA1 and 1.8 on the Rx side in the 00 MHz band
The low-noise amplifier LNA1 on the Rx side in the GHz band is connected. Then, by switching the switch 51 and connecting the antenna 50 to the duplexer 52 or the duplexer 53, transmission and reception can be performed in two frequency bands of the 900 MHz band and the 1.8 GHz band.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
アンテナを共用する構成においては、1つのアンテナに
スイッチを介して送信側及び受信側のデュプレクサが接
続され、それらのデュプレクサに帯域通過フィルタを介
して、複数の周波数帯の送信側の高出力増幅器及び受信
側の低雑音増幅器が接続されていたため、構成部材が増
加するという問題があった。その結果、それらを搭載す
る移動体通信機の小型化が困難であるという問題があっ
た。However, in a configuration in which a conventional antenna is shared, a duplexer on the transmitting side and a receiving side is connected to one antenna via a switch, and the duplexers are connected to these duplexers via a band-pass filter. However, since a high-output amplifier on the transmitting side and a low-noise amplifier on the receiving side in a plurality of frequency bands are connected, there is a problem that the number of components increases. As a result, there has been a problem that it is difficult to reduce the size of a mobile communication device on which these are mounted.
【0004】本発明は、このような問題点を解消するた
めになされたものであり、比較的近接した複数の周波数
帯域の高周波信号に対応できる小形のフィルタを提供す
ることを目的とする。The present invention has been made to solve such a problem, and an object of the present invention is to provide a small-sized filter that can handle high-frequency signals in a plurality of frequency bands relatively close to each other.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】上述する問題点を解決す
るため本発明のフィルタは、少なくとも1つのインダク
タンス素子と、少なくとも1つのキャパシタンス素子か
らなるLC共振回路を備え、前記インダクタンス素子、
あるいは前記キャパシタンス素子の少なくとも1つにダ
イオードを用いるとともに、該ダイオードに印加する電
圧を制御することにより、周波数帯域を制御することを
特徴とする。In order to solve the above-mentioned problems, a filter according to the present invention includes an LC resonance circuit including at least one inductance element and at least one capacitance element.
Alternatively, a frequency band is controlled by using a diode for at least one of the capacitance elements and controlling a voltage applied to the diode.
【0006】また、少なくとも1つの表面に前記インダ
クタンス素子、あるいは前記キャパシタンス素子を設け
た複数の誘電体層を積層してなる多層基板と、該多層基
板上に搭載された前記ダイオードとで構成することを特
徴とする。In addition, the multi-layer substrate is formed by laminating a plurality of dielectric layers provided with the inductance element or the capacitance element on at least one surface, and the diode mounted on the multi-layer substrate. It is characterized by.
【0007】本発明のフィルタによれば、インダクタン
ス素子、あるいはキャパシタンス素子を構成するダイオ
ードに印加する電圧を制御することにより、LC共振回
路を構成するインダクタンス素子のインダクタンス値、
あるいはキャパシタンス素子のキャパシタンス値を制御
しているため、1つのフィルタで複数の周波数帯域に対
応することができる。According to the filter of the present invention, by controlling the voltage applied to the diode forming the inductance element or the capacitance element, the inductance value of the inductance element forming the LC resonance circuit is controlled.
Alternatively, since the capacitance value of the capacitance element is controlled, one filter can handle a plurality of frequency bands.
【0008】[0008]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。図1に、本発明に係るフィルタの第1
の実施例の回路図を示す。フィルタF1は、インダクタ
ンス素子である伝送線路L11〜L13、ピンダイオー
ドPD、およびキャパシタンス素子であるコンデンサC
11からなり、伝送線路L13、ピンダイオードPD、
およびコンデンサC11がLC共振回路を構成する帯域
通過フィルタである。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a first example of a filter according to the present invention.
FIG. 3 shows a circuit diagram of the embodiment of FIG. The filter F1 includes transmission lines L11 to L13 which are inductance elements, a pin diode PD, and a capacitor C which is a capacitance element.
