JP3919394B2 - Film carrier tape for mounting electronic components - Google Patents

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Description

【０００１】
【発明の技術分野】
本発明はＩＣあるいはＬＳＩなどの電子部品を実装するフィルムキャリアテープ（例えば、ＴＡＢ(Tape Automated Bonding)テープ、T-BGA(Tape Ball Grid Array)テープ、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)テープなど）に関する。さらに詳しくは本発明は、狭ピッチのリードパターンを形成可能な電子部品実装用フィルムキャリアテープに関する。
【０００２】
【発明の技術的背景】
近年ノートパソコンなどの電子機器がますます小型化、軽量化している。また、半導体ＩＣの配線もさらに微細化している。特に高密度化しているＩＣあるいはＬＳＩをプリント配線板に搭載するためＴＡＢテープ等の配線パターンについてファインピッチ化の要請が高い。
【０００３】
従来、上記のようなデバイスは、基板である絶縁フィルムに、搭載されるデバイスよりも大きいデバイスホールを形成し、このデバイスホールの縁部からデバイスホールの内側に向かって多数のインナーリードを延出し、このインナーリードにスズメッキを施した後、配線パターンの形成されていない絶縁フィルム面側（裏面）から、このインナーリードにデバイスに形成されたバンプ電極を接合することにより装着される。すなわち、絶縁フィルムの裏面からデバイスを挿入し、デバイスに形成されたバンプ電極とインナーリードとを熱時接合することにより、バンプ電極を形成する金とインナーリード表面のスズメッキ層からのスズとが共晶合金を形成してインナーリードとバンプ電極とがボンディングされる。
【０００４】
従来、電子部品実装用フィルムキャリアテープのインナーリードのピッチ（Ｐ0）は１００μｍ程度であったが、近時このリードピッチ（Ｐ0）を６０〜８０μｍにすることが提案されており（例えば、特開平５-１６０２０８号公報等参照）、さらに、最近では、このリードピッチを６０μｍよりも狭くすることが検討されつつある。
【０００５】
また、一方で、上記のようにリードピッチ幅が狭くなるにつれて、インナーリードを形成する銅箔も薄くなってきており、１５〜３５μｍ前後の厚さの銅箔が使用されている。電子部品実装用フィルムキャリアテープで使用されている銅箔には、圧延銅箔および電解銅箔があるが、ファインピッチの電子部品実装用フィルムキャリアテープを形成するには、より薄い銅箔を形成可能な電解銅箔を使用することが好ましい。
【０００６】
このような電解銅箔は、その製造工程において、ドラムより剥離された面（シャイン面）と、銅の析出が終了する面（マット面）とがあり、通常は、絶縁フィルムからなる基板との接着性を考慮して、マット面が絶縁フィルムの表面と対面するように配置して接着されている。このマット面の表面粗度は、通常２．５〜１０μｍ程度であり、シャイン面よりも表面が粗く、この粗い表面が接着剤に対してアンカー効果を奏するために絶縁フィルムと強固に接着することができる。
【０００７】
ところが、リードピッチ幅が狭いファインピッチの電子部品実装用フィルムキャリアテープを、マット面にバンプ電極がボンディングされるようにデバイスを配置してボンディングすると、バンプ電極をボンディングするために形成される金−スズ共晶合金が過剰に供給され、リードから横方向に漏出して隣接するリードとの間で短絡することがあるという問題があることがわかった。
【０００８】
また、近時こうしたＴＡＢテープは、液晶素子駆動用に多量に使用されている。こうした液晶用のＴＡＢテープには、絶縁フィルム上に液晶素子と接合する出力側アウターリードが形成されている。この出力側アウターリードは、絶縁フィルム上に積層された銅箔をエッチングして形成されることから、裏面に絶縁フィルムのないインナーリードよりもエッチングが難しい。殊に従来の銅箔を用いた場合、この出力側アウターリードの断面（縦断面）が台形になることが多く、また、従来の銅箔ではエッチングして形成された配線パターンの直線性が低い等の問題があり、絶縁フィルム上において隣接するリードとの間で短絡が形成されやすいという問題がある。
【０００９】
ところで、特開平５-１６０２０８号公報には、電解析出により得られたマット面の全面が整面された電解銅箔を用いてリードパターンを形成したキャリアテープが開示されている。この公報には、ピッチが６０〜８０μｍのリードパターンを形成する際にマット面の表面を１〜２μｍに化学的に整面処理した電解銅箔を使用することが開示されており、ここで使用されている電解銅箔の整面処理後の銅箔厚さは１８〜３０μｍである。このようにマット面の全面が化学的に整面処理された銅箔を使用することにより、所要のリード強度を有すると共に、高い信頼性を有するキャリアテープが提供されることが開示されている。
【００１０】
しかしながら、上記のようにマット面の整面処理によれば、電解銅箔の厚さが公称３５μｍ（１オンス）、あるいは公称１８μｍ（１／２オンス）程度まではインナーリードの強度を低下させることなくインナーリードを形成することができるが、さらに薄い電解銅箔を使用する場合にはこうした化学的整面処理（化学研磨）では、充分な強度が保証されない。また、こうした化学的整面処理では化学研磨反応がマット面を均一に処理するように制御することが難しく、均一に化学研磨反応が進行しない場合、インナーリードの強度が部分的に低下するとの問題がある。
【００１１】
なお、特開平３-２９６２３８号公報には、銅箔として無粗面化銅箔を用いたＴＡＢテープが開示されており、この無粗面化銅箔の表面平均粗度は０.０１〜１μｍの範囲内にあることが記載されている。
しかしながら、この公報に開示されている表面平均粗度が０.０１〜１μｍの範囲内にある無粗面化銅箔は圧延銅箔であり、このような無粗面化圧延銅箔は、表面粗度が低すぎるために、充分なピール強度（接着強度）を確保することができない。このため銅箔を予備加熱したりあるいはローラーを大型化することに伴い、圧延銅箔表面に薄い亜酸化銅の被膜を形成することが必要となり、その調製工程が煩雑になるとの問題がある。また、このような圧延銅箔を用いたのでは、ピッチ幅が３０〜６０μmといった非常にファインピッチのＴＡＢテープを形成することは極めて困難である。
【００１２】
また、特開平９−１９５０９６号公報には、電解銅箔のコブ付け処理前の粗面の表面粗度が１．５μｍ以下で、該粗面上に前記コブ付け処理した後の表面粗度が１．５〜２．０μｍであることを特徴とするプリント配線板用電解銅箔の発明が開示されており、このような電解銅箔は、電解銅箔の粗面側をバフで研磨してコブ付け処理する前の表面粗度を１．５μｍ以下にし、該粗面上にコブ付け処理して表面粗度を１．５〜２μｍとする方法により製造できると記載されている。
【００１３】
しかしながら、この公報に記載されているようにして銅箔を一気にバフ研磨すると、バフ研磨面にすじ状の研磨痕が生ずることがある。この研磨痕は、予定研磨量よりも深く研磨されたことにより生ずる傷である。従来のように厚い電解銅箔を使用する場合には、多少の研磨痕は問題にはならなかったが、こうした研磨痕部分は銅が余分に研磨されているので、薄い銅箔を用いた場合には、こうした研磨痕部分の強度が著しく低くなり、配線パターン等においてこの部分における断線の可能性が高くなるなど、不良品の発生原因になりやすい。また、こうしたバフ研磨を行う際には銅箔表面の凸部にバフの回転方向に沿った変形応力がかかり、銅箔表面の凸部がバフの回転方向に沿って変形しやすい。このように凸部が変形したバフ研磨銅箔には、均一にコブ付け処理することが難しい。そして、コブ付け処理が不均一になることによって、絶縁フィルムに対する被接着性、エッチングの均一性、ボンディングの信頼性などが低下するという問題が生ずる。特にこうした問題は、薄い電解銅箔を機械研磨したときに生じやすい。
【００１４】
【発明の目的】
本発明は、ファインピッチ化することができるＴＡＢテープ、Ｔ-ＢＧＡテープ、ＡＳＩＣテープなどの電子部品実装用フィルムキャリアテープを提供することを目的としている。
さらに詳しくは本発明は、リードのピッチ幅をファインピッチ化しても、リードの均一性が高く、導通性を確保することができるＴＡＢテープ、Ｔ-ＢＧＡテープ、ＡＳＩＣテープなど電子部品実装用フィルムキャリアテープを提供することを目的としている。
【００１５】
また本発明は、上記のようにファインピッチであるにも拘わらず、デバイスをボンディングした際に短絡の生じにくいＴＡＢテープ、Ｔ-ＢＧＡテープ、ＡＳＩＣテープなど電子部品実装用フィルムキャリアテープを提供することを目的としている。
さらに本発明は、絶縁フィルム上に形成された出力側アウターリード部のような狭ピッチリード部において絶縁不良が生じにくい電子部品実装用フィルムキャリアテープ、特に液晶用のＴＡＢテープを提供することを目的としている。
【００１６】
【発明の概要】
本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープは、絶縁フィルムに銅箔を積層し、該銅箔をエッチングして所望の配線パターンを形成した電子部品実装用フィルムキャリアテープであって、
上記配線パターンが、マット面を少なくとも１回機械研磨した後、該機械研磨したマット面を化学研磨することにより得られる整面電解銅箔を用いて形成されていることを特徴としている。
【００１７】
特に本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープでは、配線パターンが、平均表面粗度が２．５〜１０μｍの範囲内にあるマット面を有する電解銅箔を、該マット面の平均表面粗度が１．５〜３．０μｍになるように少なくとも１回機械研磨して後、該機械研磨されたマット面を、平均表面粗度が０．８〜２．５μｍになるように選択的に化学研磨することによって得られる整面電解銅箔を用いて形成されていることが好ましい。
【００１８】
さらに、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープを形成する電解銅箔として、上記整面電解銅箔を粗化処理した粗化処理整面電解銅箔を使用することが好ましい。
さらに本発明において、上記粗化処理整面電解銅箔は、電解銅箔原反を少なくとも２回、研磨方向を逆にして機械研磨し、さらに化学研磨して整面電解銅箔を形成した後、該整面電解銅箔を粗化処理することにより形成されたものであることが好ましい。
【００１９】
本発明のＴＡＢテープ、Ｔ-ＢＧＡテープ、ＡＳＩＣテープなどの電子部品実装用フィルムキャリアテープでは、電解銅箔のマット面を少なくとも１回機械研磨した後、化学研磨することにより形成される整面電解銅箔を用いて配線パターンが形成されている。このように電解銅箔のマット面を機械研磨と化学研磨とで徐々に研磨することにより、一回の研磨量を少なくすることができ、例えば機械研磨による研磨跡などが形成されにくい。また、機械研磨した後に化学研磨することにより、機械研磨により生ずることもあるマット面の物理的変形、内在する応力などを化学研磨により是正することができる。従って、上記のような整面電解銅箔を用いて形成した電子部品実装用フィルムキャリアテープは、整面電解銅箔のマット面が非常に均質であり、絶縁フィルムとの接着性が高い。しかも、この整面電解銅箔はエッチング特性が非常によく、形成された配線パターンは、直線性が高く、しかもその縦断面は、エッチングされた電解銅箔の側壁が絶縁フィルムに対して略直角になり、配線パターンの縦断面の形状が略矩形になり、またエッチングにより絶縁フィルム表面に余剰の銅が残留することが殆どない。従って、このような整面電解銅箔を使用することにより本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープには非常に狭ピッチの配線パターンを形成することが可能になり、従って、こうして形成された配線パターン、特にリード部において絶縁不良などが生ずることが殆どない。しかも、こうして形成された配線パターンは、デバイスをボンディングするリードの表面が非常に均質であることから、このリード表面に形成されるメッキ層のメッキ金属量が均一であり、例えばデバイスの金バンプをこのリードにボンディングする際に、金とメッキ金属との共晶物が過剰に供給されることがなく、こうしたボンディングの際にも隣接するリード間で短絡などが生ずる虞が少ない。
【００２０】
さらに、本発明で使用される整面電解銅箔は、機械研磨した後に化学研磨しているので、機械研磨の際に非常に穏和な条件で機械研磨することができるので機械研磨による研磨痕などが生じにくく、また研磨痕が生じたとしても化学研磨によりこうした研磨痕は是正されるので、形成される配線パターンに欠陥が殆どなく、用いる銅箔に起因するリードの機械的強度の低下などは殆ど生じない。
【００２１】
【発明の具体的説明】
次に、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープについて図面を参照しながら具体的に説明する。なお、以下に示す図面において共通の部材には共通の付番を付してある。
図１（Ａ）は、デバイスを実装した本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープの例を模式的に示す平面図であり、図１（Ｂ）は、インナーリード部を拡大して示す図であり、図１（Ｃ）は、図１（Ａ）におけるＸ−Ｘ断面図である。
【００２２】
図１に示すように、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープ１は、絶縁フィルム１０と、この絶縁フィルム１０と積層された整面電解銅箔を用いて形成される配線パターン１４とからなる。また配線パターン１４は、デバイス２３に設けられたバンプ電極２５との接続部分（ボンディング部分）であるインナーリード１５と、このインナーリード１５から外方向に延出されて、外部の電子部材と接続するためのアウターリード１６とからなる。
【００２３】
本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープ１を構成する絶縁フィルム１０は、可撓性樹脂フィルムからなる。この絶縁フィルム１０は、エッチングする際に酸などのエッチング液と接触することからこうした薬品に侵されない耐薬品性およびボンディングする際の加熱によっても変質しないような耐熱性を有している。このような可撓性樹脂フィルムを形成する樹脂の例としては、ポリエステル、ポリアミドおよびポリイミドなどを挙げることができる。特に本発明ではポリイミドからなるフィルムを用いることが好ましい。
【００２４】
絶縁フィルム１０を構成するポリイミドフィルムの例としては、ピロメリット酸２無水物と芳香族ジアミンとから合成される全芳香族ポリイミド、ビフェニルテトラカルボン酸２無水物と芳香族ジアミンとから合成されるビフェニル骨格を有する全芳香族ポリイミドを挙げることができる。特に本発明ではビフェニル骨格を有する全芳香族ポリイミド（例；商品名：ユーピレックス、宇部興産（株）製）が好ましく使用される。このような絶縁フィルム１０の厚さは、通常は２５〜１２５μm、好ましくは５０〜７５μmの範囲内にある。
【００２５】
このような絶縁フィルム１０には、デバイスホール２０、スプロケットホール２１、アウターリードの切断穴（図示なし）などがパンチングにより形成されている。
配線パターン１４は、上記のような所定の穴が形成された絶縁フィルム１０に整面電解銅箔を積層しフォトレジスト形成後エッチングして形成される。
【００２６】
整面電解銅箔と絶縁フィルムとの積層は、接着剤を用いずに行うこともできるし、また、接着剤層を介して両者を積層することもできる。
この積層に接着剤を使用する場合、例えば絶縁フィルムに絶縁性の接着剤を塗布して接着剤層１２を形成し、この接着剤層１２と整面電解銅箔の接着対象面（通常はマット面）とが接触するように配置して接着する。次にこうして積層された整面電解銅箔をエッチングすることにより配線パターンが形成される。
【００２７】
整面電解銅箔と絶縁フィルムとを積層する際に接着剤を使用する場合、使用される接着剤には、耐熱性、耐薬品性、接着力、可撓性等の特性が必要になる。このような特性を有する接着剤の例としては、エポキシ系接着剤およびフェノール系接着剤を挙げることができる。このような接着剤は、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、ポリビニルアセタール樹脂などで変成されていてもよく、またエポキシ樹脂自体がゴム変成されていてもよい。このような接着剤は加熱硬化性である。このような接着剤層の厚さは、通常は３．７〜２３μm、好ましくは１０〜２１μmの範囲内にある。このような接着剤からなる接着剤層１２は、絶縁フィルム１０の表面に塗設して設けても良いし、また整面電解銅箔の表面に塗設して設けても良い。
