JP2002305423A - Low-pass filter and high-frequency switch module using the same - Google Patents

Low-pass filter and high-frequency switch module using the same

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JP2002305423A
JP2002305423A JP2001105381A JP2001105381A JP2002305423A JP 2002305423 A JP2002305423 A JP 2002305423A JP 2001105381 A JP2001105381 A JP 2001105381A JP 2001105381 A JP2001105381 A JP 2001105381A JP 2002305423 A JP2002305423 A JP 2002305423A
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JP
Japan
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capacitor
pattern
pass filter
low
circuit
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Application number
JP2001105381A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiroki Takimizu
宏樹 滝水
Shigeru Kenmochi
茂 釼持
Mitsuhiro Watanabe
光弘 渡辺
Hiroyuki Tadai
裕之 但井
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Proterial Ltd
Original Assignee
Hitachi Metals Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a low-pass filter in a laminated structure, capable of realizing the miniaturization of a laminate and the space reduction of a valid design space accompanied with this and a high-frequency switching module using this low-pass filter. SOLUTION: In this low-pass filter formed by forming a first capacitor C1, a second capacitor C2, a third capacitor C3, and a transmission line L1 on a plurality of dielectric layers by electrode patterns, respective first, second, and third capacitor patterns P4, P2, and P5 are formed on those different dielectric layers, and a ground pattern e is arranged between the P2 and P5. The P4 and the P5 are connected through a conductor. In this case, the P4 is formed to face the P2 so that the first capacitor C1 can be formed, the P2 is formed, so as to be faced to the ground pattern e and the second capacitor C2 can be formed, and the ground pattern e is formed to face the P5 so that the third capacitor C3 can be formed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、携帯端末機などに
用いられ、信号の送信時に高周波信号成分を除去するた
めのローパスフィルタ回路、およびそれを用いた高周波
スイッチモジュールに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a low-pass filter circuit used in a portable terminal or the like for removing a high-frequency signal component when transmitting a signal, and a high-frequency switch module using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年の携帯電話の普及には、目を見張る
ものがあり、携帯電話の機能、サービスの向上が図られ
ている。この新たな携帯電話として、デュアルバンドあ
るいはトリプルバンド携帯電話の開発がなされている。
これらの携帯電話は、2つあるいは3つの送受信系を取
り扱うもので、それぞれ周波数に応じた信号経路、及び
複数の周波数を切り換えるための高周波スイッチとし
て、分波回路とスイッチ回路を用いて構成される高周波
スイッチモジュールが用いられている。
2. Description of the Related Art In recent years, the spread of mobile phones has been remarkable, and the functions and services of mobile phones have been improved. As this new mobile phone, a dual-band or triple-band mobile phone has been developed.
These mobile phones handle two or three transmission / reception systems, and are each configured using a demultiplexing circuit and a switch circuit as a signal path corresponding to a frequency and a high-frequency switch for switching a plurality of frequencies. A high-frequency switch module is used.

【0003】例えば、特開平11−225088号公報
に開示された高周波スイッチモジュールは、小型化を図
るために分波回路、ローパスフィルタ回路及びスイッチ
回路の伝送線路を複数層の誘電体層内に構成し、一体焼
結した積層体(以下、単に積層体と言う)となし、ダイ
オード、チップコンデンサ等のチップ素子を前記積層体
上に搭載し、ワンチップ化した積層型の高周波スイッチ
モジュールである。
For example, in a high-frequency switch module disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-225088, a transmission line of a branching circuit, a low-pass filter circuit, and a switch circuit is formed in a plurality of dielectric layers in order to reduce the size. Then, a laminated high-frequency switch module in which a chip element such as a diode or a chip capacitor is mounted on the laminated body to form a one-chip laminated high frequency switch module (hereinafter, simply referred to as a laminated body).

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】前記高周波スイッチモ
ジュールにおいて、前記スイッチ回路の送信側経路には
高周波信号成分を除去するためのローパスフィルタが設
置される。このローパスフィルタはLC回路で構成され
ており、電極パターンと誘電体層から構成される積層体
内の電極パターンによって形成されている。また、前記
LC回路を構成するコンデンサは前記誘電体層上に形成
されたコンデンサパターンによって得られる。
In the high-frequency switch module, a low-pass filter for removing high-frequency signal components is provided in a transmission path of the switch circuit. This low-pass filter is constituted by an LC circuit, and is formed by an electrode pattern in a laminate composed of an electrode pattern and a dielectric layer. Further, a capacitor constituting the LC circuit is obtained by a capacitor pattern formed on the dielectric layer.

【0005】図1(a)に減衰極付きローパスフィルタの
等価回路の一例を示す。説明のため、コンデンサC1、
C2、C3を形成するそれぞれの電極をP1〜P6と呼
ぶことにする。また図7はGSMシステムとDCSシス
テムを取り扱うデュアルバンド高周波スイッチモジュー
ルの内部電極パターン図の一部で、図中第7〜9層にG
SMシステムとDCSシステムの各ローパスフィルタを
構成するコンデンサの電極パターンが配置されている。
従来、誘電体層から構成される積層体内の電極パターン
によってローパスフィルタを形成する際、図1のコンデ
ンサC2、C3を形成する回路主線路側の電極パターン
P2とP5に対応した電極パターンは、第8層に見られ
るように、同一の誘電体層上に隣接して形成されてき
た。つまり、電極パターンP2とP5に対応した電極パ
ターンC9とC10を第8層に形成し、第9層に形成さ
れたアース(グランド)パターンe3との間でコンデン
サC2とC3の静電容量を形成していた。また、第7層
に電極パターンC4を形成し、この電極パターンC4と
前記電極パターンC9およびC10との間で形成される
静電容量を合成することによってコンデンサC1の静電
容量を形成していた。さらに、前記コンデンサC1の静
電容量と伝送線路で共振回路を形成し、GSM側の送信
回路に設置するローパスフィルタを形成していた。もう
一方のDCS側のローパスフィルタもC11、C12、
e3、C5による同様の電極配置によって形成してい
た。
FIG. 1A shows an example of an equivalent circuit of a low-pass filter with an attenuation pole. For the sake of explanation, the capacitor C1,
The respective electrodes forming C2 and C3 will be referred to as P1 to P6. FIG. 7 is a part of an internal electrode pattern diagram of a dual-band high-frequency switch module that handles a GSM system and a DCS system.
Electrode patterns of capacitors constituting each low-pass filter of the SM system and the DCS system are arranged.
Conventionally, when a low-pass filter is formed by an electrode pattern in a laminate composed of a dielectric layer, the electrode patterns corresponding to the electrode patterns P2 and P5 on the circuit main line side forming the capacitors C2 and C3 in FIG. As seen in the eight layers, they have been formed adjacently on the same dielectric layer. That is, the electrode patterns C9 and C10 corresponding to the electrode patterns P2 and P5 are formed on the eighth layer, and the capacitances of the capacitors C2 and C3 are formed between the ground (ground) pattern e3 formed on the ninth layer. Was. Further, the electrode pattern C4 is formed on the seventh layer, and the capacitance formed between the electrode pattern C4 and the electrode patterns C9 and C10 is combined to form the capacitance of the capacitor C1. . Further, a resonance circuit is formed by the capacitance of the capacitor C1 and the transmission line, and a low-pass filter installed in the transmission circuit on the GSM side has been formed. The other DCS low-pass filter is also C11, C12,
It was formed by the same electrode arrangement of e3 and C5.

【0006】このように、電極パターンP2とP5が同
一の誘電体層上に形成されてきたのは、それらが同じロ
ーパスフィルタを形成するコンデンサ同士であり、両コ
ンデンサC2、C3が共に共通のアース(グランド)と
の間に形成できると言うような漠然とした理由によるも
のであった。しかし、積層体の小型化が進むにつれ、誘
電体層上における電極パターンを形成するためのスペー
スは小さくなる一方で、前記したようにローパスフィル
タを形成するコンデンサC2、C3の電極パターンを同一
層上に形成していたのでは、設計上必要な大きさのコン
デンサパターンを形成することが困難になる。特にデュ
アルバンド以上の高周波スイッチモジュールの場合は、
図7の第8層に見られるように、GSM側、DCS側そ
れぞれのローパスフィルタを形成する計4枚の電極パタ
ーンC9、C10、C11、C12を同一層上に形成す
るため、個々の電極の大きさや形状の変更を行える十分
なスペースの余裕が無く、場合によっては周りの電極の
形状や大きさにも影響を与える。このような電極パター
ンの配置構成では、積層体の小型化によって設計スペー
スが小さくなっていくと、いずれは必要な大きさ、形状
の電極を配置できなくなることも考えられる。
As described above, the electrode patterns P2 and P5 are formed on the same dielectric layer only when they form the same low-pass filter, and both the capacitors C2 and C3 are connected to the common ground. (Ground) and for vague reasons such as being able to form. However, as the miniaturization of the laminate progresses, the space for forming the electrode pattern on the dielectric layer becomes smaller, but the electrode patterns of the capacitors C2 and C3 forming the low-pass filter are formed on the same layer as described above. In this case, it is difficult to form a capacitor pattern having a size required for design. Especially in the case of high frequency switch module with dual band or more,
As shown in the eighth layer of FIG. 7, a total of four electrode patterns C9, C10, C11, and C12 forming the low-pass filters on the GSM side and the DCS side are formed on the same layer. There is not enough space to change the size and shape, and in some cases, the shape and size of the surrounding electrodes are affected. In such an electrode pattern arrangement, if the design space becomes smaller due to the miniaturization of the laminate, it may be impossible to arrange electrodes of a required size and shape.

【0007】そこで、本発明は誘電体層上に、ローパス
フィルタを構成するコンデンサパターンの配置形態を変
更改良し、限られたスペース内で部品の小型化、マルチ
バンド化にも容易に対応できるようにしたローパスフィ
ルタ、及び、このローパスフィルタを備えた高周波スイ
ッチモジュールを提供することを目的とする。
Therefore, the present invention changes and improves the arrangement of the capacitor patterns constituting the low-pass filter on the dielectric layer, so that it is possible to easily cope with miniaturization of components and multiband in a limited space. And a high-frequency switch module including the low-pass filter.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は、第1のコンデ
ンサ、第2のコンデンサ、第3コンデンサ及び、伝送線
路とからなり、前記各コンデンサと伝送線路を複数の誘
電体層上に形成された電極パターンによって形成したロ
ーパスフィルタにおいて、前記第1、第2、第3の各コ
ンデンサパターンをそれぞれ異なる誘電体層上に形成
し、第2のコンデンサパターンと第3のコンデンサパタ
ーンの間にアースパターンを設けると共に、第1のコン
デンサパターンと第3のコンデンサパターンは導体によ
って接続し、前記第1のコンデンサパターンと第2のコ
ンデンサパターンを対向させることによって第1のコン
デンサを、前記第2のコンデンサパターンとアースパタ
ーンを対向させることによって第2のコンデンサを、前
記アースパターンと第3のコンデンサパターンを対向さ
せることによって第3のコンデンサをそれぞれ形成した
ことを特徴とするローパスフィルタである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention comprises a first capacitor, a second capacitor, a third capacitor, and a transmission line, wherein each of the capacitors and the transmission line is formed on a plurality of dielectric layers. The first, second and third capacitor patterns are formed on different dielectric layers, respectively, and a ground pattern is provided between the second and third capacitor patterns. And a first capacitor pattern and a third capacitor pattern are connected by a conductor, and the first capacitor pattern and the second capacitor pattern are opposed to each other so that the first capacitor is connected to the second capacitor pattern. The second capacitor is connected to the ground pattern by facing the ground pattern to the second capacitor. A low-pass filter in which third capacitors are respectively formed by facing three capacitor patterns.

【0009】また、本発明は、第1のコンデンサ、第2
のコンデンサ、第3コンデンサ及び、伝送線路とからな
り、前記各コンデンサと伝送線路を複数の誘電体層上に
形成された電極パターンによって形成したローパスフィ
ルタにおいて、前記第1、第2、第3の各コンデンサパ
ターンをそれぞれ異なる誘電体層上に形成し、第2のコ
ンデンサパターンと第3のコンデンサパターンの間にア
ースパターンを設けると共に、第1のコンデンサパター
ンと第3のコンデンサパターンは導体によって接続し、
前記第1のコンデンサパターンと第2のコンデンサパタ
ーンを対向させることによって第1のコンデンサを、前
記第2のコンデンサパターンとアースパターンを対向さ
せることによって第2のコンデンサを、前記アースパタ
ーンと第3のコンデンサパターンを対向させることによ
って第3のコンデンサをそれぞれ形成し、前記第1のコ
ンデンサによって得られる静電容量と伝送線路で共振回
路を形成することを特徴とするローパスフィルタであ
る。
Further, the present invention provides a first capacitor and a second capacitor.
, A third capacitor, and a transmission line, wherein each of the capacitors and the transmission line is formed by an electrode pattern formed on a plurality of dielectric layers. Each capacitor pattern is formed on a different dielectric layer, an earth pattern is provided between the second capacitor pattern and the third capacitor pattern, and the first capacitor pattern and the third capacitor pattern are connected by a conductor. ,
The first capacitor is opposed to the second capacitor pattern, and the first capacitor is opposed to the second capacitor pattern and the ground pattern. The second capacitor is connected to the ground pattern and the third capacitor pattern. A low-pass filter wherein a third capacitor is formed by facing capacitor patterns, and a resonance circuit is formed by a capacitance obtained by the first capacitor and a transmission line.