11, a transmission line L13, a pin diode PD,
The capacitor C11 is a band-pass filter forming an LC resonance circuit.
【0009】そして、図1のフィルタF1のピンダイオ
ードPDがオンの場合には、図2(a)の等価回路のよ
うに、ピンダイオードPDはコイルLLと抵抗Rとにな
るため、伝送線路L13、ピンダイオードPDのコイル
LL、およびコンデンサC11とからなるLC共振回路
となる。一方、図1のフィルタF1のピンダイオードP
Dがオフの場合には、図2(b)の等価回路のように、
ピンダイオードPDはコンデンサCCとなるため、伝送
線路L13、ピンダイオードPDのコンデンサCCおよ
びコンデンサC11とからなるLC共振回路となる。When the pin diode PD of the filter F1 in FIG. 1 is on, the pin diode PD becomes a coil LL and a resistor R as shown in the equivalent circuit of FIG. , A coil LL of the pin diode PD and a capacitor C11. On the other hand, the pin diode P of the filter F1 in FIG.
When D is off, as shown in the equivalent circuit of FIG.
Since the pin diode PD becomes the capacitor CC, it becomes an LC resonance circuit including the transmission line L13, the capacitor CC of the pin diode PD, and the capacitor C11.
【0010】以上のような構成で、ピンダイオードPD
をオン、オフすることにより、フィルタF1の共振周波
数を変えることができる。With the above configuration, the pin diode PD
Is turned on and off, the resonance frequency of the filter F1 can be changed.
【0011】図3に、図1のフィルタF1の通過特性を
示す。なお、図3中において、実線がピンダイオードP
Dをオンした場合、破線がピンダイオードPDをオフし
た場合を示す。この図からも、ピンダイオードPDをオ
ンあるいはオフすることにより、通過する高周波信号の
周波数帯域を900MHzあるいは1.8GHzにする
とともに、近接した別の周波数帯域の高周波信号、例え
ばピンダイオードPDをオンの場合には1.8GHzの
高周波信号、ピンダイオードPDをオフの場合には90
0MHzの高周波信号を通過させないことが明らかであ
る。FIG. 3 shows the pass characteristics of the filter F1 of FIG. In FIG. 3, the solid line indicates the pin diode P.
When D is turned on, the broken line indicates the case where the pin diode PD is turned off. From this figure, it can also be seen that turning the pin diode PD on or off sets the frequency band of the high-frequency signal passing through to 900 MHz or 1.8 GHz and turning on the high-frequency signal of another adjacent frequency band, for example, the pin diode PD. In this case, a high frequency signal of 1.8 GHz is used.
It is clear that the high frequency signal of 0 MHz is not passed.
【0012】図4に、図1のフィルタF1の斜視図を示
す。フィルタF1は、伝送線路L11〜L13およびコ
ンデンサC11(図示せず)を内蔵する多層基板2を含
む。そして、多層基板2の一方主面である表面上にはピ
ンダイオードPDが搭載され、表面から側面、裏面に架
けて外部端子Ta〜Tcが設けられる。FIG. 4 is a perspective view of the filter F1 shown in FIG. The filter F1 includes a multilayer substrate 2 including transmission lines L11 to L13 and a capacitor C11 (not shown). The pin diode PD is mounted on the front surface, which is one main surface of the multilayer substrate 2, and external terminals Ta to Tc are provided from the front surface to the side surface and the back surface.
【0013】以上のような構成となるフィルタF1(図
2)の製造工程の一例を述べる。まず、セラミック材料
を混練してシート状に伸ばしたセラミックシートに、所
望の位置に伝送線路L11〜L13を構成するストリッ
プ電極、およびコンデンサC11を構成するコンデンサ
電極をスクリーン印刷等で印刷し、パンチング等でスル
ーホールを形成する。次いで、これらのセラミックシー
トをスルーホールが一致するように積層し、プレス加工
することにより伝送線路L11〜L13、およびコンデ
ンサC11を内蔵した多層基板2を得る。An example of the manufacturing process of the filter F1 (FIG. 2) having the above configuration will be described. First, strip electrodes forming the transmission lines L11 to L13 and capacitor electrodes forming the capacitor C11 are printed at desired positions on a ceramic sheet obtained by kneading a ceramic material and extending into a sheet shape by screen printing or the like, and punching or the like. To form a through hole. Next, these ceramic sheets are laminated so that the through holes coincide with each other, and pressed to obtain a multilayer substrate 2 including the transmission lines L11 to L13 and the capacitor C11.
【0014】次いで、多層基板2は半焼成され、多層基
板2の表面から側面、裏面に架けて外部端子Ta〜Tc
をスクリーン印刷等で印刷した後、完全に焼成される。
次いで、多層基板2の表面上に、ピンダイオードPDが
搭載され、フィルタF1は完成する。Next, the multi-layer substrate 2 is semi-baked, and external terminals Ta to Tc extend from the front surface to the side surface and the back surface of the multi-layer substrate 2.
Is printed by screen printing or the like and then completely baked.
Next, the pin diode PD is mounted on the surface of the multilayer substrate 2, and the filter F1 is completed.
【0015】上記のように、第1の実施例のフィルタで
は、ピンダイオードの印加電圧を変え、ピンダイオード
をオン、オフすることにより、伝送線路、ピンダイオー
ドおよびコンデンサからなるLC共振回路の共振周波数
を変えることができる。したがって、通過帯域フィルタ
であるフィルタを通過する高周波信号の周波数帯域を変
えることができるとともに、近接した別の周波数帯域の
高周波信号を通過させないこともできるため、1つのフ
ィルタで、異なる周波数帯域を有する2つの高周波信号
に対応することができる。As described above, in the filter of the first embodiment, by changing the applied voltage of the pin diode and turning on and off the pin diode, the resonance frequency of the LC resonance circuit including the transmission line, the pin diode and the capacitor is changed. Can be changed. Therefore, it is possible to change the frequency band of the high-frequency signal passing through the filter, which is a pass band filter, and not to pass the high-frequency signal of another adjacent frequency band. Therefore, one filter has a different frequency band. It can respond to two high frequency signals.
【0016】また、図4に示すように、フィルタを多層
基板で構成した場合には、フィルタを構成するインダク
タンス素子およびキャパシタンス素子を多層基板に内蔵
できるため、フィルタの小型化が可能となる。Further, as shown in FIG. 4, when the filter is constituted by a multilayer substrate, the inductance element and the capacitance element constituting the filter can be built in the multilayer substrate, so that the size of the filter can be reduced.
【0017】図5に、本発明に係るフィルタの第2の実
施例の回路図を示す。フィルタF2は、インダクタンス
素子である伝送線路L21〜L23と、バリキャップダ
イオードBDとからなり、伝送線路L23とバリキャッ
プダイオードBDとがLC共振回路を構成する帯域通過
フィルタである。FIG. 5 shows a circuit diagram of a second embodiment of the filter according to the present invention. The filter F2 is composed of transmission lines L21 to L23, which are inductance elements, and a varicap diode BD, and the transmission line L23 and the varicap diode BD are bandpass filters forming an LC resonance circuit.
【0018】以上のような構成で、バリキャップダイオ
ードBDのキャパシタンス値を変えることにより、フィ
ルタF2の共振周波数を変えることができる。With the above configuration, the resonance frequency of the filter F2 can be changed by changing the capacitance value of the varicap diode BD.
【0019】図6に、図5のフィルタF2の通過特性を
示す。なお、図6中において、実線がキャパシタンス値
1pFの場合、破線がキャパシタンス値5pFの場合を
示す。この図からも、バリキャップダイオードDBのキ
ャパシタンス値を1pFから5pFに変えることによ
り、通過する高周波信号の周波数帯域を1.8GHzか
ら900MHzに変えるとともに、近接した別の周波数
帯域の高周波信号、例えばキャパシタンス値1pFの場
合には900MHzの高周波信号、キャパシタンス値5
pFの場合には1.8GHzの高周波信号を通過させな
いことが明らかである。FIG. 6 shows the pass characteristics of the filter F2 of FIG. In FIG. 6, the solid line shows the case where the capacitance value is 1 pF, and the broken line shows the case where the capacitance value is 5 pF. From this figure, it can be seen that by changing the capacitance value of the varicap diode DB from 1 pF to 5 pF, the frequency band of the passing high-frequency signal is changed from 1.8 GHz to 900 MHz, and the high-frequency signal of another adjacent frequency band, for example, the capacitance is changed. In the case of a value of 1 pF, a high frequency signal of 900 MHz, a capacitance value of 5
It is clear that the 1.8 GHz high frequency signal is not passed in the case of pF.
【0020】上記のように、第2の実施例のフィルタで
は、バリキャップダイオードの印加電圧を連続して変
え、バリキャップダイオードのキャパシタンス値を連続
して変えることにより、伝送線路とバリキャップダイオ
ードとからなるLC共振回路の共振周波数を連続して変
えることができる。したがって、通過帯域フィルタであ
るフィルタを通過する高周波信号の周波数帯域を連続し
て変えることができるとともに、近接した別の周波数帯
域の高周波信号を通過させないこともできるため、1つ
のフィルタで、異なる周波数帯域を有する3つ以上の高
周波信号に対応することができる。As described above, in the filter according to the second embodiment, the voltage applied to the varicap diode is continuously changed, and the capacitance value of the varicap diode is continuously changed. Can be continuously changed. Therefore, it is possible to continuously change the frequency band of the high-frequency signal passing through the filter, which is a pass band filter, and not to pass the high-frequency signal of another adjacent frequency band. It can correspond to three or more high-frequency signals having a band.
【0021】ここで、上述の第1及び第2の実施例のフ
ィルタを、比較的近接した2つの周波数帯域、例えば9
00MHz帯の携帯電話システムであるGSM(Global
System for Mobile communications)と、1.8GHz
帯の携帯電話システムであるDCS(Dynamic Cell Syst
em)1800とにおいて1つのアンテナを共用する場合
の一例を図7に示す。Here, the filters of the above-described first and second embodiments are connected to two frequency bands relatively close to each other, for example, 9
GSM (Global
System for Mobile communications) and 1.8GHz
DCS (Dynamic Cell Syst.)
FIG. 7 shows an example in which one antenna is shared with the em) 1800.
【0022】アンテナ11は、同軸スイッチやPINダ
イオードからなるスイッチ12の第1の端子12aに接
続され、1つで複数の周波数帯域に対応することができ
るフィルタF1(F2)の一方端子は、スイッチ12の
第2、第3の端子12b、12c、すなわち送信用端
子、受信用端子にそれぞれ接続される。また、フィルタ
F1(F2)の他方端子には、低域通過フィルタLPF
を介して、900MHz帯のGSM及び1.8GHz帯
のDCS1800で共用される送信(Tx)側の高出力
増幅器PAが、あるいは帯域通過フィルタBPFを介し
て、900MHz帯のGSM及び1.8GHz帯のDC
S1800で共用される受信(Rx)側の低雑音増幅器
LNAが接続される。The antenna 11 is connected to a first terminal 12a of a switch 12 composed of a coaxial switch or a PIN diode. One terminal of a filter F1 (F2) that can handle a plurality of frequency bands with one is connected to a switch. Twelve second and third terminals 12b and 12c are connected to the transmission terminal and the reception terminal, respectively. A low-pass filter LPF is connected to the other terminal of the filter F1 (F2).
, The transmission (Tx) side high-power amplifier PA shared by the 900 MHz band GSM and the 1.8 GHz band DCS 1800 or the 900 MHz band GSM and the 1.8 GHz band GSM through the band pass filter BPF. DC
The low-noise amplifier LNA on the reception (Rx) side shared by S1800 is connected.
【0023】上記のような構成で、スイッチ12を切り
換えて、アンテナ11を1つで2つの周波数帯域に対応
することができる送信(Tx)側のフィルタF1、F
2、または受信(Rx)側のフィルタF1、F2に接続
するため、2つの異なる周波数領域、例えば900MH
z帯のGSMと、1.8GHz帯のDCS1800との
高周波信号を分配、結合することができる。すなわち、
2つの周波数帯において送受信が可能となる。With the above-described configuration, the switches (Fx) F1 and Fx on the transmission (Tx) side can switch the switch 12 to support two frequency bands with one antenna 11.
2 or two different frequency ranges, eg 900 MH, for connection to the receiving (Rx) side filters F1, F2.
High frequency signals of z-band GSM and 1.8 GHz-band DCS 1800 can be distributed and combined. That is,
Transmission and reception are possible in two frequency bands.
【0024】したがって、比較的近接した2つの周波数
帯域である900MHz帯のGSMと1.8GHz帯の
DCS1800とにおいて、アンテナ、送信側の高出力
増幅器及び受信側の低雑音増幅器を共用することができ
る。Therefore, an antenna, a high-output amplifier on the transmitting side, and a low-noise amplifier on the receiving side can be shared between GSM in the 900 MHz band and DCS1800 in the 1.8 GHz band, which are two frequency bands relatively close to each other. .
【0025】なお、上記の実施例において、フィルタが
帯域通過フィルタの場合を示したが、低域通過フィル
タ、高域通過フィルタ、帯域阻止フィルタ等、LC共振
回路で構成されるフィルタであれば本発明の範囲内にあ
るといえる。In the above-described embodiment, the case where the filter is a band-pass filter has been described. However, if the filter is constituted by an LC resonance circuit, such as a low-pass filter, a high-pass filter, a band rejection filter, etc. It is within the scope of the invention.
【0026】また、高周波部品を構成する受信側フィル
タ、送信側フィルタが、ともに帯域通過フィルタである
場合について説明したが、低域通過フィルタと高域通過
フィルタ、帯域通過フィルタと帯域阻止フィルタ、帯域
阻止フィルタと帯域阻止フィルタの組み合わせでも同様
に効果が得られる。Also, a case has been described where both the receiving filter and the transmitting filter constituting the high-frequency component are band-pass filters. However, the low-pass filter and the high-pass filter, the band-pass filter and the band-stop filter, The same effect can be obtained with a combination of a rejection filter and a band rejection filter.
【0027】[0027]
【発明の効果】請求項1のフィルタによれば、インダク
タンス素子、あるいはキャパシタンス素子を構成するダ
イオードの印加電圧を制御し、ダイオードのインダクタ
ンス値、あるいはキャパシタンス値を制御することによ
り、LC共振回路の共振周波数を制御することができ
る。したがって、フィルタを通過する高周波信号の周波
数帯域を制御することができるとともに、近接した別の
周波数帯域の高周波信号を通過させないこともできるた
め、1つのフィルタで、異なる周波数帯域を有する複数
の高周波信号に対応することができる。According to the filter of the first aspect, the resonance voltage of the LC resonance circuit is controlled by controlling the voltage applied to the diode constituting the inductance element or the capacitance element and controlling the inductance value or the capacitance value of the diode. The frequency can be controlled. Therefore, since it is possible to control the frequency band of the high-frequency signal passing through the filter and not to pass the high-frequency signal of another adjacent frequency band, a plurality of high-frequency signals having different frequency bands can be controlled by one filter. Can be handled.
【0028】また、このフィルタを、比較的近接した複
数の周波数帯域の移動体通信機に用いることにより、ア
ンテナ、送信側の高出力増幅器及び受信側の低雑音増幅
器を共用することができる。Further, by using this filter for a mobile communication device of a plurality of frequency bands relatively close to each other, it is possible to share an antenna, a high-output amplifier on the transmission side and a low-noise amplifier on the reception side.
【0029】請求項2のフィルタによれば、フィルタを
多層基板で構成するため、フィルタを構成するインダク
タンス素子およびキャパシタンス素子を多層基板に内蔵
できる。したがって、フィルタの小型化が可能となる。According to the filter of the second aspect, since the filter is constituted by the multilayer substrate, the inductance element and the capacitance element constituting the filter can be built in the multilayer substrate. Therefore, the size of the filter can be reduced.
【図1】本発明に係るフィルタの第1の実施例の回路図
である。FIG. 1 is a circuit diagram of a first embodiment of a filter according to the present invention.
【図2】図1のフィルタのピンダイオードを(a)オン
した場合の等価回路図、(b)オフした場合の等価回路
図である。2A and 2B are an equivalent circuit diagram when a pin diode of the filter of FIG. 1 is turned on, and FIG. 2B is an equivalent circuit diagram when a pin diode is turned off.
【図3】図1のフィルタの周波数特性を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a frequency characteristic of the filter of FIG. 1;
【図4】図1のフィルタの斜視図である。FIG. 4 is a perspective view of the filter of FIG. 1;
【図5】本発明に係るフィルタの第2の実施例の回路図
である。FIG. 5 is a circuit diagram of a second embodiment of the filter according to the present invention.
【図6】図5のフィルタの周波数特性を示す図である。FIG. 6 is a diagram illustrating frequency characteristics of the filter of FIG. 5;
【図7】図1あるいは図5のフィルタを用いて、異なる
周波数帯域の各移動体通信機でアンテナを共用する構成
を示すブロック図である。FIG. 7 is a block diagram showing a configuration in which each mobile communication device in a different frequency band shares an antenna using the filter of FIG. 1 or FIG. 5;
【図8】従来の異なる周波数帯域の各移動体通信機でア
ンテナを共用する構成を示すブロック図である。FIG. 8 is a block diagram showing a conventional configuration in which an antenna is shared by mobile communication devices of different frequency bands.
10 高周波部品 2 多層基板 BD、PD ダイオード C11 キャパシタンス素子 F1、F2 フィルタ(帯域通過フィルタ) L11〜L13、L21〜L23 インダクタンス
素子DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 High frequency component 2 Multilayer board BD, PD Diode C11 Capacitance element F1, F2 Filter (band-pass filter) L11-L13, L21-L23 Inductance element
Claims (2)
と、少なくとも1つのキャパシタンス素子からなるLC
共振回路を備え、 前記インダクタンス素子、あるいは前記キャパシタンス
素子の少なくとも1つにダイオードを用いるとともに、
該ダイオードに印加する電圧を制御することにより、周
波数帯域を制御することを特徴とするフィルタ。An LC comprising at least one inductance element and at least one capacitance element
A resonance circuit, and using a diode for at least one of the inductance element or the capacitance element;
A filter for controlling a frequency band by controlling a voltage applied to the diode.
ンス素子、あるいは前記キャパシタンス素子を設けた複
数の誘電体層を積層してなる多層基板と、該多層基板上
に搭載された前記ダイオードとで構成することを特徴と
する請求項1に記載のフィルタ。2. A multi-layer substrate comprising a plurality of dielectric layers provided with the inductance element or the capacitance element on at least one surface, and the diode mounted on the multi-layer substrate. The filter according to claim 1, wherein:
Priority Applications (1)
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JP9127206A JPH10294634A (en) | 1997-02-19 | 1997-05-16 | Filter |
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JP3523697 | 1997-02-19 | ||
JP9127206A JPH10294634A (en) | 1997-02-19 | 1997-05-16 | Filter |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JPH10294634A true JPH10294634A (en) | 1998-11-04 |
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ID=26374181
Family Applications (1)
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JP9127206A Pending JPH10294634A (en) | 1997-02-19 | 1997-05-16 | Filter |
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