JP3873870B2 - 放熱体 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、大電圧・大電流を制御する半導体装置に用いられる放熱体に係り、特に半導体チップ等の発熱体を搭載している被放熱体に伝わる熱を放散させるのに好適な放熱体に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置としてのパワーモジュールは、一般に、半導体チップがパワーモジュール用基板に搭載され、半導体チップの熱がパワーモジュール用基板に伝達されることから、パワーモジュール用基板に伝わる熱を放熱する必要がある。
このような被放熱体としてのパワーモジュール用基板は、セラミックス材料からなる絶縁基板(セラミックス基板)に金属薄板が直接積層され、この金属薄板に可塑性多孔質金属層を介し、ヒートシンクからなる放熱体が積層接合される。可塑性多孔質金属層は、気孔率20〜50%のCuの多孔質焼結体であって、絶縁基板が、これに搭載されている半導体チップからの熱を受けたとき、その熱変形を吸収する応力緩和層をなし、また、放熱体は、高熱伝導材である純アルミニウム又はアルミニウム合金からなり、半導体チップからの熱を良好に外部に放出できるようになっている。ここで、放熱体が、更に良好な放熱効果を奏するようにして、絶縁基板及び放熱体の反りや割れを確実に防止できる構成を実現するため、放熱体にフィンを設けた構成のものも知られている(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
【特許文献1】
特開平08−335652号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前記従来では、被放熱体としてのパワーモジュール用基板に設けられた可塑性多孔質金属層が、絶縁基板や放熱体の熱変形を吸収するので、絶縁基板と放熱体との熱膨張係数が異なっても、絶縁基板,放熱体に反りや割れが起こることを防止できるようにしているものの、絶縁基板と放熱体との間に可塑性多孔質金属層が介在しているので、その分だけ熱抵抗が上昇して熱伝導率が低下してしまい、そのため、放熱体の放熱効果低下を招いていた。
【0005】
一般に、放熱体は、被放熱体との間で互いに熱膨張係数の異なる材質で構成する場合、両者の熱膨張係数の差による反りを防止するために、両者の熱膨張係数を合わせることが容易に考えられる。この場合、熱膨張係数の低い方(被放熱体)に合わせることになるが、そうすると、反りを低減できる反面、その分だけ熱伝導率が低下して放熱効果の低下をきたしてしまい、反り対策と良好な放熱効果との双方を兼ね備えたものの要請に応えることができない問題があった。
【0006】
この発明は、このような事情を考慮してなされたもので、その目的は、被放熱体と間で熱膨張係数差があっても、これに拘わることなく反りを低減することができると共に、熱伝導率が低下することも抑制することができる放熱体を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、この発明は以下の手段を提案している。
請求項1に係る発明は、被放熱体の熱を放熱させる放熱体であって、前記放熱体は、放熱体本体と、該放熱体本体の熱膨張係数より低い材質からなる複数の低熱膨張材とを備え、前記各低熱膨張材は、一方の面と他方の面とに亘る厚み方向と連絡し、かつ該厚み方向と交差方向で互いに連なる連絡開口部を有して設けられるとともに、該各低熱膨張材の周縁部における対向する一の端部間の曲げ剛性が、他の端部間の曲げ剛性より低く構成され、前記各低熱膨張材は、前記厚み方向に積層して設けられるとともに、積層された前記各低熱膨張材は、一の前記低熱膨張材の前記一の端部間方向が、他の前記低熱膨張材の前記一の端部間方向と交差するように配設され、前記各低熱膨張材は、前記放熱体本体に鋳ぐまれていることを特徴とする。
【0008】
請求項2に係る発明は、請求項1に記載の放熱体において、前記低熱膨張材は、帯状の単位板状体を同列位置で互いに組付けて前記連絡開口部を連続的に有する連鎖状体に形成し、該連鎖状体を同一平面上で複数列設けると共に、互いに隣接する列毎に前記連絡開口部の位置をずらして配設してなることを特徴とする。
【0009】
これらの発明に係る放熱体によれば、放熱体に前記低熱膨張材がその厚み方向に積層して設けられているため、放熱体全体としての熱膨張係数を確実に下げることになる。また、前記低熱膨張材は前記連絡開口部を備え、該連絡開口部を介して放熱体本体に鋳ぐまれているため、低熱膨張材の表裏面に位置する放熱体本体がこの低熱膨張材を介して隔離することを回避し、放熱体本体が前記厚み方向全体に連続する構成となる。従って、放熱体全体としての熱伝導率の低下を確実に抑制することになる。
さらに、各低熱膨張材は、前記厚み方向に積層して設けられるとともに、積層された各低熱膨張材は、一の低熱膨張材の前記一の端部間方向が、他の低熱膨張材の前記一の端部間方向と交差するように配設されているため、前記各低熱膨張材が各々、他の低熱膨張材における曲げ剛性の弱い方向を互いに補強し合うことになる。従って、被放熱体と放熱体とをはんだ等によって接合した際、放熱体に、被放熱体へ向かう反りを発生させる力が作用した場合でも、放熱体の前記一の端部間方向に曲げが発生することを抑制することになる。すなわち、互いに補強し合った前記各低熱膨張材が、放熱体の前記一の端部間方向に発生する曲げに対して抗することになる。
【0010】
請求項3に係る発明は、請求項1又は2に記載の放熱体において、前記放熱体にはフィンが設けられ、該フィンは前記放熱体本体と一体に鋳造成形されていることを特徴とする。
【0011】
この発明に係る放熱体によれば、放熱体がフィンを備えているため、放熱体全体の放熱効果を向上させることになり、さらに、放熱体本体とフィンとは一体成形された鋳造体からなるので、この放熱体を容易に形成できることになる。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照し、この発明の実施の形態について説明する。図1はこの発明の一実施形態に係る放熱体を適用したパワーモジュールを示す全体図である。本実施形態のパワーモジュール10は、図1に示すように、被放熱体としてのパワーモジュール用基板11に放熱体16が接合して構成されている。
【0013】
パワーモジュール用基板11は、例えばAlN,Al2O3,Si3N4,SiC等により所望の大きさに形成された絶縁基板であって、その上面に回路層12が,下面に金属層13が各々積層接合される。回路層12及び金属層13は、純Al,Al合金,Cu等により形成されている。以下、パワーモジュール用基板11を「絶縁基板11」と略称する。
絶縁基板11の回路層12上にはんだ14によって半導体チップ30が搭載される一方、絶縁基板11の下面側,すなわち金属層13の下面にはんだ15によって、或いはろう付けや拡散接合等によって放熱体16が接合され、放熱体16に伝達される熱が外部に放熱されることで、パワーモジュール10が構成されている。
【0014】
ここで、放熱体16は、放熱体本体17と、放熱体本体17の熱膨張係数より低い材質からなる低熱膨張材18と、放熱体本体17の下面に設けられたフィン19とを備え、放熱体本体17とフィン19とは一体成形された鋳造体により形成されている。フィン19は、図1に示すように、放熱体本体17の下面において、一方向に対して所定の間隙を有し複数突出して設けられるとともに、これらが前記一方向に対して直交する方向に各々延在して設けられた複数の壁面体により構成されている。また、低熱膨張材18は、第1の低熱膨張材18aと第2の低熱膨張材18bとを備え、これら各低熱膨張材18a,18bは厚さ方向に積層して設けられている。
ここで、放熱体本体17とフィン19とは、例えば純Al,Al合金,Cu,Cu合金等,好ましくは純度99.5%以上のAl合金のような熱伝導性の良好な材質,いわゆる高熱伝導材によって形成されている。高熱伝導材としては、熱伝導率が例えば、100W/m・K以上,好ましくは150W/m・K以上のものである。
【0015】
一方、第1,第2の低熱膨張材18a,18bは各々、放熱体本体17の熱膨張係数より低い熱膨張係数の材質からなっており、後述するように放熱体本体17の内部に埋設することで、放熱体16全体の熱膨張係数と絶縁基板11の熱膨張係数との差を可及的に近づけさせるためのものであり、Fe―Ni系合金,例えばインバー合金からなり、熱膨張係数がおよそ5×10−6/℃以下である。ここで、インバー合金とは、室温付近でほとんど熱膨張が生じない合金であって、Feが64.6mol%で、Niが35.4mol%の組成率となっている。但し、Fe中には、それ以外の不可避不純物が含まれたものもインバー合金と呼ばれている。
【0016】
このような材質からなる第1,第2の低熱膨張材18a,18bは各々、図2,図3に示すように、絶縁基板11側に位置する一方の面と、フィン19側に位置する他方の面とに亘る厚み方向に連絡すると共に、該厚み方向と交差方向で互いに連なる連絡開口部40を有して設けられ、かつ該連絡開口部40に放熱体本体17が充填されることで、図2に示すように、放熱体本体17に鋳ぐまれる構成となっている。
【0017】
具体的に述べると、第1,第2の低熱膨張材18a,18bは各々、図3に示すように、例えば二枚からなる帯状の単位板状体41,42を前記厚み方向に沿って組付けることで連絡開口部40を連続的に有する連鎖状体43が形成される。ここで、連絡開口部40は、平坦壁41c,41d,42c,42dと、斜面壁41a,41b,42a,42bとで形成された空間となっている。そして、これら連鎖状体43が同一平面上で複数列設けられると共に、連絡開口部40を互いに隣接する列毎に互い違いに配列して形成される。
【0018】
このように形成された第1,第2の低熱膨張材18a,18bは、放熱体16の形成時、放熱体本体17の材料が注入されると、その材料は連絡開口部40内に側方から充填されるとともに、前記厚み方向に流動するため、絶縁基板11側の放熱体本体17とフィン19側の放熱体本体17とは各低熱膨張材18a,18bに隔離されることなく前記厚み方向に連続する構成となる。
【0019】
ここで、各低熱膨張材18a,18bは前述したように構成されているため、図3において、各低熱膨張材18a,18bの周縁部における対向する端部A,B、C,D間の各低熱膨張材18a,18bの曲げ剛性が、他の端部A,B間の曲げ剛性より低い一の端部C,D間を有する,すなわち異方性を有することになる。
【0020】
具体的に述べると、図3において、各低熱膨張材18a,18bの端部A,Bを把持してこれを曲げた際、平坦壁41c,41d,42c,42dには面外変形させようとする力が作用することになり、比較的容易に曲がることになるが、斜面壁41a,41b,42a,42bには若干の面外変形させようとする力が作用するものの、主に面内変形させようとする力が作用することになり、この斜面壁41a,41b,42a,42bが前記曲げに対してはリブとして作用することになり前記曲げに対する剛性を高める構成となっている。
これに対し、各低熱膨張材18a,18bの端部C,Dを把持してこれを曲げた際、平坦壁41c,41d,42c,42d及び斜面壁41a,41b,42a,42bには共に、面外変形させようとする力が主に作用することになる。
以上により、図3に示す各低熱膨張材18a,18bにおいては、端部A,Bを把持してこれを曲げたときの剛性より、端部C,Dを把持して曲げたときの曲げ剛性の方が低いことになる。
【0021】
このように構成された各低熱膨張材18a,18bは、図4に示すように、第1の低熱膨張材18a表面に第2の低熱膨張材18bが積層されるとともに、第1の低熱膨張材18aの端部C,D間方向と、第2の低熱膨張材18bの端部A,B間方向とが、これらの表面に沿った方向において略一致するように配設されている。すなわち、第1の低熱膨張材18aにおいて曲げ剛性が低い端部C,D間方向を、第2の低熱膨張材18bにおいて曲げ剛性が高い端部A,B間方向と略一致させるとともに、逆に、第2の低熱膨張材18bにおいて曲げ剛性が低い端部C,D間方向を、第1の低熱膨張材18bにおいて曲げ剛性が高い端部A,B間方向と略一致させることにより、第1の低熱膨張材18aと第2の低熱膨張材18bとが、互いの曲げ剛性が弱い端部C,D間方向を補強し合う構成となっている。
【0022】
また、第1の低熱膨張材18aと第2の低熱膨張材18bとは、図2に示すように、第2の低熱膨張材18bの各平坦壁41d,42d表面が、第1の低熱膨張材18aの各平坦壁41c,42c表面と当接するように積層された構成となっている。この構成において、各低熱膨張材18a,18bの各連絡開口部40は、図2に示すように、各低熱膨張材18a,18bの各斜面壁41a,41b,42a,42bを介して、積層された各低熱膨張材18a,18bの厚み方向に連絡する構成となっている(矢印F)。すなわち、低熱膨張材18の絶縁基板11側の放熱体本体17と、フィン19側の放熱体本体17とは、前述したように、低熱膨張材18を介して隔離されず厚み方向に連続した構成となっている。
【0023】
以上説明したように、本実施形態によるパワーモジュールによれば、放熱体16に低熱膨張材18が設けられているため、放熱体16全体としての熱膨張係数を確実に下げることができる。また、各低熱膨張材18a,18bは、平坦壁41c,41d,42c,42dと斜面壁41a,41b,42a,42bとにより形成される連絡開口部40を備え、また、各低熱膨張材18a,18bは、第2の低熱膨張材18bの各平坦壁41d,42d表面が、第1の低熱膨張材18aの各平坦壁41c,42c表面と当接するように積層された構成となっているので、全ての連絡開口部40を、低熱膨張材18を介して隔離されず厚さ方向に連続した構成とすることができる。すなわち、例えば第1の低熱膨張材18aの各連絡開口部40を、各低熱膨張材18a,18bの各斜面壁41a,41b,42a,42bを介して、第2の低熱膨張材18bの各連絡開口部40と連絡させる構成を実現することができる。従って、低熱膨張材18の絶縁基板11側の放熱体本体17とフィン側19の放熱体本体17とを低熱膨張材18の厚み方向で連続した構成を実現することができ、放熱体16自体の熱伝導率の低下を抑制することができる。
【0024】
また、放熱体16はフィン19を備えているため、放熱体16全体の放熱効果を向上させることができ、さらに、放熱体本体17とフィン19とは一体成形された鋳造体からなるので、この放熱体16を容易に形成することができる。従って、絶縁基板11と放熱体16とをはんだ等によって接合した場合でも、放熱体16に絶縁基板11に向かう反りが発生することを確実に抑制することができるとともに、放熱体16全体としての熱伝導率が低下することも抑制することができる放熱体16を容易に形成することができる。
【0025】
ここで、各低熱膨張材18a,18bは前述したように、放熱体本体17に鋳ぐるみ易い前述した構成であるため前記効果を奏することができる反面、各低熱膨張材18a,18bの端部C,D間方向の曲げ剛性が、端部A,B間方向の曲げ剛性より低くなる,すなわち異方性を有することになる。しかし、第1の低熱膨張材18aの端部C,D間方向と第2の低熱膨張材18bの端部間A,B方向とが略一致するように各低熱膨張材18a,18bを積層した構成としたため、各低熱膨張材18a,18bが互いに補強し合う構成を実現することができる。これにより、放熱体16全体としての曲げ剛性を全方位について向上させるように均一にすることができ、放熱体16の曲げ剛性の低下を抑制することができる。
【0026】
さらに、各低熱膨張材18a,18bが金属であってかつ相応の熱伝導率を有しているので、絶縁基板11上の半導体チップ30からの発熱が、回路層12,絶縁基板11,金属層13,はんだ15,放熱体16を介して外部に良好に放熱されることになる。すなわち、パワーモジュール10全体としての熱伝導率が低下することを抑制することができ、パワーモジュール10全体としての温度上昇を抑制することができる。この結果、絶縁基板11と放熱体16との熱膨張係数に差があっても、放熱体16の温度上昇を抑制することができるため、放熱体16の反り発生抑制効果を備えた,良好なパワーモジュール10を得ることができる。
【0027】
なお、前述の実施形態では、放熱体本体17に積層された低熱膨張材18として、Fe―Ni系合金を用いた例を示したが、他の低熱膨張材、例えば高炭素鋼(Fe−C)、42合金、モリブデン(Mo)、タングステン(W)等で構成しても、同様の作用効果が得られる。
【0028】
また、放熱体16がパワーモジュール用基板11に取付られた例を示したが、この基板11に限らず、他の発熱体や熱源に取付られる場合にも適用することができ、放熱を必要とする種々の被放熱体に用いられることで実用上有益となる。さらに、放熱体16が取り付けられるパワーモジュール用基板11として、放熱体16側の面に金属層13が設けられた例を示したが、金属層13を設けず絶縁基板11をはんだ15を介して放熱体16に直接接合しても、同様の作用効果が得られる。
【0029】
さらにまた、前述した低熱膨張材18に替えて、いわゆるコルゲートルーバ,斜面壁41a,41b,42a,42bのみにより断面矩形に形成された連絡開口部40を有するエキスパンド構造,若しくは前記実施形態のいわゆる,ハニカム構造を一層設けたもの,又は前記構造のうちの一つを複数積層させた構成としてもよい。
【0030】
また、第1の低熱膨張材18aと第2の低熱膨張材18bとを、これらの板面に沿った方向に対して各々が約90°ずれるようにして、第1の低熱膨張材18aの端部C,D間方向と、第2の低熱膨張材18bの端部A,B間方向とが、板面に沿った方向において略一致するようにして積層した構成を示したが、これに限らず、第1の低熱膨張材18aの端部C,D間方向と第2の低熱膨張材18bの端部C,D間方向とが一致していない構成であればよい。
【0031】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明に係る放熱体によれば、放熱体全体としての熱膨張係数を確実に下げることができるとともに、熱伝導率の低下を抑制することができる。また、放熱体全体としての曲げ剛性を全方位について向上させるように均一にすることができ、この曲げ剛性の低下を抑制することができる。
【0032】
また、放熱体がフィンを備えているため、放熱体全体の放熱効果を向上させることができ、さらに、放熱体本体とフィンとは一体成形された鋳造体からなるので、この放熱体を容易に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施形態に係る放熱体を適用したパワーモジュールを示す全体図である。
【図2】 図1に示す放熱体の拡大断面側面図,及び図4のX−X線矢視断面図である。
【図3】 図1,図2に示す第1,第2の低熱膨張材の要部を示す拡大斜視図である。
【図4】 図1から図3に示す第1,第2の低熱膨張材を積層した際の板面に沿った方向に対する配設位置を説明するための拡大斜視展開図である。
【符号の説明】
10 パワーモジュール
11 パワーモジュール用基板(絶縁基板)
16 放熱体
17 放熱体本体(高熱伝導材)
18a 低熱膨張材
18b 低熱膨張材
19 フィン
30 半導体チップ(チップ)
40 連絡開口部
41,42 板状体
43 連鎖状体
A,B 低熱膨張材の他の端部
C,D 低熱膨張材のの一の端部
Claims (3)
- 被放熱体の熱を放熱させる放熱体であって、
前記放熱体は、放熱体本体と、該放熱体本体の熱膨張係数より低い材質からなる複数の低熱膨張材とを備え、
前記各低熱膨張材は、一方の面と他方の面とに亘る厚み方向と連絡し、かつ該厚み方向と交差方向で互いに連なる連絡開口部を有して設けられるとともに、該各低熱膨張材の周縁部における対向する一の端部間の曲げ剛性が、他の端部間の曲げ剛性より低く構成され、
前記各低熱膨張材は、前記厚み方向に積層して設けられるとともに、積層された前記各低熱膨張材は、一の前記低熱膨張材の前記一の端部間方向が、他の前記低熱膨張材の前記一の端部間方向と交差するように配設され、
前記各低熱膨張材は、前記放熱体本体に鋳ぐまれていることを特徴とする放熱体。 - 請求項1に記載の放熱体において、
前記低熱膨張材は、帯状の単位板状体を同列位置で互いに組付けて前記連絡開口部を連続的に有する連鎖状体に形成し、該連鎖状体を同一平面上で複数列設けると共に、互いに隣接する列毎に前記連絡開口部の位置をずらして配設してなることを特徴とする放熱体。 - 請求項1又は2に記載の放熱体において、
前記放熱体にはフィンが設けられ、該フィンは前記放熱体本体と一体に鋳造成形されていることを特徴とする放熱体。
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