JP3867522B2

JP3867522B2 - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

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Publication number: JP3867522B2
Application number: JP2001193792A
Authority: JP
Inventors: 俊幸牧田; 浩史山中; 靖孝宮田; 貴志長谷川
Original assignee: Matsushita Electric Works Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 2001-06-26
Filing date: 2001-06-26
Publication date: 2007-01-10
Anticipated expiration: 2021-06-26
Also published as: JP2003012888A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップを封止するために用いられるエポキシ樹脂組成物、及びこのエポキシ樹脂組成物を用いた半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
移動体通信用途の高周波部品を製造するにあたっては、近年において高密度実装化が進んでいる。例えば、ベアチップやチップコンデンサ等の複数個の半導体チップを、高密度に１つのセラミック基板等の基板に搭載すると共に、それぞれ半田付けで結線することによって半導体装置を製造し、この半導体装置を１つのモジュールとして扱い、これを本基板であるマザーボードに接続することが行われている。そして、上記の半導体装置を製造する際には、半導体チップを外部環境から保護するために、これまでは金属によるハーメチックシール（気密封止）が主として行われてきており、現在も多用されている。
【０００３】
しかし、ハーメチックシールでは半導体装置を薄型にしたり小型にしたりするのが困難であり、このため現在では、半導体装置の薄型化や小型化に容易に対応できる樹脂封止が主流となっている。しかもこの樹脂封止は、ハーメチックシールと比較して、生産性に優れると共にコスト的にも有利であるという利点を有している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、従来からある封止材料を用いて、図２（ａ）に示すように樹脂封止した半導体装置１にあっては、これをマザーボード（図示省略）に接続する際に、以下のような問題が生じるものであった。すなわち、上記の半導体装置１とマザーボードとは、通常リフロー半田付けによって接続されるものであり、この工程において、両者は半田の溶融温度以上の温度環境下に晒されることになる。すると、両者を接続するための半田が溶融するに従い、半導体装置１内部において半導体チップ４と基板３とを接合していた半田５も再び溶融することになる。このとき図２（ａ）に示すように、半田５が熱膨張を起こし、これによって矢印に示すような応力が発生するが、樹脂封止されていると、半田５の大部分が封止樹脂２で覆われているので、応力の逃げ場を十分に確保することができなくなる。このため熱膨張した半田５が、図２（ｂ）に示すように、半導体チップ４と基板３との間の隙間６や半導体チップ４と封止樹脂２との界面に無理に浸入することになり、最終的にショートを発生させるおそれがあるという問題があった。この問題は例えば、半導体装置１の信頼性試験において、前処理として吸湿処理を行った後、リフロー半田付けの工程を３回繰り返す際に発生している。
【０００５】
一方、上記のような問題は、半導体装置を樹脂によって封止することのない、ハーメチックシール等の封止では生じないものである。
【０００６】
さらに、最近では環境問題に配慮して、半田としては、いわゆるＰｂフリー半田が多用されているが、この半田は従来よりも溶融温度が高いものであるため、リフロー半田付け時におけるピーク温度が２６０℃程度まで上昇する傾向にあり、なおさら、樹脂封止した半導体装置が上記のようにしてショートを引き起こす可能性が高まるものである。
【０００７】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、薄型化や小型化に適し、生産性にも優れた樹脂封止を行うにあたって、半田が再溶融しても、最終的にショートを発生させないようにすることができるエポキシ樹脂組成物及び半導体装置を提供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に係るエポキシ樹脂組成物は、基板３に搭載されると共に半田５で結線される半導体チップ４を封止するためのエポキシ樹脂組成物であって、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、シリコーン成分、無機フィラーを必須成分とするエポキシ樹脂組成物において、ＪＩＳＫ６９１１に基いて測定される硬化物の曲げ弾性率が０．５〜３．０ＧＰａであることを特徴とするものである。
また請求項１の発明は、無機フィラーとして、平均粒径が１〜２０μｍ、かつ無機フィラー全量に対して９８質量％以上のものが粒径５０μｍ以下であるものを用いて成ることを特徴とするものである。
【０００９】
また請求項１の発明は、ＪＩＳＫ６９１１に基いて測定される硬化物の曲げ強度が２０〜５０ＭＰａであることを特徴とするものである。
【００１０】
また請求項１の発明は、硬化物のガラス転移温度が１００〜１５０℃であることを特徴とするものである。
また請求項１の発明は、ガラス転移温度以下の温度における硬化物の線膨張係数が２５〜８０ｐｐｍであることを特徴とするものである。
【００１１】
また請求項２の発明は、請求項１において、シリコーン成分をエポキシ樹脂組成物全量に対して２０〜６０質量％含有して成ることを特徴とするものである。
【００１２】
また請求項３の発明は、請求項１又は２において、シリコーン成分として、平均粒径が０．５〜３０μｍ、かつ最大粒径が５０μｍ以下であるものを用いて成ることを特徴とするものである。
【００１５】
また請求項４の発明は、請求項１乃至３のいずれかにおいて、エポキシ樹脂として、ナフタレン骨格型エポキシ樹脂とビフェニル骨格型エポキシ樹脂のうち少なくとも一方をエポキシ樹脂全量に対して５〜８０質量％含有するものを用いて成ることを特徴とするものである。
【００１６】
また請求項５の発明は、請求項１乃至４のいずれかにおいて、硬化促進剤として、イミダゾール類をエポキシ樹脂全量に対して０．２〜５質量％含有するものを用いて成ることを特徴とするものである。
【００１７】
また請求項６に係る半導体装置は、基板３に搭載されると共に半田５で結線される半導体チップ４を請求項１乃至５のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物で封止して成ることを特徴とするものである。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
【００１９】
本発明に係るエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、シリコーン成分、無機フィラーを必須成分とするものであり、まずこれらの成分について説明する。
【００２０】
本発明においてエポキシ樹脂としては、特に限定されるものではないが、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂やビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等を用いることができる。そして、エポキシ樹脂の配合量は、エポキシ樹脂組成物全量に対して１０〜２０質量％であるのが好ましく、特にこのとき、ナフタレン骨格型エポキシ樹脂とビフェニル骨格型エポキシ樹脂のうち少なくとも一方をエポキシ樹脂全量に対して５〜８０質量％含有しておくのが好ましい。このようにしておくと、エポキシ樹脂組成物の硬化物の曲げ弾性率、曲げ強度、及びガラス転移温度のそれぞれを、後述する範囲内に設定するのが容易となり、しかもガラス転移温度に関しては、この範囲内において、より高い値を得ることができるものである。しかし、上記のナフタレン骨格型エポキシ樹脂やビフェニル骨格型エポキシ樹脂の配合量がエポキシ樹脂全量に対して５質量％未満であると、ガラス転移温度を高めたり、所望の範囲内に設定したりするのが困難となり、硬化物として十分な機械的強度を得ることができないおそれがあり、逆に８０質量％を超えると、エポキシ樹脂組成物の粘度が大幅に上昇し、作業性を損なうおそれがある。
【００２１】
また硬化剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、４−メチルヘキサヒドロフタル酸等の酸無水物を用いることができる。そして、硬化剤の配合量は、エポキシ樹脂組成物全量に対して７〜１７質量％であるのが好ましい。
【００２２】
また硬化促進剤としては、特に限定されるものではないが、イミダゾール類を用い、このイミダゾール類をエポキシ樹脂全量に対して０．２〜５質量％含有しておくのが好ましい。このようにしておくと、エポキシ樹脂組成物の硬化物の曲げ弾性率、曲げ強度、ガラス転移温度、及びガラス転移温度以下の温度における線膨張係数のそれぞれを、後述する範囲内に設定するのが容易となるものである。そしてこの際、特に１００〜１５０℃で１〜３時間程度の加熱によって、エポキシ樹脂組成物を硬化させると、上記の各硬化物特性を所望の範囲に設定するのが、より容易となる。しかし、イミダゾール類の配合量がエポキシ樹脂全量に対して０．２質量％未満であったり、逆に５質量％を超えたりすると、上記の各硬化物特性を所望の範囲に設定するのが困難となるおそれがある。
【００２３】
またシリコーン成分としては、特に限定されるものではないが、例えば、シリコーンパウダーを用いることができる。そしてシリコーン成分は、エポキシ樹脂組成物全量に対して２０〜６０質量％含有しておくのが好ましい。このようにしておくと、エポキシ樹脂組成物の硬化物の曲げ弾性率、曲げ強度、及びガラス転移温度のそれぞれを、後述する範囲内に設定するのが容易となるものである。しかし、シリコーン成分が２０質量％未満であると、エポキシ樹脂組成物の硬化物の曲げ弾性率が後述する範囲よりも高くなり、本発明の課題を解決することができなくなるおそれがあり、逆に６０質量％を超えると、エポキシ樹脂組成物の硬化物の曲げ強度を後述する範囲内に収めるのが困難となり、半田の熱膨張による応力や、吸湿処理によって吸収された水分が気化膨張する際の応力を十分に緩衝することができず、硬化物にクラックが発生するおそれがある。
【００２４】
さらにシリコーン成分としては、平均粒径が０．５〜３０μｍ、かつ最大粒径が５０μｍ以下であるものを用いるのが好ましい。かかるシリコーン成分を用いると、エポキシ樹脂組成物の硬化物の曲げ弾性率を、後述する範囲内に設定しつつ、硬化物にクラックが発生するのを防止することができる程度の曲げ強度を確保することができるものである。より好ましい平均粒径は０．５〜１０μｍである。しかし、平均粒径が０．５μｍ未満であると、エポキシ樹脂組成物の粘度が上昇し、封止作業が非常に困難になるおそれがある。逆に平均粒径が３０μｍを超えると、シリコーン成分の配合量を上述の範囲に設定することによって、硬化物の曲げ弾性率を後述する範囲内に設定できたとしても、硬化物の曲げ強度は、後述する範囲内に収めるのが困難となり、半田の熱膨張による応力や、吸湿処理によって吸収された水分が気化膨張する際の応力を十分に緩衝することができず、硬化物にクラックが発生するおそれがある。また、最大粒径が５０μｍを超えると、上記のようなクラックの現象を起こす起点となり、好ましくない。
【００２５】
また無機フィラーとしては、例えば、溶融シリカを用いることができる。そして無機フィラーとしては、平均粒径が１〜２０μｍ、かつ無機フィラー全量に対して９８質量％以上のものが粒径５０μｍ以下であるものを用いる。より好ましくは、平均粒径が１〜１０μｍ、かつ無機フィラー全量に対して９８質量％以上のものが粒径３０μｍ以下であるものを用いることである。かかる無機フィラーを用いると、１つのモジュールとしての半導体装置において、半導体チップと基板との間の狭い隙間にエポキシ樹脂組成物が浸入し易くなり、空隙がすべてこのエポキシ樹脂組成物で充填され、再溶融した半田が浸入する余地を無くすことができ、最終的にショートを防止するのが可能となるものである。しかし、平均粒径が１μｍ未満であると、エポキシ樹脂組成物の粘度が大幅に上昇し、作業性を損なうおそれがあり、逆に平均粒径が２０μｍを超えると、半導体チップと基板との間の狭小な空間に、エポキシ樹脂組成物を十分に充填することができないおそれがある。なお、無機フィラーの配合量は、エポキシ樹脂組成物全量に対して１０〜７５質量％であるのが好ましい。
【００２６】
そして、上記のエポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、シリコーン成分、無機フィラーを配合し、これをミキサーやブレンダー等で均一に混合した後、ニーダーやロールで加熱混練することによって、エポキシ樹脂組成物を調製することができる。このようにして調製したエポキシ樹脂組成物は通常液状であって、そのまま用いることができるが、さらに適当な有機溶媒を加えて希釈することによって、ワニスにすることもできる。
【００２７】
この後、上記のようにして調製したエポキシ樹脂組成物を用いて半導体チップを封止することによって、半導体装置を製造することができる。例えば、図１に示すように、基板３の上にベアチップやチップコンデンサ等の半導体チップ４を搭載すると共に半田５で結線し、この上にエポキシ樹脂組成物をポッティング等で封止成形することによって、半導体チップ４をエポキシ樹脂組成物からなる封止樹脂２で封止した半導体装置１を製造することができるものである。図１に示す半導体装置１は、基板３の片面を封止したタイプのものであるが、これに限定されるものではない。
【００２８】
このようにして製造された半導体装置１にあって、本発明では封止樹脂２であるエポキシ樹脂組成物の硬化物について、ＪＩＳＫ６９１１に基いて測定される曲げ弾性率は０．５〜３．０ＧＰａである。好ましくは０．５〜２．０ＧＰａであり、より好ましくは０．５〜１．３ＧＰａである。封止樹脂２の曲げ弾性率が上記のような範囲にあると、リフロー半田付けによって半導体装置１をマザーボード（図示省略）に接続するにあたって、半導体装置１の内部にある半田５が再溶融して熱膨張し、図２（ａ）の矢印で示すような、半田５からその周囲に向かって応力が発生しても、半田５の大部分を覆っている封止樹脂２がこの応力を緩衝することになり、半田５が無理に半導体チップ４と基板３との間の隙間６に浸入したり、半導体チップ４と封止樹脂２との界面に浸入したりするのを防止することができるものである。このため、半導体装置１の内部にある半田５は、再溶融しても、初めの位置に存在し続け、不要な箇所へ移動することがなくなり、最終的にショートを起こすことがなくなるものである。しかし、封止樹脂２であるエポキシ樹脂組成物の硬化物の曲げ弾性率が０．５ＧＰａ未満であると、室温近辺での実使用環境下においても機械的強度を得ることができず、損傷を受け易くなるものであり、逆に曲げ弾性率が３．０ＧＰａを超えると、半田５の熱膨張による応力を吸収することができず、リフロー加熱を繰り返すたびに図２（ｂ）に示すように、溶融した半田５が無理に半導体チップ４と基板３との間の隙間６に浸入したり、半導体チップ４と封止樹脂２との界面に浸入したりして拡がり、半導体チップ４と基板３とを複数箇所で電気的に接合していた半田５同士が結合し、最終的にショートを引き起こすものである。
【００２９】
また、封止樹脂２であるエポキシ樹脂組成物の硬化物について、ＪＩＳＫ６９１１に基いて測定される曲げ強度は２０〜５０ＭＰａである。封止樹脂２の曲げ強度がこのような範囲にあると、半導体装置１において、半田５の熱膨張による応力や、吸湿処理によって吸収された水分が気化膨脹する際の応力に抵抗することができ、クラックが発生するのを防止することができるものである。しかし、封止樹脂２であるエポキシ樹脂組成物の硬化物の曲げ強度が２０ＭＰａ未満であると、上記のような効果を十分に得ることができないおそれがあり、逆に５０ＭＰａを超えると、エポキシ樹脂組成物の硬化物の曲げ弾性率が高くなりやすく、後述する範囲内に収めるのが困難となるおそれがある。
【００３０】
また、封止樹脂２であるエポキシ樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度は１００〜１５０℃である。封止樹脂２のガラス転移温度がこのような範囲にあると、この封止樹脂２は、室温近辺での実使用環境下においてはガラス状領域にあって、機械的強度を十分に確保することができるのはもちろん、温度サイクル試験においても高い信頼性を得ることができるものである。しかし、封止樹脂２であるエポキシ樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度が１００℃未満であると、ガラス状領域からゴム状領域に近くなって、十分な機械的強度を得ることができなくなるおそれがあり、逆に１５０℃を超えると、高い硬度を得ることはできるが、十分な靭性を得るのが困難となり、脆弱になるおそれがある。
【００３１】
さらに、ガラス転移温度以下の温度における、封止樹脂２であるエポキシ樹脂組成物の硬化物の線膨張係数は２５〜８０ｐｐｍである。その理由は、エポキシ樹脂組成物の硬化物の曲げ弾性率、曲げ強度、及びガラス転移温度のそれぞれを、上述した範囲内に設定するのが容易となるためであり、結果としてショートやクラックの発生を防止することができるためである。しかし、エポキシ樹脂組成物において無機フィラーの比率を増量するなどして、上記の線膨張係数を２５ｐｐｍ未満にすると、エポキシ樹脂組成物の硬化物の曲げ弾性率が後述する範囲よりも高くなり、本発明の課題を解決することができなくなるおそれがある。逆に上記の線膨張係数が８０ｐｐｍを超えると、半導体装置１において、封止樹脂２が半導体チップ４や基板３から剥離し易くなり、リフロー加熱等によって再溶融した半田５が浸入する空隙を生じさせるおそれがある。
【００３２】
【実施例】
以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。
【００３３】
（実施例１〜３及び比較例１〜４）
エポキシ樹脂として、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂である油化シェルエポキシ（株）製「エピコート８２８」（エポキシ当量１８９）、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂である油化シェルエポキシ（株）製「エピコート８０７」（エポキシ当量１６９）、ナフタレン骨格型エポキシ樹脂である大日本インキ化学工業（株）製「ＨＰ４０３２Ｄ」、ビフェニル骨格型エポキシ樹脂である油化シェルエポキシ（株）製「ＹＸ４０００Ｆ」を用いた。
【００３４】
また硬化剤として、下記の式（Ａ）で示される酸無水物、すなわち４−メチルヘキサヒドロフタル酸である新日本理化（株）製「ＭＨ−７００」（水酸基当量１６６）の酸無水物を用いた。
【００３５】
【化１】

【００３６】
また硬化促進剤として、イミダゾール類である旭化成エポキシ（株）製「ＨＸ−３０８８」を用いた。
【００３７】
またシリコーン成分として、シリコーンパウダーである東レダウコーニングシリコーン（株）製「トレフィルＥ６０１」（平均粒径５μｍ、最大粒径１０μｍ）を用いた。
【００３８】
また無機フィラーとして、溶融シリカである（株）トクヤマ製「ＳＥ１５」（平均粒径１５μｍ、９８質量％以上のものが粒径４５μｍ以下）を用いた。
【００３９】
そして、各成分を表１に示す配合量で配合し、これをミキサーで１２０分間混合して均一化した後、三本ロールで混練させて、エポキシ樹脂組成物からなる液状の成形材料を調製した。その後、この成形材料について以下のような測定を行った。
【００４０】
（曲げ弾性率）
曲げ弾性率の測定は、ＪＩＳＫ６９１１に基いて行った。
【００４１】
（曲げ強度）
曲げ強度の測定は、ＪＩＳＫ６９１１に基いて行った。
【００４２】
（ガラス転移温度）
ガラス転移温度の測定は、ディラトメータ法に基いて行った。
【００４３】
（線膨張係数）
ガラス転移温度以下の温度における線膨張係数の測定は、ディラトメータ法に基いて行った。
【００４４】
（吸湿処理後のリフロー評価）
実装部品が半田接続されて搭載された半導体装置（セラミック基板、１０ｍｍ×１３ｍｍ）を、上記のようにして得た液状の成形材料を用いて封止し硬化させた。次に、この封止した半導体装置を温度８５℃、湿度６０％の雰囲気下で１６８時間吸湿処理した後、リフロー加熱（ピーク温度２６０℃）を３回繰り返した。その後、外観検査によりクラックの有無を、電気導通検査によりショートの有無を確認し、ショートやクラック等の不良モードがみられなかったものを「○」、みられたものを「×」と判定した。また、それぞれの不良モードの発生率（％）を表１の吸湿処理後のリフロー評価の欄に示す。なお、上記の試験は、JEDEC STANDARD Test Method A112-A Moisture-Induced Stress Sensitivity for Plastic Surface Mount Deviceに基いて行ったものである。
【００４５】
【表１】

【００４６】
表１にみられるように、各実施例のものはいずれもショート及びクラックの発生率が０％であって、不良モードがみられないことが確認される。
【００４７】
これに対し、比較例１及び２のものは封止樹脂の曲げ弾性率が大きすぎて、半田の熱膨張による応力を十分に吸収することができず、ショートが発生したことが確認され、また比較例３のものは封止樹脂の曲げ弾性率及び曲げ強度が小さすぎて、十分な機械的強度を得ることができず、クラックが発生したことが確認される。
【００４８】
【発明の効果】
上記のように本発明の請求項１に係るエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、シリコーン成分、無機フィラーを必須成分とするエポキシ樹脂組成物において、ＪＩＳＫ６９１１に基いて測定される硬化物の曲げ弾性率が０．５〜３．０ＧＰａであるので、リフロー加熱で半導体装置内の半田が再溶融し応力が発生しても、半田の周囲にある硬化物がこの応力を緩衝し、半田が不要な箇所へ移動するのを阻止してショートの発生を防止することができるものである。
また請求項１の発明は、無機フィラーとして、平均粒径が１〜２０μｍ、かつ無機フィラー全量に対して９８質量％以上のものが粒径５０μｍ以下であるものを用いているので、半導体装置において、半導体チップと基板との間の狭い隙間にエポキシ樹脂組成物が浸入し易くなり、空隙がすべてこのエポキシ樹脂組成物で充填され、再溶融した半田が浸入する余地を無くすことができ、最終的にショートが発生するのを防止することができるものである。
【００４９】
また請求項１の発明は、ＪＩＳＫ６９１１に基いて測定される硬化物の曲げ強度が２０〜５０ＭＰａであるので、半田の熱膨張による応力や水分の気化膨張による応力に抵抗して、クラックが発生するのを防止することができるものである。
【００５０】
また請求項１の発明は、硬化物のガラス転移温度が１００〜１５０℃であるので、室温近辺での実使用環境下において機械的強度を確保することができると共に、温度サイクル試験においても高い信頼性を得ることができるものである。
また請求項１の発明は、ガラス転移温度以下の温度における硬化物の線膨張係数が２５〜８０ｐｐｍであるので、硬化物の曲げ弾性率、曲げ強度、及びガラス転移温度のそれぞれを、上述した範囲内に設定するのが容易となり、結果としてショートやクラックの発生を防止することができるものである。
【００５１】
また請求項２の発明は、シリコーン成分をエポキシ樹脂組成物全量に対して２０〜６０質量％含有しているので、硬化物の曲げ弾性率、曲げ強度、及びガラス転移温度のそれぞれを、上述した範囲内に設定するのが容易となり、結果としてショートの発生を防止することができるものである。
【００５２】
また請求項３の発明は、シリコーン成分として、平均粒径が０．５〜３０μｍ、かつ最大粒径が５０μｍ以下であるものを用いているので、硬化物の曲げ弾性率を上述した範囲内に設定しつつ、硬化物にクラックが発生するのを防止することができる程度の曲げ強度を確保することができるものである。
【００５５】
また請求項４の発明は、エポキシ樹脂として、ナフタレン骨格型エポキシ樹脂とビフェニル骨格型エポキシ樹脂のうち少なくとも一方をエポキシ樹脂全量に対して５〜８０質量％含有するものを用いているので、硬化物の曲げ弾性率、曲げ強度、及びガラス転移温度のそれぞれを、上述した範囲内に設定するのが容易となり、結果としてショートやクラックの発生を防止することができるものであり、しかもガラス転移温度に関しては、この範囲内において、より高い値を得ることができるものである。
【００５６】
また請求項５の発明は、硬化促進剤として、イミダゾール類をエポキシ樹脂全量に対して０．２〜５質量％含有するものを用いているので、硬化物の曲げ弾性率、曲げ強度、ガラス転移温度、及びガラス転移温度以下の温度における線膨張係数のそれぞれを、上述した範囲内に設定するのが容易となり、結果としてショートやクラックの発生を防止することができるものである。
【００５７】
また請求項６に係る半導体装置は、請求項１乃至５のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物で半導体チップを封止しているので、リフロー加熱で半導体装置内の半田が再溶融し応力が発生しても、半田の周囲にある硬化物がこの応力を緩衝し、半田が不要な箇所へ移動するのを阻止してショートの発生を防止することができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】従来例を示すものであり、（ａ）及び（ｂ）は断面図である。
【符号の説明】
１半導体装置
４半導体チップ

Claims

基板に搭載されると共に半田で結線される半導体チップを封止するためのエポキシ樹脂組成物であって、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、シリコーン成分、無機フィラーを必須成分とするエポキシ樹脂組成物において、無機フィラーとして、平均粒径が１〜２０μｍ、かつ無機フィラー全量に対して９８質量％以上のものが粒径５０μｍ以下であるものを用いると共に、ＪＩＳＫ６９１１に基いて測定される硬化物の曲げ弾性率が０．５〜３．０ＧＰａであり、ＪＩＳＫ６９１１に基いて測定される硬化物の曲げ強度が２０〜５０ＭＰａであり、硬化物のガラス転移温度が１００〜１５０℃であり、ガラス転移温度以下の温度における硬化物の線膨張係数が２５〜８０ｐｐｍであることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
シリコーン成分をエポキシ樹脂組成物全量に対して２０〜６０質量％含有して成ることを特徴とする請求項１に記載のエポキシ樹脂組成物。
シリコーン成分として、平均粒径が０．５〜３０μｍ、かつ最大粒径が５０μｍ以下であるものを用いて成ることを特徴とする請求項１又は２に記載のエポキシ樹脂組成物。
エポキシ樹脂として、ナフタレン骨格型エポキシ樹脂とビフェニル骨格型エポキシ樹脂のうち少なくとも一方をエポキシ樹脂全量に対して５〜８０質量％含有するものを用いて成ることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。
硬化促進剤として、イミダゾール類をエポキシ樹脂全量に対して０．２〜５質量％含有するものを用いて成ることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。
基板に搭載されると共に半田で結線される半導体チップを請求項１乃至５のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物で封止して成ることを特徴とする半導体装置。