JP3859451B2 - Electroplating apparatus and electroplating method for film carrier tape for electronic mounting parts - Google Patents

Electroplating apparatus and electroplating method for film carrier tape for electronic mounting parts Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、長尺のフィルム状導体上に電気メッキを施す電気メッキ装置及びメッキ方法に関し、具体的には、電子部品実装用フィルムキャリアテープ(TAB(Tape Automated Bonding)テープ、T−BGA(Tape Ball Grid Array)テープ、テープCSP(Chip Size Package)、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)テープなど)(以下、単に「電子部品実装用フィルムキャリアテープ」という)を形成する電気メッキ装置及びメッキ方法に関する。
【0002】
【従来技術】
エレクトロニクス産業の発達に伴い、IC(集積回路)、LSI(大規模集積回路)等の電子部品を実装するプリント配線板の需要が急激に増加しているが、電子機器の小型化、軽量化、高機能化が要望され、これら電子部品の実装方法として、最近ではTABテープ、T−BGAテープおよびASICテープ等を用いた実装方式が採用されている。特に、パーソナルコンピュータなどのように、高精細化、薄型化、液晶画面の額縁面積の狭小化が要望されている液晶表示素子(LCD)を使用する電子産業においてその重要性が高まっている。
【0003】
このようなTABテープを製造するために用いられる基板には、例えば、連続した絶縁フィルム上に極めて薄い導電層を、金属箔を接着又は導電層をスパッタリングや真空蒸着法あるいは無電解メッキにより設け、この導電層を所定形状にパターニングしたものに電気メッキを施すことにより所定の厚みで配線パターンを形成した基板である。
【0004】
この電気メッキ工程では、導電層が所定形状で設けられた絶縁フィルムをリール・ツー・リール方式で搬送し、メッキ槽外でカソードとしての給電ローラと接触させて給電しながらメッキ槽のメッキ液内でアノードにより導電層上にメッキ層を形成する連続電気メッキ装置が用いられている。
【0005】
この連続メッキ装置によれば、導電層の設けられた絶縁フィルムに電気メッキを連続して施すことができる。
【0006】
また、このような連続電気メッキ装置では、速いスピードでメッキ層を厚く形成したいと強く望まれている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
このように、TABテープを高速で形成するには、絶縁フィルムを浸漬するメッキ槽の長さを長くする必要がある。
【0008】
しかしながら、メッキ槽の長さを長くするとメッキ槽の両端外側にメッキリードに接触するように設けられた一対のカソードによる給電の電流をメッキ槽の長さに比例して大きくしなくてはならない。そのため、焼けメッキとなってしまったり、メッキリードの電気抵抗の差が大きくなり一定以上の電流密度を確保できずに部分的にメッキ層が形成されないという問題がある。
【0009】
本発明はこのような事情に鑑み、メッキリードの電気抵抗の差を小さくして、焼けメッキや歩留まりを減少させた電気メッキ装置及びメッキ方法を提供することを課題とする。
【0010】
【発明が解決するための手段】
上記課題を解決する本発明の第1の態様は、表面に導電層からなる配線パターンが設けられた連続する絶縁フィルムをメッキ槽に保持したメッキ液に浸漬させた状態で当該メッキ槽の長手方向に沿って搬送しながら前記導電層上にメッキを施して電子部品実装用フィルムキャリアテープとする電気メッキ装置において、前記メッキ槽内に設けられて前記絶縁フィルムの表面から所定間隔で対向するように配置されたアノードと、前記メッキ槽の長手方向両端外側に設けられて前記絶縁フィルム上に設けられた前記導電層に接触して給電する一対のカソードと、前記メッキ槽の長手方向の少なくとも中央部の上方に前記メッキ液に浸漬しないように設けられて前記メッキ液より露出した前記導電層の一部に接触して給電する中間カソードとを有することを特徴とする電気メッキ装置にある。
【0011】
かかる第1の態様では、カソードと中間カソードとから給電することにより、メッキ液に浸漬した導電層の電気抵抗の長手方向に亘った差を減少させることができ、全ての領域で一定以上の電流密度を確保することができる。これにより、低電流で確実に給電することができる。
【0012】
本発明の第2の態様は、第1の態様において、前記絶縁フィルムには配線パターンと連続して幅方向端部に沿ってメッキリードが前記導電層により形成されており、前記中間カソードは前記メッキリードに接触するように設けられていることを特徴とする電気メッキ装置にある。
【0013】
かかる第2の態様では、中間カソードとメッキリードとを接触することにより、中間カソードからメッキ液に浸漬した導電層の中央部に確実に給電することができる。
【0014】
本発明の第3の態様は、第2の態様において、前記絶縁フィルムは前記メッキ槽の長手方向の少なくとも中央部にて前記メッキリードの一部が前記メッキ液の液面から露出するように搬送されることを特徴とする電気メッキ装置にある。
【0015】
かかる第3の態様では、中央部にて確実に導電層に給電することができるので、安定したメッキ層が形成できる。
【0016】
本発明の第4の態様は、第1又は2の態様において、前記中間カソードが、所定間隔で複数設けられていることを特徴とする電気メッキ装置にある。
【0017】
かかる第4の態様では、複数の中間カソードによりメッキ液に浸漬した導電層の電気抵抗の長手方向の差を確実に減少させて、小電流で給電することができる。
【0018】
本発明の第5の態様は、第1〜4の何れかの態様において、前記中間カソードが回転自在に設けられたコンタクトロールであることを特徴とする電気メッキ装置にある。
【0019】
かかる第5の態様では、コンタクトロールで確実且つ容易に給電することができる。
【0020】
本発明の第6の態様は、表面に導電層からなる配線パターンが設けられた連続する絶縁フィルムをメッキ槽に保持したメッキ液に浸漬させ、前記メッキ槽に設けられたアノードと前記メッキ液に浸漬された導電層に接触するカソードとの間に電圧を印加した状態で当該メッキ槽の長手方向に沿って搬送しながら前記導電層上にメッキを施して電子部品実装用フィルムキャリアテープとするメッキ方法において、前記メッキ槽の長手方向両端部の外側に設けられたカソードの他に、前記メッキ槽の長手方向の少なくとも中央部近傍で前記導電層に接触する中間カソードを設けて給電するようにしたことを特徴とする電気メッキ方法にある。
【0021】
かかる第6の態様では、カソードと中間カソードとから給電することにより、メッキ液に浸漬した導電層の電気抵抗の長手方向に亘った差を減少させることができ、全ての領域で一定以上の電流密度を確保することができる。これにより低電圧で確実に給電することができ、短時間で安定したメッキ層を形成することができる。
【0022】
本発明の第7の態様は、第6の態様において、前記絶縁フィルムには配線パターンと連続して幅方向端部に沿ってメッキリードが前記導電層により形成されており、前記中間カソードを前記メッキリードに接触するようにして給電することを特徴とする電気メッキ方法にある。
【0023】
かかる第7の態様では、中間カソードとメッキリードとを接触することにより、中間カソードからメッキ液に浸漬した導電層の中央部に確実に給電することができる。
【0024】
本発明の第8の態様は、第7の態様において、前記メッキ槽の長手方向の少なくとも中央部で前記絶縁フィルムの幅方向端部に設けられた前記メッキリードが露出するように前記絶縁フィルムを搬送することを特徴とする電気メッキ方法にある。
【0025】
かかる第8の態様では、中央部にて確実に導電層に給電することができるので、安定したメッキ層が形成できる。
【0026】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態に係る電子部品実装用基板をその製造方法及び使用例と共に説明する。勿論、本発明はこれに限定されるものでないことはいうまでもない。
【0027】
まず、本発明の電気メッキ装置によってメッキされる半導体パッケージの一例について説明する。
【0028】
図1は、実施形態1に係る電子部品実装用フィルムキャリアテープの一例を示す正面図であり、図2は、図1のA−A’断面図である。
【0029】
図1及び図2に示すように、本実施形態のフィルムキャリアテープ10は、TABテープであり、テープ状の絶縁フィルム11の一方面側に、複数の配線パターン12が連続的に形成されている。絶縁フィルム11は、幅方向両側に移送用のスプロケット孔13を一定間隔で有し、一般的には、移送されながら、IC等の電子部品30が実装され、電子部品30実装後、各配線パターン12毎に切断される。
【0030】
また、絶縁フィルム11の幅方向両端部には、スプロケット孔13が設けられている。なお、絶縁フィルム11には、このスプロケット孔13と共に位置合わせのための貫通孔、不良パッケージ表示、パッケージ外形などの種々の目的に合わせた貫通孔を形成することもできる。
【0031】
この配線パターン12は、実装する電子部品30と接続するデバイス側接続端子14と、外部と接続する入力側外部接続端子15及び出力側外部接続端子16とを除く領域が、ソルダーレジスト層17によって覆われている。
【0032】
ここで、絶縁フィルム11としては、可撓性を有すると共に、耐薬品性及び耐熱性を有する材料を用いることができる。かかる絶縁フィルム11の材料としては、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド等を挙げることができ、特に、ビフェニル骨格を有する全芳香族ポリイミド(例えば、商品名:ユーピレックス;宇部興産(株))が好ましい。なお、絶縁フィルム11の厚さは、一般的には、25〜125μm、好ましくは、50〜75μmである。
【0033】
このような絶縁フィルム11は、配線パターン12の所定の領域にデバイスホール18がパンチングにより形成されている。配線パターン12のデバイス側接続端子14は、デバイスホール18の縁部まで設けられており、後述する工程で電子部品30と接続されている。
【0034】
配線パターン12は、絶縁フィルム11に形成されたデバイスホール18及びスプロケット孔13などが形成された一方の面に、一般的には、銅やアルミニウムからなる導電体箔などの導電層20をパターニングすることにより形成される。このような導電層20は、絶縁フィルム11上に直接積層しても、接着剤層を介して熱圧着等により形成してもよい。導電層20の厚さは、例えば、6〜70μm、好ましくは、8〜35μmである。導電体箔からなる導電層20としては、銅箔、特に、エッチング特性、操作性などを考慮すると、電解銅箔が好ましい。
【0035】
なお、絶縁フィルム11上に導電体箔を設けるのではなく、導電体箔に、例えば、ポリイミド前駆体を塗布し、焼成してポリイミドフィルムからなる絶縁フィルムとすることもできる。
【0036】
また、絶縁フィルム11上に設けられた導電層20は、フォトリソグラフィー法により、デバイス側接続端子14、入力側外部接続端子15及び出力側外部接続端子16を含む配線パターン12としてパターニングされる。すなわち、フォトレジスト層を塗布した後、フォトレジスト層をフォトマスクを介してエッチング液で科学的に溶解(エッチング処理)して除去し、さらにフォトレジストをアルカリ液等にて溶解除去することにより導電体箔をパターニングする。
【0037】
次いで、このようにエッチングによりパターニングされた配線パターン12上には、ソルダーレジスト材料塗布液が塗布され、所定のパターニングにより、ソルダーレジスト層17が形成される。
【0038】
ソルダーレジスト材料塗布液としては、硬化性樹脂を有機溶媒に溶解又は分散したものであり、硬化性樹脂としては、エポキシ系樹脂、エポキシ系樹脂のエラストマー変性物、ウレタン樹脂、ウレタン樹脂のエラストマー変性物、ポリイミド樹脂、ポリイミド樹脂のエラストマー変性物、アクリル樹脂等を挙げることができる。塗布液の中には、硬化促進剤、充填剤、添加剤、チキソ剤等を添加することもできる。また、ソルダーレジスト層17の可撓性等の特性を向上させるために、ゴム微粒子のような弾性を有する微粒子を配合することもできる。なお、このようなソルダーレジスト材料塗布液は、スクリーン印刷により必要な領域のみ塗布され、熱硬化されてソルダーレジスト層17となる。
【0039】
さらにソルダーレジスト層17により覆われていない配線パターン12上、すなわち、デバイス側接続端子14、入力側外部接続端子15及び出力側外部接続端子16上には、メッキ層21が形成される。このメッキ層21としては、スズ、半田、金、ニッケル−金などを挙げることができ、電子部品30の実装方法等に応じて選択され、例えば、本実施形態では、導電層20上に半田からなるメッキ層21を形成した。
【0040】
なお、絶縁フィルム11上に設けられた配線パターン12には、絶縁フィルム11の幅方向両側に、入力側外部接続端子15及び出力側外部接続端子16のそれぞれに亘ってメッキリード12aが形成されるようにパターニングされている。
【0041】
この絶縁フィルム11の幅方向両側に設けられたメッキリード12aは、絶縁フィルム11上で導通するように設けられている。本実施形態では、例えば、各配線パターン12の間に導電層20をパターニングすることにより導通部12bを形成して両側のメッキリード12aを導通している。
【0042】
ここで、このように絶縁フィルム11上の配線パターン12,デバイス側接続端子14、入力側外部接続端子15及び出力側外部接続端子16上にメッキ層21を施す本発明の電気メッキ装置について詳しく説明する。
【0043】
図3には、実施形態1に係る電気メッキ装置の概略斜視図、図4には電気メッキ装置の上面図、図5には図4のB−B’断面図を示す。
【0044】
図3〜図5に示すように、本実施形態の電気メッキ装置40としては、メッキ液(半田メッキ液)41を保持するメッキ槽42と、このメッキ槽42内に設けられアノードを構成する電極43とを有する。
【0045】
また、メッキ槽42は、本実施形態の導電層20が形成された絶縁フィルム11が、その内部で起立した状態でメッキ液41中に浸漬されながら、図示しない搬送手段によって連続的に搬送されるように、略矩形断面形状で長手方向に延びる樋形状に構成されている。すなわち、メッキ槽42の長手方向両側の壁41a,41bに、それぞれスリット部44A,44Bが設けられており、絶縁フィルム11は、このメッキ槽42の長手方向一方の壁41aに設けられたスリット部44Aからメッキ槽42内の幅方向ほぼ中央部を長手方向に亘って搬送され、他方の壁41bに設けられたスリット部44Bを介してメッキ槽42の外側に搬送されるようになっている。
【0046】
また、このようなメッキ槽42内に起立した状態で搬送された絶縁フィルム11は、その幅方向一方側に設けられたメッキリード12aの少なくとも一部がメッキ液41の液面より露出するようになっている。すなわち、本実施形態では、メッキ槽42内には、メッキ液41が絶縁フィルム11のメッキリード12aより低くなる量で保持されており、一方のスリット部44Aから挿通された絶縁フィルム11は所定量のメッキ液41に幅方向他方側を浸漬することで幅方向一方側に設けられたメッキリード12aの全てを露出するようになっている。
