JP3905366B2 - 有機ｅｌ表示装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機ＥＬ表示装置に係るものであり、アクティブ・マトリクス型有機ＥＬ装置の封止と放熱の技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
フルカラー表示可能な有機ＥＬ表示装置として、アクティブ・マトリクス型有機ＥＬ表示装置が注目されている。
【０００３】
図８は従来の有機ＥＬ表示装置１０１の模式的な図を示している。
図８中符号１１１は、長方形形状の透明なガラス基板から成る基板を示している。
この基板１１１の表面には、矩形状のアノード電極１１４が行列状に配置されている。このアノード電極１１４は透光性を有する導電膜で構成されている。
【０００４】
互いに隣接するアノード電極１１４の間には、電源線１１６ａが一本ずつ延設されており、その結果複数の電源線１１６ａが配置されている。各電源線１１６ａは同じ方向に配置されている。互いに隣接するアノード電極１１４の間には、制御線１１６ｂが一本ずつ延設されており、各制御線１１６ｂは各電源線１１６ａと垂直な方向に配置されている。各電源線１１６ａと各制御線１１６ｂは互いに絶縁されており、ともにアノード電極１１４を横切らないようになっている。
【０００５】
各アノード電極１１４近傍には、低温ポリシリコンＴＦＴからなる選択トランジスタ１１２がそれぞれアノード電極１１４一個につき一個ずつ配置されている。各選択トランジスタ１１２のドレイン端子は、電源線１１６ａに接続され、ソース端子は、アノード電極１１４に接続され、ゲート端子は制御線１１６ｂに接続されている。電源線１１６ａ、制御線１１６ｂには図示しない制御回路が接続されている。
【０００６】
この制御回路が、各制御線１１６ｂのうち任意の一本の制御線１１６ｂを選択し、各電源線１１６ａのうち任意の一本の電源線１１６ａを選択すると、一個の選択トランジスタ１１２が選択されるようになっている。選択トランジスタ１２が選択されると、選択トランジスタ１１２のソース端子に接続されたアノード電極１１４と電源線１１６ａとが接続され、そのアノード電極１１４に、電源線１１６ａの電圧が印加されるように構成されている。
【０００７】
各アノード電極１１４の上には、有機ＥＬ薄膜１１５が配置されている。この有機ＥＬ薄膜１１５には、Ｒ(赤)、Ｇ(緑)、Ｂ(青)の三種類があり、この三種類のうちいずれか一種類が、一個のアノード電極１１４上にそれぞれ配置されている。
【０００８】
各有機ＥＬ薄膜１１５上には、カソード電極膜１２１が密着して配置されており、このカソード電極膜１２１は全部の有機ＥＬ薄膜１１５を覆っている。カソード電極膜１２１の、有機ＥＬ薄膜１１５に密着した部分であるカソード電極１１８は、上述したアノード電極１１４及び有機ＥＬ薄膜１１５とともに、本発明の画素１２３を構成している。ある画素１２３の選択トランジスタ１１２が選択されて、選択された画素１２３のアノード電極１１４に電源線１１６ａの電圧が印加されると、アノード電極１１４とカソード電極１１８との間に電源線１１６ａの電圧が印加され、その画素１２３の有機ＥＬ薄膜１１５に電流が流れ、有機ＥＬ薄膜１１５が発光するようになっている。
【０００９】
上述したアノード電極１１４は透光性を有する導電膜で構成されており、有機ＥＬ薄膜１１５が発光すると、その光はアノード電極１１４と、その下方の基板１１１とを透過して基板１１１の裏面側に達する。ここではアノード電極１１４として、ＩＴＯ(Indium Tin Oxide)薄膜が用いられている。
【００１０】
図９、図１０は、図８のＸ−Ｘ線断面図とＹ−Ｙ線断面図とにそれぞれ対応している。
上述した各画素１２３は、図９に示し、絶縁膜で構成された構造絶縁体１１３で互いに分離されている。この構造絶縁体１１３の下には、図１０に示すように電源線１１６ａ及び制御線１１６ｂが配置されており、構造絶縁体１１３の形成された部分では、構造絶縁体１１３によって電源線１１６ａ及び制御線１１６ｂとカソード電極膜１２１とが絶縁されるようになっている。
【００１１】
カソード電極膜１２１は、蒸着法により成膜されたアルミニウム薄膜で構成されている。ここでは、カソード電極膜１２１の膜厚は、１００nmになっている。
【００１２】
電源線１１６ａ及び制御線１１６ｂの端部上には、絶縁接着材１１９が配置されており、電源線１１６ａ及び制御線１１６ｂの端部は、絶縁接着材１１９の外側に突き出されており、この突き出された端部で、電源線１１６ａ及び制御線１１６ｂを制御回路と接続できるようになっている。
【００１３】
絶縁接着材１１９の上には、基板１１１と対向して、ガラス製の蓋部材１５１が配置されており、この蓋部材１５１は絶縁接着材１１９と密着しており、絶縁接着材１１９と、蓋部材１５１と、基板１１１とで囲まれる空間内部(以下で、有機ＥＬ表示装置１０１の内部と称する。)は気密になっている。かかる有機ＥＬ表示装置１０１の内部には、パージドガスが封入されている。
【００１４】
電源線１１６ａ及び制御線１１６ｂの端部上には、絶縁封止材１１９が配置されている。かかる絶縁封止材１１９の外側に、電源線１１６ａ及び制御線１１６ｂの端部が引き出されている。
【００１５】
従来技術による有機薄膜表示装置１０１は上記のように構成されているが、以下に示すような問題点を有している。
第一に、封止は樹脂から成る絶縁接着剤１１９によって行われるため、大気中に存在する水蒸気が絶縁接着剤１１９を透過し(透湿)、有機ＥＬ表示装置１０１の内部に侵入しやすい。一旦水蒸気が有機ＥＬ表示装置１０１の内部に侵入すると、発光性有機薄膜１１５が酸化されたり分解されたりしてしまい、有機ＥＬ表示装置１０１の寿命が短くなる。
【００１６】
絶縁接着剤１１９を厚く塗り固め、透湿を防止しようとしても、水蒸気に対する樹脂のバリア性は極めて低いため、透湿の問題は解決できない。
【００１７】
第二の問題としては、現在の封止が水蒸気からの封止だけに力点が置かれている点にある。有機物の酸化や分解を助長するものは水蒸気だけではなく、酸素Ｏ2も水蒸気と同様に、有機薄膜１１５の酸化や分解を助長してしまう。
【００１８】
しかしながら、酸素は光硬化性樹脂を透過してしまうため、現状の封止方法では、有機ＥＬ表示装置１０１内部への酸素の侵入を防止できない。従って、現状では酸素については十分な対策がとられていない。
【００１９】
第三の問題は、放熱の問題である。表示素子の駆動中に発生する熱は有機薄膜１１５の酸化や分解反応を助長するため、放熱技術は表示素子を駆動させる上で必要不可欠な技術であると言える。ところが、パージド・ガスを内部に封入していたため、内部で発生した熱を速やかに表示素子外に放出せしめることはできず、発生した熱が素子内に蓄積されることにより、有機ＥＬ表示装置１０１の寿命が短くなってしまう。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、長寿命で放熱性が良好な有機薄膜表示装置を提供することにある。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、基板と、前記基板上に配置された第１の電極と、前記第１の電極と対向配置され、該第１の電極と絶縁された第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置された有機薄膜とを備え、基板上に複数個配置された画素と、前記画素に接続された選択トランジスタと、前記選択トランジスタを動作させる電源線と制御線とを有し、前記制御線によって選択された前記選択トランジスタに接続された画素の前記第１の電極と前記第２の電極との間に電圧が印加され、該画素内の有機薄膜に電流が流れ、該有機薄膜が発光するように構成された有機ＥＬ表示装置であって、前記基板上には、前記画素が配置された領域の周囲を取り囲むリング状の絶縁封止材が配置され、前記制御線と前記電源線は、前記絶縁封止材と前記基板の間を通され、前記複数の画素の第２の電極は、前記各画素の有機薄膜を覆う連続した連続電極膜を有し、前記連続電極膜は、平面形状が四角形であって、四辺が前記絶縁封止材上に配置され、前記電源線及び前記制御線と前記連続電極膜との間は前記絶縁封止材によって絶縁され、前記第２の電極の膜厚は、５００nm以上３μｍ以下の範囲にされ、前記連続電極膜は、アルミニウム薄膜からなる有機ＥＬ表示装置である。
請求項２記載の発明は、第１の電極と、前記第１の電極と対向配置され、該第１の電極と絶縁された第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置された有機薄膜とを備え、基板上に複数個配置された画素と、前記画素を選択する選択トランジスタとを有し、前記選択トランジスタによって画素が選択されると、選択された画素の前記第１の電極と前記第２の電極との間に電圧が印加され、該画素内の有機薄膜に電流が流れ、該有機薄膜が発光するように構成された有機ＥＬ表示装置であって、前記複数の画素の第２の電極は、前記各画素の有機薄膜を覆う連続した連続電極膜を有し、前記連続電極膜はアルミニウム膜と、前記アルミニウム膜の表面が酸素プラズマ処理によって酸化された酸化アルミニウム膜とを有し、前記第２の電極の膜厚は、５００nm以上３μｍ以下の範囲にされた有機ＥＬ表示装置である。
請求項３記載の発明は、請求項１又は請求項２のいずれか１項記載の有機ＥＬ表示装置であって、前記連続電極膜の表面に積層された絶縁薄膜を有し、前記連続電極膜と前記絶縁薄膜との膜厚の合計は、５００nm以上３μｍ以下の範囲にされた有機ＥＬ表示装置である。
請求項４記載の発明は、請求項３記載の有機ＥＬ表示装置であって、前記絶縁薄膜の表面に、金属薄膜と、該金属薄膜の表面に成膜された絶縁薄膜とが積層され、前記連続電極膜、前記絶縁薄膜及び前記金属薄膜の膜厚の合計は、５００nm以上３μｍ以下の範囲にされた有機ＥＬ表示装置である。
【００２２】
本発明によれば、例えば５００nm以上３μｍ以下の膜厚である厚い第２の電極を有し、その第２の電極がアルミニウム薄膜からなる連続した連続電極膜を有している。
【００２３】
アルミニウム薄膜自体の封止能は極めて高く、その膜厚を厚くすることによってその封止能が格段に向上する。アルミニウム薄膜は、封止材としてのバリア性（封止能）は非常に高い。
【００２４】
このように封止能が高いアルミニウム薄膜で連続電極膜を形成し、有機薄膜を覆うことにより、連続電極膜を封止材として用いることができる。その結果、従来封止のために必要であったパージド・ガスや対向ガラスを要しない。
【００２５】
また、連続電極膜は熱伝導性が良好なアルミニウム薄膜で構成されているので、表示装置内部で発生した熱は連続電極膜を介して外部に放出され、素子内に蓄積されにくくなる。従来の有機ＥＬ表示装置に比して、放熱性が良好な有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
【００２６】
なお、本発明において、連続電極膜の表面に積層された絶縁薄膜を有し、絶縁薄膜と連続電極膜の膜厚の合計が、５００nm以上３μｍ以下の膜厚であるように構成してもよい。
【００２７】
このように構成し、絶縁薄膜として封止能が高い材料を用いれば、さらに封止能を向上させることができる。
【００２８】
さらに、絶縁薄膜上に、金属薄膜と絶縁薄膜を順次積層させてもよい。このように構成すると、連続電極膜と絶縁薄膜と金属薄膜との膜厚の合計が厚くなり、封止能をさらに高くすることができる。また、絶縁薄膜と金属薄膜との材料として封止能が高い材料を用いれば、さらに封止能を高めることができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下で図面を参照し、本発明の有機ＥＬ表示装置を説明する。
図１は本発明の有機ＥＬ表示装置１の模式図を示している。
図１中符号１１は、長方形形状の透明なガラス基板から成る基板を示している。この基板１１の表面には、矩形状のアノード電極１４が複数設けられており、各アノード電極１４は、行列状に配置されている。
【００３０】
アノード電極１４の間には、導電材料からなる電源線１６ａが一本ずつ延設されており、その結果、複数の電源線１６ａが配置されている。各電源線１６ａは同じ方向に配置されている。アノード電極１４の間には、各電源線１６ａと垂直な方向に、導電材料からなる制御線１６ｂが一本ずつ延設されており、その結果、複数の制御線１６ｂが配置されている。各電源線１６ａと各制御線１６ｂは互いに絶縁され、ともにアノード電極１４を横切らないようになっている。
【００３１】
各アノード電極１４近傍には、低温ポリシリコンＴＦＴからなる選択トランジスタ１２が、アノード電極１４の一個につき一個ずつ配置されている。各選択トランジスタ１２のドレイン端子は、電源線１６ａに接続され、ソース端子は、アノード電極１４に接続され、ゲート端子は制御線１６ｂに接続されている。電源線１６ａ、制御線１６ｂには図示しない制御回路が接続されている。
【００３２】
この制御回路が、各制御線１６ｂのうち任意の一本の制御線１６ｂを選択し、各電源線１６ａのうち任意の一本の電源線１６ａを選択すると、一個の選択トランジスタ１２が選択されるようになっている。選択トランジスタ１２が選択されると、その選択トランジスタ１２のソース端子に接続されたアノード電極１４と電源線１６ａとが接続され、そのアノード電極１４に、電源線１６ａの電圧が印加されるように構成されている。
【００３３】
各アノード電極１４の上には、有機ＥＬ薄膜１５が配置されている。この有機ＥＬ薄膜１５は、本発明の有機薄膜の一例であって複数個に分離されている。分離された各有機ＥＬ薄膜の発光色にはＲ(赤)、Ｇ(緑)、Ｂ(青)の三種類があり、この三種類のうちいずれか一種類が、一個のアノード電極１４上に配置されている。
【００３４】
各有機ＥＬ薄膜１５上には、カソード電極膜２１が密着して配置されている。このカソード電極膜２１は、各有機ＥＬ薄膜１５又は後述する構造絶縁体のいずれか一方と密着しており、カソード電極膜２１の、各有機ＥＬ薄膜１５に密着した部分をカソード電極１８とすると、このカソード電極１８は、上述したアノード電極１４及び有機ＥＬ薄膜１５とともに、本発明の画素２３を構成している。ある画素２３の選択トランジスタ１２が選択されて、アノード電極１４に電源線１６ａの電圧が印加されると、アノード電極１４とカソード電極１８との間に電圧が印加され、その画素２３の有機ＥＬ薄膜１５に電流が流れ、有機ＥＬ薄膜１５が発光するようになっている。
【００３５】
上述したアノード電極１４は透光性を有する導電膜で構成されており、有機ＥＬ薄膜１５が発光すると、その光はアノード電極１４と、その下方の基板１１とを透過して基板１１の裏面側に達する。ここではアノード電極１４として、ＩＴＯ(Indium Tin Oxide)薄膜が用いられている。
【００３６】
図２、図３に、図１で説明した有機ＥＬ表示装置１の断面図の一例を示す。なお、図２、図３は、図１のＡ−Ａ線断面図とＢ−Ｂ線断面図とにそれぞれ対応している。
【００３７】
上述した各画素２３は、図２に示し、絶縁膜で構成された構造絶縁体１３で互いに分離されている。上述した電源線１６ａ及び制御線１６ｂは、図３に示すように構造絶縁体１３の下方に配置されており、構造絶縁体１３の形成された部分では、構造絶縁体１３によって電源線１６ａ及び制御線１６ｂとカソード電極膜２１とが絶縁されるようになっている。
【００３８】
また、基板１１の表面には、ＩＴＯ膜などの導電薄膜からなる接地端子６０が配置されている。この接地端子６０や、電源線１６ａや制御線１６ｂの端部の上には、ガスや水蒸気を透過しにくい絶縁体からなる絶縁封止材が部分的に配置されている。ここでは絶縁封止材はアルミナ(Ａｌ2Ｏ3)または窒化シリコン(Ｓｉ3Ｏ4)からなるものとする。
【００３９】
図４に、絶縁封止材と、電源線１６ａ及び制御線１６ｂの配置関係の模式図を示す。図４中、符号１９は絶縁封止材を示している。図示されていないが、構造絶縁体１３により、電源線１６ａ及び制御線１６ｂは分離され、互いに絶縁されている。ここでは、絶縁封止材１９はリング状に配置され、その外縁部が基板１１の縁より所定距離だけ内側に位置するように配置されている。電源線１６ａ及び制御線１６ｂの端部は、かかる絶縁封止材１９の外側に突き出されており、こうして突き出された端部を制御回路に接続すると、制御回路と、電源線１６ａ及び制御線１６ｂとが接続されるようになっている。
【００４０】
また、接地端子６０は細長矩形状に形成され、絶縁封止材１９の下に位置し、一端が絶縁封止材１９の内側に位置し、他端が絶縁封止材１９の外側に位置するようになっている。この接地端子６０は電源線１６ａ及び制御線１６ｂとは絶縁されており、接地端子６０の電気的な影響を電源線１６ａや制御線１６ｂが受けないようになっている。
【００４１】
図５に、カソード電極膜２１と、絶縁封止材１９、電源線１６ａ及び制御線１６ｂとの配置関係の模式的な平面図を示す。ここでカソード電極膜２１は、アノード電極１４に対しては有機薄膜を挟んで分離され、電源線１６ａ及び制御線１６ｂに対しては構造絶縁体１３を挟んで分離されており、カソード電極膜２１は、アノード電極１４、電源線１６ａ及び制御線１６ｂのいずれとも分離され、絶縁されている。また、図６に、電源線１６ａと制御線１６ｂの端部と、カソード電極膜２１と、絶縁封止材１９との模式的な部分拡大図を示す。
【００４２】
図６に示すように、絶縁封止材１９は、電源線１６ａ、制御線１６ｂの端部の表面と側面とを被覆し、電源線１６ａ、制御線１６ｂの端部に密着して配置されている。また、図５に示すように絶縁封止材１９の外側では、電源線１６ａ、制御線１６ｂの端部の表面は露出している。
【００４３】
カソード電極膜２１は、本発明の連続電極膜の一例であって、蒸着法により成膜された厚いアルミニウム薄膜で構成されている。ここでは、その膜厚を５００nmとしている。このカソード電極膜２１は平面形状が矩形になるように形成され、その四辺はともに絶縁封止材１９上に位置しており、絶縁封止材１９の外側で露出する電源線１６ａ、制御線１６ｂとは接触せず、各電源線１６ａ、各制御線１６ｂはともにカソード電極膜２１と絶縁されるようになっている。また、カソード電極膜２１は、絶縁封止材１９上に密着して配置されており、絶縁封止材１９との間からは、ガスや水蒸気が侵入しないようになっている。
【００４４】
カソード電極膜２１は、接地端子６０の絶縁封止材１９の内側に位置する部分と接触し、この部分で接地端子６０と電気的に接続されており、接地端子６０の、絶縁封止材１９の外側に位置する端部と、上述した制御回路とを接続すると、カソード電極膜２１が接地電位に接続され、各画素２３のカソード電極１８が接地されるようになっている。
【００４５】
カソード電極膜２１の表面は、酸素プラズマによる処理で酸化され、酸化アルミニウムからなる絶縁薄膜２２が成膜されている。ここではその膜厚を１０nmとしている。
【００４６】
ところで、水蒸気や酸素などガスの固体内における拡散の方程式は簡単に以下のように書くことができる。
Ｃ＝ｄ×ｅｘｐ（−ｘ2／ｔ）
ここでＣは単位面積単位時間当りに固体内を拡散する水蒸気や酸素などのガスの量であり、ｄは拡散するガスと固体の種類によって決まる拡散に関わる係数である。またｘは移動距離であり、ｔは時間である。この式から明らかなように、移動距離すなわち封止材の膜厚が大きくなると、ガスの拡散量すなわち透過度は小さくなる。言い換えれば、封止材の膜厚が厚くなると封止材のバリア性（封止能）は格段に向上する。アルミニウム自体の封止能は極めて高く、その膜厚を厚くすると、その封止能は更に高くなる。
【００４７】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置１では、上述したように厚いアルミニウム薄膜をカソード電極膜２１として用い、かつその表面に酸化アルミニウム薄膜からなる絶縁薄膜２２を成膜している。厚いアルミニウム薄膜からなるカソード電極膜２１の封止能は極めて高いので、カソード電極膜２１及び絶縁薄膜２２の二層膜は封止材を兼ねることができる。
【００４８】
また、絶縁封止材１９は、電源線１６ａ、制御線１６ｂの端部に密着して配置され、電源線１６ａ、制御線１６ｂの端部と絶縁封止材１９との間を水蒸気やガスが通ることはない。同様に絶縁封止材１９の上にはカソード電極膜２１が密着して配置されており、この間を水蒸気やガスが通ることはない。さらに上述したようにガスが侵入しにくい材料からなるので、絶縁封止材１９から侵入するガスも少なくなる。本発明の発明者等は、これらのカソード電極膜２１及び絶縁薄膜２２を封止材として用いた結果、水蒸気、酸素に対するバリア性（封止能）をそれぞれ、１０-6ｇ／ｍ2／ｄａｙ、または１０-6ｃｃ／ｍ2／ｄａｙ以下に低下せしめることを確かめた。その結果、従来封止のために必要であったパージド・ガスや対向ガラスが必要でなくなる。
【００４９】
また、カソード電極膜２１は、熱伝導性が良好なアルミニウム薄膜で構成されているので、有機ＥＬ表示装置１の内部で発生した熱はカソード電極膜２１とその外側の絶縁薄膜２２を介して外部に放出され、有機ＥＬ表示装置１の内部に蓄積されにくくなる。
【００５０】
なお、上記実施形態では、カソード電極膜２１の表面に絶縁薄膜２２を積層し、これらのカソード電極膜２１及び絶縁薄膜２２を封止材として用いたが、本発明はこれに限られるものではなく、例えば図７にその断面図を示すように、絶縁薄膜２２の表面に、金属封止膜２７、封止絶縁膜２８を順次積層するように構成してもよい。この金属封止膜２７は、アルミニウム薄膜からなり、封止絶縁膜２８は、酸化アルミニウム薄膜で構成されている。
【００５１】
この場合には、カソード電極膜２１、絶縁薄膜２２、金属封止膜２７、封止絶縁膜２８の四層膜が、封止材となる。このため、例えばカソード電極膜２１の膜厚を従来と同じ膜厚にしても、例えば金属封止膜２７の膜厚を厚くして、カソード電極膜２１、絶縁薄膜２２、金属封止膜２７、封止絶縁膜２８の四層膜全体の膜厚を厚くすれば、カソード電極膜２１の膜厚を厚くしたのと同じ効果を得ることができる。ここでは、カソード電極膜２１、絶縁薄膜２２、金属封止膜２７、絶縁薄膜２８の膜厚を、それぞれ１００nm、１０nm、５００nm、１０nmとしている。この場合、カソード電極膜２１の膜厚は従来と同じだが、四層膜の膜厚の合計は６２０nmとなり、カソード電極膜２１の膜厚を５００nmにした図２の表示装置よりも厚くなるので、封止能がさらに向上する。
【００５２】
また、上述した実施形態では、絶縁封止材１９は図４に示すようにリング状に形成され、その外縁部が基板１１の縁より所定距離だけ内側に位置するように配置されているが、本発明の絶縁封止材１９はこれに限らず、絶縁封止材１９が、電源線１６ａや制御線１６ｂの端部の表面及び側面とを被覆し、電源線１６ａ、制御線１６ｂとカソード電極膜２１とが互いに絶縁されるように配置されていれば、どのように配置されていてもよい。
また、カソード電極膜２１と、その表層に積層された金属薄膜や絶縁膜との膜厚の合計は、５００nm以上３μｍ以下の範囲であればよい。
【００５３】
【発明の効果】
本発明によって、酸素、水蒸気に対して高い封止能カを発揮し、かつ、放熱性が良好な有機ＥＬ素子を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の有機ＥＬ表示装置の模式図
【図２】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を説明する第１の断面図
【図３】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を説明する第２の断面図
【図４】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の絶縁封止材と制御線及び電源線の配置関係を模式的に説明する平面図
【図５】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の絶縁封止材と制御線及び電源線の端部の配置関係を模式的に説明する図
【図６】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の端部の部分拡大図
【図７】本発明の他の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を説明する断面図
【図８】従来の有機ＥＬ表示装置の模式図
【図９】従来の有機ＥＬ表示装置の第１の断面図
【図１０】従来の有機ＥＬ表示装置の第２の断面図
【符号の説明】
１１……基板
１２……アノード電極膜
１５……有機ＥＬ薄膜
１８……カソード電極
２０……連続電極膜
２１……カソード電極膜
２２……金属封止膜
２３……画素
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機ＥＬ表示装置に係るものであり、アクティブ・マトリクス型有機ＥＬ装置の封止と放熱の技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
フルカラー表示可能な有機ＥＬ表示装置として、アクティブ・マトリクス型有機ＥＬ表示装置が注目されている。
【０００３】
図８は従来の有機ＥＬ表示装置１０１の模式的な図を示している。
図８中符号１１１は、長方形形状の透明なガラス基板から成る基板を示している。
この基板１１１の表面には、矩形状のアノード電極１１４が行列状に配置されている。このアノード電極１１４は透光性を有する導電膜で構成されている。
【０００４】
互いに隣接するアノード電極１１４の間には、電源線１１６ａが一本ずつ延設されており、その結果複数の電源線１１６ａが配置されている。各電源線１１６ａは同じ方向に配置されている。互いに隣接するアノード電極１１４の間には、制御線１１６ｂが一本ずつ延設されており、各制御線１１６ｂは各電源線１１６ａと垂直な方向に配置されている。各電源線１１６ａと各制御線１１６ｂは互いに絶縁されており、ともにアノード電極１１４を横切らないようになっている。
【０００５】
各アノード電極１１４近傍には、低温ポリシリコンＴＦＴからなる選択トランジスタ１１２がそれぞれアノード電極１１４一個につき一個ずつ配置されている。各選択トランジスタ１１２のドレイン端子は、電源線１１６ａに接続され、ソース端子は、アノード電極１１４に接続され、ゲート端子は制御線１１６ｂに接続されている。電源線１１６ａ、制御線１１６ｂには図示しない制御回路が接続されている。
【０００６】
この制御回路が、各制御線１１６ｂのうち任意の一本の制御線１１６ｂを選択し、各電源線１１６ａのうち任意の一本の電源線１１６ａを選択すると、一個の選択トランジスタ１１２が選択されるようになっている。選択トランジスタ１２が選択されると、選択トランジスタ１１２のソース端子に接続されたアノード電極１１４と電源線１１６ａとが接続され、そのアノード電極１１４に、電源線１１６ａの電圧が印加されるように構成されている。
【０００７】
各アノード電極１１４の上には、有機ＥＬ薄膜１１５が配置されている。この有機ＥＬ薄膜１１５には、Ｒ(赤)、Ｇ(緑)、Ｂ(青)の三種類があり、この三種類のうちいずれか一種類が、一個のアノード電極１１４上にそれぞれ配置されている。
【０００８】
各有機ＥＬ薄膜１１５上には、カソード電極膜１２１が密着して配置されており、このカソード電極膜１２１は全部の有機ＥＬ薄膜１１５を覆っている。カソード電極膜１２１の、有機ＥＬ薄膜１１５に密着した部分であるカソード電極１１８は、上述したアノード電極１１４及び有機ＥＬ薄膜１１５とともに、本発明の画素１２３を構成している。ある画素１２３の選択トランジスタ１１２が選択されて、選択された画素１２３のアノード電極１１４に電源線１１６ａの電圧が印加されると、アノード電極１１４とカソード電極１１８との間に電源線１１６ａの電圧が印加され、その画素１２３の有機ＥＬ薄膜１１５に電流が流れ、有機ＥＬ薄膜１１５が発光するようになっている。
【０００９】
上述したアノード電極１１４は透光性を有する導電膜で構成されており、有機ＥＬ薄膜１１５が発光すると、その光はアノード電極１１４と、その下方の基板１１１とを透過して基板１１１の裏面側に達する。ここではアノード電極１１４として、ＩＴＯ(Indium Tin Oxide)薄膜が用いられている。
【００１０】
図９、図１０は、図８のＸ−Ｘ線断面図とＹ−Ｙ線断面図とにそれぞれ対応している。
上述した各画素１２３は、図９に示し、絶縁膜で構成された構造絶縁体１１３で互いに分離されている。この構造絶縁体１１３の下には、図１０に示すように電源線１１６ａ及び制御線１１６ｂが配置されており、構造絶縁体１１３の形成された部分では、構造絶縁体１１３によって電源線１１６ａ及び制御線１１６ｂとカソード電極膜１２１とが絶縁されるようになっている。
【００１１】
カソード電極膜１２１は、蒸着法により成膜されたアルミニウム薄膜で構成されている。ここでは、カソード電極膜１２１の膜厚は、１００nmになっている。
【００１２】
電源線１１６ａ及び制御線１１６ｂの端部上には、絶縁接着材１１９が配置されており、電源線１１６ａ及び制御線１１６ｂの端部は、絶縁接着材１１９の外側に突き出されており、この突き出された端部で、電源線１１６ａ及び制御線１１６ｂを制御回路と接続できるようになっている。
【００１３】
絶縁接着材１１９の上には、基板１１１と対向して、ガラス製の蓋部材１５１が配置されており、この蓋部材１５１は絶縁接着材１１９と密着しており、絶縁接着材１１９と、蓋部材１５１と、基板１１１とで囲まれる空間内部(以下で、有機ＥＬ表示装置１０１の内部と称する。)は気密になっている。かかる有機ＥＬ表示装置１０１の内部には、パージドガスが封入されている。
【００１４】
電源線１１６ａ及び制御線１１６ｂの端部上には、絶縁封止材１１９が配置されている。かかる絶縁封止材１１９の外側に、電源線１１６ａ及び制御線１１６ｂの端部が引き出されている。
【００１５】
従来技術による有機薄膜表示装置１０１は上記のように構成されているが、以下に示すような問題点を有している。
第一に、封止は樹脂から成る絶縁接着剤１１９によって行われるため、大気中に存在する水蒸気が絶縁接着剤１１９を透過し(透湿)、有機ＥＬ表示装置１０１の内部に侵入しやすい。一旦水蒸気が有機ＥＬ表示装置１０１の内部に侵入すると、発光性有機薄膜１１５が酸化されたり分解されたりしてしまい、有機ＥＬ表示装置１０１の寿命が短くなる。
【００１６】
絶縁接着剤１１９を厚く塗り固め、透湿を防止しようとしても、水蒸気に対する樹脂のバリア性は極めて低いため、透湿の問題は解決できない。
【００１７】
第二の問題としては、現在の封止が水蒸気からの封止だけに力点が置かれている点にある。有機物の酸化や分解を助長するものは水蒸気だけではなく、酸素Ｏ2も水蒸気と同様に、有機薄膜１１５の酸化や分解を助長してしまう。
【００１８】
しかしながら、酸素は光硬化性樹脂を透過してしまうため、現状の封止方法では、有機ＥＬ表示装置１０１内部への酸素の侵入を防止できない。従って、現状では酸素については十分な対策がとられていない。
【００１９】
第三の問題は、放熱の問題である。表示素子の駆動中に発生する熱は有機薄膜１１５の酸化や分解反応を助長するため、放熱技術は表示素子を駆動させる上で必要不可欠な技術であると言える。ところが、パージド・ガスを内部に封入していたため、内部で発生した熱を速やかに表示素子外に放出せしめることはできず、発生した熱が素子内に蓄積されることにより、有機ＥＬ表示装置１０１の寿命が短くなってしまう。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、長寿命で放熱性が良好な有機薄膜表示装置を提供することにある。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、基板と、前記基板上に配置された第１の電極と、前記第１の電極と対向配置され、該第１の電極と絶縁された第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置された有機薄膜とを備え、基板上に複数個配置された画素と、前記画素に接続された選択トランジスタと、前記選択トランジスタを動作させる電源線と制御線とを有し、前記制御線によって選択された前記選択トランジスタに接続された画素の前記第１の電極と前記第２の電極との間に電圧が印加され、該画素内の有機薄膜に電流が流れ、該有機薄膜が発光するように構成された有機ＥＬ表示装置であって、前記基板上には、前記画素が配置された領域の周囲を取り囲むリング状の絶縁封止材が配置され、前記制御線と前記電源線は、前記絶縁封止材と前記基板の間を通され、前記複数の画素の第２の電極は、前記各画素の有機薄膜を覆う連続した連続電極膜を有し、前記連続電極膜は、平面形状が四角形であって、四辺が前記絶縁封止材上に配置され、前記電源線及び前記制御線と前記連続電極膜との間は前記絶縁封止材によって絶縁され、前記第２の電極の膜厚は、５００nm以上３μｍ以下の範囲にされ、前記連続電極膜は、アルミニウム薄膜からなる有機ＥＬ表示装置である。
請求項２記載の発明は、第１の電極と、前記第１の電極と対向配置され、該第１の電極と絶縁された第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置された有機薄膜とを備え、基板上に複数個配置された画素と、前記画素を選択する選択トランジスタとを有し、前記選択トランジスタによって画素が選択されると、選択された画素の前記第１の電極と前記第２の電極との間に電圧が印加され、該画素内の有機薄膜に電流が流れ、該有機薄膜が発光するように構成された有機ＥＬ表示装置であって、前記複数の画素の第２の電極は、前記各画素の有機薄膜を覆う連続した連続電極膜を有し、前記連続電極膜はアルミニウム膜と、前記アルミニウム膜の表面が酸素プラズマ処理によって酸化された酸化アルミニウム膜とを有し、前記第２の電極の膜厚は、５００nm以上３μｍ以下の範囲にされた有機ＥＬ表示装置である。
請求項３記載の発明は、請求項１又は請求項２のいずれか１項記載の有機ＥＬ表示装置であって、前記連続電極膜の表面に積層された絶縁薄膜を有し、前記連続電極膜と前記絶縁薄膜との膜厚の合計は、５００nm以上３μｍ以下の範囲にされた有機ＥＬ表示装置である。
請求項４記載の発明は、請求項３記載の有機ＥＬ表示装置であって、前記絶縁薄膜の表面に、金属薄膜と、該金属薄膜の表面に成膜された絶縁薄膜とが積層され、前記連続電極膜、前記絶縁薄膜及び前記金属薄膜の膜厚の合計は、５００nm以上３μｍ以下の範囲にされた有機ＥＬ表示装置である。
【００２２】
本発明によれば、例えば５００nm以上３μｍ以下の膜厚である厚い第２の電極を有し、その第２の電極がアルミニウム薄膜からなる連続した連続電極膜を有している。
【００２３】
アルミニウム薄膜自体の封止能は極めて高く、その膜厚を厚くすることによってその封止能が格段に向上する。アルミニウム薄膜は、封止材としてのバリア性（封止能）は非常に高い。
【００２４】
このように封止能が高いアルミニウム薄膜で連続電極膜を形成し、有機薄膜を覆うことにより、連続電極膜を封止材として用いることができる。その結果、従来封止のために必要であったパージド・ガスや対向ガラスを要しない。
【００２５】
また、連続電極膜は熱伝導性が良好なアルミニウム薄膜で構成されているので、表示装置内部で発生した熱は連続電極膜を介して外部に放出され、素子内に蓄積されにくくなる。従来の有機ＥＬ表示装置に比して、放熱性が良好な有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
【００２６】
なお、本発明において、連続電極膜の表面に積層された絶縁薄膜を有し、絶縁薄膜と連続電極膜の膜厚の合計が、５００nm以上３μｍ以下の膜厚であるように構成してもよい。
【００２７】
このように構成し、絶縁薄膜として封止能が高い材料を用いれば、さらに封止能を向上させることができる。
【００２８】
さらに、絶縁薄膜上に、金属薄膜と絶縁薄膜を順次積層させてもよい。このように構成すると、連続電極膜と絶縁薄膜と金属薄膜との膜厚の合計が厚くなり、封止能をさらに高くすることができる。また、絶縁薄膜と金属薄膜との材料として封止能が高い材料を用いれば、さらに封止能を高めることができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下で図面を参照し、本発明の有機ＥＬ表示装置を説明する。
図１は本発明の有機ＥＬ表示装置１の模式図を示している。
図１中符号１１は、長方形形状の透明なガラス基板から成る基板を示している。この基板１１の表面には、矩形状のアノード電極１４が複数設けられており、各アノード電極１４は、行列状に配置されている。
【００３０】
アノード電極１４の間には、導電材料からなる電源線１６ａが一本ずつ延設されており、その結果、複数の電源線１６ａが配置されている。各電源線１６ａは同じ方向に配置されている。アノード電極１４の間には、各電源線１６ａと垂直な方向に、導電材料からなる制御線１６ｂが一本ずつ延設されており、その結果、複数の制御線１６ｂが配置されている。各電源線１６ａと各制御線１６ｂは互いに絶縁され、ともにアノード電極１４を横切らないようになっている。
【００３１】
各アノード電極１４近傍には、低温ポリシリコンＴＦＴからなる選択トランジスタ１２が、アノード電極１４の一個につき一個ずつ配置されている。各選択トランジスタ１２のドレイン端子は、電源線１６ａに接続され、ソース端子は、アノード電極１４に接続され、ゲート端子は制御線１６ｂに接続されている。電源線１６ａ、制御線１６ｂには図示しない制御回路が接続されている。
【００３２】
この制御回路が、各制御線１６ｂのうち任意の一本の制御線１６ｂを選択し、各電源線１６ａのうち任意の一本の電源線１６ａを選択すると、一個の選択トランジスタ１２が選択されるようになっている。選択トランジスタ１２が選択されると、その選択トランジスタ１２のソース端子に接続されたアノード電極１４と電源線１６ａとが接続され、そのアノード電極１４に、電源線１６ａの電圧が印加されるように構成されている。
【００３３】
各アノード電極１４の上には、有機ＥＬ薄膜１５が配置されている。この有機ＥＬ薄膜１５は、本発明の有機薄膜の一例であって複数個に分離されている。分離された各有機ＥＬ薄膜の発光色にはＲ(赤)、Ｇ(緑)、Ｂ(青)の三種類があり、この三種類のうちいずれか一種類が、一個のアノード電極１４上に配置されている。
【００３４】
各有機ＥＬ薄膜１５上には、カソード電極膜２１が密着して配置されている。このカソード電極膜２１は、各有機ＥＬ薄膜１５又は後述する構造絶縁体のいずれか一方と密着しており、カソード電極膜２１の、各有機ＥＬ薄膜１５に密着した部分をカソード電極１８とすると、このカソード電極１８は、上述したアノード電極１４及び有機ＥＬ薄膜１５とともに、本発明の画素２３を構成している。ある画素２３の選択トランジスタ１２が選択されて、アノード電極１４に電源線１６ａの電圧が印加されると、アノード電極１４とカソード電極１８との間に電圧が印加され、その画素２３の有機ＥＬ薄膜１５に電流が流れ、有機ＥＬ薄膜１５が発光するようになっている。
【００３５】
上述したアノード電極１４は透光性を有する導電膜で構成されており、有機ＥＬ薄膜１５が発光すると、その光はアノード電極１４と、その下方の基板１１とを透過して基板１１の裏面側に達する。ここではアノード電極１４として、ＩＴＯ(Indium Tin Oxide)薄膜が用いられている。
【００３６】
図２、図３に、図１で説明した有機ＥＬ表示装置１の断面図の一例を示す。なお、図２、図３は、図１のＡ−Ａ線断面図とＢ−Ｂ線断面図とにそれぞれ対応している。
【００３７】
上述した各画素２３は、図２に示し、絶縁膜で構成された構造絶縁体１３で互いに分離されている。上述した電源線１６ａ及び制御線１６ｂは、図３に示すように構造絶縁体１３の下方に配置されており、構造絶縁体１３の形成された部分では、構造絶縁体１３によって電源線１６ａ及び制御線１６ｂとカソード電極膜２１とが絶縁されるようになっている。
【００３８】
また、基板１１の表面には、ＩＴＯ膜などの導電薄膜からなる接地端子６０が配置されている。この接地端子６０や、電源線１６ａや制御線１６ｂの端部の上には、ガスや水蒸気を透過しにくい絶縁体からなる絶縁封止材が部分的に配置されている。ここでは絶縁封止材はアルミナ(Ａｌ2Ｏ3)または窒化シリコン(Ｓｉ3Ｏ4)からなるものとする。
【００３９】
図４に、絶縁封止材と、電源線１６ａ及び制御線１６ｂの配置関係の模式図を示す。図４中、符号１９は絶縁封止材を示している。図示されていないが、構造絶縁体１３により、電源線１６ａ及び制御線１６ｂは分離され、互いに絶縁されている。ここでは、絶縁封止材１９はリング状に配置され、その外縁部が基板１１の縁より所定距離だけ内側に位置するように配置されている。電源線１６ａ及び制御線１６ｂの端部は、かかる絶縁封止材１９の外側に突き出されており、こうして突き出された端部を制御回路に接続すると、制御回路と、電源線１６ａ及び制御線１６ｂとが接続されるようになっている。
【００４０】
また、接地端子６０は細長矩形状に形成され、絶縁封止材１９の下に位置し、一端が絶縁封止材１９の内側に位置し、他端が絶縁封止材１９の外側に位置するようになっている。この接地端子６０は電源線１６ａ及び制御線１６ｂとは絶縁されており、接地端子６０の電気的な影響を電源線１６ａや制御線１６ｂが受けないようになっている。
【００４１】
図５に、カソード電極膜２１と、絶縁封止材１９、電源線１６ａ及び制御線１６ｂとの配置関係の模式的な平面図を示す。ここでカソード電極膜２１は、アノード電極１４に対しては有機薄膜を挟んで分離され、電源線１６ａ及び制御線１６ｂに対しては構造絶縁体１３を挟んで分離されており、カソード電極膜２１は、アノード電極１４、電源線１６ａ及び制御線１６ｂのいずれとも分離され、絶縁されている。また、図６に、電源線１６ａと制御線１６ｂの端部と、カソード電極膜２１と、絶縁封止材１９との模式的な部分拡大図を示す。
【００４２】
図６に示すように、絶縁封止材１９は、電源線１６ａ、制御線１６ｂの端部の表面と側面とを被覆し、電源線１６ａ、制御線１６ｂの端部に密着して配置されている。また、図５に示すように絶縁封止材１９の外側では、電源線１６ａ、制御線１６ｂの端部の表面は露出している。
【００４３】
カソード電極膜２１は、本発明の連続電極膜の一例であって、蒸着法により成膜された厚いアルミニウム薄膜で構成されている。ここでは、その膜厚を５００nmとしている。このカソード電極膜２１は平面形状が矩形になるように形成され、その四辺はともに絶縁封止材１９上に位置しており、絶縁封止材１９の外側で露出する電源線１６ａ、制御線１６ｂとは接触せず、各電源線１６ａ、各制御線１６ｂはともにカソード電極膜２１と絶縁されるようになっている。また、カソード電極膜２１は、絶縁封止材１９上に密着して配置されており、絶縁封止材１９との間からは、ガスや水蒸気が侵入しないようになっている。
【００４４】
カソード電極膜２１は、接地端子６０の絶縁封止材１９の内側に位置する部分と接触し、この部分で接地端子６０と電気的に接続されており、接地端子６０の、絶縁封止材１９の外側に位置する端部と、上述した制御回路とを接続すると、カソード電極膜２１が接地電位に接続され、各画素２３のカソード電極１８が接地されるようになっている。
【００４５】
カソード電極膜２１の表面は、酸素プラズマによる処理で酸化され、酸化アルミニウムからなる絶縁薄膜２２が成膜されている。ここではその膜厚を１０nmとしている。
【００４６】
ところで、水蒸気や酸素などガスの固体内における拡散の方程式は簡単に以下のように書くことができる。
Ｃ＝ｄ×ｅｘｐ（−ｘ2／ｔ）
ここでＣは単位面積単位時間当りに固体内を拡散する水蒸気や酸素などのガスの量であり、ｄは拡散するガスと固体の種類によって決まる拡散に関わる係数である。またｘは移動距離であり、ｔは時間である。この式から明らかなように、移動距離すなわち封止材の膜厚が大きくなると、ガスの拡散量すなわち透過度は小さくなる。言い換えれば、封止材の膜厚が厚くなると封止材のバリア性（封止能）は格段に向上する。アルミニウム自体の封止能は極めて高く、その膜厚を厚くすると、その封止能は更に高くなる。
【００４７】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置１では、上述したように厚いアルミニウム薄膜をカソード電極膜２１として用い、かつその表面に酸化アルミニウム薄膜からなる絶縁薄膜２２を成膜している。厚いアルミニウム薄膜からなるカソード電極膜２１の封止能は極めて高いので、カソード電極膜２１及び絶縁薄膜２２の二層膜は封止材を兼ねることができる。
【００４８】
また、絶縁封止材１９は、電源線１６ａ、制御線１６ｂの端部に密着して配置され、電源線１６ａ、制御線１６ｂの端部と絶縁封止材１９との間を水蒸気やガスが通ることはない。同様に絶縁封止材１９の上にはカソード電極膜２１が密着して配置されており、この間を水蒸気やガスが通ることはない。さらに上述したようにガスが侵入しにくい材料からなるので、絶縁封止材１９から侵入するガスも少なくなる。本発明の発明者等は、これらのカソード電極膜２１及び絶縁薄膜２２を封止材として用いた結果、水蒸気、酸素に対するバリア性（封止能）をそれぞれ、１０-6ｇ／ｍ2／ｄａｙ、または１０-6ｃｃ／ｍ2／ｄａｙ以下に低下せしめることを確かめた。その結果、従来封止のために必要であったパージド・ガスや対向ガラスが必要でなくなる。
【００４９】
また、カソード電極膜２１は、熱伝導性が良好なアルミニウム薄膜で構成されているので、有機ＥＬ表示装置１の内部で発生した熱はカソード電極膜２１とその外側の絶縁薄膜２２を介して外部に放出され、有機ＥＬ表示装置１の内部に蓄積されにくくなる。
【００５０】
なお、上記実施形態では、カソード電極膜２１の表面に絶縁薄膜２２を積層し、これらのカソード電極膜２１及び絶縁薄膜２２を封止材として用いたが、本発明はこれに限られるものではなく、例えば図７にその断面図を示すように、絶縁薄膜２２の表面に、金属封止膜２７、封止絶縁膜２８を順次積層するように構成してもよい。この金属封止膜２７は、アルミニウム薄膜からなり、封止絶縁膜２８は、酸化アルミニウム薄膜で構成されている。
【００５１】
この場合には、カソード電極膜２１、絶縁薄膜２２、金属封止膜２７、封止絶縁膜２８の四層膜が、封止材となる。このため、例えばカソード電極膜２１の膜厚を従来と同じ膜厚にしても、例えば金属封止膜２７の膜厚を厚くして、カソード電極膜２１、絶縁薄膜２２、金属封止膜２７、封止絶縁膜２８の四層膜全体の膜厚を厚くすれば、カソード電極膜２１の膜厚を厚くしたのと同じ効果を得ることができる。ここでは、カソード電極膜２１、絶縁薄膜２２、金属封止膜２７、絶縁薄膜２８の膜厚を、それぞれ１００nm、１０nm、５００nm、１０nmとしている。この場合、カソード電極膜２１の膜厚は従来と同じだが、四層膜の膜厚の合計は６２０nmとなり、カソード電極膜２１の膜厚を５００nmにした図２の表示装置よりも厚くなるので、封止能がさらに向上する。
【００５２】
また、上述した実施形態では、絶縁封止材１９は図４に示すようにリング状に形成され、その外縁部が基板１１の縁より所定距離だけ内側に位置するように配置されているが、本発明の絶縁封止材１９はこれに限らず、絶縁封止材１９が、電源線１６ａや制御線１６ｂの端部の表面及び側面とを被覆し、電源線１６ａ、制御線１６ｂとカソード電極膜２１とが互いに絶縁されるように配置されていれば、どのように配置されていてもよい。
また、カソード電極膜２１と、その表層に積層された金属薄膜や絶縁膜との膜厚の合計は、５００nm以上３μｍ以下の範囲であればよい。
【００５３】
【発明の効果】
本発明によって、酸素、水蒸気に対して高い封止能カを発揮し、かつ、放熱性が良好な有機ＥＬ素子を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の有機ＥＬ表示装置の模式図
【図２】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を説明する第１の断面図
【図３】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を説明する第２の断面図
【図４】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の絶縁封止材と制御線及び電源線の配置関係を模式的に説明する平面図
【図５】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の絶縁封止材と制御線及び電源線の端部の配置関係を模式的に説明する図
【図６】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の端部の部分拡大図
【図７】本発明の他の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を説明する断面図
【図８】従来の有機ＥＬ表示装置の模式図
【図９】従来の有機ＥＬ表示装置の第１の断面図
【図１０】従来の有機ＥＬ表示装置の第２の断面図
【符号の説明】
１１……基板
１２……アノード電極膜
１５……有機ＥＬ薄膜
１８……カソード電極
２０……連続電極膜
２１……カソード電極膜
２２……金属封止膜
２３……画素
Claims (4)
- 基板と、
前記基板上に配置された第１の電極と、
前記第１の電極と対向配置され、該第１の電極と絶縁された第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置された有機薄膜とを備え、基板上に複数個配置された画素と、
前記画素に接続された選択トランジスタと、
前記選択トランジスタを動作させる電源線と制御線とを有し、
前記制御線によって選択された前記選択トランジスタに接続された画素の前記第１の電極と前記第２の電極との間に電圧が印加され、該画素内の有機薄膜に電流が流れ、該有機薄膜が発光するように構成された有機ＥＬ表示装置であって、
前記基板上には、前記画素が配置された領域の周囲を取り囲むリング状の絶縁封止材が配置され、
前記制御線と前記電源線は、前記絶縁封止材と前記基板の間を通され、
前記複数の画素の第２の電極は、前記各画素の有機薄膜を覆う連続した連続電極膜を有し、
前記連続電極膜は、平面形状が四角形であって、四辺が前記絶縁封止材上に配置され、前記電源線及び前記制御線と前記連続電極膜との間は前記絶縁封止材によって絶縁され、
前記第２の電極の膜厚は、５００nm以上３μｍ以下の範囲にされ、
前記連続電極膜は、アルミニウム薄膜からなる有機ＥＬ表示装置。 - 第１の電極と、
前記第１の電極と対向配置され、該第１の電極と絶縁された第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置された有機薄膜とを備え、基板上に複数個配置された画素と、
前記画素を選択する選択トランジスタとを有し、
前記選択トランジスタによって画素が選択されると、選択された画素の前記第１の電極と前記第２の電極との間に電圧が印加され、該画素内の有機薄膜に電流が流れ、該有機薄膜が発光するように構成された有機ＥＬ表示装置であって、
前記複数の画素の第２の電極は、前記各画素の有機薄膜を覆う連続した連続電極膜を有し、
前記連続電極膜はアルミニウム膜と、前記アルミニウム膜の表面が酸素プラズマ処理によって酸化された酸化アルミニウム膜とを有し、
前記第２の電極の膜厚は、５００nm以上３μｍ以下の範囲にされた有機ＥＬ表示装置。 - 前記連続電極膜の表面に積層された絶縁薄膜を有し、
前記連続電極膜と前記絶縁薄膜との膜厚の合計は、５００nm以上３μｍ以下の範囲にされた請求項１又は請求項２のいずれか１項記載の有機ＥＬ表示装置。 - 前記絶縁薄膜の表面に、金属薄膜と、
該金属薄膜の表面に成膜された絶縁薄膜とが積層され、
前記連続電極膜、前記絶縁薄膜及び前記金属薄膜の膜厚の合計は、５００nm以上３μｍ以下の範囲にされた請求項３記載の有機ＥＬ表示装置。
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