JP3950609B2 - 探針評価法および走査形プローブ顕微鏡 - Google Patents
探針評価法および走査形プローブ顕微鏡 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3950609B2 JP3950609B2 JP2000014813A JP2000014813A JP3950609B2 JP 3950609 B2 JP3950609 B2 JP 3950609B2 JP 2000014813 A JP2000014813 A JP 2000014813A JP 2000014813 A JP2000014813 A JP 2000014813A JP 3950609 B2 JP3950609 B2 JP 3950609B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- protrusion
- tunnel current
- microscope
- distance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、走査形トンネル顕微鏡や原子間力顕微鏡などで使用される探針の評価法、および走査形トンネル顕微鏡や原子間力顕微鏡などの走査形プローブ顕微鏡に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、素材やデバイスなどの製品評価を精度良く行える装置として、原子レベルまでの凹凸を非接触で測定できる走査形プローブ顕微鏡(SPM:Scanning Probe Microscope)が注目されるようになってきている。
【0003】
この走査形プローブ顕微鏡として、走査形トンネル顕微鏡(STM:Scanning Tunneling Microscope)や原子間力顕微鏡(AFM:Atomic Force Microscope)などがあり、走査形トンネル顕微鏡は、探針と試料間に流れるトンネル電流に基づいて試料の凹凸像を得るものである。一方、原子間力顕微鏡は、カンチレバーの先端に固定された探針と試料間に働く原子間力に基づいて、試料の凹凸像を得るものである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
最近、このような走査形プローブ顕微鏡において、探針の形状が得られた画像に非常に大きな影響を及ぼしていることが問題となっている。
【0005】
すなわち、原子レベルの凹凸を測定する場合には、その測定は探針の最先端原子に依存するため、探針の形状は大きな問題とはならない。たとえば、1個の最先端原子が他の原子より0.1nm飛び出していれば、99%のトンネル電流がこの最先端原子に流れるので、原子レベルの高分解能の凹凸像を得ることができる。
【0006】
しかしながら、1nmからサブミクロンの凹凸を測定する場合には、探針先端の曲率半径や探針のCone angleが、得られた画像に非常に大きな影響を及ぼしてしまう。図1は、このことを説明するために示した図であり、3種類の典型的な凹凸(1nmからサブミクロンの凹凸)を、先端が比較的大きな探針でSTM測定した場合を示した図である。
【0007】
図1において、点線pは探針の軌跡を示しており、この軌跡は、探針と試料間に一定のトンネル電流が流れるように探針高さを制御したときのものである。また、図1の各凹凸のSTM像が、図1の各(b)に示されている。
【0008】
この図1からも明らかなように、1nmからサブミクロンの凹凸を測定するときに、探針先端が大きな場合には、被測定物の凹凸を正確に測定することはできない。
【0009】
これに対し、たとえば図1(1)に示した凹凸を測定する時に、図2に示すような、先端の曲率半径が小さくてCone angleθが小さい探針を用いれば、図2(b)に示すような試料凹凸をほぼ忠実に表した像を得ることができる。
【0010】
このように、探針先端の形状が表面測定には大きな影響を及ぼしており、探針先端の形状が良くなければ表面粗さ測定に大きな誤差を生じさせるので、その場合には直ちに探針を交換するなどの対応をとらなければならない。
【0011】
本発明はこのような点に鑑みて成されたもので、その目的は、探針形状を正確に測定できる探針評価法および走査形プローブ顕微鏡を提供することにある。
【0012】
この目的を達成する本発明の探針評価法は、突部を有する標準試料を用意し、その標準試料と探針間にバイアス電圧を印加した状態で、前記探針を前記突部のまわりに回転させ、その時に探針と突部間に流れる前記探針と前記突部との距離に応じた強さを持つトンネル電流を前記回転の中心からの距離に対応するトンネル電流変化ループに変換することにより前記探針の中心軸に直交する断面形状を求めて、探針を評価するようにしたことを特徴とする。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、図面を用いて本発明の実施の形態について説明する。
【0014】
図3は、本発明の走査形プローブ顕微鏡の一例として示した、走査形トンネル顕微鏡の概略図である。
【0015】
まず、図3の装置構成を説明する。
【0016】
