JP3853941B2 - 情報処理装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、情報処理装置の起動時における処理時間の低減方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
動作中の情報処理装置で、現在の作業を中断し、そのときの情報処理装置の内部情報を不揮発性の記憶媒体に格納し、情報処理装置の電源を落とすことが可能で、再起動時には前回の中断時の内部情報を不揮発性の記憶媒体から復元し、中断した作業の再開を可能にする機能を持つ情報処理装置はあった。
【０００３】
情報処理装置で、情報処理装置の内部情報を保持するために必要な部分にのみ電力を供給し、情報処理装置の内部情報を保持に必要のない部分の電力を削減する機能を持つものはあった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
情報処理装置の起動において、起動スイッチを操作してから、実際に使用可能になるまでに時間がかかるという問題がある。
【０００５】
情報処理装置の内部情報を外部記憶装置等の不揮発性の記憶媒体に格納し、情報処理装置の電源を落とす冬眠状態からの復帰においても、外部記憶装置等の不揮発性の記憶媒体からの読み出しに時間がかかるという問題がある。
【０００６】
外部からの電力供給が常時可能でない場合は、仮眠状態で情報処理装置の内部情報を保持ことができなくなるという問題がある。
【０００７】
仮眠状態でも電力消費は存在するため、電力蓄積手段の電力での仮眠状態の維持は、電力蓄積手段の使用時間を短くする問題がある。
【０００８】
仮眠状態でも電力消費は存在するため、外部からの電力供給が可能でも長時間の仮眠状態の維持は、無駄な電力消費になるという問題がある。
【０００９】
さらに、前記従来の技術では、情報処理装置の起動において、電源スイッチを操作してからオペレーティングシステムや、あるいはアプリケーションプログラムなどを毎回逐一ロードする必要が無くなり、実際に情報処理装置が使用可能になるまでの時間を短縮することができる。しかし、動作中の状態を記憶する記憶装置が揮発性であるか、不揮発性であるかによって、その短縮時間には大きな違いがある。
【００１０】
磁気ディスクのような不揮発性記憶装置に情報を保存していた場合は、電源投入時に以前の状態へ復帰するため、揮発性記憶装置に情報を読み出すのに分単位の時間がかかるという問題がある。
【００１１】
また、不揮発性記憶装置に情報を保存する処理においても同様に時間がかかり、その間は何もすることができないという問題がある。
【００１２】
ＤＲＡＭで構成された主記憶のような揮発性記憶装置に情報を保存しておく場合は、不揮発性記憶装置から情報を読み出す手順が無いため、以前の状態への復帰する時間は短縮されるが、動作中断状態中にＤＲＡＭへ電力を供給し続けねばならないため、電力を消費し、長期間の状態保存に不向きであるという問題がある。
【００１３】
また、不揮発性記憶装置に情報を保存する場合は、動作中断時点での情報が何らかの原因で破損した場合、その情報処理装置を再起動するしかないという問題、動作中断以前の状態への復元はできないという問題がある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
動作時の内部状態の情報を記録する揮発性記憶装置と不揮発性記憶装置とを有する情報処理装置において、情報処理装置を起動し、一度ＯＳ等の情報処理装置制御ソフトが立ち上がり、情報処理装置が使用可能になったら、使用者が停止手段を操作しても情報処理装置の内部情報をそのまま保持し続ける。
【００１５】
外部からの電力供給検出手段と、内部状態の遷移録記憶手段を設け、使用者が行う起動／停止手段の操作と、外部からの電力供給状態と、前回の状態遷移を考慮し、遷移すべき状態を認識する。
【００１６】
内部情報を保持し続ける状態として、仮眠状態と冬眠状態を設ける。
【００１７】
ＡＣアダプタ等が接続され、外部から長時間電力供給可能な場合に、冬眠状態から仮眠状態に移行する。
【００１８】
バッテリ等の電力蓄積手段を内蔵し、ＡＣアダプタ等の外部からの電力供給が突然なくなった場合には、電力蓄積手段の電力を使用し冬眠状態に移行する。
【００１９】
仮眠状態でも動作可能な時間計測手段を設ける。
【００２０】
情報処理装置が起動された後、ある時点での情報処理装置内部の揮発性記憶装置内の情報を不揮発性記憶装置に退避する。これをハイバネーションファイル１とする。
【００２１】
情報処理装置動作中に使用者が作業を中断する操作を行った場合、その時点での揮発性記憶装置内の情報を不揮発性記憶装置に退避する。その際、情報処理装置へ使用者が作業を再開する操作を行った場合、即座に退避処理を中止し、動作状態へと戻る。
入力がない場合はそのまま退避処理を続行し、これをハイバネーションファイル２とする。
【００２２】
動作中断時の情報を不揮発性記憶装置に退避後、情報処理装置に外部から電力が供給され続けている場合には揮発性記憶装置への電力供給を停止せず、動作中断時の状態に復帰する機能と無関係の部分への電力を切断する。以後これを仮眠状態と呼ぶ。
【００２３】
情報処理装置への電力供給が遮断される以前に使用者が作業を再開する操作を行った場合、情報処理装置への全ての電力供給を再開し、中断前の状態に復帰する。
【００２４】
ブレーカーが落とされる等、仮眠状態時に情報処理装置への電力供給が遮断された場合、情報処理装置は揮発性記憶装置内の動作中の情報を失い、中断時に退避した不揮発性記憶装置内のみ動作中断時の情報を記憶している状態になる。以後これを冬眠状態と呼ぶ。
【００２５】
この状態中に外部からの電力供給が再開されると、情報処理装置は自動的に不揮発性記憶装置内の動作中断時の情報（ハイバネーションファイル２）を揮発性記憶装置へ復元し、仮眠状態となる。復元に失敗した場合、あるいは使用者の意志により動作中断以前の状態を復元したい場合は、ハイバネーションファイル１を揮発性記憶装置へ復元し、仮眠状態となる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
本発明にかかる情報処理装置の第１の実施の形態を、図１〜図４を用いて説明する。
【００２７】
図１は、情報処理装置本体の電子回路、電力供給制御部、不揮発性の外部記憶装置と、取り扱う情報、供給電力の制御部の構成を模式的に示した機能ブロック図である。
【００２８】
本発明の情報処理装置は、少なくとも、情報処理装置本体電子回路１と、不揮発性の外部記憶装置２と、電力供給制御部３を備えている。
【００２９】
情報処理装置本体電子回路１は、揮発性の情報として内部記憶装置のデータ１０と、ＬＳＩ内部情報１１と、表示メモリのデータ１０１を持っている。
また、情報処理装置本体電子回路１は、情報処理装置の状態の遷移を記憶しておく書き換え可能な不揮発性の記憶素子１２を備える。この記憶素子１２は、バッテリバックアップメモリやフラッシュメモリで構成しても良い。この記憶素子１２には、情報処理装置の現在の内部状態と、現在の状態に遷移する以前の内部状態の識別情報を記憶する。
【００３０】
外部記憶装置２には、情報処理装置本体電子回路１本体の揮発性の情報を格納する領域として、内部記憶装置のデータ格納領域２１と、ＬＳＩ内部情報のデータ格納領域２２と、表示メモリのデータ格納領域２１１を備える。
【００３１】
電力供給制御部３は、電源回路部３１と、バッテリ等の電力蓄積手段３２から構成され、外部電力供給手段に接続するケーブル４５、情報処理装置本体電子回路１への電力供給線４２を備える。
また、電源回路部３１は、外部電力検出手段３１１と、起動／停止スイッチ３１３と、起動／停止制御部３１２と、電力切替手段３１４を備え、外部電力検出手段３１１と起動／停止制御部３１２の状態は、電源回路状態出力線４３、４４により、情報処理装置本体に伝えられる。
【００３２】
図２は、本発明にかかる第１の実施の形態の情報処理装置が持つ内部状態とその遷移条件を示した図である。本発明の情報処理装置は、通常の使用状況下では、動作状態Ｓ２、仮眠状態Ｓ３、冬眠状態Ｓ４の３状態を遷移する。この３状態を遷移している間は、ＯＳ等の情報処理装置の制御ソフトの再構築、交換等の処理はできない。ＯＳ等の情報処理装置の制御ソフトの再構築、交換等の処理は、情報処理装置の内部状態を初期状態Ｓ１に遷移させ、そこから動作状態Ｓ２に遷移する間に行う。
【００３３】
初期状態Ｓ１とは、情報処理装置の製造直後やＯＳ等の情報処理装置の制御ソフトを情報処理装置上に再構築する場合の状態である。
【００３４】
動作状態Ｓ２とは、情報処理装置が情報処理を行える状態であり、電力は情報処理装置の全ての電子回路に供給されている状態を指す。
【００３５】
仮眠状態Ｓ３とは、内部記憶装置や表示メモリ等の揮発性記憶素子とその記憶維持に必要な制御回路にのみ電力を供給し、内部情報の記憶に関係しない電子回路への電力供給を停止している状態を指す。
図３にこの状態を示す。図３では模式的に、電力供給を停止している部分にハッチングを付して示しており、内部記憶装置のデータ１０と、ＬＳＩ内部情報１１と、表示メモリのデータ１０１と、電力供給制御部３が有効なことを示している。電力供給制御部３は、情報処理装置本体電子回路１に供給する電力の大きさが異なる以外は、動作状態Ｓ２と同じである。
【００３６】
冬眠状態Ｓ４とは、内部記憶装置のデータ１０と、ＬＳＩ内部情報１１と、表示メモリのデータ１０１といった揮発性の情報を、不揮発性の外部記憶装置２のそれぞれの格納領域２１，２２，２１１に格納し、電力は電力供給制御部３の外部電力検出部手段３１１と、起動／停止制御部３１２にのみ供給されている状態である。
この状態を図４に示す。図４では模式的に電力供給を停止している部分にハッチングを付しており、冬眠状態Ｓ４では外部記憶装置２への電力も切断されているが、不揮発性の記憶装置であるため、格納してある各情報が有効であることを示している。
【００３７】
情報処理装置は、製造直後は初期状態Ｓ１にあり、使用者が操作した起動／停止スイッチ３１３により、電力が供給され、動作状態Ｓ２へ遷移する（Ｔ７）。
【００３８】
初期状態Ｓ１と他の３状態は、ＯＳ等の情報処理装置の制御ソフトが起動したか否かにより分けられる。この初期状態Ｓ１では、情報処理装置の状態を記憶する不揮発性の記憶素子１２に情報が書き込まれていない。通常な情報処理装置の電源を投入し、使用者が使用できるようになるまでの立ち上げ期間が、初期状態Ｓ１から動作状態Ｓ２への遷移時間である。動作状態Ｓ２に遷移すると、情報処理装置の状態を記憶する不揮発性の記憶素子１２に、現在の状態が動作状態Ｓ２であることと、以前の状態が初期状態Ｓ１であったことを示す識別情報を書き込む。
【００３９】
動作状態Ｓ２から、仮眠状態Ｓ３への遷移は、外部からの電力供給がある場合の、使用者の操作する起動／停止スイッチで起きる（Ｔ１）。
【００４０】
動作状態Ｓ２から、冬眠状態Ｓ４への遷移は、内部の電力蓄積手段３２の電力を使い、外部からの電力供給が無い場合の、使用者の操作する起動／停止スイッチ３１３と、内部の電力蓄積手段３２の蓄積していた電力が減少し、動作状態Ｓ２の維持が不可能と判断したときに起きる（Ｔ２）。
【００４１】
つまり、動作状態Ｓ２に遷移すると、使用者の操作する起動／停止スイッチ３１３では、仮眠状態Ｓ３もしくは、冬眠状態Ｓ４にしか遷移しなくなる。外部から電力が供給されている場合は、動作状態Ｓ２から仮眠状態Ｓ３に遷移する（Ｔ１）。このとき、情報処理装置の状態を記憶する不揮発性の記憶素子１２に、現在の状態が仮眠状態Ｓ３であることと、以前の状態が動作状態Ｓ２であったことを示す識別情報を書き込む。
【００４２】
また、動作状態Ｓ２から仮眠状態Ｓ４へ遷移する際に、内部記憶装置のデータ１０、ＬＳＩ内部情報１１、表示メモリのデータ１０１といった揮発性の情報を、不揮発性の外部記憶装置２のそれぞれの格納領域２１，２２，２１１に格納する処理を行なっておいても良い。
【００４３】
内部バッテリ等の電力蓄積手段３２の電力で動作し、外部から電力が供給されてない場合は、仮眠状態Ｓ３での電力消費をさけるため、動作状態Ｓ２から冬眠状態Ｓ４へ遷移する（Ｔ２）。このとき、情報処理装置の状態を記憶する不揮発性の記憶素子１２に、現在の状態が冬眠状態Ｓ４であることと、以前の状態が動作状態Ｓ２であったことを示す識別情報を書き込む。
【００４４】
ＯＳ等の情報処理装置の制御ソフトの入れ替えや更新等で、情報処理装置を初期状態Ｓ１へ移行する場合は、動作状態Ｓ２から初期状態Ｓ１へ遷移する（Ｔ８）。この遷移は、情報処理装置の状態を記憶する不揮発性の記憶素子１２の情報を無効にしてしまう処理により実現できる。
【００４５】
仮眠状態Ｓ３にある情報処理装置が、使用者の操作する起動／停止スイッチ３１３の変化を検出すると、動作状態Ｓ２に遷移する（Ｔ６）。このとき、情報処理装置の状態を記憶する不揮発性の記憶素子１２に、現在の状態が動作状態Ｓ２であることと、以前の状態が仮眠状態Ｓ３であったことを示す識別情報を書き込む。
【００４６】
仮眠状態Ｓ３にある情報処理装置において、外部からの電力供給が断たれると、内部バッテリ等の電力蓄積手段３２の電力を使用し、冬眠状態に遷移する（Ｔ３）。このとき、情報処理装置の状態を記憶する不揮発性の記憶素子１２に、現在の状態が冬眠状態Ｓ４であることと、以前の状態が仮眠状態Ｓ３であったことを示す識別情報を書き込む。このときの電力蓄積手段３２の電力の使用は、揮発性の情報を外部記憶装置２に格納する処理と、状態遷移情報を不揮発性の記憶素子１２に書き込む処理が終了するまでである。
【００４７】
また、仮眠状態Ｓ３が、ある定められた時間を越えて、変化しなかったら、冬眠状態Ｓ４へ遷移する（Ｔ９）。このとき、情報処理装置の状態を記憶する不揮発性の記憶素子１２に、現在の状態が冬眠状態Ｓ４であることと、以前の状態が仮眠状態Ｓ３であったことを示す識別情報を書き込む。これにより、長時間使用しない情報処理装置の消費電力を削減できる。
【００４８】
冬眠状態Ｓ４にある情報処理装置が、外部からの電力供給を検出すると、仮眠状態Ｓ３に遷移する（Ｔ５）。このとき、情報処理装置の状態を記憶する不揮発性の記憶素子１２に、現在の状態が仮眠状態Ｓ３であることと、以前の状態が冬眠状態Ｓ４であったことを示す識別情報を書き込む。
【００４９】
冬眠状態Ｓ４にある情報処理装置が、使用者の操作する起動／停止スイッチ３１３の変化を検出すると、外部からの電力供給があれば外部電力を、外部からの電力供給が無ければ、内部の電力蓄積手段３２の電力を用い、動作状態Ｓ２へ遷移する（Ｔ４）。このとき、情報処理装置の状態を記憶する不揮発性の記憶素子１２に、現在の状態が動作状態Ｓ２であることと、以前の状態が冬眠状態Ｓ４であったことを示す識別情報を書き込む。
【００５０】
冬眠状態Ｓ４から仮眠状態Ｓ３に遷移した後に、外部からの電力供給が断たれて冬眠状態Ｓ４に遷移する場合に、内部記憶装置のデータ１０、ＬＳＩ内部情報１１、表示メモリのデータ１０１は更新されていないため、これら揮発性の情報を外部記憶装置２に格納する処理は行わずに冬眠状態Ｓ４に遷移する（Ｔ３）。これは、仮眠状態Ｓ３に遷移した後に、動作状態Ｓ２に遷移した情報が、情報処理装置の状態を記憶する不揮発性の記憶素子１２に記録されてないことで識別する。
【００５１】
例外的な遷移として、仮眠状態Ｓ３での記憶素子のソフトエラーや、冬眠状態Ｓ４で外部記憶装置でのデータ破損等の発生により、正常に状態遷移を行えない場合は、強制的に初期状態に遷移させる（Ｔ１０）。
【００５２】
電源回路３１は、起動／停止制御部３１２が起動／停止スイッチ３１３の変化を検出した場合と、外部電力検出手段３１１が外部からの電力供給の変化を検出した場合に、電力供給線４２を用いて、情報処理装置本体電子回路１に電力を供給する。この時の使用電力は、外部からの供給電力または内部の電力蓄積手段３２の電力を電力切替手段３１４で選択して使用する。
【００５３】
外部電力検出手段３１１と起動／停止制御部３１２は、内部の電力蓄積手段３２の電力または、外部からの供給電力のどちらか一方が供給されていれば動作可能な構成にする。
【００５４】
電力供給を受けた情報処理装置本体電子回路１は、情報処理装置の状態を記憶する不揮発性の記憶素子１２の情報と、電源回路状態出力線４３，４４の状態を調べ、遷移すべき内部状態を決定し、必要な処理を行う。
【００５５】
このときの処理とは、動作状態Ｓ２から仮眠状態Ｓ３への遷移では、内部記憶装置や表示メモリ等の揮発性記憶素子とその記憶維持に必要な制御回路にのみ電力を供給し、内部情報の記憶に関係しない電子回路への電力供給を停止する処理である。
【００５６】
動作状態Ｓ２または仮眠状態Ｓ３から冬眠状態Ｓ４への遷移では、内部記憶装置のデータ１０、ＬＳＩ内部情報１１、表示メモリのデータ１０１といった揮発性の情報を、不揮発性の外部記憶装置２のそれぞれの格納領域２１，２２，２１１に格納し、電力切断信号４４を用いて、情報処理装置本体電子回路１に対する電力供給を停止する処理である。
【００５７】
仮眠状態Ｓ３から動作状態Ｓ２への遷移では、情報処理装置本体電子回路１全てに電力を供給し、使用者が利用可能な状態にする処理である。
【００５８】
冬眠状態Ｓ４から仮眠状態Ｓ３への遷移では、不揮発性の外部記憶装置２のそれぞれの格納領域２１，２２，２１１に格納していた、情報を内部記憶装置や表示メモリ等に復元する処理である。
【００５９】
冬眠状態Ｓ４から動作状態Ｓ２への遷移では、不揮発性の外部記憶装置２のそれぞれの格納領域２１，２２，２１１に格納していた、情報を内部記憶装置や表示メモリ等に復元し、情報処理装置本体電子回路１全てに電力を供給し、使用者が利用可能な状態にする処理である。
【００６０】
これにより、外部からの電力供給が受けられる場合は、基本的に情報処理装置は仮眠状態Ｓ３にあるため、使用者が操作する起動／停止スイッチ３１３よる起動から使用可能となるまでの待ち時間が短縮され、使い勝手の良い情報処理装置を実現できる。
【００６１】
以下、本発明の第２の実施の形態を図５〜図１５を用いて説明する。
【００６２】
図５は、本発明の第２の実施の形態にかかる情報処理装置の外観を模式的に示した外観斜視図である。
【００６３】
情報処理装置５は、ＣＰＵ、記憶装置などを含む本体部５０と、情報入力手段５３１と、画面表示部５８とから構成される。本体部５０には、動作中断スイッチ５３３と、外部電力供給操作部５７４とが設けられ、電力供給線４５を介して外部から電力が供給される。
外部電力供給操作部５７４は、外部からの電力を供給するか、遮断するかを決定する機械的なスイッチで、情報処理装置使用者は通常このスイッチをオンにしたままにしておく。情報処理装置５の動作を中断して仮眠状態Ｓ３へと移行するための作業中断スイッチ５３３は、作業中断操作部にあり、これは本体部５０への割込み信号を発生する。仮眠状態Ｓ３から動作状態Ｓ２へは、動作中断スイッチ５３３または情報入力手段５３１からの入力により移行する。
【００６４】
図６は、情報処理装置５の構造を模式的に示した機能ブロック図である。この実施の形態は、動作中断時の状態に復帰する機能と、何らかの原因により、動作中断時の状態に復帰することに失敗した場合か、あるいは使用者の指示により起動時の状態へ復帰する機能とを備えている。
【００６５】
本発明の第２の実施の形態にかかる情報処理装置５は、少なくとも情報処理装置本体電子回路５０と、不揮発性記憶装置５５と、電源部５７を備えている。
情報処理装置本体電子回路５０は、記憶装置制御部５１と、揮発性記憶装置５２と、動作中断スイッチ／情報入力手段５３とを備えている。
揮発性記憶装置５２は、主記憶装置５２１と、表示用メモリ５２２とを備え、主記憶装置５２１にはデバイス内部情報５２１１が格納されている。
【００６６】
不揮発性記憶装置５５は、内部に揮発性記憶装置内のデータを格納する領域５５２と、起動処理時に参照するフラグを格納する起動フラグ記憶領域５５１を備えている。
【００６７】
また、不揮発性記憶装置５５の揮発性記憶装置内のデータを格納する領域５５２は、動作中断時の情報を格納するための領域、すなわち、作業終了時のハイバネーションファイル領域５５２１と、情報処理装置のＯＳが起動した時点での情報を格納するための領域、すなわちＯＳ起動時のハイバネーションファイル領域５５２２が用意されている。この明細書では、不揮発性記憶装置内へ退避した情報を記録した部分をハイバネーションファイルと呼ぶ。
【００６８】
電源部５７は、少なくとも揮発性記憶装置およびその内容を保持するための部分への電力供給線４２１と、その他の部分への電力供給線４２２の２系統を備えている。
揮発性記憶装置５２およびその内容を保持するための部分以外への電力供給線４２２には、情報処理装置本体電子回路５０より制御が可能な電力供給遮断部５７１を備えている。
【００６９】
図７を用いて情報処理装置５のより詳細な機能ブロック構成を説明する。
情報処理装置５は、情報処理装置本体電子回路５０と、不揮発性記憶装置５５と、電源部５７と、画面表示部５８とから構成される。
情報処理装置本体電子回路５０は、記憶装置制御部５１と、揮発性記憶装置５２と、動作中断スイッチ／情報入力手段５３とから構成される。
【００７０】
情報処理装置本体電子回路５０内の記憶装置制御部５１は、ＣＰＵ５１１と、ＢＩＯＳ ＲＯＭ５１２と、メモリコントローラ，バスコントローラの機能を持つチップセット５１３と、Ｓｕｐｅｒ Ｉ／Ｏ，キーボードコントローラ，割込みコントローラの機能を持つチップセット５１４と、ＶＧＡコントローラ５１５とで構成されている。
【００７１】
揮発性記憶装置部５２は、主記憶として働くＤＲＡＭ５２１と、表示用メモリとして働くＶＲＡＭ５２２で構成されており、主記憶５２１には、デバイス内部情報が格納されるデバイス内部情報格納領域５２１１が設けられている。
【００７２】
動作中断スイッチ／情報入力手段５３は、キーボード５３１と、チャタリング防止回路５３２と、通常ハイに設定されている電圧をＧＮＤレベルへ落とす動作中断スイッチ５３３とからなっている。
【００７３】
不揮発性記憶装置５５は、ハードディスク５５３およびＲＴＣ／ＣＭＯＳメモリ５５４で構成される。動作中断時のハイバネーションファイル領域およびＯＳ起動時のハイバネーションファイル領域５５２１をハードディスク５５３に設ける。起動フラグ記憶領域５５１をＲＴＣ／ＣＭＯＳメモリ５５４に設ける。
【００７４】
電源部５７は、ＦＥＴからなる電力供給遮断部５７１と、電圧変換部として働くＤＣ／ＤＣコンバータ５７２と、整流部として働くＡＣ／ＤＣコンバータ５７３と、外部電力供給操作スイッチとして働くメカニカルスイッチ５７４とを備える。
電力供給線４２１，４２２のうち、揮発性記憶装置５２およびその内容を保持するため以外の電力供給線４２２は、ＤＣ／ＤＣコンバータ５７２から電力供給遮断部（ＦＥＴ）５７１を介して記憶装置制御部５１、不揮発性記憶装置５５のハードディスク５５３、画面表示装置５８の各部へ接続される。
【００７５】
図８を用いて、この実施の形態がとりうる状態とその遷移条件を説明する。
この実施の形態では、停止状態Ｓ１１と、動作状態Ｓ２と、仮眠状態Ｓ３と、冬眠状態Ｓ４と、ハイバネーションファイル作成状態Ｓ５とを有している。
【００７６】
停止状態Ｓ１１とは、情報処理装置５に外部電源が供給されておらず、また外部電力供給操作スイッチ５７４がオフにある状態である。これは情報処理装置５に初めて電源を投入するときの状態で、外部電力を供給し、スイッチ５７４をオンにすることにより、起動処理を開始する。起動処理後、ＯＳ起動時のハイバネーションファイルを作成し、動作状態Ｓ２へと遷移する（Ｔ１１）。
【００７７】
動作状態Ｓ２とは、情報処理装置５を使用して作業を行える状態である。使用者が作業を終了、あるいは中断する場合、動作中断スイッチ５３をオンにする。これにより、情報処理装置５の状態は、ハイバネーションファイル作成状態Ｓ５へと遷移する（Ｔ１２）。
【００７８】
ハイバネーションファイル作成状態（Ｓ５）とは、動作中断時の揮発性記憶装置５２内の情報を不揮発性記憶装置５５へ退避している状態である。退避中にキー入力など何か外部からの操作があった場合、退避作業を中断し、動作状態Ｓ２へと遷移する（Ｔ１３）。
揮発性記憶装置５２内のすべての情報を退避し、ハイバネーションファイルの作成が完了すると、不揮発性記憶装置５５の起動フラグ記憶領域５５１へハイバネーション情報を保存した後、仮眠状態Ｓ３へと遷移する（Ｔ１５）。
使用者の指示により、ＯＳ起動ハイバネーションが優先されている場合には退避処理を行わず、起動フラグ記憶領域５５１へハイバネーション情報を保存した後、仮眠状態Ｓ３へと遷移する。
【００７９】
仮眠状態Ｓ３とは、揮発性記憶装置５２関連の部分への電力供給を停止せず、画面表示部５８など動作中断時の状態に復帰する機能とは無関係の部分への電力を切断している状態である。
【００８０】
使用者はこの状態を通常の電源オフの状態として扱う。揮発性記憶装置５２内には、動作中断スイッチ５３３をオンにした時点の情報がそのまま維持されており、キーボード５３１入力等外部からの操作があれば、直ちに切断していた部分への電力の供給を再開し、動作状態Ｓ２へと遷移し、作業を再開することができる（Ｔ１４）。
【００８１】
仮眠状態Ｓ３中に情報処理装置５への外部電力供給が停止した場合、情報処理装置５は冬眠状態Ｓ４へと遷移する（Ｔ１６）。
冬眠状態Ｓ４は、停止状態Ｓ１１とは異なり、外部電力供給操作スイッチ５７４はオンの状態のままであり、不揮発性記憶装置５５内にはハイバネーションファイルが存在している。また、起動フラグも停止状態のときとは異なった値になっている。
【００８２】
冬眠状態Ｓ４中に外部からの電力供給が再開された場合、情報処理装置５は直ちに起動処理を開始し、仮眠状態Ｓ３へと遷移する（Ｔ１７）。この起動処理は、通常、ハイバネーション作成状態Ｓ５で退避された不揮発性記憶装置５５内の動作中断時の情報を、揮発性記憶装置５２へと復帰させるが、これに失敗した場合、もしくはＯＳ起動時の再現が優先されている場合は停止状態Ｓ１１から動作状態Ｓ２への遷移（Ｔ１１）で作成されたハイバネーションファイルを復帰する。
【００８３】
図９のフローチャートをを用いて、停止状態Ｓ１１／冬眠状態Ｓ５からの遷移（Ｔ１１），（Ｔ１７）を実現する起動処理を説明する。なお、この起動処理を行うプログラムはＢＩＯＳ ＲＯＭ５１２内に存在する。
【００８４】
まず停止状態Ｓ１１からの起動の流れ（遷移（Ｔ１１））を説明する。
起動処理が開始されると、ＣＰＵ５１１はＢＩＯＳ ＲＯＭ５１２に割り当てられたアドレスをアクセスし、ここに書かれているプログラムに従ってまず情報処理装置５内の主記憶の容量の認識やハードディスクのチェックなど各デバイスのチェックと初期化処理を行う（ＳＴ１）。
【００８５】
次に、ＲＴＣ／ＣＭＯＳメモリ５５１に記録されている起動フラグＦを参照し、停止状態Ｓ１１からの起動であるか、冬眠状態Ｓ４からの起動であるか、あるいはリブートであるかを判断する（ＳＴ２）。
停止状態Ｓ１１からの起動時は、起動フラグＦは初期値“０”となっており、起動フラグのチェック（ＳＴ２）では、起動フラグＦが“０”または“２”のときはステップＳＴ３へ、起動フラグＦが“０”および“２”以外のときはステップＳＴ５へと分岐する。
【００８６】
図１０に起動フラグＦの取りうる値とその機能を示す。Ｆ＝０は、初期値または停止の状態である。Ｆ＝１は、通常のハイバネーション状態を示し、ハイバネーションファイルがハードディスクに格納されて正常に終了した状態を示している。Ｆ＝２は、ＯＳ起動ハイバネーションであり、ＯＳ起動時のハイバネーションファイルを用いてＯＳを起動する状態を示している。Ｆ＝３は、ハイバネーションファイル作成開始状態を示し、図８の遷移（Ｔ１２）状態であり、正常終了時にはＦ＝１とされる。Ｆ＝４は、ハイバネーションファイル復帰状態を示し、図８の遷移（Ｔ１４）状態である。
【００８７】
ステップＳＴ２において、起動フラグＦが“０”または“２”ときは、起動フラグＦが“０”であるか“２”であるかを判定し（ＳＴ３）、起動フラグＦが“０”のときは、前回作業終了時のハイバネーションファイル領域の初期化を行い（ＳＴ４）、続いてＯＳ起動時のハイバネーションファイル領域の初期化（ＳＴ１０）を行った後、ＯＳの起動処理にはいる（ＳＴ１１）。ＯＳが起動した時点で、ＯＳ起動時の揮発性記憶装置５２内の情報を不揮発性記憶装置５５内のステップＳＴ４で初期化しておいた領域へと退避し、ＯＳ起動時のハイバネーションファイルを作成する（ＳＴ１２）。
このとき、ＯＳが起動した時点で処理はＯＳ側へ移るが、起動時点でシステムＢＩＯＳプログラムのコールができないＯＳの場合は、ある特定のハードウエア割込みで処理をシステムＢＩＯＳ側へ移行してもよい。
ハイバネーションファイル完成後、エラーフラグをチェックする（ＳＴ１３）が、ここまでの処理でフラグが立つことはなく、動作状態Ｓ２へと移行する（ＳＴ１４）。
【００８８】
ステップＳＴ３において、起動フラグＦが“２”のときは、ＯＳ起動時のハイバネーションファイルをチェックし（ＳＴ８）、ファイルに異常があるときは、エラーフラグをセットし（ＳＴ９）、ＯＳ起動時のハイバネーションファイル領域を初期化する（ＳＴ１０）。以下、起動フラグＦが“０”のときと同様な処理を行なう。
【００８９】
次に、冬眠状態Ｓ４からの起動の場合（遷移（Ｔ１７））を説明する。各デバイスをチェックした（ＳＴ１）後、通常のハイバネーションへと分岐する場合と、ユーザーがＯＳ起動時のハイバネーションファイルを優先する選択をしていればＯＳ起動ハイバネーションを行う場合とに別れる。
ステップＳＴ２において起動フラグＦをチェックした結果、起動フラグＦが“０”または“２”以外の場合には、起動フラグＦが“１”であるかどうかをチェックする（ＳＴ５）。
ステップＳＴ５のチェックの結果、起動フラグＦが“１”以外であるときには、エラーフラグをセットし（ＳＴ６）、前回作業終了時のハイバーネーションファイル領域を初期化し（ＳＴ７）た後、前述のステップＳＴ８へ移行する。
【００９０】
通常のハイバネーションを行う場合は、起動フラグＦは“１”となっており、最初の起動フラグをチェックして（ＳＴ２）、起動フラグＦが“０”または“２”以外へと分岐し、さらに（ＳＴ５）の起動フラグチェックでハイバネーションファイルの保存状況をチェックする。
Ｆ＝１の場合は正常に前回作業終了時のハイバネーションファイルが作成されているので、ステップＳＴ１５にてファイルチェックを行う。正常の場合は、起動フラグＦ＝４をセット（ＳＴ１６）し、ハイバネーションファイルを復帰するという情報を保存する。ステップＳＴ１７でハイバネーションファイルを揮発性記憶装置５２へと復帰し、その後エラーフラグも立っていないので仮眠状態Ｓ３へと遷移する（ＳＴ２０）。
【００９１】
ファイルが破損した場合や、メモリの増設等、情報処理装置のハードウエア構成が変更されているなど、何らかの理由によりステップＳＴ１５でファイルが異常であると判断された場合、もしくはステップＳＴ５の起動フラグチェックでＦ＝１以外の値が検出された場合にはエラーフラグをセットし（ＳＴ６）、改めて前回作業終了時のハイバネーションファイル領域を初期化する（ＳＴ７）。なお、エラーフラグはエラー無しで０、有りで１の値を取り、起動フラグ記憶領域のような不揮発性記憶装置ではなく、揮発性メモリの主記憶上に設定される起動処理プログラムの変数の一つである。その後、ＯＳ起動時のハイバネーションファイルチェック（ＳＴ８）を行う。正常の場合はハイバネーションファイルを揮発性記憶装置へと復帰し、エラーメッセージを表示（ＳＴ１９）、その後仮眠状態Ｓ３へと遷移する。
【００９２】
ステップＳＴ８の判定でも異常であると判断された場合は、エラーフラグをセット（ＳＴ９）（ただしこの時はステップＳＴ６ですでにエラーフラグが立っているので実際には値は変わらない）し、改めてＯＳ起動時のハイバネーションファイル領域を初期化（ＳＴ１０）した後、停止状態Ｓ１１からの起動と同様にＯＳの起動処理を行う（ＳＴ１１）。ＯＳが起動した時点で揮発性記憶装置内の情報を不揮発性記憶装置内の初期化しておいた領域へと退避、ＯＳ起動時のハイバネーションファイルを作成する（ＳＴ１２）。
【００９３】
ここでも停止状態Ｓ１１からの起動と同様に、ＯＳが起動した時点でシステムＢＩＯＳプログラムのコールができないＯＳの場合は、ある特定のハードウエア割込みで処理をシステムＢＩＯＳ側へ移行してもよい。このとき、ＯＳが起動した時点で処理はＯＳ側へ移るが、起動時点でシステムＢＩＯＳプログラムのコールができないＯＳの場合は、ある特定のハードウエア割込みで処理をシステムＢＩＯＳ側へ移行してもよい。
【００９４】
その後、エラーフラグチェック（ＳＴ１３）を行い、ステップＳＴ６、ステップＳＴ９でエラーフラグが立っているため、エラーメッセージを表示し（ＳＴ１９）、仮眠状態へと遷移する（ＳＴ２０）。
【００９５】
ユーザーがＯＳ起動時のハイバネーションファイルを優先していた場合は、最初の起動フラグチェック（ＳＴ２）でＦ＝２へと分岐、次の起動フラグチェック（ＳＴ３）でもＦ＝２へと分岐する。その結果、前回作業終了時のハイバネーションに関する処理をとばしてすぐにＯＳ起動時のハイバネーションファイルチェック（ＳＴ８）まで進む。その後は同様の処理を行う。ＯＳ起動時のハイバネーションファイルを揮発性記憶装置へ復帰した場合は、起動フラグの値は変更しない。
【００９６】
情報処理装置を再起動する場合は、不揮発性記憶装置の起動フラグＦを初期値０にセットし、停止状態Ｓ１１からの起動処理を再現することで実現する。
【００９７】
ハイバネーションファイル作成状態Ｓ５中のフローは図１１の様になる。この処理を行うプログラムは、起動処理を行うプログラムと同様にＢＩＯＳ ＲＯＭ５１２内に存在する。動作状態Ｓ２中に動作中断ボタン５３３を押すと、この処理を開始する（遷移（Ｔ１２））。
【００９８】
まず、現在、不揮発性記憶装置５５へアクセスを行っている全てのプログラムについて、その処理を終了させる（ＳＴ３１）。次に、キーボード割込みと、動作中断スイッチ割り込みのベクタテーブルにあるアドレスをハイバネーションファイル作成を中断し、動作状態へ戻るプログラムが配置されているアドレスに書き換える（ＳＴ３２）。
次にＯＳ起動時のハイバネーションファイルを優先するかどうかを判定する（ＳＴ３３）。起動フラグＦが“２”であれば、現在の動作中断時のハイバネーションファイルを作成せず、すぐに仮眠状態Ｓ３へ移行する（遷移（Ｔ１５））。ステップＳＴ３３の判定で起動フラグＦが“２”以外であれば、起動フラグＦ＝３をセットし（ＳＴ３４）、ハイバネーションファイル作成開始の情報を起動フラグ領域へ保存する。その後、現在の揮発性記憶装置の内容を不揮発性記憶装置へ退避し、動作中断時のハイバネーションファイルを作成する（ＳＴ３５）。
【００９９】
キーボード割込み、動作中断スイッチ割込みが発生せず、ハイバネーションファイルの作成が完了すると、起動フラグＦ＝１をセットして起動フラグ記憶領域へその情報を記録し（ＳＴ３６）、仮眠状態Ｓ３へと移行する（ＳＴ３７）（遷移（Ｔ１５））。
【０１００】
もし、ステップＳＴ３２以降の処理中にキーボード割込み信号あるいは動作中断スイッチからの割込み信号を検出した場合は、書き換えたベクタアドレスに従ってステップＳＴ３８へと分岐する。ここで書き換えたベクタアドレスをもとのアドレスに直し（ＳＴ３８）、ハイバネーションファイルの作成を中断して動作状態Ｓ２へと移行する（遷移（Ｔ１３））（ＳＴ３９）。
【０１０１】
メモリマップを模式的に表した図１２を用いて、この実施の形態におけるメモリマップを説明する。
動作中断ボタンが押されると、割込みベクタテーブル（メモリの先頭アドレス近くにある各割込みベクタアドレスがかかれている部分）に記述されている動作中断ボタン割込みアドレスＡＤＤＲ２に従って、ＲＯＭ領域内のハイバネーションファイル作成状態プログラムの処理が開始される。
【０１０２】
ステップＳＴ３２によって書き換えられる割込みベクタテーブルのアドレスは、この動作中断ボタン割込みアドレスＡＤＤＲ２と、キーボード割込みアドレスＡＤＤＲ１である。キーボード割込みアドレスＡＤＤＲ１は、ＲＯＭ領域内のキーコード取得プログラムの先頭アドレスを示している。アドレスＡＤＤＲ１，ＡＤＤＲ２は、両方ともハイバネーションファイル作成状態中断処理プログラムの先頭アドレスＡＤＤＲ３に書き換えられる。これにより、ハイバネーションファイル作成状態中にキーボードあるいは動作中断スイッチが押され、割り込みが発生した場合は処理はＡＤＤＲ３へとぶ。そこからの処理でステップＳＴ３８の処理によって書き換えた割込みベクタアドレスを元のＡＤＤＲ１、ＡＤＤＲ２へと戻した後、ハイバネーションファイル作成状態プログラムへの割込みがかかった時点の以前の処理へと戻り、動作状態Ｓ２へと移行する。
【０１０３】
仮眠状態Ｓ３中の処理を図１３を用いて説明する。
この処理を行うプログラムは、ＢＩＯＳ ＲＯＭ５１２内に存在する。仮眠状態Ｓ３に遷移後は、情報処理装置は動作中断スイッチ割込みあるいはキーボード割込みの発生待ち状態となる（ＳＴ４１）。割込みが発生しない限りはステップＳＴ４１から先へ処理が進むことはない。
割込みが発生すると、起動フラグＦをチェックしてＯＳ起動ハイバネーションを優先しているかどうかを判定する（ＳＴ４２）。
起動フラグＦが“２”すなわちＯＳ起動ハイバネーションであれば、すぐに動作状態Ｓ２へと移行する（ＳＴ４４）（遷移Ｔ１４）。起動フラグＦが“２”でなかった場合は、起動フラグＦに“４”すなわちハイバネーションファイル復帰をセットし（ＳＴ４３）、動作状態Ｓ２へと移行する（ＳＴ４４）。
【０１０４】
図１４に各状態の遷移と起動フラグＦの変化の関係をまとめて模式的に示した。停止状態Ｓ１１では、起動フラグＦの初期値は“０”とされ、起動処理後、動作状態Ｓ２へと移行する。このとき、起動フラグＦの値は“０”のままである。
【０１０５】
動作状態Ｓ２では、起動フラグＦは使用者の指示によって、ＯＳ起動ハイバネーションを優先する場合はＦ＝２へ、再起動する場合はＦ＝０へ書き換えることができる（再起動の場合はそのまま起動処理へ移行する）。
動作状態Ｓ２では、Ｆ＝０、２に加え、ハイバネーションファイル復帰後のＦ＝４と、ハイバネーションファイル作成を中断して動作状態Ｓ２へ復帰した場合のＦ＝３の４つの値を取りうる。
【０１０６】
動作状態Ｓ２では、いずれの起動フラグの状態でも、動作中断スイッチ５３３を押すことでハイバネーションファイル作成状態Ｓ５の処理へ移行する。
【０１０７】
動作中断スイッチ５３３が押されると、図１１の処理に従って、起動フラグＦが“２”の場合はそのまま仮眠状態Ｓ３へ、それ以外の場合はまずハイバネーションファイル作成開始時に起動フラグＦは“３”となり、ハイバネーションファイル作成状態Ｓ５とされ、ハイバネーションファイル作成完了後起動フラグＦが“１”とされて、仮眠状態Ｓ３へ移行する。
【０１０８】
仮眠状態Ｓ３では、動作状態Ｓ２へと移行する際、起動フラグＦが“１”の場合は、起動フラグＦを“４”として動作状態Ｓ２へ復帰する。起動フラグＦが“２”の場合はその値のまま動作状態Ｓ２へ復帰する。
【０１０９】
冬眠状態Ｓ４へ移行する場合は、起動フラグＦが“１”または“２”の値はそのまま持ち越される。
冬眠状態Ｓ４で外部からの電力供給が再開されると、起動フラグＦが“１”の通常のハイバネーションの場合は、起動処理がなされ、起動処理後起動フラグＦを“４”に設定して仮眠状態Ｓ３へ移行し、起動フラグＦが“２”のＯＳ起動ハイバネーションの場合は、起動処理がなされ仮眠状態Ｓ３へ移行し、起動フラグＦが“２”のまま動作状態Ｓ２となる。
【０１１０】
図１５を用いて、消費電力と情報処理装置の各状態の遷移の関係を説明する。この図は、縦軸に消費電力をとり、横軸に時間をとって消費電力と情報処理装置の各状態の遷移の関係をあらわした図である。
停止状態Ｓ１１の時点で消費電力は０である。ここから外部電力の供給を開始し、外部電力供給操作スイッチを入れて起動処理に入った時点で動作状態Ｓ２中と同じ消費電力は最大まであがる。
動作中断スイッチをオンにし、ハイバネーションファイル作成状態Ｓ５時も消費電力は最大のままである。
ハイバネーションファイル作成処理後仮眠状態Ｓ３になった時点で電力供給を遮断した部分の分消費電力は少なくなる。
外部電力の供給が停止すると、当然消費電力は０になり、情報処理装置は冬眠状態Ｓ４になる。
外部電力の供給が再開すると情報処理装置はただちに冬眠状態Ｓ４からの起動処理に入り、この時点で消費電力は最大となる。
その後、起動処理の最後に仮眠状態Ｓ３へと移行するので消費電力は抑えられ、情報処理装置の状態は動作中断時と同じ状態に戻る。
【０１１１】
図１６を用いて、本発明の第３の実施の形態を説明する。この実施の形態は、情報処理装置をノート型情報処理装置５´とした場合の実施の形態である。
ノート型情報処理装置５´は、本体部５０´と、画面表示部５８´とから構成される。ノート型情報処理装置５´は、本体部５０´と画面表示部５８´とをつなぐ可動部の根元付近に動作中断スイッチ５３３´が配置されており、画面表示部５８´を閉じるとこのスイッチが押される。
これにより、使用者は作業を中断、終了するさいは画面表示部５８´を閉じることでその手順を簡明化でき、また画面表示部５８´を開けることで作業再開の動作を完了でき、使い勝手を良くすることができる。
【０１１２】
【発明の効果】
本発明によれば、情報処理装置において、起動指示を出した後の情報処理装置内の起動作業が短時間で済むので、使用者は前回の作業を即再開でき、情報処理装置の使い勝手がよくなる。
また、本発明によれば、終了指示を出した後の情報処理装置内の終了作業が短時間で済み、使用者は終了指示後に情報処理装置に拘束される時間を短くすることができる。
さらに、本発明によれば、外部からの電力供給が突然停止しても、ハイバネーションファイルを作成してから冬眠状態Ｓ４に移行するので、停電等の事故に対してもデータの破壊等の被害を最小限度に抑えることができる。
加えて、本発明によれば、長期にわたり、情報処理装置を使用しない場合には、冬眠状態Ｓ４に移行するので、電力消費を抑えることができる。
【０１１３】
本発明によれば、情報処理装置の終了時にハイバネーションファイルを作成しているので、作業者が情報処理装置の動作を再開する操作を行う際の起動処理時間を短縮することができ、作業を即再開することができるとともに、使い勝手がよくなる。
また、本発明によれば、情報処理装置への外部からの電力供給が遮断された場合も、ハイバネーションファイルを作成する処理の後冬眠状態Ｓ４に移行するので、前回の動作中断時の情報を失わず、長期間の状態保存もできる。
本発明によれば、揮発性記憶装置内の情報を不揮発性記憶装置へ退避する作業中、使用者が何か情報入力操作を行った場合、即座に動作状態へと復帰し、応答性が良くなる。
さらに、本発明によれば、動作中断時点での情報が何らかの原因で破損した場合、情報処理装置を再起動せずとも、動作中断以前の状態へ復帰することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態にかかる情報処理装置（動作状態）の構成を示す機能ブロック図。
【図２】本発明の第１の実施の形態にかかる情報処理装置の状態遷移を説明する流れ図。
【図３】本発明の第１の実施の形態にかかる情報処理装置（仮眠状態）の構成を示す機能ブロック図。
【図４】本発明の第１の実施の形態にかかる情報処理装置（冬眠状態）の構成を示す機能ブロック図。
【図５】本発明の情報処理装置の外観を模式的に示した斜視図。
【図６】本発明の第２の実施の形態にかかる情報処理装置の主要部の機能構成を示す機能ブロック図。
【図７】本発明の第２の実施の形態にかかる情報処理装置の機能構成を示すより詳細な機能ブロック図。
【図８】本発明の第２の実施の形態にかかる情報処理装置がとりうる状態とその遷移条件を説明する図。
【図９】第２の実施の形態における停止状態／冬眠状態からの起動処理のフローチャート。
【図１０】起動フラグの値とその機能を説明する図。
【図１１】第２の実施の形態におけるハイバネーションファイル作成状態中のフローチャート。
【図１２】第２の実施の形態におけるメモリマップの構成を模式的に表す説明図。
【図１３】第２の実施の形態における仮眠状態中のフローチャート。
【図１４】第２の実施の形態の各状態の遷移と起動フラグの変化の関係を模式的に示した説明図。
【図１５】消費電力と情報処理装置の各状態の遷移の関係を説明する図。
【図１６】本発明の第３の実施の形態にかかるノート型情報処理装置の外観図。
【符号の説明】
１ 情報処理装置本体電子回路
１０ 内部記憶装置のデータ
１０１ 表示メモリのデータ
１１ ＬＳＩ内部情報
１２ 情報処理装置内部状態記憶部
２ 外部記憶装置
２１ 内部記憶装置のデータ格納領域
２１１ 表示メモリのデータ格納領域
２２ ＬＳＩ内部情報格納領域
３ 電力供給制御部
３１ 電源回路
３１１ 外部電力検出手段
３１２ 起動／停止制御部
３１３ 起動／停止スイッチ
３１４ 電力切替手段
３２ 電力蓄積手段
４１ 電力切断信号
４２ 電力供給線
４２１ 電力供給線
４２２ 電力供給線
４３ 電源回路状態出力線
４４ 電源回路状態出力線
４５ 外部電力供給線
５ 情報処理装置
５０ 除法処理装置本体電子回路
５１ 記憶装置制御部
５１１ ＣＰＵ
５１２ ＢＩＯＳ ＲＯＭ
５１３ チップセット（メモリコントローラ、バスコントローラ）
５１４ チップセット（スーパーＩ／Ｏその他）
５１５ ＶＧＡコントローラ
５２ 揮発性記憶装置
５２１ メインメモリ
５２２ ビデオメモリ
５３ 動作中断スイッチ／情報入力手段
５３１ キーボード
５３３ 動作中断スイッチ
５５ 不揮発性記憶装置
５５１ 不揮発性記憶装置内の起動フラグ記憶領域
５５２ 不揮発性記憶装置内の揮発性記憶装置内情報を格納する領域
５５２１ 不揮発性記憶装置内の揮発性記憶装置内情報を格納する領域における作業終了時のハイバネーションファイル作成領域
５５２２ 不揮発性記憶装置内の揮発性記憶装置内情報を格納する領域におけるＯＳ起動時のハイバネーションファイル作成領域
５５３ ハードディスク
５５４ ＲＴＣ／ＣＭＯＳメモリ
５７ 電源部
５７１ 電力供給遮断部
５７４ 外部電力供給操作スイッチ
５７１ 電力遮断部（ＦＥＴ）
５７２ ＤＣ／ＤＣコンバータ
５７４ 外部電力供給操作スイッチ
５７３ ＡＣ／ＤＣコンバータ
Ｓ１ 初期状態
Ｓ２ 動作状態
Ｓ５ ハイバネーションファイル作成状態
Ｓ３ 仮眠状態
Ｓ４ 冬眠状態
Ｓ１１ 停止状態
Ｔ１ 動作状態から仮眠状態への遷移
Ｔ２ 動作状態から冬眠状態への遷移
Ｔ３ 仮眠状態から冬眠状態への遷移
Ｔ４ 冬眠状態から動作状態への遷移
Ｔ５ 冬眠状態から仮眠状態への遷移
Ｔ６ 冬眠状態から動作状態への遷移
Ｔ７ 初期状態から動作状態への遷移
Ｔ８ 動作状態から初期状態への遷移
Ｔ９ 仮眠状態から冬眠状態への遷移
Ｔ１０ 冬眠状態／仮眠状態から初期状態への遷移
Ｔ１１ 停止状態から動作状態への遷移
Ｔ１２ 動作状態からハイバネーションファイル作成状態への遷移
Ｔ１３ ハイバネーションファイル作成状態から動作状態への遷移
Ｔ１４ 仮眠状態から動作状態への遷移
Ｔ１５ ハイバネーションファイル作成状態から仮眠状態への遷移
Ｔ１６ 仮眠状態から冬眠状態への遷移
Ｔ１７ 冬眠状態から仮眠状態への遷移
ＡＤＤＲ１ キーコード取得プログラムの先頭アドレス
ＡＤＤＲ２ ハイバネーションファイル作成状態プログラムの先頭アドレス
ＡＤＤＲ３ ハイバネーションファイル作成状態中断処理プログラムの先頭アドレス

Claims (17)

1. 動作時の内部状態の情報を記録する揮発性記憶装置と不揮発性記憶装置とを有する情報処理装置において、外部からの条件の変化により、情報処理装置の内部状態が変化するようにした情報処理装置であって、
   前記情報処理装置の内部状態として、動作状態と仮眠状態と冬眠状態を有するか、動作状態と仮眠状態と冬眠状態とハイバネーションファイル作成状態を有し、非使用時の情報処理装置の内部状態が冬眠状態にあっても、冬眠状態にある情報処理装置が外部からの電力供給を検出すると、情報処理装置の内部状態を仮眠状態に遷移することを特徴とする情報処理装置。
2. 仮眠状態にある情報処理装置が、外部からの電力供給を絶たれたことを検出すると、情報処理装置の内部状態を冬眠状態に遷移することを特徴とする請求項１記載の情報処理装置。
3. 動作状態にある情報処理装置が使用者による情報処理装置の使用の終了を検知したときに、情報処理装置が外部からの電力の供給の有無を判断し、情報処理装置の内部状態を仮眠状態または冬眠状態に遷移することを特徴とする請求項１記載の情報処理装置。
4. 仮眠状態にある情報処理装置が、仮眠状態が定められた時間を経過しても継続したことを検出すると、情報処理装置の内部状態を冬眠状態に遷移することを特徴とする請求項１記載の情報処理装置。
5. 仮眠状態でも動作する時間計測手段を備えることを特徴とする請求項４記載の情報処理装置。
6. 情報処理装置を起動する際に、冬眠状態や仮眠状態から動作状態に遷移する場合と、システムを再構築させる場合との識別手段を持つことを特徴とする請求項１記載の情報処理装置。
7. 情報処理装置を起動した後に、システムを再構築する手段を持つことを特徴とする請求項１記載の情報処理装置。
8. 使用者が操作する情報処理装置の起動／停止手段を有し、外部からの電力供給状態を識別することにより、仮眠状態と動作状態を遷移する処理と、冬眠状態と動作状態を遷移する処理の２通りの起動／停止処理を行うことを特徴とする請求項１記載の情報処理装置。
9. 現在の内部状態と現在の内部状態に遷移する以前の内部状態との識別情報を、不揮発性記憶装置に格納することを特徴とする請求項１記載の情報処理装置。
10. 情報処理装置が動作状態から仮眠状態に遷移する際に、揮発性記憶装置に格納された情報処理装置の内部情報を不揮発性記憶媒体へ退避することを特徴とする請求項１記載の情報処理装置。
11. 情報処理装置が仮眠状態から冬眠状態に遷移する際に、情報処理装置がすでに内部情報の退避が行われていると判断すると、即座に電源を切ることを特徴とする請求項１０記載の情報処理装置。
12. 情報処理装置が外部からの電力供給が停止したとき、動作状態や仮眠状態から冬眠状態へ移行する処理の間は、内蔵の電力蓄積手段の電力で動作することを特徴とする請求項１記載の情報処理装置。
13. 動作時に情報を揮発性記憶装置に記録し、動作中断時に揮発性記憶装置に記憶されている動作中の情報を不揮発性記憶装置に退避し、動作再開時には不揮発性記憶装置に退避した情報を揮発性記憶装置に復元することを特徴とする請求項１記載の情報処理装置。
14. 動作中断時に外部からの電力が供給され続けている場合には、揮発性記憶装置の内容を保持したままにしておき、動作再開時には不揮発性記憶装置の情報を復元せず、保持していた内容をそのまま使用して動作を再開することを特徴とする請求項１３記載の情報処理装置。
15. 動作中断状態時に外部からの電力の供給が一度絶たれた後、電力が 再供給された時点で自動的に不揮発性記憶装置の情報を揮発性記憶装置に復元し、動作中断状態へ移行することを特徴とする請求項１３または請求項１４記載の情報処理装置。
16. 動作中断時に揮発性記憶装置に記憶されている動作中の情報を不揮発性記憶装置に退避するとき、任意のタイミングで退避処理を中断し、動作状態へ移行することを特徴とする請求項１３ないし請求項１５のいずれかに記載の情報処理装置。
17. 異なった時点での２つ以上の動作状態中の情報を不揮発性記憶装置に退避し、動作再開時にはそのうちの何れかの情報を揮発性記憶装置に復元することを特徴とする請求項１３記載の情報処理装置。

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