JP3851657B2 - マスクパターンを基板上に繰り返し結像する方法及びこの方法を実施する装置 - Google Patents
マスクパターンを基板上に繰り返し結像する方法及びこの方法を実施する装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3851657B2 JP3851657B2 JP50059496A JP50059496A JP3851657B2 JP 3851657 B2 JP3851657 B2 JP 3851657B2 JP 50059496 A JP50059496 A JP 50059496A JP 50059496 A JP50059496 A JP 50059496A JP 3851657 B2 JP3851657 B2 JP 3851657B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- latent image
- substrate
- mask
- image
- projection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70653—Metrology techniques
- G03F7/70675—Latent image, i.e. measuring the image of the exposed resist prior to development
Description
・少なくとも一つのテストマークを有するマスクをマスクテーブルに設けるステップと、
・フォトレジスト層を有する基板を基板テーブルに設けるステップと、
・前記マスクの少なくとも一つのテストマークの像を投影ビーム及び投影レンズ系によりフォトレジスト層に投影するステップと、
・前記少なくとも一つのテストマークの潜像を非化学線を使用する潜像検出装置により検出するステップと、
・マスクパターン像の品質及び位置に影響を与える少なくとも一つのパラメータを前記潜像検出装置の出力信号により設定するステップと、
・製造マスクパターンを製造基板上に連続的に異なる位置に繰り返し結像するステップと、
を具えるマスクパターン結像方法に関するものである。
本発明は、特に、マスク内に存在するマスクパターンを基板上に繰り返し結像する装置であって、投影ビームを供給する照明システムと、マスクテーブルと、投影レンズ系と、基板テーブルとを具え、更に潜像検出装置が設けられているマスクパターン結像装置にも関するものである。
ICマスクパターンをIC製造基板上に繰り返し結像するこのような方法及び装置は米国特許第5,124,927号から既知である。この特許に記載されているように、製造及び投影プロセス、即ち製造基板上に製造マスクパターン像を形成する前に、テストマスクを装置内に設け、テスト基板又は製造基板上に結像することができる。基板上に設けられたフォトレジスト層にマスクを経て入射する投影ビーム放射はこのフォトレジスト層にマスクのパターンに対応するパターンに応じた屈折率の変化を生ぜしめる。まだ現像されてないフォトレジスト層のこのパターンを潜像という。この潜像は位相差顕微鏡により観察することができる。その理由は、屈折率の差が反射の差を生じ、フォトレジスト層及び基板で反射されるビームに位相差を生ずるためである。米国特許第5,124,927号に記載されているように、潜像を種々の目的に使用でき、特に基板に対するマスクのグローバルアライメント、マスクパターン像の臨界的ライン幅の制御、放射エネルギー量の制御、フォトレジスト層上への投影ビームのフォーカシング、温度変化による像の変化の制御に使用することができる。潜像は、テスト基板上の代わりに、製造基板上に形成することもできるが、この場合には基板上に形成しうるICの数が制御のためにこの基盤上に形成する潜像の数だけ減少する。
潜像検出の利点は、前記のアライメント及び諸制御を装置自体内で実行することが可能になり、且つ以前の方法と異なり、もはや、テストマスク像を有する基板を装置から取り出し、この基板を現像し、例えば走査電子顕微鏡で検査する必要がなくなる点にある(この検査は時間がかかるとともに、この検査中は装置を使用することができなくなる)。
米国特許第5,124,927号に記載された装置においては、潜像検出装置にノマルスキー微分干渉コントラスト顕微鏡の形態の偏光干渉顕微鏡を使用している。この顕微鏡は全潜像をCCD(電荷結合装置)センサ又はビジコンのような複合検出器上に再結像させる対物レンズを具えている。ビジコンの場合には再結像された潜像が走査され潜像を表す電気信号が得られる。ノマルスキー顕微鏡の分解能はその対物レンズの分解能により決まる。このレンズは大きなイメージフィールドを有する必要があるため、その開口数が制限される。更に、顕微鏡で使用する放射はフォトレジスト層に何の影響も与えないものとする必要がある、即ち非化学線にする必要があるため、その波長を十分に大きくする必要があるので、ノマルスキー顕微鏡の分解能には制限がある。また、ノマルスキー顕微鏡はかなり大きな装置であり、この装置は投影レンズからかなり大きな距離に位置させる必要があるため、潜像が設けられた基板を潜像検査のためにかなり大きな距離に亘って移動させる必要がある。更に、ノマルスキー顕微鏡では検査の精度を損なう例えば振動のような不安定が発生しうる。
本発明の目的は、上述した欠点を生じないとともに高い分解能を達成しうる新しい概念の潜像検出を提供することにある。本発明は更に潜像の利用可能性及び主として潜像検出用の検出装置の利用可能性の拡張にも関するものである。
この概念を実現する本発明の方法は、回折限界走査スポットを潜像検出に使用し、且つこのスポットと潜像を相対的に移動させて潜像を点順次走査することを特徴とする。
潜像検出は点順次に実現されるため、例えば100μm程度の小さなイメージフィールド、従って比較的大きな開口を有するテストビームを使用することができるので、高い分解能を有する検出が可能になる。また、もはや潜像を再結像させる必要もないので、検出がレンズの結像性能により影響されることもない。
前記マスクパターン、即ち製造マスクパターン、例えばICパターンが好適な構造、例えば十分な周期性を有する場合、又は他の十分に認識可能な構造要素を有する場合には、このパターンをテストマスクとして使用することができる。
本発明の方法においては、潜像検出に少なくとも一つのテストマークが設けられた製造マスクを使用することを特徴とすることもできる。
このテストマークは潜像検出信号を得るのに最適なものとすることができる。
基板上の潜像の位置の選択の大きな自由度、従って測定の大きな可能性を得るために、本発明の方法においては、潜像検出に少なくとも一つのテストマークが設けられたテストマスクを使用することを特徴とする。
潜像の測定及び/又は潜像による測定の実行後に、このテストマスクを製造マスクと置き換える。
本発明方法の第1の実施例では、テストマークの複数の像をフォトレジスト層に各像毎に投影レンズ系の異なるフォーカス設定で形成し、且つ前記複数の像の各々を走査して得られる潜像検出装置の出力信号の変化から投影レンズ系の最適フォーカスを決定することを特徴とする。
こうして得られた情報を用いて、製造マスクパターンを製造基板上に投影する前に、最適フォーカスを設定することができる。
後述するように、潜像は種々の方法で検出することができる。出力信号の変化は使用する検出方法に依存するが、潜像の構造に生ずる空間周波数にも依存する。使用する検出方法及び潜像検出の周波数に依存して、例えば高周波数に対する出力信号の変調深度又は例えば低周波数に対する出力信号の零交差間の間隔を測定することができる。信号変化とは変調深度と前記の間隔の両方を意味するものと理解されたい。
第1の実施例では、更に、潜像検出により得られた最適フォーカシング信号を別のフォーカス測定装置により得られたフォーカス測定信号と比較し、後者の信号を較正するのに使用することを特徴とする。
前記の別のフォーカス測定装置は米国特許第4,356,392号に記載されているように実現することができる。この装置では、投影レンズ系をバイパスするフォーカス測定ビームを基板に斜めに入射させ、基板により反射されたビームを位置感応フォーカス検出器で受信する。基板と、フォーカス測定装置が接続された投影レンズ系との間の距離は、検出器上の反射フォーカス測定ビームの主光線のスポットの位置から決定する。このフォーカス測定装置を用いて製造投影プロセス中の前記の距離を測定し、発生しうるフォーカスエラーを測定結果に基づいて補正する。このフォーカス測定装置の代わりに、例えば米国特許第5,191,200号に記載されているような他の既知の装置を使用することもできる。
本発明方法の第2の実施例では、テストマークの複数の像をフォトレジスト層に各像毎に異なる露光量で形成し、前記複数の像の各々を走査して得られる潜像検出装置の出力信号の変化を測定することにより最適露光量を決定し、且つこうして得られた情報を製造投影プロセスのための露光量の設定に使用することを特徴とする。
この方法によれば基板に形成されるマスクパターン像に及ぼす露光量の影響の直接且つ精密な測定が可能になる。露光量とは一つの像の形成時に基板に吸収される総光エネルギーを意味するものと理解されたい。このエネルギーはパルス形状で供給することができる。
本発明方法の第3実施例では、テストマークの複数の像をフォトレジスト層の複数の区域、特に縁部に、各像毎に投影レンズ系の異なるフォーカス設定で形成し、前記各区域内の複数の像の各々を走査して得られる潜像検出装置の出力信号の変化を測定することにより最適フォーカス値を前記の各区域ごとに決定し、且つ種々の区域に対する最適フォーカス値を比較して投影レンズ系の光学特性を決定することを特徴とする。
このようにすると、像面の湾曲及び非点収差のような投影レンズ系の種々のパラメータを決定することができる。投影レンズ系をこれらの測定結果を用いて補正することができる。
基板の単位面積当たりの多数の電子素子及びその結果としてのこれらの素子の小寸法に関連して、集積回路の製造精度に課される要件が益々厳しくなってきている。従って、一連の製造マスクが製造基板上に結像される位置をもっと精密に決める必要がある。より小さいディテールを結像しうる投影レンズはより小さい被写体深度を有するために、より精密なフォーカシングを可能にする必要がある。
製造基板に対するマスクパターンの像の、所望の極めて大きな位置決め精度(数十分の1マイクロメートル以内)を実現可能にするために、投影装置は製造基板を製造マスクパターンに対し整列させる装置を具え、この装置により基板に設けられたアライメントマークを製造マスクに設けられたアライメントマーク上に結像させる。基板のアライメントマークがマスクのアライメントマークと精密に一致する場合には、製造基板が製造マスクパターンに対し正しく整列していることになる。製造基板マークを製造マスクマーク上に結像する主要素子は製造マスクパターンを製造基板上に結像する投影レンズ系により構成する。
この投影レンズ系は投影ビームの波長に対し最適に設計され補正される。この波長は、等しい開口数の投影レンズ系でできるだけ小さいディテールを結像できるようにできるだけ小さくする。現在の投影装置では、この波長は例えば365nmであり、この波長では約0.7μmのライン幅を結像することができる。アライメントビーム、即ちアライメント装置に使用するビームは、製造基板上のフォトレジスト層が感応しない波長にしてこのようなビームが基板上に設けられたフォトレジスト層に変化を生ぜず且つこの層により減衰されないようにする。このアライメントビームは、例えば633nmの波長を有するヘリウム−ネオンレーザビームとする。このアライメントビーム波長は投影レンズ系に適合しないにもかかわらず、アライメントビームのみの光路内に例えばレンズのような補正素子を挿入すれば、依然として製造マスク及び製造基板のアライメントマークを互いに正しく整列させることができる。
しかし、投影ビームとアライメントビームの異なる波長のために、例えば温度のような周囲パラメータの変化が投影ビームにより形成される像及びアライメントビームにより形成される像に異なる影響を与えるという問題が残る。その結果として、アライメント装置がこの装置と関連するアライメントマークの満足な相互アライメントを検出できても、投影ビームにより形成されるマスク像は基板に正しく位置しないこととなる。また、機械的ドリフトが投影装置内に起こりうるが、このドリフトはアライメント装置により検出することはできない。このため、慣例のアライメントシステムは周期的に、例えば一日に1〜数回較正する必要がある。
これを実施しうる本発明方法の一実施例では、少なくとも一つの潜像をフォトレジスト層に規定の位置に形成し、マスクと基板が互いに整列する程度を表す第1アライメント信号を、これらの像及び潜像検出装置により発生させ、このアライメント信号を別のアライメント装置から発する第2アライメント信号と比較し、後者の装置を校正することを特徴とする。
マスクにはテストマークとアライメントマークが設けられているため、慣例のアライメント装置を潜像検出装置の測定結果に基づいてテストすることができる。
このように、フォーカス測定装置のみならずアライメント装置もコンピュータを介して潜像検出装置に結合し、コンピュータによりこれらの装置からの信号を処理して特にフォーカシング及びアライメント用の制御信号を得ることができる。
潜像検出装置をアライメント装置の校正に使用する本発明方法の一実施例では、更に、潜像検出装置を用いて基板上の少なくとも一つのアライメントマークを走査することを特徴とする。この場合には、潜像検出装置及びアライメント装置の相互位置決め及び安定性に厳しい要件を課す必要がなくなる。本例は潜像検出装置が種々の測定の実行に好適であるという事実を利用するものである。
本発明方法に使用する潜像検出装置には自動フォーカシングシステムを設け、走査ビームをフォトレジスト層上に常に鮮明にフォーカスさせるのが好ましい。その結果、走査スポットのサイズを最小に且つ一定に維持することができ、また他の測定を行うこともできる。
この実施例では、例えば、潜像検出装置と像が設けられてないフォトレジスト層を潜像検出装置の光軸に直角な平面内で相対的に移動させ、且つ前記平面に対するフォトレジスト層の傾きを光軸に沿う対物系の移動量から決定することができる。
フォトレジスト層上に像を形成する前に、この測定値を用いてフォトレジスト層のホルダを調整することによりフォトレジスト層の傾きを補正することができる。
潜像を検出する本発明方法を使用することにより、この像を前述した測定以外の他の測定にも使用することができる。
例えば、一つの同一の潜像を次第に小さくなる又は大きくなるインターバルで複数回走査し、種々の走査処理において得られた測定結果を比較することにより、気圧又は温度のような周囲パラメータが投影装置の基板テーブル干渉計システムのようなサーボ測定システムに及ぼす影響を決定することができる。
更に、潜像検出装置を一つの潜像の上方に位置させ、この検出装置の出力信号の変動を測定することもできる。これらの変動はフォトレジスト層のホルダの振動についての情報を与える。
マスクテストマークがラインからなる場合には、潜像検出装置の出力信号を基板テーブル干渉計システムの信号と組み合わせることにより潜像内のラインの位置を決定することができる。この場合には投影レンズ系の歪みについての情報を得ることができる。
前述の新規な概念を実現した本発明の装置は、潜像検出装置を走査型光学顕微鏡で構成し、該顕微鏡は非化学テストビームを供給する放射源と、テストビームを基板上に存在するフォトレジスト層に走査スポットとして集束する対物系と、基板平面内の走査スポットの位置を検出する走査スポット位置検出手段と、検出器面に形成される走査スポットの像と同程度の面積を有する少なくとも一つの検出器を有する放射感応検システムとを具え、該検出システムがフォトレジスト層からのテストビームを、走査スポットの位置におけるフォトレジスト層の局部的屈折率を表す電気信号に変換することを特徴とする。
テストビームと潜像が設けられた基板とを潜像と同程度の面積に亘って相対的に移動させることにより、この像をテストビームにより点順次に走査しうる。対物レンズ系が潜像の各点状区域を検出器上に結像するため、このレンズ系は小さなイメージフィールドを必要とするのみであり、従ってこのレンズ系は例えば0.5程度の大きな開口数を有する。このような対物レンズ系によれば例えば1μm程度の小直径の回折限界放射スポットを形成しうるため、この潜像検出装置は大きな分解能を有する。
この潜像検出装置の好適実施例では、更に、前記光源が半導体ダイオードレーザであり、前記対物系が少なくとも一方の屈折表面が非球面である単レンズ素子で構成され、且つこのダイオードレーザと対物系との間の光路内に、基板により反射されたテストビーム放射をこのダイオードレーザにより供給される放射から分離し検出システムへ向けさせるビーム分離素子が挿入されていることを特徴とする。
この検出装置は既知のCDオーディオディスク及びCD−ROMディスクのような光レコードキャリアの読み取りに既に使用されており、極めてコンパクトな構造を有し、従ってそれ自体極めて安定である。非球面レンズ表面とは、その基本形状が球面又は平面であるがその実形状が基本形状のレンズの球面収差を補正するように基本形状から若干変形されている表面を意味する。
後述するように、潜像検出のために、光情報記憶システムの分野において既知の種々の検出装置の変形例を使用することができる。
既に述べたように、潜像検出装置には走査スポット位置検出手段を設けて検出器の出力信号の瞬時値を潜像内の瞬時位置に関連させる必要がある。この手段は、潜像検出装置自体が潜像の走査のために移動される場合には、検出装置の瞬時位置を決定する例えば多軸干渉計により構成することができる。また、走査スポット検出手段は、検出装置自体が固定であり、テストビームのみが移動する場合には、走査スポットを基板を横切って移動させる回転ポリゴンミラーのような可動素子の位置を決定する位置検出手段により構成することもできる。
しかし、検出装置が小さく、従ってこれを投影レンズ系に近接配置することができることを最適に利用する装置の一実施例では、走査スポット検出手段を、製造投影プロセス中に製造基板を製造マスクに対し移動させ精密に位置決めするために存在する多軸干渉計システムにより構成することを特徴とする。
多軸干渉計システム、例えば3軸又は5軸干渉計システムの一例が欧州特許出願第0498499号に記載され、このシステムは製造基板を製造マスクに対し極めて高精度(例えば2.5nm程度)で移動させ位置決めするよう設計されており、潜像を有する基板を検出装置に対し極めて精密に移動させるのにも極めて好適である。この精密位置決め及び検出装置の高い分解能により潜像の極めて精密且つ高信頼度の検出が得られる。
この投影装置は、基板テーブルを移動させることにより基板の全表面を投影レンズ系のイメージフィールド内に位置させることができるようにする。潜像検出装置をこの投影レンズ系に近接配置することができるので、基板のほぼ全表面を走査して、基板の中心からかなり大きな距離に設けられる潜像も測定することができる。
本発明のこれらの特徴及び他の特徴は後述する実施例の説明から明らかになる。図面において、
図1はマスクパターンを基板上に繰り返し結像する装置の一例を図式的に示し、
図2は投影装置のフォーカスエラー検出装置及び基板テーブル位置検出装置を示し、
図3はアライメント検出システムが設けられた投影装置の断面図であり、
図4は潜像及びこの潜像を検出する検出装置を図式的に示し、
図5は潜像検出装置の第1実施例を示し、
図6はこの装置の第2実施例を示し、
図7及び図8はこの装置で実行しうる差分位相差測定の原理を示し、
図9は差分位相差信号の変化及び瞳積分信号の変化を示し、
図10は露光量の関数としての潜像検出装置の出力信号の変化を示し、
図11はフォーカス設定の関数としてのこの信号の変化を示し、
図12はフォーカスエラー検出装置が設けられた潜像検出装置の実施例を示し、
図13はこの実施例と関連する信号処理回路を示し、
図14、図15及び図16は潜像検出装置の他の実施例を示し、
図17、図18及び図19は2次元テストマークの実施例を示し、
図20は投影装置の種々のサーボ装置とこれらの装置間の接続を示す図である。
図1はマスクパターンを基板上に繰り返し結像する装置の既知の実施例を線図的に示す。この装置の主な構成素子は、結像すべきマスクパターンCが設けられる投影コラムと、基板をマスクパターンCに対し位置決めしうる可動基板テーブルWTとである。
投影コラムは、例えばレーザLA、ビーム拡幅器Ex、投影ビームPB内に一様な光分布を実現する光学素子IN(積分器ともいう)、及びコンデンサレンズCOを具える照明システムを具える。投影ビームPBはマスクテーブルMT上に設けられたマスクMA内に存在するマスクパターンCを照明する。
マスクパターンCを通過したビームPBは投影コラム内に配置された図式的にのみ示す投影レンズ系PLを通り、基板W上にパターンCの像を形成する。投影レンズ系は、例えば1/5の倍率M、0.6の開口数N.A.及び22mmの直径を有する回折限界イメージフィールドを有する。
基板Wは、例えば空気ベアリングにより支持された基板テーブルWT上に配置される。投影レンズ系PL及び基板テーブルWTは、底部が例えばグラニットの底板BPにより閉成され、上部がマスクテーブルMTにより閉成されるハウジングHO内に配置される。
図1に示すように、マスクMAは、例えば2つのアライメントマークM1及びM2を有する。これらのマークは回折格子からなるものが好ましいが、周囲と光学的に区別される正方形又はストリップのような他のマークからなるものとすることもできる。アライメントマークは2次元、即ち互いに直行する2方向、図1のX及びY方向、に延在するものとするのが好ましい。パターンCを複数回次々に結像すべき基板W、例えば半導体基板は複数のアライメントマーク、好ましくは2次元回折格子を具え、そのうちの2つP1及びP2が図1に示されている。マークP1及びP2は製造基板W上のパターンCの像を形成すべき区域外に設けられる。格子マークP1及びP2は位相格子とするのが好ましく、格子マークM1及びM2は振幅格子とするのが好ましい。
マスク及び基板をマスクマーク及び基板マークにより互いにアライメントさせる方法及び装置に関しては米国特許第4,773,275号及び同第5,100,237号を参照されたい。
この投影装置には、更に、製造基板上に製造マスクを繰り返し結像する処理中に投影レンズ系の像面と製造基板の面とのずれを検出するフォーカスエラー検出装置を具えるフォーカスサーボ装置が設けられている。このようなずれが発生するとき、フォーカスエラー検出装置により供給される信号により、例えば投影レンズを光軸に沿って移動させてフォーカシングを補正することができる。
フォーカスエラー検出装置FDは図2に図式的に示されている。この図は基板テーブルの位置検出装置も示し、この検出装置は例えば2つの部分IF1及びIF2を具える。
フォーカスエラー検出装置FDは、フォーカシングビームbfを供給する光源、例えばダイオードレーザDLと、このビームをフォトレジスト層が被覆された基板W上の、投影レンズ系の光軸がこの基板と交差する点に向け反射するプリズムPR1とを具える。図を簡単にするためにこのビームの主光線のみを示す。説明を簡単にするために、基板とフォトレジスト層の複合体を以後基板という。ダイオードレーザDLとプリズムPR1との間に配置されたレンズL1がビームを基板上に光スポットに集束する。基板により反射されたビームbfが第2プリズムPR2により光検出器DEへ反射される。プリズムPR2と検出器DEとの間のレンズL2が基板上に形成された光スポットを検出器DE上に結像する。投影レンズ系と基板との間の距離をZ方向に変化させると、検出器DE上に形成された光スポットが検出器面内を移動する。この検出器は位置感応検出器であり、2つの個別の検出素子からなるため、光スポットの変位及び対応するフォーカスエラーを決定することができる。こうして得られた情報を用いて、例えば基板テーブルWTのZ位置を図3に図式的に示す既知の平行四辺形機構により補正することができる。フォーカスエラー検出装置の種々の素子は、投影レンズ系のホルダに固定された2つの例えば円筒状ホルダ内に配置される。
米国特許第4,356,392号に記載されているように、検出器DEの位置に反射器を位置させ、これによりフォーカシングビームが検出器に入射する前に基板により再度反射されるようにすることもできる。フォーカスエラー検出装置のこの好適実施例は、フォーカスエラー測定が基板の傾き又はこの基板の局部的反射の相違により影響されない利点を有している。フォーカスエラー検出装置は米国特許第5,191,200号に記載さているように実現することもできる。この検出装置は広い波長帯を有するビームを用いて第1格子を基板を介して第2格子上に結像するよう動作する。
基板テーブルのX及びY位置を極めて精密に決定するために、投影装置には、例えば2つの部分からなる複合干渉計システムが設けられている。部分IF1は1以上のビームをY方向に基板テーブルの反射性側面に向け放射し、反射されたビームを受光する。これによりテーブルのX位置を決定することができる。同様に、基板テーブルのY位置を干渉計部分IF2により決定することができる。この干渉計システムは米国特許第4,251,160号に記載されているように実現することもでき、この場合には2つのビームを用いる。この2軸干渉計システムの代わりに、米国特許第4,737,823号に記載されているような3軸システム又は欧州特許出願第0498499号に記載されているような多軸システムを使用することもできる。
基板テーブル位置検出装置又は干渉計システムを使用することにより、アライメントマークP1及びP2とM1及びM2の位置及び相互距離をアライメント時に干渉計システムにより定まる座標系において決めることができる。この場合には、投影装置の枠又はこの枠の構成素子に対する基準を使用する必要がないため、例えば温度変化、機械的クリーピング等によるこの枠の変動が測定に何の影響も与えなくなる。
投影装置を一層良好に示すために、この装置を図3に断面図で再び示す。照明装置は図1のものと僅かに相違した構造を有し、レーザLA,例えばフッ化クリプトンレーザと、レンズ系LOと、反射器REと、コンデンサレンズCOとを具える。この照明装置にはレーザ光の波長を制御しうる既知のシステムLWC(図式的に示されている)が設けられている。このシステムLWCはSPIE vol.1138(1989),pp.121に掲載されている論文”Design Principles for an Illumination System using an Excimer Laser as a Light Source”等に記載されている。
簡単のために、図3には2重アライメント検出装置も示され、この装置は入射ビームbと2つの射出ビームb1及びb2と素子25、13、13’22及び22’とにより示されている。この装置の動作及び種々の素子の機能は米国特許第5,144,363号及び同第5,100,237号に記載されている。
図3には更にフォーカスエラー検出装置が示され、この装置はレンズL1及びL2と、最初に製造基板又はテスト基板により反射された左から入射するフォーカシングビームbfを入射方向に反射するリトロレフレクタRRを具える。反射されたビームbfは部分透明プリズムPR1により検出器DEへ反射される。
ブロックIFから到来するビームIFbは、この装置に干渉計型基板テーブル位置検出装置が設けられていることを図式的に示している。
参照記号PS及びTSは圧力センサ及び温度センサをそれぞれ示す。
装置の設定及び投影レンズ系の品質を測定可能にするために、図2に示すように少なくとも一つのテストマークを有するマスクを投影装置内に設け、このマスクを基板のフォトレジスト層に結像する。このマスクは別個のテストマスクTMとすることができる。しかし、このテストマークは製造マスクのマスクパターンCの外部に設けることもできる。更に、場合により、製造マスクのマスクパターンの一部分をテストマークとして使用することもできる。一例として、図2において、このマスクは3つのテストマークM3、M4及びM5を具えるものとする。テストマークが投影ビームで照明されると、テストマークの像M3’、M4’及びM5’が基板のフォトレジスト層に形成される。これらの像は、製造投影プロセス中に一つのICが形成される区域をカバーする基板の区域AICに位置する。図2にはこの区域が基板に対し拡大して示されている。テストマークは周期的ラインパターンからなるものとするのが好ましい。その理由は、このようなマークはかなり良好な信号内挿をもたらし、高い測定精度を達成しうるためである。しかし、正方形、長方形又は十字形のようなあらゆる形状を可とする他の周期的又は非周期的パターンをテストマークとして使用することもできる。テストマークパターンがフォトレジスト層に結像されると、高及び低屈折率のストリップを交互に有する対応するパターンがこの層に生成される。図4はこれらのパターンの一つM’3を示す。この図において、Wは基板を示し、FRはこの基板上に設けられたフォトレジスト層を示す。
本発明では、このようなパターンを走査型光学顕微鏡で測定する。この顕微鏡を図3及び図4にブロックLIDで示し、関連する測定ビームをbLIで示す。この測定ビームはフォトレジスト層FRの測定スポットSPに集束される。測定中、測定スポットSPと基板をX方向に相対的に移動させる。
図5は走査型顕微鏡LIDの第1の実施例を示す。この顕微鏡は測定ビームbLIを発生するコヒーレント光源、例えばダイオードレーザ30を具える。このビームは対物系31によりフォトレジスト層FRに、回折限界スポットSPに集束される。このスポットの半値幅は例えば1μm程度であり、テストマーク像(M’3)のストリップ周期は例えば2μmである。フォトレジスト層により反射されたビームb’LIはビーム分離器、例えばプリズム32内の部分透過層33により光感応検出器40へ反射される。部分透過層の代りに、偏光ビームスプリッタ及びλ/4板(λはビームbLIの波長)の組み合わせをビーム分離器として使用することもできる。図5の顕微鏡では、対物系31の瞳を通過する全ての光が単一の検出器40に集中され、この検出器がこの信号を電気出力信号Soに変換する。この検出方法を瞳積分(PI)法という。走査スポットSPがテストマーク像をそのストリップを横切って移動するとき、即ち図4のX方向に移動するとき、走査スポットは高屈折率を有するストリップ及び低屈折率を有するストリップに連続的に出会うため、信号Soは周期的に変化する。これらの屈折率の差は高反射係数及び低反射係数を交互に有する一連のストリップを生ずる。信号Soの変化、例えばこの信号の変調深度はフォトレジスト層FRの活性化に寄与したこの層の受光量に依存するとともに、例えばフォトレジスト層FRにおけるこのビームの集束度に依存する。
電子処理ユニット50において、信号Soとテストマーク像に対する走査スポットの位置を示す信号Sposを処理してこの像内のストリップの位置及びこれらのストリップ間の間隔に関する情報INFを発生させることができる。
照明されたストリップは反射係数のみならず屈折率が照明されないストリップよりも小さい。従って、照明されたストリップから到来する光は照明されないストリップから到来する光と異なる光路長を有する。従って、テストマーク像は位相構造も有する。この構造の詳細はPI法により検出しうるのみならず、差分位相差(DPC)法によっても検出しうる。この場合には対物系の第1及び第2の瞳半部を通過する反射ビームb’LIの部分をそれぞれ第1及び第2の検出素子により検出する。図6はこの方法を用いる潜像検出装置の一実施例を示す。第1及び第2の検出素子を41及び42で示す。DPC法では、照明ストリップと非照明ストリップとの界面で回折が起こる事実を利用する。即ち、反射ビームb’LIは図7に示すように零次サブビームb(0)、+1次のサブビームb(+1)及び−1次のサブビームb(−1)に分割される。この図には、非照明ストリップが60で、照明ストリップが61で示されている。サブビームb(+1)及びb(−1)は反対符号の等しい角度で反射される。反射サブビームb(0)の主光線は入射ビームの主光線と反対の方向を有する。高次のサブビーム、例えばb(+2),b(−2)は、無視しうるような小光量が検出器に到達するにすぎない。
サブビームb(+1)及びb(−1)の一部分が対物系31の瞳を図8に示すように通過する。図8はこの瞳の面内の断面図を示す。円65は瞳及び零次ビームの断面を示し、円66及び67はビームb(+1)及びb(−1)の断面を示す。瞳を通過する1次サブビームの部分は図8に線影区域68及び69で示すように零次サブビームと干渉する。これらの区域がそれぞれ検出素子41及び42に結像される。これらの検出素子に入射するビーム部分の強度はビームb(0)とサブビームb(+1)及びb(−1)との位相差により決まる。走査スポットSPとストリップ構造が相対的に移動すると、この位相差が周期的に変化する。このスポットの中心が照明ストリップ61の中心と一致する場合、サブビームb(+1)及びb(−1)に対する位相差は等しく、従って検出素子41及び42が等しい強度を有する。この場合には、例えば出力信号Soは零値を有する。走査スポットがストリップ構造に対し左又は右に移動すると、1次サブビームの一方(以後第1サブビームという)に対する位相差が増大するとともに他方の1次サブビーム(以後第2サブビームという)に対する位相差が減少し、光スポットの中心が非照明ストリップ60との界面に到達するとき、第1サブビームに対する位相差が最大になるとともに第2サブビームに対する位相差が最小になり、出力信号Soが例えば負の最大値になる。走査スポットがストリップ構造に対し更に移動されたとき、第1サブビームに対する位相差が減少し、第2サブビームに対する位相差は光スポット全体が非照明ストリップ60を覆うまで増大する。そして出力信号が再び零になる。これは光スポットが次の照明ストリップ61との界面に到達するまで続く。この場合には第1サブビームに対する位相差が減少し、走査スポットの中心が界面と位置するとき最少になるとともに、第2サブビームに対する位相差が増大して最大値になる。このとき出力信号Soが正の最大値になり、次いでこの信号は走査スポットの中心が照明ストリップの中心に位置するとき再び零レベルになる。従って、図9にSDPCで示す出力信号が得られる。比較のために、図9には信号SPI、即ちPI法(図5)により同一のテストマーク像から得られる信号も示してある。図9においては、非照明ストリップ60の中心に位置する所定の基準位置から走査スポットによりカバーされた距離が水平軸に沿ってプロットされ、出力信号SPDC及びSPIの値が垂直軸に任意の単位でプロットされている。PI法では信号SPIが最大になる照明ストリップ61の中心を検出しうるのみであるが、DPC法では照明ストリップと非照明ストリップとの界面を検出することができる。原理的に、DPC信号はPI信号より良好な信号対雑音比を有する。低い空間周波数を有する潜像の検出にはPI法を好適に使用しうるが、高い空間周波数を有する潜像はDPC法により検出するのが好ましい。
図9の信号曲線は、非照明ストリップの幅が照明ストリップの幅の約3倍であるテストマーク像に対応する。これらの幅をほぼ等しくし、且つストリップ構造の周期を走査スポットの直径の2倍より小さくすると、例えばこの周期を1.1μmのスポット直径に対し1.8μmより小さくすると、信号SPDC及びSPIはともに正弦状に変化し、一方が他方に対し90°移相する。
図6に示すように、両検出法を検出装置に組み込むことができる。この目的のために、両検出素子の出力端子を加算装置45及び差動増幅器46に接続する。加算装置45からの信号又は差動増幅器からの信号の何方を出力端子48に通すかはスイッチ47により決定される。この出力端子は電子処理回路に接続され、この処理回路にはテストマーク像のストリップの位置又はこれらのストリップ間の間隔に関する情報を得るために走査スポット信号Sposが供給される。
フォトレジスト層に形成される格子とみなせる複数のストリップを具えるテストマークの潜像のコントラストはフォトレジスト層により吸収されこの層の活性化に使用された光エネルギーの量に依存する。この層に供給されるエネルギー量は光源LA(図1及び図2)の光パワー及び投影装置に存在するシャッタが開放される時間インターバルに線形依存する。フォトレジスト層により吸収されるエネルギー量はこの層と基板の複合体の反射係数に依存する。この反射係数が大きくなるほど、この層内の光活性成分の活性化に使用しうるエネルギーが小さくなる。また、この層の光学的厚さ、即ちその幾何学的厚さとその屈折率との積が反射係数を決定する。従って、投影装置によりマスクパターンの満足な像を生成するためには、フォトレジスト層により吸収されるエネルギー量を直接測定する必要がある。
この目的のためには、本発明による潜像検出装置により得られるDPC信号又はPI信号の変調深度を使用することができる。
この測定は、フォトレジスト層に1つのテストマークの複数の像を各像毎に(シャッタ時間及びランプ強度の選択により)異なる露光量で形成し、すべての潜像を走査して関連するDPC信号を得ることにより実施する。これらの信号の変調深度を比較することにより、どの潜像が最大の変調深度を有するか決定する。製造投影プロセスに対する最適露光量は関連する露光量から導出するこことができる。図10は、1μmの周期を有する格子潜像の露光量に対する変調深度MDの変化の一例を示す。変調深度は任意の単位で示されている。この図内の点は測定値を示し、一点鎖線の曲線はコンピュータシミュレーションを示す。
DPC信号(又はPI信号)の変調深度は投影レンズ系の最適フォーカシングを決定するのにも使用しうる。投影レンズ系がフォトレジスト層にシャープにフォーカシングしない場合には、このレンズ系により形成されるテストマークの像は低いコントラストを有する。投影レンズ系の分解能に対し十分に狭いストリップを有する潜像に対しては、DPC信号の変調深度がフォーカシングの満足な測定値になる。十分に小さい周期を有する1つのテストマークの複数の潜像を各像毎に投影レンズ系の異なるフォーカス設定でフォトレジスト層に形成し、これらの像から得られたDPC信号の変調深度を比較することにより、最適フォーカス値を得ることができる。
図11は変調深度MDが投影レンズ系とフォトレジスト層との距離の変化ΔZに伴いどのように変化するかを0.5μm幅の照明ストリップ及び非照明ストリップを有する格子潜像について示す。変調深度(任意の単位で示されている)は最適フォーカス(ΔZ=0)において最大になり、ΔZが大きくなるにつれて小さくなる。図11内の点は測定値を示し、一点鎖線曲線はコンピュータシミュレーションを示す。
潜像についてのフォーカス測定の結果を用いて、製造投影プロセスを開始する前又はこのプロセスの所定の校正時に、投影レンズ系のフォーカスを設定することができる。しかし、特に高い分解能及び大きなイメージフィールドを有する新規な投影レンズ系では、製造投影プロセス中にフォーカスを変化させることができる。これらの投影レンズ系によれば0.25mm程度のイメージフィールド内の0.4μm程度のライン幅を結像することができるが、これらのレンズ系は気圧や温度のような周囲パラメータの変化に極めて敏感である。レンズ材料の高い分散性のために、投影ビームの波長の変化が結像性能、即ちこのビームにより形成される像の位置及び品質に影響を与える。3次歪み、像非点収差及び像面湾曲の問題が投影装置に生じうる。極めて高い分解能及び比較的大きいイメージフィールドを有する新規な投影レンズ系は極めて小さい被写体深度を有するため、特に投影レンズ系の大きな波長依存性によるフォーカスエラーが大きな影響を有する。これらのエラーを精密に検出する必要がある。
この目的のために、投影装置は図2及び図3につき述べたフォーカスエラー検出装置FDを具えている。フォーカス測定ビームbFは投影ビームと著しく異なる波長を有するため、例えば温度のような周囲パラメータの変化が投影ビームにより形成される像とフォーカス測定ビームにより形成される像とに異なる影響を与える。従って、満足なフォーカシングをフォーカスエラー検出装置により測定できても、投影ビームにより形成されるマスクの像は鮮明にならない。また、フォーカスエラー検出装置により検出し得ない機械的ドリフトも投影装置に発生しうる。このため、フォーカスエラー検出装置を周期的に、例えば1日に1回〜数回校正する必要がある。
潜像についてのフォーカス測定の結果をこの校正に使用することができる。この目的のために、各潜像の走査中にフォーカスエラー検出装置による測定も実施する。これらの測定の結果をメモリに記憶する。どの潜像が最も鮮明か決定したのちに、この像に対しフォーカスエラー検出装置により測定されたフォーカス値が調べられる。この値が潜像検出装置で測定された値に一致しない場合には、フォーカスエラー検出装置の零点を校正することができる。
上述したフォーカス測定においては、テストマスク内に十分大きな相互間隔で位置する複数のテストマークを複数回、毎回異なるフォーカス設定で同時に結像することもできる。関連する潜像を走査することにより、各テストマークに対する最適フォーカス値を決定することができる。こうして得られた種々のマークに対する最適フォーカス値を比較することにより、投影レンズ系の品質に関するデータを、異なるタイプのイメージセンサを用いる投影装置を開示する米国特許第5,144,363号に記載されているようにして得ることができる。
更に、投影レンズ系の歪みについての情報は、潜像検出装置により得られた、潜像のストリップ間の間隔の値から導出することができる。
既に述べたように、この投影装置は、製造基板上のアライメントマークと製造マスク上のアライメントマーク、従って製造マスクと基板を互いに整列させる慣例のアライメント装置を具えている。このアライメント装置は更に基板テーブル干渉計システムと協働する。このアライメント装置を校正するために、潜像検出装置を再び使用することができる。この目的のために、テストマーク、又は少なくともテストマークが設けられた製造マスクを投影コラム内に明確に規定された位置に配置し、投影ビームによりフォトレジスト層に結像する。潜像検出装置及び基板テーブル干渉計システムにより、マスクに対する基板の最適アライメントを決定する。更に、慣例のアライメント装置により、マスクにも存在するアライメントマークが基板に存在するアライメントマークと整列するか決定する。偏差が検出されたときは、慣例のアライメント装置の出力信号の零点を補正するのが好ましい。
この場合には、慣例のアライメント装置を潜像検出装置に対し安定にしてこれらの装置からの信号を正しく比較しうるようにする必要がある。潜像検出装置により基板のアライメントマークも検出することにより、この装置とアライメント装置の相互安定性に対する要件を緩和することができる。
上述の測定において、潜像検出装置の走査スポットがフォトレジスト層上に存在する位置を極めて精密に制御する必要がある。図5及び図6に示す装置と異なり、この検出装置に、測定ビームをフォトレジスト層を横切って移動させる例えば回転ポリゴンミラーを設けることができる。この装置ではポリゴンミラーから出る測定ビームの一部分を分割し、基準ビームとして例えば基準格子に供給して走査スポットの移動と同期した基準格子を横切る基準ビームの移動を達成することができる。基準格子に対する基準ビームスポットの位置を測定することにより、フォトレジスト層上の走査スポットの位置も知ることができる。
しかし、図5及び図6に示すような静止測定ビームを使用する潜像検出装置を使用し、基板テーブルを潜像の走査のために移動させるのが好ましい。この場合には極めて精密な干渉計型基板テーブル位置検出装置を潜像検出装置の走査スポットの位置を測定するのに使用することもできる。図5及び図6に示す装置の利点は、極めてコンパクトにすることができ、例えば約22mmの幅及び例えば16mmの高さを有するものとして投影装置内に容易に組み込むことができる点にある。もっと重要な点は、この装置は投影レンズ系に近接配置して投影レンズ系によりカバーされる基板区域のほぼ全域を使用しうるとともに、基板縁部の潜像を検出すこともできる点にある。
更に、この潜像検出装置は、小さな走査スポットを形成するので高い分解能を有するとともに、極めて安定である利点を有する。
本発明による潜像検出装置を使用する投影装置においては、結像性能に影響を与える各別の全てのパラメータを精密に知る必要はなく、像性能と像位置を全体として知ればよく、且つこの像性能及び像位置からの測定偏差に対し、測定信号をコンピュータと全てのパラメータ及びそれらの相互関係を有するモデルとを用いて処理して一以上の装置パラメータを所望の性能及び位置の像が得られるように補正する制御信号を形成することができるという認識を用いる。
慣例のフォーカス検出装置、アライメント装置及び基板テーブル位置検出装置を潜像検出装置を介して互いに結合して、関連する全てのパラメータを測定しうる集積測定装置を得ることができる。
潜像検出装置にはフォトレジスト層上の測定ビームbLIのフォーカシングを測定するためにフォーカスエラー検出システムを設けるのが好ましい。図12はこのような装置の一実施例を示す。くさび面35及び36を有するダブルくさび34をビーム分離プリズム32の射出面上に配置する。このくさびはプリズム32により反射されたビームb’LIを2つのサブビームb’LI1及びb’LI2に分割し、これらのビームを光スポットSP’1及びSP’2にフォーカスする。本例では光感応検出器40は4つの検出素子41、42、43及び44を具える。ビームbLIがフォトレジスト層FR上に鮮明にフォーカスされている場合には、光スポットSP’1及びSP’2は円形になり、且つそれぞれ検出素子41及び42及び検出素子43及び44に対し対称に位置する。この場合には検出素子41及び42及び検出素子43及び44が等しい光量を受信する。このとき、Sf=(S41+S44)−(S42+S43)で与えられるフォーカスエラー信号Sfは例えば零になる。デフォーカス時には、光スポットSP’1及びSP’2が非対称に大きくなり、且つこれらのスポット内の強度分布の重心がデフォーカスの符号に応じて互いに離れる方向に、又は互いに近づく方向に移動する。この場合には検出素子41及び44が内側の検出素子より大きい又は小さい光量を受信し、フォーカスエラー信号Sfは正又は負になる。
図13はこれらの検出素子の信号からフォーカスエラー信号Sfを取り出す信号処理回路の一実施例を示す。この回路は信号S42及びS43を加算する第1加算装置70と、信号S41及びS44を加算する第2加算装置71とを具える。これらの加算装置の出力端子を差動増幅器72の入力端子に接続し、その出力端子にフォーカスエラー信号Sfを得る。この信号は制御回路73において、内部に対物レンズが懸垂支持されている例えばラウドスピーカコイルを附勢する制御信号に処理される。
図13の左側部分に示すように、信号S41及びS42を加算装置80で加算するとともに信号S43及びS44を加算装置81で加算し、これらの加算装置の出力信号を差動増幅器83の入力端子に供給することにより潜像DPC信号SDPCを得ることができる。これらの信号S41,S42,S43及びS44を例えば加算装置80、81及び82により加算することにより潜像PI信号SPIを得ることができる。
図12の自動フォーカシング潜像検出装置は何の構造も設けられていないブランク基板に対する高度計として使用し、これにより基板表面の凹凸を測定することができる。例えば、PIモードにおける基板全体の走査中に対物系31の変位を誘導的に又は容量的に測定し、これらの変位を走査スポットSPの瞬時位置に関連させることにより、基板の地形図的チャートを得ることができる。
次にDPCモードでブランク基板を同様に走査することにより、検出装置に対する基板の傾きを決定することができる。この傾き角は約0.1mラジアンの精度で決定することができる。
この傾き測定の結果を用いて、既知のシステム、例えば基板テーブル内の3つの垂直アクチュエータにより基板を水平位置にすることができる。
潜像検出装置により更に2つの測定を実行し、例えば周囲パラメータの変化時に投影装置の動作についての指示を与えることができる。第1の測定では、同一の潜像をDPCモードで数回連続的に走査する。これらの走査処理間の時間インターバルを例えば次第に大きく選択して装置の長期間安定性についての判断を得ることができる。各走査処理ごとにDPCシステムの零交差の平均位置を決定するとともにこれらの位置を互いに比較することにより、気圧の変化又は温度の変化により発生しうる装置の設定の長期間(数分間)の変化を測定することができる(これらの設定の変化は潜像の位置の変化に変換され、数nmである)。一走査処理内における前記零交差の比較により短期間変化を測定することができる。
第2の測定では、潜像検出装置の走査スポットはDPC信号が零であるように、潜像の上に位置される。このことは、走査スポットの中心がストリップの中心上にあることを意味する。基板テーブルは干渉計システムによって適所に保持される。潜像検出装置の出力信号にまだ変動があるか否かをチェックすることによって、該装置に電子雑音がまだ存在するか、基板テーブルに機械的雑音が存在するか否かが確定される。
図5、図6及び図12は長さ方向が垂直である特別のフォーカスエラー検出装置を具えた潜像検出装置の原理を示す。図3に既に示したように、長さ方向を水平にして装置を投影レンズ系PLに近接配置するとともに部分的にその下に配置することができるようにするのが望ましい。図14はこのような装置の一実施例を示す。この装置はダイオードレーザ30、ビーム分離器33及び検出器40を具えるのみならず、レーザビームの方向を90°回転させてこのビームをフォトレジスト層FRに入射させる追加の反射器37も具える。更に、例えば対物レンズ系(図5、6及び12内の31)の代わりにコリメータレンズ38と対物レンズ39の組み合わせを用いる。
図12に示すフーコーフォーカスエラー検出システムの代わりに、潜像検出装置は図15に示すような非点収差フォーカスエラー検出システムを具えることもできる。この場合には反射ビームの光路内に非点収差素子、例えば円柱レンズ80を挿入する。これにより反射ビームはもはや一点に集束されないで互いに直交する非点収差焦線81、82を発生する。4つの素子86、87、88、89を有する4分割検出器85をこれらの焦線間の中心に配置する。測定ビームbLIがフォトレジスト層FR上に正しく集束されると、検出器の平面内の光スポットSPが図15に示すように円形になる。デフォーカス時には光スポットSPは楕円形になり、この楕円の長軸がデフォーカスの符号に応じて左又は右に傾く。この場合にはフォーカスエラー信号Sfは:
Sf=(S86+S89)−(S87+S88)
で与えられる。
この装置でも及び図14及び図16に示す装置でもPI信号又はDPC信号を得ることができる。
図16は格子90をビーム分離素子として使用する装置の実施例を示す。この格子はレーザビームbLIの一部分、即ち零次回折成分を対物レンズ31に通し、反射ビームbLIの一部分、即ち1次回折成分bLI(+)を検出器40へ通し、ここに光スポットSP’を形成する。
図16の下部に示すように、この格子90が2つの部分91及び92を具え、これらの部分の偏向角度決定パラメータ(即ち格子ストリップ93、94の方向又は格子周期)の一つが相違する場合には、異なる角度で偏向された同一回折次数の2つのサブビームが形成される。この場合、互いにずれた2つの光スポットが検出器40上に形成される。この検出器が図12に示すような4つの素子を具える場合には、この装置でもフーコー法によりフォーカスエラーを検出することができる。また、格子90を、反射ビームを非点収差ビームにするよう実現し、図15に示すような4分割検出器を用いることにより、この装置でも非点収差フォーカスエラー検出法を使用することができる。
潜像検出装置はコンパクトであること及び小さな光スポットをフォトレジスト層上に形成することが必要である。フォーカスエラー信号を発生させる特定の構成及び方法は必須の要件ではない。この装置に対しては光情報記憶の分野において既知の種々の読み出しペン又は読み出しヘッドを使用することができる。
これまでは一方向(図4ではX方向)に周期的構造を有するテストマークについて述べた。2方向の測定を可能にするためには、図17に示すようにX方向及びY方向の2方向に周期的構造101、102を有するテストマーク100を又は図18に示す市松模様のマークを使用することができる。これらのマークの像を2方向に走査する必要がある。
2方向の測定には図19に示すマークを使用することもできる。このマークは両方ともX方向のライン構造を有する2つの部分121、122を具える。このマークはX方向に複数回走査する。X方向の各走査後ごとに、走査スポットをY方向に部分121及び122の高さより小さい距離だけシフトさせ、マーク全体を走査させる。このようにするとY方向の界面123を検出することができる。
実際上、マスクの3つのテストマークの潜像を検出することができる。測定するパラメータは潜像のX,Y及びZ方向位置及びX,Y及びZ軸を中心とするこの像の回転である。これらの位置及び回転は基板テーブルに対し測定し、この測定においては基板テーブル位置検出装置により決まる基板テーブルの座標系が潜像検出装置に対する基準を構成する。Z軸を中心とする回転はそれ自身の面内の像の回転である。X軸及びY軸を中心とする回転はそれぞれY軸及びX軸に沿う像の傾きを表す。
潜像検出装置により供給される、投影光により形成された像の傾きに関する情報を、新規な投影装置に組み込むべき(投影光以外の光を用い且つその動作がオートコリメータ原理に基づく)傾き検出装置を校正するのに使用することができる。
潜像の位置、回転及び傾きに関する情報に加えて、潜像検出装置は像性能の変化、特に投影ビームの波長の変化及び気圧、温度等のような周囲パラメータの変化の結果として起こる倍率、非点収差及び3次歪みに関する情報も供給する。更に、周囲パラメータの変化の結果として起こる非点収差の変化と像面湾曲の変化は固定の関係を有するので、像面湾曲を非点収差から導出することができる。
潜像検出装置の出力信号は、例えばテストマークの潜像のX位置についての情報のみならず、この像のZ位置についての情報も含む。マスクマークM3の像のX位置を決定するために、基板テーブルを一定のZ位置でX方向に移動させ、検出器上の光の強度をこの移動の関数として測定し、検出器の出力信号を基準と比較してX位置を得る。フォーカシング(Z位置)を決定するために、基板ホルダを一定のX位置でZ方向に移動させ、検出器上の光強度をこの移動の関数として測定する。この検出器の出力信号を基準と比較してZ位置Z3,Xを得る。Z3,XはマークM3のX方向位置におけるフォーカスエラーについての情報を与える。同様に、2次元マークを使用し、Y方向にも走査すると、位置信号Y3及びフォーカスエラー信号Z3,Yを得ることができる。こうしてテストマークM3の像のX位置及びY位置のみならず、M3の潜像のX方向及びY方向位置におけるフォーカシングエラー、従って像の非点収差も知ることができる。
位置信号X4及びY4及びフォーカスエラー信号Z4,X及びZ4,YをテストマークM4の潜像から同様にして得ることができるとともに、位置信号X5及びY5及びフォーカスエラー信号Z5,X及びZ5,YをテストマークM5の潜像から同様にして得ることができる。こうして像内の3つのマークのX,Y及びZ位置を知ることができるため、投影レンズ系により投影光で形成される総合像のX,Y及びZ位置PT,X,PT,Y及びPT,Zを知ることもできる。
PT,X,PT,Y及びPT,Zは原理的には一つのテストマークの、例えばM3の潜像から導出することもできる。この潜像は像全体の非点収差ASTについての情報も提供する。この位置情報は3つのマークについて測定する際に得られる情報ほど精密でないが、場合によっては満足に使用することができる。
3つのテストマークの像の位置が決定されたら、像面の傾きφX及びφY、即ち3つのテストマーク像を含むそれぞれX軸及びY軸を中心とする面の傾きを3つの像位置をX方向及びY方向において比較することにより決定することができる。
Z軸を中心とする投影像の回転は種々のテストマーク像のX及びY位置に反対の変化を生ずる。従って、像回転はテストマーク像のX位置とY位置の双方を比較することにより決定することができる。
X及びY方向に倍率エラーMEがある場合、テストマーク、例えばM3の像は第2のテストマーク、例えばM4の像に対しそれぞれX及びY方向に反対方向にシフトされる。この倍率エラーはX及びY方向におけるこれらの位置シフトを比較することにより決定することができる。
3次歪み又は半径方向歪みD3は、3つのテストマークが投影レンズ系PLの光軸から異なる距離に位置する場合には、3つのマーク像のすべての位置情報を比較することにより決定することができる。テストマークが光軸から等しい距離に位置する場合には、基板テーブル位置検出装置の情報を基準として用いることにより3次歪みを決定することができる。
上述したように、9つのパラメータXT,YT,ZT,φX,φY,φZ,ME,AS及びD3を測定することができる。実際には、検出器信号自体を中央コンピュータを用いて種々に処理し、これらの信号を基準値と比較する。この場合には測定信号曲線をコンピュータに記憶された基準曲線と比較する曲線あてはめプロシージャのようなプロシージャを使用するのが好ましい。この比較の結果に基づいて投影装置の種々のサーボ装置の制御信号を発生する。この場合には結像性能に影響を及ぼすすべてのパラメータ、即ち周囲パラメータ、投影ビームの波長、機械的ドリフト等を正確に知る必要はなく、コンピュータが検出器信号を参照して投影レンズ系により形成された像が正しくないことを確かめ、且つ影響を及ぼす全てのパラメータが組み込まれたモデルを用いて種々のサーボ装置に対する設定信号及び投影レンズ系の波長、ガス圧及び温度等のための計器に対する制御信号を発生して投影像の位置及び品質を最適にすることができる。
本発明の潜像検出装置は精密な測定及び補正を行いうるものである。遠紫外域内の波長、例えば248nmの波長を有する投影ビームを用いる投影装置では、X及びY方向に5nm程度の不安定及びZ方向に50nm程度の不安定を測定できる必要がある。影響を及ぼすパラメータ自体を測定し基準値と比較する投影装置では、温度、波長、マスクのZ位置及び気圧をそれぞれ0.015°K、0.5pm、0.15μm及び0.5mbarの精度で測定する必要がある。これらの測定精度を達成するには、この目的のために極めて進歩した測定技術を使用する必要がある。更に、測定値を投影レンズ系の収差に変換する必要があり、この際このレンズ系に不均等が生じないという要件が付随する。また、この投影装置では機械的ドリフトが考慮されない。
図20は投影装置に使用されるサーボ装置及びそれらの相互接続を示す図である。ブロックで示す種々の装置間の単一接続線は既知の投影装置にも存在し、これらのブロックは:
LA:光源、例えばレーザ,
LWC:レーザ波長制御装置,
ILS:照明システム,
MT:マスクテーブル,
MAZ:マスクテーブルのZ位置制御装置,
PL:投影レンズ,
PLTC:投影レンズの温度制御装置,
ALI:アライメント光により形成された像,
IF:基板テーブル位置検出装置,
FD:フォーカス検出装置,
AS1(AS2):シングル(又はダブル)アライメント装置,
である。
破線で示すサブシステムが投影装置に追加のシステムとして配置されており、これらのサブシステムは:
ELI:投影光により形成された潜像,
IS:潜像検出装置,
IC:像校正装置又はコンピュータ,
である。
潜像検出装置を使用する際に処理される追加の信号が2重接続線で示されており、これらの信号は:
・基板テーブル位置検出装置IF、波長制御装置LWC及びフォーカスエラー検出装置FDの信号;これらの信号は潜像検出装置に供給される;
・投影光により形成された像の像情報;
・像校正装置の出力信号;これらの信号はレーザ波長制御装置LWC,マスク高さ制御装置MAZ,投影レンズ温度制御装置PTLC,フォーカスエラー検出装置及びアライメント装置AS1(AS2)に供給される;
である。
投影装置は次の装置:
投影レンズ系内の圧力を制御する装置(PLPC);
投影レンズ系内の媒質の組成を制御する装置(PLGM);
レンズ素子間の相互間隔を制御する装置(PLDC);
のうちの一つ以上を具えることができる。
装置PLPC,PLMG及びPLDCは装置ICから装置PLTCと同様に制御される。
Claims (14)
- マスクテーブルに設けられたマスクパターンを基板テーブルに設けられた基板上に投影ビームにより繰り返し結像するために、
・少なくとも一つのテストマークを有するマスクをマスクテーブルに設けるステップと、
・フォトレジスト層を有する基板を基板テーブルに設けるステップと、
・前記マスクの少なくとも一つのテストマークの像を投影ビーム及び投影レンズ系によりフォトレジスト層に投影するステップと、
・前記少なくとも一つのテストマークの潜像を、非化学線を使用する潜像検出装置により検出するステップと、
・マスクパターン像の品質及び位置に影響を与える少なくとも一つのパラメータを前記潜像検出装置の出力信号により設定するステップと、
・製造マスクパターンを製造基板上に連続的に異なる位置に繰り返し結像するステップと、を具えるマスクパターン結像方法において、
回折限界走査スポットを潜像検出に使用し、この回折限界走査スポットと潜像を相対的に移動させて潜像を点順次走査することを特徴とするマスクパターン結像方法。 - 少なくとも一つのテストマークが設けられた製造マスクを潜像検出に使用することを特徴とする請求の範囲第1項に記載の方法。
- 少なくとも一つのテストマークが設けられたテストマスクを潜像検出に使用することを特徴とする請求の範囲第1項に記載の方法。
- テストマークの複数の像をフォトレジスト層に像ごとに投影レンズ系の異なるフォーカス設定で形成し、且つ前記複数の像の各々を走査して得られる潜像検出装置の出力信号の変化から投影レンズ系の最適フォーカスを決定することを特徴とする請求の範囲第1項、第2項又は第3項に記載の方法。
- 潜像検出により得られた最適フォーカシング信号を別のフォーカス測定装置により得られたフォーカス測定信号と比較し、後者の信号を校正することを特徴とする請求の範囲第4項に記載の方法。
- テストマークの複数の像をフォトレジスト層に像毎に異なる露光量で形成し、前記複数の像の各々を走査して得られる潜像検出装置の出力信号の変化を測定することにより最適露光量を決定し、且つこうして得られた情報を製造投影プロセスのための露光量の設定に使用することを特徴とする請求の範囲第1項、第2項又は第3項に記載の方法。
- テストマークの複数の像をフォトレジスト層の複数の区域、特に縁部に、像毎に投影レンズ系の異なるフォーカス設定で形成し、前記各区域内の複数の像の各々を走査して得られる潜像検出装置の出力信号の変化を測定することにより最適フォーカス値を前記の区域ごとに決定し、且つ種々の区域に対する最適フォーカス値を比較して投影レンズ系の光学特性を決定することを特徴とする請求の範囲第1項、第2項又は第3項に記載の方法。
- 少なくとも一つの潜像をフォトレジスト層に規定の位置に形成し、マスクと基板が互いに整列する程度を表す第1アライメント信号を、これらの像及び潜像検出装置により発生させ、このアライメント信号を別のアライメント装置から発する第2アライメント信号と比較し、後者の装置を校正することを特徴とする請求の範囲第1項、第2項又は第3項に記載の方法。
- アライメント校正プロシージャ中に潜像検出装置を用いて基板上の少なくとも一つのアライメントマークを走査することを特徴とする請求の範囲第8項に記載の方法。
- 潜像検出装置の対物系の位置をこの検出装置の端面とフォトレジスト層との間の距離に適合させる自動フォーカシングシステムが設けられた潜像検出装置を使用する請求の範囲第7項に記載の方法であって、この検出装置と潜像が設けられたフォトレジスト層とをこの検出装置の光軸に直角な平面内で相対的に移動させ、且つ前記平面に対するフォトレジスト層の傾きを前記対物系のその光軸に沿う移動量から決定することを特徴とする請求の範囲第7項に記載の方法。
- マスクパターンを基板上に繰り返し投影するために、投影ビームを供給する照明システムと、マスクテーブルと、投影レンズ系と、基板テーブルとを具え、更に潜像検出装置が設けられているマスクパターン結像装置において、
前記潜像検出装置を走査型光学顕微鏡で構成し、該顕微鏡は非化学線テストビームを供給する放射源と、テストビームを基板上に存在するフォトレジスト層に回折限界走査スポットとして集束する対物系と、基板平面内の回折限界走査スポットの位置を検出する回折限界走査スポット位置検出手段と、検出器面に形成される回折限界走査スポットの像と同程度の面積を有する少なくとも一つの検出器を有する放射感応検出システムとを具え、該検出システムがフォトレジスト層からのテストビームを、回折限界走査スポットの位置におけるフォトレジスト層の局部的屈折率を表す電気信号に変換することを特徴とするマスクパターン投影装置。 - 前記光源が半導体ダイオードレーザであり、前記対物系が少なくとも一方の屈折表面が非球面である単レンズ素子で構成され、且つこのダイオードレーザと対物系との間の光路内に、基板により反射されたテストビーム放射をこのダイオードレーザにより供給される放射から分離し前記検出システムへ向けさせるビーム分離素子が挿入されていることを特徴とする請求の範囲第11項に記載の装置。
- 前記回折限界走査スポット検出手段が、製造投影プロセス中に製造基板を製造マスクに対し移動させ精密に位置決めするために存在する多軸干渉計システムにより構成されていることを特徴とする請求の範囲第11項又は第12項に記載の装置。
- 製造基板テーブルが少なくとも2つの互いに直交する軸に沿う位置及びこれらの軸を中心とする回転を検出する位置検出装置に結合され、且つこの位置検出装置の出力信号、前記潜像検出装置の出力信号、アライメント検出装置の出力信号、及びフォトレジストエラー検出装置の出力信号が電子信号処理装置に接続され、該信号処理装置が次のパラメータ:
・投影ビームの波長;
・投影レンズホルダ内の圧力;
・投影レンズ系のレンズ素子間の相互間隔;
・投影レンズホルダの一以上の隔室内の媒質の組成;
・投影レンズホルダ内の温度;
・アライメント装置の零設定;
・フォーカシング装置の零設定;
・投影レンズ系の倍率;
のうちの一つ以上を補正する制御信号を供給することを特徴とする請求の範囲第11項、第12項又は第13項に記載の装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP94201577 | 1994-06-02 | ||
EP94201577.7 | 1994-06-02 | ||
PCT/IB1995/000341 WO1995034025A1 (en) | 1994-06-02 | 1995-05-09 | Method of repetitively imaging a mask pattern on a substrate, and apparatus for performing the method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09501803A JPH09501803A (ja) | 1997-02-18 |
JP3851657B2 true JP3851657B2 (ja) | 2006-11-29 |
Family
ID=8216918
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP50059496A Expired - Fee Related JP3851657B2 (ja) | 1994-06-02 | 1995-05-09 | マスクパターンを基板上に繰り返し結像する方法及びこの方法を実施する装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5673101A (ja) |
EP (1) | EP0737330B1 (ja) |
JP (1) | JP3851657B2 (ja) |
DE (1) | DE69508228T2 (ja) |
TW (1) | TW270984B (ja) |
WO (1) | WO1995034025A1 (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6559465B1 (en) * | 1996-08-02 | 2003-05-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface position detecting method having a detection timing determination |
EP0985977A1 (en) * | 1998-09-11 | 2000-03-15 | Lucent Technologies Inc. | Integrated circuit device fabrication utilizing latent imagery |
TW460755B (en) * | 1998-12-16 | 2001-10-21 | Asm Lithography Bv | Lithographic projection apparatus |
US6124924A (en) * | 1998-12-24 | 2000-09-26 | Applied Materials, Inc. | Focus error correction method and apparatus |
TW405062B (en) * | 1999-02-18 | 2000-09-11 | Asm Lithography Bv | Lithographic projection apparatus |
CN1271402C (zh) * | 2000-09-25 | 2006-08-23 | 松下电器产业株式会社 | 色层分析定量测量装置 |
TW200305773A (en) * | 2001-12-26 | 2003-11-01 | Pentax Corp | Projection Aligner |
TWI265550B (en) | 2002-05-14 | 2006-11-01 | Toshiba Corp | Fabrication method, manufacturing method for semiconductor device, and fabrication device |
SG138445A1 (en) * | 2003-02-14 | 2008-01-28 | Asml Netherlands Bv | Device and method for wafer alignment with reduced tilt sensitivity |
US7476490B2 (en) * | 2004-06-25 | 2009-01-13 | Asml Netherlands B.V. | Method for producing a marker on a substrate, lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE102005025535A1 (de) * | 2005-06-03 | 2006-12-07 | Leica Microsystems Semiconductor Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Verbesserung der Messgenauigkeit bei der Bestimmung von Strukturdaten |
US7869022B2 (en) * | 2007-07-18 | 2011-01-11 | Asml Netherlands B.V. | Inspection method and apparatus lithographic apparatus, lithographic processing cell, device manufacturing method and distance measuring system |
US8867022B2 (en) * | 2007-08-24 | 2014-10-21 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, and device manufacturing method |
US8184264B2 (en) * | 2008-12-01 | 2012-05-22 | Micron Technologies, Inc. | Calibration methods and devices useful in semiconductor photolithography |
DE102013210078B4 (de) * | 2013-05-29 | 2015-04-30 | Trumpf Werkzeugmaschinen Gmbh + Co. Kg | Vorrichtung, Verfahren und Computerprogrammprodukt zur Bestimmung der Fokusposition eines Hochenergiestrahls |
US11036129B2 (en) * | 2018-07-31 | 2021-06-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Photomask and method for forming the same |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL7606548A (nl) * | 1976-06-17 | 1977-12-20 | Philips Nv | Werkwijze en inrichting voor het uitrichten van een i.c.-patroon ten opzichte van een halfgelei- dend substraat. |
NL186353C (nl) * | 1979-06-12 | 1990-11-01 | Philips Nv | Inrichting voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat voorzien van een opto-elektronisch detektiestelsel voor het bepalen van een afwijking tussen het beeldvlak van een projektielenzenstelsel en het substraatvlak. |
CH678666A5 (ja) * | 1981-05-15 | 1991-10-15 | Gen Signal Corp | |
JPS60249327A (ja) * | 1984-05-25 | 1985-12-10 | Hitachi Ltd | レジストパタ−ン検出方法 |
JPS61201427A (ja) * | 1985-03-04 | 1986-09-06 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位置ずれ検出方法 |
US4640619A (en) * | 1985-03-13 | 1987-02-03 | Gca Corporation | Microlithographic calibration scheme |
NL8600639A (nl) * | 1986-03-12 | 1987-10-01 | Asm Lithography Bv | Werkwijze voor het ten opzichte van elkaar uitrichten van een masker en een substraat en inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze. |
NL8601547A (nl) * | 1986-06-16 | 1988-01-18 | Philips Nv | Optisch litografische inrichting met verplaatsbaar lenzenstelsel en werkwijze voor het regelen van de afbeeldingseigenschappen van een lenzenstelsel in een dergelijke inrichting. |
EP0295860B1 (en) * | 1987-06-15 | 1994-04-06 | Canon Kabushiki Kaisha | An exposure apparatus |
JP2666859B2 (ja) * | 1988-11-25 | 1997-10-22 | 日本電気株式会社 | 目合せ用バーニヤパターンを備えた半導体装置 |
NL8900991A (nl) * | 1989-04-20 | 1990-11-16 | Asm Lithography Bv | Apparaat voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat. |
US5124927A (en) * | 1990-03-02 | 1992-06-23 | International Business Machines Corp. | Latent-image control of lithography tools |
NL9000503A (nl) * | 1990-03-05 | 1991-10-01 | Asm Lithography Bv | Apparaat en werkwijze voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat. |
NL9100215A (nl) * | 1991-02-07 | 1992-09-01 | Asm Lithography Bv | Inrichting voor het repeterend afbeelden van een maskerpatroon op een substraat. |
NL9100410A (nl) * | 1991-03-07 | 1992-10-01 | Asm Lithography Bv | Afbeeldingsapparaat voorzien van een focusfout- en/of scheefstandsdetectie-inrichting. |
-
1995
- 1995-05-09 EP EP95915992A patent/EP0737330B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-05-09 JP JP50059496A patent/JP3851657B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1995-05-09 WO PCT/IB1995/000341 patent/WO1995034025A1/en active IP Right Grant
- 1995-05-09 DE DE69508228T patent/DE69508228T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-05-13 TW TW084104756A patent/TW270984B/zh active
- 1995-05-25 US US08/450,197 patent/US5673101A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO1995034025A1 (en) | 1995-12-14 |
JPH09501803A (ja) | 1997-02-18 |
DE69508228T2 (de) | 1999-09-23 |
EP0737330A1 (en) | 1996-10-16 |
TW270984B (ja) | 1996-02-21 |
DE69508228D1 (de) | 1999-04-15 |
US5673101A (en) | 1997-09-30 |
EP0737330B1 (en) | 1999-03-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0721608B1 (en) | Method of repetitively imaging a mask pattern on a substrate | |
US5144363A (en) | Apparatus for and method of projecting a mask pattern on a substrate | |
JP3081289B2 (ja) | 基板上にマスクパターンを投影する装置 | |
EP0906590B1 (en) | Lithographic projection apparatus with off-axis alignment unit | |
JP3851657B2 (ja) | マスクパターンを基板上に繰り返し結像する方法及びこの方法を実施する装置 | |
JP4222927B2 (ja) | 少なくとも2波長を使用するリソグラフィ装置用アライメント・システム | |
US6084673A (en) | Lithographic apparatus for step-and-scan imaging of mask pattern with interferometer mirrors on the mask and wafer holders | |
US5917604A (en) | Alignment device and lithographic apparatus provided with such a device | |
USRE49241E1 (en) | Lithography system and method for processing a target, such as a wafer | |
US5910847A (en) | Method of determining the radiation dose in a lithographic apparatus | |
JPH033224A (ja) | マスクパターンを基板上に投影する装置 | |
WO1999039374A1 (fr) | Procede d'exposition et dispositif associe | |
JP2001513204A (ja) | 2種類の波長を使う干渉計システム、およびそのようなシステムを備えるリソグラフィー装置 | |
NL2019719A (en) | Height sensor, lithographic apparatus and method for manufacturing devices | |
US20060215140A1 (en) | Method of measuring the performance of an illumination system | |
EP1400859A2 (en) | Alignment system and methods for lithographic systems using at least two wavelengths | |
JPH05144702A (ja) | 位置検出装置及びこの装置を用いた微細パターンの形成装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041109 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20050209 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20050328 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050509 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060228 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20060529 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060619 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20060714 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060815 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060904 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |