JP3923364B2 - ファイバグレーティング型光部品 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、光アンプ用利得等化器や光フィルタ等として利用されるファイバグレーティング型光部品に関する。
【0002】
【従来の技術】
ファイバグレーティング型光部品は、シングルモード光ファイバ(Single Mode optical Fiber :SMF)と、このSMFのコア層に対して紫外レーザ光を照射することによりファイバ軸方向に形成された屈折率の周期的変化であるファイバグレーティングとを備えている。
【0003】
そして、この周期的変化が、その周期的変化部位を介して伝送される光信号の波長帯域と同一オーダである例えば1μmオーダのファイバグレーティングを短周期グレーティング{ファイバブラッググレーティング;Fiber Bragg Grating(FBG)ともいう}と呼び、また、上記光信号の波長帯域よりも非常に長波長である例えば100μm〜数100μmのファイバグレーティングを長周期グレーティングと呼ぶ。
【0004】
短周期グレーティングは、上記屈折率変化の周期に対応する特定の波長(ブラッグ条件を満足する波長)を反射し、上記光信号の進行方向(前方)とは反対の方向(後方)に伝搬させて進行方向への伝搬を阻止するフィルタ機能を有している。
【0005】
この短周期グレーティングを利用した光アンプ用利得等化器は、EDFA(Erbium-doped Fiber Amplifier;エルビニウム添加光ファイバ増幅器)等の光ファイバ増幅器のASE(Amplified Spontaneous Emission;増幅された自然放出光)抑制・除去や利得波長依存性を補償するためのフィルタデバイスとして、WDM(Wavelength Divisional Multiplexing;波長分割多重)システム等の様々や光通信システムに利用されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した利得等化器等の光機能部品においては、短周期グレーティング特有の問題であるクラッドモード結合損失が、短周期グレーティングにおける波長遮断帯域に対する短波長側の透過帯域に生じる。
【0007】
上記クラッドモード結合損失とは、波長遮断帯域以外の波長帯域の光信号におけるコア層を伝搬する伝搬モードとファイバグレーティング部により反射された光信号におけるクラッド層を介して伝搬するクラッドモードとが結合することにより生じる損失である。
【0008】
このクラッドモード結合損失のため、波長遮断帯域に対する短波長側の透過帯域の利得を低下させるという問題が生じていた。
【0009】
したがって、短周期グレーティングを用いた光機能部品を設計・製作するにあたり、上記クラッドモード結合損失を考慮した設計・製作が必要になり、その設計・製作工程を複雑化していた。
【0010】
本発明は上述した事情に鑑みてなされたもので、複雑な設計・製作工程を行なうことなくクラッドモード結合損失を低減することが可能なファイバグレーティング型利得等化器を提供することをその目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明の態様に係るファイバグレーティング型利得等化器は、シリカ(SiO2)にゲルマニウム(Ge)がドープされたコア層と、シリカ(SiO2)にゲルマニウム(Ge)及びフッ素(F)がドープされた第1のクラッド層であって、前記コア層を被覆する第1のクラッド層と、シリカ(SiO2)を成分とする第2クラッド層であって、前記第1のクラッド層を被覆する第2のクラッド層とを含む光ファイバと、前記光ファイバのコア層および前記第1のクラッド層の軸方向に沿った所定部位の屈折率が、紫外線の感光により、前記光ファイバの軸方向に沿った周期的変化として形成されているファイバグレーティング部と、を備え、前記コア層を伝搬する伝搬モードと前記第1のクラッド層を介して伝搬するクラッドモードとの間の結合係数を略0になるようにすると共に、前記コアを伝搬する伝搬モードにおける前記コア層から前記第1のクラッド層へ広がる電界分布が前記第1のクラッド層と前記第2のクラッドの境界において略0になる値に設定している。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【0013】
図1は、本発明の実施の形態に係わるファイバグレーティング型光部品1の概略構成を示す斜視図である。
【0014】
図1に示すように、ファイバグレーティング型光部品1は、光ファイバ2を備えている。
【0015】
この光ファイバ2は、紫外線に感光するゲルマニウム(Ge;ゲルマニア(GeO2と同義である))が石英ガラス(シリカ(SiO2)ガラス)にドープ(添加)されて形成されており、例えば約10μmのモードフィールド径d1を有するコア層3を備えている。なお、モードフィールド径とは、ファイバ内(コア層3内)の光の強度分布の広がりを表している。本実施形態では、モードフィールド径が約10μmのコア層3を有する光ファイバ2を用いたため、従来のSMFと比べた損失を、略問題のない約0.05dBに抑えることができる。
【0016】
また、光ファイバ2は、コア層3を被覆する第1のクラッド層4と、シリカにより形成されており、第1のクラッド層4を被覆する第2のクラッド層5とを備えている。
【0017】
第1のクラッド層4は、シリカから成るシリカ層に上記ゲルマニウム、および紫外線に感光するフッ素(F)が共にドープ(コドープ)されて形成されている。
【0018】
また、ファイバグレーティング型光部品1は、コア層3および第1のクラッド層4のファイバ軸方向に沿った所定部位(例えば、軸方向に沿った長さが約20mm)に形成されたファイバグレーティング部10を備えている。なお、上記ファイバグレーティング部10のファイバ軸方向に沿った長さ(本実施形態では、20mm)をグレーティング長と定義する。
【0019】
このファイバグレーティング部10は、コア層3および第1のクラッド層4の所定部位の屈折率のファイバの軸方向に沿った周期的変化、すなわち、高屈折率層および低屈折率層の周期構造であり、入射された光信号における上記屈折率周期に対応する波長遮断帯域の光信号を反射する機能を有している。
【0020】
このファイバグレーティング部10は次のように形成されている。すなわち、上記ゲルマニウムがドープされたコア層3、ゲルマニウムおよびフッ素がコドープされた第1のクラッド層4およびシリカ層である第2のクラッド層5から成る光ファイバ2に対して高圧水素処理を行う。
【0021】
そして、高圧水素処理後の光ファイバ2におけるコア層3および第1のクラッド層4におけるファイバ軸方向に沿った所定部位(グレーティング長20mm)に対して、ファイバ軸方向に対応する長手方向に沿って所定の微小変化率毎に変化する周期ピッチ毎に形成されたフェーズマスク(チャープドマスク)を介してアルゴン(Ar)レーザにより紫外線を照射することにより形成されている。
【0022】
なお、チャープドマスクは、その中心周期ピッチが光ファイバ2に入射される光の波長と同一オーダの短周期ピッチ1.0665μm、およびチャープ率が13nm/cmとなっている。
【0023】
図1に示すように、ファイバグレーティング部10の屈折率変化部位は、上記チャープドマスクに対応して、ファイバ軸方向に沿って、光ファイバ2に入射される光の波長と同一オーダの短周期ピッチで形成されている。
【0024】
さらに、ファイバグレーティング部10は、図1に示すように、上記チャープドマスクに対応して、その屈折率変化部位の短周期ピッチがファイバ軸方向に沿って所定の微小変化率毎に変化する、いわゆるチャープドグレーティングとして形成されており、最小の周期ピッチ(ΛSHORT)〜最大の周期ピッチ(ΛLARGE)となっている。
【0025】
図2は、光ファイバ2の寸法および屈折率分布のプロファイル(一点鎖線で示す)を概略的に示す図である。
【0026】
コア層3は、上記約10μmのモードフィールド径d1を有しており、また、第1のクラッド層4は、後述するように、コア層3を伝搬する伝搬モードにおけるコア層3から第1のクラッド層4へ広がる電界分布がその第1のクラッド層4上で略0になる値として、コア径の1.5倍以上である約15〜80μmのクラッド径d2(コア層3を含む第1のクラッド層4の直径)を有している。さらに、第2のクラッド層5は、約125μmのクラッド径d3(コア層3および第1のクラッド層4を含む第2のクラッド層5の直径)を有している。
【0027】
コア層3の屈折率および第1・第2のクラッド層4・5の屈折率は階段状(ステップ状)に変化しており、コア層3および第1のクラッド層4の比屈折率差△は、コア層3のモードフィールド径を大きくしながら、入射された光信号の波長帯域におけるパルス分散を抑制するために、例えば約0.35%〜0.6%に設定されている。
【0028】
また、第1のクラッド層4にドープされたゲルマニウムは、紫外線に対する感光によりドープされた層の屈折率を高める作用を有しており、第1のクラッド層4にゲルマニウムとコドープされたフッ素は、ゲルマニウムの屈折率上昇作用を相殺する屈折率低下作用を有している。このため、第1のクラッド層4の屈折率レベルは、図2に示すように、第2のクラッド層5の屈折率レベルと略同一となっている。
【0029】
なお、上記比屈折率差△および屈折率レベルは、コア層3、第1のクラッド層4および第2のクラッド層5にそれぞれドープされるドープ材料の量により設定されている。
【0030】
次に、本実施形態に係わるファイバグレーティング型光部品1の作用について説明する。
【0031】
最初に、ファイバグレーティング型光部品1の波長遮断作用(フィルタ作用)について説明する。
【0032】
ファイバグレーティング型光部品1において、光信号が図1中向かって左側から光ファイバ2のコア層3に入射すると、コア層3に入射した光信号におけるブラッグ反射条件に対応する波長帯域の光信号、すなわち、波長帯域λBS(=nΛSHORT/2)〜λBL(=nΛLARGE/2)の光信号は、対応する屈折率が異なる境界面(低屈折率層→高屈折率層の境界面)で反射する。
【0033】
そして、隣接層からの反射光は干渉して互いに強め合い、結果として、上記波長帯域(波長遮断帯域)λBS〜λBL(=nΛLARGE/2)の光信号は、ファイバグレーティング部10を通過することなく、その通過が阻止されることになる。したがって、上記ファイバグレーティング部10の周期ピッチ(ΛSHORT)〜周期ピッチ(ΛLARGE)を所望の値に設定することにより、所望の波長遮断帯域(透過損失帯域)を有するファイバグレーティング型光部品1として機能することができる。
【0034】
次に、本実施形態のファイバグレーティング型光部品1のクラッドモード結合損失低減作用について説明する。
【0035】
図3は、従来の短周期ファイバグレーティング部が形成されたSMFを用いたファイバグレーティング部品の比屈折率差(コア層とクラッド層との屈折率の差)のプロファイルを示す図である。また、図4(a)は、従来のSMF30のコア層31に形成されたチャープド短周期ファイバグレーティング部32、このチャープド短周期ファイバグレーティング部32におけるコア層伝搬モード(基本モードLP01)の電界強度(ビーム)プロファイルBP1およびクラッドモードフィールド分布BP2を示す図である。
【0036】
ここで、基本モードLP01とクラッドモードとの結合を表す結合係数κは、コア層31に広がる基本モードLP01の電界分布をELP01、コア層31からクラッド層33に広がる電界分布をEcladおよび径方向に沿った屈折率変化率をΔn(r)を用いて、下式(1)
【式1】
で表される。但し、(θ、r)は、SMF30のファイバグレーティング部32における点を表す極座標であり、rは、コア中心軸からの距離、θは、積分方向の角度を表している。
【0037】
すなわち、図4(a)に示す従来のSMF30を用いたファイバグレーティング部品においては、SMFファイバ中を伝搬する光の電界分布はコア層31(ELP01)だけでなくクラッド層33(Eclad)まで広がっているため、コア層31/クラッド層33の界面において上記結合係数κに基づく回折が生じる。この回折により光(クラッドモード)の回折光のBragg条件を満足する波長帯域は、短周期グレーティング部32における反射波長帯域(波長遮断帯域;例えば、1525nm〜1565nm)よりも短波長側にあるため、ファイバグレーティング特有の短波長側放射損失(クラッドモード結合損失)が現れる。
【0038】
したがって、上記クラッドモード結合損失が短周期グレーティング部32における反射波長帯域(波長遮断帯域;例えば、1525nm〜1565nm)に対する短波長側の透過帯域に生じる(図5の2点鎖線で囲んだ領域参照)。
【0039】
これに対して、本実施形態における光ファイバ2のコア層3および第1のクラッド層4に形成されたファイバグレーティング部10、このファイバグレーティング部10におけるコア層伝搬モード(基本モードLP01)の電界強度(ビーム)プロファイルBP10およびクラッドモードフィールド分布BP11を図4(b)に示す。
【0040】
本実施形態では、コア層3に加えて、そのコア層3を被覆する第1のクラッド層4に対してゲルマニウムをドープし、さらに、その第1のクラッド層4のクラッド径d2を、コア層3のコア径d1の1.5倍以上に設定した状態で、コア層3および第1のクラッド層4に対してファイバグレーティング部10を形成している。
【0041】
すなわち、第1のクラッド層4のクラッド径d2がコア層3のコア径d1の1.5倍以上に設定されているため、図4(b)に示すように、ファイバグレーティング部10の基本モードLP01におけるコア層3から第1のクラッド層4へ広がる電界分布がその第1のクラッド層4上で略0になる。
【0042】
したがって、第2のクラッド層5に対する界面において上記電界分布は消滅し、上記(1)式に基づく結合係数κが0になる。
【0043】
この結果、ファイバグレーティング型光部品1のクラッドモード結合損失を大幅に抑制することができ、図6に示すように、反射波長帯域(波長遮断帯域;例えば、1525nm〜1565nm)の短波長側において、従来生じていた透過損失を大幅に低減することができる。
【0044】
図7は、上記ファイバグレーティング型光部品1を用いた光機能部品である利得等化器の波長損失特性を示す図であり、設計上限値〜設計下限値内において良好な特性が得られた。
【0045】
以上述べたように、本実施形態においては、例えば第1のクラッド層4のクラッド径d2をコア層3のコア径d1の1.5倍以上に設定することにより、コア層3の基本モードLP01とクラッドモードとの間の結合係数を略0にしている。
【0046】
このため、短周期ファイバグレーティング型光部品特有のクラッドモード結合損失を大幅に抑制させることができ、上記クラッドモード結合損失に起因した反射波長帯域の短波長側の透過帯域における透過損失を大幅に低減することができる。
【0047】
また、本実施形態では、第1のクラッド層4に対して、屈折率上昇用のドーパントであるゲルマニウムに加えて、ゲルマニウムの屈折率上昇作用を相殺する屈折率低下作用を有するドーパントであるフッ素をコドープしているため、第1のクラッド層4の屈折率レベルを、第2のクラッド層5の屈折率レベルと略同一に設定することができる。
【0048】
したがって、第1および第2のクラッド層4および5間の結合損失発生を防止することができる。
【0049】
以上のように、本実施形態においては、第1のクラッド層4に、紫外線感光性を有し、かつ屈折率上昇作用を有するドーパントであるゲルマニウムに加えて、紫外線感光性を有し、かつゲルマニウムの屈折率上昇作用を相殺する屈折率低下作用を有するドーパントであるフッ素をコドープした。
【0051】
また、本実施形態では、ファイバグレーティング部をチャープドファイバグレーティング部としたが、一定周期のグレーティング部であってもよい。
【0052】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明に係わるファイバグレーティング型利得等化器によれば、コア層の伝搬モードとクラッドモードとの間の結合係数を略0にすることができる。
【0053】
したがって、ファイバグレーティング型光部品特有のクラッドモード結合損失を大幅に抑制させることができ、クラッドモード結合損失に起因した反射波長帯域の短波長側の透過帯域における透過損失を大幅に低減することができる。
【0054】
よって、ファイバグレーティング型利得等化器を設計・製作するにあたり、クラッドモード結合損失を考慮した設計・製作が不用になり、グレーティング型利得等化器の設計・製作工程を簡略化して、その製造歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係わるファイバグレーティング型光部品の概略構成を示す斜視図。
【図2】図1に示す光ファイバの寸法および屈折率分布のプロファイルを概略的に示す図。
【図3】従来の短周期ファイバグレーティング部が形成されたシングルモード光ファイバを用いたファイバグレーティング部品の比屈折率差のプロファイルを示す図。
【図4】(a)は、従来のシングルモード光ファイバのコア層に形成されたチャープド短周期ファイバグレーティング部、このチャープド短周期ファイバグレーティング部におけるコア層伝搬モードの電界強度プロファイル等を示す図であり、(b)は、本実施形態における光ファイバのコア層および第1のクラッド層に形成されたファイバグレーティング部、このファイバグレーティング部におけるコア層伝搬モードの電界強度プロファイル等を示す図。
【図5】従来のシングルモード光ファイバを用いたグレーティング型光部品における波長損失特性およびクラッドモード結合損失を示すグラフ。
【図6】本実施形態のファイバグレーティング型光部品における波長損失特性を示すグラフ。
【図7】本実施形態のファイバグレーティング型光部品を用いた光機能部品である利得等化器の波長損失特性を示す図。
【符号の説明】
1:グレーティング型光部品
2:光ファイバ
3:コア層
4:第1のクラッド層
5:第2のクラッド層
10:ファイバグレーティング部
Claims (1)
- シリカ(SiO2)にゲルマニウム(Ge)がドープされたコア層と、シリカ(SiO2)にゲルマニウム(Ge)及びフッ素(F)がドープされた第1のクラッド層であって、前記コア層を被覆する第1のクラッド層と、シリカ(SiO2)を成分とする第2クラッド層であって、前記第1のクラッド層を被覆する第2のクラッド層とを含む光ファイバと、前記光ファイバのコア層および前記第1のクラッド層の軸方向に沿った所定部位の屈折率が、紫外線の感光により、前記光ファイバの軸方向に沿った周期的変化として形成されているファイバグレーティング部と、を備え、前記コア層を伝搬する伝搬モードと前記第1のクラッド層を介して伝搬するクラッドモードとの間の結合係数を略0になるようにすると共に、前記コアを伝搬する伝搬モードにおける前記コア層から前記第1のクラッド層へ広がる電界分布が前記第1のクラッド層と前記第2のクラッド層の境界において略0になる値に設定したことを特徴とするファイバグレーティング型利得等化器。
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