JP3899176B2 - 撮像装置 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、撮像装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
比較的大きな撮像対象を撮像する場合、あるいは、撮像対象の近傍から近接画像を撮像する場合などに用いられる撮像装置として、シリコンフォトダイオードなどの受光素子を複数配列した撮像装置が知られている。
【0003】
かかる撮像装置の具体例として、例えば特開平6−178046号公報に記載された固体撮像装置があげられる。上記固体撮像装置は、複数のフォトダイオードを配列し、各フォトダイオード毎に、フォトダイオードから出力された電荷を蓄積するとともに蓄積電荷量に応じた電圧信号を出力する積分回路を設け、さらに当該積分回路と外部への出力ラインとを接続するスイッチとを備えた構成となっており、各フォトダイオードからの出力信号を順次外部に出力できるようになっている。
【0004】
上記撮像装置は、複数のフォトダイオードを配列して撮像範囲を大きくしているため、大きな撮像対象や近接画像を撮像することが可能となり、例えば食品中の異物検査、手荷物検査などに使用されるX線非破壊検査装置用ディテクタ、あるいはファックスなどの画像読み取り装置に設けられている画像読み取り用密着型リニアイメージセンサなどとして広く用いられている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
上記撮像装置は、複数のフォトダイオードを配列して撮像範囲を大きくしているため大きな撮像対象や近接画像を撮像することが可能となる反面、以下のような欠点を有している。
【0006】
すなわち、食品中の異物検査であれ手荷物検査であれ、撮像対象は様々な形状を有しており、画像読み取り装置で読み取る原稿も様々な大きさを有する場合がある。そのため、撮像装置の受光領域、すなわちフォトダイオードの配列には、撮像対象を透過してなる強度の小さい光と、撮像対象を透過しないきわめて強度の大きい背景光とが同時に入射することになる。
【0007】
ここで、例えばファックスなどの画像読み取り装置に設けられている画像読み取り用密着型リニアイメージセンサについて考えてみる。ファックスなどの画像読み取り装置では、撮像画像から白地の背景部分と黒地の文字部分とを判別しなくてはならない。そのため、これらに用いられる画像読み取り用密着型リニアイメージセンサは、微弱光であっても背景部分と文字部分との判別ができるように、通常、ダイナミックレンジが原稿の白地の背景部分を透過してなる透過光強度とほぼ等しくなるように調整されている。
【0008】
しかし、このような調整の下では、原稿によって覆われていない部分の受光領域、すなわちフォトダイオードには、原稿を透過してなる透過光の数十倍の強度を有する光が入射することになり、後段の積分回路にも過剰な電荷が流入することになる。
【0009】
ここで、積分回路への過剰な電荷の流入は、積分回路を構成するオペアンプの入出力電圧にオフセット変動を生じさせ、かかるオフセット変動は、当該オペアンプのバイアス電圧を変動させることになる。
【0010】
各フォトダイオードに接続された各積分回路内のオペアンプには、通常、共通のバイアス電圧が印加されているため、1つの積分回路内のオペアンプにおけるバイアス電圧の変動は、他の積分回路内のオペアンプにも影響し、その結果、積分回路に誤動作が生じるといった問題がある。
【0011】
そこで本発明は、積分回路に過剰電荷が流入することに起因するオペアンプのバイアス電圧の変動を防止し、誤動作が無く安定して動作する撮像装置を提供することを課題とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の撮像装置は、複数の受光素子と、各受光素子毎に設けられ、受光素子から出力された電荷を蓄積して、蓄積された電荷の量に応じた電圧信号を出力するリセット可能な積分回路部と、各積分回路部の出力側に設けられ、積分回路部と外部への出力ラインとを接続する出力用スイッチとを有する撮像装置であって、受光素子と積分回路部との間に直列に挿入された第1のスイッチと、積分回路部からの出力電圧の絶対値が所定の基準電圧より小さい場合は第1のスイッチを短絡し、積分回路部からの出力電圧の絶対値が所定の基準電圧以上の場合は第1のスイッチを開放する制御回路部とを備えたことを特徴としている。
【0013】
さらに、この撮像装置は、受光素子と上記受光素子から出力された電荷を取り除くためのオーバフロードレーンとを接続する第2のスイッチを備え、制御回路部は、積分回路部からの出力電圧の絶対値が所定の基準電圧より小さい場合は第2のスイッチを開放し、積分回路部からの出力電圧の絶対値が所定の基準電圧以上の場合は第2のスイッチを短絡することを特徴としている。
【0014】
積分回路部からの出力電圧の絶対値が所定の基準電圧より小さい場合に第1のスイッチを短絡するため、通常は受光素子からの出力電荷が積分回路部に蓄積可能となる一方で、積分回路部からの出力電圧の絶対値が所定の基準電圧以上の場合に第1のスイッチを開放するため、受光素子からの出力電荷が過剰となった時に過剰電荷の積分回路部への流入を防止できる。
【0015】
さらに、積分回路部からの出力電圧の絶対値が所定の基準電圧より小さい場合に第2のスイッチを開放するため、通常は受光素子からの出力電荷は積分回路部の方に流入する一方で、積分回路部からの出力電圧の絶対値が所定の基準電圧以上の場合に第2のスイッチを短絡するため、受光素子から出力された電荷をオーバフロードレーンに流出させて除去することができる。
【0016】
本発明の撮像装置は、積分回路部と出力用スイッチとの間に直列に挿入された第3のスイッチと、出力用スイッチと所定の基準電圧を供給する供給源とを接続する第4のスイッチとをさらに備え、制御回路部は、積分回路部からの出力電圧の絶対値が所定の基準電圧より小さい場合は第3のスイッチを短絡するとともに第4のスイッチを開放し、積分回路部からの出力電圧の絶対値が所定の基準電圧以上の場合は第3のスイッチを開放するとともに第4のスイッチを短絡することを特徴とすることが好適である。
【0017】
積分回路部からの出力電圧の絶対値が所定の基準電圧より小さい場合は第3のスイッチを短絡するとともに第4のスイッチを開放するため、通常は積分回路部からの出力を外部への出力ラインに出力することが可能となる一方で、積分回路部からの出力電圧の絶対値が所定の基準電圧以上の場合は第3のスイッチを開放するとともに第4のスイッチを短絡するため、受光素子からの出力電荷が過剰となった時には、外部への出力ラインに出力する電圧が浮動することなく、常に一定の基準電圧を外部への出力ラインに出力することが可能となる。
【0018】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態にかかる撮像装置について図面を用いて説明する。まず、本実施形態にかかる撮像装置の構成について説明する。図1は本実施形態にかかる撮像装置の回路構成を示したものである。
【0019】
撮像装置10は、カソードに所定の逆バイアス電圧Vddが印加されたn(nは2以上の整数)個のP型フォトダイオード(受光素子)PD1〜PDnと、各フォトダイオードPD1〜PDnから出力された電荷信号を個々に蓄積して、蓄積電荷量に応じた電圧信号を出力するn個の信号処理回路SP1〜SPnと、各信号処理回路SP1〜SPnの出力側に設けられ、各信号処理回路SP1〜SPnと外部への出力ラインLoutとを接続するn個の出力用スイッチSW1〜SWnとを備えて構成される。
【0020】
n個の信号処理回路SP1〜SPnは全て同様の構成となっているため、ここでは1つの信号処理回路SP1についてのみ説明する(図1においても信号処理回路SP2〜SPnの回路図は省略されている)。
【0021】
信号処理回路SP1は、フォトダイオードPD1から出力された電荷を蓄積して、蓄積された電荷の量に応じた電圧信号を出力するリセット可能な積分回路12と、積分回路12からの出力電圧信号を一時的に保持するバッファ回路14と、フォトダイオードPD1のアノードと積分回路12の入力端との間に直列に挿入された第1のスイッチ16と、フォトダイオードPD1のアノードとフォトダイオードPD1から出力された過剰電荷を取り除くためのオーバフロードレーンVofdとを接続する第2のスイッチ18と、積分回路12の出力端とバッファ回路14の入力端との間に直列に挿入された第3のスイッチ20と、バッファ回路14の入力端と所定の基準電圧Vrefを供給する供給源とを接続する第4のスイッチ22と、積分回路12からの出力電圧と基準電圧Vrefとの比較結果に基づいて上記第1〜第4のスイッチの開放・短絡を制御する制御回路24とを備えて構成される。
【0022】
積分回路12は、入力端から入力された信号を増幅して出力端から出力するためのオペアンプ26と、フォトダイオードPD1から出力された電荷を蓄積するためにオペアンプ26に対して並列に接続されたコンデンサ28と、外部から入力されるリセットパルスによりコンデンサ28に蓄積された電荷を放電(リセット)するためにコンデンサ28に対して並列に接続されたリセットスイッチ30とを備えて構成される。
【0023】
バッファ回路14は、積分回路12の出力端から出力された出力電圧を電荷として保持するコンデンサ32と、出力用スイッチSW1の短絡とともにコンデンサ32に保持された電圧を増幅して外部への出力ラインLoutに出力するオペアンプ34と、外部から入力されるホールドパルスによって短絡されるとともに短絡されることによって積分回路12の出力端とコンデンサ32とを接続するホールドスイッチ36とを備えて構成される。
【0024】
制御回路24は、積分回路12からの出力電圧と基準電圧Vrefとが入力され、積分回路12からの出力電圧の絶対値(本実施形態にかかる撮像装置10では、受光素子としてP型フォトダイオードを用いており、出力電圧は正となるため、以下単に出力電圧という)が基準電圧Vrefより小さい場合は論理値1を出力し、また、積分回路12からの出力電圧が基準電圧Vref以上の場合は論理値0を出力するコンパレータ38と、コンパレータ38から出力された論理値を一時的に保持するラッチ回路40と、ラッチ回路40から出力された論理値をそのまま又は反転させて上記第1〜第4のスイッチ16、18、20、22の制御のための論理信号(以下、制御信号という)を生成するための4個のインバータ42、44、46、48とを備えて構成される。
【0025】
ここで、制御回路部24によるスイッチ制御機能について詳細に説明する。第1〜第4のスイッチ16、18、20、22は、各スイッチに入力される制御信号S1〜S4の論理値が1の場合は開放、0の場合は短絡されるようになっている。
【0026】
第1のスイッチ16には、コンパレータ38から出力された論理値をインバータ42によって反転した制御信号S1が入力される。すなわち、積分回路12からの出力電圧が基準電圧Vrefより小さい場合は、制御信号S1は0となり、また、積分回路12からの出力電圧が基準電圧Vref以上の場合は、制御信号S1は1となる。従って、積分回路12からの出力電圧が基準電圧Vrefより小さい場合は、第1のスイッチ16は短絡され、また、積分回路12からの出力電圧が基準電圧Vref以上の場合は、第1のスイッチ16は開放される。
【0027】
また、第2のスイッチ18には、コンパレータ38から出力された論理値をインバータ42によって反転し、インバータ44によってさらに反転した制御信号S2が入力される。従って、積分回路12からの出力電圧が基準電圧Vrefより小さい場合は、第2のスイッチ18は開放され、また、積分回路12からの出力電圧が基準電圧Vref以上の場合は、第2のスイッチ18は短絡される。
【0028】
また、第3のスイッチ20には、コンパレータ38から出力された論理値をインバータ42、44、46によってそれぞれ反転した制御信号S3が入力される。従って、積分回路12からの出力電圧が基準電圧Vrefより小さい場合は、第3のスイッチ20は短絡され、また、積分回路12からの出力電圧が基準電圧Vref以上の場合は、第3のスイッチ20は開放される。
【0029】
さらに、第4のスイッチ22には、コンパレータ38から出力された論理値をインバータ42、44、46、48によってそれぞれ反転した制御信号S4が入力される。従って、積分回路12からの出力電圧が基準電圧Vrefより小さい場合は、第4のスイッチ22は開放され、また、積分回路12からの出力電圧が基準電圧Vref以上の場合は、第4のスイッチ22は短絡される。
【0030】
図2は、本実施形態にかかる撮像装置を基板上に構成した際の構成図であり、図3(a)は本実施形態にかかる撮像装置を基板上に構成した際の平面図、図3(b)は同前面図、図3(c)は同側面図である。
【0031】
図2に示すように、n個のフォトダイオードPD1〜PDnは、フォトダイオードアレイ50としてフォトダイオードアレイチップ52上に形成されている。また、n個の信号処理回路SP1〜SPnは、信号処理回路アレイ54としてアンプアレイチップ56上に形成されている。また、n個の出力用スイッチSW1〜SWn、及び、上記n個の出力用スイッチSW1〜SWnの開放・短絡を制御するシフトレジスタ58も、アンプアレイチップ56上に形成されている。さらに、フォトダイオードアレイチップ52及びアンプアレイチップ56は、セラミック基板60上に固定されており、フォトダイオードアレイチップ52及びアンプアレイチップ56は、保護カバー62によって覆われている(図3参照)。
【0032】
図3に示すように、セラミック基板60の端部には、外部からの信号入力又は外部への信号出力を行うためのコネクタ用パッド64及びコネクタピン66が設けられており、セラミック基板60上に設けられたメタル配線(図示せず)を介して信号処理回路SP1〜SPn、出力用スイッチSW1〜SWn、シフトレジスタ58等に接続されている(図2参照)。ここで、信号処理回路SP1〜SPnに設けられているリセットスイッチ30及びホールドスイッチ36の開放・短絡制御は、それぞれコネクタ用パッド64及びコネクタピン66を介して外部から入力されたリセットパルス及びホールドパルスによって行われることになる。また、出力用スイッチSW1〜SWnの開放・短絡は、外部からシフトレジスタ58に入力されたスタートパルス及びクロックパルスに基づいて制御され、外部への出力ラインLoutを介してビデオ出力として外部に出力されることになる(図2参照)。
【0033】
続いて、本発明の実施形態にかかる撮像装置の作用について説明する。図4は、撮像装置10の基本的動作を示すタイミングチャートである。
【0034】
外部から入力されるリセットパルスが論理値1(以下、オンという)になると、積分回路12のリセットスイッチ30が短絡され、コンデンサ28に蓄積された電荷が放電(リセット)される。その後、リセットパルスが論理値0(以下、オフという)になると、コンデンサ28への電荷の蓄積が開始される。
【0035】
また、外部から入力されるホールドパルスがオンになると、バッファ回路14のホールドスイッチ36が短絡され、積分回路12のコンデンサ28に蓄積された電荷がバッファ回路14のコンデンサ32に流出し、保持される。
【0036】
バッファ回路14のコンデンサ32に電荷が保持された状態で、シフトレジスタ58によって出力用スイッチSW1〜SWnが順次短絡されると、各信号処理回路内のバッファ回路14から外部への出力ラインLoutに出力信号が順次読み出される。
【0037】
上記リセットパルス及びホールドパルスは、定期的にオンになる信号であるので、各フォトダイオードPD1〜PDnから出力された信号を所定の時間間隔毎に読み出すことが可能となり、すなわち撮像対象を撮像することができる。
【0038】
続いて、撮像装置10の動作をより詳細に説明する。撮像装置10の動作は、積分回路12からの出力電圧が基準電圧Vrefより小さい場合と、積分回路12からの出力電圧が基準電圧Vref以上の場合とで大きく異なる。
【0039】
まず、積分回路12からの出力電圧が常に基準電圧Vrefより小さい場合について考える。図5は、積分回路12からの出力電圧が基準電圧Vrefより小さい場合のフォトダイオードPD1、信号処理回路SP1、出力用スイッチSW1の等価回路(制御回路24を除く)であり、図6は積分回路12からの出力電圧が常に基準電圧Vrefより小さい場合の、ホールドスイッチ36の入力端(A点、図5参照)の電位及び第1〜第4のスイッチ16、18、20、22の開放・短絡の様子を表すタイミングチャートである。尚、図6内の第1〜第4のスイッチにおいてHは短絡、Lは開放を示すものとする。
【0040】
積分回路12からの出力電圧が常に基準電圧Vrefより小さい場合は、第1のスイッチ16は常に短絡、第2のスイッチ18は常に開放、第3のスイッチ20は常に短絡、第4のスイッチ22は常に開放となる。従って、図5に示すようにフォトダイオードPD1から出力された電荷はリセットパルスがオンになる毎に常に積分回路12のコンデンサ28に蓄積され、ホールドパルスがオンになるとバッファ回路14のコンデンサ32に流出して保持され、出力用SW1が短絡するタイミングで外部への出力ラインLoutに読み出される。
【0041】
次に、積分回路12からの出力電圧が基準電圧Vref以上の場合について考える。図7は、積分回路12からの出力電圧が基準電圧Vref以上の場合のフォトダイオードPD1、信号処理回路SP1、出力用スイッチSW1の等価回路(制御回路24を除く)であり、図8は積分回路12からの出力電圧が基準電圧Vref以上の場合の、ホールドスイッチ36の入力端(A点、図7参照)の電位及び第1〜第4のスイッチ16、18、20、22の開放・短絡の様子を表すタイミングチャートである。尚、図8において、(A)は積分回路12からの出力電圧が基準電圧Vrefより小さい期間、(B)は積分回路12からの出力電圧が基準電圧Vref以上の期間を示している。
【0042】
図7に示すように、積分回路12からの出力電圧が基準電圧Vref以上の場合は、第1のスイッチ16は開放、第2のスイッチ18は短絡、第3のスイッチ20は開放、第4のスイッチ22は短絡となる。第1のスイッチ16を開放し、第2のスイッチ18を短絡することで、図7に示すようにフォトダイオードPD1から出力された過剰な電荷を積分回路12に流入させることなく、オーバフロードレーンVofdに流出させて除去することができる。また、第3のスイッチ20を開放し、第4のスイッチ22を短絡することで、積分回路12からの出力される高電圧ではなく、基準電圧Vrefを外部への出力ラインLoutに出力することができる。
【0043】
具体的には、図8に示すように、積分回路12からの出力電圧が基準電圧Vrefより小さい場合、すなわち(A)期間は、第1のスイッチ16が短絡、第2のスイッチ18が開放、第3のスイッチ20が短絡、第4のスイッチ22が開放されるため、フォトダイオードPD1、信号処理回路SP1、出力用スイッチSW1は図5に示すような等価回路(制御回路24を除く)となり、図6を用いて説明したような動作をする。一方、積分回路12からの出力電圧が基準電圧Vref以上の場合、すなわち(B)期間は、第1のスイッチ16が開放、第2のスイッチ18が短絡、第3のスイッチ20が開放、第4のスイッチ22が短絡されるため、フォトダイオードPD1、信号処理回路SP1、出力用スイッチSW1は図7に示すような等価回路(制御回路24を除く)となり、積分回路12からの出力電圧が基準電圧Vref以上となっている間、A点の電位はVrefに維持される。この状態で、出力用SW1が短絡すると、電圧Vrefが外部への出力ラインLoutに読み出される。尚、この状態でリセットパルスがオンになると、積分回路12のコンデンサ28が放電され、積分回路12からの出力電圧が低下するため、第1のスイッチ16が短絡、第2のスイッチ18が開放、第3のスイッチ20が短絡、第4のスイッチ22が開放の状態、すなわち図5に示す等価回路の状態に戻る。
【0044】
続いて、本発明の実施形態にかかる撮像装置の効果について説明する。撮像装置10は、積分回路12からの出力電圧が基準電圧Vref以上の場合に制御回路24が、第1のスイッチ16を開放、第2のスイッチ18を短絡、第3のスイッチ20を開放、第4のスイッチ22を短絡させる。積分回路12からの出力電圧が基準電圧Vref以上の場合に第1のスイッチ16を開放、第2のスイッチ18を短絡することで、フォトダイオードPD1から出力された過剰な電荷を積分回路12に流入させることなく、オーバフロードレーンVofdに流出させて除去することができる。従って、積分回路12内のオペアンプ26のオフセット電圧の変動を防止でき、当該オフセット電圧の変動に起因するバイアス電圧の変動を有効に防止することができる。その結果、バイアス電圧の変動に伴う、他のフォトダイオードの出力信号の変動が除去され、誤動作を少なくし、動作を安定させることが可能となる。
【0045】
また、積分回路12からの出力電圧が基準電圧Vref以上の場合に第3のスイッチ20を開放、第4のスイッチ22を短絡することで、積分回路12からの出力される高電圧ではなく、基準電圧Vrefを外部への出力ラインLoutに出力することができる。従って、極端に強度の大きい信号が外部に出力されることが防止され、外部への出力信号を安定させることが可能となる。
【0046】
尚、上記の説明では、受光素子としてP型フォトダイオードを用いた場合について、撮像装置10の具体的な動作を詳述した。しかしながら、撮像装置10は、受光素子としてN型フォトダイオードを用いても実現可能である。撮像装置10にN型フォトダイオードを用いた場合は、積分回路12の出力極性が逆になり、これに続くコンパレータ38の動作も関係が逆転する。
【0047】
【発明の効果】
本発明の撮像装置は、積分回路部からの出力電圧が基準電圧以上の場合に、制御回路部が第1のスイッチを開放することで、受光素子から出力された過剰な電荷が積分回路部に流入することを防止する。従って、積分回路部を構成するオペアンプのオフセット電圧の変動、さらにはバイアス電圧の変動を有効に防止でき、誤動作を少なくし、動作を安定させることが可能となる。
【0048】
また、積分回路部からの出力電圧が基準電圧以上の場合に、制御回路部が第2のスイッチを短絡することで、受光素子から出力された過剰な電荷をオーバフロードレーンに流出させて除去することができる。
【0049】
さらに、積分回路部からの出力電圧が基準電圧以上の場合に、第3のスイッチを開放し、第4のスイッチを短絡することで、積分回路部から出力される高電圧ではなく、一定の基準電圧を外部への出力ラインに出力することができる。従って、極端に強度の大きい信号が外部に出力されることが防止され、外部への出力信号を安定させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係る撮像装置の回路構成図である。
【図2】本発明の実施形態に係る撮像装置の構成図である。
【図3】本発明の実施形態に係る撮像装置の平面図、前面図、側面図である。
【図4】本発明の実施形態に係る撮像装置の動作を示すタイミングチャートである。
【図5】本発明の実施形態に係る撮像装置の回路構成図である。
【図6】本発明の実施形態に係る撮像装置の動作を示すタイミングチャートである。
【図7】本発明の実施形態に係る撮像装置の回路構成図である。
【図8】本発明の実施形態に係る撮像装置の動作を示すタイミングチャートである。
【符号の説明】
10…撮像装置、12…積分回路、14…バッファ回路、16…第1のスイッチ、18…第2のスイッチ、20…第3のスイッチ、22…第4のスイッチ、24…制御回路、50…フォトダイオードアレイ、52…フォトダイオードアレイチップ、54…信号処理回路アレイ、56…アンプアレイチップ、58…シフトレジスタ、60…セラミック基板、62…保護カバー、64…コネクタ用パッド、66…コネクタピン、PD1〜PDn…フォトダイオード、SP1〜SPn…信号処理回路、SW1〜SWn…出力用スイッチ

Claims (2)

  1. 複数の受光素子と、前記各受光素子毎に設けられ、該受光素子から出力された電荷を蓄積して、該蓄積された電荷の量に応じた電圧信号を出力するリセット可能な積分回路部と、前記各積分回路部の出力側に設けられ、前記積分回路部と外部への出力ラインとを接続する出力用スイッチと、を有する撮像装置において、前記受光素子と前記積分回路部との間に直列に挿入された第1のスイッチと、前記受光素子と前記受光素子から出力された電荷を取り除くためのオーバフロードレーンとを接続する第2のスイッチと、前記積分回路部からの出力電圧の絶対値が所定の基準電圧より小さい場合は前記第1のスイッチを短絡するとともに前記第2のスイッチを開放し、前記積分回路部からの出力電圧の絶対値が前記所定の基準電圧以上の場合は前記第1のスイッチを開放するとともに前記第2のスイッチを短絡する制御回路部と、を備えたことを特徴とする撮像装置。
  2. 前記積分回路部と前記出力用スイッチとの間に直列に挿入された第3のスイッチと、前記出力用スイッチと前記所定の基準電圧を供給する供給源とを接続する第4のスイッチと、をさらに備え、前記制御回路部は、前記積分回路部からの出力電圧の絶対値が前記所定の基準電圧より小さい場合は前記第3のスイッチを短絡するとともに前記第4のスイッチを開放し、前記積分回路部からの出力電圧の絶対値が前記所定の基準電圧以上の場合は前記第3のスイッチを開放するとともに前記第4のスイッチを短絡する、ことを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
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