JP3969377B2 - 情報記録媒体および情報記録方法 - Google Patents
情報記録媒体および情報記録方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3969377B2 JP3969377B2 JP2003347766A JP2003347766A JP3969377B2 JP 3969377 B2 JP3969377 B2 JP 3969377B2 JP 2003347766 A JP2003347766 A JP 2003347766A JP 2003347766 A JP2003347766 A JP 2003347766A JP 3969377 B2 JP3969377 B2 JP 3969377B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- recording
- information
- electrode
- information recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 39
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 65
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 46
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 15
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 14
- 238000004040 coloring Methods 0.000 claims description 11
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 7
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 224
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 description 39
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 33
- 239000010408 film Substances 0.000 description 28
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 28
- -1 polyphenylene vinylene Polymers 0.000 description 26
- 230000008859 change Effects 0.000 description 21
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 19
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 18
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 18
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 17
- XFCMNSHQOZQILR-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methylprop-2-enoyloxy)ethoxy]ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCOCCOC(=O)C(C)=C XFCMNSHQOZQILR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 12
- 229920000379 polypropylene carbonate Polymers 0.000 description 12
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 11
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 11
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 11
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 10
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 10
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 10
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 9
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 9
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 8
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 8
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 8
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 7
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 6
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 6
- MHCFAGZWMAWTNR-UHFFFAOYSA-M lithium perchlorate Chemical compound [Li+].[O-]Cl(=O)(=O)=O MHCFAGZWMAWTNR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical group [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 229910003002 lithium salt Inorganic materials 0.000 description 5
- 159000000002 lithium salts Chemical class 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 125000005395 methacrylic acid group Chemical class 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 description 5
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 5
- DAOVDVOWGQZTNW-UHFFFAOYSA-N 3,4-dimethyl-3,4-dihydro-2h-thieno[3,4-b][1,4]dioxepine Chemical compound O1C(C)C(C)COC2=CSC=C21 DAOVDVOWGQZTNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 239000011244 liquid electrolyte Substances 0.000 description 4
- 229910001486 lithium perchlorate Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 4
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 4
- 239000005518 polymer electrolyte Substances 0.000 description 4
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 4
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZUDCKLVMBAXBIF-UHFFFAOYSA-N 3,4-dimethoxythiophene Chemical compound COC1=CSC=C1OC ZUDCKLVMBAXBIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Chemical class 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910013870 LiPF 6 Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 3
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 3
- 239000011245 gel electrolyte Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 238000009830 intercalation Methods 0.000 description 3
- 230000002687 intercalation Effects 0.000 description 3
- MCVFFRWZNYZUIJ-UHFFFAOYSA-M lithium;trifluoromethanesulfonate Chemical compound [Li+].[O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F MCVFFRWZNYZUIJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 1,2-Divinylbenzene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1C=C MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UWFRVQVNYNPBEF-UHFFFAOYSA-N 1-(2,4-dimethylphenyl)propan-1-one Chemical compound CCC(=O)C1=CC=C(C)C=C1C UWFRVQVNYNPBEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GZBSIABKXVPBFY-UHFFFAOYSA-N 2,2-bis(hydroxymethyl)propane-1,3-diol;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OCC(CO)(CO)CO GZBSIABKXVPBFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LEJBBGNFPAFPKQ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-prop-2-enoyloxyethoxy)ethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCOCCOC(=O)C=C LEJBBGNFPAFPKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- INQDDHNZXOAFFD-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-prop-2-enoyloxyethoxy)ethoxy]ethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCOCCOCCOC(=O)C=C INQDDHNZXOAFFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCLJOFJIQIJXHS-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[2-(2-prop-2-enoyloxyethoxy)ethoxy]ethoxy]ethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCOCCOCCOCCOC(=O)C=C HCLJOFJIQIJXHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJAMAMPVPZBIQX-UHFFFAOYSA-N 3,6-dihydro-2h-[1,4]dioxino[2,3-c]pyrrole Chemical compound O1CCOC2=CNC=C21 IJAMAMPVPZBIQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N Butylmethacrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)=C SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910013063 LiBF 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical class CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000005811 Viola adunca Nutrition 0.000 description 2
- 240000009038 Viola odorata Species 0.000 description 2
- 235000013487 Viola odorata Nutrition 0.000 description 2
- 235000002254 Viola papilionacea Nutrition 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- ZQMIGQNCOMNODD-UHFFFAOYSA-N diacetyl peroxide Chemical compound CC(=O)OOC(C)=O ZQMIGQNCOMNODD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical compound C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- DCYOBGZUOMKFPA-UHFFFAOYSA-N iron(2+);iron(3+);octadecacyanide Chemical compound [Fe+2].[Fe+2].[Fe+2].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-] DCYOBGZUOMKFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001496 lithium tetrafluoroborate Inorganic materials 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001451 organic peroxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 2
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 2
- 229920001281 polyalkylene Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229960003351 prussian blue Drugs 0.000 description 2
- 239000013225 prussian blue Substances 0.000 description 2
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 238000012552 review Methods 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- SWAXTRYEYUTSAP-UHFFFAOYSA-N tert-butyl ethaneperoxoate Chemical compound CC(=O)OOC(C)(C)C SWAXTRYEYUTSAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XHAFIUUYXQFJEW-UHFFFAOYSA-N 1-chloroethenylbenzene Chemical compound ClC(=C)C1=CC=CC=C1 XHAFIUUYXQFJEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STMDPCBYJCIZOD-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4-dinitroanilino)-4-methylpentanoic acid Chemical compound CC(C)CC(C(O)=O)NC1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1[N+]([O-])=O STMDPCBYJCIZOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JKIQZNZNSFBJQK-UHFFFAOYSA-N 2-(butoxymethyl)oxirane;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCCCOCC1CO1 JKIQZNZNSFBJQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JKNCOURZONDCGV-UHFFFAOYSA-N 2-(dimethylamino)ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CN(C)CCOC(=O)C(C)=C JKNCOURZONDCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylhexyl acrylate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C=C GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HDPLHDGYGLENEI-UHFFFAOYSA-N 2-[1-(oxiran-2-ylmethoxy)propan-2-yloxymethyl]oxirane Chemical compound C1OC1COC(C)COCC1CO1 HDPLHDGYGLENEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVCHRIQAIOHAIC-UHFFFAOYSA-N 2-[1-[1-[1-(oxiran-2-ylmethoxy)propan-2-yloxy]propan-2-yloxy]propan-2-yloxymethyl]oxirane Chemical compound C1OC1COC(C)COC(C)COC(C)COCC1CO1 FVCHRIQAIOHAIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AOBIOSPNXBMOAT-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)ethoxymethyl]oxirane Chemical compound C1OC1COCCOCC1CO1 AOBIOSPNXBMOAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HWSSEYVMGDIFMH-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[2-(2-methylprop-2-enoyloxy)ethoxy]ethoxy]ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCOCCOCCOC(=O)C(C)=C HWSSEYVMGDIFMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDQMWEYDKDCEHT-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C(C)=C WDQMWEYDKDCEHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl prop-2-enoate Chemical compound OCCOC(=O)C=C OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHSHLMUCYSAUQU-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxypropyl methacrylate Chemical compound CC(O)COC(=O)C(C)=C VHSHLMUCYSAUQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWZMWHWAWHPNHN-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxypropyl prop-2-enoate Chemical compound CC(O)COC(=O)C=C GWZMWHWAWHPNHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNOOCRQGKGWSJE-UHFFFAOYSA-N 3,4-dihydro-2h-thieno[3,4-b][1,4]dioxepine Chemical compound O1CCCOC2=CSC=C21 WNOOCRQGKGWSJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KSXHZOTTWSNEHY-UHFFFAOYSA-N 3-[3-(2-cyanoethoxy)-2,2-bis(2-cyanoethoxymethyl)propoxy]propanenitrile Chemical group N#CCCOCC(COCCC#N)(COCCC#N)COCCC#N KSXHZOTTWSNEHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KPOCSQCZXMATFR-UHFFFAOYSA-N 3-butylthiophene Chemical compound CCCCC=1C=CSC=1 KPOCSQCZXMATFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CKGUYTNEYKYAQZ-UHFFFAOYSA-N 3-hexyl-1h-pyrrole Chemical compound CCCCCCC=1C=CNC=1 CKGUYTNEYKYAQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOWXBGIZDALBJW-UHFFFAOYSA-N 3h-dioxepine Chemical compound C1OOC=CC=C1 JOWXBGIZDALBJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DBCAQXHNJOFNGC-UHFFFAOYSA-N 4-bromo-1,1,1-trifluorobutane Chemical compound FC(F)(F)CCCBr DBCAQXHNJOFNGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YPSMDYRICZBKPJ-UHFFFAOYSA-N 4-ethoxythiophene Chemical compound CCOC1=[C]SC=C1 YPSMDYRICZBKPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017008 AsF 6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 description 1
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BHPQYMZQTOCNFJ-UHFFFAOYSA-N Calcium cation Chemical compound [Ca+2] BHPQYMZQTOCNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N Epichlorohydrin Chemical compound ClCC1CO1 BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N Ethylene carbonate Chemical compound O=C1OCCO1 KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000618 GeSbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCO WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018287 SbF 5 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018286 SbF 6 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane triacrylate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CC)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKKRPWIIYQTPQF-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane trimethacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(CC)(COC(=O)C(C)=C)COC(=O)C(C)=C OKKRPWIIYQTPQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N [2-(hydroxymethyl)-3-prop-2-enoyloxy-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CO)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SWHLOXLFJPTYTL-UHFFFAOYSA-N [2-methyl-3-(2-methylprop-2-enoyloxy)-2-(2-methylprop-2-enoyloxymethyl)propyl] 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(C)(COC(=O)C(C)=C)COC(=O)C(C)=C SWHLOXLFJPTYTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000005011 alkyl ether group Chemical group 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001424 calcium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- JYYOBHFYCIDXHH-UHFFFAOYSA-N carbonic acid;hydrate Chemical group O.OC(O)=O JYYOBHFYCIDXHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000010538 cationic polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002322 conducting polymer Substances 0.000 description 1
- 239000002772 conduction electron Substances 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009831 deintercalation Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- LSXWFXONGKSEMY-UHFFFAOYSA-N di-tert-butyl peroxide Chemical compound CC(C)(C)OOC(C)(C)C LSXWFXONGKSEMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPLRAVKSCUXZTP-UHFFFAOYSA-N diglycerol Chemical compound OCC(O)COCC(O)CO GPLRAVKSCUXZTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N dioxoiridium Chemical compound O=[Ir]=O HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GMSCBRSQMRDRCD-UHFFFAOYSA-N dodecyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCOC(=O)C(C)=C GMSCBRSQMRDRCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005520 electrodynamics Effects 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=C SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STVZJERGLQHEKB-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol dimethacrylate Substances CC(=C)C(=O)OCCOC(=O)C(C)=C STVZJERGLQHEKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N glycidyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1CO1 VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N hypochlorous acid Chemical compound ClO QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 229910000457 iridium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007661 iron cyano complex Chemical class 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000004093 laser heating Methods 0.000 description 1
- PBOSTUDLECTMNL-UHFFFAOYSA-N lauryl acrylate Chemical compound CCCCCCCCCCCCOC(=O)C=C PBOSTUDLECTMNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 description 1
- HSZCZNFXUDYRKD-UHFFFAOYSA-M lithium iodide Chemical compound [Li+].[I-] HSZCZNFXUDYRKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QSZMZKBZAYQGRS-UHFFFAOYSA-N lithium;bis(trifluoromethylsulfonyl)azanide Chemical compound [Li+].FC(F)(F)S(=O)(=O)[N-]S(=O)(=O)C(F)(F)F QSZMZKBZAYQGRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000005641 methacryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- ZIUHHBKFKCYYJD-UHFFFAOYSA-N n,n'-methylenebisacrylamide Chemical compound C=CC(=O)NCNC(=O)C=C ZIUHHBKFKCYYJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBCQUCJYYPMKRO-UHFFFAOYSA-N prop-2-enyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC=C FBCQUCJYYPMKRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000007928 solubilization Effects 0.000 description 1
- 238000005063 solubilization Methods 0.000 description 1
- 150000003440 styrenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- DZLFLBLQUQXARW-UHFFFAOYSA-N tetrabutylammonium Chemical compound CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC DZLFLBLQUQXARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoquinodimethane Chemical compound N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBXCPBUEXACCNR-UHFFFAOYSA-N tetraethylammonium Chemical compound CC[N+](CC)(CC)CC CBXCPBUEXACCNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002411 thermogravimetry Methods 0.000 description 1
- 238000001757 thermogravimetry curve Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
- G02F1/1514—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material
- G02F1/1523—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material comprising inorganic material
- G02F1/1525—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material comprising inorganic material characterised by a particular ion transporting layer, e.g. electrolyte
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Description
従来から、DVD−RAMのように、記録膜に相変化膜を用いるものや、CD−RやDVD−Rのように、有機材料を情報層とした光ディスクが存在している。有機材料を情報層とした光ディスクは,記録光源の波長に吸収を有する色素を含む情報層を有し,それに接する基板表面をレーザ照射で変質させて記録を行う。
また,上記の特開昭63−122032号では,記録層が常に光吸収を有するので多層化ができず,1層あたりの記録容量以上の大容量化が困難であるという課題があった。
本発明の目的は,高密度・高速な光情報記録方法および情報記録媒体を提供することにある。
本発明の情報記録媒体は,図1の断面構造に示すような構成を基本単位とする。基本単位は,導電性高分子エレクトロクロミック材料を含むエレクトロクロミック層1と,エレクトロクロミック層1に隣接して設けられた,電圧印加によってエレクトロクロミック層1へ拡散するイオンを有する電解質層2と,エレクトロクロミック層1および電解質層2の両側を,第1の電極3および第2の電極4によって挟んだ構造を有する。電極3,4は、電源5によって電圧が印加される。
導電性高分子エレクトロクロミック材料を含む情報層に隣接して設けられた,電圧印加によって情報層へ拡散するイオンを有する電解質層は,導電性高分子エレクトロクロミック材料へ拡散させるためのイオンおよび支持体である高分子材料を少なくとも含む。
導電性高分子エレクトロクロミック材料を含むエレクトロクロミック層1は,電解質層2を隣接して設け,電解質層2に含まれるイオンが,エレクトロクロミック層1および電解質層2を挟む第1の電極3および第2の電極4の間に,電源5を用いて電圧を印加することによって,エレクトロクロミック層1中に拡散する。電解質層2中のイオンをエレクトロクロミック層1へ拡散させることを以下,ドーピングと言う。電圧制御により,エレクトロクロミック層1の光吸収特性,すなわち色が可逆的に変化し,記録用の光6に対して吸収を有する状態すなわち着色状態と吸収がない状態すなわち消色状態とを任意に選択できる。記録用の光6に対して吸収を有する状態では,光6を照射すると,照射した領域において,発生した熱による記録,すなわち熱記録が行なわれ,エレクトロクロミック性が減少する。ここでのエレクトロクロミック性の減少とは,もともと着色状態と消色状態の両方をとることができていたのが,着色しなくなることを言う。記録を行なう際に,情報層を着色するべく印加するとは、一定の電圧印加条件において,記録後の情報層の光透過率(百分率%)から,記録前の着色状態での情報層の光透過率(百分率%)を差し引いた値が10%以上であること,と定義される。記録のための光6の照射は,逆向きの電解質層2の側から行なっても良い。なお、情報の記録は,レーザ照射またはレーザ加熱により行われる。
(a) 熱分解性のイオン伝導性高分子電解質を用いる,
(b) 熱架橋性のイオン伝導性高分子,オリゴマー,あるいは低分子モノマーを用いる,
がある。
これらのアクリル化合物およびメタクリル化合物は,化合物一分子中のアクリル基またはメタクリル基の数により,一官能,二官能,三官能,四官能,といった分類ができる。一官能よりは二官能,三官能というように官能基数が多いほど架橋効率が高いので,記録密度・感度も高くなることが期待できる。アクリル化合物ではトリアクリレート類,テトラアクリレート類,メタクリル化合物ではトリメタクリレート類,テトラメタクリレート類が記録特性上好ましい。エポキシ化合物でも同様で,二官能,三官能あるいはそれらよりさらに多官能の化合物が優れている。
上記導電性高分子エレクトロクロミック材料の中で,ポリアニリン54およびポリチオフェン類は,ポリピロール52よりも安定である。ポリチオフェン類はポリアニリン54よりも着色時と消色時の色のコントラストが大きく,特に消色時の透明性に優れる。ポリチオフェン類の中ではとりわけポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)55,ポリ(3,4-ブチレンジオキシチオフェン)58,ポリ(3,4-ジメチル-3,4-ジヒドロ-2H-チエノ[3,4-b][1,4]ジオキセピン)59,ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)のアルキル化誘導体60は化学的に安定でかつ着色・消色のコントラストが大きいので好ましい。
エレクトロクロミック層の形成は,導電性高分子エレクトロクロミック材料を水または有機溶剤に溶解してキャスティングや回転塗布する方法,蒸着,モノマーを用いた電極上での電界重合によって行うことが可能である。情報層は,電極上に形成した電解質層の上に,回転塗布や蒸着などによって積層してもよい。エレクトロクロミック層は,消色状態での光透過率が90%以上,着色状態での光透過率が60%以下であることが望ましい。情報層の厚さは,100nm以下が望ましい。
図12は,この発明の第1実施例のディスク状情報情報記録媒体の構造を示す図である。図12はディスクの1/4の構造図を示す。図12の上部の放射状透明電極は,同じ形状のものがディスク面を埋め尽くすように多数有るが,そのうち2本だけを描いている。記録・再生光は上方から基板を通して入射するが,図では最上部の基板は省略している。図13にはディスクの一部の拡大図を示す。通常は光スポットから見て凸の,グルーブと呼ばれる部分に記録・再生する場合が多いが,本実施例ではランド部に記録する場合を示す。図12の上部の電極の切れ目は,図12の放射状電極の間の隙間に対応している。A−A' 断面の全体は,既に示した図11のようになっている。
前記のようにして製作した情報記録媒体のエレクトロクロミック層の特性を評価した。図15は,情報層の可視域(波長500 nmから700 nm)の吸収スペクトルである。ディスク中央部の電極間に電圧を印加し始めてから1分後の,十分に定常状態に達した状態で測定した。電圧印加の方向は,互いに隣接しあう情報層と電解質層のうち,電解質層側を正とする。図15中,点線151で示した,電圧を印加していない時には,波長550nmから700nmにかけてほぼ完全に透明であるが,実線152で示した+3.0V印加時には,波長660nmを極大とする吸収帯が現れた。このときの波長660nmにおける透過率は40%であった。
上記情報記録媒体に対して,情報の記録再生を行った。以下に,図17を用いて,本情報記録再生の動作を説明する。まず,記録再生を行う際のモータ制御方法としては,記録再生を行うゾーン毎にディスクの回転数を変化させるZCAV(Zoned Constant Linear Ve1ocity)方式を採用したものについて述べる。図17中、166はプリアンプ回路、167はL/Gサーボ回路、168はモータ、169は信号入力、170は信号出力を示す。
DVD−RAMおよびDVD−RWには高密度記録が実現できるマークエッジ記録方式が採用されている。マークエッジ記録とは,記録膜に形成する記録マークの両端の位置をディジタルデータの1に対応させるもので,これにより,最短記録マークの長さを基準クロック1個でなく2〜3個分に対応させて高密度化することもできる。DVD−RAMでは8−16変調方式を採用しており,基準クロック3個分に対応させている。マークエッジ記録方式は,円形記録マークの中心位置をディジタルデータの1に対応させるマークポジション記録に比べると,記録マークを極端に小さくしなくても高密度記録できるという長所がある。ただし,記録マークの形状歪みが小さいことが情報記録媒体に要求される。
導電性高分子エレクトロクロミック材料を用いた情報記録媒体では,記録波形を変えない場合,良好な記録再生特性を得るために,最適線速度で記録するのが望ましい。しかし,ディスク上の半径の異なる記録トラック間をアクセスする時,線速度を同じにするために回転数を変えるのには時間がかかる。そこでDVD−RAMでは,アクセス速度が小さくならないようにディスクの半径方向を24のゾーンに分け,ゾーン内では一定回転数とし,別のゾーンにアクセスしなければならない時だけ回転数を変えるZCLV(Zoned Constant Linear Velocity)方式を採用している。この方式では,ゾーン内の1番内周のトラックと一番外周のトラックで線速度が少し異なるので記録密度も少し異なるが,ディスク全域にわたってほぼ最大の密度で記録することができる。
電極材料としては,記録レーザ光の波長において吸収がない,すなわち透明であるという光学特性が重要である。透明電極の材料としては,(In2O3)x(SnO2)1−xの組成で,xが5%から99%の範囲の材料,抵抗値の面でより好ましくは,xが90%から98%の範囲の材料,これにモル%で50%以下のSiO2を添加したもの,SnO2にモル%で2から5%のSb2O3などの他の酸化物を添加したものが使用可能である。また,フッ素をドープしたSnO2は,低抵抗かつ光透過率も高く,使用できる。あるいは,IZO(indium zinc oxide)は,表面の凹凸が少なく製膜できる利点があるので,電極層に使用可能である。レーザ光の情報記録媒体への入射側から見て奥側の電極層には,高い透明性は必ずしも要求されないので,光ディスク用に好ましい金属も使用可能である。反射率と熱伝導率が高い金属層は,AlあるいはAl合金の場合,Cr,Tiなどの添加元素が4原子%以下の高熱伝導率材料であるのが,基板表面の温度上昇を防止する効果があって好ましい。次いで,Au,Ag,Cu,Ni,Fe,Co,Cr,Ti,Pd,Pt,W,Ta,Mo,Sb,Bi,Dy,Cd,Mn,Mg,Vの元素単体,またはAu合金,Ag合金,Cu合金,Pd合金,Pt合金,Sb−Bi,SUS,Ni−Cr,などこれらを主成分とする合金,あるいはこれら同志の合金よりなる層を用いてもよい。このように,電極兼反射層は,金属元素,半金属元素,これらの合金,混合物,からなる。この中で,Cu,Ag,Au単体あるいはCu合金,Ag合金,特にPd,Cuなどの添加元素が8原子%以下のもの,Au合金等のように熱伝導率が大きいものは,有機材料の熱劣化を抑制する。可視域に吸収帯を持たない,狭バンドギャップ構造を有するポリチオフェン誘導体,ポリピロール誘導体,ポリアセチレンなどの導電性有機材料も使用可能である。
本実施例では,表面に直接,トラッキング用の溝を有するポリカーボネート基板を用いた。トラッキング用の溝を有する基板とは,基板表面全面または一部に,記録・再生波長をλとしたとき,λ/15n(nは基板材料の屈折率)以上の深さの溝を持つ基板である。溝は一周で連続的に形成されていても,途中分割されていてもよい。溝深さが約λ/12nの時,トラッキングとノイズのバランスの面で好ましいことがわかった。また,その溝幅は場所により異なっていてもよい。溝部とランド部の両方に記録・再生が行えるフォーマットを有する基板でも,どちらか一方に記録を行うフォーマットの基板でも良い。グルーブのみに記録するタイプでは,トラックピッチが波長/絞込みレンズのNAの0.7倍付近,グルーブ幅がその1/2付近のものが好ましい。
本実施例の情報記録媒体では,例えば,記録線速度8m/s以上の条件では,記録レーザパワーを8mWに設定した。
読出しレーザパワーは,1mWに設定した。
情報層に用いる導電性高分子エレクトロクロミック材料として,ポリ(3,4−エチレンジオキシピロール),ポリ(3−ヘキシルピロール),ポリ(3,4-ブチレンジオキシチオフェン),ポリ(3,4-ジメチル-3,4-ジヒドロ-2H-チエノ[3,4-b][1,4]ジオキセピン)を用いた場合でも,記録,再生を行なうことができた。
電解質層に用いる高分子として,ポリプロピレンカーボネートの代わりに,ポリエチレンカーボネートを用いた情報記録媒体の場合でも,同様に,記録・再生を行なうことができた。
図19に,本実施例の記録装置の回転軸付近の構造,図20に記録装置制御回路のブロック図を示した。記録装置からは,回転軸の3本のスリップリング182,183,184に,電圧と,情報記録媒体の層の選択信号が供給される。コンデンサを含む図18の回路はディスク受け部品188の中空内部に内蔵されており,印加電圧切替え・制御回路を経て回路ブロック図の右端の各層への配線は,回転軸の電極185,186,187に接続されている。図18中、201は層選択信号、202は可変電源、203は層選択回路、204は電流制御器、205は第1層選択の信号、206は第2層選択の信号、207は第3層選択の信号、208は第4層選択の信号である。図19で、電極は8本有るが,他の5本は回転軸の見えていない面にあるので省略してある。これにより,着色させるべき層にはプラス電圧,消色する際にはマイナス電圧が印加される。図19中、181は回転軸、185は第1の接触電極、186は第2の接触電極、187は第3の接触電極、189は絶縁体、190は位置決め用凸部である。
2:電解質層
3:第1の電極
4:第2の電極
5:電源
6:光
8:ポリチオフェンのアロマティック型構造
9:ポリチオフェンのキノイド型構造
12:ポリチオフェンの中性状態の分子構造
13:ポリチオフェンへのアクセプタドーピングによる1電子酸化反応
14:ポリチオフェンの1電子酸化状態の分子構造
15:緩和過程
16:ポーラロン状態
17:バイポーラロン状態
18:ポリチオフェンへのドナードーピングによる1電子還元反応
19:ポリチオフェンへのアクセプタドーピングによる1電子酸化反応
20:ポリチオフェンへのドナードーピングによる1電子還元反応
21:中性状態におけるバンド構造
22:価電子帯
23:伝導帯
24:禁制帯幅
25:電子のエネルギー
26:許容遷移
27:正のポーラロン状態におけるバンド構造
28:ポーラロン準位P+
29:ポーラロン準位P-
30:ポーラロン状態における許容遷移
31:バイポーラロン状態におけるバンド構造
32:バイポーラロン準位BP+
33:バイポーラロン準位BP-
34:バイポーラロン状態における許容遷移
40:電子のエネルギー
41:伝導帯
42:価電子帯
43:禁制帯
44:禁制帯幅
45:ドナー準位
46:伝導帯の底
47:アクセプタ準位
51:ポリチオフェン
52:ポリピロール
54:ポリアニリン
55:ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)
56:ポリ(3,4-エチレンジオキシピロール)
57:ポリ(3,4-ジメトキシチオフェン)
58:ポリ(3,4-ブチレンジオキシチオフェン)
59:ポリ(3,4-ジメチル-3,4-ジヒドロ-2H-チエノ[3,4-b][1,4]ジオキセピン)
60:ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)のアルキル化誘導体
91:保護層
92:第1の電極層
93:電解質層
94:エレクトロクロミック層
95:第2の電極層
96:紫外線硬化樹脂層
97:貼り合せ保護基板
98:基板
99:ランド部
100:グルーブ部
101:入射レーザ光
110:貼り合わせ基板
111:積層膜
112:透明電極
113:透明電極
114:透明電極からの引き出し電極
115:透明電極からの引き出し電極
116:ディスク中心
117:電極間スペース
118:細い金属電極
119:細い金属電極
131:保護層
132:第1の電極層
133:電解質層
134:エレクトロクロミック層
135:第2の電極層
136:紫外線硬化樹脂層
139:ランド部
140:グルーブ部
141:回転軸
142:第1のスリップリング
143:第2のスリップリング
144:第3のスリップリング
145:第1の接触電極
146:第2の接触電極
147:第3の接触電極
148:ディスク受け部品
149:絶縁体
150:位置決め用凸部
151:印加電圧0 Vの時の情報層の可視吸収スペクトル
152:印加電圧+3.0 Vの時の情報層の可視吸収スペクトル
153:記録・再生に必要な着色濃度
160:光ディスク
161:8−16変調器
162:記録波形発生回路
163:レーザ駆動回路
164:光ヘッド
165:8−16復調器
166:プリアンプ回路
167:L/Gサーボ回路
168:モータ
169:信号入力
170:信号出力
171:印加電圧-1 Vの時の情報層の可視吸収スペクトル
172:印加電圧+3 Vの時の情報層の可視吸収スペクトル
181:回転軸
182:第1のスリップリング
183:第2のスリップリング
184:第3のスリップリング
185:第1の接触電極
186:第2の接触電極
187:第3の接触電極
188:ディスク受け部品
189:絶縁体
190:位置決め用凸部
201:層選択信号
202:可変電源
203:層選択回路
204:電流制御器
205:第1層選択の信号
206:第2層選択の信号
207:第3層選択の信号
208:第4層選択の信号
211:ポリカーボネート基板
212:SiO2層
213:IZO透明電極
214:エレクトロクロミック層
215:電解質層
216:IZO透明電極
217:ZnS・SiO2絶縁層
218:ポリカーボネート基板
219:第1層
220:第2層
221:第3層
222:第4層
230:ポリカーボネート基板
231:ITO電極層
232:エレクトロクロミック層
233:電解質層
234:ITO電極層
235:ポリカーボネート基板
240:電子のエネルギー
241:タングステン原子(5価)のエネルギー準位
242:タングステン原子(6価)のエネルギー準位
243:原子価間遷移
301:ポリアルキレンカーボネート(PAC)
302:重合度
303:アルキル基
304:ポリプロピレンカーボネート
305:ポリエチレンカーボネート
306:PECの熱重量測定曲線
310:PECの熱分解反応。
Claims (10)
- 電圧印加によって着色される導電性高分子層である情報層と、
前記導電性高分子層へ電圧を印加して着色させるための電極層と、
電解質層とを有し、
前記電極層は、1対の電極層であり、前記情報層及び前記電解質層を挟むように構成され、
前記電解質層は、光照射により化学反応する化合物を含有し、前記化合物が化学反応した領域の導電性は、化学反応した領域以外の領域の導電性と異なることを特徴とする情報記録媒体。 - 前記光照射による化学反応が熱分解であることを特徴とする請求項1記載の情報記録媒体。
- 前記光照射による化学反応が架橋反応であることを特徴とする請求項1記載の情報記録媒体。
- 前記情報層は、ポーラロン状態またはバイポーラロン状態となることによって光吸収率が変化することを特徴とする請求項1記載の情報記録媒体。
- 前記情報層、前記電極層、前記電解質層のセットが、複数あることを特徴とする請求項1記載の情報記録媒体。
- 前記1対の電極層、前記情報層及び前記電解質層のセットが、複数あることを特徴とする請求項1記載の情報記録媒体。
- 電圧印加によって着色される導電性高分子層と、
前記導電性高分子層へ電圧を印加して着色させるための電極層と、
熱分解性または熱架橋性の少なくとも一方を含む電解質層とを有する情報記録媒体を用
い、
前記電極層に電圧を印加して、
その後、前記媒体に光を照射して、情報を記録することを特徴とする情報記録方法。 - 前記光照射された領域の光透過率は、光照射されていない領域と比較して、高い状態に保たれるように変化することによって情報の記録が行われることを特徴とする請求項7記載の情報記録方法。
- 前記情報記録媒体は、前記情報層と前記電極層と前記電解質層のセットを複数有し、
前記記録の際は、前記複数のセットのうちの所定のセットの電極層に電圧を印加した後、光を照射することを特徴とする請求項7記載の情報記録方法。 - 前記電圧は、間歇的に印加されることを特徴とする請求項7記載の情報記録方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003347766A JP3969377B2 (ja) | 2003-10-07 | 2003-10-07 | 情報記録媒体および情報記録方法 |
US10/959,144 US7436754B2 (en) | 2003-10-07 | 2004-10-07 | Information-recording medium and method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003347766A JP3969377B2 (ja) | 2003-10-07 | 2003-10-07 | 情報記録媒体および情報記録方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005116041A JP2005116041A (ja) | 2005-04-28 |
JP2005116041A5 JP2005116041A5 (ja) | 2006-03-02 |
JP3969377B2 true JP3969377B2 (ja) | 2007-09-05 |
Family
ID=34540170
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003347766A Expired - Fee Related JP3969377B2 (ja) | 2003-10-07 | 2003-10-07 | 情報記録媒体および情報記録方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7436754B2 (ja) |
JP (1) | JP3969377B2 (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7482621B2 (en) * | 2003-02-03 | 2009-01-27 | The Regents Of The University Of California | Rewritable nano-surface organic electrical bistable devices |
US7274035B2 (en) * | 2003-09-03 | 2007-09-25 | The Regents Of The University Of California | Memory devices based on electric field programmable films |
US7544966B2 (en) * | 2003-12-03 | 2009-06-09 | The Regents Of The University Of California | Three-terminal electrical bistable devices |
US7750341B2 (en) * | 2004-05-17 | 2010-07-06 | The Regents Of The University Of California | Bistable nanoparticle-polymer composite for use in memory devices |
US7554111B2 (en) * | 2004-05-20 | 2009-06-30 | The Regents Of The University Of California | Nanoparticle-polymer bistable devices |
AU2005302518A1 (en) * | 2004-10-28 | 2006-05-11 | The Regents Of The University Of California | Organic-complex thin film for nonvolatile memory applications |
US7935404B2 (en) * | 2005-01-31 | 2011-05-03 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | System and method for marking an optical disk |
JP4685507B2 (ja) * | 2005-05-19 | 2011-05-18 | 株式会社日立製作所 | エレクトロクロミックデバイス |
US20070009821A1 (en) * | 2005-07-08 | 2007-01-11 | Charlotte Cutler | Devices containing multi-bit data |
US7746533B2 (en) * | 2005-07-11 | 2010-06-29 | The University Of Connecticut | Electrochromic devices utilizing very low band gap conjugated counter electrodes: preparation and use |
US7317567B2 (en) * | 2005-08-02 | 2008-01-08 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for providing color changing thin film material |
JP2007102989A (ja) * | 2005-09-12 | 2007-04-19 | Hitachi Ltd | 情報記録媒体及びその製造方法 |
JP4676372B2 (ja) * | 2006-04-24 | 2011-04-27 | 株式会社日立製作所 | 多層光記録媒体、情報記録方法及び情報再生方法 |
JP2011180469A (ja) * | 2010-03-03 | 2011-09-15 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | プルシアンブルー型金属錯体ナノ粒子を具備する電気化学素子、これを用いたエレクトロクロミック素子及び二次電池 |
US9087994B2 (en) * | 2010-11-03 | 2015-07-21 | Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg | PEDOT dispersions in organic solvents |
US9653159B2 (en) | 2012-01-18 | 2017-05-16 | Xerox Corporation | Memory device based on conductance switching in polymer/electrolyte junctions |
JP6213908B2 (ja) * | 2013-03-21 | 2017-10-18 | 国立大学法人東京農工大学 | 高分子電解質材料 |
US10115896B1 (en) * | 2017-04-13 | 2018-10-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63122032A (ja) | 1986-11-12 | 1988-05-26 | Hitachi Ltd | 電界効果型光デイスク |
JP2535271B2 (ja) | 1991-10-04 | 1996-09-18 | 信義 越田 | 光情報記録媒体の製造方法 |
JPH11185288A (ja) | 1997-12-17 | 1999-07-09 | Takeshi Aoki | 光ディスクおよび光ディスク装置 |
JP4520628B2 (ja) | 2000-12-14 | 2010-08-11 | セイコーインスツル株式会社 | 情報記録再生方法および情報記録再生装置 |
-
2003
- 2003-10-07 JP JP2003347766A patent/JP3969377B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-10-07 US US10/959,144 patent/US7436754B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7436754B2 (en) | 2008-10-14 |
US20050111071A1 (en) | 2005-05-26 |
JP2005116041A (ja) | 2005-04-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3969377B2 (ja) | 情報記録媒体および情報記録方法 | |
JP4685507B2 (ja) | エレクトロクロミックデバイス | |
JP4120268B2 (ja) | 情報記録媒体および情報記録方法 | |
JP4079068B2 (ja) | 情報記録媒体および情報記録方法 | |
US20050276211A1 (en) | Information recording medium and manufacturing process | |
US7351460B2 (en) | Information recording medium, information recording device, and information recording method | |
US7349319B2 (en) | Information recording apparatus, recording media and recording method | |
US7263053B2 (en) | Information recording method and information recording apparatus | |
JP2006228358A (ja) | 情報記録媒体およびその製造方法 | |
JP2004273055A (ja) | 情報保持媒体、情報記録方法および装置 | |
KR20050115247A (ko) | 전자착색 재료를 사용한 다중 적층체 정보매체 | |
JP4165511B2 (ja) | 情報記録装置 | |
JP4676372B2 (ja) | 多層光記録媒体、情報記録方法及び情報再生方法 | |
US7203152B2 (en) | Multi-stack rolled-up information carrier | |
JP4100398B2 (ja) | 情報記録媒体 | |
JP2006012224A (ja) | 情報記録媒体およびその製造方法 | |
JP2005203046A (ja) | 情報記録媒体、情報記録方法及び記録装置 | |
KR20050113616A (ko) | 전자착색 재료를 갖는 다중 적층체 형광 정보매체 | |
JP2008165898A (ja) | 多層光記録媒体、情報記録方法及び情報再生方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060112 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060112 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20060421 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070220 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070227 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070419 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070515 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070528 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100615 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |