JP3985686B2

JP3985686B2 - Ｅｌディスプレイ駆動装置及びｅｌディスプレイの駆動方法

Info

Publication number: JP3985686B2
Application number: JP2003030447A
Authority: JP
Inventors: 寿典二之湯; 正明川内; 雅彦長田
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2003-02-07
Filing date: 2003-02-07
Publication date: 2007-10-03
Anticipated expiration: 2023-02-07
Also published as: JP2004240247A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、走査電極とデータ電極との交点に形成される無機ＥＬ素子を画素としてなるＥＬディスプレイを線順次走査方式で駆動する駆動装置、及びＥＬディスプレイの駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
無機ＥＬ素子を画素としてなるＥＬディスプレイは、一般に２５０Ｖ前後の高電圧によって交流駆動される。そのため、ドライバに使用するＩＣには高耐圧性が要求され、液晶ディスプレイの駆動装置などに比較するとコストが高くなりがちである。特に、基本的な構造がデータ電極側に比べて簡単であることから、走査側駆動回路に用いられるドライバＩＣには、より高い耐圧が要求される。
【０００３】
斯様な問題を解決するために、特許文献１には、走査側駆動回路にオフセット駆動方式を導入した技術が開示されている。即ち、ＥＬディスプレイを構成する画素の電極間に電圧Ｖｒ（通常、約２３０〜２６０Ｖ）を印加させて発光させる場合、データ側駆動回路に用いるドライバＩＣの電源電圧Ｖｍ（約４０〜６０Ｖ）をオフセット電圧（Ｖｏ）とする。従って、走査側ドライバＩＣの耐圧は（Ｖｒ−Ｖｍ）以上とすれば良く、要求される耐圧をオフセット電圧の分だけ低下させることができる。
【０００４】
【特許文献１】
特開平９−５４５６６号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
即ち、特許文献１のようなオフセット駆動方式では、オフセット電圧Ｖｏを高く設定するほど走査側ドライバＩＣの耐圧を低くすることができる。ところで、この駆動方式では、ＥＬディスプレイを構成する画素にオフセット電圧Ｖｏが常時印加されるようになっている。しかしながら、その状態がＥＬディスプレイにおける表示に対してどのように影響を及ぼすのかについては、着目されていなかった。
【０００６】
そこで、発明者らが上記の影響について解析を行なった結果、オフセット電圧Ｖｏが常時印加されることで、線順次走査を行なう方向について輝度むらを発生させる原因となっていることが判明した。その測定結果を図８に示す。測定ポイント▲１▼〜▲３▼はＥＬディスプレイの上端側であり、測定ポイント▲４▼〜▲６▼はＥＬディスプレイの下端側である。そして、線順次走査方向は、上端側から下端側へとなっている。
【０００７】
この図８から明らかなように、上端側の測定ポイント▲１▼〜▲３▼は輝度が高く、下端側の測定ポイント▲４▼〜▲６▼は輝度が低く、走査方向について輝度むらが発生している。尚、オフセット電圧Ｖｏは、５２．５Ｖである。そして、この輝度むらは、オフセット電圧Ｖｏが高くなるほど顕著となることが判明した。
【０００８】
この輝度むらの発生原因は、以下のように推定される。即ち、ＥＬディスプレイの各画素が発光する場合、発光層の両端に発生した分極電荷の量は時間と共に低下すると考えられる。そして、ＥＬ素子は、その内部分極電荷によって発生している電界に対して逆向きの電界を外部より印加することで発光するが、内部電界と外部電界との差が大きいほど強い発光が生じる。
【０００９】
ところが、オフセット駆動方式では、走査順が遅い電極に形成されているＥＬ素子はオフセット電圧の印加時間もそれだけ長くなるため、走査順が遅い電極に形成されているＥＬ素子よりも内部分極電荷がより多く漏洩し、電荷量が低下することになる。従って、駆動電圧（外部電界）を印加した場合に発生する電位差も小さくなり、発光強度が低下する。加えて、その際に発生する分極電荷量も減少する。
以上のような原理に基づいて、ＥＬディスプレイの走査方向における輝度むらが発生していると考えられる。
【００１０】
上記の輝度むらが発生する直接の原因は、ＥＬ素子の発光層における内部分極電荷の漏洩（リーク電流）であり、その漏洩度合いは、発光層に対する印加電圧レベルが高いほど、また、印加電圧時間が長いほど大きくなる。従って、発光層に印加する電圧レベルを低減することが考えられるが、それはオフセット電圧を低下させることになり、ドライバＩＣの耐圧を低下させて低コスト化を図る、というオフセット駆動方式を導入した本来の目的から外れてしまう。
【００１１】
また、発光層に電圧を印加する時間（即ち、電圧パルス幅）を短くすることも考えられるが、そのパルス幅は、ＥＬディスプレイを構成する各画素容量や電極の配線抵抗などに基づいて必要な時間が決定されるため、短くするにも限界がある。
【００１２】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、ＥＬディスプレイを線順次走査方式で、且つオフセット駆動方式により駆動する場合に、走査方向に発生する輝度むらをより効果的に抑制することができるＥＬディスプレイ駆動装置、及びＥＬディスプレイの駆動方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載のＥＬディスプレイ駆動装置によれば、走査電極に対して線順次走査を行なう方向を一定周期毎に反転させる。即ち、オフセット駆動方式では、ＥＬ素子にオフセット電圧を印加した直後は、その電圧は発光層と絶縁層とで分圧されて発光層両端の電圧が高くなり、リーク電流が増加する。そして、選択電圧が与えられ、発光しきい値を超える合成電圧が両端に印加されることでＥＬ素子が発光した後は、既に前記分圧電位が発光層に印加された状態で分極電荷が生成されるため、リーク電流は少ない。
【００１４】
以上のように、リーク電流量は、ＥＬ素子にオフセット電圧が印加されてから発光しきい値を超える合成電圧が印加されるまでの時間が長いほど増加する。また、ユーザによって視認されるＥＬディスプレイの発光輝度は１回の発光強度だけで決まるわけではなく、その発光が繰り返された場合の時間的な平均値で決まる。
【００１５】
そこで、本発明では、線順次走査を行なう方向を一定周期毎に反転させることで、走査方向に配列される各画素における分極電荷の発生状態を平均化する。それに伴い、ＥＬディスプレイの走査方向における発光輝度も平均化されるので、オフセット電圧を低下させることなく輝度むらを良好に解消することができる。
【００１６】
具体的には、線順次走査方向を、画素に印加する合成電圧極性を反転させる毎に反転させる。即ち、無機ＥＬ素子においては、高輝度で且つ輝度むらの無い良好な発光状態を得るため、印加電圧極性を交互に反転させるフィールド反転駆動方式が一般に導入されている。従って、その反転タイミングに合わせて線順次走査方向を反転させれば、走査方向に発生しようとする輝度むらを良好に解消することができる。
【００１７】
請求項２記載のＥＬディスプレイ駆動装置によれば、走査電圧をなすオフセット電圧を６０Ｖ以上とする。即ち、本発明の駆動方式を用いれば、オフセット電圧を従来よりも高く設定することで、１回の走査について発生する輝度むらの度合いが多少上昇したとしても、走査方向を反転させることで輝度むらを時間平均的に解消することが可能である。従って、オフセット電圧がより高く設定されるものに有効に適用することができる。
【００１８】
請求項３記載のＥＬディスプレイ駆動装置によれば、線順次走査方向を２回反転させる周波数を５０Ｈｚ以上に設定するので、フリッカの発生を抑制することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施例について図１乃至図５を参照して説明する。尚、本発明は線順次走査方式に特徴を有するものであり、図５に示す基本的な構成は特許文献１に開示されているものと同様である。以下、ＥＬディスプレイ駆動装置の全体構成を概略的に説明する。
【００２０】
ＥＬ表示パネル（ＥＬディスプレイ）１は、透明電極（走査電極）、背面電極（データ電極）を行列状に複数配置して、マトリクス表示を行うように構成されている。具体的には、行方向に奇数走査電極２０１、２０２、・・・、偶数走査電極３０１、３０２、・・・が形成され、列方向にデータ電極４０１、４０２、４０３、・・・が形成されている。
【００２１】
走査電極２０１、３０１、２０２、３０２、・・・とデータ電極４０１、４０２、４０３、・・・との夫々の交差領域には、画素たる無機ＥＬ素子１１１、１１２、・・・１２１、・・・が形成されている。このＥＬ表示パネル１の表示駆動を行うために、走査側ドライバＩＣ（走査側駆動回路）２、３及びデータ側ドライバＩＣ（データ側駆動回路）４が設けられている。
【００２２】
走査側ドライバＩＣ２は、プッシュプルタイプの駆動回路であり、奇数走査電極２０１、２０２、・・・に接続されたＦＥＴ２１ａ、２２ａ、・・・とＦＥＴ２１ｂ、２２ｂ、・・・を有し、制御回路２０からの出力に従って奇数走査電極２０１、２０２、・・・に走査電圧を印加する。また、ＦＥＴ２１ａ、２１ｂ、２２ａ、２２ｂ、・・・の夫々には寄生ダイオード２１ｃ、２１ｄ、２２ｃ、２２ｄ、・・・が形成されており、走査電極を所望の基準電圧に設定する。
【００２３】
走査側ドライバＩＣ３も同様の構成で、制御回路３０、ＦＥＴ３１ａ、３２ａ、・・・とＦＥＴ３１ｂ、３２ｂ、…・・・を有し、偶数走査電極３０１、３０２、・・・に走査電圧を供給する。データ側ドライバＩＣ４も同様に、制御回路４０、ＦＥＴ４１ａ、４２ａ、・・・とＦＥＴ４１ｂ、４２ｂ、・・・を有し、データ電極４０１、４０２、４０３、・・・にデータ電圧を供給する。
【００２４】
走査側ドライバＩＣ２、３には、走査電圧を供給するための走査電圧供給回路５、６が設けられている。走査電圧供給回路５はスイッチング素子５１、５２を有し、そのオンオフ状態に応じて直流電圧（選択電圧）Ｖｒまたは負側のオフセット直流電圧−Ｖo2を、走査側ドライバＩＣ２、３におけるＦＥＴソース側共通線Ｌ１に供給する。
【００２５】
走査電圧供給回路６はスイッチング素子６１、６２を有し、そのオンオフ状態に応じて負側の選択電圧（−Ｖｒ＋Ｖｍ）または正側のオフセット電圧Ｖo1を、走査側ドライバＩＣ２、３におけるＦＥＴソース側共通線Ｌ２に供給する。
【００２６】
また、データ側ドライバＩＣ４に対し、データ電圧供給回路７が設けられており、データ側ドライバＩＣ４のＦＥＴソース側共通線に直流電圧（変調電圧）Ｖｍを供給し、ＦＥＴソース側共通線に接地電圧を供給する。上記構成においてＥＬ素子１１１等を発光させるには、走査電極とデータ電極との間に交流のパルス電圧を印加する必要があり、このためフィールド毎に正負に極性反転するパルス電圧を各走査線毎に作成して駆動する（フィールド反転駆動）。
【００２７】
次に、本実施例の作用について図１乃至図４，図６及び図７をも参照して説明する。
（正フィールド）
スイッチング素子５１、６２をオン、５２、６１をオフにする。この時、走査電極２０１等の基準電圧は、ダイオード２１ｃ及び２１ｄの作用によりオフセット電圧Ｖo1（例えば、６７．５Ｖ）となっている。また、データ側ドライバＩＣ４のＦＥＴ４１ａ、４２ａ、４３ａ、・・・側をオンし、データ電極の電圧をＶｍにする。
【００２８】
それから、正フィールドでの発光動作を開始する。まず、走査側ドライバＩＣ２のＦＥＴ２１ａをオンにして１行目の走査電極２０１の電圧をＶｒ（例えば、２５０Ｖ）にする。また、他の走査電極については走査側ドライバＩＣ２、３の出力段ＦＥＴを全てオフにしてフローティング状態にする。
【００２９】
この時、発光させるＥＬ素子のデータ電極についてはデータ側ドライバＩＣ４のＰチャネルＦＥＴをオフ、ＮチャネルＦＥＴをオンにし、その他のデータ電極についてはデータ側ドライバＩＣ４のＰチャネルＦＥＴをオン、ＮチャネルＦＥＴをオフにする。
【００３０】
すると、発光させるＥＬ素子のデータ電極が接地電圧になり、ＥＬ素子にしきい値電圧Ｖｔ以上の電圧Ｖｒがかかり発光する。また、発光させないＥＬ素子のデータ電極の電圧はＶｍ（例えば、５２．５Ｖ）となり、そのＥＬ素子の両端には電圧（Ｖｒ−Ｖｍ）が印加される。
【００３１】
図１のタイミングチャートでは、データ側ドライバＩＣ４のＦＥＴ４１ａをオフ、ＦＥＴ４１ｂをオンにしてＥＬ素子１１１に選択電圧Ｖｒを印加し、発光させる状態を示している。この後、走査側ドライバＩＣ２のＦＥＴ２１ａをオフ、ＦＥＴ２１ｂをオンすることで、走査電極２０１上のＥＬ素子に蓄積した電荷を放電する。
それから、同様にして２行目以降の走査を進めて発光駆動を行う。
【００３２】
以上に述べたＥＬ素子の発光状態について、図３，図４及びに図６示すＱＶ特性図を参照して説明する。ＱＶ特性図は、ＥＬ素子に印加する合成電圧Ｖと、ＥＬ素子に蓄積された電荷Ｑとの関係を示すものである。
【００３３】
まず、分極電荷のリークを考慮しないケースの図６を参照して特性の概略を説明する。ＥＬ素子に対して電圧が全く印加されていない状態を原点▲１▼とする。この状態から発光電圧を印加すると、蓄積電荷量Ｑは▲２▼を経て状態▲３▼に至る。状態▲１▼−▲２▼間は、ＥＬ素子の発光層に伝導電流は流れず発光しない。そして、ＥＬ素子は状態▲２▼でクランプし（ＥＬ素子が容量的な特性から抵抗体的な特性に変化する）、状態▲２▼−▲３▼間では、ＥＬ素子の発光層に伝導電流が流れて発光する。この場合の伝導電流の大きさは、クランプ後の電荷量（移動電荷量）で大凡決まる。
【００３４】
次に、状態▲３▼から電圧を０Ｖにすると状態▲４▼に遷移する。そして、伝導電流が流れたことで分極電荷が発光層の両端に発生しており、ＥＬ素子は発光層が絶縁層に挟み込まれた二重絶縁膜構造のキャパシタンスをなしているから、発生した分極電荷は消滅せず、０Ｖに戻っても正電荷が残留している。それから、負側の発光電圧を印加すると、残留分極電荷の影響により状態▲５▼でクランプし、状態▲６▼を経て状態▲７▼に至る。状態▲４▼−▲５▼間では、ＥＬ素子の発光層に伝導電流が流れず発光しないが、状態▲５▼−▲７▼間では伝導電流が流れて発光する。
【００３５】
そして、状態▲７▼から電圧を０Ｖにすると状態▲８▼に遷移する。この場合は、状態▲４▼と大きさが等しい負電荷が残留する。そして、状態▲８▼から再び正の発光電圧（２５５Ｖ）を印加すると、残留分極電荷の影響により状態▲９▼でクランプし、状態▲２▼を経て状態▲３▼に至る。
【００３６】
以降は、上記の状態▲３▼より開始されるプロセスを繰り返す。このように、無機ＥＬ素子は、電圧が印加されると分極電荷が発生し、その影響によってＱＶ特性が平行四辺形を描くように変化する。従って、同一極性の電圧を印加し続けても発光しない。
尚、これらの図では、右半分側が正フィールドに対応し、左半分側が負フィールドに対応する。
【００３７】
続いて、図３及び図４を参照し、分極電荷のリークを考慮したケースについて説明する。１行目の走査電極２０１にオフセット電圧Ｖ01を印加し、それに続いて選択電圧Ｖｒを印加すると、両者の印加間隔は短いため前回の発光の際に生じた発光層両端の内部分極電荷は未だ殆どリークしていない。従って、移動電荷量は多く、発光輝度は高い。
【００３８】
次に、２行目の走査電極３０１が選択され、走査電極２０１と同様にして合成電圧Ｖｒが印加されると、その印加タイミングが遅い分だけ内部分極電荷のリークが進んでいるため、発光輝度が若干減少する。そのようにして線順次走査が進んでゆくと、最後に走査される走査電極３０Ｎでは内部分極電荷のリークがより多くなっている。即ち、前回負フィールドにおいて発光したことで発生している負極性の分極電荷が減少する結果、相対的に正極性の電荷が増加する。その分だけ合成電圧Ｖｒが印加された場合の移動電荷量はより小さく、従って発光輝度は比較的大きく減少することになる（図４参照）。また、この時、発光しきい値電圧Ｖｔ’は若干高くなる方向にシフトしている。
【００３９】
（負フィールド）
スイッチング素子５２、６１をオン、５１、６２をオフにし、極性を反転させて正フィールドと同様な動作を行う。この時、走査電極の基準電圧は、やはりダイオード２１ｃ及び２１ｄの作用によって負のオフセット電圧−Ｖ02となっている。但し、走査電極に走査電圧を印加する場合は、ＦＥＴ２１ｂ側をオンにする。また、データ側ドライバＩＣ４のＦＥＴ４１ｂ、４２ｂ、４３ｂ・・・側をオンし、データ電極を接地電圧にする。
【００４０】
負フィールドでは、表示選択を行う行の走査電極に選択電圧（−Ｖｒ＋Ｖｍ，−１９７．５Ｖ）を印加する。この場合は、ＦＥＴ２１ｂ側をオンにする。データ電極側では、発光させるＥＬ素子のデータ電極の電圧をＶｍにし、その他のＥＬ素子のデータ電極は接地電圧にする。
【００４１】
即ち、選択電圧（−Ｖｒ＋Ｖｍ）が印加されている走査電極に対し、データ電極に電圧Ｖｍが印加されると、対応するＥＬ素子に電圧−Ｖｒが印加されＥＬ素子が発光する。また、データ電極の電圧が接地電圧であればＥＬ素子にはしきい値電圧−Ｖｔより低い電圧（−Ｖｒ＋Ｖｍ）が印加されるため発光しない。
【００４２】
そして、負フィールドにおいては、正フィールドと逆順で線順次走査を行う。即ち、正フィールドでは、走査電極２０１，３０１，２０２，３０２，・・・，３０Ｎの順で走査したのに対して、負フィールドでは走査電極３０Ｎ，２０Ｎ，２０（Ｎ−１），３０（Ｎ−１），・・・，３０１，２０１のように逆順で走査する。
【００４３】
この場合のＥＬ素子の発光状態について、図３及び図４に示すＱＶ特性図を参照して説明する。１行目の走査電極３０１については、オフセット電圧Ｖ01を印加した直後に選択電圧（−Ｖｒ＋Ｖｍ）が印加されるため、両者の印加間隔は短かく、前回の発光の際に生じた発光層両端の内部分極電荷は未だ殆どリークしていない。従って、移動電荷量は多く、発光輝度は高い（図４参照）。
【００４４】
そして、正フィールドとは逆順で走査が進み、最後に走査される走査電極２０１では内部分極電荷のリークがより多くなっている。即ち、前回正フィールドにおいて発光したことで発生している正極性の分極電荷が減少する結果、相対的に負極性の電荷が増加する。その分だけ合成電圧−Ｖｒが印加された場合の移動電荷量はより小さく、発光輝度は比較的大きく減少することになる（図３参照）。また、発光しきい値電圧−Ｖｔ’は若干負側に高くなる方向にシフトしている。
【００４５】
以上のように、正フィールド，負フィールドの駆動により１サイクルの表示動作が終了し、これを繰り返し行う。すると、図３に示すように、正フィールドにおいて発光タイミングが早く発光輝度が高かった画素は、負フィールドにおける発光タイミングが遅くなり発光輝度が低くなる。また、図４に示すように、負フィールドにおいて発光タイミングが早く発光輝度が高かった画素は、逆に正フィールドにおける発光タイミングが遅く発光輝度が低くなる。
【００４６】
これに対して、図６及び図７には従来の駆動方式の場合に対応する。即ち、従来の駆動方式では、図６に示すように、正フィールドにおいて発光タイミングが早く発光輝度が高かった画素は、負フィールドにおいても発光輝度が高い。また、図７に示すように、正フィールドにおいて発光タイミングが遅く発光輝度が低かった画素は、正フィールドにおいても発光輝度が低くなる。従来はこの状態が固定されてしまうことで、走査方向について輝度むらが生じていた。
【００４７】
ここで、図２には、図７に示したものと同様のＥＬディスプレイについて負フィールドの走査順を正フィールドと逆にした場合に、測定ポイント▲１▼〜▲６▼の輝度を測定したものである。この図２から明らかなように、負フィールドにおける発光輝度の高低は正フィールドに対して逆であり、測定ポイント▲４▼〜▲６▼が高く、▲１▼〜▲３▼側が低くなっている。
【００４８】
従って、上記の駆動方式を繰り返し行なえば、ＥＬ表示パネル１の発光輝度は、上端側と下端側とが交互に高くなるので、人間の目には平均化されて輝度むらが解消されているように感じられることになる。尚、この場合、フリッカ（ちらつき）の発生を防止するため、正負フィールドの駆動サイクルは５０Ｈｚ以上に設定する。
【００４９】
以上のように本実施例によれば、ＥＬ表示パネル１を表示させるため走査電極２０１等に対して線順次走査を行なう方向を一定周期毎に反転させるようにした。従って、走査方向に配列される各画素１１１等における分極電荷の発生状態を平均化することができ、ＥＬ表示パネル１の走査方向における発光輝度も平均化されるので、オフセット電圧を低下させることなく輝度むらを良好に解消することができる。
【００５０】
そして、フィールド反転駆動方式において、そのフィールドの反転タイミングに同期して走査方向の反転を行うので、走査方向の制御が容易になると共に、輝度むらの解消を良好に行なうことができる。また、線順次走査方向を２回反転させる周波数を５０Ｈｚ以上に設定するので、フリッカの発生を抑制することができる。
【００５１】
加えて、走査電圧をなすオフセット電圧を従来よりも高い６０Ｖ以上に設定した。即ち、本発明の駆動方式を用いれば、オフセット電圧を高くして１回の走査につき発生する輝度むらの度合いが多少上昇したとしても、走査方向を反転させることで輝度むらを時間平均的に解消することができる。
【００５２】
本発明は上記し且つ図面に記載した実施例にのみ限定されるものではなく、以下のような変形または拡張が可能である。
走査方向の反転は、必ずしもフィールド反転タイミングに同期して行う必要はなく、例えば、反転サイクルの数周期毎に１回行うようにしても良い。
線順次走査方向を２回反転させる周波数は、必ずしも５０Ｈｚ以上にする必要はない。
また、オフセット電圧を６０Ｖ未満に設定しても良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例であり、ＥＬ表示パネルに印加する駆動電圧のタイミングチャート
【図２】ＥＬディスプレイの各測定ポイントについて輝度を測定した結果を示す図
【図３】ＱＶ特性図（その１）
【図４】ＱＶ特性図（その２）
【図５】ＥＬディスプレイ駆動装置の全体構成を概略的に説明する図
【図６】従来の駆動方式によるＱＶ特性図（その１）
【図７】ＱＶ特性図（その２）
【図８】図２相当図
【符号の説明】
１はＥＬ表示パネル（ＥＬディスプレイ）、２，３は走査側ドライバＩＣ（走査側駆動回路）、４はデータ側ドライバＩＣ（データ側駆動回路）、１１１、１１２、・・・１２１、・・・は無機ＥＬ素子（画素）、２０１、２０２、・・・３０１、３０２、・・・は走査電極、４０１、４０２、４０３、・・・はデータ電極を示す。

Claims

走査電極とデータ電極との交点に形成される無機ＥＬ素子を画素としてなるＥＬディスプレイを駆動するもので、オフセット電圧と選択電圧とに基づいて出力される走査電圧を前記走査電極に印加可能に構成される走査側駆動回路と、データ電圧を前記データ電極に印加するデータ側駆動回路とを備え、前記走査電圧と前記データ電圧との合成電圧を線順次走査方式により各画素に印加するＥＬディスプレイ駆動装置において、
前記走査電極に対して線順次走査を行なう方向を、前記画素に印加する合成電圧極性を反転させる毎に反転させるように構成したことを特徴とするＥＬディスプレイ駆動装置。
走査電極とデータ電極との交点に形成される無機ＥＬ素子を画素としてなるＥＬディスプレイを駆動するもので、オフセット電圧と選択電圧とに基づいて出力される走査電圧を前記走査電極に印加可能に構成される走査側駆動回路と、データ電圧を前記データ電極に印加するデータ側駆動回路とを備え、前記走査電圧と前記データ電圧との合成電圧を線順次走査方式により各画素に印加するＥＬディスプレイ駆動装置において、
前記走査電極に対して線順次走査を行なう方向を、一定周期毎に反転させるように構成すると共に、前記走査電圧をなすオフセット電圧が、６０Ｖ以上であることを特徴とするＥＬディスプレイ駆動装置。
前記線順次走査方向を２回反転させる周波数を、５０Ｈｚ以上に設定したことを特徴とする請求項１または２記載のＥＬディスプレイ駆動装置。
走査電極とデータ電極との交点に形成される無機ＥＬ素子を画素としてなるＥＬディスプレイを駆動する際に、オフセット電圧と選択電圧とに基づいて出力される走査電圧を前記走査電極に印加すると共に、データ電圧を前記データ電極に印加することで、前記走査電圧と前記データ電圧との合成電圧を線順次走査方式により各画素に印加する駆動方法において、
前記走査電極に対して線順次走査を行なう方向を、前記画素に印加する合成電圧極性を反転させる毎に反転させることを特徴とするＥＬディスプレイの駆動方法。
走査電極とデータ電極との交点に形成される無機ＥＬ素子を画素としてなるＥＬディスプレイを駆動する際に、オフセット電圧と選択電圧とに基づいて出力される走査電圧を前記走査電極に印加すると共に、データ電圧を前記データ電極に印加することで、前記走査電圧と前記データ電圧との合成電圧を線順次走査方式により各画素に印加する駆動方法において、
前記走査電極に対して線順次走査を行なう方向を、一定周期毎に反転させると共に、
前記走査電圧をなすオフセット電圧を、６０Ｖ以上とすることを特徴とするＥＬディスプレイの駆動方法。
前記線順次走査方向を２回反転させる周波数を、５０Ｈｚ以上に設定することを特徴とする請求項４または５記載のＥＬディスプレイの駆動方法。