【0010】さらに、本発明は、通過帯域の異なる複数
の送受信系の受信信号を振り分ける分波回路、該分波回
路の少なくとも1つの経路の後段には、送信経路と受信
経路とを切り換えるスイッチ回路とLC回路で構成され
るローパスフィルタ回路を有する高周波スイッチモジュ
ールであって、前記ローパスフィルタは、第1のコンデ
ンサ、第2のコンデンサ、第3コンデンサ及び、伝送線
路とからなり、前記各コンデンサと伝送線路を複数の誘
電体層上に形成された電極パターンによって形成してお
り、前記第1、第2、第3の各コンデンサパターンをそ
れぞれ異なる誘電体層上に形成し、第2のコンデンサパ
ターンと第3のコンデンサパターンの間にアースパター
ンを設けると共に、第1のコンデンサパターンと第3の
コンデンサパターンは導体によって接続し、前記第1の
コンデンサパターンと第2のコンデンサパターンを対向
させることによって第1のコンデンサを、前記第2のコ
ンデンサパターンとアースパターンを対向させることに
よって第2のコンデンサを、前記アースパターンと第3
のコンデンサパターンを対向させることによって第3の
コンデンサをそれぞれ形成したローパスフィルタである
ことを特徴とする高周波スイッチモジュールである。
Further, the present invention provides a demultiplexing circuit for distributing received signals of a plurality of transmission / reception systems having different pass bands, and a switch circuit for switching between a transmission path and a reception path at a stage subsequent to at least one path of the demultiplexing circuit. And a low-pass filter circuit including a low-pass filter circuit configured by an LC circuit. The low-pass filter includes a first capacitor, a second capacitor, a third capacitor, and a transmission line. The line is formed by an electrode pattern formed on a plurality of dielectric layers, and the first, second, and third capacitor patterns are formed on different dielectric layers, respectively. An earth pattern is provided between the third capacitor pattern and the first capacitor pattern and the third capacitor pattern. Are connected by a conductor, and the first capacitor pattern and the second capacitor pattern are opposed to each other, and the first capacitor is opposed to the second capacitor pattern and the ground pattern. Earth pattern and 3rd
A high-frequency switch module characterized by being a low-pass filter in which a third capacitor is formed by opposing the above capacitor patterns.

【0011】また、本発明は、通過帯域の異なる複数の
送受信系の受信信号を振り分ける分波回路、該分波回路
の少なくとも1つの経路の後段には、送信経路と受信経
路とを切り換えるスイッチ回路とLC回路で構成される
ローパスフィルタ回路を有する高周波スイッチモジュー
ルであって、前記ローパスフィルタは、第1のコンデン
サ、第2のコンデンサ、第3コンデンサ及び、伝送線路
とからなり、前記各コンデンサと伝送線路を複数の誘電
体層上に形成された電極パターンによって形成してお
り、前記第1、第2、第3の各コンデンサパターンをそ
れぞれ異なる誘電体層上に形成し、第2のコンデンサパ
ターンと第3のコンデンサパターンの間にアースパター
ンを設けると共に、第1のコンデンサパターンと第3の
コンデンサパターンは導体によって接続し、前記第1の
コンデンサパターンと第2のコンデンサパターンを対向
させることによって第1のコンデンサを、前記第2のコ
ンデンサパターンとアースパターンを対向させることに
よって第2のコンデンサを、前記アースパターンと第3
のコンデンサパターンを対向させることによって第3の
コンデンサをそれぞれ形成し、前記第1のコンデンサに
よって得られる静電容量と伝送線路で共振回路を形成し
たローパスフィルタであることを特徴とする高周波スイ
ッチモジュールである。
Further, the present invention provides a demultiplexing circuit for distributing received signals of a plurality of transmission / reception systems having different pass bands, and a switch circuit for switching between a transmission path and a reception path at a stage subsequent to at least one path of the demultiplexing circuit. And a low-pass filter circuit including a low-pass filter circuit configured by an LC circuit. The low-pass filter includes a first capacitor, a second capacitor, a third capacitor, and a transmission line. The line is formed by an electrode pattern formed on a plurality of dielectric layers, and the first, second, and third capacitor patterns are formed on different dielectric layers, respectively. An earth pattern is provided between the third capacitor patterns, and the first and third capacitor patterns are The first capacitor pattern is connected by a conductor, and the first capacitor pattern is opposed to the second capacitor pattern, and the second capacitor is connected to the ground pattern by the second capacitor pattern. Pattern and third
A high-frequency switch module, wherein a low-pass filter is formed by forming a third capacitor by opposing the capacitor patterns described above, and forming a resonance circuit with the capacitance obtained by the first capacitor and the transmission line. is there.

【0012】本発明では、ローパスフィルタを構成する
第1〜第3のコンデンサパターンのうち、第2のコンデ
ンサパターンと第3のコンデンサパターンの間にアース
パターンを設置したことが一つの特徴である。即ち、前
記第2のコンデンサパターンと前記第3のコンデンサパ
ターンを、アースパターンを挟んで異なる誘電体層上に
分けて形成することによって、前記第2のコンデンサパ
ターンと第3のコンデンサパターンを形成するために必
要であった面積スペースが従来の半分で済み、且つ第
2、第3のコンデンサパターンそれぞれの大きさや形状
の変更に使うことができるスペースが増える。よって、
たとえデュアルバンドやトリプルバンドになりスペース
上の制約が厳しくなってもパターン設計が容易となる。
また、これまで同一層上に形成していた電極パターンを
異なる層に振り分けて形成することにより、同一層上で
のパターン間の干渉を抑えることができ、高周波スイッ
チモジュールの高周波特性向上につながる。以上によ
り、高周波スイッチモジュールの積層体の小型化及び高
機能化にも寄与できるものである。尚、請求項2のロー
パスフィルタは、請求項1に対して共振回路を付加して
減衰極を設けたローパスフィルタに特定したものであ
る。また、請求項4の高周波スイッチモジュールは、請
求項3のローパスフィルタに対して共振回路を付加して
減衰極を設けたものに特定したものである。
One feature of the present invention is that, of the first to third capacitor patterns constituting the low-pass filter, an earth pattern is provided between the second capacitor pattern and the third capacitor pattern. That is, the second capacitor pattern and the third capacitor pattern are formed separately on different dielectric layers with the ground pattern interposed therebetween, thereby forming the second capacitor pattern and the third capacitor pattern. The required area and space are half that of the conventional case, and the space that can be used for changing the size and shape of each of the second and third capacitor patterns increases. Therefore,
Even if a dual band or triple band is used and space restrictions become severe, pattern design becomes easy.
Further, by distributing and forming the electrode patterns which have been formed on the same layer until now on different layers, interference between the patterns on the same layer can be suppressed, which leads to improvement of the high frequency characteristics of the high frequency switch module. As described above, it is possible to contribute to the miniaturization and high performance of the laminated body of the high-frequency switch module. The low-pass filter according to claim 2 is a low-pass filter in which a resonance circuit is added to claim 1 and an attenuation pole is provided. A high-frequency switch module according to a fourth aspect is characterized in that a resonance circuit is added to the low-pass filter according to the third aspect to provide an attenuation pole.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面を参
照して説明する。本発明は、図1(a)に示す等価回路
のローパスフィルタを誘電体層上の電極パターンで形成
するにあたって、図1(b)に示すようにアースパター
ンeを挟んで第2のコンデンサパターンP2と第3のコ
ンデンサパターンP5を形成し、第1のコンデンサパタ
ーンP4と第3のコンデンサパターンP5は導体によっ
て接続され、アースパターンeと第2のコンデンサパタ
ーンP2及び第3のコンデンサパターンP5を対向させ
て第2のコンデンサC2及び第3のコンデンサC3を形
成している。他方、第1のコンデンサパターンP4と第
2のコンデンサパターンP2を対向させて第1のコンデ
ンサC1を形成したものである。よって、図1(c)に
示す従来の配置に比べ同一誘電体層上に占める電極パタ
ーンの面積を低減でき、特にマルチバンド化した場合に
は、限られたスペース内に効果的に電極パターンを配置
することができ、小型化が図られるものである。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. According to the present invention, when forming the low-pass filter of the equivalent circuit shown in FIG. 1A with the electrode pattern on the dielectric layer, as shown in FIG. 1B, the second capacitor pattern P2 with the ground pattern e interposed therebetween. And the third capacitor pattern P5 are formed. The first capacitor pattern P4 and the third capacitor pattern P5 are connected by a conductor, and the ground pattern e faces the second capacitor pattern P2 and the third capacitor pattern P5. To form a second capacitor C2 and a third capacitor C3. On the other hand, the first capacitor C1 is formed with the first capacitor pattern P4 and the second capacitor pattern P2 facing each other. Therefore, the area of the electrode pattern occupied on the same dielectric layer can be reduced as compared with the conventional arrangement shown in FIG. 1 (c). They can be arranged, and miniaturization can be achieved.

【0014】以下、本発明の本論に入る前に、本発明に
係る電極パターンと誘電体層から構成される積層体内の
電極パターンによって形成されるローパスフィルタにつ
いて、図を用いて説明する。図2は本発明の実施の一例
で、前記ローパスフィルタを含んだシングルバンド用高
周波スイッチの回路を示す。このスイッチ回路は、2つ
のダイオードDP1、DP2と2つの伝送線路LP1、
LP2からなり、ダイオードDP1はアンテナ端子AN
T側にアノードが接続され、送信TX側にカソードが接
続され、そのカソード側にアースに接続される伝送線路
LP1が接続されている。そして、DP1のアンテナ側
と受信RX間に伝送線路LP2が接続され、その受信R
X側にカソードが接続されたダイオードDP2が接続さ
れ、そのダイオードDP2のアノードには、アースとの
間にコンデンサCP6が接続され、DP2とCP6の間
に抵抗RPが接続され、コントロール回路VC2に接続
される。コントロール回路VC2に電圧(例えば+3
V)を印加すると、ダイオードDP2、DP1がONし
て送信回路TXとアンテナ端子ANTが接続される。コ
ントロール回路に電圧を印加しない場合には、アンテナ
端子ANTと受信回路RXが接続されている。このよう
にして、1つのアンテナを送受信系の両方が共用でき
る。そして、送信回路TX側に接続されたローパスフィ
ルタは、伝送線路LP3とコンデンサCP3、CP4、
CP7から構成され、スイッチ回路のダイオードDP1
と伝送線路LP1の間に挿入されている。このローパス
フィルタによって高調波を抑制することができる。尚、
直流カットコンデンサCP1、CP2、CP5、CP6
及び、抵抗RPは積層体上に搭載しても、あるいは内蔵
しても良い。場合によっては、高周波スイッチモジュー
ルの搭載される基板上に配設することも可能である。
Before entering the main body of the present invention, a low-pass filter formed by an electrode pattern according to the present invention and an electrode pattern in a laminate composed of a dielectric layer will be described with reference to the drawings. FIG. 2 shows a circuit of a single-band high-frequency switch including the low-pass filter according to an embodiment of the present invention. This switch circuit comprises two diodes DP1, DP2 and two transmission lines LP1,
LP2, and the diode DP1 is connected to the antenna terminal AN.
The anode is connected to the T side, the cathode is connected to the transmission TX side, and the transmission line LP1 connected to the ground is connected to the cathode side. A transmission line LP2 is connected between the antenna side of DP1 and the reception RX, and the reception R
A diode DP2 having a cathode connected to the X side is connected to the anode of the diode DP2, a capacitor CP6 is connected to the ground, a resistor RP is connected between DP2 and CP6, and connected to the control circuit VC2. Is done. A voltage (for example, +3) is applied to the control circuit VC2.
When V) is applied, the diodes DP2 and DP1 are turned on, and the transmission circuit TX and the antenna terminal ANT are connected. When no voltage is applied to the control circuit, the antenna terminal ANT and the receiving circuit RX are connected. In this way, one antenna can be shared by both the transmitting and receiving systems. The low-pass filter connected to the transmission circuit TX includes a transmission line LP3 and capacitors CP3, CP4,
CP7, which is a diode DP1 of a switch circuit
And the transmission line LP1. Harmonics can be suppressed by this low-pass filter. still,
DC cut capacitors CP1, CP2, CP5, CP6
Further, the resistor RP may be mounted on the laminated body or may be built therein. In some cases, it is also possible to dispose it on a substrate on which the high-frequency switch module is mounted.

