JP3959839B2 - Manufacturing method of semiconductor device - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線基板に実装された半導体素子の熱をヒートシンクを通じて放熱する手段を改善した半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、配線基板上に実装された半導体素子の熱を放熱する手段として、種々の手段が提案されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
この種の手段の一例として、配線基板に半導体素子を実装した構造において半導体素子が大電力用である場合には、配線基板の熱抵抗が大きいことから、半導体素子からの周囲への放熱性が問題になる。この問題に対処するために、特開平4−279097号公報、特開平9−69592号公報のものがある。これらは、図10に示すように配線基板1に熱伝導の良好なスルーホール2を形成したり、図11に示すように配線基板1に熱伝導の良好な高熱伝導領域3を設けた上で、配線基板1上に半導体素子4を実装し、当該半導体素子4から発生した熱を、熱伝導の良好なスルーホール2或いは高熱伝導領域3を通じて配線基板1の裏面に設けられた放熱層5に逃がすことにより、放熱性を高めるものである。
【0004】
しかしながら、このような構成では、配線基板1の裏面側に放熱層5を設ける構成であることから、その領域にはコンデンサ或いは抵抗等の部品を実装できないという問題がある。また、図12に示すように放熱層5を配線基板1中に設け、表裏の両面に絶縁層6を形成する構成の場合は、裏面にも部品が実装できるものの、この絶縁層6により放熱性が低下してしまうという不具合を生じる。
【0005】
一方、配線基板の放熱性を高める手段としては、図13に示すように配線基板1上に接着剤でヒートシンク7を接着し、そのヒートシンク7上に接着剤で半導体素子4を接着する方法がある。さらに放熱性を向上させるために、特開平4−179298号公報のものがある。このものは、図14に示すように配線基板1に角孔8を形成し、その角孔8にヒートシンク9を装着するというものである。このヒートシンク9の取付方法としては、シリコーン系の接着剤を使用し、脱落防止のためヒートシンク9の上部に0.2〜0.5mmの鍔部を設けている。この場合、配線基板1とヒートシンク9の下面は同一面上に設定され、大形のヒートシンク10を基板1の裏面に取付けることにより放熱性を向上している。尚、ヒートシンク9上には接着剤により半導体素子4が実装されており、当該半導体素子4がワイヤ11により配線基板1上の配線パターンに電気的に接続されている。
【0006】
しかしながら、このような構成では、ヒートシンク9が半導体素子4よりも大きいため、ワイヤ11をヒートシンク9を避けて接続しなければならず、実装面積が広くなってしまう。また、脱落防止のための鍔部をヒートシンク9に一体に形成するので、ヒートシンク9のコストが高いという問題がある。
【0007】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的は、配線基板上に実装された半導体素子の熱を簡単な形状で実装面積を小さくすることができるヒートシンクを通じて確実に放熱することができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
請求項1の発明によれば、まず、半導体素子の下面にヒートシンクを接合する。このとき、半導体素子の一部がヒートシンクからはみ出す形態となる。
続いて、ヒートシンクを配線基板に形成された孔に挿入する。このとき、半導体素子におけるヒートシンクからのはみ出し部位が配線基板に引掛かり、ヒートシンクを位置決めすることができるので、半導体素子のはみ出し部位を配線基板に接着する。
従って、ヒートシンクに鍔部を設ける必要がなくなり、ヒートシンクの形状を簡単化することができると共に、ボンディングワイヤ領域を小さくすることができるので、実装面積を小さくすることができる。
【0009】
請求項2の発明によれば、配線基板の孔の内周面には金属膜が形成されているので、配線基板の孔にヒートシンクが挿入された状態ではんだフローすると、ヒートシンクと孔の内周面との隙間部をはんだが上昇する。これにより、ヒートシンクを配線基板に固定することができると共に、ヒートシンクによる放熱効率を高めることができる。
【0010】
請求項3の発明によれば、ヒートシンクの先端部にはんだペーストを塗布した状態で配線基板の孔に挿入すると、ヒートシンクと配線基板の孔との隙間部ははんだペーストが拡散するので、配線基板をリフローすることによりヒートシンクと配線基板の孔との隙間部にはんだを充填することができる。これにより、ヒートシンクを配線基板に固定することができると共に、ヒートシンクによる放熱効率を高めることができる。
【0011】
【発明の実施の形態】
(第1の実施の形態)
以下、本発明の第1の実施の形態を図1乃至図3を参照して説明する。
図1は半導体装置の断面、図2は半導体装置を斜視して示している。これらの図1及び図2において、プリント基板31(配線基板に相当)には孔32が形成されており、その孔32にICチップ33と一体化されたヒートシンク34が挿入されている。この孔32は、ヒートシンク34よりも大きく且つICチップ33よりも小さく形成されている。また、ICチップ33上の電極とプリント基板31上の電極とはワイヤ35により接続されていると共に、ICチップ33全体が封止樹脂36で封止されている。
【0012】
ここで、上記構成の半導体装置の製造方法について説明する。まず、図3に示すようにプリント基板31の孔32よりも0.05mm程度小さく形成したヒートシンク34とICチップ33とを高熱伝導接着剤又ははんだにより予め接着しておく。このようにICチップ33とヒートシンク34とが一体化した形態では、ICチップの一部がヒートシンクからはみ出した形態となっている。
【0013】
そして、ヒートシンク34をプリント基板31の孔32に挿入した状態で、ICチップ33におけるヒートシンク34からのはみ出し部位をプリント基板31に接着剤で接着する。このとき、ICチップ33における突出部位は鍔部として機能し、ヒートシンク34がプリント基板31から脱落してしまうことを防止することができる。
続いて、ICチップ33上の電極とプリント基板31上の電極とをワイヤ35で接続してから、ワイヤ35及びICチップ33全体を封止樹脂36で充填して保護する。
【0014】
このような構成によれば、ヒートシンク34はICチップ33より小さいので、ワイヤ35のボンディングワイヤ領域を小さい領域に設定でき、封止樹脂36の範囲を狭くしたまま放熱性を高めることができる。
【0015】
(第2の実施の形態)
次に本発明の第2の実施の形態を図4を参照して説明するに、第1の実施の形態と同一部分には同一符号を付して説明を省略する。この第2実施の形態は、ヒートシンクをはんだによりプリント基板に接合したことを特徴とする。
即ち、プリント基板31に形成された孔32の内周壁には金属メッキ37が施されている。また、プリント基板31の内層には銅箔の配線38が施されており、孔32の金属メッキ37と電気的に接続している。
【0016】
このようなプリント基板31を用いて、ICチップ33と一体化されたヒートシンク34をプリント基板31の孔32に挿入した状態でICチップ33をプリント基板31に接着してから、ワイヤ35を接続すると共に封止樹脂36で封止する。
ここで、ヒートシンク34と孔32の内周面との間には隙間部が形成されていることから、プリント基板31をはんだフローすると、はんだが表面張力により隙間部に上昇して充填される。これにより、ヒートシンク34と孔32の金属メッキ37とがはんだで接合されてそれらの間の熱伝導を高めることができる。
【0017】
このような構成によれば、ヒートシンク34とプリント基板31の配線38とをはんだで接合することができるので、ICチップ33からの熱をヒートシンク34を通じてプリント基板31の内層である銅箔の配線38に効率よく拡がるようになり、放熱性が向上する。
この場合、プリント基板31にはリード部品を実装するためのはんだフローの工程が本来的に必要であることから、工程が増加してしまうことはない。
【0018】
ところで、この第2の実施の形態では、はんだフローを利用していることから、ヒートシンク34と孔32の内周面との隙間部が完全に埋まらず、ボイドが発生することがある。
そこで、図5に示すように、ICチップ33を取付けたヒートシンク34の下部にはんだペースト39を付着し、それをプリント基板31の孔32に挿入してから、はんだフローする。この場合、はんだペースト39は隙間部全体に拡散するので、これをはんだフローすることにより、ヒートシンク34と孔32の金属メッキ37とをはんだで完全に接合することができ、放熱性をさらに高めることができる。
【0019】
尚、上記各実施の形態においてICチップ33よりも大なるヒートシンク34を用いるようにしてもよい。つまり、図6に示すようにICチップ33におけるワイヤ35の接合方向を例えば図示上下方向に揃え、長尺状のヒートシンク34の長手方向を図示左右方向に設定したり、図7に示すようにヒートシンク34をICチップ33に対して傾けた状態で接合することにより、封止樹脂36の塗布範囲を拡大することなくヒートシンク34の形状を大きくすることができることから、放熱性を向上することができる。
【0020】
また、ヒートシンク34の下部は図8に示すようにプリント基板31の下面から突出するようにしてもよく、さらにその突出部の表面を凹凸状に形成することにより、放熱性をさらに向上することができる。
さらに、図9に示すようにヒートシンク34の下部或いはプリント基板31の裏面に大形の放熱用の金属部材40を接着することによりさらに放熱性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の実施の形態における半導体装置の断面を示す模式図
【図2】 半導体装置の斜視図
【図3】 一体化されたICチップとヒートシンクの側面図
【図4】 本発明の第2の実施の形態における半導体装置の断面を示す模式図
【図5】 変形の形態におけるICチップ及びヒートシンクを示す側面図
【図6】 変形の形態におけるICチップ及びヒートシンクの平面図
【図7】 変形の形態を示す図6相当図
【図8】 変形の形態を示す図4相当図
【図9】 変形の形態を示す図4相当図
【図10】 従来例における半導体装置の断面を示す模式図
【図11】 他の従来例を示す図10相当図
【図12】 他の従来例を示す図10相当図
【図13】 他の従来例を示す図10相当図
【図14】 他の従来例を示す図10相当図
【符号の説明】
31はプリント基板(配線基板)、33はICチップ(半導体素子)、34はヒートシンクである。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device in which means for radiating heat of a semiconductor element mounted on a wiring board through a heat sink is improved.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, various means have been proposed as means for dissipating heat from a semiconductor element mounted on a wiring board.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
As an example of this type of means, when a semiconductor element is used for high power in a structure in which a semiconductor element is mounted on a wiring board, the heat resistance of the wiring board is large, so that heat dissipation from the semiconductor element to the surroundings is possible. It becomes a problem. In order to cope with this problem, Japanese Patent Laid-Open Nos. 4-279097 and 9-69592 are known. They may be formed a good through-
[0004]
However, in such a configuration, since the
[0005]
On the other hand, as a means of increasing the heat dissipation of the circuit board, there is a method of bonding the
[0006]
However, in such a configuration, since the
[0007]
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to reliably dissipate heat of a semiconductor element mounted on a wiring board through a heat sink that can reduce the mounting area with a simple shape. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor device.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
According to the first aspect of the present invention, first, a heat sink is bonded to the lower surface of the semiconductor element. At this time, a part of the semiconductor element protrudes from the heat sink.
Subsequently, the heat sink is inserted into a hole formed in the wiring board. At this time, the protruding portion of the semiconductor element from the heat sink is caught on the wiring board, and the heat sink can be positioned. Therefore, the protruding portion of the semiconductor element is bonded to the wiring board.
Therefore, it is not necessary to provide a flange on the heat sink, the shape of the heat sink can be simplified, and the bonding wire region can be reduced, so that the mounting area can be reduced.
[0009]
According to the invention of
[0010]
According to the invention of claim 3, when the solder paste is applied to the tip of the heat sink and inserted into the hole of the wiring board, the solder paste diffuses in the gap between the heat sink and the hole of the wiring board. By reflowing, the gap between the heat sink and the hole of the wiring board can be filled with solder. Thereby, while being able to fix a heat sink to a wiring board, the heat dissipation efficiency by a heat sink can be improved .
[0011]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
(First embodiment)
Hereinafter, a description will be given of a first embodiment of the present invention with reference to FIGS.
1 is a cross-sectional view of the semiconductor device, and FIG. 2 is a perspective view of the semiconductor device. 1 and 2 , a
[0012]
Here, a method for manufacturing the semiconductor device having the above structure will be described. First, as shown in FIG. 3 , the
[0013]
Then, with the
Subsequently, after the electrodes on the
[0014]
According to such a configuration, since the
[0015]
(Second Embodiment)
Next be described a second embodiment of the present invention with reference to FIG. 4, the embodiment and the same parts of the first embodiment will not be described are denoted by the same reference numerals. The second embodiment is characterized in that the heat sink is joined to the printed circuit board with solder.
That is, metal plating 37 is applied to the inner peripheral wall of the
[0016]
Using such a printed
Here, since a gap portion is formed between the
[0017]
According to such a configuration, the
In this case, since the solder flow process for mounting the lead component is inherently required on the printed
[0018]
By the way, in this 2nd Embodiment, since the solder flow is utilized, the clearance gap between the
Therefore, as shown in FIG. 5 , a
[0019]
In each of the above embodiments, the
[0020]
Further, the lower portion of the
Further, as shown in FIG. 9 , the heat dissipation can be further enhanced by bonding a large heat
[ Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic diagram showing a cross section of a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a perspective view of the semiconductor device. FIG. 3 is a side view of an integrated IC chip and a heat sink . FIG . 5 is a side view showing an IC chip and a heat sink in a modified embodiment. FIG . 6 is a plan view of the IC chip and the heat sink in a modified embodiment . 7 corresponds Figure 4 shows the embodiment of FIG. 4 corresponds diagram 6 corresponds diagram [the embodiment of FIG. 8 a variation showing a form of deformation [9] modified view [10] the cross section of the semiconductor device in the conventional example schematic view [11] other prior art showing an example Figure 10 corresponds view [12] Figure 10 corresponds view showing another conventional example [13] Figure 10 corresponds view showing another conventional example [14] other showing Figure 10 corresponds diagram showing a conventional example of the description of the code]
3 1 printed board (circuit board), 33 IC chip (semiconductor device), 34 is a heat sink.
Claims (3)
前記半導体素子の下面に当該半導体素子の一部がはみ出した形態となるようにヒートシンクを接合してから、前記ヒートシンクを前記配線基板に形成された孔に挿入した状態で前記半導体素子における前記ヒートシンクからのはみ出し部位を前記配線基板に接着したことを特徴とする半導体装置の製造方法。In a manufacturing method of a semiconductor device configured to dissipate heat of a semiconductor element mounted on a wiring board through a heat sink,
A heat sink is joined so that a part of the semiconductor element protrudes from the lower surface of the semiconductor element, and then the heat sink is inserted into a hole formed in the wiring board from the heat sink in the semiconductor element. A method of manufacturing a semiconductor device, characterized in that an overhanging portion is bonded to the wiring board.
前記配線基板の孔の内周面に金属膜を形成し、
前記半導体素子の下面に当該半導体素子の一部がはみ出した形態となるようにヒートシンクを接合してから、前記ヒートシンクを前記配線基板に形成された孔に挿入した状態で前記配線基板をはんだフローすることにより前記ヒートシンクと前記孔の内周面との隙間部にはんだを充填したことを特徴とする半導体装置の製造方法。 In a manufacturing method of a semiconductor device configured to dissipate heat of a semiconductor element mounted on a wiring board through a heat sink,
Forming a metal film on the inner peripheral surface of the hole of the wiring board;
A heat sink is joined so that a part of the semiconductor element protrudes from the lower surface of the semiconductor element, and then the soldering flow is performed on the wiring board in a state where the heat sink is inserted into a hole formed in the wiring board. method of manufacturing a semi-conductor device you characterized in that filled with solder in the gap portion between the inner peripheral surface of the said heat sink hole by.
前記配線基板の孔の内周面に金属膜を形成し、
前記半導体素子の下面に当該半導体素子の一部がはみ出した形態となるようにヒートシンクを接合してから、前記ヒートシンクの先端部にはんだペーストを塗布した状態で前記配線基板の孔に挿入してから前記配線基板をリフローすることにより前記ヒートシンクと前記孔の内周面との隙間部にはんだを充填したことを特徴とする半導体装置の製造方法。 In a manufacturing method of a semiconductor device configured to dissipate heat of a semiconductor element mounted on a wiring board through a heat sink,
Forming a metal film on the inner peripheral surface of the hole of the wiring board;
After joining the heat sink so that a part of the semiconductor element protrudes from the lower surface of the semiconductor element, and then inserting it into the hole of the wiring board with the solder paste applied to the tip of the heat sink the heat sink and method for manufacturing a semi-conductor device you characterized in that filled with solder in the gap portion between the inner peripheral surface of the hole by reflowing the wiring board.
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