【0047】
なお、このメッキ槽42には、図示しない循環装置によって新しいメッキ液が供給されるようになっており、液面の高さは常に一定の位置に保持されている。
【0048】
また、メッキ槽42内には、絶縁フィルム11の一方の表面、すなわち、配線パターン12等が設けられた表面に対峙するように所定の距離離間して、陽極(アノード)を構成する電極43が配設されている。なお、このアノードを構成する電極43は、別途図示しない電源に接続されている。
【0049】
さらに、メッキ槽42内の露出したメッキリード12aには、陰極(カソード)を構成する中間カソードとしてロール状の中間コンタクトロール45がメッキリード12aに接触するように設けられている。
【0050】
この中間コンタクトロール45は、絶縁フィルム11全体の電流密度を略均一にするために設けたものであり、メッキ槽42の長手方向の長さや電流の大きさ等の各種条件によって、中間コンタクトロール45の個数及び間隔を適宜決定すればよく、本実施形態では、二つの中間コンタクトロール45を設けるようにした。
【0051】
なお、本実施形態の中間コンタクトロール45は一対のロール部材45aがその表面を当接させてメッキ液41に浸漬しないように設けられており、一対のロール部材45aの表面で絶縁フィルム11を挟み込むことにより露出したメッキリード12aと接触している。すなわち、中間コンタクトロール45の下側端部近傍でメッキリード12aと接触している。
【0052】
また、メッキ槽42の長手方向両端部の外側には、陰極(カソード)を構成するコンタクトロール46が一対設けられている。
【0053】
このコンタクトロール46も、中間コンタクトロール45と同様に一対のロール部材46aを当接させ、ロール部材46aの間で絶縁フィルム11を挟み込むことでメッキリード12aと接触している。
【0054】
このような陰極(カソード)を構成する中間コンタクトロール45及び一対のコンタクトロール46は、別途図示しない電源に接続されており、絶縁フィルム11のメッキリード12aと接触することでメッキリード12a及び導通部12bを介してデバイス側接続端子14、入力側外部接続端子15及び出力側外部接続端子16を含む配線パターン12に給電することによってメッキ層21を形成している。
【0055】
このように本実施形態では、絶縁フィルム11のメッキリード12aの少なくとも一部をメッキ液41から露出するように配置し、さらに、露出したメッキリード12aに接触する中間コンタクトロール45とメッキ槽42の長手方向両端部外側に通常のコンタクトロール46とからなる陰極(カソード)により配線パターン12に給電するようにしたため、配線パターン12の中央部とその両端部との電気抵抗の差を減少させ、一定以上の電流密度を確保することができる。そのため、給電設備間の距離を自在に設定することができ、配線パターン12、メッキリード12a及び導通部12bの電気抵抗を必要な分だけ小さくすることができる。これによりメッキ槽42を長くしてメッキ層21を形成する領域を広くしたとしても、高電流にする必要がなく、焼けメッキが形成されずに高速電気メッキを連続して行うことができる。
【0056】
なお、本実施形態では、メッキ液41の量を調整して液面を調整することにより幅方向一方のメッキリード12aの全てが露出するようにしたが、絶縁フィルム11のメッキリード12aはその一部がメッキ液41の液面より露出していれば、これに限定されない。このような例を図6に示す。なお、図6は、本実施形態の電気メッキ装置の変形例を示すメッキ槽の長手方向断面図である。
【0057】
図6に示すように、電気メッキ装置40A内に搬送された絶縁フィルム11は、メッキ液41に浸漬する略中央部が幅方向上側に湾曲するように搬送されることによって、メッキリード12aの略中央部が中間コンタクトロール45に接触するように、所定量だけメッキ液41の液面より露出している。
【0058】
なお、このメッキリード12aの一部を液面から露出させるために絶縁フィルム11を湾曲させるには、例えば、中間コンタクトロール45の表面に絶縁フィルム11のスプロケット孔13に嵌合する突起を設けるようにすれば、絶縁フィルム11を湾曲させてメッキリード12aの一部をメッキ液41の液面から露出することができると共に絶縁フィルム11のメッキリード12aと中間コンタクトロール45との接触を連続して確実に行うことができる。
【0059】
このように、全てのメッキリード12aが露出する必要はなく、中間コンタクトロール45と接触するメッキリード12aの一部がメッキ液41の液面から露出すれば、上述した効果を得ることができる。
【0060】
また、このように配線パターン12、デバイス側接続端子14、入力側外部接続端子15、出力側外部接続端子16及びソルダーレジスト層17が形成された絶縁フィルム11のソルダーレジスト層17上には、一般的には、電子部品を仮固定するための接着層31が設けられている。この接着層31としては、熱硬化性で且つ弾性を有する接着剤を用いて形成するのが好ましく、ソルダーレジスト層17上に直接塗布することにより形成してもよいし、接着剤テープを用いて形成してもよい。また、接着層31は、電子部品を実装する領域全体に設ける必要はなく、一部の領域に設けてもよい。但し、この接着層31は必ずしも必要ではない。
【0061】
このような接着層31を介して絶縁フィルム11のソルダーレジスト層17上には電子部品としてIC等の電子部品30が実装される。この電子部品30の電極32と配線パターン12のデバイス側接続端子14とは、例えば、金(Au)からなるバンプ33を介して接続されている。
【0062】
このようなフィルムキャリアテープ10は、電子部品30が実装された後、各配線パターン12毎に切断される場合と、各配線パターン12毎に切断された後、電子部品30が実装される場合とがある。
【0063】
なお、各配線パターン12毎に切断されたフィルムキャリアテープ10は、その後、上述したように、配線パターン12の入力側外部接続端子15がピエゾ素子等の駆動素子に接続され、出力側外部接続端子16が回路基板等に接続される。そして、本実施形態では、電気メッキ装置によってデバイス側接続端子14,入力側外部接続端子15及び出力側外部接続端子16に半田からなるメッキ層21が形成されているため、このメッキ層21によってこれら接続端子14〜16と、駆動素子又は回路基板等とを容易且つ確実に接続することができる。
【0064】
また、本実施形態では、メッキリード12aの全て又は一部をメッキ液41から露出することにより中間コンタクトロール45と接触するようにしたが、これに限定されず、例えば、メッキ液41の量を絶縁フィルム11の幅方向略中間までの量として、幅方向一方側のみにメッキを施した後、絶縁フィルム11を反転させて幅方向他方側にメッキを施す2工程に分けてもよい。これにより、中間コンタクトロール45をメッキ液41に確実に接触しないようにできる。
【0065】
なお、本実施形態では、電子部品実装用フィルムキャリアテープとしてTABテープを例示したが、勿論、これに限定されず、本発明の電気メッキ装置及びメッキ方法をT−BGA(Tape Ball Grid Array)テープ、テープCSP(Chip Size Package)、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)テープなどの各種半導体パッケージに適用できることは言うまでもない。
【0066】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、メッキ槽の長手方向の少なくとも中央部の上方にメッキ液に浸漬しないように設けられて絶縁層上の導電層の一部に接触する中間カソードを設け、カソードと中間カソードとで給電するようにしたため、メッキ液に浸漬した導電層の中央部とその両端部との電気抵抗の差を減少させ、一定以上の電流密度を確保することができる。このため、給電設備間の距離を自在に設定することができ、導電層の電気抵抗を必要な分だけ小さくすることができる。これによりメッキ槽を長くしてメッキ層を形成する領域を広くしたとしても、高電流にする必要がなく、焼けメッキが形成されずに高速電気メッキを連続して行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態1に係る電子部品実装用フィルムキャリアテープの概略構成を示す平面図である。
【図2】本発明の実施形態1に係る電子部品実装用フィルムキャリアテープの断面図であり、図1のA−A’断面図である。
【図3】本発明の一実施形態に係る電気メッキ装置の概略斜視図である。
【図4】本発明の一実施形態に係る電気メッキ装置の上面図である。
【図5】本発明の一実施形態に係る電気メッキ装置の断面図であり、図4のB−B’断面図である。
【図6】本発明の一実施形態に係る電気メッキ装置の変形例を示す断面図である。
【符号の説明】
10 電子部品実装用基板
11 絶縁フィルム
12 配線パターン
12a メッキリード
12b 導通部
13 スプロケット孔
14 デバイス側接続端子
15 入力側外部接続端子
16 出力側外部接続端子
17 ソルダーレジスト層
20 導電層
21 メッキ層
30 電子部品
31 接着層
40、40A 電気メッキ装置
41 メッキ液
42 メッキ槽
43 電極
44A、44B スリット部
45 中間コンタクトロール
45a ロール部材
46 コンタクトロール
46a ロール部材
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an electroplating apparatus and a plating method for performing electroplating on a long film-like conductor. Specifically, the present invention relates to a film carrier tape for mounting electronic components (TAB (Tape Automated Bonding) tape, T-BGA (Tape). The present invention relates to an electroplating apparatus and a plating method for forming a ball grid array (Tape), a tape CSP (Chip Size Package), an ASIC (Application Specific Integrated Circuit) tape, etc. (hereinafter simply referred to as “film carrier tape for mounting electronic components”).
[0002]
[Prior art]
With the development of the electronics industry, the demand for printed wiring boards for mounting electronic components such as ICs (integrated circuits) and LSIs (large scale integrated circuits) has increased rapidly. High functionality is demanded, and recently, a mounting method using a TAB tape, a T-BGA tape, an ASIC tape, or the like has been adopted as a method for mounting these electronic components. In particular, the importance is increasing in the electronic industry using a liquid crystal display element (LCD) such as a personal computer, for which high definition, thinning, and narrowing of the frame area of a liquid crystal screen are desired.
[0003]
For a substrate used for manufacturing such a TAB tape, for example, a very thin conductive layer is provided on a continuous insulating film, a metal foil is bonded, or a conductive layer is provided by sputtering, vacuum deposition or electroless plating, A substrate in which a wiring pattern is formed with a predetermined thickness by electroplating the conductive layer patterned in a predetermined shape.
[0004]
In this electroplating process, an insulating film having a conductive layer provided in a predetermined shape is conveyed by a reel-to-reel method, and is brought into contact with a power feeding roller as a cathode outside the plating tank while supplying power to the inside of the plating bath. A continuous electroplating apparatus is used in which a plating layer is formed on a conductive layer by an anode.
[0005]
According to this continuous plating apparatus, electroplating can be continuously applied to an insulating film provided with a conductive layer.
[0006]
In such a continuous electroplating apparatus, it is strongly desired to form a thick plating layer at a high speed.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
Thus, in order to form a TAB tape at high speed, it is necessary to lengthen the length of the plating tank in which the insulating film is immersed.
[0008]
However, if the length of the plating tank is increased, the current supplied by the pair of cathodes provided so as to be in contact with the plating leads on both ends outside the plating tank must be increased in proportion to the length of the plating tank. Therefore, there is a problem that the plating layer is burnt or the difference in electric resistance between the plating leads becomes large, and a current density of a certain level or more cannot be secured, so that a plating layer is not partially formed.
[0009]
In view of such circumstances, it is an object of the present invention to provide an electroplating apparatus and a plating method in which the difference in electric resistance between plating leads is reduced to reduce burn plating and yield.
[0010]
[Means for Solving the Invention]
The first aspect of the present invention that solves the above problems is the longitudinal direction of the plating tank in a state where a continuous insulating film having a wiring pattern made of a conductive layer on the surface is immersed in a plating solution held in the plating tank. In the electroplating apparatus, in which the conductive layer is plated while being transported along a film carrier tape for mounting an electronic component, the electroplating apparatus is provided in the plating tank so as to face the insulating film at a predetermined interval. An anode disposed; a pair of cathodes provided on both outer sides in the longitudinal direction of the plating tank and in contact with the conductive layer provided on the insulating film; and at least a central portion in the longitudinal direction of the plating tank And an intermediate cathode that is provided so as not to be immersed in the plating solution and is in contact with a part of the conductive layer exposed from the plating solution. In electroplating apparatus according to claim Rukoto.
[0011]
In the first aspect, by supplying power from the cathode and the intermediate cathode, the difference in the longitudinal direction of the electrical resistance of the conductive layer immersed in the plating solution can be reduced, and a current exceeding a certain level in all regions. The density can be secured. Thereby, it is possible to reliably supply power with a low current.
[0012]
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect, a plating lead is formed by the conductive layer along the width direction end portion of the insulating film continuously to the wiring pattern, and the intermediate cathode is The electroplating apparatus is provided so as to be in contact with the plating lead.
[0013]
In the second aspect, by bringing the intermediate cathode and the plating lead into contact with each other, it is possible to reliably supply power to the central portion of the conductive layer immersed in the plating solution from the intermediate cathode.
[0014]
According to a third aspect of the present invention, in the second aspect, the insulating film is transported so that a part of the plating lead is exposed from the liquid surface of the plating solution at least at a central portion in the longitudinal direction of the plating tank. The electroplating apparatus is characterized by the above.
[0015]
In the third aspect, since it is possible to reliably supply power to the conductive layer at the center, a stable plating layer can be formed.
[0016]
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the electroplating apparatus according to the first or second aspect, wherein a plurality of the intermediate cathodes are provided at a predetermined interval.
[0017]
In the fourth aspect, the difference in the longitudinal direction of the electrical resistance of the conductive layer immersed in the plating solution can be reliably reduced by a plurality of intermediate cathodes, and power can be supplied with a small current.
[0018]
According to a fifth aspect of the present invention, in the electroplating apparatus according to any one of the first to fourth aspects, the intermediate cathode is a contact roll provided rotatably.
[0019]
In the fifth aspect, power can be reliably and easily supplied by the contact roll.
[0020]
According to a sixth aspect of the present invention, a continuous insulating film having a wiring pattern made of a conductive layer on the surface is immersed in a plating solution held in a plating tank, and the anode and the plating liquid provided in the plating tank are immersed in the plating solution. Plating as a film carrier tape for mounting electronic components by plating on the conductive layer while transporting along the longitudinal direction of the plating tank in a state where a voltage is applied between the cathode and the cathode in contact with the immersed conductive layer In the method, in addition to the cathodes provided outside the both ends in the longitudinal direction of the plating tank, an intermediate cathode that contacts the conductive layer is provided at least in the vicinity of the central part in the longitudinal direction of the plating tank to supply power. The electroplating method is characterized by the above.
[0021]
In the sixth aspect, by supplying power from the cathode and the intermediate cathode, the difference in the longitudinal direction of the electrical resistance of the conductive layer immersed in the plating solution can be reduced, and a current exceeding a certain level in all regions. The density can be secured. Accordingly, it is possible to reliably supply power at a low voltage, and it is possible to form a stable plating layer in a short time.
[0022]
According to a seventh aspect of the present invention, in the sixth aspect, a plating lead is formed by the conductive layer along the width direction end portion of the insulating film continuously with the wiring pattern, and the intermediate cathode is formed as the intermediate cathode. An electroplating method is characterized in that power is supplied so as to contact the plating lead.
[0023]
In the seventh aspect, by bringing the intermediate cathode and the plating lead into contact with each other, power can be reliably supplied from the intermediate cathode to the central portion of the conductive layer immersed in the plating solution.
[0024]
An eighth aspect of the present invention is the seventh aspect according to the seventh aspect, wherein the insulating film is exposed so that the plating lead provided at the end portion in the width direction of the insulating film is exposed at least in the longitudinal direction of the plating tank. It is in the electroplating method characterized by conveying.
[0025]
In the eighth aspect, since it is possible to reliably supply power to the conductive layer at the center, a stable plating layer can be formed.
[0026]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, an electronic component mounting board according to an embodiment of the present invention will be described together with a manufacturing method and usage examples. Of course, it goes without saying that the present invention is not limited to this.
[0027]
First, an example of a semiconductor package plated by the electroplating apparatus of the present invention will be described.
[0028]
FIG. 1 is a front view illustrating an example of a film carrier tape for mounting electronic components according to Embodiment 1, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG.
[0029]
As shown in FIG.1 and FIG.2, the film carrier tape 10 of this embodiment is a TAB tape, and the several wiring pattern 12 is continuously formed in the one surface side of the tape-shaped insulating film 11. As shown in FIG. . The insulating film 11 has sprocket holes 13 for transfer on both sides in the width direction at regular intervals. In general, an electronic component 30 such as an IC is mounted while being transferred, and each wiring pattern is mounted after the electronic component 30 is mounted. Cut every 12th.
[0030]
In addition, sprocket holes 13 are provided at both ends in the width direction of the insulating film 11. In addition, the insulating film 11 can be formed with through holes for various purposes such as through holes for alignment, defective package display, and package outer shape, together with the sprocket holes 13.
[0031]
In this wiring pattern 12, a region excluding the device side connection terminal 14 connected to the electronic component 30 to be mounted, the input side external connection terminal 15 connected to the outside, and the output side external connection terminal 16 is covered with the solder resist layer 17. It has been broken.
[0032]
Here, as the insulating film 11, a material having flexibility and chemical resistance and heat resistance can be used. Examples of the material for the insulating film 11 include polyester, polyamide, polyimide, and the like. Particularly preferred is wholly aromatic polyimide having a biphenyl skeleton (for example, trade name: Upilex; Ube Industries, Ltd.). In addition, generally the thickness of the insulating film 11 is 25-125 micrometers, Preferably, it is 50-75 micrometers.
[0033]
In such an insulating film 11, a device hole 18 is formed in a predetermined region of the wiring pattern 12 by punching. The device side connection terminal 14 of the wiring pattern 12 is provided up to the edge of the device hole 18 and is connected to the electronic component 30 in a process described later.
[0034]
The wiring pattern 12 is generally formed by patterning a conductive layer 20 such as a conductor foil made of copper or aluminum on one surface where the device holes 18 and the sprocket holes 13 formed in the insulating film 11 are formed. Is formed. Such a conductive layer 20 may be directly laminated on the insulating film 11 or may be formed by thermocompression bonding or the like via an adhesive layer. The thickness of the conductive layer 20 is, for example, 6 to 70 μm, or preferably 8 to 35 μm. The conductive layer 20 made of a conductive foil is preferably a copper foil, particularly an electrolytic copper foil in consideration of etching characteristics, operability, and the like.
[0035]
Instead of providing the conductor foil on the insulating film 11, for example, a polyimide precursor may be applied to the conductor foil and baked to form an insulating film made of a polyimide film.
[0036]
In addition, the conductive layer 20 provided on the insulating film 11 is patterned as a wiring pattern 12 including the device side connection terminals 14, the input side external connection terminals 15, and the output side external connection terminals 16 by photolithography. That is, after applying a photoresist layer, the photoresist layer is removed by scientific dissolution (etching treatment) with an etching solution through a photomask, and further, the photoresist is dissolved and removed with an alkaline solution or the like. Pattern the body foil.
[0037]
Next, a solder resist material coating solution is applied on the wiring pattern 12 thus patterned by etching, and a solder resist layer 17 is formed by predetermined patterning.
[0038]
As the solder resist material coating solution, a curable resin is dissolved or dispersed in an organic solvent. As the curable resin, an epoxy resin, an epoxy-modified elastomer, a urethane resin, an elastomer-modified urethane resin , Polyimide resin, modified elastomer of polyimide resin, acrylic resin, and the like. In the coating solution, a curing accelerator, a filler, an additive, a thixotropic agent, and the like can be added. Further, in order to improve characteristics such as flexibility of the solder resist layer 17, fine particles having elasticity such as rubber fine particles can be blended. In addition, such a solder resist material coating solution is applied only to a necessary region by screen printing and thermally cured to become the solder resist layer 17.
[0039]
Further, a plating layer 21 is formed on the wiring pattern 12 that is not covered with the solder resist layer 17, that is, on the device-side connection terminal 14, the input-side external connection terminal 15, and the output-side external connection terminal 16. Examples of the plating layer 21 include tin, solder, gold, nickel-gold, and the like, and are selected according to the mounting method of the electronic component 30. For example, in this embodiment, the plating layer 21 is made of solder on the conductive layer 20. A plating layer 21 was formed.
[0040]
In the wiring pattern 12 provided on the insulating film 11, plating leads 12 a are formed on both sides of the insulating film 11 in the width direction over the input side external connection terminal 15 and the output side external connection terminal 16. It is patterned as follows.
[0041]
The plating leads 12 a provided on both sides in the width direction of the insulating film 11 are provided so as to conduct on the insulating film 11. In the present embodiment, for example, a conductive portion 12b is formed by patterning the conductive layer 20 between the respective wiring patterns 12, and the plated leads 12a on both sides are made conductive.
[0042]
Here, the electroplating apparatus of the present invention that applies the plating layer 21 on the wiring pattern 12, the device side connection terminal 14, the input side external connection terminal 15 and the output side external connection terminal 16 on the insulating film 11 will be described in detail. To do.
[0043]
3 is a schematic perspective view of the electroplating apparatus according to the first embodiment, FIG. 4 is a top view of the electroplating apparatus, and FIG. 5 is a sectional view taken along line BB ′ of FIG.
[0044]
As shown in FIGS. 3 to 5, the electroplating apparatus 40 of the present embodiment includes a plating tank 42 that holds a plating solution (solder plating solution) 41, and electrodes that are provided in the plating tank 42 and constitute an anode. 43.
[0045]
In addition, the plating tank 42 is continuously transported by a transport means (not shown) while the insulating film 11 on which the conductive layer 20 of the present embodiment is formed is immersed in the plating solution 41 in a standing state. Thus, it is comprised by the hook shape extended in a longitudinal direction with a substantially rectangular cross-sectional shape. That is, slit portions 44A and 44B are provided on the walls 41a and 41b on both sides in the longitudinal direction of the plating tank 42, respectively, and the insulating film 11 is provided with slit portions provided on one wall 41a in the longitudinal direction of the plating tank 42. It is conveyed from 44A across the longitudinal direction in the center in the width direction in the plating tank 42, and is conveyed to the outside of the plating tank 42 through a slit 44B provided on the other wall 41b.
[0046]
Further, the insulating film 11 conveyed while standing in the plating tank 42 is such that at least a part of the plating lead 12 a provided on one side in the width direction is exposed from the liquid surface of the plating solution 41. It has become. That is, in the present embodiment, the plating solution 41 is held in the plating tank 42 in an amount that is lower than the plating lead 12a of the insulating film 11, and the insulating film 11 inserted through one slit portion 44A has a predetermined amount. All the plating leads 12 a provided on one side in the width direction are exposed by immersing the other side in the width direction in the plating solution 41.
[0047]
The plating tank 42 is supplied with a new plating solution by a circulation device (not shown), and the height of the liquid level is always maintained at a fixed position.
[0048]
Further, in the plating tank 42, there is an electrode 43 constituting an anode (anode) at a predetermined distance so as to face one surface of the insulating film 11, that is, the surface provided with the wiring pattern 12 or the like. It is arranged. Note that the electrode 43 constituting the anode is connected to a power source (not shown).
[0049]
Further, the exposed plating lead 12a in the plating tank 42 is provided with a roll-shaped intermediate contact roll 45 as an intermediate cathode constituting a cathode (cathode) so as to contact the plating lead 12a.
[0050]
The intermediate contact roll 45 is provided in order to make the current density of the entire insulating film 11 substantially uniform. Depending on various conditions such as the length in the longitudinal direction of the plating tank 42 and the magnitude of the current, the intermediate contact roll 45 is provided. In this embodiment, two intermediate contact rolls 45 are provided.
[0051]
The intermediate contact roll 45 of the present embodiment is provided so that the pair of roll members 45a abuts the surface thereof and is not immersed in the plating solution 41, and the insulating film 11 is sandwiched between the surfaces of the pair of roll members 45a. This is in contact with the exposed plating lead 12a. That is, it is in contact with the plating lead 12 a in the vicinity of the lower end of the intermediate contact roll 45.
[0052]
Further, a pair of contact rolls 46 constituting a cathode (cathode) are provided outside the both ends in the longitudinal direction of the plating tank 42.
[0053]
Similarly to the intermediate contact roll 45, the contact roll 46 is also in contact with the plating lead 12a by bringing a pair of roll members 46a into contact with each other and sandwiching the insulating film 11 between the roll members 46a.
[0054]
The intermediate contact roll 45 and the pair of contact rolls 46 constituting such a cathode (cathode) are separately connected to a power source (not shown), and come into contact with the plating lead 12a of the insulating film 11 so that the plating lead 12a and the conductive portion are connected. The plated layer 21 is formed by supplying power to the wiring pattern 12 including the device side connection terminal 14, the input side external connection terminal 15, and the output side external connection terminal 16 through 12b.
[0055]
As described above, in this embodiment, at least a part of the plating lead 12a of the insulating film 11 is disposed so as to be exposed from the plating solution 41, and the intermediate contact roll 45 and the plating tank 42 that are in contact with the exposed plating lead 12a. Since electric power is supplied to the wiring pattern 12 by a cathode (cathode) composed of normal contact rolls 46 at both ends in the longitudinal direction, the difference in electrical resistance between the central portion of the wiring pattern 12 and both ends thereof is reduced and constant. The above current density can be ensured. Therefore, the distance between the power supply facilities can be set freely, and the electrical resistances of the wiring pattern 12, the plating lead 12a, and the conduction portion 12b can be reduced as much as necessary. Thus, even if the plating tank 42 is lengthened to widen the region where the plating layer 21 is formed, it is not necessary to increase the current, and high-speed electroplating can be continuously performed without forming a burned plating.
[0056]
In this embodiment, by adjusting the amount of the plating solution 41 and adjusting the liquid level, the entire plating lead 12a in the width direction is exposed, but the plating lead 12a of the insulating film 11 is one of them. If the part is exposed from the liquid surface of the plating solution 41, the present invention is not limited to this. Such an example is shown in FIG. FIG. 6 is a longitudinal sectional view of a plating tank showing a modification of the electroplating apparatus of the present embodiment.
[0057]
As shown in FIG. 6, the insulating film 11 conveyed into the electroplating apparatus 40 </ b> A is conveyed so that the substantially central portion immersed in the plating solution 41 is curved upward in the width direction. A predetermined amount is exposed from the surface of the plating solution 41 so that the central portion contacts the intermediate contact roll 45.
[0058]
In order to bend the insulating film 11 in order to expose a part of the plating lead 12a from the liquid surface, for example, a protrusion that fits into the sprocket hole 13 of the insulating film 11 is provided on the surface of the intermediate contact roll 45. Then, the insulating film 11 can be bent to expose a part of the plating lead 12a from the surface of the plating solution 41, and the contact between the plating lead 12a of the insulating film 11 and the intermediate contact roll 45 can be continued. It can be done reliably.
[0059]
Thus, it is not necessary to expose all the plating leads 12a, and the above-described effects can be obtained if a part of the plating leads 12a that are in contact with the intermediate contact roll 45 is exposed from the surface of the plating solution 41.
[0060]
Further, on the solder resist layer 17 of the insulating film 11 in which the wiring pattern 12, the device side connection terminal 14, the input side external connection terminal 15, the output side external connection terminal 16 and the solder resist layer 17 are thus formed, Specifically, an adhesive layer 31 for temporarily fixing an electronic component is provided. The adhesive layer 31 is preferably formed using a thermosetting and elastic adhesive, and may be formed by directly applying onto the solder resist layer 17, or using an adhesive tape. It may be formed. Further, the adhesive layer 31 does not need to be provided in the entire region where the electronic component is mounted, and may be provided in a partial region. However, the adhesive layer 31 is not always necessary.
[0061]
An electronic component 30 such as an IC is mounted as an electronic component on the solder resist layer 17 of the insulating film 11 through the adhesive layer 31. The electrodes 32 of the electronic component 30 and the device side connection terminals 14 of the wiring pattern 12 are connected via bumps 33 made of, for example, gold (Au).
[0062]
Such a film carrier tape 10 is cut for each wiring pattern 12 after the electronic component 30 is mounted, and when the electronic component 30 is mounted after being cut for each wiring pattern 12. There is.
[0063]
The film carrier tape 10 cut for each wiring pattern 12 is then connected to a driving element such as a piezo element as shown in FIG. 16 is connected to a circuit board or the like. In the present embodiment, the plating layer 21 made of solder is formed on the device-side connection terminal 14, the input-side external connection terminal 15, and the output-side external connection terminal 16 by the electroplating apparatus. The connection terminals 14 to 16 can be easily and reliably connected to the drive element or the circuit board.
[0064]
In this embodiment, all or part of the plating lead 12a is exposed from the plating solution 41 so as to come into contact with the intermediate contact roll 45. However, the present invention is not limited to this. The amount of the insulating film 11 up to substantially the middle in the width direction may be divided into two steps in which the insulating film 11 is inverted and plated on the other side in the width direction after plating is performed only on one side in the width direction. Thereby, the intermediate contact roll 45 can be reliably prevented from coming into contact with the plating solution 41.
[0065]
In the present embodiment, the TAB tape is exemplified as the film carrier tape for mounting electronic components. However, the present invention is not limited to this, and the electroplating apparatus and the plating method of the present invention are not limited to the T-BGA (Tape Ball Grid Array) tape. Needless to say, the present invention can be applied to various semiconductor packages such as a tape CSP (Chip Size Package) and an ASIC (Application Specific Integrated Circuit) tape.
[0066]
【The invention's effect】
As described above, in the present invention, an intermediate cathode that is provided so as not to be immersed in the plating solution and is in contact with a part of the conductive layer on the insulating layer is provided above at least the central portion in the longitudinal direction of the plating tank. Since the power is supplied by the intermediate cathode and the intermediate cathode, the difference in electrical resistance between the central portion of the conductive layer immersed in the plating solution and both ends thereof can be reduced, and a current density of a certain level or more can be ensured. For this reason, the distance between the power supply facilities can be set freely, and the electrical resistance of the conductive layer can be reduced as much as necessary. Thus, even if the plating tank is lengthened to widen the region for forming the plating layer, it is not necessary to increase the current, and high-speed electroplating can be continuously performed without forming the burned plating.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a film carrier tape for mounting electronic components according to Embodiment 1 of the present invention.
2 is a cross-sectional view of a film carrier tape for mounting electronic components according to Embodiment 1 of the present invention, and is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG.
FIG. 3 is a schematic perspective view of an electroplating apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a top view of an electroplating apparatus according to an embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view of an electroplating apparatus according to an embodiment of the present invention, and is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG.
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a modification of the electroplating apparatus according to one embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Electronic component mounting board 11 Insulation film 12 Wiring pattern 12a Plating lead 12b Conductive part 13 Sprocket hole 14 Device side connection terminal 15 Input side external connection terminal 16 Output side external connection terminal 17 Solder resist layer 20 Conductive layer 21 Plating layer 30 Electron Component 31 Adhesive layer 40, 40A Electroplating device 41 Plating solution 42 Plating tank 43 Electrodes 44A, 44B Slit portion 45 Intermediate contact roll 45a Roll member 46 Contact roll 46a Roll member

Claims (8)

表面に導電層からなる配線パターンが設けられた連続する絶縁フィルムをメッキ槽に保持したメッキ液に浸漬させた状態で当該メッキ槽の長手方向に沿って搬送しながら前記導電層上にメッキを施して電子部品実装用フィルムキャリアテープとする電気メッキ装置において、
前記メッキ槽内に設けられて前記絶縁フィルムの表面から所定間隔で対向するように配置されたアノードと、前記メッキ槽の長手方向両端外側に設けられて前記絶縁フィルム上に設けられた前記導電層に接触して給電する一対のカソードと、前記メッキ槽の長手方向の少なくとも中央部の上方に前記メッキ液に浸漬しないように設けられて前記メッキ液より露出した前記導電層の一部に接触して給電する中間カソードとを有することを特徴とする電気メッキ装置。
Plating is applied to the conductive layer while being transported along the longitudinal direction of the plating tank in a state where a continuous insulating film having a wiring pattern made of a conductive layer on the surface is immersed in a plating solution held in the plating tank. In the electroplating device to be a film carrier tape for mounting electronic components,
An anode provided in the plating tank and arranged to face the surface of the insulating film at a predetermined interval, and the conductive layer provided on the insulating film provided on both outer sides in the longitudinal direction of the plating tank A pair of cathodes for contacting and supplying power, and at least a central portion in the longitudinal direction of the plating tank so as not to be immersed in the plating solution and contacting a part of the conductive layer exposed from the plating solution And an intermediate cathode for supplying electric power.
請求項1において、前記絶縁フィルムには配線パターンと連続して幅方向端部に沿ってメッキリードが前記導電層により形成されており、前記中間カソードは前記メッキリードに接触するように設けられていることを特徴とする電気メッキ装置。2. The plating film according to claim 1, wherein a plating lead is formed by the conductive layer along a width direction end portion of the insulating film continuously to the wiring pattern, and the intermediate cathode is provided so as to contact the plating lead. An electroplating apparatus characterized by comprising: 請求項2において、前記絶縁フィルムは前記メッキ槽の長手方向の少なくとも中央部にて前記メッキリードの一部が前記メッキ液の液面から露出するように搬送されることを特徴とする電気メッキ装置。3. The electroplating apparatus according to claim 2, wherein the insulating film is conveyed so that a part of the plating lead is exposed from the surface of the plating solution at least at a central portion in the longitudinal direction of the plating tank. . 請求項1又は2において、前記中間カソードが、所定間隔で複数設けられていることを特徴とする電気メッキ装置。3. The electroplating apparatus according to claim 1, wherein a plurality of the intermediate cathodes are provided at a predetermined interval. 請求項1〜4の何れかにおいて、前記中間カソードが回転自在に設けられたコンタクトロールであることを特徴とする電気メッキ装置。5. The electroplating apparatus according to claim 1, wherein the intermediate cathode is a contact roll provided rotatably. 表面に導電層からなる配線パターンが設けられた連続する絶縁フィルムをメッキ槽に保持したメッキ液に浸漬させ、前記メッキ槽に設けられたアノードと前記メッキ液に浸漬された導電層に接触するカソードとの間に電圧を印加した状態で当該メッキ槽の長手方向に沿って搬送しながら前記導電層上にメッキを施して電子部品実装用フィルムキャリアテープとするメッキ方法において、
前記メッキ槽の長手方向両端部の外側に設けられたカソードの他に、前記メッキ槽の長手方向の少なくとも中央部近傍で前記導電層に接触する中間カソードを設けて給電するようにしたことを特徴とする電気メッキ方法。
A cathode in contact with an anode provided in the plating tank and a conductive layer immersed in the plating liquid by immersing a continuous insulating film having a wiring pattern made of a conductive layer on the surface in a plating liquid held in a plating tank In the plating method in which the conductive layer is plated while being conveyed along the longitudinal direction of the plating tank in a state where a voltage is applied between and the film carrier tape for mounting an electronic component,
In addition to the cathode provided outside the both ends in the longitudinal direction of the plating tank, an intermediate cathode that contacts the conductive layer is provided at least near the center in the longitudinal direction of the plating tank to supply power. And electroplating method.
請求項6において、前記絶縁フィルムには配線パターンと連続して幅方向端部に沿ってメッキリードが前記導電層により形成されており、前記中間カソードを前記メッキリードに接触するようにして給電することを特徴とする電気メッキ方法。7. The insulating film according to claim 6, wherein a plating lead is formed of the conductive layer along the width direction end portion continuously with the wiring pattern, and power is supplied so that the intermediate cathode is in contact with the plating lead. An electroplating method characterized by the above. 請求項7において、前記メッキ槽の長手方向の少なくとも中央部で前記絶縁フィルムの幅方向端部に設けられた前記メッキリードが露出するように前記絶縁フィルムを搬送することを特徴とする電気メッキ方法。8. The electroplating method according to claim 7, wherein the insulating film is transported so that the plating lead provided at an end portion in the width direction of the insulating film is exposed at least at a center portion in a longitudinal direction of the plating tank. .
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