JP3937711B2 - フリップチップ実装方法 - Google Patents
フリップチップ実装方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3937711B2 JP3937711B2 JP2000293044A JP2000293044A JP3937711B2 JP 3937711 B2 JP3937711 B2 JP 3937711B2 JP 2000293044 A JP2000293044 A JP 2000293044A JP 2000293044 A JP2000293044 A JP 2000293044A JP 3937711 B2 JP3937711 B2 JP 3937711B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- gas
- reaction tube
- semiconductor chip
- mounting substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/113—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
- H01L2224/1133—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
- H01L2224/1134—Stud bumping, i.e. using a wire-bonding apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/118—Post-treatment of the bump connector
- H01L2224/1182—Applying permanent coating, e.g. in-situ coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13075—Plural core members
- H01L2224/13076—Plural core members being mutually engaged together, e.g. through inserts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13144—Gold [Au] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/13198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/13199—Material of the matrix
- H01L2224/1329—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/13198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/13298—Fillers
- H01L2224/13299—Base material
- H01L2224/133—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/81909—Post-treatment of the bump connector or bonding area
- H01L2224/8191—Cleaning, e.g. oxide removal step, desmearing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00013—Fully indexed content
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0102—Calcium [Ca]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0104—Zirconium [Zr]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01074—Tungsten [W]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、実装基板の表面に半導体チップを実装する際に用いられるフリップチップ実装方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来より、半導体チップ(半導体素子)を実装基板に実装することによって半導体パッケージ(半導体装置)を製造することが行われているが、半導体チップを実装基板に実装するにあたっては、半導体パッケージの小型化などの目的でフリップチップ実装方法が用いられている。この実装方法は、例えば、半導体チップの表面の電極上にバンプを形成した後、このバンプと実装基板の表面の電極とを位置合わせして接触させた状態で実装基板の表面に半導体チップを載置し、バンプを加熱溶融させた後固化することによって、半導体チップの電極と実装基板の電極とを電気的に接続するようにするものである。
【0003】
また、上記のようなフリップチップ実装方法において、アンダーフィルが行われている。アンダーフィルは実装基板とこれに実装された半導体チップとの間に形成される間隙を樹脂封止することであり、アンダーフィルにより間隙にアンダーフィル材(封止樹脂)を形成することによって、バンプを保護することができ、アンダーフィル材でバンプを補強して半導体チップと実装基板の接合強度を高めたり、アンダーフィル材で間隙を密閉して大気中の水分が間隙に侵入するのを防止して半導体パッケージの耐湿性を向上させたりすることができるものである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来のフリップチップ実装方法では、半導体チップの表面や実装基板の表面やバンプの表面に有機物(例えば、バンプや回路等を形成する際に用いる銀ペースト材に含まれている有機物成分や実装基板を洗浄液(例えば、アセトンなど)で洗浄したときに実装基板の表面の残存する洗浄液など)等が付着して汚染されているために、実装基板と半導体チップの間の間隙においてアンダーフィル材が流れにくくなってアンダーフィル材の未注入部分が生じたり、半導体チップの表面や実装基板の表面やバンプの表面に対するアンダーフィル材の密着性が低くなったりすることがあり、これにより、アンダーフィル材によるバンプの補強や間隙の密閉が不十分になることがあった。
【0005】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、バンプの補強効果や半導体チップと実装基板の間隙の密閉性を高くすることができるフリップチップ実装方法を提供することを目的とするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項1に係るフリップチップ実装方法は、筒状の反応管7の片側を吹き出し口12として開放し、反応管7の外側に複数個の電極9、10を配設し、希ガスを含むプラズマ生成用ガス8を反応管7に導入すると共に電極9、10間に電圧を印加することによって大気圧近傍の圧力下で反応管7内に放電を発生させ、この放電により反応管7内にプラズマ13を生成し、半導体チップ14と実装基板15をバンプ16により接合した後、上記反応管7の吹き出し口12から吹き出されるプラズマ13を半導体チップ14と実装基板15の間隙30に供給することによって半導体チップ14の表面と実装基板15の表面とバンプ16の表面を洗浄し、この後、アンダーフィルを行うフリップチップ実装方法において、プラズマ生成用ガス8を希ガスと酸素ガスの混合ガスとし、プラズマ生成用ガス8に占める酸素ガスの混合比率を2〜5vol%にすることを特徴とするものである。
【0008】
本発明の請求項2に係るフリップチップ実装方法は、筒状の反応管7の片側を吹き出し口12として開放し、反応管7の外側に複数個の電極9、10を配設し、希ガスを含むプラズマ生成用ガス8を反応管7に導入すると共に電極9、10間に電圧を印加することによって大気圧近傍の圧力下で反応管7内に放電を発生させ、この放電により反応管7内にプラズマ13を生成し、半導体チップ14と実装基板15をバンプ16により接合した後、上記反応管7の吹き出し口12から吹き出されるプラズマ13を半導体チップ14と実装基板15の間隙30に供給することによって半導体チップ14の表面と実装基板15の表面とバンプ16の表面を洗浄し、この後、アンダーフィルを行うフリップチップ実装方法において、プラズマ生成用ガス8を希ガスと水素ガスの混合ガスとし、プラズマ生成用ガス8に占める水素ガスの混合比率を0.3〜3vol%にすることを特徴とするものである。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
【0012】
図2に本発明のプラズマ処理装置Aの一例を示す。このプラズマ処理装置Aは、反応管7の外側に複数個(一対)の電極9、10を上下に対向させて配置することによって形成されており、電極9、10の間に対応する位置において反応管7内には放電空間21が形成されている。また、電極9、10はインピーダンス整合回路(図示省略)を介して電源11と電気的に接続されている。尚、電極9、10はそれぞれ一個ずつ以上あれば何個あっても良い。そして、本発明のプラズマ処理装置Aは反応管7からプラズマ13を吹き出す吹き出し型のプラズマ処理装置Aである。
【0013】
反応管7は高融点の誘電体材料(絶縁材料)で扁平形状の略角筒状に形成されるものである。反応管7を構成する誘電体材料の誘電率は放電空間21におけるプラズマの低温化の重要な要素であって、具体的には誘電体材料として石英、アルミナ、イットリア部分安定化ジルコニウムなどのガラス質材料やセラミック材料などを例示することができる。また、反応管7の上面はガス導入口51として略全面に亘って開放されていると共に反応管7の下面は吹き出し口12として略全面に亘って開放されている。従って、この吹き出し口12は反応管7の幅広方向と平行方向に長くて幅の狭いスリット形状に形成されており、これにより、吹き出し口12を小さい孔(スポット形状)に形成する場合に比べて、広い面積を一度に処理することができるものである。上記の吹き出し口12及びガス導入口51は反応管7内の放電空間21と連通して形成されている。尚、反応管7は円筒状に形成しても良い。
【0014】
電極9、10は、例えば、銅、アルミニウム、真鍮、耐食性の高いステンレス鋼(SUS304など)などの導電性の金属材料で形成することができる。また、電極9、10はリング状(環状)に形成されているが、その内周形状は反応管7の外周形状に合致するように形成されている。そして、電極9、10の内側に反応管7を挿着することによって、反応管7の外周に電極9、10を取り付けることができる。この時、各電極9、10の内周面は反応管7の外周面に全周に亘って接触させるものであり、これにより、電極9、10を反応管7の外周面に全周に亘って接触させない場合に比べて、電極9、10と反応管7の接触面積が大きくなって接触性を向上させることができ、電極9、10間に電圧を印加した際に放電空間21に放電が発生しやすくなってプラズマ13の生成効率を高めることができるものである。また、反応管7の外側に電極9、10を設けることによって、電極9、10がプラズマ13によるスパッタリングや腐食作用を受けないようにすることができ、電極9、10のスパッタリングにより生じる汚染物質で実装基板15や半導体チップ14やバンプ16が汚染されないようにすることができると共に電極9、10の長寿命化を図ることができるものである。尚、電極9、10の間隔はプラズマを安定に生成するために3〜20mmに設定するのが好ましい。
【0015】
電源11としては、高周波電圧またはパルス電圧を発生し、且つ放電空間21でプラズマ13を連続的に生成するのに必要な電圧を電極9、10間に印加することができるものを用いる。高周波電圧は休止時間(電圧が一定で定常状態になっている時間)が無いかほとんど無い電圧波形(例えば、正弦波)を有するものであり、パルス電圧は休止時間のある電圧波形を有するものである。また、放電空間21でプラズマ13を連続的に生成するのに必要な電圧は反応管7の厚みや放電空間21の大きさ等によって異なるので適宜設定すればよいが、例えば、0.5〜5kVに設定することができる。
【0016】
電極9、10間に印加する電圧として高周波電圧を用いると、電源11として用いる電源装置の構造を簡素化することができると共に電極9、10間に印加する電圧の周波数や放電空間21に供給する電力の大きさ等を容易に調整することができるので好ましい。また、電極9、10間に印加する電圧としてパルス電圧を用いると、電源11として用いる電源装置の構造が複雑化するものの、電界による荷電粒子の加速が無い時間があるので、荷電粒子が放電空間21に滞在する時間が長くなり、放電空間21における放電が容易に起こりやすくなって放電効率が上がりプラズマ13を容易に生成することができるので好ましい。特に、Heを放電空間21に導入しない場合は、Heを放電空間21に導入する場合よりも絶縁破壊電圧が高くなり、放電が発生しにくくなるので、パルス電圧を用いるのが好ましい。
【0017】
プラズマ生成用ガス(図2に矢印で示す)8としては希ガスと酸素ガスあるいは希ガスと水素ガスの混合ガスを用いる。希ガスと酸素ガスの混合ガスを用いた場合は有機物の除去をおこなうことができ、希ガスと水素ガスの混合ガスを用いた場合は有機物の除去と酸化物(膜)を還元することにより酸化物の除去をおこなうことができるものである。そして、このようにプラズマ生成用ガス8に酸素ガスあるいは水素ガスを含有させると、プラズマ13中の電子を酸素ガスあるいは水素ガスが吸着して自ら負イオンとなり、プラズマ13中の電子密度を下げる作用をするものである。一般的に、電子の方がイオンに比べると移動度が大きくまた寿命もイオンより長いので、本発明のようにジェット状のプラズマ(プラズマジェット)を吹き出してプラズマ処理を行う場合においては、チャージアップダメージは電子によって主に引き起こされることが確認されている。
【0018】
そこで、本発明では酸素ガスあるいは水素ガスをプラズマ生成用ガス8に加えることによって、電子が実装基板15や半導体チップ14やバンプ16に到達するまでに酸素ガスや水素ガスで吸着して消滅させることができるようにしたものであり、これにより、電子による半導体チップ14へのチャージアップを少なくすることができるものである。また、酸素や水素の負イオンは実装基板15や半導体チップ14やバンプ16に到達するまでに消滅するので、チャージアップに影響を及ぼさない。このように本発明ではチャージアップの原因である半導体チップ14に到達する電子を減らすことができるので、半導体チップ14をバンプ16により実装基板15に接合した後にプラズマ処理した場合でも、半導体チップ14にチャージアップダメージの発生を抑えて半導体チップ14の特性不良を低減できるものである。
【0019】
ここで、チャージアップダメージを説明する。図3は半導体チップ14の断面図であって、シリコン単結晶基板1上に形成されたゲート電極2の概略図である。チャージアップは、プラズマ中の荷電粒子3が半導体チップ14のゲート電極2と電気的に接続された配線6に注入され、配線6とゲート電極2を介してゲート酸化膜5に蓄積されることで起こる現象である。配線6上には半導体チップ14の表面を保護するためにパッシベーション膜4が形成されているが、配線6のバンプ16が形成される部分であるボンディング部20に対応する位置にはパッシベーション膜4が形成されておらず、クリーニングなどのプラズマ処理時にはこのボンディング部20が直接プラズマに曝されることになって、ボンディング部20がプラズマ中の荷電粒子3を拾うアンテナの役割を果たすのである。
【0020】
そして、上記のチャージアップ現象が過度に進むと、やがてゲート酸化膜5の物理特性に影響を及ぼす。具体的には、ゲート酸化膜5の物理特性が変化した結果、MOSFET(電解効果トランジスタ)の場合にはgm(コンダクタンス)やVth(スレッシュホルド電圧)などが変動する。これがチャージアップダメージと呼ばれる現象である。
【0021】
プラズマ生成用ガス8として希ガスと酸素ガスの混合ガスを用いる場合は、反応管7に導入されるプラズマ生成用ガス8の全体(希ガスと酸素ガスの合計量)に占める酸素ガスの混合比率(プラズマ生成用ガス8中の酸素濃度)は2〜5vol%に設定するのが好ましい。また、プラズマ生成用ガス8として希ガスと水素ガスの混合ガスを用いる場合は、反応管7に導入されるプラズマ生成用ガス8の全体(希ガスと水素ガスの合計量)に占める水素ガスの混合比率(プラズマ生成用ガス8中の水素濃度)は0.3〜3vol%に設定するのが好ましい。
【0022】
プラズマ生成用ガス8に占める酸素ガスの混合比率が2vol%未満であったり、プラズマ生成用ガス8に占める水素ガスの混合比率が0.3vol%未満であったりすると、酸素ガスや水素ガスによる電子の吸着効果が低くなってチャージアップダメージを低減させることができない恐れがあり、プラズマ生成用ガスに占める酸素ガスの混合比率が5vol%を超えたり、プラズマ生成用ガス8に占める水素ガスの混合比率が3vol%を超えたりすると、酸素ガスや水素ガスによる電子の吸着効果が高くなり過ぎて、酸素や水素のマイナスイオンと希ガス(ArやHe)のプラスイオンとの衝突によるイオンの消滅や放電空間21内における電子密度の低下が生じて放電効率が低下し、プラズマ13による有機物や酸化物等の除去(クリーニング)の効果が低下する恐れがある。
【0023】
プラズマ生成用ガス8の希ガスとしてはHe、Ne、Ar、Kr、Xeなどをそれぞれ単独で用いたり複数種を併用したりすることができるが、安価なArのみを用いるのがコスト面で好ましい。電極9、10間に印加する電圧がパルス電圧の場合は放電効率が高いので、プラズマ生成用ガス8の希ガスとしてArのみを用いてもよい(もちろんHeを併用しても良い)。しかしながら、電極9、10間に印加する電圧が高周波電圧の場合は放電効率がパルス電圧に比べて高くないので、プラズマ生成用ガス8の希ガスとしてHeとArを併用するのが好ましい。このようにプラズマ生成用ガス8の希ガスとしてHeとArを併用すると、Heにより放電空間21における絶縁破壊電圧が低くなってそれだけ放電効率を高くすることができてプラズマ13を容易に生成することができ、プラズマ13の生成効率が高まって有機物等の除去の性能を向上させることができるものである。
【0024】
プラズマ生成用ガス8の希ガスとしてHeとArを併用する場合は、プラズマ生成用ガス8に占めるHeの混合比率を30vol%以下にするのが好ましい。プラズマ生成用ガス8に占めるHeの混合比率が30vol%を超えるとコストアップにつながる恐れがあり、しかも、Heの方がArよりも原子量が小さいためにガス全体としての平均原子量が小さくなるものであり、よって、吹き出し口12から吹き出されるプラズマ13の半導体チップ14や実装基板15やバンプ16への到達速度が低下して、半導体チップ14や実装基板15やバンプ16にプラズマ13が到達する前に、クリーニングを行う活性種が死滅する割合が大きくなってクリーニング性能が低下する恐れがある。従って、プラズマ生成用ガス8に占めるHeの混合比率を30vol%以下にするのが好ましいが、放電効率を向上させるためにプラズマ生成用ガス8に占めるHeの混合比率は10vol%以上にするのが好ましい。
【0025】
また、上記のようにプラズマ生成用ガス8の希ガスとしてArのみを用いる場合は、Arの方がHeよりも原子量が大きいために、Heと併用した場合に比べて、ガス全体としての平均原子量が大きくなるものであり、よって、吹き出し口12から吹き出されるプラズマ13の半導体チップ14や実装基板15やバンプ16への到達速度が向上して、半導体チップ14や実装基板15やバンプ16にプラズマ13が到達する前に、クリーニングを行う活性種が死滅する割合が小さくなってクリーニング性能を高くすることができる。
【0026】
以下に、上記のプラズマ処理装置Aを用いた本発明のフリップチップ実装方法について説明する。まず、図1(a)に示すように、半導体チップ14の表面に露出するボンディング部(電極)20にスタッドバンプ等のバンプ16を形成する。バンプ16は既知の各種材料を用いて任意の方法で形成することができるが、例えば、キャピラリ31から金ワイヤ32の先端を導出すると共にこの金ワイヤ32の先端をアーク放電等によりボール状に形成し、このボール状の金ワイヤ32の先端をボンディング部20に熱圧着することによって、金スタッドバンプであるバンプ16を形成することができる。尚、バンプ16は後述の実装基板15の電極19の表面に形成しても良い。
【0027】
次に、図1(b)に示すように、上記のバンプ16の表面に銀ペーストなどの既知の導電性ペースト17を塗布する。次に、図1(c)に示すように、電子回路基板等で形成される実装基板15に上側から半導体チップ14を近づけて載置し、実装基板15の表面に形成された複数の電極19と各電極19に対応する所定のバンプ16及び導電性ペースト17とを接触させるようにする。次に、導電性ペースト17に熱を加えるなどして導電性ペースト17を硬化させることによって、半導体チップ14のボンディング部20と実装基板15の電極19とを電気的に接続すると共に半導体チップ14と実装基板15をバンプ16及び硬化した導電性ペースト17により接合する。
【0028】
このように半導体チップ14と実装基板15を接合した後、上記のプラズマ処理装置Aを用いて有機物等の除去(クリーニング)を行う。この有機物等の除去は次のようにして行う。まず、ガス導入口51から反応管7内にプラズマ生成用ガス8を導入すると共にプラズマ生成用ガス8を反応管7内で上から下に向かって流して放電空間21に導入する。次に、電源11により電極9、10間に高周波電圧またはパルス電圧を印加することによって、反応管7内の放電空間21に高周波電界またはパルス電界を印加して発生させ、この高周波電界またはパルス電界により大気圧近傍の圧力下(93.3〜106.7kPa(700〜800Torr))で放電空間21にグロー状の放電を発生させる。この後、グロー状の放電でプラズマ生成用ガス8がプラズマ化されてプラズマ活性種を含むプラズマ13が放電空間21で連続的に生成される。
【0029】
そして、反応管7の吹き出し口12の下側に半導体チップ14を接合した実装基板15を配置し、上記のようにして生成されたプラズマ13を吹き出し口12から下方に向かってジェット状に連続的に流出させ、図1(e)及び図2に示すように、プラズマ13を半導体チップ14を接合した実装基板15に上側から吹き付けて供給することによって、プラズマ13中に生成されたラジカル等の活性種のスパッタリングにより半導体チップ14の表面と実装基板15の表面とバンプ16(硬化した導電性ペースト17も含む)の表面に付着した有機物や酸化膜等を除去してクリーニングする。
【0030】
この時、半導体チップ14を接合した実装基板15に上側から吹き付けて供給されたプラズマ13は、半導体チップ14の下側に回り込んで実装基板15の面方向に沿って進んで半導体チップ14と実装基板15の間の間隙30に側方から侵入するものであり、これにより、半導体チップ14と実装基板15の対向する表面(半導体チップ14の下面と実装基板15の上面)及びバンプ16(硬化した導電性ペースト17も含む)の表面にプラズマ13が達してクリーニングすることができるものである。尚、プラズマ13を吹き出し口12から吹き出しながら吹き出し口12の下側において半導体チップ14を接合した複数個の実装基板15を連続的に搬送することによって、インラインで連続的にクリーニングすることができる。
【0031】
上記のようにクリーニングを行うにあたって、電源11により電極9、10間に印加される高周波電圧あるいはパルス電圧の周波数は1kHz〜200MHzに設定するのが好ましい。高周波電圧あるいはパルス電圧の周波数が1kHz未満であれば、放電空間21での放電を安定化させることができなくなり、プラズマ処理を効率よく行うことができなくなる恐れがある。また、高周波電圧あるいはパルス電圧の周波数が200MHzを超えると、放電空間21でのプラズマの温度上昇が著しくなり、反応管7や電極9、10の寿命が短くなる恐れがあり、しかも、電子回路基板15や半導体チップ14が熱的損傷を受けたり、プラズマ処理装置が複雑化及び大型化する恐れがある。
【0032】
また、放電空間21に供給される(印加される)電力の密度は20〜3500W/cm3に設定するのが好ましい。放電空間21に供給される電力の密度が20W/cm3未満であれば、放電空間21でプラズマ13を充分に発生させることができなくなり、逆に、放電空間21に供給される電力の密度が3500W/cm3を超えると、放電空間21で安定した放電を得ることができなくなる恐れがある。尚、電力の密度(W/cm3)は(放電空間21に供給される電力/放電空間21の体積)で定義される。
【0033】
上記のようにしてクリーニングを行った後、アンダーフィルを行う。半導体チップ14と実装基板15の間隙30に注入するアンダーフィル材33としては液状樹脂や液状樹脂組成物など、アンダーフィル用の既知の樹脂あるいは樹脂組成物を用いることができ、例えば、エポキシ樹脂に炭酸カルシウムなどの充填材を配合したエポキシ樹脂組成物を用いることができる。また、アンダーフィル材33の注入方法も任意であって、例えば、図1(f)に示すように、間隙30の側面開口にノズル35を近づけてこのノズル35からアンダーフィル材33を吹き出して間隙30に注入することができる。そして、この後、間隙30に注入したアンダーフィル材33を加熱などして硬化させることによって、図1(g)に示すような半導体パッケージを形成することができる。
【0034】
上記のような本発明のフリップチップ実装方法では、実装基板15と半導体チップ14の間に形成される間隙30を挟んで対向する半導体チップ14の表面と実装基板15の表面及びこの間隙30に存在するバンプ16の表面に付着した有機物等を除去し、この後、アンダーフィルを行うので、アンダーフィル材33の流れを阻害したりアンダーフィル材33の密着を阻害したりする有機物等の汚れをプラズマ処理により除去することによって、間隙30においてアンダーフィル材33が流れやすくなってアンダーフィル材33の未注入部分が生じないようにすることができると共に半導体チップ14の表面や実装基板15の表面やバンプ16の表面に対するアンダーフィル材33の密着性を高くすることができるものであり、これにより、アンダーフィル材33によるバンプ16の補強効果や間隙30の密閉性を高くすることができるものである。従って、半導体チップ14と実装基板15の接合強度が高くて耐湿性に優れる半導体パッケージを形成することができるものである。
【0035】
また、本発明ではプラズマ処理装置Aから吹き出されるプラズマ13を半導体チップ14を接合した実装基板15に吹き付けて供給するので、吹き付けによる圧力でプラズマ13を狭い間隙30の中心付近にまで侵入させることができ、間隙30の全体に亘って半導体チップ14の表面や実装基板15の表面やバンプ16の表面に対するクリーニングを均一におこなうことができるものである。また、半導体チップ14と実装基板15をバンプ16により接合した後、プラズマ13によるクリーニングを行うので、半導体チップ14と実装基板15の両方のクリーニングを一度におこなうことができ、半導体チップ14と実装基板15とを個別にクリーニングするのに比べて、効率よくクリーニングをおこなうことができるものであり、しかも、クリーニングとアンダーフィルの間隔を短くすることができ、クリーニング後に再度汚れが付着しにくくすることができるものである。
【0036】
【実施例】
以下本発明を実施例によって具体的に説明する。
【0037】
(実施例1)
図1に示す構造のプラズマ処理装置Aを形成した。反応管7は石英ガラスで形成した。また、上側の電極9と下側の電極10は銅製のものを用い、電極9が高圧電極に、電極10が低圧(接地)電極となるように電源11と電気的に接続した。プラズマ生成用ガス8はHeとArと酸素ガス(O2)の混合ガスを用いた。この時、Heの流量は2リットル/分、Arの流量は10リットル/分、酸素ガスの流量は0.4リットル/分として反応管7に導入し、プラズマ生成用ガス8に占める酸素ガスの混合比率を約3.2vol%とした。
【0038】
そして、大気圧下で周波数が13.56MHz、700Wの電力を電極9、10間(放電空間21)に供給して電極9、10間に高周波電圧(正弦波の波形)を印加することにより、反応管7内の放電空間21でグロー状の放電を発生させると共にこの放電により放電空間21にプラズマ13を生成し、このプラズマ13を吹き出し口12からジェット状に吹き出すように形成した。
【0039】
(実施例2)
プラズマ生成用ガス8としてHeとArと水素ガス(H2)の混合ガスを用いた。この時、Heの流量は0.29リットル/分、Arの流量は1.46リットル/分、水素ガスの流量は0.017リットル/分として反応管7に導入し、プラズマ生成用ガス8に占める水素ガスの混合比率を約1.0vol%とした。また、電極9、10間(放電空間21)に供給する電力を100Wとした。
【0040】
これら以外は実施例1と同様にした。
【0041】
(実施例3)
酸素ガスの流量を0.12リットル/分とし、プラズマ生成用ガス8に占める酸素ガスの混合比率を1.0vol%とした以外は、実施例1と同様にした。
【0042】
(実施例4)
水素ガスの流量を0.004リットル/分とし、プラズマ生成用ガス8に占める水素ガスの混合比率を約0.22vol%とした以外は、実施例2と同様にした。
【0043】
そして、上記の実施例1〜4のプラズマ処理装置Aを用いてQbd評価を行った。このQbd評価は、Qbd評価用の被処理物としてガラス基材エポキシ樹脂基板である基板にMOSFETのゲート酸化膜を形成したものを用い、この被処理物にプラズマを5秒間供給してプラズマ処理を行った後、ゲート酸化膜の寿命を測定し、チャージアップダメージによるダメージをプラズマ処理前後でのゲート酸化膜の寿命の差により評価した。結果を図4、5に示す。
【0044】
図4、5から明らかなように、実施例1、2ではプラズマ処理前(未処理)のものに比べて、ゲート酸化膜の寿命の低下がほどんどなく、チャージアップダメージによるダメージが緩和されているのに対して、実施例3、4ではプラズマ処理前(未処理)のものに比べて、ゲート酸化膜の寿命が低下していて、チャージアップダメージによるダメージが発生しやすかった。
【0045】
上記の実施例1〜4のプラズマ処理装置Aを用いてクリーニング性能評価を行った。このクリーニング性能評価は、クリーニング性能評価用の被処理物50としてウェハ26の表面にネガタイプのレジスト27を塗布したものを用い、図6に示すように、この被処理物50にプラズマ13を1秒間供給してプラズマ処理を行った後、レジスト27の膜厚を測定した。尚、このクリーニング性能評価はレジスト27を半導体チップ14の表面や実装基板15の表面やバンプ16の表面に付着した有機成分のモデルとして想定している。結果を図7に示す。
【0046】
図7から明らかなように、実施例1〜4では、プラズマ処理によりレジスト27が除去(エッチング)されることで、プラズマ処理前よりもレジスト27の膜厚を大幅に薄くすることができ、有機物の汚れのクリーニングをおこなうのに十分な性能を有することが確認された。
【0047】
そして、実施例1〜4のプラズマ処理装置Aを用いて、図1(a)〜(g)に示す工程にしたがって半導体パッケージを製造した結果、間隙30においてアンダーフィル材33の未注入部分が生じず、且つ半導体チップ14の表面や実装基板15の表面やバンプ16の表面に対するアンダーフィル材33の密着性が高くなって、アンダーフィル材33によるバンプ16の補強効果や間隙30の密閉性を高くすることができた。
【0048】
【発明の効果】
上記のように本発明の請求項1、2の発明は、半導体チップと実装基板をバンプにより接合した後、プラズマ処理装置から吹き出されるプラズマを半導体チップと実装基板の間隙に供給することによって半導体チップの表面と実装基板の表面とバンプの表面を洗浄し、この後、アンダーフィルを行うので、アンダーフィルの際に間隙に注入するアンダーフィル材の流れを阻害したりアンダーフィル材の密着を阻害したりする有機物等の汚れをプラズマ処理により除去することによって、間隙においてアンダーフィル材が流れやすくなってアンダーフィル材の未注入部分が生じないようにすることができると共に半導体チップの表面や実装基板の表面やバンプの表面に対するアンダーフィル材の密着性を高くすることができ、バンプの補強効果や間隙の密閉性を高くすることができるものである。
【0049】
また本発明の請求項1、2の発明は、上記フリップチップ実装方法において、筒状の反応管の片側を吹き出し口として開放し、反応管の外側に複数個の電極を配設し、希ガスを含むプラズマ生成用ガスを反応管に導入すると共に電極間に電圧を印加することによって大気圧近傍の圧力下で反応管内に放電を発生させ、この放電により反応管内に生成されたプラズマを吹き出し口から吹き出すので、吹き付けによる圧力でプラズマを狭い間隙の中心付近にまで侵入させることができ、間隙の全体に亘って半導体チップの表面や実装基板の表面やバンプの表面に対するクリーニングを均一におこなうことができるものである。
【0050】
また本発明の請求項1の発明は、プラズマ生成用ガスを希ガスと酸素ガスの混合ガスとし、プラズマ生成用ガスに占める酸素ガスの混合比率を2〜5vol%にするので、プラズマ中に生じる電子を酸素ガスで吸着して消滅させることができ、プラズマ処理時に半導体チップに加わる電子によるチャージアップを少なくすることができて半導体チップのチャージアップダメージを低減することができるものである。
【0051】
また本発明の請求項2の発明は、プラズマ生成用ガスを希ガスと水素ガスの混合ガスとし、プラズマ生成用ガスに占める水素ガスの混合比率を0.3〜3vol%にするので、プラズマ中に生じる電子を水素ガスで吸着して消滅させることができ、プラズマ処理時に半導体チップに加わる電子によるチャージアップを少なくすることができて半導体チップのチャージアップダメージを低減することができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態の一例を示す(a)〜(g)は概略の正面図である。
【図2】同上のプラズマ処理装置の一例を示す斜視図である。
【図3】チャージアップを説明する説明図である。
【図4】同上の実施例1、3のQbd評価を示すグラフである。
【図5】同上の実施例2、4のQbd評価を示すグラフである。
【図6】同上のクリーニング性能評価の実験を示す斜視図である。
【図7】同上の実施例1〜4のクリーニング性能を示すグラフである。
【符号の説明】
7 反応管
8 プラズマ生成用ガス
9 電極
10 電極
12 吹き出し口
13 プラズマ
14 半導体チップ
15 実装基板
16 バンプ
Claims (2)
- 筒状の反応管の片側を吹き出し口として開放し、反応管の外側に複数個の電極を配設し、希ガスを含むプラズマ生成用ガスを反応管に導入すると共に電極間に電圧を印加することによって大気圧近傍の圧力下で反応管内に放電を発生させ、この放電により反応管内にプラズマを生成し、半導体チップと実装基板をバンプにより接合した後、上記反応管の吹き出し口から吹き出されるプラズマを半導体チップと実装基板の間隙に供給することによって半導体チップの表面と実装基板の表面とバンプの表面を洗浄し、この後、アンダーフィルを行うフリップチップ実装方法において、プラズマ生成用ガスを希ガスと酸素ガスの混合ガスとし、プラズマ生成用ガスに占める酸素ガスの混合比率を2〜5vol%にすることを特徴とするフリップチップ実装方法。
- 筒状の反応管の片側を吹き出し口として開放し、反応管の外側に複数個の電極を配設し、希ガスを含むプラズマ生成用ガスを反応管に導入すると共に電極間に電圧を印加することによって大気圧近傍の圧力下で反応管内に放電を発生させ、この放電により反応管内にプラズマを生成し、半導体チップと実装基板をバンプにより接合した後、上記反応管の吹き出し口から吹き出されるプラズマを半導体チップと実装基板の間隙に供給することによって半導体チップの表面と実装基板の表面とバンプの表面を洗浄し、この後、アンダーフィルを行うフリップチップ実装方法において、プラズマ生成用ガスを希ガスと水素ガスの混合ガスとし、プラズマ生成用ガスに占める水素ガスの混合比率を0.3〜3vol%にすることを特徴とするフリップチップ実装方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000293044A JP3937711B2 (ja) | 2000-09-26 | 2000-09-26 | フリップチップ実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000293044A JP3937711B2 (ja) | 2000-09-26 | 2000-09-26 | フリップチップ実装方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002110735A JP2002110735A (ja) | 2002-04-12 |
JP3937711B2 true JP3937711B2 (ja) | 2007-06-27 |
Family
ID=18775888
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000293044A Expired - Lifetime JP3937711B2 (ja) | 2000-09-26 | 2000-09-26 | フリップチップ実装方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3937711B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008252132A (ja) * | 2004-09-15 | 2008-10-16 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の実装方法 |
JP4700438B2 (ja) * | 2005-08-22 | 2011-06-15 | ナミックス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
CN114823970B (zh) * | 2022-03-25 | 2023-06-20 | 昆明物理研究所 | 一种增加光刻胶在超晶格红外焦平面芯片上附着性的方法 |
-
2000
- 2000-09-26 JP JP2000293044A patent/JP3937711B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002110735A (ja) | 2002-04-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3057065B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
US20100159645A1 (en) | Semiconductor apparatus and process of production thereof | |
JP2002110613A (ja) | プラズマ洗浄装置及びプラズマ洗浄方法 | |
JP3147137B2 (ja) | 表面処理方法及びその装置、半導体装置の製造方法及びその装置、並びに液晶ディスプレイの製造方法 | |
JP3312377B2 (ja) | ろう材による接合方法及び装置 | |
US6320155B1 (en) | Plasma enhanced wire bonder | |
WO1994022628A1 (en) | Combining method and apparatus using solder | |
JP2000200697A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
KR100365898B1 (ko) | 플라즈마 처리장치 및 처리방법 | |
US10399170B2 (en) | Die attachment apparatus and method utilizing activated forming gas | |
KR101912578B1 (ko) | 반도체 디바이스 패키징을 위한 패시베이션 층 | |
JP2002001253A (ja) | プラズマ洗浄装置及びプラズマ洗浄方法並びに半田付けシステム及び半田付け方法 | |
JP2000340599A (ja) | ワイヤボンディング装置及び該ワイヤボンディング装置によるワイヤボンディング方法 | |
JP3937711B2 (ja) | フリップチップ実装方法 | |
JP2007142297A (ja) | パッケージ部品の製造方法 | |
JP4702157B2 (ja) | Ic部品実装方法とダイボンディング装置 | |
US6418941B1 (en) | Method of and apparatus for plasma cleaning of chip-mounted board | |
JP3835432B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 | |
JP4130706B2 (ja) | バンプ製造方法および半導体装置の製造方法 | |
JP2001023968A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ洗浄方法 | |
JP2002110639A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP2002118128A (ja) | 電子部品製造方法および電子部品 | |
JP3427702B2 (ja) | 電子部品のプラズマ処理装置 | |
Abarro et al. | Batch Microwave Plasma Cleaning for Robustification of Automotive Devices an Alternative to Strip-Type Radiofrequency Plasma | |
JP2009231680A (ja) | 基板の表面処理方法および表面処理装置ならびに半導体パッケージの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050905 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061201 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061212 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070213 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070306 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070319 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 3937711 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100406 Year of fee payment: 3 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100406 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100406 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110406 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120406 Year of fee payment: 5 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120406 Year of fee payment: 5 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120406 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130406 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130406 Year of fee payment: 6 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130406 Year of fee payment: 6 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130406 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140406 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |