JP3876616B2

JP3876616B2 - 加速度センサの検査方法

Info

Publication number: JP3876616B2
Application number: JP2000359258A
Authority: JP
Inventors: 宏齊藤; 拓郎石田; 浩則上
Original assignee: Matsushita Electric Works Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 2000-11-27
Filing date: 2000-11-27
Publication date: 2007-02-07
Anticipated expiration: 2020-11-27
Also published as: JP2002162412A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、加速度センサの検査方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、半導体製造技術を用いて形成された半導体加速度センサが提供されている（たとえば、特開平９−１６６６１８号公報参照）。この種の半導体加速度センサとしては、図７および図８に示すように、シリコン基板のような半導体基板を用いて形成したセンサ本体１の厚み方向の両面にガラス製のカバー２，３を積層した構造を有するものがある。センサ本体１は、矩形枠状の支持枠１１を備え、支持枠１１の中央に厚み方向の表裏に貫通する形で形成された開口窓１１ａの中に重り部１２が配置されるとともに、重り部１２の周囲の一辺が他の部位よりも薄肉である撓み部１３を介して支持枠１１に連続一体に連結された構造を有する。したがって、重り部１２の周囲には撓み部１３を除いて支持枠１１との間にスリット１４が形成される。また、撓み部１３は重り部１２の一辺に沿う方向に離間して２箇所に形成されている。各撓み部１３には、図９に示すように、それぞれ歪検出素子として２個ずつのゲージ抵抗１５ａ〜１５ｄが形成されている。ゲージ抵抗１５ａ〜１５ｄはピエゾ抵抗であり、図１０に示すブリッジ回路を構成するように接続される。また、ブリッジ回路の各端子となるボンディングパッド１６ａ〜１６ｄは支持枠１１に形成される。
【０００３】
したがって、センサ本体１の厚み方向の成分を含む外力（すなわち、加速度）が作用すると、重り部１２の慣性によって支持枠１１と重り部１２とがセンサ本体１の厚み方向に相対的に変位し、結果的に撓み部１３が撓んでゲージ抵抗１５ａ〜１５ｄの抵抗値が変化することになる。つまり、ゲージ抵抗１５ａ〜１５ｄの抵抗値の変化を検出することによりセンサ本体１に作用した加速度を検出することができる。このセンサ本体１は、重り部１２が片持ち梁（カンチレバー）としての撓み部１３を介して支持枠１１に結合されているから、一般にカンチレバー型と称している。
【０００４】
センサ本体１の厚み方向の裏面側（図７の下面側）にはガラス製のカバー２が積層され、またセンサ本体１の厚み方向の表面側（図７の上面側）にはカバー２とともに重り部１２を囲む空間を形成するガラス製のカバー３が積層されている。カバー２とカバー３との間に形成される空間は密封する必要はないが、重り部１２が支持枠１１に対して相対的に移動する際に、重り部１２に対して空気による制動力（いわゆるエアダンプ）が作用するように構成する。両カバー２，３において重り部１２との対向面にはそれぞれ重り部１２の移動量を規制するための突起状のストッパ２ｂ，３ｂが形成され、重り部１２に加速度が作用したときの支持枠１１に対する重り部１２の移動量をストッパ２ｂ，３ｂで規制することによって撓み部１３の折損を防止している。
【０００５】
この種の半導体加速度センサを自動車のエアバッグやＡＢＳ（アンチロックブレーキシステム）などに用いる場合には、高い信頼性が要求されるから、半導体加速度センサの故障の有無を出荷前に事前に検査することが不可欠である。そこで、図９のように、撓み部１３に設けたゲージ抵抗１５ａ〜１５ｄと、支持枠１１に設けたボンディングパッド１６ａ〜１６ｄとの間を接続する配線１８の中間部分に支持枠１１と重り部１２とに跨るように延長された折損検出用配線１８ａを形成することが考えられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、製造から出荷までの間で撓み部１３の折損に関する検査（つまり、折損検出用配線１８ａの断線の有無の検査）を行う機会は２度あり、１度目はセンサ本体１をウェハ上に形成しセンサ本体１に両カバー２，３を接合した後に、ウェハ単位でプローブ（探針）を用いて折損検出用配線１８ａの断線の有無を検査する検査（「プロービング検査」ないし「Ｐ検」と呼んでいる）であり、２度目は半導体加速度センサを回路基板に実装し、さらに半導体加速度センサを対象装置に組み込んだ後の出荷前の最終的な検査（「ファイナル特性検査」ないし「Ｆ検」と呼んでいる）である。Ｐ検およびＦ検では折損検出用配線１８ａに実際に電流を流すことによって折損検出用配線１８ａの断線の有無を検出しており、折損検出用配線１８ａに電源を接続する作業には非常に手間がかかっているのが現状である。また、Ｐ検の後にはＦ検までの間に撓み部１３の折損の有無を確認することができないものであるから、Ｐ検の後に撓み部１３が折損すると、その後のＦ検までの多数の工程が無駄になるとともに、加速度センサに関連する回路基板やパッケージが無駄になることがある。とくに、高信頼性を要求される用途ではＦ検において不良が検出されると廃棄しているのが現状であるから、工程や材料に大きな無駄が生じると製品価格の上昇につながることになる。
【０００７】
カバー２，３はガラス製であるから、撓み部１３の折損の有無をカバー２，３を通して視覚的に確認することも考えられるが、重り部１２の移動範囲を確保するためにカバー２，３における重り部１２との対向面には凹所２ａ，３ａが形成されており、この凹所２ａ，３ａを形成する技術としてサンドブラストを採用していることが多い。サンドブラストの工程においては、数十μｍ程度の直径を有したアルミナ等の砥粒をカバー２，３に噴射してカバー２，３の表面を削り取るから、カバー２，３の表面は数十μｍ程度の凹凸を有した粗面ですりガラス状になっている。つまり、カバー２，３を通して撓み部１３の状態を視覚的に確認しようとしても、粗面によって光が乱反射するから撓み部１３の状態を確認することができず、また撓み部１３はカバー２，３により覆われ暗いことによっても視覚的に確認するのが難しいという問題を有している。
【０００８】
また、撓み部１３が折損していないとしても撓み部１３に反りがあれば、カバー２，３に設けた重り部１２とカバー２との間の空間の容積と、重り部１２とカバー３との間の空間の容積との差が大きくなり、結果的に加速度センサに作用する振動の振動数に対する加速度センサの出力が仕様から大きくずれ、場合によっては重り部１２に不要な共振が生じて撓み部１３が折損しやすくなることがある。あるいはまた、撓み部１３に反りがあると、重り部１２から各ストッパ２ｂ，３ｂまでの距離に差が生じるから、距離の短いほうについてはエアダンプの効果が大きく重り部１２の移動が抑制されて感度が低下し、距離の長いほうについてはエアダンプの効果が少なく重り部１２がストッパ２ｂ，３ｂに衝突する際の衝撃が大きくなって撓み部１３が破損しやすくなる。
【０００９】
上述のように撓み部１３に反りがあると加速度センサの特性に不都合が生じるのであるが、カバー２，３をセンサ本体１に取り付けた後には撓み部１３の反りを検査することができなくなる。加速度センサの作製工程において撓み部１３に反りが生じるのは、主としてセンサ本体１にカバー２，３を接合する工程であって、この工程においてはセンサ本体１を作製したシリコンウェハとカバー２，３とを高温真空中で陽極接合するから、熱歪みが発生して撓み部１３が反る可能性が高くなる。その後もカバー２，３の帯電などによって重り部１２が静電気で引きつけられること、あるいはまた加速度センサをパッケージに組み込む際のダイボンディングやワイヤボンディングの工程における熱により撓み部１３が反ることもある。
【００１０】
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、カバーが取り付けられている状態でも撓み部の折損や反りを非接触で容易に検出することができるようにした加速度センサの検査方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、支持枠の表裏に貫通する開口窓内に配置した重り部が可撓性を有する撓み部を介して支持枠に一体に連結され、かつ重り部への加速度の作用により撓み部に生じる応力を検出する歪検出素子が設けられたセンサ本体を有し、支持枠の表裏にそれぞれ前記開口窓を覆う一対のカバーを有し、前記重り部における一方のカバーとの対向面に閉ループであるコイルパターンが形成された加速度センサの検査方法であって、加速度センサに設けた前記コイルパターンに鎖交する高周波の交番磁界を前記支持枠の表裏の一方のカバー側から送信源により形成し、他方のカバー側に配置した受信器での交番磁界の検出強度が規定範囲外であるときに撓み部の異常として検出することを特徴とする。
この方法によれば、重り部にコイルパターンを形成したことによって、コイルパターンとの間の電磁誘導を利用することによりカバーが存在していても重り部の位置を検出することが可能になり、非接触かつ非破壊な方法で重り部の位置を検出することによって撓み部の折損や反りの状態を検出することが可能になる。つまり、従来構成のように撓み部の折損を検出するために通電する必要がなく、またカバーを取り付けた後でも撓み部の反りを検出することが可能になる。このように、Ｐ検の後にＦ検まで待つことなく撓み部の不良を検出することができ、結果的に工程や部材の無駄を低減することができ、ひいてはコストの低減につながる。加えて、１個の加速度センサについて検査回数が多くなるから、加速度センサの信頼性を保証しやすくなる。
【００１２】
しかも、コイルパターンでの渦電流損を利用して重り部の位置を検出することができ、簡単な装置を用いて撓み部の異常の有無を容易に検出することができる。
【００１３】
請求項２の発明は、支持枠の表裏に貫通する開口窓内に配置した重り部が可撓性を有する撓み部を介して支持枠に一体に連結され、かつ重り部への加速度の作用により撓み部に生じる応力を検出する歪検出素子が設けられたセンサ本体を有し、支持枠の表裏にそれぞれ前記開口窓を覆う一対のカバーを有し、前記重り部における一方のカバーとの対向面に閉ループであるコイルパターンが形成された加速度センサの検査方法であって、加速度センサに設けた前記コイルパターンに電磁結合する程度の距離で対置した検出コイルに通電するとともに、通電電流を時間経過に伴って変化させ、検出コイルに流れる電流のうち検出コイルとコイルパターンとの間の相互インダクタンスを反映する成分が所定範囲外であるときに撓み部の異常として検出することを特徴とする。
この方法によれば、請求項１の発明と同様に、Ｐ検の後にＦ検まで待つことなく撓み部の不良を検出することができるから、工程や部材の無駄を低減することができ、コストの低減につながるとともに、１個の加速度センサについて検査回数が多くなるから、加速度センサの信頼性を保証しやすくなる。加えて、加速度センサの一面側に検出コイルを配置するだけで撓み部の異常の有無を容易に検出することができる。すなわち、請求項１の方法のように加速度センサの一側に送信源を配置し、他側に受信器を配置するものに比較すると、検査装置に小形のものを用いることが可能になる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
（第１の実施の形態）
本実施形態は、従来構成として説明した半導体加速度センサとほぼ同様の構成を有した半導体加速度センサについて、撓み部１３の折損の有無を非接触で検出するものである。図７および図８に示した従来構成の半導体加速度センサとの主な相違点は、重り部１２においてカバー３との対向面にコイルパターン５を形成している点である。コイルパターン５はアルミニウムの配線であって、重り部１２の表面に絶縁層としての窒化膜１７ｂを介して形成されている。このコイルパターン５は重り部１２の各辺に平行な直線部分を順次連結した渦巻き状に形成されており、内側端と外側端とが重り部１２内に形成したｐ＋拡散層からなるジャンパ線５ａにより接続されている。すなわち、ジャンパ線５ａは酸化膜１７ａおよび窒化膜１７ｂを介してコイルパターン５の反対側に形成されている。また、コイルパターン５は直線部分を連結した形状ではなく直線部分を持たない略円形の渦巻き状に形成してもよい。
【００１５】
図１および図２に示す加速度センサを製造するには、まず、主表面の結晶面が（１００）であるシリコン単結晶のウェハを酸化して全面に酸化膜１７ａを形成した後、スリット１４を形成する領域の酸化膜１７ａのみをフォトリソグラフィ技術を用いて除去する。次に、酸化膜１７ａをエッチングマスクとして６〜３０μｍの深さでシリコンにエッチングを施す。エッチング後に再び酸化し、次に配線１８（折損検出用配線１８ｂを含む）およびジャンパ線５ａとなるｐ＋拡散層を形成し、続いてイオン注入後に拡散してゲージ抵抗１５ａ〜１５ｄを形成する。折損検出用配線１８ｂは支持枠１１と重り部１２とに跨って撓み部１３を通過する部分を有するように形成される。ただし、折損検出用配線１８ｂはゲージ抵抗１５ａ〜１５ｄを通る経路とは別に設けられ、折損検出用配線１８ｂの一端はボンディングパッド１６ｅに接続される。折損検出用配線１８ｂの他端はゲージ抵抗１５ａと共通のボンディングバッド１６ａに接続される。この段階でゲージ抵抗１５ａ〜１５ｄのブリッジ接続がなされる。ここに、折損検出用配線１８ｂの中間部には高濃度の拡散抵抗である抵抗２０が挿入される。この抵抗２０は高抵抗のポリシリコンにより形成してもよい。また、酸化膜１７ａの上にはボンディングパッド１６ａ〜１６ｅを形成する部位を除いて窒化膜１７ｂが形成される。このように、ｐ＋拡散層は酸化膜１７ａおよび窒化膜１７ｂにより保護される。
【００１６】
その後、アルミニウムのスパッタリングを行うとともに、約４００℃でのシンタリング（熱処理）を施すことによって、ボンディングパッド１６ａ〜１６ｅ、コイルパターン５、カバー３を接合するための接合層２２を形成する。また、一部のボンディングパッド１６ａ〜１６ｅには配線１８に接続するための延長線１９が形成される。しかして、配線１８がボンディングパッド１６ａ〜１６ｅに電気的に接続され、またジャンパ線５ａがコイルパターン５の両端を短絡するように接続される。ボンディングパッド１６ａ〜１６ｅにはボンディングワイヤ２３が接続され、ボンディングワイヤ２３を介して外部回路に接続される。
【００１７】
さらに、アルミニウム薄膜の上を窒化膜またはレジストにより覆い、ウェハの裏面側（図２の下面側）からアルカリ液を用いた異方性エッチングを施すことによって重り部１２の周囲にスリット１４を貫通させるとともに、撓み部１３の厚みを小さくする。アルミニウム薄膜の上に形成された窒化膜またはレジストは異方性エッチングの後に除去される。窒化膜またはレジストの除去には、プラズマアッシャ、バッファフッ酸、有機溶剤などの周知の技術を用いる。以上のようにしてセンサ本体１が形成される。
【００１８】
センサ本体１の形成後にはセンサ本体１の表裏両面にガラス製のカバー２，３を陽極接合により接合すれば、加速度センサが形成されるのである。なお、本実施形態においては、撓み部１３の折損ないし反りを検出するために支持枠１１と重り部１２とに跨る部位を有するように形成した折損検出用配線１８ｂを、ゲージ抵抗１５ａ〜１５ｄとは別に設けているが、従来構成と同様に、撓み部１３に設けたゲージ抵抗１５ａ〜１５ｄと、支持枠１１に設けたボンディングパッド１６ａ〜１６ｅとの間を接続する配線１８の中間部分に支持枠１１と重り部１２とに跨るように延長された折損検出用配線１８ａを形成してもよい。また、配線１８はｐ＋拡散層により形成しているが、アルミニウム薄膜により配線１８の一部を形成してもよい。
【００１９】
しかして、上述のように形成された加速度センサについて、以下の方法を用いて撓み部１３の折損や反りを非接触、非破壊で検出する。加速度センサは、図３に示すように、センサ本体１の主平面が水平になるように配置され、１５０Ｈｚ〜数１０ＭＨｚ程度の高周波電磁界を形成する（つまり、電波を送出する）送信源３１がコイルパターン５の上方に配置されるとともに、送信源３１により形成された高周波電磁界を検出することができる受信器３２がコイルパターン５の下方に配置される。受信器３２においては、送信源３１により形成された高周波電磁界の減衰量を検出する。ここに、送信源３１と受信器３２との間にコイルパターン５が介在していることによって、送信源３１により形成された高周波電磁界の一部はコイルパターン５に渦電流を流し、結果的に渦電流損として消費される。渦電流損の程度は、センサ本体１と送信源３１との位置関係が一定であれば、送信源３１からコイルパターン５までの距離の関数になるから、受信器３２における受信強度によって送信源３１からコイルパターン５までの距離の目安を得ることができる。いま、コイルパターン５の送信源３１側での磁界の強さがＨであり、受信器３２側での磁界の強さがＨ′であったとすれば、渦電流損Ｓは、Ｓ＝２０ｌｏｇ（Ｈ′／Ｈ）［ｄＢ］であるから、送信源３１の出力と受信器３２の受信強度との比を求めると、コイルパターン５での渦電流損の目安を得ることができる。ここに、コイルパターン５に渦電流が形成されやすいように、コイルパターン５を形成している面に磁界を直交させるように送信源３１による高周波電磁界を形成するのが望ましい。送信源３１の構成については後述する。
【００２０】
上述の構成によって、撓み部１３に折損が生じている場合には、折損していない場合と比較すると、重り部１２が重力によって下方に下がることになるから、送信源３１とコイルパターン５との距離が広がり、コイルパターン５に渦電流が流れにくくなる。その結果、撓み部１３に折損を生じていない場合よりも渦電流損が減少することになる。すなわち、送信源３１の出力を一定とすれば、受信器３２での受信強度によって撓み部１３の折損の有無を検出することができる。同様に撓み部１３に反りが発生している場合にも送信源３１と重り部１２との距離が変化するから、受信器３２での受信強度によって反りの発生を検出することが可能になる。
【００２１】
ところで、送信源３１には、図４に示す構造のものを用いることができる。送信源３１は、基本的には高周波信号源３３と電磁界発生用アンテナ３４とにより構成されている。高周波信号源３３は、高周波交流電圧を出力する高周波電源３３ａと、高周波電源３３ａの出力電流を検出する電流検出器３３ｂと、電磁界発生用アンテナ３４に供給する電力を調節する可変抵抗器３３ｃとにより構成される。また、電磁界発生用アンテナ３４は、２枚の導体板を平行に配置した平行平板伝送路３４ａと、平行平板伝送路３４ａを囲む形で巻装した出力コイル３４ｂとにより構成される。高周波電源３３ａの出力は電流検出器３３ｂおよび可変抵抗器３３ｃを介して出力コイル３４ｂに通電され、これによって平行平板伝送路３４ａの長手方向（出力コイル３４ｂの軸方向）に沿って高周波磁界が形成されることになる。図では高周波電界Ｅが横方向に形成され、高周波磁界Ｈが縦方向に形成されている。なお、電磁界発生用アンテナ３４としては必ずしも平行平板伝送路を用いなくてもよく、基本的に広帯域アンテナであれば、長導線アンテナと称する構成を採用してもよい。
【００２２】
（第２の実施の形態）
第１の実施の形態では、送信源３１と受信器３２とを設け、送信源３１により形成した高周波電磁界がコイルパターン５に発生させる渦電流による損失を受信期３２で検出する構成としたが、本実施形態では図５に示すように、コイルパターン５と電磁結合可能な検出コイル４１を設け、検出コイル４１とコイルパターン５との結合係数（すなわち、相互インダクタンス）が検出コイル４１と重り部１２との距離の関数になることを利用して撓み部１３の折損の有無を検出するものである。
【００２３】
検出コイル４１は導線を螺旋状に巻回した通常の構成のものであって、コイルパターン５を形成している面に検出コイル４１の軸方向が直交するように配置される。検出コイル４１に電流を流す電源は直流電源４２であって、この直流電源４２に電流検出器４３および可変抵抗器４４を介して検出コイル４１が接続される。ここに、電流検出器４３および可変抵抗器４４はシンボリックに記載したものであって、実際には電流検出器４３は電流の時間変化を検出して検出コイル４１とコイルパターン５との間の相互インダクタンスに相当する値を求めることができる演算手段を含むものであり、可変抵抗器４４は時間経過に伴って予め設定した変化率で抵抗値を変化させるものを意味する。
【００２４】
この構成において、検出コイル４１に所定の変化率で変化する電流を流すと、検出コイル４１の周囲に発生する磁束がコイルパターン５に鎖交し、かつ磁束密度に変化が生じるから、コイルパターン５にも電圧が誘起される。いま、検出コイル４１に流れる電流をｉとすれば、コイルパターン５に鎖交する磁束ＮＢ×φＢ（ＮＢ：コイルパターン５の巻数、φＢ：コイルパターン５に鎖交する磁束の磁束密度［Ｗｂ／ｍ²］）は電流ｉに比例し、この比例定数が相互インダクタンスＭになる。つまり、
Ｍ×ｉ＝ＮＢ×φＢ
∴Ｍ＝（ＮＢ×φＢ）／ｉ［Ｈ］
となる。このことは、電流検出器４３により電流ｉを検出すれば相互インダクタンスＭを求めることが可能であることを意味している。相互インダクタンスＭは、検出コイル４１とコイルパターン５との距離によって決まり、この距離は撓み部１３が折損している場合には正常な場合よりも大きくなり、相互インダクタンスＭは正常時よりも小さくなる。撓み部１３に反りが生じているときにも検出コイル４１とコイルパターン５との距離が正常時とは異なるから、撓み部１３に反りが生じている場合も異常として検出することができる。
【００２５】
なお、コイルパターン５に流れる自己電流をＩｃ、コイルパターン５のインダクタンスをＬとすれば、次式が成立する。
ＮＢ×φＢ＝Ｌ×Ｉｃ
また、コイルパターン５を図６に示すように全体として正方形に形成し、最外周の幅をＤ_oとし、最内周の幅をＤ_iとすれば、インダクタンスＬは次式で表すことができる。
Ｌ＝ｐ×ａ×ＮＢ^(5/3)ｌｏｇ８（ａ／ｂ）［μＨ］
ただし、ｐ＝０．１２〜０．１５の定数、ａ＝（Ｄ_o＋Ｄ_i）／４、ｂ＝（Ｄ_o−Ｄ_i）／２
【００２６】
【発明の効果】
請求項１の発明によれば、重り部にコイルパターンを形成したことによって、コイルパターンとの間の電磁誘導を利用することによりカバーが存在していても重り部の位置を検出することが可能になり、非接触かつ非破壊な方法で重り部の位置を検出することによって撓み部の折損や反りの状態を検出することが可能になるという利点がある。つまり、従来構成のように撓み部の折損を検出するために通電する必要がなく、またカバーを取り付けた後でも撓み部の反りを検出することが可能になる。このように、Ｐ検の後にＦ検まで待つことなく撓み部の不良を検出することができ、結果的に工程や部材の無駄を低減することができ、ひいてはコストの低減につながる。加えて、１個の加速度センサについて検査回数が多くなるから、加速度センサの信頼性を保証しやすくなるという利点がある。
【００２７】
さらにまた、コイルパターンでの渦電流損を利用して重り部の位置を検出することができ、簡単な装置を用いて撓み部の異常の有無を容易に検出することができるという利点がある。
【００２８】
請求項２の発明は、請求項１の発明と同様に、Ｐ検の後にＦ検まで待つことなく撓み部の不良を検出することができるから、工程や部材の無駄を低減することができ、コストの低減につながるとともに、１個の加速度センサについて検査回数が多くなるから、加速度センサの信頼性を保証しやすくなるという利点がある。加えて、加速度センサの一面側に検出コイルを配置するだけで撓み部の異常の有無を容易に検出することができ、加速度センサの一側に送信源を配置し、他側に受信器を配置するものに比較すると、検査装置に小形のものを用いることが可能になるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態を示す平面図である。
【図２】同上の断面図である。
【図３】同上における検査装置を示す概略構成図である。
【図４】同上に用いる送信源を示す概略構成図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態における検査装置を示す概略構成図である。
【図６】同上におけるコイルパターンの拡大正面図である。
【図７】従来例を示す断面図である。
【図８】同上の平面図である。
【図９】同上の要部拡大平面図である。
【図１０】同上に用いるゲージ抵抗の接続関係を示す回路図である。
【符号の説明】
１センサ本体
２，３カバー
５コイルパターン
５ａジャンパ線
１１支持枠
１１ａ開口窓
１２重り部
１３撓み部
１５ａ〜１５ｄゲージ抵抗
３１送信源
３２受信器
４１検出コイル

Claims

支持枠の表裏に貫通する開口窓内に配置した重り部が可撓性を有する撓み部を介して支持枠に一体に連結され、かつ重り部への加速度の作用により撓み部に生じる応力を検出する歪検出素子が設けられたセンサ本体を有し、支持枠の表裏にそれぞれ前記開口窓を覆う一対のカバーを有し、前記重り部における一方のカバーとの対向面に閉ループであるコイルパターンが形成された加速度センサの検査方法であって、加速度センサに設けた前記コイルパターンに鎖交する高周波の交番磁界を前記支持枠の表裏の一方のカバー側から送信源により形成し、他方のカバー側に配置した受信器での交番磁界の検出強度が規定範囲外であるときに撓み部の異常として検出することを特徴とする加速度センサの検査方法。
支持枠の表裏に貫通する開口窓内に配置した重り部が可撓性を有する撓み部を介して支持枠に一体に連結され、かつ重り部への加速度の作用により撓み部に生じる応力を検出する歪検出素子が設けられたセンサ本体を有し、支持枠の表裏にそれぞれ前記開口窓を覆う一対のカバーを有し、前記重り部における一方のカバーとの対向面に閉ループであるコイルパターンが形成された加速度センサの検査方法であって、加速度センサに設けた前記コイルパターンに電磁結合する程度の距離で対置した検出コイルに通電するとともに、通電電流を時間経過に伴って変化させ、検出コイルに流れる電流のうち検出コイルとコイルパターンとの間の相互インダクタンスを反映する成分が所定範囲外であるときに撓み部の異常として検出することを特徴とする加速度センサの検査方法。