図3において、1は試料室チャンバであり、そのチャンバ内の固定端2には、圧電体で作られたスキャナ3が固定されている。このスキャナ3は、x方向に移動可能なxスキャナ4と、y方向に移動可能なyスキャナ5と、z方向に移動可能なzスキャナ6で構成されており、スキャナ3の先端中央には探針7が取り付けられている。
【0017】
前記探針7と対向する側には、x,yおよびz方向に移動可能な試料ステージ8が配置されている。そして、この試料ステージ8上に、円柱状の突部Sを有する標準試料9がセットされており、突部Sの中心軸oはz軸に平行である。
【0018】
10は中央制御手段であり、中央制御手段10は、スキャナ制御手段11、探針評価手段12、表示制御手段13および臨界形状情報記憶手段14を備えている。また、この中央制御手段10は、スキャナ信号発生手段15、探針7と試料9間に流れるトンネル電流を検出するトンネル電流検出手段16、および表示手段17に接続されている。
【0019】
前記スキャナ信号発生手段15は、xスキャナ信号発生手段18、yスキャナ信号発生手段19、zスキャナ信号発生手段20、および回転信号発生手段21を備えている。この回転信号発生手段21は、AC成分発生回路22と位相器23を備えている。そして、スキャナ信号発生手段15は、xスキャナ電源24を介して前記xスキャナ4に、またyスキャナ電源25を介して前記yスキャナ5に、さらにzスキャナ電源26を介して前記zスキャナ5に接続されている。
【0020】
27はバイアス電源であり、バイアス電源27は、探針7と試料9間にバイアス電圧を印加するためのものである。
【0021】
以上、図3の装置構成について説明したが、以下、このような装置の動作説明を行う。
【0022】
探針7の先端形状を評価するにあたり、まず図4に示すように、探針7の先端Tが、前記突部Sの角の横あたりに位置決めされる。図4の場合には、探針7の先端Tは、突部Sの上面中心S0(x0,y0,z0)からx方向にΔx、−z方向にΔzのところ(x0+Δx,y0,z0−Δz)に位置決めされている。このとき、探針7は、探針と突部間に数Vのバイアス電圧が印加されると、突部との間にトンネル電流が流れる程度に接近している。また、図4の状態において、探針7の中心軸tは、突部Sの中心軸oに平行である。
【0023】
ここで、図3の装置における、このような探針の位置決め動作を説明する。
【0024】
まず、突部Sを含む試料9のフィールドエミッション電流像(凹凸像)を得るために、探針7が基準位置に固定され、探針7と試料9間に数kVのバイアス電圧が印加された状態で、試料ステージ8がxy方向に二次元的に走査される。このとき、探針7と試料間には、その距離に対応したフィールドエミッション電流が流れ、その電流はトンネル電流検出手段16により検出される。
【0025】
そして、中央制御手段10は、トンネル電流検出手段16からのエミッション電流信号を各ステージ位置に対応させて記憶し、その記憶したデータに基づいてエミッション電流像を表示手段17の画面上に表示させる。図5は、そのエミッション電流像を示したものである。
【0026】
なお、このようなエミッション電流像の取得については特願平11−88519に詳しく記載されており、図3の装置は、この技術を採用している。
【0027】
このようにして、図5に示すようなエミッション電流像が得られると、オペレータは、その像上において、突部Sの上面中心S0を指示する。すると、中央制御手段10は、その指示された位置S0に対応するステージ位置を求め、求めたステージ位置に基づき、突部Sの上面中心S0が探針7の直下に位置するように試料ステージ8のxy位置を制御する。
【0028】
図6(a)は、この試料ステージ制御後の、探針7と突部Sの状態を示した図であり、このときの突部Sの上面中心S0の座標が、上述した(x0,y0,z0)である。
【0029】
このようにして、突部Sの上面中心S0が探針7の直下に位置すると、バイアス電源27が制御されて、探針7と試料間に数Vのバイアス電圧が印加される。そして、中央制御手段10のスキャナ制御手段11は、トンネル電流検出手段16からのトンネル電流信号を受け、そのトンネル電流が所定値に保たれるように、スキャナ信号発生手段15のzスキャナ信号発生手段20を制御する。図6(a)の状態においては、探針7と突部Sは、それらの間にトンネル電流が流れない程度に離れているので、スキャナ制御手段11は、探針7を突部側に移動させるための制御信号をzスキャナ信号発生手段20に送る。
【0030】
その制御信号を受けたzスキャナ信号発生手段20は、探針7を突部側に移動させるためのzスキャナ信号をzスキャナ電源26に送る。この結果、zスキャナ6が探針側に伸びて、探針7が突部に近づき、最終的に探針7は、原子レベルの凹凸に処理された突部S上面との間に所定のトンネル電流が流れるz位置で停止する。
【0031】
図6(b)は、そのときの探針7と突部Sの状態を示した図であり、探針7の先端は、限りなく突部S上面に接近している。
【0032】
次に、スキャナ制御手段11は、探針7をx方向にΔx移動させるための制御信号をxスキャナ信号発生手段18に送る。その制御信号を受けたxスキャナ信号発生手段18は、探針7をx方向にΔx移動させるためのxスキャナ信号をxスキャナ電源24に送る。この結果、xキャナ4がx方向に移動して、探針7はx方向にΔx移動する。
【0033】
図6(c)は、そのときの探針7と突部Sの状態を示した図である。
【0034】
さらに、スキャナ制御手段11は、探針7を−z方向に所定量移動させるための制御信号をzスキャナ信号発生手段20に送る。その制御信号を受けたzスキャナ信号発生手段20は、探針7を−z方向に所定量移動させるためのzスキャナ信号をzスキャナ電源26に送る。この結果、zキャナ6が−z方向に伸びて、探針7は図4に示した位置で停止する。
【0035】
このようにして、探針7の先端Tが、座標(x0+Δx,y0,z0−Δz)に位置決めされると、スキャナ制御手段11は、探針7を、前記中心軸oを中心として半径Δxで回転させるための制御信号を回転信号発生手段21に送る。すると、回転信号発生手段21のAC成分発生回路22は、θが0°〜360°に連続的に変化する信号Δxcosθをxスキャナ電源24と位相器23に送る。そして、位相器23は、信号Δxcosθの位相を90°ずらして信号Δxcos(θ+90°)をyスキャナ電源25に送る。この結果、探針7は、それ自身は自転せずに、前記中心軸oを中心として半径Δxで回転する。このため、探針が突部Sのまわりに一周すると、探針の側面が一周にわたって突部Sと対向する。なお、このときの回転信号は、回転信号発生手段21から中央制御手段10に参照信号として送られている。
【0036】
上述したように、探針7は、突部Sとの間にトンネル電流が流れるように突部Sに接近しているので、この探針回転時には、常に探針7と突部S間にトンネル電流が流れている。そして、このトンネル電流は、探針7と突部Sとの距離に応じて変化し、探針と突部の距離が短いほど多くのトンネル電流が流れる。すなわち、探針先端形状が前記図1に示したように大きい時には、探針先端形状が前記図2に示したように小さい時に比べて、より多くのトンネル電流が流れる。
【0037】
この探針7と突部S間に流れるトンネル電流はトンネル電流検出手段16で検出され、中央制御手段10は、トンネル電流検出手段16からのトンネル電流信号を探針7の回転位置に対応させて記憶する。
【0038】
そして、表示制御手段13は、その記憶されたデータに基づき、図7のiに示すようなトンネル電流変化ループを表示手段17の画面上に表示させる。このループiは、探針と突部間に流れるトンネル電流を探針の回転位置に対応させて表示させたものであり、トンネル電流の大きさを基準画素qからの距離に対応させて表示させたものである。
【0039】
また、表示制御手段13は、臨界形状情報記憶手段14に記憶された、探針交換が必要である探針の臨界形状データに基づき、図7のiiに示すような円形ループを表示手段17の画面上に表示させる。
【0040】
このような表示が行われると、オペレータは、トンネル電流変化ループiが円形ループiiの中に収まっているかどうかを判断する。そして、オペレータは、このケースのようにループiがループiiの中に収まっていない場合には、すなわち、探針先端形状が大きくて探針交換が必要である場合には、直ちに探針7を新しいものに交換する。
【0041】
なお、図7のループiは円形ではないが、これは、探針の断面形状が円形でないことを表しており、オペレータはこのループiから、探針の側面形状を評価することができる。
【0042】
また、図3の装置において探針評価手段12を動作させれば、探針評価手段12は、探針交換が必要であるかどうかの判断を自動的に行う。
【0043】
その場合、探針評価手段12は、前記中央制御手段10に記憶された、探針7の回転位置に対応して記憶されたトンネル電流信号に基づき、上述したトンネル電流変化ループiを作成する。また、探針評価手段12は、前記臨界形状情報記憶手段14に記憶された臨界形状データに基づき、上述した円形ループiiを作成する。
【0044】
そして、探針評価手段12は、トンネル電流変化ループiが円形ループiiの中に収まっているかどうかを判断し、このケースのようにループiがループiiの中に収まっていない場合には、探針交換が必要であると判断して、その事を表示手段17の画面上に警告表示するように表示制御手段13を制御する。すると、表示制御手段13は、前記図7に示した円形ループiiを明るく点灯させる。なお、この場合、前記図7に示したループiを明るく点灯させるように表示制御手段13を構成しても良い。
【0045】
また、ループiがループiiの中に収まっていても、ループiの形状、すなわち探針の側面形状が不良の場合には、警告表示を出すように探針評価手段12を構成するようにしても良い。
【0046】
また、上述した警告を、スピーカーから音声で出すように探針評価手段12を構成するようにしても良い。
【0047】
以上、図3の走査形トンネル顕微鏡について説明したが、このような装置を用いれば、探針形状を正確に測定することができる。
【0048】
なお、本発明はこの例に限定されるものではない。
【0049】
たとえば、上記例では、突部Sの形状は円筒状であったが、円錐状などでも良い。
【0050】
また、前記図4に示した状態から、探針7を突部Sの長手方向、すなわち−z方向に所定量移動させた後に上述した探針形状測定を行い、さらに探針を−z方向に所定量移動させて同様に探針形状測定を行い、このような動作を探針が所定のz位置に達するまで行うようにすれば、探針の長手方向の側面形状を知ることができる。その場合、各z位置において得られたトンネル電流変化ループを、図8(a)に示すように同心円状に表示させたり、または、図8(b)に示すように、楕円状に変形させた上で縦方向にある間隔をおいて順に並べて表示させるようにしても良い。
【0051】
また、図3の装置において、探針を突部Sのまわりに回転させたとき、各回転位置において、探針と突部Sの半径方向の距離が一定距離となるように、すなわちトンネル電流が一定となるように、探針のxおよびy位置をフィードバック制御し、そのx位置制御量とy位置制御量に基づいて、探針形状を求めるようにしても良い。
【0052】
また、上記例では、探針を突部のまわりに回転させるようにしたが、探針の位置を固定させた状態で、突部側を探針のまわりに回転させ、そのときに探針と突部間に流れるトンネル電流に基づいて探針形状を求めるようにしても良い。その際、その突部を有する試料を3軸方向に移動可能な圧電体スキャナで回転させるようにすれば良い。
【0053】
また、上記例では、トンネル顕微鏡の探針を評価する場合について説明したが、原子間力顕微鏡の探針も同様にして評価することができる。その場合も、探針側を突部のまわりで回転させても、また、突部側を探針のまわりで回転させても良い。
【0054】
また、探針7を回転時にトンネル電流の変化を一定にするための信号をx、y軸のθ成分に比例した形でフィードバックすることで探針7の位置を直接モニターすることも可能であり、直接探針の形状を測定することも可能である。
【0055】
さて、次に、探針形状を評価する別の方法について説明する。
【0056】
まず、図9に示すような正方形(または長方形)の穴を有する標準試料を用意する。そして、探針と試料間にバイアス電圧を印加し、探針と試料間に流れるトンネル電流を一定に保ちながら、探針をその穴上をxおよびy方向に走査させる。このときの探針のz位置の制御結果から、探針のx走査とy走査について前記図1または図2に示すような凹凸像が得られるので、オペレータは、その像から、探針の4つの側面の形状評価を行うことができる。なお、探針の位置を固定しておいて、試料側をx,yおよびz方向に制御するようにしても良い。
【0057】
また、図10に示すように、C60を用いて探針の形状を評価するようにしても良い。C60は、カーボン原子が60個集まってできた球状のものであり、そのサイズは1nm程度で安定しており、このC60を平らな試料の上に固定すれば、現在測定が求められている1nm程度の表面粗さの標準試料とすることができる。
【0058】
そして、探針と試料間にバイアス電圧を印加し、探針と試料間に流れるトンネル電流を一定に保ちながら、探針を前記C60上をxおよびy方向に走査させる。このときの探針のz位置の制御結果から、探針のx走査とy走査について図10(b)に示すような凹凸像が得られるので、オペレータは、その像のC60部分の画像サイズlから、探針の先端形状を評価する。
【0059】
このとき、探針先端が前記図2に示したように非常に尖っていれば、探針はC60にかなり接近して走査されるので、前記画像サイズlは小さく、逆に、探針先端形状が前記図1に示したように大きいときには、その画像サイズlは大きくなる。なお、探針の位置を固定しておいて、試料側をx,yおよびz方向に制御するようにしても良い。
【図面の簡単な説明】
【図1】 探針を用いて試料の凹凸をSTM測定している状態を示した図である。
【図2】 探針を用いて試料の凹凸をSTM測定している状態を示した図である。
【図3】 本発明の走査形プローブ顕微鏡の一例として示した、走査形トンネル顕微鏡の概略図である。
【図4】 探針7の先端を突部Sの角の横あたりに位置決めしたときの状態を示した図である。
【図5】 試料のフィールドエミッション電流像を示した図である。
【図6】 探針7を図4の状態に位置決めするまでの過程を説明するために示した図である。
【図7】 図3の装置における表示に関する動作を説明するために示した図である。
【図8】 図3の装置における表示に関する動作を説明するために示した図である。
【図9】 探針形状を評価する他の方法について説明するために示した図である。
【図10】 探針形状を評価する他の方法について説明するために示した図である。
【符号の説明】
1…試料室チャンバ、2…固定端、3…スキャナ、4…xスキャナ、5…yスキャナ、6…zスキャナ、7…探針、8…試料ステージ、9…標準試料、10…中央制御手段、11…スキャナ制御手段、12…探針評価手段、13…表示制御手段、14…臨界形状情報記憶手段、15…スキャナ信号発生手段、16…トンネル電流検出手段、17…表示手段、18…xスキャナ信号発生手段、19…yスキャナ信号発生手段、20…zスキャナ信号発生手段、21…回転信号発生手段、22…AC成分発生回路、23…位相器、24…xスキャナ電源、25…yスキャナ電源、26…zスキャナ電源、27…バイアス電源
Claims (11)
- 突部を有する標準試料を用意し、その標準試料と探針間にバイアス電圧を印加した状態で、前記探針を前記突部のまわりに回転させ、その時に探針と突部間に流れる前記探針と前記突部との距離に応じた強さを持つトンネル電流を前記回転の中心からの距離に対応するトンネル電流変化ループに変換することにより前記探針の中心軸に直交する断面形状を求めて、探針を評価するようにしたことを特徴とする探針評価法。
- 前記突部の形状は、円筒状であることを特徴とする請求項1記載の探針評価法。
- 前記突部の長手方向に探針を移動させながら、探針を突部のまわりに回転させることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の探針評価法。
- 突部を有する標準試料を用意し、その標準試料と探針間にバイアス電圧を印加した状態で、前記突部を前記探針のまわりに回転させ、その時に探針と突部間に流れる前記探針と前記突部との距離に応じた強さを持つトンネル電流を前記回転の中心からの距離に対応するトンネル電流変化ループに変換することにより前記探針の中心軸に直交する断面形状を求めて、探針を評価するようにしたことを特徴とする探針評価法。
- 前記突部の形状は、円筒状であることを特徴とする請求項4記載の探針評価法。
- 前記突部の長手方向に突部を移動させながら、突部を探針のまわりに回転させることを特徴とする請求項4または請求項5に記載の探針評価法。
- 探針を備えた走査形プローブ顕微鏡において、突部を有する標準試料と前記探針間にバイアス電圧を印加する手段と、前記探針を前記突部のまわりに回転させる探針移動手段と、その回転時に探針と突部間に流れる前記探針と前記突部との距離に応じた強さを持つトンネル電流を前記回転の中心からの距離に対応するトンネル電流変化ループに変換することにより前記探針の中心軸に直交する断面形状を求める手段を備えたことを特徴とする走査形プローブ顕微鏡。
- 前記突部の長手方向に探針を移動させながら、探針を突部のまわりに回転させることを特徴とする請求項7記載の走査形プローブ顕微鏡。
- 探針を備えた走査形プローブ顕微鏡において、突部を有する標準試料と前記探針間にバイアス電圧を印加する手段と、前記突部を前記探針のまわりに回転させる試料移動手段と、その回転時に探針と突部間に流れる前記探針と前記突部との距離に応じた強さを持つトンネル電流を前記回転の中心からの距離に対応するトンネル電流変化ループに変換することにより前記探針の中心軸に直交する断面形状を求める手段を備えたことを特徴とする走査形プローブ顕微鏡。
- 前記突部の長手方向に突部を移動させながら、突部を探針のまわりに回転させる事を特徴とする請求項9記載の走査形プローブ顕微鏡。
- さらに、探針を評価する手段を備え、この評価手段は、探針交換が必要である探針の臨界形状情報を記憶しており、その臨界形状と前記求められた探針形状を比較し、探針交換が必要であると判断した場合には、その事を表示画面上に警告表示するか、または音声的に警告することを特徴とする請求項7から請求項10の何れかに記載の走査形プローブ顕微鏡。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000014813A JP3950609B2 (ja) | 2000-01-24 | 2000-01-24 | 探針評価法および走査形プローブ顕微鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000014813A JP3950609B2 (ja) | 2000-01-24 | 2000-01-24 | 探針評価法および走査形プローブ顕微鏡 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001208669A JP2001208669A (ja) | 2001-08-03 |
JP3950609B2 true JP3950609B2 (ja) | 2007-08-01 |
Family
ID=18542209
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000014813A Expired - Fee Related JP3950609B2 (ja) | 2000-01-24 | 2000-01-24 | 探針評価法および走査形プローブ顕微鏡 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3950609B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4803440B2 (ja) * | 2005-08-16 | 2011-10-26 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 探針形状評価用標準試料 |
-
2000
- 2000-01-24 JP JP2000014813A patent/JP3950609B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001208669A (ja) | 2001-08-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5103095A (en) | Scanning probe microscope employing adjustable tilt and unitary head | |