【００２８】
上記のようにして絶縁フィルム１０上に積層された整面電解銅箔の表面にフォトレジストを塗布し、配線パターンを焼き付けた後、現像して余剰のフォトレジストを除去し、次いでエッチングすることにより配線パターン１４が形成される。
本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープ１において、上記のようにして配線パターンを形成する銅箔は所定の方法で整面された電解銅箔である。
【００２９】
本発明で使用される整面電解銅箔は、シャイニイ面とマット面とを有する電解銅箔のマット面を少なくとも１回機械研磨した後、この機械研磨したマット面を化学研磨することにより得られる整面電解銅箔である。この整面電解銅箔の平均厚さは、通常は５〜３５μmの範囲内、好ましくは９〜３５μｍの範囲内にあり、また、この整面電解銅箔のマット面の平均表面粗度は、０．８〜２．５μｍの範囲内、好ましくは好ましくは１．０〜１．８μｍの範囲内にある。
【００３０】
本発明のＴＡＢテープの製造で使用される整面電解銅箔は、電解銅箔原反のマット面を少なくとも１回機械研磨した後、この機械研磨面を化学研磨して調整されたものである。以下この整面電解銅箔の製造例を示す。
ここで機械研磨される電解銅箔（電解銅箔原反）は、機械研磨前の平均厚さが、通常は、５〜３５μmの範囲内、好ましくは９〜３５μｍの範囲内にあり、マット面の平均表面粗度（Ｒｚ）は、通常は、２．５〜１０μｍ、好ましくは３〜８μｍ程度であり、さらに表面粗度が小さい電解銅箔でもマット面の平均表面粗度（Ｒｚ）は３〜７μｍである。このような平均表面粗度を有する電解銅箔の例としては、ＶＬＰ箔（平均表面粗度：３〜５μｍ）、ＨＴＥ箔（平均表面粗度：４〜７μｍ）を挙げることができる。
【００３１】
図２は、平均厚さ（Ｔ0）が１８μｍであり、平均表面粗度（Ｒｚ0）が３．６μｍの電解銅箔（１８μｍ厚電解銅箔）のマット面の一般的な表面状態を示す断面図であり、図３は、機械研磨工程を経て平均表面粗度（Ｒｚ1）が２．０μｍに整面した電解銅箔の断面図であり、図４は、化学研磨工程を経て平均表面粗度（Ｒｚ2）が１．５μｍに整面された整面電解銅箔の断面図である。また、図１１は、上記１８μｍ厚電解銅箔の研磨前のマット面の状態を示す電子顕微鏡写真である。
【００３２】
図２〜４において、Ｍ面と記載したのが電解銅箔のマット面であり、Ｓ面と記載したのがシャイニイ面である。図２に示すように、一般にマット面の平均表面粗度は、マット面の１０点平均粗さ（Ｒｚ）で表され、この１０点平均粗さ（Ｒｚ）はマット面に形成されている凹部の底から凸部の最も高い頂部までの最大から５点、最小から５点の合計１０点を選びその平均値である。マット面に形成されている凹凸は図２および図１１に示すように均一ではなく、凹部の最も深い底部から凸部の最も高い頂部までの距離（Ｃ0）は、上記平均表面粗度（Ｒｚ0）が３．６μｍの電解銅箔においても５μｍ程度になる。
【００３３】
この電解銅箔原反のマット面をまず機械研磨して図３に示すように、主としてマット面の突出した凸部の頂部を研削する。このような機械研磨により、電解銅箔のマット面の平均表面粗度（Ｒｚ1）が通常は１．５〜３．０μｍ、好ましくは１．８〜２．５μｍの範囲内になる。
この機械研磨は、例えば回転バフ等を用いて行うことができる。
【００３４】
すなわち、被研磨物である電解銅箔原反をガイドロールに通しながら、マット面側に回転バフを押し当てて研磨する。
このバフ研磨において、通常は１００〜１５００rpm、好ましくは１０００〜１３００rpmの回転数で単一方向にバフを回転させながら機械研磨する。バフの回転数が１００rpmに満たないと、被研磨面であるマット面を均一に研磨しにくくなり、また１３００rpmを大きく超えるとバフの回転が不安定になり、電解銅箔を破断することがある。
【００３５】
また、このバフ研磨における被研磨物である電解銅箔に対するバフの押圧は、電解銅箔が破断せず、かつこのバフ研磨でマット面を研磨しすぎないように適宜調整することができるが、通常の場合、この押圧は、バフモーター電流値に換算して、通常は１０．１〜３０A（無負荷時のバフモーターの電流値は約１０A程度であり、従って、バフの実質的な押圧（電流換算実質押圧）は、バフモーター電流値に換算して、通常は０．１〜２０A程度）、好ましくは電流換算実質押圧で、１３〜１８Aである。この電流換算実質押圧が０．１Aに満たないと、有効に電解銅箔を研磨することができないかあるいは研磨に要する時間が著しく長くなることがあり、また、２０Aを超えると電解銅箔の破断が頻繁に発生する。
【００３６】
上記のような回転バフにより電解銅箔を機械研磨する際、研磨される電解銅箔が移動する速度、すなわち電解銅箔のラインスピードは、通常は３〜１５m/分の範囲内に設定される。このラインスピードは、機械研磨の均一性に影響を及ぼすことがあり、ラインスピードがこの範囲を逸脱すると、機械研磨の均一性が損なわれやすくなる傾向がある。
【００３７】
上記のような機械研磨において、例えばバフを使用する場合に、用いられる研磨材の種類に特に制限はないが、例えば酸化アルミニウムを付着させた８００〜３０００番程度の回転バフを使用することができる。
上記のような機械研磨は１回行えばよいが、さらに2回以上行うことが好ましい。すなわち、機械研磨は、例えば回転バフと電解銅箔のマット面とを接触させることによりマット面を研磨することから、回転バフの回転方向と電解銅箔の移動方向とによって相対的な機械研磨の方向性が生ずるため、１回の機械研磨では、研磨方向（バフの回転方向）に沿った凸部の変形などが生ずることがある。例えば図５（Ａ）に示すような凸部１１２を有する電解銅箔原反のマット面を矢印方向にバフ研磨すると、図５（Ｂ）に示すように、バフの回転方向に沿って凸部１１２が変形し、バフ研磨下流側の凸部１１２がバリのような変形部１１１を形成することがある。また、バフと最初に接触する凸部１１２には、研磨された部分と研磨されなかった部分との間に境界部１２０が形成される。こうしたマット面に形成された機械研磨の方向性は、第１のバフで研磨した後、この第１のバフとは逆に回転する第２のバフとマット面を接触させて研磨することにより、ある程度是正することができる。また、このように機械研磨工程を複数に分けることにより、一回の研磨による研磨量を少なく設定することができる。そして、個々の回転バフの押圧を低く設定することができるので、研磨される電解銅箔が破断しにくくなると共に、個々の機械研磨工程において研磨の方向性も生じにくくなる。
【００３８】
このように機械研磨工程を分散させる場合、個々の機械研磨工程においては、上記の条件よりも穏和な条件に設定することが好ましい。さらに、回転バフを用いる場合には、第１のバフと第２のバフとは、回転方向を逆にすることが好ましく、さらに第３のバフ、第４のバフというように多数の回転バフを使用する場合には、前の回転バフの回転方向に対して、次の回転バフの回転方向を逆にすることが好ましい。また、回転バフの粗さを、前の回転バフと同等か、前のバフの粗さよりも後の回転バフの粗さを小さくすることが好ましい。
【００３９】
さらに、このように複数の回転バフを用いて電解銅箔のマット面を研磨することにより、すじ状の研磨痕が形成されにくくなる。この研磨痕は、銅箔が過剰に研削された痕であり、こうした研磨痕が形成されないように研磨することによりこの整面電解銅箔を用いて形成された配線パターンの機械的強度の低下を防止できると共に、導通不良などが生じにくい。
【００４０】
上記のようにして機械研磨を行うことにより、マット面にある凸部の比較的高い頂部が選択的に研磨されて、例えば図２に示すＣ0＝５μｍが、図３に示すようにＣ1＝２．５〜３．２μｍにまで研磨される。すなわち、機械研磨で、整面する前のＣ0に対して、Ｃ1は、１７〜３６％減少する。このようにして行われる機械研磨の程度を、平均表面粗度で表すと、この機械研磨により平均表面粗度は、１．５〜３．０μｍ、好ましくは１．８〜２．５μｍの範囲内になる。例えば図２に示される電解銅箔では、平均表面粗度（Ｒｚ0）は、３．６μｍであり、機械研磨により、図３に示すように平均表面粗度（Ｒｚ1）は、２．０μmになり、機械研磨で、平均表面粗度（Ｒz）は、１７〜４７％減少する。
【００４１】
本発明では、上述のようにマット面の機械研磨を複数回に分けて行うことが好ましく、こうして複数回に分けて機械研磨する場合、合計の機械研磨量が上記のようになるようにする。
図１２は、図１１に示すようなマット面を有する１８μｍ厚電解銅箔のマット面を１回バフ研磨した時のマット面を表す電子顕微鏡写真であり、図１３は、こうして第1回目のバフ研磨を行った後、第１回目とは回転方向が異なる第２の回転バフを用いて第2回目のバフ研磨を行った後のマット面を表す電子顕微鏡写真である。
【００４２】
上記のようにして電解銅箔のマット面を少なくとも１回機械研磨した後、この機械研磨されたマット面を化学研磨する。
この機械研磨されたマット面の化学研磨液として、硝酸-硫酸-塩酸系研磨液(キリンス液)、このキリンス液にさらにクロム酸を加えた研磨液、硝酸系研磨液、リン酸系研磨液、クロム酸系研磨液、硫酸系研磨液、過酸化水素系研磨液、硫酸・過酸化水素系研磨液、塩化銅系研磨液、塩化鉄系研磨液、過硫酸アンモニア系研磨液、アンモニア・アルカリ系研磨液などを使用することができる。
【００４３】
ここで使用することができる研磨液の例を以下に示す。なお、以下に示す研磨液の各成分はその研磨液における中心的な成分比である。
(1)
硝酸 ２００容量部
硫酸 ４００容量部
塩酸 ２容量部
水 ３００容量部。
(2)
硝酸 ３２０容量部
硫酸 ６４０容量部
塩酸 １０容量部
水 ６４０容量部。
(3)
硝酸 ２０〜８０容量部
硫酸 ２０〜８０容量部
塩酸 ０．１〜１０容量部
クロム酸 ５〜２００容量部
水 適量。
(4)
リン酸 ３０〜８０容量部
硝酸 ５〜２０容量部
氷酢酸 １０〜５０容量部
水 適量。
(5)
リン酸 ５００容量部
硝酸 ２００容量部
氷酢酸 ５０容量部
塩酸 ５容量部
水 ３００容量部。
(6)
リン酸 ４０容量部
硝酸 １５容量部
塩酸 １．５容量部
水 ４８容量部
硝酸アンモニウム ９０重量部。
(7)
リン酸 ４５〜６０容量部
硝酸 ８〜１５容量部
硫酸 １５〜２５容量部
水 １０〜２０容量部。
(8)
クロム酸 ４５０重量部
硫酸 １２５容量部
塩酸 ５容量部
氷酢酸 ７５容量部
水 ２００容量部。
(9)
重クロム酸ソーダ ７０〜１２０重量部
硫酸 １００〜２００容量部
ベンゾトリアゾール ２〜４０重量部
水を加えて１０００容量部とする。
(10)
過酸化水素 １００モル／リットル
硫酸 ２モル／リットル
飽和アルコール 少量。
(11)
過酸化水素 １００モル／リットル
フッ化水素酸 ２モル／リットル
飽和アルコール 少量。
(12)
過酸化水素 １００モル／リットル
硝酸 ２モル／リットル
飽和アルコール 少量。
(13)
硝酸 ４０容量部
塩化第一銅 ３重量部
氷酢酸 ６０容量部
重クロム酸カリウム ５重量部
水 適量。
(14)
（ＮＨ4）3Ｓ2Ｏ2等
ＮＨ3として ８．２〜９．５Ｎ
Ｃｕ １５０〜１８０ｇ／リットル
純粋 残部。
【００４４】
また、市販の研磨液として下記のような研磨液を挙げることができる。
(15) (メック社製研磨液)
純水 ６０．７(W/W%)
硫酸 (62.5%) ２２．２(W/W%)
過酸化水素(35%) １６．１(W/W%)
メックパワーエッチングHE-700 １(W/W%)。
(16) (メルテックス社製研磨液)
メリポリッシュCU-67 １００ｇ/リットル
メリポリッシュCU-78B ５０ml/リットル
硫酸(98%) ７５ml/リットル
純水 残部。
(17) （SHIPLEY社製研磨液）
ケムポリッシュ１５１L-2 原液。
【００４５】
上記のような化学研磨液は、電解銅箔のマット面との接触条件、例えば、接触温度、攪拌条件などを適宜設定することにより、所定量の銅をマット面から研磨除去することができる。
例えば上記（１）で示される化学研磨液（キリンス液）と機械研磨されたマット面とを、常温で１０〜３０秒間接触させることによりマット面の表面を所望の研磨状態にすることができるし、上記（３）で示される化学研磨液と機械研磨されたマット面とを、５０〜８０℃で２〜６分接触させることによりマット面の表面を所望の研磨状態にすることができる。総じていえばキリンス液のような硝酸-硫酸-塩酸を含有する研磨液の場合には、反応が過激であり、室温付近の温度で比較的短時間浸漬することにより所定量の化学研磨を行うことができる。これに対してリン酸系液を使用するにはこの研磨液を加温（あるいは加熱）して常温以上の温度で比較的長い時間、例えば１〜数分間、機械研磨されたマット面と研磨液とを接触する必要がある。
【００４６】
こうして機械研磨されたマット面を、上記のような化学研磨液と接触させることにより、例えば図４に示すように、機械研磨されたマット面の表面をほぼ均一に研磨することができる。そして、例えば、図５（Ｂ）に示すような機械研磨によって生じたバリのような変形部１１１は、化学研磨液との接触面積が大きくなることからほぼ完全に除去される。また、図５（Ｂ）に付け番１２０で示すような機械研磨による境界部も図５（Ｃ）に示すように化学研磨液との接触により研磨され曲面１２１になる。さらに、こうした化学研磨液は、マット面全体に均一に接触するので、機械研磨では回転バフなどが接触しなかった部分にも化学研磨液が侵入して、機械研磨されたマット面全体を化学研磨液との接触面積に応じて化学研磨される。
【００４７】
従って、この化学研磨により研磨された面は、図４に示すように全体としてなだらかな曲線の連続になり、例えばこの化学研磨工程の後マット面全体を均一に粗化処理することができる。
なお、この化学研磨工程では、化学研磨液を、機械研磨されたマット面に対して選択的に接触させ、シャイニイ面の化学研磨を予定していないので、通常は機械研磨されたマット面を化学研磨液と接触させる前に、耐酸性樹脂などでマスキングして、シャイニイ面が化学研磨されないように保護する。ただし、シャイニイ面を化学研磨する必要がある場合には、マスキングしないことで、マット面とシャイニイ面とを同時に化学研磨することも可能である。
【００４８】
上記のようにして化学研磨を行うことにより、マット面全体が研磨されて、例えば図３に示すＣ1＝３．２μｍが、図４に示すようにＣ2＝２．６μｍにまで研磨される。すなわち、化学研磨で、整面する前（図２）のＣ0に対して、図４に示すＣ2は、６０〜８０％程度減少する。従って、前の工程である機械研磨では、Ｃ1はＣ0に対して３０〜４０％程度減少するから、機械研磨に続く工程である化学研磨で、Ｃ2はＣ1に対して４０〜５０％程度減少する。このようにして行われる化学研磨の程度を、化学研磨により変化した表面粗度で表すと、平均表面粗度は０．８〜２．５μｍ、好ましくは１．０〜１．８μｍとなる。例えば図２に示される電解銅箔では、平均表面粗度（Ｒｚ0）は、３．６μｍであり、機械研磨により、図３に示すように平均表面粗度（Ｒｚ1）は、２．０μmになり、機械研磨で、平均表面粗度（Ｒz）は、４７％減少し、化学研磨により、図４に示すように平均表面粗度（Ｒｚ2）は、１．５μmになり、化学研磨で、機械研磨によって得られるマット面の平均表面粗度（Ｒｚ1）に対して平均表面粗度（Ｒｚ2）は、６０％程度減少する。
【００４９】
しかも、このように機械研磨した後、化学研磨することにより、機械研磨によって生じたバリのような鋭利な部分は選択的に化学研磨されることから、マット面全体がなだらかな曲面が連続したような状態になり、後に通常行われる粗化処理の際に均質に粗化処理することが可能になる。
図１４に１８μｍ厚電解銅箔を2段バフ研磨した後、上記のようにして化学研磨したマット面の電子顕微鏡写真を示す。このようにして化学研磨することにより整面電解銅箔の厚さ（ゲージ厚）は、通常は４〜３４μｍの範囲内になる。
【００５０】
このようにマット面を機械研磨した後化学研磨して整面された１８μｍ厚電解銅箔の平均厚さ（ゲージ厚）は、機械研磨する前の電解銅箔の平均厚さを１００％とすると、この平均厚さに対して９０〜９７％、好ましくは９４〜９６％になり、この値からして電解銅箔のマット面がなだらかな曲面の連続になり、研磨前のマット面の平均表面粗度を勘案すると、電解銅箔全体の厚さに著しい変化はないことがわかる。即ち、本発明における機械研磨と化学研磨によってマット面の突出した凸部の殆どが研削され、かつ機械研磨した面に見られがちな鋭利な研削痕等の機械研磨により生じた機械研磨跡が化学研磨によって消失する。従って、この方法によれば、非常に薄い電解銅箔（例えば、平均厚さ；１２〜１８μｍ）を用いた場合であっても、マット面を機械研磨した後化学研磨することによっても、研磨による電解銅箔の強度の著しい低下などは生じない。
【００５１】
上記のように電解銅箔のマット面を機械研磨し、次いで化学研磨して整面した後、図６に示すように、この整面されたマット面を粗化処理することが好ましい。
この粗化処理は、上記のようにして整面したマット面に銅の微細粒子を付着させる処理であり、異なる条件のメッキ技術を組み合わせて使用して、上記整面されたマット面に微小な銅微粒子を形成する処理である。
【００５２】
そしてこの粗化処理は、絶縁基板と銅箔との接着性を向上させながらエッチング性を維持するために銅箔の機械研磨面に平均表面粗度が１．５〜４．０μm、好ましくは３．５μｍ以内に収まるように、特に好ましくは１．５〜２．５μmの範囲内になるように粗化処理することが望ましい。そして、機械研磨した後、化学研磨する工程を経てマット面を研磨することにより、マット面を均一に研磨することができ、こうした均一な研磨面には、均一に微細な銅粒が高密度で電着する。
【００５３】
この粗化処理は、ヤケメッキ、カブセメッキおよびヒゲメッキの一連のメッキ処理によって行われるが、この一連のメッキ処理は例えば以下に示すようなメッキ条件で実施される。
(1)ヤケメッキ
機械研磨した後、化学研磨して整面された整面電解銅箔のマット側に不溶性電極を相対して配置して以下の条件でメッキする。
【００５４】
銅濃度：３〜３０g/リットル
硫酸濃度：５０〜５００g/リットル
液温：２０〜３０℃
電流密度：２０〜４０Ａ/dm2
時間：５〜１５秒
このメッキ条件により、ヤケメッキと呼ばれる粒子状の銅電着物層が、電解銅箔の整面されたマット面上に形成される。
【００５５】
(2)カブセメッキ
次に、上記のようにしてヤケメッキ処理した表面に、さらに以下の条件でカブセメッキを行う。
銅濃度：４０〜８０g/リットル
硫酸濃度：５０〜１５０g/リットル
液温：４５〜５５℃
電流密度：２０〜４０Ａ/dm2
時間：５〜１５秒
このメッキ条件により、カブセメッキと呼ばれる銅薄膜が、前記粒子状の銅電着物層の上を被覆する。
【００５６】
(3)ヒゲメッキ
さらに、このようにしてカブセメッキ処理された表面に、以下の条件でヒゲメッキを行う。
銅濃度：５〜３０g/リットル
硫酸濃度：３０〜６０g/リットル
液温：２０〜３０℃
電流密度：１０〜４０Ａ/dm2
時間：５〜１５秒
このメッキ条件により、ヒゲメッキと呼ばれるヒゲ状の銅析出物が、前記カブセメッキにより形成された銅の被覆の上に形成される。
【００５７】
図１５に上記のようにして粗化処理された１８μｍ厚電解銅箔のマット面の電子顕微鏡写真を示す。
上記の記載は、粗化処理の一例を示すものであり、さらに従来から用いられている他の粗化処理条件によって、粗化処理（コブ付け）を行うことができる。
こうして粗化処理した後に、この整面されたマット面を防錆処理することが好ましい。この防錆処理は、上記粗化処理した面の上に亜鉛およびクロムのような銅よりも電気化学的に卑金属を付着させる。具体的には、こうした銅に対して防錆効果を有する金属の薄いメッキ層を形成する。
【００５８】
たとえば亜鉛および／またはクロメートを用いた防錆処理は、上記のように機械研磨した後化学研磨して整面された電解銅箔を粗化処理し、次いでこの粗化処理された電解銅箔を亜鉛メッキ層に浸漬し、さらにクロメート処理する一連の工程により実施される。
ここで採用される亜鉛処理条件の一例を示す。
亜鉛処理は、たとえば亜鉛濃度５ｇ／リットル、硫酸濃度５０ｇ／リットル、液温２５℃の電解溶液を用いて、電流密度５Ａ／dm2で８秒間電流を流して、粗化処理されたマット面に亜鉛メッキする。
【００５９】
こうして亜鉛メッキ層を形成した後、この亜鉛メッキ層表面をクロメート処理する。
このクロメート処理は、例えば、無水クロム酸２ｇ／リットル、ｐH値４の電解溶液を用いて、電流密度１Ａ／ｄｍ2で5秒間電流を流して行う。
さらに、このようにクロメート処理された表面に、たとえば、シランカップリング剤として、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のシラン化合物を塗布して、シランカップリング剤層を形成することが好ましい。
【００６０】
例えば上述の１８μm厚電解銅箔を用いて、上記のようにして機械研磨、化学研磨、粗化処理、防錆処理およびクロメート処理を行うことにより、この電解銅箔の平均厚さ（ゲージ厚）は通常は１６〜２０μm、好ましくは１７〜１９μmになる。
即ち、こうして粗化処理した後、防錆処理およびクロメート処理した整面電解銅箔（好適には粗化処理整面電解銅箔）は、通常５〜３５μｍ、好ましくは１２〜２５μｍの平均厚さを有し、整面前の電解銅箔の平均厚さを１００％とすると、上記のようにして調製された整面電解銅箔（好適には粗化処理整面電解銅箔）の平均厚さは通常は９０〜９７％、好ましくは９４〜９６％の範囲内にあり、著しい銅の研磨ロスも生じない。さらに、上記のようにして得られた１８μｍ厚粗化処理整面電解銅箔（研磨後粗化処理された整面電解銅箔）のマット面の平均表面粗度（Ｒｚ）は、通常は１．０〜３．０μm、好ましくは２．０〜２．５μmの範囲内になり、たとえば接着剤層を介してあるいは介さずに絶縁フィルムに積層する際に、非常に均一でかつ高いピール強度強度を有する。
【００６１】
また、このようにして機械研磨した後化学研磨することにより、マット面の凸部が選択的に研磨されると共に、マット面全体がなだらかな曲面が連続したような状態になり、こうした研磨面には非常に均一に粗化処理（コブ付け）を行うことができる。
なお、本発明の方法では、電解銅箔のマット面を選択的に機械研磨し、次いで化学研磨しており、この化学研磨の際にはシャイニイ面（平均表面粗度は、通常は１．２〜２．５μｍ程度である）は通常はマスキングされており、その表面粗度が整面処理前後で変動することがない。
【００６２】
上記のようにして製造された整面電解銅箔、好ましくは粗化処理整面電解銅箔と絶縁フィルムとを積層し、フォトレジスト層を形成してマスキングして、余剰の銅をエッチング液で溶出することにより絶縁フィルム上に所望の配線パターンを形成して本発明のＴＡＢテープ（電子部品実装用フィルムキャリアテープ）を形成することができる。なお、絶縁フィルムと整面電解銅箔、好ましくは粗化処理整面電解銅箔とを積層する場合、整面銅箔からシランカップリング剤層、防錆層等を除去して使用することができる。
【００６３】
図８に示すように、上記のような整面電解銅箔、好ましくは粗化処理整面電解銅箔を用いて電子部品実装用フィルムキャリアテープ１に形成されるインナーリード１５のピッチ幅（Ｐ0）は通常は３０〜６０μmの範囲内にあり、好ましくは３５〜５５μｍの範囲内にあり、従来の電子部品実装用フィルムキャリアテープに形成されるインナーリードのピッチ幅よりも狭い。このようなピッチ幅で形成されているインナーリード１５の幅（Ｗ0）は、通常は１０〜５０μｍ、好ましくは１５〜４５μｍの範囲内であり、また、隣接するインナーリード１５,１５の間隙幅（Ｓ0）は通常１０〜５０μｍ、好ましくは１５〜４５μｍの範囲内にある。
【００６４】
このようなインナーリード１５の表面には種々のメッキ層を形成することができる。このようなメッキ層としては、スズメッキ層、金メッキ層、ニッケル下地金メッキ層およびハンダメッキ層などを挙げることができる。図８および図９にではメッキ層がスズメッキ層である例が示されている。インナーリードの表面にスズメッキ層が形成されている場合、このスズメッキ層から供給されるスズと、デバイスのバンプから供給される金とによって金-スズ共晶物が形成され、この金-スズ共晶物によって、デバイスがリードに実装される。そして、上記のように形成されたリードに、図８（ｃ）に示すような適正量のスズがメッキされ、バンプ電極を配置して熱時圧着することにより、ボンディング部に適切な量の金−スズ共晶物が供給され、リードとバンプ電極とを良好に接合すると共に、隣接するリード間で短絡が発生することがない。
【００６５】
このスズメッキ層２１は、無電解メッキ法により形成することが好ましい。こうして形成されるスズメッキ層３１の厚さは、通常は０．００１〜１μｍ、好ましくは０．００５〜０．７μｍの範囲内にある。このようにスズをメッキすると、インナーリード１５表面の銅の一部がスズで置換されてスズメッキ層を形成する。さらに、上記のようにして一旦スズメッキ層を形成し、ウィスカーの発生を防止するために加熱処理した後、フラッシュメッキ法で、非常に薄いスズメッキ層を形成することにより、インナーリード１５の表面に純度の高いスズメッキ層３１を形成することができる。こうしたフラッシュメッキ法により形成されたスズメッキ層は加熱処理を行わなくとも、ウィスカーが成長しにくい。このフラッシュメッキ法によるスズメッキ層の厚さは通常は０.０１〜１μｍ、好ましくは０．０５〜０．５μｍの範囲内にあり、こうして形成されたスズメッキ層３１の合計の厚さは、通常は０．２〜２μｍ、好ましくは０．１〜１μｍの範囲内にある。
【００６６】
上記のようにして形成されるスズメッキ層３１は、機械研磨された粗化処理整面電解銅箔のマット面の表面の形状にほぼ追随して均一に形成される。
なお、スズメッキは、通常は、ソルダーレジスト（図示なし）をリード部を露出させて塗布硬化させた後に露出したリード部に施されるが、ソルダーレジストを塗布する前に形成された配線パターン全体に薄くスズメッキ層を形成し、次いで、ソルダーレジストを塗布硬化させ、露出したリード部に再度スズメッキをすることもできる。
【００６７】
インナーリード１５を形成する整面電解銅箔、好ましくは粗化処理整面電解銅箔の表面は、非常に均質であることから、このインナーリード１５のバンプ電極接合面には均一なスズメッキ層が形成されるため、図８（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、バンプ電極をボンディングした際に、バンプ電極底面全体がインナーリード１５とボンディングされるのに必要かつ充分な金−スズ共晶物３３が形成される。
【００６８】
これに対して図９（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、マット面が均質に整面されていない銅箔１５を用いた場合には、インナーリード１５のマット面に、上記と同様にしてスズメッキ層３１を形成すると、インナーリード１５表面の凹凸の凹部のスズメッキ層３１が厚くなる傾向がある。このように均一性に欠けるスズメッキ層３１にバンプ電極２５をボンディングすると、金−スズ共晶合金３３が過剰に供給され、図９（Ｃ）に示すように、金−スズ共晶合金３３がデバイス２３に形成されたバンプ電極２５のボンディング位置からはみ出すことがある。ピッチ幅の狭いＴＡＢテープにおいては、このように過剰に供給された金−スズ共晶合金が横方向に流れ出し、隣接するインナーリード１５のボンディング部との間に短絡３５を生ずることがある。
【００６９】
本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープでは、上述のようにマット面を少なくとも1回機械研磨した後化学研磨して整面しているので、絶縁フィルムと優れた接着性を有し、リードの強度が均一で高く、ボンディングの際に短絡が生じにくく、さらにボンディングの信頼性が高いなど優れた特性を有する電子部品実装用フィルムキャリアテープが得られる。
【００７０】
また、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープは、出力側アウターリードを有する液晶素子用のＴＡＢテープとして好適である。
図１０は、絶縁フィルムの表面に出力側アウターリードを有する電子部品実装用フィルムキャリアテープ（例えば液晶素子用ＴＡＢテープ）の例を示す平面図である。
【００７１】
図１０において、１０は絶縁フィルムであり、この両側縁にはスプリケットホールが形成されている。また絶縁フィルム１０には、デバイス（図示なし）を実装するためのデバイスホール２０が形成されている。デバイスホール２０には、配線パターン１４からインナーリード１５が延設されている。一端部がインナーリードである配線パターン１４の他端部は、入力側アウターリード１８が形成されており、この入力側アウターリードの下部には入力側アウターリード１８を切断するための入力側アウターリード切断ホール１７が形成されており、入力側アウターリード１８は、この切断ホール１７を跨ぐように形成されている。
【００７２】
一方、デバイスホール２０に延設された他のインナーリード１５は、配線パターン１４を介して出力側アウターリード１９に接続している。
なお、これらのリード部を除く配線パターン１４は、ソルダーレジスト３６などで表面が保護されている。
この出力側アウターリード１９は液晶素子の電極と接合可能にされており、この出力側アウターリード１９のピッチ幅は、通常は３０〜７５μｍ、好ましくは４０〜７０μｍの範囲内にあり、かつこの出力側アウターリード１９のリード幅は通常は１５〜４５μｍ、好ましくは２０〜４０μｍの範囲内にある。
【００７３】
このように出力側アウターリード１９は、非常にピッチ幅が狭くリード幅も狭い。しかもこの出力側アウターリード１９の下部には絶縁フィルム１０があり、出力側アウターリード１９は、下端部で絶縁フィルム１０と接合している。
従来の電解銅箔を使用すると、図１０（ａ）に示すように、出力側アウターリード１９の縦断面が台形になりやすい。即ち、図１０（ａ）における出力側アウターリード１９の上部の幅Ｌaと下部の幅Lbとが異なることが多く、出力側アウターリード１９の断面が台形になりやすく、こうした場合、絶縁フィルム１０表面近傍では隣接する出力側アウターリード１９間で短絡を形成することがある。また、出力側アウターリード１９の直線性がない場合、即ち、直線的にエッチングできない場合にも、絶縁フィルム表面近傍で短絡が生ずることがある。
【００７４】
本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープでは、上述のようの整面電解銅箔、好ましくは粗化処理整面電解銅箔のエッチング性が非常に良く、エッチングにより形成された配線パターンの縦断面の上部の幅Ｌaと下部の幅Ｌbがほぼ同一になる。即ち、形成された配線パターンの側壁面が絶縁フィルムに対してほぼ直角になり、形成された配線パターンの縦断面が略矩形あるいは正方形になる。特に図１０（ｂ）に示すようにピッチ幅の狭い出力側アウターリード１９においては、上部の幅Ｌaと下部の幅Ｌbとがほぼ同一になることによって、隣接する配線パターンが絶縁フィルム基板面で過度に近接することがなく、こうしたリードの近接に起因する短絡あるいは絶縁不良などが生じにくい。また、エッチングにより形成される配線パターン１４の直線性が高く、従って出力側アウターリード１９のように非常にピッチ幅の狭い配線パターンを形成する場合であっても、隣接する配線パターン間に短絡が形成されにくい。さらに、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープを形成する整面電解銅箔（好ましくは粗化処理整面電解銅箔）は、非常にエッチング特性が良好であり、絶縁フィルム１０表面などに銅残り（エッチングされなかった銅の残留物）も殆ど発生しない。
【００７５】
従って、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープは、例えば液晶用のＴＡＢテープのように出力側アウターリード１９のように非常に高いエッチング精度が要求される細線部であっても非常に良好にエッチングされ、こうした細線部で短絡あるいは絶縁不良などが発生しにくい。
また、こうしたエッチングの際の銅箔の有する特性は、ＴＡＢテープだけでなく、ＴＡＢテープと同様に細線化が進んでいるＴ-ＢＧＡテープ、ＡＳＩＣテープなどにおいても非常に有用な特性である。
【００７６】
【発明の効果】
本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープを構成する配線パターンは、電解銅箔原反のマット面を、まず機械研磨し、次いで化学研磨することにより得られる整面電解銅箔を用いて形成されている。このようにしてマット面を、機械研磨し、さらに化学研磨した整面電解銅箔は、機械研磨による研磨の方向性等の機械研磨跡および歪が化学研磨をすることにより消失した均質なマット面を有しており、こうして整面されたマット面に粗化処理をすることにより、銅の微細粒子を均一に形成することができる。本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープは、このようにマット面が均質に整面された整面電解銅箔を絶縁フィルムと積層して配線パターンを形成しているので、絶縁フィルムに対する配線パターンの剥離強度が高くしかも強度が全体に安定している。さらに上記のようにして整面された整面電解銅箔を用いて形成された配線パターンは、機械研磨によって生じた研磨むらあるいは研磨痕、歪などが化学研磨によって是正されており、形成された配線パターンに研磨痕および強度むらがなく、不良品の発生率が著しく低下する。またこの整面銅箔はエッチング性が良く、断面矩形の配線パターンを形成できると共に、形成された配線パターンの直線性がよい。
【００７７】
即ち、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープは、形成された配線パターン（特にリード部）の上端部の幅と下端部の幅に差が少なく、配線パターンの縦断面の側壁面が絶縁フィルムに対して略直角にエッチングされるので非常にファインピッチの電子部品実装用フィルムキャリアテープを形成することができる。また、この配線パターンの下端部が直線的にエッチングされる。さらに、絶縁基板面への銅残りも殆ど見られない。こうした特性は、例えばインナーリードにおいても重要な特性であるが、例えば液晶素子と電気的に接続される出力側アウターリード等においては極めて重要な特性である。即ち、液晶素子に電気的に接続する出力側アウターリードは、液晶のピクセルに接続されており、この出力側アウターリードは非常にリード幅が狭く、かつピッチ幅も狭く形成されている。従って、隣接する出力側アウターリードは、隣接するリードとの間で絶縁不良を起こしやすい。例えば出力側アウターリードの直線性がわずかに損なわれても絶縁不良を生ずる虞があり、また、出力側アウターリードの下端部がわずかに上端部よりも広いと絶縁基板表面で絶縁不良を生ずる虞があり、さらに、絶縁基板上にわずかな銅残りが存在しても絶縁不良を生ずる虞がある。こうした液晶素子と接続する出力側アウターリード部は、電子部品を実装するインナーリードと同等あるいはそれ以上に高い精度で銅箔をエッチングする必要がある。特に、例えば液晶素子用のＴＡＢテープのようにリードが、絶縁基板上に積層されている電解銅箔をエッチングして絶縁基板上に形成する必要があり、デバイスホール内に延出され下端面に絶縁基板が存在しないインナーリードよりもリードの断面形状が台形になりやすく、また、絶縁基板が存在することに伴って銅残りが生じやすいことから、インナーリードよりもファインピッチ化が難しいとされている。
【００７８】
ところが、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープでは上記のような整面電解銅箔を使用しているので、エッチングにより形成される配線パターンの側壁、例えば液晶用のＴＡＢテープに形成される出力側アウターリードの断面形状が矩形あるいは正方形になり（上端面の幅と下端面の幅とがほぼ同一になり）、しかも形成されるリードの直線性が高い。また、絶縁基板表面には銅は残存しない。
【００７９】
また、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープは、上述のようにして整面した整面電解銅箔を用いて配線パターンを形成することにより、基板である絶縁フィルムと配線パターンとの密着性が良好であると共に、この電子部品実装用フィルムキャリアテープにデバイスを実装する際の実装歩留まりが非常に高い。
【００８０】
また、上記のように機械研磨および化学研磨により整面されたマット面を有する整面電解銅箔を使用して配線パターンを形成し、こうして形成された配線パターンのリード部に形成されたメッキ層は、非常に均一性が高く、従って狭ピッチのリードにバンプを溶着する際に、メッキ層形成金属とバンプ形成金属との共晶物が過度に供給されることがなく、ボンディングの際に隣接するリード間で過剰共晶物による短絡が発生することがないので、デバイスの実装歩留まりが非常に高い。
【００８１】
【実施例】
次に本発明の実施例を示して本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれによって限定されるものではない。
【００８２】
【実施例１】
シャイニイ面の平均表面粗度が１．２μｍであり、マット面の平均表面粗度（Ｒｚ1）が３．６μｍである平均厚さ１８μｍの電解銅箔を用意した。この電解銅箔のマット面の電子顕微鏡写真を図１１に示す。
この電解銅箔がガイドロールを通しながら、マット面に砥粒が酸化アルミニウムである１０００番のバフ（角田ブラシ（株）製）を、バフの回転方向が電解銅箔の進行方向と逆になるように配置して、第１段目のバフの回転数１２００rpm、バフモーター電流値換算押圧１９Ａ、ラインスピード８m/分の条件で上記電解銅箔のマット面のバフ研磨した（第１回目の機械研磨）。
【００８３】
こうして第１回目の機械研磨が終了した後のマット面の電子顕微鏡写真を図１２に示す。
この第１回目の機械研磨がされた電解銅箔に、１０００番バフを、バフの回転方向が電解銅箔の進行方向と同じになるように回転させながら、上記第１回目の機械研磨で研磨されたマット面をバフ研磨した。このときの第２段目のバフの回転数は１２００rpm、バフモーター電流値換算押圧は１．６Ａ、ラインスピード８m/分である（第２回目の機械研磨）。
【００８４】
上記のようにして、２回機械研磨した後の電解銅箔のマット面の電子顕微鏡写真を図１３に示す。このようにして機械研磨されたマット面の平均表面粗度は２．０μｍであり、機械研磨前のこの電解銅箔のマット面の平均表面粗度に対して１８％がこの機械研磨により研磨された。図１２から明らかなように、２回機械研磨したにも拘わらず、マット面には機械研磨痕が残存している。
【００８５】
こうして逆回転で2回バフ研磨した後、シャイニイ面に耐酸性樹脂を塗布してマスキングした電解銅箔を、下記組成の化学研磨液に３０℃で５秒間接触させて、化学研磨液の循環下に化学研磨した。

Figure 0003919394
なお、化学研磨液の組成の変動幅を、上記基本組成に対して５〜１５％の範囲内に調整した。
【００８６】
上記のようにしてマット面を化学研磨した後、この整面された電解銅箔を水で充分に洗浄した後、この化学研磨後の整面されたマット面の電子顕微鏡写真を図１４に示す。
このように化学研磨により、機械研磨したマット面に見られる機械研磨痕および研磨の方向性、さらに機械研磨によって生ずるバリのような鋭利部などがほぼ完全に除去されて、全体が曲面の連続のようなマット面が得られた。
【００８７】
このようにして化学研磨されたマット面の平均表面粗度は１．５μｍであり、機械研磨した後のこの電解銅箔のマット面の平均表面粗度に対して２５％がこの化学研磨により研磨された。
なお、こうして機械研磨後、化学研磨して得られた整面電解銅箔の平均厚さはゲージ厚で１６．８μｍ程度であり、この実施例で使用した機械研磨する前の電解銅箔の平均厚さはゲージ厚で１７．１μｍであり、電解銅箔からの溶出銅による極端な銅のロスは見られなかった。
【００８８】
次いで、こうしてマット面が整面された電解銅箔のマット面を下記の条件で粗化処理した。
(1)ヤケメッキ
機械研磨および化学研磨によって整面された電解銅箔のマット面側に不溶性電極を相対して配置して以下の条件でメッキした。
【００８９】
銅濃度：３〜３０g/リットル
硫酸濃度：５０〜５００g/リットル
液温：２０〜３０℃
電流密度：２０〜４０Ａ/dm2
時間：５〜１５秒
上記のような条件によるヤケメッキにより、整面電解銅箔の表面に粒子状の銅電着物層が析出した。
【００９０】
(2)カブセメッキ
上記のようにヤケメッキをした後、以下に示す条件でカブセメッキを行った。
銅濃度：４０〜８０g/リットル
硫酸濃度：５０〜１５０g/リットル
液温：４５〜５０℃
電流密度：２０〜４０Ａ/dm2
時間：５〜１５秒
このカブセメッキによりヤケメッキにより形成された銅電着物を覆うように、カブセメッキと呼ばれる銅薄膜が形成された。
【００９１】
(3)ヒゲメッキ
さらに、このようにしてカブセメッキ処理された表面に、以下の条件でヒゲメッキを行った。
銅濃度：５〜３０g/リットル
硫酸濃度：３０〜６０g/リットル
液温：２０〜３０℃
電流密度：１０〜４０Ａ/dm2
時間：５〜１５秒
このメッキ条件により、ヒゲメッキと呼ばれるヒゲ状の銅析出物が、前記カブセメッキにより形成された銅の被覆の上に形成された。
【００９２】
このようにして研磨され粗化処理が行われた電解銅箔のマット面を電子顕微鏡で観察した。このマット面の光学顕微鏡写真を図１５に示す。
こうして粗化処理がなされたマット面の平均表面粗度は２．５μｍである。さらに、こうして粗化処理された粗化処理整面電解銅箔の平均厚さ（ゲージ厚）は１７．５μｍであった。従って、粗化処理によって電解銅箔の平均厚さに対して、ほぼ９８％まで回復した。
【００９３】
こうして調製された粗化処理した粗化処理整面電解銅箔の粗化処理面を防錆層を形成した。この防錆層は、亜鉛を用いて形成した。この亜鉛による防錆処理は、亜鉛濃度５ｇ／リットル、硫酸濃度５０ｇ／リットル、液温２５℃の電解溶液を用いて、電流密度５Ａ/dm2で８秒間の条件で行った。形成された亜鉛層の厚さは、非常に薄く、通常１００Å以下である。さらに、こうして亜鉛層を形成した後、無水クロム酸２ｇ／リットル、ｐH値４の電解溶液を用いて、電流密度１Ａ/dm2で5秒間、電解クロメート処理を行った。こうしてクロメート処理したクロメート層表面をγ-グリシドキシプロピルトリメトキシシランを塗布した。
【００９４】
このようにして得られた粗化処理整面電解銅箔を、スプロケットホール、デバイスホールが形成された厚さ１２５μｍのポリイミドフィルム（熱硬化性接着剤付き）の一方の面に整面したマット面がポリイミドフィルムと対面するように配置して加熱圧着した。さらに、この粗化処理整面銅箔の表面にフォトレジストを塗布して図１０に示すようなパターンを露光して、余剰のフォトレジストを除去し、これをエッチング液に接触させて露出している銅箔を除去して配線パターンを形成した。
【００９５】
フォトレジストを除去した後、ボンディングするリードの先端を残して配線パターンの上にソルダーレジストを塗布した。さらに、インナーリード、入力側および出力側アウターリードの表面にスズメッキ層を形成して本発明のＴＡＢテープを製造した。
こうして得られたＴＡＢテープは、配線パターンの断線による不良率が著しく低く、また配線パターンとポリイミドフィルムとが安定にしかも非常に安定に接着していた。さらに、リードの引っ張り強度も高かった。また、形成された出力側アウターリードを観察したところ、この出力側アウターリードの断面は矩形であると共に、この出力側アウターリードは直線的に形成されており、さらに絶縁フィルムであるポリイミドフィルム上に銅残りは見られなかった。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は、デバイスを実装した本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープの例を模式的に示す平面図、インナーリード部の拡大図および断面図である
【図２】 図２は、通常の電解銅箔のマット面の断面図の一例を示す断面図である。
【図３】 図３は、バフ研磨をした後のマット面の状態を示す断面図である。
【図４】 図４は、バフ研磨後、化学研磨した後のマット面の状態を示す断面図である。
【図５】 図５は、研磨した際のマット面の凸部の変化を模式的に示す説明図である。
【図６】 図６は、整面電解銅箔表面に粗化処理した状態を示す模式的に示す図である。
【図７】 図６は、整面電解銅箔をポリイミドフィルムに貼着した状態を模式的示す図である。
【図８】 図８は、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープにデバイスをボンディングした状態を示す図である。
【図９】 図９は、従来の整面していない銅箔を用いた電子部品実装用フィルムキャリアテープにデバイスをボンディングしたときの状態を示す図である。
【図１０】 図１０は、出力側アウターリードを有する電子部品実装用フィルムキャリアテープの例を示す図である。
【図１１】図１１は、機械研磨前の電解銅箔のマット面の例を示す電子顕微鏡写真である。
【図１２】図１２は、第１回目の機械研磨した後のマット面の例を示す電子顕微鏡写真である。
【図１３】図１３は、第２回目の機械研磨した後のマット面の例を示す電子顕微鏡写真である。
【図１４】図１４は、化学研磨した後のマット面の例を示す電子顕微鏡写真である。
【図１５】図１５は、粗化処理した整面電解銅箔のマット面の例を示す電子顕微鏡写真である。
【符号の説明】
１１１・・・変形部（バリ）
１１２・・・マット面の凸部
１２０・・・境界部
１２１・・・曲面
１０・・・基板
１２・・・接着剤
１４・・・整面電解銅箔（配線基板）
１５・・・インナーリード
１６・・・アウターリード
１７・・・入力側アウターリード切断ホール
１８・・・入力側アウターリード
１９・・・出力側アウターリード
２０・・・デバイスホール
２１・・・スプロケットホール
２３・・・デバイス
２５・・・バンプ電極
３０・・・マット面
３１・・・スズメッキ層
３３・・・金−スズ共晶合金
３５・・・短絡
３６・・・ソルダーレジスト[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a film carrier tape (for example, TAB (Tape Automated Bonding) tape, T-BGA (Tape Ball Grid Array) tape, ASIC (Application Specific Integrated Circuit) tape, etc.)) on which electronic components such as IC or LSI are mounted. More particularly, the present invention relates to a film carrier tape for mounting an electronic component capable of forming a narrow pitch lead pattern.
[0002]
TECHNICAL BACKGROUND OF THE INVENTION
In recent years, electronic devices such as notebook computers have become smaller and lighter. In addition, the wiring of the semiconductor IC is further miniaturized. In particular, there is a high demand for fine pitches on wiring patterns such as TAB tapes in order to mount high-density ICs or LSIs on printed wiring boards.
[0003]
Conventionally, the device as described above forms a device hole larger than the device to be mounted on the insulating film as a substrate, and extends a large number of inner leads from the edge of the device hole toward the inside of the device hole. After tin plating is applied to the inner lead, the inner lead is attached by bonding a bump electrode formed on the device to the inner lead from the insulating film surface side (back surface) where the wiring pattern is not formed. In other words, by inserting the device from the back side of the insulating film and bonding the bump electrode formed on the device and the inner lead with heat, the gold forming the bump electrode and the tin from the tin plating layer on the inner lead surface are combined. A crystal alloy is formed to bond the inner lead and the bump electrode.
[0004]
Conventionally, pitch of inner leads of film carrier tape for mounting electronic components (P0) Was about 100 μm, but recently this lead pitch (P0) Is proposed to be 60 to 80 μm (see, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 5-160208), and recently, it has been studied to make the lead pitch narrower than 60 μm.
[0005]
On the other hand, as the lead pitch width is narrowed as described above, the copper foil forming the inner leads is also becoming thinner, and a copper foil having a thickness of about 15 to 35 μm is used. Copper foil used in electronic component mounting film carrier tape includes rolled copper foil and electrolytic copper foil. To form fine pitch electronic component mounting film carrier tape, a thinner copper foil is formed. It is preferable to use a possible electrolytic copper foil.
[0006]
Such an electrolytic copper foil has a surface peeled off from the drum (shine surface) and a surface (matte surface) on which copper deposition is finished in the manufacturing process, and is usually a substrate made of an insulating film. In consideration of adhesiveness, the mat surface is disposed and bonded so as to face the surface of the insulating film. The surface roughness of this mat surface is usually about 2.5 to 10 μm, and the surface is rougher than the shine surface, and this rough surface is firmly bonded to the insulating film in order to exert an anchor effect on the adhesive. Can do.
[0007]
However, when a fine-pitch film carrier tape for mounting electronic components with a narrow lead pitch width is bonded by placing a device so that the bump electrode is bonded to the mat surface, the gold- It has been found that there is a problem that the tin eutectic alloy is excessively supplied, leaks laterally from the lead, and may short-circuit between adjacent leads.
[0008]
Recently, such TAB tapes are used in large quantities for driving liquid crystal elements. In such a TAB tape for liquid crystal, an output-side outer lead that is bonded to a liquid crystal element is formed on an insulating film. Since this output side outer lead is formed by etching a copper foil laminated on an insulating film, etching is more difficult than an inner lead having no insulating film on the back surface. In particular, when a conventional copper foil is used, the cross section (vertical cross section) of the output-side outer lead is often trapezoidal, and the conventional copper foil has a low linearity of the wiring pattern formed by etching. There is a problem that a short circuit is easily formed between adjacent leads on the insulating film.
[0009]
By the way, Japanese Patent Laid-Open No. 5-160208 discloses a carrier tape in which a lead pattern is formed using an electrolytic copper foil in which the entire surface of a mat surface obtained by electrolytic deposition is leveled. This publication discloses the use of an electrolytic copper foil in which the surface of the mat surface is chemically surface-treated to 1 to 2 μm when a lead pattern having a pitch of 60 to 80 μm is formed. The thickness of the copper foil after the surface treatment of the electrolytic copper foil is 18 to 30 μm. Thus, it is disclosed that a carrier tape having a required lead strength and high reliability can be provided by using a copper foil whose entire mat surface is chemically surface-treated.
[0010]
However, according to the mat surface conditioning treatment as described above, the strength of the inner lead is decreased until the thickness of the electrolytic copper foil is nominally about 35 μm (1 ounce) or nominally 18 μm (1/2 ounce). The inner leads can be formed without any problem, but when a thinner electrolytic copper foil is used, such chemical surface treatment (chemical polishing) does not guarantee sufficient strength. In addition, it is difficult to control the chemical polishing reaction so that the mat surface is uniformly processed in such chemical surface treatment, and if the chemical polishing reaction does not proceed uniformly, the strength of the inner lead is partially reduced. There is.
[0011]
JP-A-3-296238 discloses a TAB tape using a non-roughened copper foil as the copper foil, and the surface average roughness of the non-roughened copper foil is 0.01 to 1 μm. It is described that it is in the range.
However, the non-roughened copper foil having a surface average roughness in the range of 0.01 to 1 μm disclosed in this publication is a rolled copper foil. Since the roughness is too low, sufficient peel strength (adhesive strength) cannot be ensured. For this reason, along with preheating the copper foil or increasing the size of the roller, it is necessary to form a thin cuprous oxide film on the surface of the rolled copper foil, and the preparation process becomes complicated. Further, when such a rolled copper foil is used, it is extremely difficult to form a TAB tape having a very fine pitch with a pitch width of 30 to 60 μm.
[0012]
JP-A-9-195096 discloses that the surface roughness of the rough surface of the electrolytic copper foil before the bumping treatment is 1.5 μm or less, and the surface roughness after the bumping treatment on the rough surface is as follows. An invention of an electrolytic copper foil for printed wiring boards characterized by being 1.5 to 2.0 μm is disclosed, and such an electrolytic copper foil is obtained by polishing a rough surface side of an electrolytic copper foil with a buff. It is described that it can be produced by a method in which the surface roughness before the bumping treatment is 1.5 μm or less and the surface roughness is 1.5 to 2 μm by bumping the rough surface.
[0013]
However, if the copper foil is buffed at once as described in this publication, streaky polishing marks may be formed on the buffed surface. This polishing mark is a scratch caused by polishing deeper than the planned polishing amount. When using a thick electrolytic copper foil as in the past, some polishing marks were not a problem, but because the polishing marks were excessively polished, the thin copper foil was used. However, the strength of such a polishing mark portion is remarkably lowered, and the possibility of disconnection in this portion in a wiring pattern or the like is likely to cause defective products. Further, when performing such buffing, deformation stress along the buff rotation direction is applied to the convex portion on the copper foil surface, and the convex portion on the copper foil surface is likely to be deformed along the buff rotation direction. In this way, it is difficult to uniformly bump the buffed copper foil whose convex portions are deformed. Further, since the bumping process becomes non-uniform, there arises a problem that adhesiveness to the insulating film, etching uniformity, bonding reliability, and the like are lowered. Such problems are particularly likely to occur when thin electrolytic copper foil is mechanically polished.
[0014]
OBJECT OF THE INVENTION
An object of the present invention is to provide a film carrier tape for mounting electronic components such as a TAB tape, a T-BGA tape, and an ASIC tape that can be fine pitched.
More specifically, the present invention relates to a film carrier for mounting electronic components such as a TAB tape, a T-BGA tape, and an ASIC tape, which can maintain high electrical conductivity even when the pitch width of the leads is made fine, and can maintain electrical conductivity. The purpose is to provide tape.
[0015]
In addition, the present invention provides a film carrier tape for mounting electronic components such as TAB tape, T-BGA tape, and ASIC tape, which is less likely to cause a short circuit when bonding devices despite the fine pitch as described above. It is an object.
Another object of the present invention is to provide a film carrier tape for mounting electronic components, particularly a TAB tape for liquid crystal, which is less likely to cause insulation failure in a narrow pitch lead portion such as an output-side outer lead portion formed on an insulating film. It is said.
[0016]
SUMMARY OF THE INVENTION
The film carrier tape for mounting an electronic component of the present invention is a film carrier tape for mounting an electronic component in which a copper foil is laminated on an insulating film, and the copper foil is etched to form a desired wiring pattern,
The wiring pattern is characterized in that it is formed using a leveled electrolytic copper foil obtained by mechanically polishing the mat surface at least once and then chemically polishing the mechanically polished mat surface.
[0017]
In particular, in the film carrier tape for mounting an electronic component of the present invention, the wiring pattern has an electrolytic copper foil having a mat surface having an average surface roughness in the range of 2.5 to 10 μm, and the average surface roughness of the mat surface is After mechanical polishing at least once to 1.5 to 3.0 μm, the mechanically polished mat surface is selectively chemically polished to an average surface roughness of 0.8 to 2.5 μm. It is preferable that it is formed using the surface-electrolytic copper foil obtained by doing.
[0018]
Furthermore, it is preferable to use the roughened surface-adjusted electrolytic copper foil obtained by roughening the surface-adjusted electrolytic copper foil as the electrolytic copper foil that forms the film carrier tape for mounting electronic components of the present invention.
Furthermore, in the present invention, the roughened surface-adjusted electrolytic copper foil is subjected to mechanical polishing with the electrolytic copper foil raw material at least twice, with the polishing direction reversed, and further subjected to chemical polishing to form a surface-adjusted electrolytic copper foil. It is preferable that the surface-adjusted electrolytic copper foil is formed by roughening treatment.
[0019]
In the film carrier tape for mounting electronic parts such as TAB tape, T-BGA tape, and ASIC tape of the present invention, the surface of the electrolytic copper foil is formed by mechanical polishing at least once and then chemical polishing. A wiring pattern is formed using copper foil. Thus, by gradually polishing the mat surface of the electrolytic copper foil by mechanical polishing and chemical polishing, the amount of polishing at one time can be reduced, and for example, a polishing mark or the like by mechanical polishing is hardly formed. Further, by performing chemical polishing after mechanical polishing, physical deformation of the mat surface, inherent stress, etc., which may be caused by mechanical polishing, can be corrected by chemical polishing. Therefore, the film carrier tape for mounting electronic parts formed using the above-described surface electrolytic copper foil has a very uniform mat surface of the surface electrolytic copper foil and has high adhesion to the insulating film. Moreover, this surface-adjusted electrolytic copper foil has very good etching characteristics, the formed wiring pattern has high linearity, and the vertical cross section shows that the side wall of the etched electrolytic copper foil is substantially perpendicular to the insulating film. Thus, the shape of the vertical cross section of the wiring pattern is substantially rectangular, and excess copper hardly remains on the surface of the insulating film by etching. Therefore, it is possible to form a wiring pattern with a very narrow pitch on the film carrier tape for mounting an electronic component of the present invention by using such a surface electrolytic copper foil. Insulation defects and the like hardly occur in the pattern, particularly in the lead portion. In addition, the wiring pattern thus formed has a very uniform lead surface for bonding the device, so the plating metal amount of the plating layer formed on the lead surface is uniform. When bonding to this lead, the eutectic of gold and plated metal is not supplied excessively, and there is little possibility of short circuit between adjacent leads during such bonding.
[0020]
Furthermore, since the surface-planar electrolytic copper foil used in the present invention is chemically polished after mechanical polishing, it can be mechanically polished under very mild conditions during mechanical polishing, so that polishing marks by mechanical polishing, etc. Even if polishing marks are generated, such polishing marks are corrected by chemical polishing, so there is almost no defect in the formed wiring pattern, and the mechanical strength of the leads due to the copper foil used is not reduced. It hardly occurs.
[0021]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Next, the film carrier tape for mounting electronic components of the present invention will be specifically described with reference to the drawings. In the drawings shown below, common members are assigned common numbers.
FIG. 1A is a plan view schematically showing an example of a film carrier tape for mounting an electronic component of the present invention mounted with a device, and FIG. 1B is an enlarged view showing an inner lead portion. FIG. 1C is a cross-sectional view taken along the line XX in FIG.
[0022]
As shown in FIG. 1, a film carrier tape 1 for mounting an electronic component according to the present invention comprises an insulating film 10 and a wiring pattern 14 formed using a surface-adjusted electrolytic copper foil laminated with the insulating film 10. . The wiring pattern 14 extends from the inner lead 15, which is a connection portion (bonding portion) to the bump electrode 25 provided in the device 23, and is connected to an external electronic member. And outer leads 16 for the purpose.
[0023]
The insulating film 10 constituting the electronic component mounting film carrier tape 1 of the present invention is made of a flexible resin film. The insulating film 10 has a chemical resistance that is not affected by such chemicals because it is in contact with an etching solution such as an acid during etching, and a heat resistance that does not deteriorate due to heating during bonding. Examples of the resin that forms such a flexible resin film include polyester, polyamide, and polyimide. In particular, in the present invention, it is preferable to use a film made of polyimide.
[0024]
Examples of the polyimide film constituting the insulating film 10 include wholly aromatic polyimide synthesized from pyromellitic dianhydride and aromatic diamine, and biphenyl synthesized from biphenyltetracarboxylic dianhydride and aromatic diamine. Mention may be made of wholly aromatic polyimides having a skeleton. In particular, in the present invention, a wholly aromatic polyimide having a biphenyl skeleton (eg, trade name: Upilex, manufactured by Ube Industries, Ltd.) is preferably used. The thickness of the insulating film 10 is usually in the range of 25 to 125 μm, preferably 50 to 75 μm.
[0025]
In such an insulating film 10, device holes 20, sprocket holes 21, outer lead cutting holes (not shown), and the like are formed by punching.
The wiring pattern 14 is formed by laminating a flat electrolytic copper foil on the insulating film 10 having the predetermined holes as described above, forming a photoresist, and then etching.
[0026]
Lamination of the surface-adjusted electrolytic copper foil and the insulating film can be performed without using an adhesive, or both can be laminated through an adhesive layer.
When an adhesive is used for this lamination, for example, an insulating adhesive is applied to an insulating film to form an adhesive layer 12, and a surface to be bonded between the adhesive layer 12 and the surface-adjusted electrolytic copper foil (usually a mat) Place and adhere so that the surface). Next, a wiring pattern is formed by etching the planarized electrolytic copper foil thus laminated.
[0027]
When an adhesive is used when laminating the surface-adjusted electrolytic copper foil and the insulating film, the adhesive to be used requires characteristics such as heat resistance, chemical resistance, adhesive strength, and flexibility. Examples of adhesives having such characteristics include epoxy adhesives and phenolic adhesives. Such an adhesive may be modified with a urethane resin, a melamine resin, a polyvinyl acetal resin, or the like, or the epoxy resin itself may be modified with rubber. Such an adhesive is heat curable. The thickness of such an adhesive layer is usually in the range of 3.7 to 23 μm, preferably 10 to 21 μm. The adhesive layer 12 made of such an adhesive may be provided on the surface of the insulating film 10 or may be provided on the surface of the surface-adjusted electrolytic copper foil.
[0028]
By applying a photoresist to the surface of the surface-adjusted electrolytic copper foil laminated on the insulating film 10 as described above, baking the wiring pattern, developing to remove excess photoresist, and then etching A wiring pattern 14 is formed.
In the film carrier tape 1 for mounting an electronic component of the present invention, the copper foil for forming the wiring pattern as described above is an electrolytic copper foil that has been leveled by a predetermined method.
[0029]
The surface-adjusted electrolytic copper foil used in the present invention is obtained by mechanically polishing the mat surface of the electrolytic copper foil having a shiny surface and a mat surface at least once and then chemically polishing the mechanically polished mat surface. It is a leveled electrolytic copper foil. The average thickness of the surface-adjusted electrolytic copper foil is usually in the range of 5 to 35 μm, preferably in the range of 9 to 35 μm, and the average surface roughness of the mat surface of the surface-adjusted electrolytic copper foil is It exists in the range of 0.8-2.5 micrometers, Preferably it exists in the range of 1.0-1.8 micrometers.
[0030]
The surface-adjusted electrolytic copper foil used in the manufacture of the TAB tape of the present invention is prepared by mechanically polishing the mat surface of the electrolytic copper foil original fabric at least once and then chemically polishing the mechanically polished surface. . Hereinafter, a production example of the flat electrolytic copper foil will be shown.
The electrolytic copper foil (electrolytic copper foil original fabric) to be mechanically polished here has an average thickness before mechanical polishing, usually in the range of 5 to 35 μm, preferably in the range of 9 to 35 μm. The average surface roughness (Rz) of the mat surface is usually 2.5 to 10 μm, preferably about 3 to 8 μm, and the average surface roughness (Rz) of the matte surface is 3 even with an electrolytic copper foil having a small surface roughness. ~ 7 μm. Examples of the electrolytic copper foil having such an average surface roughness include VLP foil (average surface roughness: 3 to 5 μm) and HTE foil (average surface roughness: 4 to 7 μm).
[0031]
FIG. 2 shows the average thickness (T0) Is 18 μm, and the average surface roughness (Rz)0) Is a cross-sectional view showing a general surface state of a mat surface of an electrolytic copper foil (18 μm thick electrolytic copper foil) of 3.6 μm, and FIG. 3 shows an average surface roughness (Rz) after a mechanical polishing process.1) Is a cross-sectional view of an electrolytic copper foil whose surface is adjusted to 2.0 μm. FIG. 4 shows an average surface roughness (Rz) after a chemical polishing process.2) Is a cross-sectional view of a surface-adjusted electrolytic copper foil whose surface is adjusted to 1.5 μm. FIG. 11 is an electron micrograph showing the state of the matte surface of the 18 μm thick electrolytic copper foil before polishing.
[0032]
2 to 4, the M surface is described as the mat surface of the electrolytic copper foil, and the S surface is the shiny surface. As shown in FIG. 2, generally, the average surface roughness of the mat surface is represented by the 10-point average roughness (Rz) of the mat surface, and the 10-point average roughness (Rz) is a recess formed on the mat surface. A total of 10 points of 5 points from the maximum from the bottom to the highest peak of the convex part and 5 points from the minimum are selected and the average value is obtained. The unevenness formed on the mat surface is not uniform as shown in FIGS. 2 and 11, and the distance from the deepest bottom of the concave portion to the highest top of the convex portion (C0) Is the average surface roughness (Rz)0) Is about 5 μm even in an electrolytic copper foil of 3.6 μm.
[0033]
First, the mat surface of the electrolytic copper foil original fabric is mechanically polished, and as shown in FIG. By such mechanical polishing, the average surface roughness (Rz of the mat surface of the electrolytic copper foil)1) Is usually in the range of 1.5 to 3.0 μm, preferably 1.8 to 2.5 μm.
This mechanical polishing can be performed using, for example, a rotating buff.
[0034]
That is, polishing is performed by pressing the rotating buff against the mat surface side while passing the electrolytic copper foil raw material to be polished through the guide roll.
In this buffing, mechanical polishing is usually performed while rotating the buff in a single direction at a rotational speed of 100 to 1500 rpm, preferably 1000 to 1300 rpm. If the rotation speed of the buff is less than 100 rpm, it becomes difficult to uniformly polish the mat surface, which is the surface to be polished, and if it greatly exceeds 1300 rpm, the rotation of the buff becomes unstable and the electrolytic copper foil may be broken. .
[0035]
In addition, the pressure of the buff against the electrolytic copper foil that is the object to be polished in this buffing can be adjusted as appropriate so that the electrolytic copper foil does not break and the mat surface is not excessively polished by this buffing, Normally, this pressure is converted to a buff motor current value, usually 10.1 to 30 A (the current value of the buff motor at no load is about 10 A, so the substantial buff motor pressure ( The current-converted substantial pressure) is usually about 0.1 to 20 A in terms of the buff motor current value), and preferably 13 to 18 A, in terms of current-converted substantial pressure. If this current-converted substantial pressure is less than 0.1 A, the electrolytic copper foil may not be polished effectively, or the time required for polishing may be significantly increased, and if it exceeds 20 A, the electrolytic copper foil will break. Frequently occurs.
[0036]
When the electrolytic copper foil is mechanically polished by the rotating buff as described above, the moving speed of the electrolytic copper foil to be polished, that is, the line speed of the electrolytic copper foil is usually set within a range of 3 to 15 m / min. . This line speed may affect the uniformity of mechanical polishing, and if the line speed deviates from this range, the uniformity of mechanical polishing tends to be impaired.
[0037]
In the mechanical polishing as described above, for example, when a buff is used, the type of abrasive used is not particularly limited, but for example, a rotating buff having a number of about 800 to 3000 to which aluminum oxide is attached can be used. .
The mechanical polishing as described above may be performed once, but is preferably performed twice or more. That is, in the mechanical polishing, for example, the mat surface is polished by bringing the rotating buff and the mat surface of the electrolytic copper foil into contact with each other, and therefore the relative mechanical polishing is performed depending on the rotating direction of the rotating buff and the moving direction of the electrolytic copper foil. Due to the directivity, a single mechanical polishing may cause deformation of the convex portion along the polishing direction (buff rotation direction). For example, when the mat surface of the electrolytic copper foil raw material having the convex portion 112 as shown in FIG. 5 (A) is buffed in the direction of the arrow, as shown in FIG. 5 (B), the convex portion is formed along the buff rotation direction. 112 may be deformed, and the convex portion 112 on the downstream side of the buffing may form a deformed portion 111 such as a burr. In addition, a boundary portion 120 is formed between the polished portion and the unpolished portion on the convex portion 112 that first contacts the buff. The direction of mechanical polishing formed on such a mat surface is determined by polishing with the first buff and then contacting the mat surface with a second buff that rotates in reverse to the first buff. It can be corrected to some extent. Further, by dividing the mechanical polishing step into a plurality of steps as described above, the amount of polishing by one polishing can be set small. And since the press of each rotation buff can be set low, the electrolytic copper foil to be polished is less likely to break, and the directionality of polishing is less likely to occur in each mechanical polishing step.
[0038]
Thus, when disperse | distributing a mechanical polishing process, in each mechanical polishing process, it is preferable to set it as mild conditions rather than said conditions. Further, in the case of using a rotating buff, it is preferable that the first buff and the second buff are reversed in rotation direction, and a plurality of rotating buffs such as a third buff and a fourth buff are used. When using, it is preferable to reverse the rotation direction of the next rotation buff with respect to the rotation direction of the previous rotation buff. Moreover, it is preferable that the roughness of the rotating buff is equal to that of the preceding rotating buff, or the roughness of the rotating buff after the preceding buff is smaller than the roughness of the preceding buff.
[0039]
Further, by polishing the mat surface of the electrolytic copper foil using a plurality of rotating buffs in this way, it becomes difficult to form streak-like polishing marks. This polishing mark is a mark obtained by excessively grinding the copper foil. By polishing so as not to form such a polishing mark, the mechanical strength of the wiring pattern formed using the surface-adjusted electrolytic copper foil is reduced. It can be prevented and poor conduction is unlikely to occur.
[0040]
By performing mechanical polishing as described above, a relatively high top of the convex portion on the mat surface is selectively polished, for example, C shown in FIG.0= 5 μm is C as shown in FIG.1= Polished to 2.5-3.2 μm. That is, C before leveling by mechanical polishing0Against C1Decreases by 17-36%. When the degree of mechanical polishing performed in this way is expressed in terms of average surface roughness, the average surface roughness by this mechanical polishing is in the range of 1.5 to 3.0 μm, preferably 1.8 to 2.5 μm. become. For example, in the electrolytic copper foil shown in FIG. 2, the average surface roughness (Rz0) Is 3.6 μm, and the average surface roughness (Rz) is obtained by mechanical polishing as shown in FIG.1) Becomes 2.0 μm, and the average surface roughness (Rz) decreases by 17 to 47% by mechanical polishing.
[0041]
In the present invention, it is preferable to perform the mechanical polishing of the mat surface in a plurality of times as described above, and when the mechanical polishing is performed in a plurality of times in this way, the total mechanical polishing amount is set as described above.
FIG. 12 is an electron micrograph showing the mat surface when the mat surface of the 18 μm thick electrolytic copper foil having the mat surface as shown in FIG. 11 is buffed once. FIG. 13 shows the first buff in this way. It is an electron micrograph showing the mat | matte surface after performing 2nd buff grinding | polishing using the 2nd rotation buff from which a rotation direction differs from 1st time after grinding | polishing.
[0042]
After the mechanical polishing of the mat surface of the electrolytic copper foil at least once as described above, the mechanically polished mat surface is chemically polished.
As a chemical polishing liquid for this mechanically polished mat surface, nitric acid-sulfuric acid-hydrochloric acid type polishing liquid (Kirin's liquid), polishing liquid obtained by adding chromic acid to this Kirin's liquid, nitric acid type polishing liquid, phosphoric acid type polishing liquid, Chromic acid-based polishing liquid, sulfuric acid-based polishing liquid, hydrogen peroxide-based polishing liquid, sulfuric acid / hydrogen peroxide-based polishing liquid, copper chloride-based polishing liquid, iron chloride-based polishing liquid, ammonia persulfate-based polishing liquid, ammonia / alkali-based A polishing liquid or the like can be used.
[0043]
Examples of polishing liquids that can be used here are shown below. In addition, each component of the polishing liquid shown below is a central component ratio in the polishing liquid.
(1)
Nitric acid 200 parts by volume
400 parts by volume of sulfuric acid
2 parts by volume of hydrochloric acid
300 parts by volume of water.
(2)
320 parts by volume of nitric acid
640 parts by volume of sulfuric acid
Hydrochloric acid 10 parts by volume
640 parts by volume of water.
(3)
Nitric acid 20-80 parts by volume
20-80 parts by volume of sulfuric acid
0.1-10 parts by volume of hydrochloric acid
Chromic acid 5-200 parts by volume
Water proper amount.
(Four)
30-80 parts by volume of phosphoric acid
Nitric acid 5-20 parts by volume
10-50 parts by volume of glacial acetic acid
Water proper amount.
(Five)
500 parts by volume of phosphoric acid
Nitric acid 200 parts by volume
50 parts by volume of glacial acetic acid
Hydrochloric acid 5 parts by volume
300 parts by volume of water.
(6)
40 parts by volume of phosphoric acid
Nitric acid 15 parts by volume
Hydrochloric acid 1.5 parts by volume
48 parts by volume of water
90 parts by weight of ammonium nitrate.
(7)
45-60 parts by volume of phosphoric acid
8-15 parts by volume of nitric acid
15-25 parts by volume of sulfuric acid
10-20 parts by volume of water.
(8)
450 parts by weight of chromic acid
125 parts by volume of sulfuric acid
Hydrochloric acid 5 parts by volume
75 parts by volume of glacial acetic acid
200 parts by volume of water.
(9)
70-120 parts by weight of sodium dichromate
100-200 parts by volume of sulfuric acid
2-40 parts by weight of benzotriazole
Add water to make 1000 parts by volume.
(Ten)
Hydrogen peroxide 100 mol / liter
Sulfuric acid 2 mol / liter
Saturated alcohol A small amount.
(11)
Hydrogen peroxide 100 mol / liter
Hydrofluoric acid 2 mol / liter
Saturated alcohol A small amount.
(12)
Hydrogen peroxide 100 mol / liter
Nitric acid 2 mol / liter
Saturated alcohol A small amount.
(13)
Nitric acid 40 parts by volume
Cuprous chloride 3 parts by weight
60 parts by volume of glacial acetic acid
5 parts by weight of potassium dichromate
Water proper amount.
(14)
(NHFour)ThreeS2O2etc
NHThreeAs 8.2-9.5N
Cu 150-180 g / liter
Pure rest.
[0044]
Moreover, the following polishing liquid can be mentioned as a commercially available polishing liquid.
(15) (Mec polishing fluid)
Pure water 60.7 (W / W%)
Sulfuric acid (62.5%) 22.2 (W / W%)
Hydrogen peroxide (35%) 16.1 (W / W%)
Mec power etching HE-700 1 (W / W%).
(16) (Meltex polishing fluid)
Meripolis CU-67 100g / liter
Meripolis CU-78B 50ml / liter
Sulfuric acid (98%) 75ml / liter
Pure water balance.
(17) (SHIPLEY polishing liquid)
Chem polish 151L-2 Stock solution.
[0045]
The chemical polishing liquid as described above can polish and remove a predetermined amount of copper from the mat surface by appropriately setting the contact condition with the mat surface of the electrolytic copper foil, for example, the contact temperature and the stirring condition.
For example, the surface of the mat surface can be brought into a desired polishing state by bringing the chemical polishing liquid (Kirin's solution) shown in (1) above into contact with the mechanically polished mat surface for 10 to 30 seconds at room temperature. The surface of the mat surface can be brought into a desired polished state by bringing the chemical polishing liquid represented by the above (3) and the mechanically polished mat surface into contact with each other at 50 to 80 ° C. for 2 to 6 minutes. In general, in the case of a polishing solution containing nitric acid-sulfuric acid-hydrochloric acid such as Kirin's solution, the reaction is extreme and a predetermined amount of chemical polishing is performed by dipping for a relatively short time at a temperature near room temperature. Can do. On the other hand, to use a phosphoric acid-based liquid, the polishing liquid is heated (or heated) and the matte surface and polishing liquid mechanically polished for a relatively long time at a temperature equal to or higher than room temperature, for example, 1 to several minutes. Need to contact.
[0046]
By bringing the thus-polished mat surface into contact with the chemical polishing liquid as described above, for example, as shown in FIG. 4, the surface of the mechanically-polished mat surface can be polished almost uniformly. Then, for example, the deformed portion 111 such as a burr generated by mechanical polishing as shown in FIG. 5B is almost completely removed because the contact area with the chemical polishing liquid becomes large. Further, the boundary portion by mechanical polishing as indicated by reference numeral 120 in FIG. 5B is also polished into a curved surface 121 by contact with a chemical polishing solution as shown in FIG. Furthermore, since this chemical polishing liquid uniformly contacts the entire mat surface, the chemical polishing liquid also penetrates into the part where the rotating buff etc. did not contact in mechanical polishing, and the entire mechanically polished mat surface is chemically polished. Chemical polishing is performed according to the contact area with the liquid.
[0047]
Therefore, as shown in FIG. 4, the surface polished by this chemical polishing is a continuous curve as a whole. For example, the entire mat surface can be uniformly roughened after this chemical polishing step.
In this chemical polishing step, since the chemical polishing liquid is selectively brought into contact with the mechanically polished mat surface and no chemical polishing of the shiny surface is planned, the mechanically polished mat surface is usually chemically treated. Before contacting with the polishing liquid, mask the surface with an acid-resistant resin to protect the shiny surface from being chemically polished. However, when it is necessary to chemically polish the shiny surface, the matte surface and shiny surface can be chemically polished simultaneously without masking.
[0048]
By performing chemical polishing as described above, the entire mat surface is polished, for example, as shown in FIG.1= 3.2 μm is C as shown in FIG.2= Polished to 2.6 μm. That is, C before chemical leveling by chemical polishing (FIG. 2).0In contrast, C shown in FIG.2Decreases by about 60 to 80%. Therefore, in the previous process, mechanical polishing, C1Is C0The chemical polishing, which is a process following mechanical polishing, reduces C by about 30 to 40%.2Is C1About 40 to 50%. When the degree of chemical polishing performed in this way is expressed by the surface roughness changed by chemical polishing, the average surface roughness is 0.8 to 2.5 μm, preferably 1.0 to 1.8 μm. For example, in the electrolytic copper foil shown in FIG. 2, the average surface roughness (Rz0) Is 3.6 μm, and the average surface roughness (Rz) is obtained by mechanical polishing as shown in FIG.1) Becomes 2.0 μm, the average surface roughness (Rz) is reduced by 47% by mechanical polishing, and the average surface roughness (Rz) is reduced by chemical polishing as shown in FIG.2) Becomes 1.5 μm, and the average surface roughness (Rz) of the mat surface obtained by chemical polishing and mechanical polishing1) Average surface roughness (Rz)2) Is reduced by about 60%.
[0049]
Moreover, sharp polishing such as burrs generated by mechanical polishing is selectively chemically polished after mechanical polishing in this way, so that the entire mat surface appears to have a smooth curved surface. Thus, it becomes possible to perform the roughening process uniformly during the subsequent roughening process.
FIG. 14 shows an electron micrograph of the mat surface obtained by subjecting the 18 μm thick electrolytic copper foil to two-step buffing and then chemically polishing as described above. By chemical polishing in this way, the thickness (gauge thickness) of the surface-planar electrolytic copper foil is usually within a range of 4 to 34 μm.
[0050]
The average thickness (gauge thickness) of the 18 μm-thick electrolytic copper foil that has been surface-polished after mechanically polishing the mat surface in this way is 100% when the average thickness of the electrolytic copper foil before mechanical polishing is 100%. The average thickness is 90 to 97%, preferably 94 to 96%, and from this value, the mat surface of the electrolytic copper foil has a smooth curved surface, and the average surface of the mat surface before polishing. Considering the roughness, it can be seen that there is no significant change in the thickness of the entire electrolytic copper foil. That is, most of the protruding portions of the mat surface are ground by mechanical polishing and chemical polishing in the present invention, and mechanical polishing marks generated by mechanical polishing such as sharp grinding marks that tend to be seen on the mechanically polished surface are chemically Disappears by polishing. Therefore, according to this method, even when a very thin electrolytic copper foil (for example, an average thickness; 12 to 18 μm) is used, the mat surface is mechanically polished and then chemically polished. There is no significant decrease in the strength of the electrolytic copper foil.
[0051]
After the mat surface of the electrolytic copper foil is mechanically polished as described above, and then chemically polished and leveled, it is preferable to roughen the leveled mat surface as shown in FIG.
This roughening treatment is a treatment for adhering fine copper particles to the mat surface adjusted as described above, and using a combination of plating techniques under different conditions, the surface of the mat surface that has been adjusted is fine. This is a process for forming copper fine particles.
[0052]
In this roughening treatment, the average surface roughness of the mechanically polished surface of the copper foil is 1.5 to 4.0 μm, preferably 3 in order to maintain the etching property while improving the adhesion between the insulating substrate and the copper foil. It is desirable to perform the roughening treatment so as to be within a range of 1.5 to 2.5 μm so as to be within 5 μm. Then, after the mechanical polishing, the mat surface can be uniformly polished by performing a chemical polishing step, and the uniform polishing surface has a high density of uniformly fine copper particles. Electrodeposit.
[0053]
The roughening process is performed by a series of plating processes such as burn plating, kabuse plating, and mustache plating. This series of plating processes is performed, for example, under the following plating conditions.
(1) Discoloration plating
After mechanical polishing, an insoluble electrode is disposed opposite to the mat side of the surface-adjusted electrolytic copper foil that has been subjected to chemical polishing, and plating is performed under the following conditions.
[0054]
Copper concentration: 3-30 g / liter
Sulfuric acid concentration: 50-500 g / liter
Liquid temperature: 20-30 degreeC
Current density: 20-40A / dm2
Time: 5-15 seconds
Under these plating conditions, a particulate copper electrodeposit layer called burnt plating is formed on the matted surface of the electrolytic copper foil.
[0055]
(2) Kabuse plating
Next, the surface subjected to burnt plating as described above is further subjected to fog plating under the following conditions.
Copper concentration: 40-80g / liter
Sulfuric acid concentration: 50-150 g / liter
Liquid temperature: 45-55 degreeC
Current density: 20-40A / dm2
Time: 5-15 seconds
Under this plating condition, a copper thin film called Kabuse plating coats the particulate copper electrodeposit layer.
[0056]
(3) Beard plating
Further, beard plating is performed on the surface subjected to the Kabse plating process in the following conditions.
Copper concentration: 5-30 g / liter
Sulfuric acid concentration: 30-60g / liter
Liquid temperature: 20-30 degreeC
Current density: 10-40A / dm2
Time: 5-15 seconds
Under this plating condition, a beard-like copper deposit called whisker plating is formed on the copper coating formed by Kabuse plating.
[0057]
FIG. 15 shows an electron micrograph of the mat surface of the 18 μm-thick electrolytic copper foil roughened as described above.
The above description shows an example of the roughening treatment, and further, the roughening treatment (cobbing) can be performed under other roughening treatment conditions conventionally used.
After the roughening treatment in this way, it is preferable that the surface of the matted surface is subjected to rust prevention treatment. In this rust prevention treatment, a base metal is more electrochemically attached to the roughened surface than copper such as zinc and chromium. Specifically, a thin plating layer of metal having an antirust effect against such copper is formed.
[0058]
For example, in the rust prevention treatment using zinc and / or chromate, the electrolytic copper foil that has been mechanically polished and then chemically polished as described above is roughened, and then this roughened electrolytic copper foil is treated. It is carried out by a series of steps of dipping in a galvanized layer and further chromating.
An example of the zinc treatment conditions employed here will be shown.
Zinc treatment is performed using, for example, an electrolytic solution having a zinc concentration of 5 g / liter, a sulfuric acid concentration of 50 g / liter, and a liquid temperature of 25 ° C., and a current density of 5 A / dm.2Then, an electric current is applied for 8 seconds to galvanize the roughened mat surface.
[0059]
After forming the galvanized layer in this way, the surface of the galvanized layer is chromated.
This chromate treatment is performed using, for example, an electrolytic solution having an chromic anhydride of 2 g / liter and a pH value of 4 and a current density of 1 A / dm.2Run with a current for 5 seconds.
Furthermore, it is preferable to apply a silane compound such as γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane as a silane coupling agent to the chromate-treated surface to form a silane coupling agent layer.
[0060]
For example, the average thickness (gauge thickness) of the electrolytic copper foil is obtained by performing mechanical polishing, chemical polishing, roughening treatment, rust prevention treatment, and chromate treatment as described above using the above-described 18 μm thick electrolytic copper foil. Is usually 16-20 μm, preferably 17-19 μm.
That is, the roughened electrolytic copper foil (preferably roughened smoothed electrolytic copper foil) subjected to rust prevention treatment and chromate treatment after such roughening treatment is usually an average thickness of 5 to 35 μm, preferably 12 to 25 μm. When the average thickness of the electrolytic copper foil before leveling is 100%, the average thickness of the leveled electrolytic copper foil (preferably roughened surface-adjusted electrolytic copper foil) prepared as described above Is usually in the range of 90 to 97%, preferably 94 to 96%, and no significant copper polishing loss occurs. Furthermore, the average surface roughness (Rz) of the mat surface of the 18 μm-thickness roughened surface-treated electrolytic copper foil (surface-polished copper foil that has been roughened after polishing) obtained as described above is usually 1 0.0 to 3.0 μm, preferably 2.0 to 2.5 μm, for example, when laminated to an insulating film with or without an adhesive layer, very uniform and high peel strength Have
[0061]
Further, by mechanically polishing after mechanical polishing in this way, the convex portion of the mat surface is selectively polished, and the entire mat surface becomes a state in which a gentle curved surface is continuous. Can perform the roughening treatment (cobbing) very uniformly.
In the method of the present invention, the matte surface of the electrolytic copper foil is selectively mechanically polished and then chemically polished. During this chemical polishing, a shiny surface (average surface roughness is usually 1.2). Is usually masked, and the surface roughness does not fluctuate before and after the surface treatment.
[0062]
Surface-planar electrolytic copper foil produced as described above, preferably a roughened surface-planar electrolytic copper foil and an insulating film are laminated, a photoresist layer is formed and masked, and excess copper is etched with an etching solution. By eluting, a desired wiring pattern can be formed on the insulating film, and the TAB tape (film carrier tape for mounting electronic components) of the present invention can be formed. In addition, when laminating an insulating film and a surface-adjusted electrolytic copper foil, preferably a roughened surface-adjusted electrolytic copper foil, it may be used after removing the silane coupling agent layer, the rust prevention layer, etc. from the surface-adjusted copper foil. it can.
[0063]
As shown in FIG. 8, the pitch width (P) of the inner leads 15 formed on the film carrier tape 1 for mounting electronic components using the above-described surface-adjusted electrolytic copper foil, preferably a roughened surface-adjusted electrolytic copper foil.0) Is usually in the range of 30 to 60 μm, preferably in the range of 35 to 55 μm, and is narrower than the pitch width of the inner leads formed on the conventional film carrier tape for mounting electronic components. The width (W of the inner lead 15 formed with such a pitch width)0) Is usually in the range of 10 to 50 μm, preferably 15 to 45 μm, and the gap width (S0) Is usually in the range of 10-50 μm, preferably 15-45 μm.
[0064]
Various plating layers can be formed on the surface of the inner lead 15. Examples of such a plating layer include a tin plating layer, a gold plating layer, a nickel base gold plating layer, and a solder plating layer. 8 and 9 show an example in which the plating layer is a tin plating layer. When a tin plating layer is formed on the inner lead surface, a gold-tin eutectic is formed by the tin supplied from the tin plating layer and the gold supplied from the bumps of the device. The device is mounted on the lead by the object. Then, an appropriate amount of tin as shown in FIG. 8C is plated on the lead formed as described above, and a bump electrode is disposed and press-bonded with heat so that an appropriate amount of gold is applied to the bonding portion. -The tin eutectic is supplied, and the lead and the bump electrode are satisfactorily bonded, and a short circuit does not occur between adjacent leads.
[0065]
The tin plating layer 21 is preferably formed by an electroless plating method. The thickness of the tin plating layer 31 thus formed is usually within a range of 0.001 to 1 μm, preferably 0.005 to 0.7 μm. When tin is plated in this way, a portion of the copper on the surface of the inner lead 15 is replaced with tin to form a tin plating layer. Furthermore, after the tin plating layer is once formed as described above, heat treatment is performed to prevent the occurrence of whiskers, and then a very thin tin plating layer is formed by flash plating, so that the purity of the inner lead 15 surface is increased. High tin plating layer 31 can be formed. Even if the tin plating layer formed by such a flash plating method is not subjected to heat treatment, it is difficult for whiskers to grow. The thickness of the tin plating layer by this flash plating method is usually in the range of 0.01 to 1 μm, preferably 0.05 to 0.5 μm. The total thickness of the tin plating layer 31 thus formed is usually It is in the range of 0.2-2 μm, preferably 0.1-1 μm.
[0066]
The tin plating layer 31 formed as described above is formed uniformly following the shape of the surface of the matte surface of the roughened surface-treated electrolytic copper foil that has been mechanically polished.
The tin plating is usually applied to the exposed lead part after the solder resist (not shown) is applied and cured by exposing the lead part, but it is applied to the entire wiring pattern formed before the solder resist is applied. It is also possible to form a thin tin plating layer, then apply and cure a solder resist, and re-plat the exposed lead portions.
[0067]
Since the surface of the surface-adjusted electrolytic copper foil forming the inner lead 15, preferably the surface of the roughened surface-adjusted electrolytic copper foil, is very homogeneous, a uniform tin plating layer is formed on the bump electrode bonding surface of the inner lead 15. 8B and 8C, the gold-tin eutectic necessary and sufficient for bonding the entire bottom surface of the bump electrode to the inner lead 15 when the bump electrode is bonded, as shown in FIGS. An object 33 is formed.
[0068]
On the other hand, as shown in FIGS. 9A, 9B, and 9C, when the copper foil 15 whose mat surface is not evenly arranged is used, the mat surface of the inner lead 15 is When the tin plating layer 31 is formed in the same manner as described above, the tin plating layer 31 in the concave and convex portions on the surface of the inner lead 15 tends to be thick. When the bump electrode 25 is bonded to the tin plating layer 31 lacking in uniformity as described above, the gold-tin eutectic alloy 33 is excessively supplied, and as shown in FIG. 23 may protrude from the bonding position of the bump electrode 25 formed on the surface 23. In a TAB tape having a narrow pitch width, the excessively supplied gold-tin eutectic alloy flows out in the lateral direction, and a short circuit 35 may occur between the adjacent inner lead 15 bonding portions.
[0069]
In the film carrier tape for mounting electronic components of the present invention, the mat surface is mechanically polished at least once and then chemically polished as described above, so that the surface of the lead has excellent adhesion to the insulating film and leads. A film carrier tape for mounting electronic parts having excellent characteristics such as high strength, uniform strength, resistance to short circuit during bonding, and high bonding reliability.
[0070]
Moreover, the film carrier tape for electronic component mounting of this invention is suitable as a TAB tape for liquid crystal elements having an output-side outer lead.
FIG. 10 is a plan view showing an example of a film carrier tape for mounting an electronic component (for example, a TAB tape for a liquid crystal element) having an output-side outer lead on the surface of an insulating film.
[0071]
In FIG. 10, reference numeral 10 denotes an insulating film, and sprinket holes are formed on both side edges. The insulating film 10 has a device hole 20 for mounting a device (not shown). Inner leads 15 extend from the wiring pattern 14 in the device hole 20. An input-side outer lead 18 is formed at the other end of the wiring pattern 14 whose one end is an inner lead. An input-side outer lead for cutting the input-side outer lead 18 is formed below the input-side outer lead. A cutting hole 17 is formed, and the input side outer lead 18 is formed so as to straddle the cutting hole 17.
[0072]
On the other hand, the other inner lead 15 extended to the device hole 20 is connected to the output-side outer lead 19 via the wiring pattern 14.
The surface of the wiring pattern 14 excluding these lead portions is protected by a solder resist 36 or the like.
The output-side outer lead 19 can be joined to the electrode of the liquid crystal element, and the pitch width of the output-side outer lead 19 is usually in the range of 30 to 75 μm, preferably 40 to 70 μm. The lead width of the side outer lead 19 is usually 15 to 45 μm, preferably 20 to 40 μm.
[0073]
Thus, the output-side outer lead 19 has a very narrow pitch width and a narrow lead width. In addition, the insulating film 10 is provided below the output-side outer lead 19, and the output-side outer lead 19 is joined to the insulating film 10 at the lower end.
When a conventional electrolytic copper foil is used, the longitudinal section of the output-side outer lead 19 tends to be trapezoidal as shown in FIG. That is, the upper width La and the lower width Lb of the output outer lead 19 in FIG. 10A are often different, and the cross section of the output outer lead 19 tends to be trapezoidal. In the vicinity, a short circuit may be formed between adjacent output-side outer leads 19. Further, even when the output-side outer lead 19 is not linear, that is, when it cannot be etched linearly, a short circuit may occur near the surface of the insulating film.
[0074]
In the film carrier tape for mounting an electronic component of the present invention, the etching performance of the surface-adjusted electrolytic copper foil as described above, preferably the roughened surface-adjusted electrolytic copper foil is very good, and the longitudinal section of the wiring pattern formed by etching The upper width La and the lower width Lb are substantially the same. That is, the side wall surface of the formed wiring pattern is substantially perpendicular to the insulating film, and the vertical cross section of the formed wiring pattern is substantially rectangular or square. In particular, as shown in FIG. 10B, in the output side outer lead 19 having a narrow pitch width, the upper width La and the lower width Lb are substantially the same, so that the adjacent wiring pattern is formed on the surface of the insulating film substrate. There is no excessive proximity, and short-circuiting or insulation failure due to the proximity of these leads is unlikely to occur. Further, the linearity of the wiring pattern 14 formed by etching is high. Therefore, even when a wiring pattern having a very narrow pitch width is formed like the output-side outer lead 19, a short circuit is caused between adjacent wiring patterns. Hard to form. Furthermore, the surface-adjusted electrolytic copper foil (preferably roughened surface-adjusted electrolytic copper foil) forming the film carrier tape for mounting electronic components of the present invention has very good etching characteristics, and the surface of the insulating film 10 is made of copper. Little residue (residue of unetched copper) is generated.
[0075]
Therefore, the film carrier tape for mounting electronic components of the present invention is very good even in a thin line portion that requires very high etching accuracy, such as the output-side outer lead 19, such as a TAB tape for liquid crystal. Etched, and short-circuiting or insulation failure is unlikely to occur in such thin wire portions.
Further, the characteristics of the copper foil at the time of the etching are very useful characteristics not only for the TAB tape but also for a T-BGA tape, an ASIC tape, and the like that have been thinned like the TAB tape.
[0076]
【The invention's effect】
The wiring pattern constituting the film carrier tape for mounting an electronic component of the present invention is formed by using a flat electrolytic copper foil obtained by first mechanically polishing and then chemically polishing a mat surface of an electrolytic copper foil original fabric. ing. In this way, the surface-plated electrolytic copper foil that has been mechanically polished and then chemically polished is a uniform mat surface in which mechanical polishing marks such as the direction of polishing by mechanical polishing and distortion have disappeared by chemical polishing. By subjecting the matted surface thus roughened to a roughening treatment, fine copper particles can be formed uniformly. Since the film carrier tape for mounting electronic components of the present invention has a wiring pattern formed by laminating the surface-adjusted electrolytic copper foil having the matte surface uniformly uniform with the insulating film, the wiring pattern for the insulating film The peel strength is high and the overall strength is stable. Furthermore, the wiring pattern formed using the surface-adjusted electrolytic copper foil having the surface adjusted as described above was formed by correcting polishing unevenness, polishing marks, distortion, etc. caused by mechanical polishing by chemical polishing. There is no polishing mark and unevenness in the wiring pattern, and the incidence of defective products is significantly reduced. Further, the flat copper foil has good etching properties, can form a wiring pattern having a rectangular cross section, and has good linearity of the formed wiring pattern.
[0077]
That is, the film carrier tape for mounting electronic components of the present invention has a small difference between the width of the upper end portion and the lower end portion of the formed wiring pattern (particularly the lead portion), and the side wall surface of the vertical cross section of the wiring pattern is an insulating film. Therefore, it is possible to form a film carrier tape for mounting electronic components with a very fine pitch. Further, the lower end portion of the wiring pattern is etched linearly. Further, almost no copper residue is seen on the insulating substrate surface. Such a characteristic is an important characteristic also in, for example, the inner lead, but is extremely important in an outer outer lead that is electrically connected to the liquid crystal element, for example. That is, the output-side outer lead that is electrically connected to the liquid crystal element is connected to a liquid crystal pixel, and the output-side outer lead is formed with a very narrow lead width and a narrow pitch width. Accordingly, the adjacent output-side outer leads are liable to cause insulation failure with the adjacent leads. For example, even if the linearity of the output-side outer lead is slightly impaired, an insulation failure may occur, and if the lower end portion of the output-side outer lead is slightly wider than the upper end portion, an insulation failure may occur on the insulating substrate surface. Furthermore, there is a risk that insulation failure may occur even if a slight amount of copper residue is present on the insulating substrate. The output-side outer lead portion connected to such a liquid crystal element needs to etch the copper foil with the same or higher accuracy as the inner lead on which the electronic component is mounted. In particular, it is necessary to form a lead on the insulating substrate by etching the electrolytic copper foil laminated on the insulating substrate, such as a TAB tape for a liquid crystal element. The lead cross-sectional shape is more likely to be trapezoidal than the inner lead that does not have an insulating substrate, and copper residue is likely to occur due to the presence of the insulating substrate, making fine pitching more difficult than the inner lead. Yes.
[0078]
However, in the film carrier tape for mounting electronic parts of the present invention, the above-described surface electrolytic copper foil is used, so that the output formed on the side wall of the wiring pattern formed by etching, for example, the TAB tape for liquid crystal The cross-sectional shape of the side outer lead is rectangular or square (the width of the upper end surface is substantially the same as the width of the lower end surface), and the formed lead has high linearity. Moreover, copper does not remain on the surface of the insulating substrate.
[0079]
In addition, the film carrier tape for mounting electronic components according to the present invention is formed by forming a wiring pattern using the surface-adjusted electrolytic copper foil having the surface adjusted as described above, whereby adhesion between the insulating film as a substrate and the wiring pattern is achieved. In addition, the mounting yield when the device is mounted on the electronic component mounting film carrier tape is very high.
[0080]
In addition, a wiring pattern is formed using the surface-adjusted electrolytic copper foil having a mat surface that has been smoothed by mechanical polishing and chemical polishing as described above, and a plating layer formed on the lead portion of the wiring pattern thus formed Is very uniform, so when bumps are welded to leads with a narrow pitch, the eutectic of the plating layer forming metal and the bump forming metal is not excessively supplied and adjacent to each other during bonding. Since there is no short circuit due to excessive eutectic between the leads, the device mounting yield is very high.
[0081]
【Example】
EXAMPLES Next, the present invention will be described more specifically with reference to examples of the present invention, but the present invention is not limited thereto.
[0082]
[Example 1]
The average surface roughness of the shiny surface is 1.2 μm, and the average surface roughness (Rz of the mat surface)1An electrolytic copper foil having an average thickness of 18 μm and a thickness of 3.6 μm was prepared. An electron micrograph of the mat surface of the electrolytic copper foil is shown in FIG.
While this electrolytic copper foil passes through the guide roll, a mat buff No. 1000 buff (made by Kakuda Brush Co., Ltd.) whose abrasive grains are aluminum oxide is applied, and the buff rotation direction is opposite to the traveling direction of the electrolytic copper foil. The batter of the electrolytic copper foil mat surface was polished under the conditions of the first buff rotation speed of 1200 rpm, the buff motor current value conversion pressure of 19 A, and the line speed of 8 m / min (the first machine Polishing).
[0083]
FIG. 12 shows an electron micrograph of the mat surface after the first mechanical polishing is completed.
Polishing by the first mechanical polishing while rotating the buff No. 1000 to the electrolytic copper foil subjected to the first mechanical polishing so that the rotation direction of the buff is the same as the traveling direction of the electrolytic copper foil. The matte surface was buffed. At this time, the rotation speed of the second stage buff is 1200 rpm, the buff motor current value converted pressure is 1.6 A, and the line speed is 8 m / min (second mechanical polishing).
[0084]
FIG. 13 shows an electron micrograph of the mat surface of the electrolytic copper foil after mechanical polishing twice as described above. The average surface roughness of the mat surface thus mechanically polished is 2.0 μm, and 18% of the average surface roughness of the mat surface of the electrolytic copper foil before mechanical polishing is polished by this mechanical polishing. It was. As is clear from FIG. 12, although the mechanical polishing is performed twice, mechanical polishing marks remain on the mat surface.
[0085]
After buffing twice in reverse rotation, the electrolytic copper foil coated with acid-resistant resin on the shiny surface and masked was brought into contact with a chemical polishing liquid having the following composition at 30 ° C. for 5 seconds, and the chemical polishing liquid was circulated. Chemically polished.
Figure 0003919394
In addition, the fluctuation range of the composition of the chemical polishing liquid was adjusted within a range of 5 to 15% with respect to the basic composition.
[0086]
After the mat surface is chemically polished as described above, the surface-adjusted electrolytic copper foil is thoroughly washed with water, and an electron micrograph of the surface of the mat surface after chemical polishing is shown in FIG. .
In this way, chemical polishing removes mechanical polishing marks and polishing direction seen on the mechanically polished mat surface, and sharp parts such as burrs generated by mechanical polishing are almost completely removed. A matte surface like this was obtained.
[0087]
The average surface roughness of the mat surface thus chemically polished is 1.5 μm, and 25% of the average surface roughness of the mat surface of this electrolytic copper foil after mechanical polishing is polished by this chemical polishing. It was done.
In addition, the average thickness of the surface-planar electrolytic copper foil obtained by chemical polishing after mechanical polishing in this way is about 16.8 μm in gauge thickness, and the average of the electrolytic copper foil before mechanical polishing used in this example is about 16.8 μm. The thickness was 17.1 μm in gauge thickness, and no extreme copper loss was observed due to the eluted copper from the electrolytic copper foil.
[0088]
Next, the matte surface of the electrolytic copper foil having the matte surface thus prepared was roughened under the following conditions.
(1) Discoloration plating
An insoluble electrode was placed opposite to the mat surface side of the electrolytic copper foil that had been leveled by mechanical polishing and chemical polishing, and plating was performed under the following conditions.
[0089]
Copper concentration: 3-30 g / liter
Sulfuric acid concentration: 50-500 g / liter
Liquid temperature: 20-30 degreeC
Current density: 20-40A / dm2
Time: 5-15 seconds
Due to burnt plating under the above conditions, a particulate copper electrodeposit layer was deposited on the surface of the flat electrolytic copper foil.
[0090]
(2) Kabuse plating
After scorching plating as described above, turn-seed plating was performed under the following conditions.
Copper concentration: 40-80g / liter
Sulfuric acid concentration: 50-150 g / liter
Liquid temperature: 45-50 degreeC
Current density: 20-40A / dm2
Time: 5-15 seconds
A copper thin film called kabuse plating was formed so as to cover the copper electrodeposit formed by burn plating by this kabuse plating.
[0091]
(3) Beard plating
Further, beard plating was performed on the surface subjected to the Kabse plating treatment in the following conditions.
Copper concentration: 5-30 g / liter
Sulfuric acid concentration: 30-60g / liter
Liquid temperature: 20-30 degreeC
Current density: 10-40A / dm2
Time: 5-15 seconds
Under these plating conditions, a beard-like copper deposit called beard plating was formed on the copper coating formed by the Kabuse plating.
[0092]
The matte surface of the electrolytic copper foil thus polished and roughened was observed with an electron microscope. An optical micrograph of this mat surface is shown in FIG.
The average surface roughness of the matte surface thus roughened is 2.5 μm. Furthermore, the average thickness (gauge thickness) of the roughened surface-adjusted electrolytic copper foil thus roughened was 17.5 μm. Therefore, the roughening treatment recovered almost 98% of the average thickness of the electrolytic copper foil.
[0093]
A rust-preventing layer was formed on the roughened surface of the roughened surface-treated electrolytic copper foil thus prepared. This rust prevention layer was formed using zinc. This zinc rust prevention treatment uses an electrolytic solution having a zinc concentration of 5 g / liter, a sulfuric acid concentration of 50 g / liter, and a liquid temperature of 25 ° C., and a current density of 5 A / dm.2For 8 seconds. The thickness of the formed zinc layer is very thin and is usually 100 mm or less. Furthermore, after forming the zinc layer in this way, a current density of 1 A / dm is obtained using an electrolytic solution of chromic anhydride of 2 g / liter and a pH value of 4.2The electrolytic chromate treatment was performed for 5 seconds. The surface of the chromate layer thus chromated was coated with γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane.
[0094]
A mat surface obtained by leveling the roughened surface-treated electrolytic copper foil thus obtained on one surface of a 125 μm-thick polyimide film (with a thermosetting adhesive) on which sprocket holes and device holes are formed. Was placed so as to face the polyimide film and thermocompression bonded. Further, a photoresist is applied to the surface of the roughened copper foil, and a pattern as shown in FIG. 10 is exposed to remove excess photoresist, which is exposed to an etching solution to be exposed. The copper foil was removed to form a wiring pattern.
[0095]
After removing the photoresist, a solder resist was applied on the wiring pattern, leaving the tips of the leads to be bonded. Furthermore, the TAB tape of the present invention was manufactured by forming a tin plating layer on the surfaces of the inner leads, input side and output side outer leads.
The TAB tape thus obtained had a remarkably low defect rate due to the disconnection of the wiring pattern, and the wiring pattern and the polyimide film were stably and very stably bonded. Furthermore, the tensile strength of the leads was high. Moreover, when the formed output side outer lead was observed, the cross section of the output side outer lead was rectangular, the output side outer lead was formed linearly, and further on the polyimide film which is an insulating film No copper residue was seen.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view schematically showing an example of a film carrier tape for mounting an electronic component according to the present invention on which a device is mounted, an enlarged view of an inner lead portion, and a cross-sectional view.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of a cross-sectional view of a mat surface of a normal electrolytic copper foil.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a state of a matte surface after buffing.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a state of a matte surface after chemical polishing after buff polishing.
FIG. 5 is an explanatory view schematically showing a change in a convex portion of a mat surface when polished.
FIG. 6 is a view schematically showing a state in which the surface-adjusted electrolytic copper foil surface is roughened.
FIG. 6 is a diagram schematically showing a state in which a surface-planar electrolytic copper foil is stuck to a polyimide film.
FIG. 8 is a view showing a state in which a device is bonded to the electronic component mounting film carrier tape of the present invention.
FIG. 9 is a view showing a state in which a device is bonded to a film carrier tape for mounting electronic components using a conventional copper foil having no flat surface.
FIG. 10 is a diagram illustrating an example of a film carrier tape for mounting an electronic component having an output-side outer lead.
FIG. 11 is an electron micrograph showing an example of the matte surface of the electrolytic copper foil before mechanical polishing.
FIG. 12 is an electron micrograph showing an example of a matte surface after the first mechanical polishing.
FIG. 13 is an electron micrograph showing an example of a matte surface after the second mechanical polishing.
FIG. 14 is an electron micrograph showing an example of a matte surface after chemical polishing.
FIG. 15 is an electron micrograph showing an example of a mat surface of a roughened surface-treated electrolytic copper foil.
[Explanation of symbols]
111 ... Deformation part (burr)
112 ... convex portion of mat surface
120 ... Boundary part
121 ... curved surface
10 ... Board
12 ... Adhesive
14 ... Smooth electrolytic copper foil (wiring board)
15 ... Inner lead
16 ... Outer lead
17 ... Input side outer lead cutting hole
18 ... Input side outer lead
19 ... Output side outer lead
20 ... Device Hall
21 ... Sprocket hole
23 ... Device
25 ... Bump electrode
30 ... Matte surface
31 ... Tin plating layer
33 ... Gold-tin eutectic alloy
35 ... Short circuit
36 ... Solder resist

Claims (7)

絶縁フィルムに銅箔を積層し、該銅箔をエッチングして所望の配線パターンを形成した電子部品実装用フィルムキャリアテープであって、
上記配線パターンが、マット面を少なくとも１回機械研磨した後、該機械研磨したマット面を化学研磨することにより得られる整面電解銅箔を用いて形成されていることを特徴とする電子部品実装用フィルムキャリアテープ。A film carrier tape for mounting electronic components in which a copper foil is laminated on an insulating film, and the copper foil is etched to form a desired wiring pattern,
An electronic component mounting characterized in that the wiring pattern is formed by using a leveled electrolytic copper foil obtained by mechanically polishing a mat surface at least once and then chemically polishing the mechanically polished mat surface Film carrier tape. 上記整面電解銅箔が、平均表面粗度が２．５〜１０μｍの範囲内にあるマット面を有する電解銅箔を、該マット面の平均表面粗度が１．５〜３．０μｍになるように少なくとも１回機械研磨して後、該機械研磨されたマット面を、平均表面粗度が０．８〜２．５μｍになるように選択的に化学研磨することによって得られる整面電解銅箔であることを特徴とする請求項第１項記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープ。  The above-mentioned surface-planar electrolytic copper foil is an electrolytic copper foil having a mat surface having an average surface roughness in the range of 2.5 to 10 μm, and the average surface roughness of the mat surface is 1.5 to 3.0 μm. The surface-adjusted electrolytic copper obtained by mechanically polishing at least once, and then selectively chemically polishing the mechanically polished mat surface so that the average surface roughness is 0.8 to 2.5 μm. 2. The film carrier tape for mounting electronic components according to claim 1, wherein the film carrier tape is a foil. 上記整面電解銅箔が、電解銅箔のマット面を少なくとも１回機械研磨し、次いで該マット面を化学研磨して整面した後、該整面された電解銅箔のマット面を粗化処理した粗化処理整面電解銅箔であることを特徴とする請求項第１項記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープ。  The surface-adjusted electrolytic copper foil is subjected to mechanical polishing of the mat surface of the electrolytic copper foil at least once, and then the surface of the mat is chemically polished to roughen the mat surface of the smoothed electrolytic copper foil. 2. The film carrier tape for mounting electronic parts according to claim 1, wherein the film carrier tape is a roughened surface-treated electrolytic copper foil. 上記粗化処理整面電解銅箔が、電解銅箔のマット面を少なくとも２回、研磨方向を逆にして機械研磨した後、該機械研磨されたマット面を化学研磨し、次いで該化学研磨により整面されたマット面を粗化処理することにより形成されたものであることを特徴とする請求項第３項記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープ。  The roughened surface-adjusted electrolytic copper foil is mechanically polished at least twice the mat surface of the electrolytic copper foil with the polishing direction being reversed, and then the mechanically polished mat surface is chemically polished, and then the chemical polishing is performed. 4. The film carrier tape for mounting electronic components according to claim 3, wherein the film surface is formed by subjecting the matted surface to a roughening treatment. 上記絶縁フィルム表面に形成されている配線パターンの縦断面における側壁面が、絶縁フィルム面に対して略直角にエッチングされていることを特徴とする請求項第１項乃至第３項のいずれかの項記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープ。  The side wall surface in the longitudinal cross section of the wiring pattern formed on the surface of the insulating film is etched at a substantially right angle with respect to the surface of the insulating film. The film carrier tape for electronic component mounting of description. 上記整面電解銅箔の厚さが、５〜３５μmの範囲内にあることを特徴とする請求項第１項乃至第３項のいずれかの項記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープ。  4. The film carrier tape for mounting electronic parts according to claim 1, wherein a thickness of the surface-adjusted electrolytic copper foil is in a range of 5 to 35 μm. 上記電子部品実装用フィルムキャリアテープが、液晶用ＴＡＢテープであることを特徴とする請求項第１項乃至第３項のいずれかの項記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープ。The film carrier tape for mounting electronic parts according to any one of claims 1 to 3 , wherein the film carrier tape for mounting electronic parts is a TAB tape for liquid crystal.
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