【0015】次に、図3にデュアルバンドの一実施例を
示す。この実施例は通過帯域の異なる第1の送受信系と
してGSM(Global Systemfor Mobile communication
s, 送信周波数880〜915MHz、受信周波数925〜960MHz)
システムと第2の送受信系としてDCS(Digital Cell
ular System, 送信周波数1710〜1785MHz、受信周波数1
805〜1880MHz)システムを扱う高周波スイッチモジュー
ルであり、第1の送受信系(GSM)の送信信号と受信
信号を切り換える第1のスイッチ回路SW1、第1のス
イッチ回路の送信経路に接続される第1のローパスフィ
ルタ回路1、第2の送受信系(DCS)の送信信号と受
信信号を切り換える第2のスイッチ回路SW2、第2の
スイッチ回路の送信経路に接続される第2のローパスフ
ィルタ回路2、第1の送受信系と第2の送受信系を分波
する分波回路11、21から構成されている。
Next, FIG. 3 shows an embodiment of a dual band. In this embodiment, GSM (Global System for Mobile communication) is used as a first transmitting / receiving system having a different pass band.
s, transmission frequency 880-915MHz, reception frequency 925-960MHz)
DCS (Digital Cell)
ular System, transmission frequency 1710-1785MHz, reception frequency 1
805-1880 MHz) A high-frequency switch module for handling a system, a first switch circuit SW1 for switching a transmission signal and a reception signal of a first transmission / reception system (GSM), and a first switch circuit connected to a transmission path of the first switch circuit. , A second switch circuit SW2 for switching between a transmission signal and a reception signal of a second transmission / reception system (DCS), a second low-pass filter circuit 2 connected to a transmission path of the second switch circuit, It is composed of demultiplexing circuits 11 and 21 for demultiplexing the first transmission / reception system and the second transmission / reception system.

【0016】まず、分波回路を構成するGSM側のノッ
チ回路11は、インダクタLF1、コンデンサCF1お
よびCF3から構成される。コンデンサCF3は、分波
特性のローパスフィルタ特性を向上させる目的で接続さ
れている。一方、DCS側のノッチ回路21にはインダ
クタLF2およびLF3、コンデンサCF2およびCF
4から構成される。この伝送線路LF3とコンデンサC
F4は、分波特性のハイパスフィルタ特性を向上させる
目的で接続されている。尚、この分波回路は、ノッチ回
路以外、例えばバンドパス回路、ローパス回路、ハイパ
ス回路などを用いてもよく、これらを適宜組み合わせて
構成することもできる。
First, the notch circuit 11 on the GSM side constituting the demultiplexing circuit includes an inductor LF1, capacitors CF1 and CF3. The capacitor CF3 is connected for the purpose of improving the low-pass filter characteristic of the demultiplexing characteristic. On the other hand, the notch circuit 21 on the DCS side has inductors LF2 and LF3 and capacitors CF2 and CF
4 This transmission line LF3 and the capacitor C
F4 is connected for the purpose of improving the high-pass filter characteristic of the demultiplexing characteristic. In addition, for example, a band-pass circuit, a low-pass circuit, a high-pass circuit, or the like, other than the notch circuit, may be used as the branching circuit, and these may be appropriately combined.

【0017】次に、第1のスイッチ回路について説明す
る。第1のスイッチ回路は、図3上側のスイッチ回路S
W1であり、GSM系の送信TXと受信RXを切り換え
るものである。このスイッチ回路SW1は、2つのダイ
オードDG1、DG2と、2つの伝送線路LG1、LG
2からなり、ダイオードDG1はアンテナ端子ANT側
にアノードが接続され、送信TX側にカソードが接続さ
れ、そのカソード側にアースに接続される伝送線路LG
1が接続されている。そして、アンテナ側と受信RX間
に伝送線路LG2が接続され、その受信RX側にカソー
ドが接続されたダイオードDG2が接続され、そのダイ
オードDG2のアノードには、アースとの間にコンデン
サCG6が接続され、その間に抵抗RGが接続され、コ
ントロール回路VC1に接続される。そして、送信TX
回路側に挿入されるローパスフィルタ回路は、伝送線路
LG3とコンデンサCG3、CG4、CG7から構成さ
れ、スイッチ回路SW1のダイオードDG1と伝送線路
LG1の間に挿入されている。
Next, the first switch circuit will be described. The first switch circuit is a switch circuit S on the upper side of FIG.
W1 is for switching between GSM transmission TX and reception RX. This switch circuit SW1 includes two diodes DG1, DG2 and two transmission lines LG1, LG2.
The transmission line LG has a diode DG1, an anode connected to the antenna terminal ANT side, a cathode connected to the transmission TX side, and a ground connected to the cathode side.
1 is connected. A transmission line LG2 is connected between the antenna side and the reception RX, a diode DG2 having a cathode connected to the reception RX side is connected, and a capacitor CG6 is connected between the anode of the diode DG2 and the ground. , A resistor RG is connected therebetween, and is connected to the control circuit VC1. And TX TX
The low-pass filter circuit inserted on the circuit side includes a transmission line LG3 and capacitors CG3, CG4, and CG7, and is inserted between the diode DG1 of the switch circuit SW1 and the transmission line LG1.

【0018】次に、第2のスイッチ回路は、図3下側の
スイッチ回路SW2であり、DCS系の送信TXと受信
RXを切り換えるものである。このスイッチ回路SW2
は、2つのダイオードDP1、DP2と、2つの伝送線
路LP1、LP2からなり、ダイオードDP1はアンテ
ナ端子ANT側にアノードが接続され、送信TX側にカ
ソードが接続され、そのカソード側にアースに接続され
る伝送線路LP1が接続されている。そして、アンテナ
側と受信RX間に伝送線路LP2が接続され、その受信
RX側にカソードが接続されたダイオードDP2が接続
され、そのダイオードDP2のアノードには、アースと
の間にコンデンサCP6が接続され、DP2とCP6の
間に抵抗RPが接続され、コントロール回路VC2に接
続される。そして、送信TX回路側に挿入されるローパ
スフィルタ回路は、伝送線路LP3と、コンデンサCP
3、CP4、CP7から構成され、スイッチ回路SW2
のダイオードDP1と伝送線路LP1の間に挿入されて
いる。尚、直流カットコンデンサCG2、CG5、CP
2、CP5及び、抵抗RG,RPは積層体上に搭載して
も、あるいは内蔵しても良い。場合によっては、高周波
スイッチモジュールの搭載される基板上に配設すること
も可能である。
Next, the second switch circuit is a switch circuit SW2 on the lower side of FIG. 3, which switches between the transmission TX and the reception RX of the DCS system. This switch circuit SW2
Consists of two diodes DP1 and DP2 and two transmission lines LP1 and LP2. The diode DP1 has an anode connected to the antenna terminal ANT side, a cathode connected to the transmission TX side, and a cathode connected to the ground. Transmission line LP1 is connected. A transmission line LP2 is connected between the antenna and the reception RX, a diode DP2 having a cathode connected to the reception RX is connected, and a capacitor CP6 is connected between the anode of the diode DP2 and the ground. , DP2 and CP6, a resistor RP is connected to the control circuit VC2. The low-pass filter circuit inserted on the transmission TX circuit side includes a transmission line LP3 and a capacitor CP.
3, CP4 and CP7, and a switch circuit SW2
Between the transmission line LP1 and the diode DP1. The DC cut capacitors CG2, CG5, CP
2, CP5 and the resistors RG and RP may be mounted on the laminate or may be built in. In some cases, it is also possible to dispose it on a substrate on which the high-frequency switch module is mounted.

【0019】これら2つの送受信回路のコントロール動
作については、上述したシングルバンドの場合と基本的
には同じである。即ち、GSM系の送信を有効とする場
合には、電圧端子VC1に所定の電圧を印加する。GS
M系の受信を有効とする場合には、VC1には電圧印加
しない。同様に、電圧端子VC2に所定の電圧を印加す
るとDCS系の送信が有効となり、VC2に電圧を印加
しないとDCS受信が有効となる。受信時には、どちら
の電圧端子VC1、VC2にも電圧を印加しない。
The control operation of these two transmission / reception circuits is basically the same as in the case of the single band described above. That is, when the GSM transmission is enabled, a predetermined voltage is applied to the voltage terminal VC1. GS
When M-system reception is enabled, no voltage is applied to VC1. Similarly, when a predetermined voltage is applied to the voltage terminal VC2, DCS transmission is enabled, and when no voltage is applied to VC2, DCS reception is enabled. During reception, no voltage is applied to either of the voltage terminals VC1, VC2.

【0020】図4に、図3に示すデュアルバンド高周波
スイッチモジュールの内部電極パターン図の一部を示
す。更に、図5は図4に示した内部電極パターンのう
ち、GSM側の回路に設置されたローパスフィルタを構
成する電極パターンのみを示したものである。これを用
いて説明すると、図3に示すGSM側の回路に設置され
たローパスフィルタ1を構成するコンデンサのうち、C
G7は図5に示すコンデンサパターンCo1とCo2から
形成され、コンデンサCG3及びCG4はそれぞれ、コ
ンデンサパターンCo2とアースパターンe及びCo3と
アースパターンeから形成される。尚、DCS側のロー
パスフィルタ2についても同様の電極パターン配置によ
り形成される。本特許の狙いは、ローパスフィルタの形
成において、図5に示す第7〜10層のように、アース
パターンeを形成した第9層を挟んで、電極パターンCo
2を第8層に、電極パターンCo3を第10層にそれぞ
れ分配配置することにより、コンデンサを形成する電極
パターンの配置に必要な1層あたりのスペースを従来の
半分に削減でき、積層体の小型化に伴う設計スペースの
縮小にも十分対応できるという点にある。
FIG. 4 shows a part of the internal electrode pattern diagram of the dual band high frequency switch module shown in FIG. FIG. 5 shows only the electrode patterns constituting the low-pass filter installed in the circuit on the GSM side among the internal electrode patterns shown in FIG. To explain this, among the capacitors constituting the low-pass filter 1 installed in the GSM-side circuit shown in FIG.
G7 is formed from the capacitor patterns Co1 and Co2 shown in FIG. 5, and the capacitors CG3 and CG4 are formed from the capacitor pattern Co2 and the ground pattern e and Co3 and the ground pattern e, respectively. The low-pass filter 2 on the DCS side is also formed by the same electrode pattern arrangement. The aim of this patent is to form an electrode pattern Co with a ninth layer on which an earth pattern e is formed, as in the seventh to tenth layers shown in FIG.
2 is distributed on the eighth layer and the electrode pattern Co3 is distributed on the tenth layer, so that the space per layer required for arranging the electrode patterns forming the capacitor can be reduced to half of the conventional one, and the size of the laminated body can be reduced. Is that it can sufficiently cope with the reduction of the design space accompanying the development.

【0021】図4に戻って、第7〜10層に渡って設け
たローパスフィルタを形成する電極パターンについて説
明すると、GSM側では、第9層のアースパターンe3
を挟んで第8層にコンデンサパターンC9、第10層に
コンデンサパターンC10を配置することにより、図3
に示すコンデンサCG3とCG4を形成、また第7層の
コンデンサパターンC4と第8層のコンデンサパターン
C9によって図3に示すコンデンサCG7を形成してい
る。DCS側のローパスフィルタもc11、C12、e
3、C5による同様の電極パターン配置によって形成し
ている。以上の電極パターンの配置による試作を行った
結果、図4と図7の誘電体層の大きさを比較して分かる
通り、図7の従来例に比べ図4の実施例は面積比で約8
3%の小型化が達成できた。
Returning to FIG. 4, the electrode pattern forming the low-pass filter provided over the seventh to tenth layers will be described. On the GSM side, the ground pattern e3 of the ninth layer is described.
By arranging the capacitor pattern C9 on the eighth layer and the capacitor pattern C10 on the tenth layer with the
Are formed, and the capacitor pattern CG7 shown in FIG. 3 is formed by the capacitor pattern C4 of the seventh layer and the capacitor pattern C9 of the eighth layer. DCS side low-pass filter is also c11, C12, e
3, the same electrode pattern arrangement by C5. As a result of a trial production based on the arrangement of the electrode patterns described above, as can be seen by comparing the sizes of the dielectric layers of FIGS. 4 and 7, the embodiment of FIG.
3% miniaturization was achieved.

【0022】図6にはデュアルバンド高周波スイッチモ
ジュールの斜視図を示している。本発明の高周波スイッ
チモジュールは図4及び図6に示すように高周波スイッ
チモジュールを構成する回路の電極パターンを積層体内
に形成し、ダイオード等のチップ部品は、その積層体上
に配置することにより、ワンチップ化して小型化でき
る。
FIG. 6 is a perspective view of a dual band high frequency switch module. The high-frequency switch module of the present invention forms electrode patterns of circuits constituting the high-frequency switch module in a laminate as shown in FIGS. 4 and 6, and arranges chip components such as diodes on the laminate. It can be miniaturized by one chip.

【0023】[0023]

【発明の効果】本発明によれば、高周波スイッチモジュ
ールの小型化、マルチバンド化に伴う設計有効スペース
不足を改善できる。よって、限られたスペース内での小
型化と設計のし易さに容易に対応できる。
According to the present invention, the shortage of the effective design space due to the miniaturization and multi-banding of the high-frequency switch module can be improved. Therefore, it is possible to easily cope with miniaturization and design easiness in a limited space.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係るローパスフィルタの等価回路図
(a)と電極パターンの断面模式図(b)及び従来例の
電極パターンの断面模式図(c)である。
1A is an equivalent circuit diagram of a low-pass filter according to the present invention, FIG. 1B is a schematic sectional view of an electrode pattern, and FIG. 1C is a schematic sectional view of a conventional electrode pattern.

【図2】シングルバンド用高周波スイッチの等価回路図
である。
FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of a single-band high-frequency switch.

【図3】デュアルバンド用高周波スイッチの等価回路図
である。
FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of a dual-band high-frequency switch.

【図4】本発明の実施例であるデュアルバンド用高周波
スイッチモジュールの内部電極パターン図である。
FIG. 4 is an internal electrode pattern diagram of a dual-band high-frequency switch module according to an embodiment of the present invention.

【図5】本発明の実施例のローパスフィルタ部分のみを
取り出した内部電極パターン図である。
FIG. 5 is an internal electrode pattern diagram showing only a low-pass filter portion according to the embodiment of the present invention.

【図6】本発明の実施例であるデュアルバンド用高周波
スイッチモジュールの積層体の斜視図である。
FIG. 6 is a perspective view of a laminated body of the dual-band high-frequency switch module according to the embodiment of the present invention.

【図7】従来のローパスフィルタを備えたデュアルバン
ド用高周波スイッチモジュールの内部電極パターン図で
ある。
FIG. 7 is an internal electrode pattern diagram of a conventional dual-band high-frequency switch module including a low-pass filter.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

P1、P2、P3、P4、P5、P6:コンデンサを形
成する電極 LF1、LF2、LF3、LP1、LP3:伝送線路 LG1、LG2、LG3、LP2:伝送線路 CG1、CG2、CG3、CG4,CG5、CG6、C
G7:コンデンサ CP2、CP3、CP4、CP5、CP6、CP7:コ
ンデンサ CF1、CF2、CF3、CF4:コンデンサ TX:送信端子 RX:受信端子 ANT:アンテナ端子 SW:スイッチ回路
P1, P2, P3, P4, P5, P6: electrodes forming a capacitor LF1, LF2, LF3, LP1, LP3: transmission line LG1, LG2, LG3, LP2: transmission line CG1, CG2, CG3, CG4, CG5, CG6 , C
G7: Capacitors CP2, CP3, CP4, CP5, CP6, CP7: Capacitors CF1, CF2, CF3, CF4: Capacitors TX: Transmission terminal RX: Reception terminal ANT: Antenna terminal SW: Switch circuit

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 但井 裕之 鳥取県鳥取市南栄町70番地2号 日立金属 株式会社鳥取工場内 Fターム(参考) 5J006 HB05 HB21 HB22 JA03 KA01 KA24 LA23 NA07 NB09 5J012 BA03 5J024 AA01 BA01 DA04 DA29 EA01 5K011 DA02 DA27 JA01 KA04  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Hiroyuki Tatai 70-2, Minamisakae-cho, Tottori-shi, Tottori Prefecture F-term in Hitachi Metals Co., Ltd. Tottori Plant 5J006 HB05 HB21 HB22 JA03 KA01 KA24 LA23 NA07 NB09 5J012 BA03 5J024 AA01 BA01 DA04 DA29 EA01 5K011 DA02 DA27 JA01 KA04

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1のコンデンサ、第2のコンデンサ、
第3コンデンサ及び、伝送線路とからなり、前記各コン
デンサと伝送線路を複数の誘電体層上に形成された電極
パターンによって形成したローパスフィルタにおいて、
前記第1、第2、第3の各コンデンサパターンをそれぞ
れ異なる誘電体層上に形成し、第2のコンデンサパター
ンと第3のコンデンサパターンの間にアースパターンを
設けると共に、第1のコンデンサパターンと第3のコン
デンサパターンは導体によって接続し、前記第1のコン
デンサパターンと第2のコンデンサパターンを対向させ
ることによって第1のコンデンサを、前記第2のコンデ
ンサパターンとアースパターンを対向させることによっ
て第2のコンデンサを、前記アースパターンと第3のコ
ンデンサパターンを対向させることによって第3のコン
デンサをそれぞれ形成したことを特徴とするローパスフ
ィルタ。
A first capacitor, a second capacitor,
A low-pass filter comprising a third capacitor and a transmission line, wherein each of the capacitors and the transmission line is formed by an electrode pattern formed on a plurality of dielectric layers;
The first, second, and third capacitor patterns are respectively formed on different dielectric layers, and an earth pattern is provided between the second capacitor pattern and the third capacitor pattern. The third capacitor pattern is connected by a conductor, the first capacitor pattern is opposed to the second capacitor pattern, and the second capacitor pattern is opposed to the second capacitor pattern by the second capacitor pattern. Wherein the third capacitor is formed by making the ground pattern and the third capacitor pattern face each other.
【請求項2】 第1のコンデンサ、第2のコンデンサ、
第3コンデンサ及び、伝送線路とからなり、前記各コン
デンサと伝送線路を複数の誘電体層上に形成された電極
パターンによって形成したローパスフィルタにおいて、
前記第1、第2、第3の各コンデンサパターンをそれぞ
れ異なる誘電体層上に形成し、第2のコンデンサパター
ンと第3のコンデンサパターンの間にアースパターンを
設けると共に、第1のコンデンサパターンと第3のコン
デンサパターンは導体によって接続し、前記第1のコン
デンサパターンと第2のコンデンサパターンを対向させ
ることによって第1のコンデンサを、前記第2のコンデ
ンサパターンとアースパターンを対向させることによっ
て第2のコンデンサを、前記アースパターンと第3のコ
ンデンサパターンを対向させることによって第3のコン
デンサをそれぞれ形成し、前記第1のコンデンサによっ
て得られる静電容量と伝送線路で共振回路を形成するこ
とを特徴とするローパスフィルタ。
2. A first capacitor, a second capacitor,
A low-pass filter comprising a third capacitor and a transmission line, wherein each of the capacitors and the transmission line is formed by an electrode pattern formed on a plurality of dielectric layers;
The first, second, and third capacitor patterns are respectively formed on different dielectric layers, and an earth pattern is provided between the second capacitor pattern and the third capacitor pattern. The third capacitor pattern is connected by a conductor, the first capacitor pattern is opposed to the second capacitor pattern, and the second capacitor is opposed to the second capacitor pattern and the ground pattern. The third capacitor is formed by making the ground pattern and the third capacitor pattern face each other, and a resonance circuit is formed by the capacitance obtained by the first capacitor and the transmission line. And a low-pass filter.
【請求項3】 通過帯域の異なる複数の送受信系の受信
信号を振り分ける分波回路、該分波回路の少なくとも1
つの経路の後段には、送信経路と受信経路とを切り換え
るスイッチ回路とLC回路で構成されるローパスフィル
タ回路を有する高周波スイッチモジュールであって、前
記ローパスフィルタは、第1のコンデンサ、第2のコン
デンサ、第3コンデンサ及び、伝送線路とからなり、前
記各コンデンサと伝送線路を複数の誘電体層上に形成さ
れた電極パターンによって形成しており、前記第1、第
2、第3の各コンデンサパターンをそれぞれ異なる誘電
体層上に形成し、第2のコンデンサパターンと第3のコ
ンデンサパターンの間にアースパターンを設けると共
に、第1のコンデンサパターンと第3のコンデンサパタ
ーンは導体によって接続し、前記第1のコンデンサパタ
ーンと第2のコンデンサパターンを対向させることによ
って第1のコンデンサを、前記第2のコンデンサパター
ンとアースパターンを対向させることによって第2のコ
ンデンサを、前記アースパターンと第3のコンデンサパ
ターンを対向させることによって第3のコンデンサをそ
れぞれ形成したローパスフィルタであることを特徴とす
る高周波スイッチモジュール。
3. A demultiplexing circuit for distributing received signals of a plurality of transmission / reception systems having different passbands, and at least one of the demultiplexing circuits.
A high-frequency switch module having a low-pass filter circuit including a switch circuit for switching between a transmission path and a reception path and an LC circuit at a stage subsequent to the two paths, wherein the low-pass filter includes a first capacitor and a second capacitor. , A third capacitor, and a transmission line, wherein each of the capacitors and the transmission line is formed by an electrode pattern formed on a plurality of dielectric layers, and the first, second, and third capacitor patterns are formed. Are respectively formed on different dielectric layers, an earth pattern is provided between the second capacitor pattern and the third capacitor pattern, and the first capacitor pattern and the third capacitor pattern are connected by a conductor. The first capacitor pattern is opposed to the second capacitor pattern so that the first capacitor Is a low-pass filter in which the second capacitor is formed by opposing the ground pattern and the second capacitor pattern, and the third capacitor is formed by opposing the ground pattern and the third capacitor pattern. High-frequency switch module characterized.
【請求項4】 通過帯域の異なる複数の送受信系の受信
信号を振り分ける分波回路、該分波回路の少なくとも1
つの経路の後段には、送信経路と受信経路とを切り換え
るスイッチ回路とLC回路で構成されるローパスフィル
タ回路を有する高周波スイッチモジュールであって、前
記ローパスフィルタは、第1のコンデンサ、第2のコン
デンサ、第3コンデンサ及び、伝送線路とからなり、前
記各コンデンサと伝送線路を複数の誘電体層上に形成さ
れた電極パターンによって形成しており、前記第1、第
2、第3の各コンデンサパターンをそれぞれ異なる誘電
体層上に形成し、第2のコンデンサパターンと第3のコ
ンデンサパターンの間にアースパターンを設けると共
に、第1のコンデンサパターンと第3のコンデンサパタ
ーンは導体によって接続し、前記第1のコンデンサパタ
ーンと第2のコンデンサパターンを対向させることによ
って第1のコンデンサを、前記第2のコンデンサパター
ンとアースパターンを対向させることによって第2のコ
ンデンサを、前記アースパターンと第3のコンデンサパ
ターンを対向させることによって第3のコンデンサをそ
れぞれ形成し、前記第1のコンデンサによって得られる
静電容量と伝送線路で共振回路を形成したローパスフィ
ルタであることを特徴とする高周波スイッチモジュー
ル。
4. A demultiplexing circuit for distributing received signals of a plurality of transmission / reception systems having different pass bands, and at least one of the demultiplexing circuits.
A high-frequency switch module having a low-pass filter circuit including a switch circuit for switching between a transmission path and a reception path and an LC circuit at a stage subsequent to the two paths, wherein the low-pass filter includes a first capacitor and a second capacitor. , A third capacitor, and a transmission line, wherein each of the capacitors and the transmission line is formed by an electrode pattern formed on a plurality of dielectric layers, and the first, second, and third capacitor patterns are formed. Are respectively formed on different dielectric layers, an earth pattern is provided between the second capacitor pattern and the third capacitor pattern, and the first capacitor pattern and the third capacitor pattern are connected by a conductor. The first capacitor pattern is opposed to the second capacitor pattern so that the first capacitor pattern is formed. Forming a second capacitor by facing the second capacitor pattern and a ground pattern, and forming a third capacitor by facing the ground pattern and a third capacitor pattern. A high-frequency switch module comprising a low-pass filter in which a resonance circuit is formed by the capacitance obtained by the above and a transmission line.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003023370A (en) * 2001-07-10 2003-01-24 Hitachi Metals Ltd High frequency switch module

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04311018A (en) * 1991-04-09 1992-11-02 Murata Mfg Co Ltd Lc composite part
JPH05335866A (en) * 1991-08-16 1993-12-17 Tdk Corp High frequency filter
JPH07263278A (en) * 1994-03-18 1995-10-13 Tdk Corp Capacitor
JPH07288441A (en) * 1994-04-15 1995-10-31 Toko Inc Laminated lc low-pass filter and characteristic adjusting method for the same
JPH11225088A (en) * 1997-12-03 1999-08-17 Hitachi Metals Ltd Multiband-use high frequency switch module
JPH11274876A (en) * 1998-03-19 1999-10-08 Kyocera Corp Low-pass filter and circuit board
JP2000134001A (en) * 1998-10-21 2000-05-12 Hitachi Metals Ltd Laminated small-sized low pass filter
JP2000182892A (en) * 1998-12-21 2000-06-30 Maruwa Kck:Kk Composite electronic component and manufacture thereof

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04311018A (en) * 1991-04-09 1992-11-02 Murata Mfg Co Ltd Lc composite part
JPH05335866A (en) * 1991-08-16 1993-12-17 Tdk Corp High frequency filter
JPH07263278A (en) * 1994-03-18 1995-10-13 Tdk Corp Capacitor
JPH07288441A (en) * 1994-04-15 1995-10-31 Toko Inc Laminated lc low-pass filter and characteristic adjusting method for the same
JPH11225088A (en) * 1997-12-03 1999-08-17 Hitachi Metals Ltd Multiband-use high frequency switch module
JPH11274876A (en) * 1998-03-19 1999-10-08 Kyocera Corp Low-pass filter and circuit board
JP2000134001A (en) * 1998-10-21 2000-05-12 Hitachi Metals Ltd Laminated small-sized low pass filter
JP2000182892A (en) * 1998-12-21 2000-06-30 Maruwa Kck:Kk Composite electronic component and manufacture thereof

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003023370A (en) * 2001-07-10 2003-01-24 Hitachi Metals Ltd High frequency switch module
JP4565374B2 (en) * 2001-07-10 2010-10-20 日立金属株式会社 High frequency switch module

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