USRE33387E (en) | Atomic force microscope and method for imaging surfaces with atomic resolution | |
US5426302A (en) | Optically guided macroscopic-scan-range/nanometer resolution probing system | |
KR100961571B1 (ko) | 주사 탐침 현미경 | |
US5918274A (en) | Detecting fields with a single-pass, dual-amplitude-mode scanning force microscope | |
US6354133B1 (en) | Use of carbon nanotubes to calibrate conventional tips used in AFM | |
JPH06213910A (ja) | 形状を除く表面のパラメータを正確に測定し、または形状に関連した仕事を行うための方法および相互作用装置 | |
KR101381922B1 (ko) | 탐침 팁을 특성화하기 위한 방법 및 장치 | |
US7420106B2 (en) | Scanning probe characterization of surfaces | |
JPH0734032B2 (ja) | 磁力測定装置及び方法 | |
US8869311B2 (en) | Displacement detection mechanism and scanning probe microscope using the same | |
US6172506B1 (en) | Capacitance atomic force microscopes and methods of operating such microscopes | |
JP2002139414A (ja) | マルチプローブ型走査プローブ顕微鏡装置およびそれを用いた試料表面評価方法 | |
JP3950609B2 (ja) | 探針評価法および走査形プローブ顕微鏡 | |
TW202020458A (zh) | 大面積的高速原子力輪廓測定儀 | |
JPH03122514A (ja) | 表面観察装置 | |
JPH02147803A (ja) | 走査型トンネル顕微鏡装置 | |
JP3967923B2 (ja) | パターン描画装置、及び、パターン描画方法 | |
US20110289636A1 (en) | High-speed scanning probe microscope | |
JP3010225B2 (ja) | 走査型トンネル顕微鏡 | |
Rodgers et al. | Application of the atomic force microscope to integrated circuit failure analysis | |
JP2571625B2 (ja) | 走査形トンネル顕微鏡 | |
JP2002014025A (ja) | プローブの走査制御装置、該走査制御装置による走査型プローブ顕微鏡、及びプローブの走査制御方法、該走査制御方法による測定方法 | |
Rodgers et al. | Recent developments in atomic-force microscopy applicable to integrated circuit metrology | |
JPH07181150A (ja) | 表面凹凸像同時計測型光電子検出装置及び検出方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040615 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060310 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060530 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060726 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070403 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070423 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110427 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110427 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120427 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130427 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130427 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140427 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |