JP3961457B2 - 熱型赤外線撮像素子及びその製造方法 - Google Patents
熱型赤外線撮像素子及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3961457B2 JP3961457B2 JP2003188441A JP2003188441A JP3961457B2 JP 3961457 B2 JP3961457 B2 JP 3961457B2 JP 2003188441 A JP2003188441 A JP 2003188441A JP 2003188441 A JP2003188441 A JP 2003188441A JP 3961457 B2 JP3961457 B2 JP 3961457B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- heat
- groove
- imaging device
- infrared imaging
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000003331 infrared imaging Methods 0.000 title claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 85
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- -1 phosphorus ions Chemical class 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 2
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005387 chalcogenide glass Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSXCBNDGHHHVKT-UHFFFAOYSA-N [Ti].[Sr].[Ba] Chemical compound [Ti].[Sr].[Ba] NSXCBNDGHHHVKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、赤外線を熱に変換する感熱部を備えた熱型赤外線撮像素子に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、冷却装置を必要としない熱型赤外線イメージセンサとして、マイクロマシニング技術を用いた酸化バナジウムのボロメータ型や、BST(Barium-Strontium-Titanium)の焦電型のセンサが製品化されている。これらの製品は、赤外線を吸収して温度を上昇させる感熱部と、この感熱部をシリコン基板と熱的に分離するための支持脚と、画素を選択するための水平アドレス線と、垂直信号線とで構成されている。
【0003】
この種の熱型赤外線イメージセンサは、原理的に、被写体から放射される赤外線を感熱部で吸収し、その際、感熱部の温度上昇を抵抗変化や容量変化等で検知する。このため、感熱部を支持する支持脚は、断熱効果を高めるために断面積を小さくして長さを長くする構造になっている。支持脚は、主にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜と電気信号を伝える配線で構成されているが、その熱抵抗値は空気の熱抵抗より約1桁大きい。したがって、空気による熱伝導を減少するため、撮像素子は真空パッケージに実装されている。
【0004】
外部から入射する赤外線を熱に変換するには、できるだけ受光面積を大きくする必要がある。このため、支持脚やアドレス線上を覆うように傘のような構造体を作り受光面積を増やし、実質的な開口率を増やし入射赤外線による温度上昇を大きくする技術が提案されている(特許文献1参照)。
【0005】
しかしながら、支持脚の熱抵抗が同じ場合、傘のような構造体を追加することにより、熱容量も増加するため、熱容量と熱抵抗の積で規定される熱時定数が増加し、高速応答性が悪化して残像が残ることが問題になっている。
【0006】
このような問題を解決するために、可視光のイメージセンサでも採用されているようなマイクロレンズを配置して、熱時定数を増加させることなく、実質的な開口率を向上させて感度を良くする技術が開示されている(特許文献2,3,4参照)。
【0007】
特に、特許文献2は、マイクロレンズを真空のためのシールとして使用することにより、撮像素子を真空パッケージ中に実装する必要がなくなることを開示している。
【0008】
【特許文献1】
特開平10−209418号公報
【特許文献2】
特開平7−318416号公報
【特許文献3】
特開平9−113352号公報
【特許文献4】
特開平2002−280532号公報
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
特許文献2等に記載の赤外線イメージセンサでは、僅かの光も有効に感熱部に吸収させる必要性から、マイクロレンズと感熱部の光軸整合とマイクロレンズの薄層化が有効と考えられている。
【0010】
ところが、貼り合わせの際、特殊なパターン合わせが必要なため、合わせ精度を1μm以下にすることは困難である。また、薄層化後に真空中で接合することが困難なため、薄層化せずに接合しなければならなく、感熱部での赤外線の収率は十分向上せず、十分な感度が得られなかった。
【0011】
一方、特許文献4には、可視光イメージセンサを用いて、V溝加工したマイクロレンズで集光する技術が開示されている。この文献には、遮光板となる下部電極の形状が長方形に形成されているため、マイクロレンズも円形より長方形の方が集光効率が良い旨が記載されている。
【0012】
特許文献4の可視光イメージセンサは、マイクロレンズとして使用する材料を素子チップに直接積層しているため、V溝の最深部と下地のシリコン酸化膜層あるいはシリコン窒化膜層までの最も薄い部分の厚さをほぼ0にすることができ、マイクロレンズの透過率を上げることができる。
【0013】
しかしながら、特許文献4に開示された技術を熱型赤外線イメージセンサに適応しようとすると、特許文献4は、マイクロレンズと感熱部間の熱分離を十分に考慮していない。
【0014】
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、その目的は、赤外線の検出感度を向上できる熱型赤外線撮像素子及びその製造方法を提供することにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】
本発明の一態様によれば、画素ピッチで複数形成された凸部を有する第1の基板と、前記第1の基板の前記凸部間に前記第1の基板から離間して配置され、入射赤外線を熱に変換する感熱部と、前記感熱部を前記第1の基板から離間して支持する少なくとも1本の支持脚と、前記第1の基板に対向配置され、入射赤外線を屈折させて前記感熱部に集光させる傾斜面を有する溝からなるマイクロプリズムが画素ピッチで複数形成されたマイクロプリズムアレイを有する第2の基板と、を備え、前記凸部の頂面端部が前記溝の傾斜面に接合されてなることを特徴とする熱型赤外線撮像素子が提供される。
【0016】
前記第2の基板は、ゲルマニウム、シリコン、硫化亜鉛及びカルコゲナイドガラスの少なくとも一つの材料で形成される。
【0017】
また、本発明の一態様によれば、画素を選択するためのアドレス線と、画素ピッチで複数形成された凸部と、前記凸部間に配置され入射赤外線を熱に変換する感熱部と、この感熱部を離間して支持する少なくとも1本の支持脚と、を有する第1の基板と、入射赤外線を屈折させて前記感熱部に集光させる傾斜面を有する溝が前記感熱部と同じ間隔で複数形成されたマイクロプリズムアレイを有する第2の基板と、を備えた熱型赤外線撮像素子の製造方法であって、前記第2の基板の前記溝の傾斜面を前記第1の基板の前記凸部の頂面端部に接合した状態で、前記溝と前記凸部とを真空中で接合し、前記第2の基板の前記第1の基板と対向する面とは逆側の面を研磨することを特徴とする熱型赤外線撮像素子の製造方法が提供される。
【0018】
前記凸部と前記溝とは、陽極接合法または表面活性化接合法で接合される。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る熱型赤外線撮像素子及びその製造方法について、図面を参照しながら具体的に説明する。
【0020】
図1は本発明に係る熱型赤外線撮像素子の断面構造の一例を示す断面図であり、1つの撮像素子分の断面構造を示している。1素子のサイズは約40μm四方であり、図1の撮像素子が二次元に配列されて熱型赤外線撮像素子を構成している。
【0021】
図1の撮像素子は、画素を選択するためのアドレス線1が形成された第1の基板2と、この第1の基板2上に離間して形成されて入射赤外線を熱に変換する感熱部3と、感熱部3を第1の基板2から離間して支持する少なくとも1本の支持脚4と、第1の基板2に対向配置されて赤外線を感熱部3に導くV字溝5が画素ピッチで複数形成されたマイクロプリズムアレイ(第2の基板)6とを備えている。
【0022】
第1の基板2は、シリコン基板7をエッチング加工することにより形成され、画素ピッチで凸部8が形成され、凸部8の内部にアドレス線1が形成されている。第1の基板2の凸部8は、第2の基板6のV字溝に噛み合わされて接合される。
【0023】
感熱部3と第1の基板2との間には中空部9が設けられ、感熱部3と第2の基板6との間にも中空部10が設けられている。支持脚4と感熱部3との間の溝部11、支持脚4と第1の基板2との間の溝部12、及び中空部9,10は、1Pa以下の真空状態に維持される。
【0024】
感熱部3は、入射した赤外線を吸収する不図示の赤外線吸収層と、吸収した赤外線による温度上昇を電気信号に変換する不図示のセンサとを有する。支持脚4は、感熱部3からの熱の逃げを最小限に抑えるために、断面積を小さくして長さを長くしている。
【0025】
第2の基板6は、ゲルマニウム、シリコン、硫化亜鉛、カルコゲナイドガラスなどの8〜12μmの赤外線を透過する材料で形成され、画素ピッチで二次元方向に複数形成されたV字溝を有する。これらV字溝は、入射赤外線を屈折させて感熱部3に集光させるマイクロプリズム6として機能し、各V字溝には第1の基板2の凸部8が接合される。
【0026】
このように、本実施形態では、第1の基板2の凸部8が自己整合的に第2の基板6のV字溝に噛み合うようにしており、第1及び第2の基板2,6の位置合わせを精度よく行うことができる。
【0027】
第1及び第2の基板2,6を接合する手法は、真空中での陽極接合法や、表面をイオン照射により活性化した後に接合する表面活性化接合法などのように、接合後に脱ガスが少なく、処理温度も400℃以下の手法が望ましい。
【0028】
以上の手法により、第2の基板6と感熱部3との間の中空部の真空度が1Pa以下になり、実効的な開口率も90%になる。これにより、本発明者の実験によると、感熱部3の熱容量と支持脚4の熱抵抗の積で決まる熱時定数を従来と同じにして、60フレーム/秒の撮影で残像が観測されないようにした状態で、従来は50%しかなかった開口率が8割程度向上し、感度も8割程度向上した。
【0029】
図2〜図16は第1の基板2の製造工程を説明する工程図である。まず、図2に示すように、SOI(Silicon On Insulator)基板21を用意する。このSOI基板21は、厚さ0.7mmの単結晶シリコン基板22上に、厚さ0.2μmの埋め込み酸化膜層と呼ばれるシリコン酸化膜23を配置し、その上面に厚さ0.2μmの単結晶p型シリコン薄膜層24を順次積層したものである。
【0030】
次に、図3に示すように、SOI基板21に、シリコン酸化膜23を埋め込んで素子分離領域25を形成する。次に、図4に示すように、NMOSトランジスタの形成箇所26をレジストマスク27で覆った状態で、PMOSトランジスタの形成箇所28にリンイオンを注入してn型領域を形成する。
【0031】
次に、図5に示すように、NMOS及びPMOSトランジスタの形成箇所26,28と支持脚4の形成箇所に、熱酸化によりゲート酸化膜29を形成し、このゲート酸化膜の上面に、多結晶シリコンによりゲート電極30を形成する。
【0032】
次に、図6に示すように、NMOSトランジスタの形成箇所26以外をレジストマスク31で覆って、リンイオンを注入して、NMOSトランジスタのソース及びドレイン領域32,33を形成し、図7に示すように、PMOSトランジスタの形成箇所28以外をレジストマスク34で覆って、ホウ素イオンを注入して、PMOSトランジスタのソース及びドレイン領域35,36を形成する。
【0033】
次に、図8に示すように、感熱部3の一部を構成するpn接合ダイオードのn+領域37を砒素イオンの注入により形成し、図9に示すように、p+領域38をホウ素イオンの注入により形成する。
【0034】
次に、図10に示すように、基板上面に層間膜39を形成した後、トランジスタやダイオードの電極配線のために、タングステンなどでコンタクト40を形成する。
【0035】
次に、図11に示すように、コンタクトの上面にアルミニウムの配線層41を形成した後、基板上面に層間膜42を形成する。次に、図12に示すように、層間膜42に、配線層41につながるコンタクト43を形成し、図13に示すように、コンタクト43の上面に2層目のアルミニウムの配線層44を形成し、その上面に層間膜45を形成する。
【0036】
これにより、NMOS及びPMOSトランジスタを組み合わせて、二次元方向の選択回路とそれによってアドレスされたダイオードに一定電流を流し、ダイオードの温度に伴って生じる信号を増幅する信号増幅回路と出力回路を形成する。
【0037】
次に、図14に示すように、二次元状に配置されているセンサを周囲の基板と熱的に分離するために、RIE(Reactive Ion Etching)等により、単結晶シリコン基板22に到達するまで、垂直なエッチングホール46を形成する。
【0038】
次に、図15に示すように、感熱部3と支持脚4の形成箇所を、表面から均一に約1μmだけエッチングして凹部47を形成する。
【0039】
次に、図16に示すように、エッチングホール46を介して、TMAH(Tetramethyl ammonium hydroxide:水酸化テトラメチルアンモニウム)等で単結晶シリコン基板22に空洞部分48を形成する。
【0040】
以上の工程により、図1の第1の基板2が形成される。なお、図16のNMOSトランジスタ49とPMOSトランジスタ50は、図17に示すように、第1の基板2の端部に形成されるCMOSからなる周辺回路51を示しており、アドレス線の制御や感熱部から出力される電気信号の増幅などを行う。
【0041】
図18は感熱部3に対向配置される第2の基板6の一部を拡大して示した図である。図示のように、V字溝5の端部が感熱部3の端部と上下方向に面になるように配置される。これにより、V字溝5で屈折した赤外線が感熱部3に入射されるようになる。
【0042】
図19〜図23は第2の基板6の製造工程を示す工程図である。まず、図19に示すように、厚さ200μmのゲルマニウムの基板61を用意する。次に、図20に示すように、V字溝加工用のブレード62を回転させながら、深さ2μm、幅10μm、ピッチ40μmのV字溝5のマイクロプリズムを二次元方向に順次形成する。すなわち、切削加工によりV字溝5を形成して第2の基板6(マイクロプリズム)を形成する。
【0043】
次に、図21に示すように、完成した第2の基板6を上下反転させて、V溝斜面に真空中でアルゴンイオンを照射して活性化する。
【0044】
同様に、図2〜図16の製法で製造した第1の基板2の表面にも、真空中でアルゴンイオンを照射し、図22に示すように、室温でマイクロプリズムアレイ6を自己整合的に接合させて、約2時間真空中で放置する。
【0045】
次に、図23に示すように、真空容器から取り出した熱型赤外線撮像素子の第2の基板6をCMP(化学機械研磨)により約20μmまで薄膜化して、熱型赤外線撮像素子が完成する。
【0046】
このように、本実施形態では、第2の基板6にV字溝からなるマイクロプリズムを形成し、このV字溝に第1の基板2の凹部が自己整合的に噛み合うようにしたため、感熱部3とマイクロプリズムとの位置合わせを精度よく行うことができ、マイクロプリズムに入射した赤外線を漏れなく感熱部3に導くことができ、赤外線検出の感度が向上する。
【0047】
上述した実施形態では、V字溝4からなるマイクロプリズムを第1の基板2上に形成する例を説明したが、溝の形状は必ずしもV字状でなくてもよい。第1の基板2の凸部8が溝に噛み合わされて自己整合的に位置合わせを行え、かつ入射赤外線を屈折させて感熱部3に導くための傾斜面を備えていればよく、例えば台形でもよい。
【0048】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明によれば、第1の基板の凸部が第2の基板の溝に噛み合わされて接合されるため、感熱部とマイクロプリズムとの位置合わせを精度よく行うことができ、感熱部の赤外線検出感度が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る熱型赤外線撮像素子の断面構造の一例を示す断面図。
【図2】第1の基板2の製造工程を説明する工程図。
【図3】図2に続く工程図。
【図4】図3に続く工程図。
【図5】図4に続く工程図。
【図6】図5に続く工程図。
【図7】図6に続く工程図。
【図8】図7に続く工程図。
【図9】図8に続く工程図。
【図10】図9に続く工程図。
【図11】図10に続く工程図。
【図12】図11に続く工程図。
【図13】図12に続く工程図。
【図14】図13に続く工程図。
【図15】図14に続く工程図。
【図16】図15に続く工程図。
【図17】第1の基板の端部に形成される周辺回路を示す図。
【図18】感熱部に対向配置される第2の基板の一部を拡大して示した図。
【図19】第2の基板の製造工程を示す工程図。
【図20】図19に続く工程図。
【図21】図20に続く工程図。
【図22】図21に続く工程図。
【図23】図22に続く工程図。
【符号の説明】
1 アドレス線
2 第1の基板
3 感熱部
4 支持脚
5 V字溝
6 マイクロプリズムアレイ(第2の基板)
7 シリコン基板
8 凸部
9,10 中空部
11,12 溝部
21 SOI基板
22 単結晶シリコン基板
23 シリコン酸化膜
24 単結晶p型シリコン薄膜層
25 素子分離領域
29 ゲート酸化膜
30 ゲート電極
39,42 層間膜
41,44 配線層
43 コンタクト
47 凹部
Claims (8)
- 画素ピッチで複数形成された凸部を有する第1の基板と、
前記第1の基板の前記凸部間に前記第1の基板から離間して配置され、入射赤外線を熱に変換する感熱部と、
前記感熱部を前記第1の基板から離間して支持する少なくとも1本の支持脚と、
前記第1の基板に対向配置され、入射赤外線を屈折させて前記感熱部に集光させる傾斜面を有する溝からなるマイクロプリズムが画素ピッチで複数形成されたマイクロプリズムアレイを有する第2の基板と、を備え、
前記凸部の頂面端部が前記溝の傾斜面に接合されてなることを特徴とする熱型赤外線撮像素子。 - 前記溝はV字状に加工されていることを特徴とする請求項1に記載の熱型赤外線撮像素子。
- 前記凸部に画素を選択するためのアドレス線が形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の熱型赤外線撮像素子。
- 前記第2の基板の隣接する前記溝の間は平坦であり、前記溝の端部は前記感熱部の端部と上下に重なり合うことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の熱型赤外線撮像素子。
- 前記感熱部と前記第1の基板との間に形成される中空部と、前記感熱部と前記第2の基板との間に形成される中空部とは、所定の気圧以下に設定されることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の熱型赤外線撮像素子。
- 画素を選択するためのアドレス線と、画素ピッチで複数形成された凸部と、前記凸部間に配置され入射赤外線を熱に変換する感熱部と、この感熱部を離間して支持する少なくとも1本の支持脚と、を有する第1の基板と、
入射赤外線を屈折させて前記感熱部に集光させる傾斜面を有する溝が前記感熱部と同じ間隔で複数形成されたマイクロプリズムアレイを有する第2の基板と、を備えた熱型赤外線撮像素子の製造方法であって、
前記第2の基板の前記溝の傾斜面を前記第1の基板の前記凸部の頂面端部に接合した状態で、前記溝と前記凸部とを真空中で接合し、
前記第2の基板の前記第1の基板と対向する面とは逆側の面を研磨することを特徴とする熱型赤外線撮像素子の製造方法。 - 前記凸部と前記溝とを接合する前に、前記溝の傾斜面を不活性ガスで活性化するとともに、前記第1の基板の前記凸部周辺を不活性ガスで活性化することを特徴とする請求項6に記載の熱型赤外線撮像素子の製造方法。
- 前記第2の基板の前記溝は、切削加工により形成されることを特徴とする請求項6または7に記載の熱型赤外線撮像素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003188441A JP3961457B2 (ja) | 2003-06-30 | 2003-06-30 | 熱型赤外線撮像素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003188441A JP3961457B2 (ja) | 2003-06-30 | 2003-06-30 | 熱型赤外線撮像素子及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005024342A JP2005024342A (ja) | 2005-01-27 |
JP3961457B2 true JP3961457B2 (ja) | 2007-08-22 |
Family
ID=34186989
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003188441A Expired - Fee Related JP3961457B2 (ja) | 2003-06-30 | 2003-06-30 | 熱型赤外線撮像素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3961457B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4784399B2 (ja) * | 2006-05-29 | 2011-10-05 | 日産自動車株式会社 | 赤外線センサおよびその製造方法 |
JP5016527B2 (ja) * | 2008-03-18 | 2012-09-05 | 三菱電機株式会社 | 熱型赤外線撮像素子 |
JP5425207B2 (ja) * | 2009-09-10 | 2014-02-26 | 株式会社東芝 | 赤外線撮像素子 |
JP5215329B2 (ja) * | 2010-01-28 | 2013-06-19 | 本田技研工業株式会社 | 車両周辺監視装置 |
JP5731862B2 (ja) * | 2011-03-11 | 2015-06-10 | 株式会社東芝 | 非冷却赤外線撮像素子及びその製造方法 |
-
2003
- 2003-06-30 JP JP2003188441A patent/JP3961457B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005024342A (ja) | 2005-01-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8945967B2 (en) | Photosensitive imaging device and method for forming semiconductor device | |
US7723686B2 (en) | Image sensor for detecting wide spectrum and method of manufacturing the same | |
KR101899596B1 (ko) | 고체 촬상 장치와 그 제조 방법, 및 전자 기기 | |
JP4046067B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
JP4975669B2 (ja) | 赤外線検出器およびこの赤外線検出器を備えた固体撮像素子 | |
US9035309B2 (en) | 3D CMOS image sensors, sensor systems including the same | |
JP5218502B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
EP2802009A1 (en) | Integrated imaging device for infrared radiation and method of production | |
JP3946406B2 (ja) | 熱型赤外線センサの製造方法 | |
JP4691939B2 (ja) | 裏面照射型固体撮像素子の製造方法 | |
US8415622B2 (en) | Infrared imaging element | |
US20170236854A1 (en) | Backside illuminated (bsi) image sensor with a reflector | |
JP2010056167A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
JP2010237118A (ja) | 赤外線アレイセンサ | |
KR101621241B1 (ko) | 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
US7968358B2 (en) | Digital radiographic flat-panel imaging array with dual height semiconductor and method of making same | |
JP2005259828A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
JP3961457B2 (ja) | 熱型赤外線撮像素子及びその製造方法 | |
JP5331759B2 (ja) | 赤外線撮像素子及びその製造方法 | |
JPH09113352A (ja) | マイクロレンズ付赤外線検出素子およびその製造方法 | |
CN112133714A (zh) | 一种图像传感器结构 | |
CN112133715A (zh) | 一种图像传感器结构 | |
JP2005009998A (ja) | 赤外線固体撮像素子およびその製造方法 | |
JP4858367B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
JP2003017672A (ja) | 電子デバイス,その製造方法,カメラ及び車両 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060816 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060905 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061106 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070508 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070516 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110525 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110525 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120525 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120525 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130525 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130525 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140525 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |