JP3841906B2 - Photosensitive resin composition and use thereof - Google Patents
Photosensitive resin composition and use thereof Download PDFInfo
- Publication number
- JP3841906B2 JP3841906B2 JP01335997A JP1335997A JP3841906B2 JP 3841906 B2 JP3841906 B2 JP 3841906B2 JP 01335997 A JP01335997 A JP 01335997A JP 1335997 A JP1335997 A JP 1335997A JP 3841906 B2 JP3841906 B2 JP 3841906B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin composition
- photosensitive resin
- meth
- acrylate
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ガラス基材との密着性に富み、アルカリによる現像剥離性に優れた感光性樹脂組成物および該組成物を用いたフォトレジストフィルムに関し、更に詳しくは、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）等の大形ガラス基材上にパターン形成を行うときに有用な感光性樹脂組成物および該組成物を用いたフォトレジストフィルムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
ポリエステルフィルムなどのベースフィルム上に感光性樹脂組成物を層状に塗布乾燥成層し、その上からポリエステルフィルム、ポリビニルアルコールフィルムなどの保護フィルムを積層した３層ラミネートフィルムは、一般にフォトレジストフィルム或いはドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）と称され、プリント配線板の製造用、金属の精密加工用等に広く利用されている。
その使用にあたっては、まずフォトレジストフィルム或いはＤＦＲからベースフィルムまたは保護フィルムのうち接着力の小さいほうのフィルムを剥離除去して感光性樹脂組成物層の側を銅張基板の銅面等のパターンを形成させたい基材表面に張り付けた後、パターンマスクを他方のフィルム上に当接させた状態で露光し（当該他方のフィルムを剥離除去してから露光する場合もある）、ついでその他方のフィルムを剥離除去して現像に供する。露光後の現像方式としては、溶剤現像型のものと稀アルカリ現像型のものとがある。
【０００３】
ＤＦＲのほか、該基材面に直接感光性樹脂組成物を塗布成層し、その上に積層したポリエステルフィルムなどのフィルムを介してパターンマスクを密着させ、露光を行う方法も良く知られている。
一方、最近、各種平板ディスプレイの開発が盛んに行われており、中でもＰＤＰが注目を浴びており、今後ラップトップ型パソコンの表示画面から、各種電光掲示板、更には、いわゆる「壁掛けテレビ」へとその用途は拡大しつつあるが、かかるＰＤＰの表示パネルは、ガラス基材に電極が形成されており、該電極形成にも上記のＤＦＲが利用され始めている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の電極形成においては、基材が従来の銅等の金属と異なりガラス、ＩＴＯ膜、ＳｎＯ2等であるため、密着性が悪く、密着性を上げるために密着助剤等を用いると今度はアルカリ現像時の剥離性が低下して良好なパターン形成を行うことが困難となってしまう。
【０００５】
【問題を解決するための手段】
そこで、本発明者等は、かかる課題について鋭意研究をした結果、ベースポリマー（Ａ）、エチレン性不飽和化合物（Ｂ）、光重合開始剤（Ｃ）及びシラン系化合物（Ｄ）を含有してなり、かつエチレン性不飽和化合物（Ｂ）として少なくともポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート及びグリセリントリアクリレートを用いた感光性樹脂組成物が、ガラス基材との密着性に優れ、かつアルカリ現像時の剥離性にも優れ、かかる感光性樹脂組成物をベースフィルムに積層したフォトレジストフィルムが、上記のＰＤＰの電極形成に有用であることを見いだし、本発明を完成するに至った。
【０００６】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明を詳細に述べる。
本発明のベースポリマー（Ａ）としては、アクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリウレタン系樹脂などが用いられる。
これらの中では、（メタ）アクリレートを主成分とし、必要に応じてエチレン性不飽和カルボン酸や他の共重合可能なモノマーを共重合したアクリル系共重合体が重要である。アセトアセチル基含有アクリル系共重合体を用いることもできる。
【０００７】
ここで（メタ）アクリル酸エステルとしては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレートなどが例示される。
【０００８】
エチレン性不飽和カルボン酸としては、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸などのモノカルボン酸が好適に用いられ、そのほか、マレイン酸、フマール酸、イタコン酸などのジカルボン酸、あるいはそれらの無水物やハーフエステルも用いることができる。これらの中では、アクリル酸とメタクリル酸が特に好ましい。
【０００９】
稀アルカリ現像型とするときは、エチレン性不飽和カルボン酸を１５〜３０重量％程度（酸価で１００〜２００ｍｇKOH／ｇ）共重合することが必要である。他の共重合可能モノマーとしては、アクリルアミド、メタクリルアミド、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、スチレン、α−メチルスチレン、酢酸ビニル、アルキルビニルエーテルなどが例示できる。
また、ベースポリマー（Ａ）の重量平均分子量としては、５〜１２万が好ましい。
【００１０】
エチレン性不飽和化合物（Ｂ）としては、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサングリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、２，２−ビス（４−（メタ）アクリロキシジエトキシフェニル）プロパン、２，２−ビス−（４−（メタ）アクリロキシポリエトキシフェニル）プロパン、２−ヒドロキシ−３−（メタ）アクリロイルオキシプロピル（メタ）アクリレート、エチレングリコールジグリシジルエーテルジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジグリシジルエーテルジ（メタ）アクリレート、フタル酸ジグリシジルエステルジ（メタ）アクリレート、グルセリントリアクリレート、グリセリンポリグリシジルエーテルポリ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレートなどの多官能モノマーが挙げられるが、本発明では、少なくともポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレートを用いることを特徴とするもので、具体的にはテトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート等を挙げることができ、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレートが好適に用いられる。
【００１１】
さらに、本発明では、多官能モノマーとしてグリセリントリアクリレートを併用することが必要である。また、これらの多官能モノマーと共に、単官能モノマーを適当量併用することもでき、かかる単官能モノマーの例としては、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、２−フェノキシ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−（メタ）アクリロイルオキシ−２−ヒドロキシプロピルフタレート、３−クロロ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、グリセリンモノ（メタ）アクリレート、２−（メタ）アクリロイルオキシエチルアシッドホスフェート、フタル酸誘導体のハーフ（メタ）アクリレート、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミドなどが挙げられる。
【００１２】
エチレン性不飽和化合物（Ｂ）中のポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレートの含有量は、５０〜１００重量％が好ましく、更には９０〜１００重量％で、かかる含有量が５０重量％未満ではレジストの密着性が低下して好ましくない。
また、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレートの含有量は、ベースポリマー（Ａ）１００重量部に対して、１０〜１００重量部であることが好ましく、更には５０〜１００重量部で、かかる含有量が５０重量部未満ではレジストの密着性が低下し、逆に１００重量部を越えるとコールドフローの原因となって好ましくない。
【００１３】
ベースポリマー（Ａ）１００重量部に対するエチレン性不飽和化合物（Ｂ）の配合割合は、１０〜２００重量部、特に４０〜１００重量部の範囲から選ぶことが望ましい。エチレン性不飽和化合物（Ｂ）の過少は硬化不良、可撓性の低下、現像速度の遅延を招き、エチレン性不飽和化合物（Ｂ）の過多は粘着性の増大、コールドフロー、硬化レジストの剥離速度低下を招く。
【００１４】
更に、光重合開始剤（Ｃ）としては、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインｎ−ブチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル、ベンジルジフェニルジスルフィド、ベンジルジメチルケタール、ジベンジル、ジアセチル、アントラキノン、ナフトキノン、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン、ベンゾフェノン、４，４’−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４’−ジエチルアミノベンゾフェノン、ピバロインエチルエーテル、１，１−ジクロロアセトフェノン、ｐ−ｔ−ブチルジクロロアセトフェノン、ヘキサアリールイミダゾール二量体、２，２’−ビス（ｏ−クロロフェニル）４，５，４'，５'−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾール、２−クロロチオキサントン、２−メチルチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、２，２’−ジエトキシアセトフェノン、２，２’−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２’−ジクロロ−４−フェノキシアセトフェノン、フェニルグリオキシレート、α−ヒドロキシイソブチルフェノン、ジベゾスパロン、１−（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパノン、２−メチル−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノ−１−プロパノン、トリブロモフェニルスルホン、トリブロモメチルフェニルスルホンなどが挙げられ、これらの１種または２種以上が用いられる。光重合開始剤（Ｃ）の含有量は、ベースポリマー（Ａ）とエチレン性不飽和化合物（Ｂ）との合計量１００重量部に対して、１〜２０重量部程度とするのが適当である。
【００１５】
本発明においては、シラン系化合物（Ｄ）を含有させることも特徴とするもので、シラン系化合物（Ｄ）としては、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β−（３，４エポキシシクロヘキシ）−エチルトリメトキシシラン、β−（３，４エポキシシクロヘキシ）−エチルトリエトキシシラン等のエポキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン等のクロロプロピルシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン等のメタクリロシランなどが挙げられるが、エポキシシラン、アミノシラン、クロロプロピルシランのいずれか１種以上を用いることが好ましい。シラン系化合物（Ｄ）の含有量としては、上記（Ａ）〜（Ｃ）の総量１００重量部に対して、０．０１〜５重量部とすることが好ましく、更には０．１〜１重量部で、特に０．１〜０．３重量部とすることが好ましい。シラン系化合物（Ｄ）の含有量が０．０１重量％未満では、レジストの密着性が低下し、逆に１重量％を越えるとガラスやＩＴＯ膜界面で剥離現象が見られて好ましくない。
シラン系化合物（Ｄ）を含有させる方法としては、特に限定されず公知の方法、例えば上記の（Ａ）〜（Ｃ）の樹脂組成物に所定量のシラン系化合物（Ｄ）を添加して、十分混合撹拌する方法等がある。
【００１６】
本発明の感光性樹脂組成物には、そのほか、染料（クリスタルバイオレット，マラカイトグリーン，マラカイトグリーンレイク，ブリリアントグリーン，パテントブルー，メチルバイオレット，ビクトリアブルー，ローズアニリン，パラフクシン，エチレンバイオレット等）、密着性付与剤、可塑剤、酸化防止剤、熱重合禁止剤、溶剤、表面張力改質材、安定剤、連鎖移動剤、消泡剤、難燃剤、などの添加剤を適宜添加することができる。
【００１７】
本発明の感光性樹脂組成物を用いたＤＦＲの製造及びそれを用いたＰＤＰ用基板に電極形成（パターン形成）する方法について、具体的に説明する。
（成層方法）
上記の感光性樹脂組成物は、これをポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリスチレンフィルムなどのベースフィルム面に塗工した後、その塗工面の上からポリエチレンフィルム、ポリビニルアルコール系フィルムなどの保護フィルムを被覆してＤＦＲとする。
このときの感光性樹脂組成物層の厚みは１０〜１００μｍが好ましく、更には１０〜３０μｍが好ましい。
また、本発明の感光性樹脂組成物は、ＤＦＲ以外の用途にも利用することができ、かかる用途としては、本発明の感光性樹脂組成物を、ディップコート法、フローコート法、スクリーン印刷法等の常法により、加工すべき（ガラス等の）基板上に直接塗工し、厚さ１〜１５０μｍの感光層を容易に形成することもできる。塗工時に、メチルエチルケトン、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、シクロヘキサン、メチルセルソルブ、塩化メチレン、１，１，１−トリクロルエタン等の溶剤を添加することもできる。
【００１８】
（露光）
ＤＦＲによって画像を形成させるにはベースフィルムと感光性樹脂組成物層との接着力及び保護フィルムと感光性樹脂組成物層との接着力を比較し、接着力の低い方のフィルムを剥離してから感光性樹脂組成物層の側をガラス面やＩＴＯ膜、ＳｎＯ2膜等に貼り付けた後、他方のフィルム上にパターンマスクを密着させて露光する。感光性樹脂組成物が粘着性を有しないときは、前記他方のフィルムを剥離してからパターンマスクを感光性樹脂組成物層に直接接触させて露光することもできる。
ＩＴＯ膜などの導電物に直接塗工した場合は、その塗工面に直接またはポリエステルフィルムなどを介してパターンマスクを接触させ、露光に供する。
露光は通常紫外線照射により行い、その際の光源としては、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、カーボンアーク灯、キセノン灯、メタルハライドランプ、ケミカルランプなどが用いられる。紫外線照射後は、必要に応じ加熱を行って、硬化の完全を図ることもできる。
【００１９】
（現像）
露光後は、レジスト上のフィルムを剥離除去してから現像を行う。
本発明の感光性樹脂組成物は稀アルカリ現像型であるので、露光後の現像は、炭酸ソーダ、炭酸カリウムなどのアルカリ０．５〜３重量％程度の稀薄水溶液を用いて行う。
（エッチング）
現像後、エッチングを行う。
エッチングは、通常塩化第二銅−塩酸又は塩化第二鉄−塩酸等の酸性エッチング液が用いられる。
（硬化レジスト剥離）
エッチング工程後、残っている硬化レジストの剥離を行う。
硬化レジストの剥離除去は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどの０．５〜１０重量％程度の濃度のアルカリ水溶液からなるアルカリ剥離液を用いて行う。
次いで、十分に水洗浄を行った後、乾燥される。
【００２０】
かくして、ＰＤＰ用前面基板上に電極が形成されて、その後、背面基材との間にガス封入後、接合されてＰＤＰとして実用に供されるのである。
【００２１】
【実施例】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。
なお、例中「部」とあるのは、断りのない限り重量基準を意味する。
参考例１
（ドープの調整）
下記のベースポリマー（Ａ）６０部、下記のエチレン性不飽和化合物（Ｂ）３５部、下記処方の光重量開始剤（Ｃ）５部及び下記のシラン系化合物（Ｄ）０．３部を混合して感光性樹脂組成物を調製した。
ベースポリマー（Ａ）
メチルメタクリレート／ｎ−ブチルメタクリレート／２−エチルヘキシルアクリレート／スチレン／メタクリル酸の共重合割合が重量基準で３２／３０／１５／２／２１である共重合体（酸価１４３．３、ガラス転移点６６．３℃、重量平均分子量８万）
エチレン性不飽和化合物（Ｂ）
テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート
光重合開始剤（Ｃ）
ベンゾフェノン／４，４’−ジエチルアミノベンゾフェノン／２，２−ビス（ｏ−クロロフェニル）４，５，４’，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾールの重量比８／０．１５／１の混合物
シラン系化合物（Ｄ）
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
【００２２】
（ドライフィルムの作製）
上記のドープを、ギャップ３ミルのアプリケーターを用いて厚さ２０μｍのポリエステルフイルム上に塗工し、室温で１分３０秒放置した後、６０℃、９０℃、１１０℃のオーブンでそれぞれ３分間ずつ乾燥して、レジスト厚２０μｍのドライフイルムとなした（ただし保護フイルムは設けていない）。
（ＰＤＰガラス基板へのラミネート）
このドライフイルムを、オーブンで６０℃に予熱したＩＴＯ付きガラス基材（２００ｍｍ×２００ｍｍ×２ｍｍ）上に、ラミネートロール温度１００℃、同ロール圧３ｋｇ／ｃｍ2、ラミネート速度１．５ｍ／ｓｅｃにてラミネートした。（露光，現像）
ラミネート後、ＩＴＯ全面にＬ／Ｓ（ライン／スペース）＝１００μｍ／１００μｍになるようにラインパターンをポリエステルフイルム上に置いて、オーク製作所製の露光機ＨＭＷ−５３２Ｄにて３ｋｗ超高圧水銀灯で１００ｍｊに露光した。露光後１５分間のホールドタイムを取った後、１％Ｎａ2ＣＯ3水溶液、３０℃で、最少現像時間の１．５倍の時間で現像し、その後、水洗・乾燥を行って、Ｌ／Ｓ＝１００μｍ／１００μｍのレジスト層のパターンを形成させた。
（エッチング、硬化レジスト剥離）
上記のパターンを塩化第２鉄（４５℃、４２゜Ｂｅ）でエッチングし、その後、レジストパターンに３％ＮａＯＨ水溶液を５０℃にて２ｋｇの圧力でスプレーして、レジスト層の剥離を行ってＩＴＯパターン（Ｌ／Ｓ＝１００μｍ／１００μｍ）を、ＰＤＰ用基板上に形成した。
【００２３】
上記のＩＴＯパターンの作製工程において、以下の評価を行った。
［レジスト密着性］
上記の現像工程において、別途、最少現像時間の３倍の時間で現像した場合のレジストの密着性を目視観察して、以下の通り評価した。
◎ −−− レジストに浮きが全く認められない
○ −−− レジストの先端部に浮きが認められる
× −−− 全体的にレジストの浮きが認められる
［エッチング密着性］
上記のエッチング工程において、形成されたパターンのライン幅（１００μｍ）を実測して、その測定値により、以下の通り評価した。
なお、ラインパターンは１００μｍに設定しているが、エッチング時の密着性が低下すると、形成されたライン幅が細くなり好ましくない。
◎ −−− 形成されたライン幅が９５μｍ以上
○ −−− 形成されたライン幅が９０μｍ以上、９５μｍ未満
× −−− 形成されたライン幅が９０μｍ未満
［剥離性］
上記のエッチング後のレジスト剥離工程において、該ライン状のレジストの剥離状態を目視観察して、以下の通り評価した。
◎ −−− レジストが分散（細分化）して剥離
○ −−− レジストが２分割して剥離
× −−− レジストがライン状で剥離
【００２４】
参考例２
参考例１において、シラン系化合物（Ｄ）を０．１部とした以外は同様に行って感光性樹脂組成物を得て、同様に評価を行った。
実施例１
参考例１において、エチレン性不飽和化合物（Ｂ）として、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート／グリセリントリアクリレート＝２５／１０（重量比）の混合物を用いた以外は同様に行って感光性樹脂組成物を得て、同様に評価を行った。
【００２５】
比較例１
参考例１において、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレートに替えてトリメチロールプロパントリアクリレートを用いた以外は同様に行って感光性樹脂組成物を得て、同様に評価を行った。
比較例２
参考例１において、シラン系化合物（Ｄ）を無添加とした以外は同様に行って感光性樹脂組成物を得て、同様に評価を行った。
実施例、比較例、参考例の評価結果を表１に示す。
【００２６】
【表１】
レジスト密着性 エッチング密着性 剥離性
参考例１ ◎ ◎ ○
〃 ２ ◎ ◎ ○
実施例１ ◎ ◎ ◎
比較例１ × × ×
〃 ２ × × ×
【００２７】
【発明の効果】
本発明の感光性樹脂組成物は、エチレン性不飽和化合物としてポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート及びグリセリントリアクリレートを含有し、かつシラン系化合物を含有しているため、ガラス基材、ＩＴＯ膜、ＳｎＯ２膜等との密着性に富み、アルカリによる現像剥離性に優れており、更にはエッチング時の密着性にも優れ、ＰＤＰ等の大形ガラス基材上に電極を形成する等のパターン形成用途に大変有用である。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a photosensitive resin composition that is rich in adhesiveness to a glass substrate and has excellent development releasability by alkali, and a photoresist film using the composition, and more specifically, a plasma display panel (PDP) and the like. The present invention relates to a photosensitive resin composition useful for pattern formation on a large glass substrate and a photoresist film using the composition.
[0002]
[Prior art]
A three-layer laminate film in which a photosensitive resin composition is applied in layers on a base film such as a polyester film and dried, and a protective film such as a polyester film or a polyvinyl alcohol film is laminated thereon is generally a photoresist film or a dry film. It is called a resist (DFR) and is widely used for manufacturing printed wiring boards, precision metal processing, and the like.
In use, the base film or the protective film having the smaller adhesive strength is first peeled off from the photoresist film or DFR, and the pattern of the copper-clad substrate such as the copper surface is formed on the photosensitive resin composition layer side. After pasting on the surface of the base material to be formed, the pattern mask is exposed to contact with the other film (it may be exposed after peeling off the other film), and then the other film. Is removed and used for development. Development methods after exposure include a solvent development type and a rare alkali development type.
[0003]
In addition to DFR, a method is also well known in which a photosensitive resin composition is applied and layered directly on the substrate surface, and a pattern mask is brought into close contact via a film such as a polyester film laminated thereon to perform exposure.
On the other hand, various flat panel displays have been actively developed recently, and PDP has been attracting attention. In the future, from the display screen of a laptop computer to various electric bulletin boards and so-called “wall-mounted TV”. Although its application is expanding, such a PDP display panel has an electrode formed on a glass substrate, and the above DFR has begun to be used for forming the electrode.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the electrode formation described above, since the base material is glass, ITO film, SnO 2 or the like, unlike a conventional metal such as copper, the adhesion is poor, and an adhesion aid or the like is used to increase the adhesion. This time, the peelability at the time of alkali development is lowered and it becomes difficult to form a good pattern.
[0005]
[Means for solving problems]
Therefore, as a result of intensive studies on such problems, the present inventors contain a base polymer (A), an ethylenically unsaturated compound (B), a photopolymerization initiator (C), and a silane compound (D). And a photosensitive resin composition using at least polyethylene glycol di (meth) acrylate and glycerin triacrylate as the ethylenically unsaturated compound (B) has excellent adhesion to a glass substrate and is peeled off during alkali development. The present inventors have found that a photoresist film obtained by laminating such a photosensitive resin composition on a base film is useful for electrode formation of the above PDP, and has completed the present invention.
[0006]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The present invention is described in detail below.
As the base polymer (A) of the present invention, acrylic resins, polyester resins, polyurethane resins and the like are used.
Among these, an acrylic copolymer having (meth) acrylate as a main component and copolymerizing an ethylenically unsaturated carboxylic acid and other copolymerizable monomers as necessary is important. An acetoacetyl group-containing acrylic copolymer can also be used.
[0007]
Here, as the (meth) acrylic acid ester, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, cyclohexyl Examples include (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, dimethylaminoethyl (meth) acrylate, hydroxyethyl (meth) acrylate, hydroxypropyl (meth) acrylate, glycidyl (meth) acrylate, and the like.
[0008]
As the ethylenically unsaturated carboxylic acid, monocarboxylic acids such as acrylic acid, methacrylic acid, and crotonic acid are preferably used. In addition, dicarboxylic acids such as maleic acid, fumaric acid, and itaconic acid, or anhydrides and half thereof. Esters can also be used. Of these, acrylic acid and methacrylic acid are particularly preferred.
[0009]
When the dilute alkali development type is used, it is necessary to copolymerize about 15 to 30% by weight of ethylenically unsaturated carboxylic acid (acid value: 100 to 200 mg KOH / g). Examples of other copolymerizable monomers include acrylamide, methacrylamide, acrylonitrile, methacrylonitrile, styrene, α-methylstyrene, vinyl acetate, alkyl vinyl ether, and the like.
Further, the weight average molecular weight of the base polymer (A) is preferably 5 to 120,000.
[0010]
Examples of the ethylenically unsaturated compound (B) include ethylene glycol di (meth) acrylate, diethylene glycol di (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, propylene glycol di (meth) acrylate, and polypropylene glycol di (meth) acrylate. , Butylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, 1,6-hexane glycol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, glycerin di (meth) acrylate, pentaerythritol di ( (Meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, 2,2-bis (4- (meth) acryloxydie Xylphenyl) propane, 2,2-bis- (4- (meth) acryloxypolyethoxyphenyl) propane, 2-hydroxy-3- (meth) acryloyloxypropyl (meth) acrylate, ethylene glycol diglycidyl ether di (meth) Multifunctional monomers such as acrylate, diethylene glycol diglycidyl ether di (meth) acrylate, diglycidyl phthalate di (meth) acrylate, glycerol triacrylate, glycerol polyglycidyl ether poly (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate In the present invention, at least polyethylene glycol di (meth) acrylate is used. Specifically, tetraethylene glycol di (meth) acrylate is used. It can be exemplified over preparative like, tetraethylene glycol di (meth) acrylate is preferably used.
[0011]
Furthermore, in this invention, it is necessary to use glycerol triacrylate together as a polyfunctional monomer. In addition, an appropriate amount of a monofunctional monomer can be used in combination with these polyfunctional monomers. Examples of such monofunctional monomers include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2- Hydroxybutyl (meth) acrylate, 2-phenoxy-2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2- (meth) acryloyloxy-2-hydroxypropyl phthalate, 3-chloro-2-hydroxypropyl (meth) acrylate, glycerin mono ( Examples include meth) acrylate, 2- (meth) acryloyloxyethyl acid phosphate, phthalic acid derivative half (meth) acrylate, and N-methylol (meth) acrylamide.
[0012]
The content of polyethylene glycol di (meth) acrylate in the ethylenically unsaturated compound (B) is preferably 50 to 100% by weight, more preferably 90 to 100% by weight. Adhesiveness decreases, which is not preferable.
Moreover, it is preferable that content of polyethyleneglycol di (meth) acrylate is 10-100 weight part with respect to 100 weight part of base polymers (A), Furthermore, this content is 50-100 weight part. If the amount is less than 50 parts by weight, the adhesion of the resist is lowered. On the other hand, if it exceeds 100 parts by weight, it is not preferable because it causes a cold flow.
[0013]
The blending ratio of the ethylenically unsaturated compound (B) to 100 parts by weight of the base polymer (A) is preferably selected from the range of 10 to 200 parts by weight, particularly 40 to 100 parts by weight. Too little ethylenically unsaturated compound (B) leads to poor curing, poor flexibility and slow development, too much ethylenically unsaturated compound (B) increases tackiness, cold flow, peels off cured resist Incurs speed reduction.
[0014]
Further, as the photopolymerization initiator (C), benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin n-butyl ether, benzoin phenyl ether, benzyl diphenyl disulfide, benzyl dimethyl ketal, dibenzyl, diacetyl, anthraquinone, naphthoquinone 3,3′-dimethyl-4-methoxybenzophenone, benzophenone, 4,4′-bis (dimethylamino) benzophenone, 4,4′-bis (diethylamino) benzophenone, 4,4′-diethylaminobenzophenone, pivaloin ethyl Ether, 1,1-dichloroacetophenone, pt-butyldichloroacetophenone, hexaarylimidazole dimer, 2,2′-bis (o-chlorophenyl) 4,5 4 ', 5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, 2,2'-diethoxyacetophenone, 2,2'-dimethoxy- 2-phenylacetophenone, 2,2′-dichloro-4-phenoxyacetophenone, phenylglyoxylate, α-hydroxyisobutylphenone, dibezoparone, 1- (4-isopropylphenyl) -2-hydroxy-2-methyl-1-propanone 2-methyl- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino-1-propanone, tribromophenylsulfone, tribromomethylphenylsulfone, and the like, and one or more of these are used. The content of the photopolymerization initiator (C) is suitably about 1 to 20 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the total amount of the base polymer (A) and the ethylenically unsaturated compound (B). .
[0015]
In the present invention, a silane compound (D) is also included. Examples of the silane compound (D) include γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, β- (3,4 epoxy cyclohexyl). ) -Ethoxytrimethoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) -ethyltriethoxysilane and other epoxy silanes, N-β (aminoethyl) γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-phenyl-γ-aminopropyl Examples include aminosilanes such as trimethoxysilane, chloropropylsilanes such as γ-chloropropyltrimethoxysilane, methacrylosilanes such as γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, and any of epoxy silane, aminosilane, and chloropropylsilane. It is preferable to use one or more. As content of a silane type compound (D), it is preferable to set it as 0.01-5 weight part with respect to 100 weight part of total amounts of said (A)-(C), and also 0.1-1 weight. In particular, the content is preferably 0.1 to 0.3 parts by weight. If the content of the silane compound (D) is less than 0.01% by weight, the adhesion of the resist is lowered. Conversely, if it exceeds 1% by weight, a peeling phenomenon is observed at the glass or ITO film interface, which is not preferable.
The method for containing the silane compound (D) is not particularly limited, and a known method, for example, adding a predetermined amount of the silane compound (D) to the resin compositions (A) to (C) above, There is a method of sufficiently mixing and stirring.
[0016]
In addition to the photosensitive resin composition of the present invention, dyes (crystal violet, malachite green, malachite green lake, brilliant green, patent blue, methyl violet, Victoria blue, rose aniline, parafuchsin, ethylene violet, etc.) and adhesion imparting Additives such as an agent, a plasticizer, an antioxidant, a thermal polymerization inhibitor, a solvent, a surface tension modifier, a stabilizer, a chain transfer agent, an antifoaming agent, and a flame retardant can be appropriately added.
[0017]
The production of DFR using the photosensitive resin composition of the present invention and a method for forming electrodes (pattern formation) on a PDP substrate using the same will be specifically described.
(Stratification method)
The above photosensitive resin composition is coated on a base film surface such as a polyester film, polypropylene film or polystyrene film, and then coated with a protective film such as a polyethylene film or polyvinyl alcohol film on the coated surface. DFR.
The thickness of the photosensitive resin composition layer at this time is preferably 10 to 100 μm, and more preferably 10 to 30 μm.
In addition, the photosensitive resin composition of the present invention can be used for applications other than DFR, and as such applications, the photosensitive resin composition of the present invention can be applied by a dip coating method, a flow coating method, a screen printing method. The photosensitive layer having a thickness of 1 to 150 μm can be easily formed by coating directly on a substrate to be processed (such as glass) by a conventional method such as the above. During coating, a solvent such as methyl ethyl ketone, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, cyclohexane, methyl cellosolve, methylene chloride, 1,1,1-trichloroethane may be added.
[0018]
(exposure)
In order to form an image by DFR, the adhesive strength between the base film and the photosensitive resin composition layer and the adhesive strength between the protective film and the photosensitive resin composition layer are compared, and the film with the lower adhesive strength is peeled off. After the photosensitive resin composition layer side is attached to a glass surface, ITO film, SnO 2 film or the like, a pattern mask is brought into close contact with the other film and exposed. When the photosensitive resin composition does not have adhesiveness, the pattern mask can be directly brought into contact with the photosensitive resin composition layer after the other film is peeled off for exposure.
When the coating is directly applied to a conductive material such as an ITO film, a pattern mask is brought into contact with the coated surface directly or via a polyester film and the like for exposure.
Exposure is usually performed by ultraviolet irradiation, and as a light source at that time, a high pressure mercury lamp, an ultrahigh pressure mercury lamp, a carbon arc lamp, a xenon lamp, a metal halide lamp, a chemical lamp, or the like is used. After the ultraviolet irradiation, heating can be performed as necessary to complete the curing.
[0019]
(developing)
After the exposure, the film on the resist is peeled off and then developed.
Since the photosensitive resin composition of the present invention is a dilute alkali development type, development after exposure is performed using a dilute aqueous solution of about 0.5 to 3% by weight of alkali such as sodium carbonate or potassium carbonate.
(etching)
Etching is performed after development.
For etching, an acidic etching solution such as cupric chloride-hydrochloric acid or ferric chloride-hydrochloric acid is usually used.
(Hardened resist peeling)
After the etching process, the remaining cured resist is peeled off.
The cured resist is stripped and removed using an alkali stripping solution made of an aqueous alkali solution having a concentration of about 0.5 to 10% by weight such as sodium hydroxide or potassium hydroxide.
Then, after sufficiently washing with water, it is dried.
[0020]
Thus, an electrode is formed on the front substrate for PDP, and after that, gas is sealed between the substrate and the back substrate, and then joined and put into practical use as a PDP.
[0021]
【Example】
Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples.
In the examples, “parts” means weight basis unless otherwise specified.
Reference example 1
(Dope adjustment)
60 parts of the following base polymer (A), 35 parts of the following ethylenically unsaturated compound (B), 5 parts of the optical weight initiator (C) of the following formulation and 0.3 part of the following silane compound (D) are mixed. Thus, a photosensitive resin composition was prepared.
Base polymer (A)
A copolymer having a copolymerization ratio of methyl methacrylate / n-butyl methacrylate / 2-ethylhexyl acrylate / styrene / methacrylic acid of 32/30/15/2/21 on a weight basis (acid value 143.3, glass transition point 66 .3 ° C, weight average molecular weight 80,000)
Ethylenically unsaturated compound (B)
Tetraethylene glycol di (meth) acrylate
Photopolymerization initiator (C)
Benzophenone / 4,4′-diethylaminobenzophenone / 2,2-bis (o-chlorophenyl) 4,5,4 ′, 5′-tetraphenyl-1,2′-biimidazole weight ratio 8 / 0.15 / 1 Mixture of
Silane compound (D)
γ-Glycidoxypropyltrimethoxysilane
(Production of dry film)
The above dope was coated on a polyester film having a thickness of 20 μm using a gap 3 mil applicator, allowed to stand at room temperature for 1 minute and 30 seconds, and then in an oven at 60 ° C., 90 ° C., and 110 ° C. for 3 minutes each. The dried film was a dry film having a resist thickness of 20 μm (however, no protective film was provided).
(Lamination on PDP glass substrate)
On the glass substrate with ITO (200 mm × 200 mm × 2 mm) preheated to 60 ° C. in an oven, this dry film is laminated at a laminating roll temperature of 100 ° C., the same roll pressure of 3 kg / cm 2 , and a laminating speed of 1.5 m / sec. Laminated. (Exposure, development)
After lamination, a line pattern is placed on the polyester film so that L / S (line / space) = 100 μm / 100 μm on the entire surface of ITO, and it is adjusted to 100 mj with an exposure machine HMW-532D manufactured by Oak Seisakusho using a 3 kW ultra high pressure mercury lamp. Exposed. After taking a hold time of 15 minutes after exposure, development was performed at 1 ° Na 2 CO 3 aqueous solution at 30 ° C. for 1.5 times the minimum development time, and then washed with water and dried to obtain L / S. = 100 μm / 100 μm resist layer pattern was formed.
(Etching, cured resist peeling)
The above pattern is etched with ferric chloride (45 ° C., 42 ° Be), and then the resist pattern is sprayed with a 3% NaOH aqueous solution at 50 ° C. under a pressure of 2 kg, and the resist layer is peeled off. A pattern (L / S = 100 μm / 100 μm) was formed on the PDP substrate.
[0023]
The following evaluation was performed in the manufacturing process of the ITO pattern.
[Resist adhesion]
In the above development step, the adhesion of the resist when developed in a time three times as long as the minimum development time was visually observed and evaluated as follows.
◎ ---- Resist is not lifted at all ○ ---- Resist tip is lifted x ---- Resist is lifted overall [Etching adhesion]
In the above etching process, the line width (100 μm) of the formed pattern was measured and evaluated as follows based on the measured value.
Although the line pattern is set to 100 μm, if the adhesion at the time of etching is lowered, the formed line width is not preferable.
◎ ---- The formed line width is 95 μm or more ○ --- The formed line width is 90 μm or more and less than 95 μm × ---- The formed line width is less than 90 μm [Peelability]
In the resist stripping step after the etching, the stripped state of the line resist was visually observed and evaluated as follows.
◎ ---- Resist is dispersed (subdivided) and peeled ○ ---- Resist is split into two parts and peeled × ---- Resist is stripped in a line
Reference example 2
In Reference Example 1 , a photosensitive resin composition was obtained in the same manner except that 0.1 part of the silane compound (D) was used, and the evaluation was performed in the same manner.
Example 1
In Reference Example 1 , a photosensitive resin composition was prepared in the same manner except that a mixture of tetraethylene glycol di (meth) acrylate / glycerin triacrylate = 25/10 (weight ratio) was used as the ethylenically unsaturated compound (B). Things were obtained and evaluated in the same manner.
[0025]
Comparative Example 1
In Reference Example 1 , a photosensitive resin composition was obtained in the same manner except that trimethylolpropane triacrylate was used instead of tetraethylene glycol di (meth) acrylate, and evaluation was performed in the same manner.
Comparative Example 2
In Reference Example 1 , a photosensitive resin composition was obtained in the same manner except that the silane compound (D) was not added, and evaluated in the same manner.
Table 1 shows the evaluation results of Examples, Comparative Examples , and Reference Examples .
[0026]
[Table 1]
Resist adhesion Etching adhesion Peelability
Reference Example 1 ◎ ◎ ○
〃 2 ◎ ◎ ○
Example 1 ◎ ◎
Comparative Example 1 × × ×
〃 2 × × ×
[0027]
【The invention's effect】
Since the photosensitive resin composition of the present invention contains polyethylene glycol di (meth) acrylate and glycerin triacrylate as an ethylenically unsaturated compound and contains a silane compound, the glass substrate, ITO film, SnO2 Rich in adhesion to films, etc., excellent in peelability due to alkali, and also excellent in adhesion during etching, for pattern forming applications such as forming electrodes on large glass substrates such as PDPs It is very useful.
Claims (7)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01335997A JP3841906B2 (en) | 1997-01-08 | 1997-01-08 | Photosensitive resin composition and use thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01335997A JP3841906B2 (en) | 1997-01-08 | 1997-01-08 | Photosensitive resin composition and use thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10198032A JPH10198032A (en) | 1998-07-31 |
| JP3841906B2 true JP3841906B2 (en) | 2006-11-08 |
Family
ID=11830914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01335997A Expired - Fee Related JP3841906B2 (en) | 1997-01-08 | 1997-01-08 | Photosensitive resin composition and use thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3841906B2 (en) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200804978A (en) * | 2006-03-06 | 2008-01-16 | Asahi Glass Co Ltd | Treated substratum with hydrophilic region and water-repellent region and process for producing the same |
| KR102541614B1 (en) | 2015-03-04 | 2023-06-09 | 다이요 홀딩스 가부시키가이샤 | Etching resist composition and dry film |
| US20180237629A1 (en) * | 2015-08-21 | 2018-08-23 | Toagosei Co., Ltd. | Curable composition |
| JP6852298B2 (en) * | 2015-08-21 | 2021-03-31 | 東亞合成株式会社 | Curable composition for inkjet ink |
| WO2018092785A1 (en) * | 2016-11-17 | 2018-05-24 | 東亞合成株式会社 | Active energy ray-curable composition |
| CN107140949B (en) * | 2017-05-26 | 2020-08-28 | 安徽拓吉泰新型陶瓷科技有限公司 | Preparation method of high-purity and high-sintering-activity indium tin oxide mixed powder |
-
1997
- 1997-01-08 JP JP01335997A patent/JP3841906B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10198032A (en) | 1998-07-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3372903B2 (en) | Photoresist stripper | |
| JP3004595B2 (en) | Photosensitive resin composition and dry film resist using the same | |
| JP3838724B2 (en) | Photosensitive resin composition and use thereof | |
| JP3841906B2 (en) | Photosensitive resin composition and use thereof | |
| JP2003307845A (en) | Photosensitive film for forming circuit and method for manufacturing printed-wiring board | |
| JP3619852B2 (en) | Photosensitive resin composition and dry film resist using the same | |
| JPH11339574A (en) | Formation of ito film | |
| TW200303338A (en) | Photo curing composition and plasma display using the same in forming black pattern | |
| JP2719799B2 (en) | Photosensitive resin composition | |
| JP4756181B2 (en) | Photosensitive resin composition and dry film using the same | |
| JP2000321767A (en) | Photosensitive resin composition and dry film resist using the same | |
| JPH10198034A (en) | Photosensitive resin composition and its use | |
| JP3280323B2 (en) | Photosensitive resin composition | |
| JP3995172B2 (en) | Thin film electrode formation method | |
| JP3967829B2 (en) | Photosensitive resin composition and use thereof | |
| JP3967830B2 (en) | Photosensitive resin composition and use thereof | |
| JPH11160879A (en) | Forming method of thin film electrode | |
| JP3992846B2 (en) | Photosensitive resin composition and use thereof | |
| JP3992847B2 (en) | Photosensitive resin composition and use thereof | |
| JP3868576B2 (en) | Photosensitive resin composition | |
| JP2678761B2 (en) | Image forming method | |
| JP3641306B2 (en) | Pattern formation method | |
| JPH11160869A (en) | Forming method of thin film electrode | |
| JP4398721B2 (en) | Photosensitive resin composition and photoresist film | |
| JP2000250214A (en) | Photosensitive resin composition |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060522 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060525 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060711 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060803 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060809 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090818 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090818 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090818 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100818 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100818 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110818 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110818 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110818 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120818 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120818 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120818 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |