JP3824683B2 - 空間型光偏向素子 - Google Patents
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【産業上の利用分野】
本発明は、光インターコネクションに関し、例えば光コンピュータ内のボード間、プロセッサ間の光スイッチング、並列光情報伝送システム等のキーデバイスとして好適な空間型光偏向素子に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
情報処理、通信等の分野において、例えば光コンピュータ内のボード間、プロセッサ間等の情報伝送用配線として従来一般の手段である電気的な配線を用いた場合、配線が占める空間的、時間的なロスはかなり大きなものとなってしまう。そこで、近年、この点を改善するために空間的、時間的に情報伝送量の大きい光を用いた、いわゆる光インターコネクション(光を用いた相互接続)が用いられてきている。コンピュータ内で光インターコネクションを実現する場合、光インターコネクションの持つ空間的、時間的に情報伝送量が大きいという利点を生かすためには、ボード間、プロセッサ間等で空間的に信号の切り替えを行なう光スイッチングや並列的な光情報伝送を実現することが必要であり、これら光スイッチングや並列光情報伝送に対応し得る光デバイスの提供が望まれていた。
【0003】
そこで、本発明者は、図6に示すような空間型光偏向素子を提案した(図6(a)は素子の縦方向断面図、図6(b)は同、横方向断面図、なお、以下の説明では素子の光軸方向を縦方向、光軸に垂直な方向を横方向と記載する)。図6に示す空間型光偏向素子1は、n−InP基板2上にn−InPバッファ層3が形成され、その上方に、井戸層とバリア層が交互に多層積層された(図示せず)多重量子井戸(Multi Quantum Well 、以下、MQWと称する)層4と導波路層5がストライプ状に形成され、フォトリソグラフィ・エッチング技術により導波路層5上に回折格子6が形成されたものである。
【0004】
そして、MQW層4と導波路層5からなるストライプ7の上方にはn−InPクラッド層8が形成されるとともに、ストライプ7の側方には横方向の光の閉じ込めのためにInPブロック層9が埋込成長されている。また、この積層構造の上面には窓部10を有する上部電極層11が形成され、下面には下部電極層12が形成されている。
【0005】
上記構成の空間型光偏向素子1において上部、下部電極層11、12間に例えば電圧印加を行なうと、電圧の大きさに見合う量だけMQW層4の屈折率が変化し、入射光S0 の回折が生じる際にその屈折率変化に伴って回折角が変化する。このとき、回折角と屈折率との関係は次に示すブラッグの式で表される。すなわち、回折角をθ、導波路の等価屈折率をneff とすると、
sinθ=i・{λ0 /(neff ・Λ)}−1 ……(1)
i:回折光の次数
λ0:入射光の波長
Λ:回折格子の周期
となる。ここで、一般的な条件としてi=2、λ0 =1.30μm、Λ=400nm、neff=3.25を用いると、θ=90°となる。すなわち、光はその進行方向に対して垂直な方向、鉛直上方に回折することになる。
【0006】
そこで、電圧の大きさを調節することにより屈折率(neff )を変化させ、回折光S1 を光軸方向に沿う鉛直面内で所望の角度だけ偏向させて(S2 、S3 )、素子の外部空間に出射させることができる。そこで、この回折光S1 の偏向機能を利用することにより光コンピュータにおける光スイッチングシステムや並列光情報伝送システムにおける光インターコネクションに対してこの空間型光偏向素子1を送信側素子として適用することができるのである。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、電圧を印加することによりMQW層の屈折率が変化するが、それと同時に吸収係数が増大する。すなわち、導波路の等価屈折率の変化はMQW層における光の吸収によって制限されることになり、この吸収を考慮すると屈折率の変化量は0.3%程度が限界となる(好ましくは0.2%程度である)。この値から(1)式を用いて計算すると出射光S1 の偏向角(以下、回折角の変化量を偏向角と称する)は6°程度が限界となり、光をそれ以上偏向させることは実質的に不可能となる。
【0008】
そこで、マザーボードに配置した空間型光偏向素子と子ボードに配置した複数の受光素子との間で光インターコネクションを構成する場合には次のような問題が生じていた。すなわち、偏向角が6°程度と小さいことから受光素子同士の間隔を狭くするか、もしくはボード間の距離を離すかのいずれかの方法を採らなければならない。ところが、受光素子同士の間隔を狭くした場合には信号のクロストークが生じたり、ボード間の距離を離した場合には受光素子が受ける光強度が弱くなるという問題が生じていた。
【0009】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであって、従来の素子に比べて大きい偏向角を有する空間型光偏向素子を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の空間型光偏向素子は、半導体基板と、該半導体基板の上方に形成された導波路層と、該導波路層の上方に形成されたクラッド層と、前記導波路層への入射光を上方に向けて回折させるための回折格子と、前記クラッド層の上方に形成され回折光を出射する窓部が設けられた上部電極層と、前記半導体基板の下方に形成された下部電極層を有してなり、前記上部、下部電極層間に電圧印加または電流注入を行なって前記導波路層の屈折率を変化させることにより前記回折光を偏向させる空間型光偏向素子において、前記回折格子の周期を適切に設定することにより電圧を印加しない状態または電流を注入しない状態における回折光の回折角が90°未満に調整されていることを特徴とするものである。
【0011】
また、回折格子の周期を設定する具体的な一つの手段として、前記回折角をθ、前記回折光の次数をi、前記入射光の波長をλ0 、前記導波路層の等価屈折率をneff 、前記回折格子の周期をΛとしたとき、
sinθ=i・{λ0 /(neff ・Λ)}−1 ……(1)
で表される(1)式において、θ=90°、i=2、λ0 およびneff に前記空間型光偏向素子で使用される値をそれぞれ代入したときに計算されるΛの値に対して、0.15%大きくした値を前記回折格子の周期として設定すればよい。
【0012】
【作用】
上述したように、屈折率と回折角の関係は前記のブラッグの式((1)式)に従うが、この関係を図に表すと図3のようになる。
この図に示すように、屈折率変化量に対する偏向角θの変化率(図3における曲線Yの勾配)は、屈折率変化量Δnが0の点で最大となっている。
また、図4は電圧印加時の屈折率変化量の波長依存性を示す図、図5は電圧印加時の吸収係数の波長依存性を示す図である。
【0013】
図4に示すように、負電圧(V<0)を印加したときに入射光の波長λinput 以下の波長領域で屈折率変化量Δnが負となる領域Aが存在するが、この波長領域では、図5に示すように、吸収係数αが大きく、吸収損失が大き過ぎて所定の光出力が得られないため、実質的に使用できない。したがって、空間型光偏向素子では、実際のところ入射光の波長λinput 以上の波長領域で屈折率変化量Δnが正となる波長領域Bを用いることになる、言い換えれば、常に屈折率を増大する方向に変化させることになる。
【0014】
そこで、入射光の波長および導波路の等価屈折率を一定の値としたとき、従来の素子においては、図3に示すように、電圧を印加しない初期状態、すなわち屈折率変化量Δn=0の点における回折角が90°(図3中の偏向角が0°の点)となるように(1)式中の回折格子の周期を設定しており、この初期状態から屈折率が0.3%増大する範囲までが屈折率変化領域(図3中破線矢印Cで示す)となっていた。したがって、この領域では図3における曲線Yの勾配が次第に緩やかになるため、偏向角変化量は6.28°となっていた。
【0015】
これに対して、本発明の素子では、回折格子の周期を適切に設定することにより電圧を印加しない初期状態における回折角を90°未満(偏向角を負)とするため、図3における曲線の勾配が最も大きい領域を使うことになり、従来の素子に比べて偏向角の変化量が大きくなる。具体的には屈折率変化領域の幅0.3%を従来の素子における0%→0.3%から−0.15%→0.15%の範囲(図3中実線矢印Dで示す)に代え、屈折率が初期状態から0.15%増大したときに回折角が90°(偏向角が0°)となるようにすればよい。そのためには、(1)式中の回折格子の周期を0.15%大きくしておけばよく、そうすることによって偏向角は4.44°×2=8.88°となる。
【0016】
【実施例】
以下、本発明の一実施例を図1および図2を参照して説明する。
図1(a)は本実施例の空間型光偏向素子15を示す縦方向断面図、図1(b)は同横方向断面図であって、図中符号16は半導体基板、17はバッファ層、18は光閉込補償層、19はMQW層、20は導波路層、21はクラッド層、22は導電層、23は上部電極層、24は下部電極層、25はブロック層、26は回折格子である。
【0017】
半導体基板16はp−InPを材料としてチップ状に形成したものであり、図1(a)、(b)に示すように、この半導体基板16上にp−InPからなるバッファ層17が積層されている。そして、図1(b)に示すように、バッファ層17上面の横方向中央部には、縦方向に延びるストライプ状の光閉込補償層18、MQW層19および導波路層20が形成されている。
【0018】
光閉込補償層18はp−InGaAsPにより形成されたものである。また、MQW層19はInGaAsPからなる井戸層とInPからなるバリア層が交互に多層積層(図示は省略)されたものであり、いわゆるMQW構造をなしている。また、導波路層20はバルクのInGaAsPにより形成されている。なお、本実施例の場合、MQW層19と導波路層20で構成される導波路の等価屈折率は3.25となっている。そして、これら光閉込補償層18、MQW層19および導波路層20からなるストライプ27の延びる方向が入射光S0 の導波方向となっている。
【0019】
一方、図1(b)に示すように、ストライプ27の側方下部には後述する上部電極層23と下部電極層24との間で注入電流を遮断するための、アンドープのInP(以下、u−InPと記載する)からなるブロック層25が形成されている。また、ブロック層25の上面にはV字状の溝を有するn−InPからなる導電層22が積層されている。
【0020】
そして、図1(a)に示すように、導波路層20の上面には、入射光S0 の導波方向と直交する方向に延びる多数の溝を有し、それらの溝が一定の周期を持つ三角波形の回折格子26が形成されている。この回折格子26は導波路層内を導波する光S0 を上方に向けて回折させるためのものである。ここで、回折格子の周期を設定する際には、本実施例の空間型光偏向素子の場合、波長1.3μmの入射光を対象とし、導波路の等価屈折率が3.25であるから、(1)式においてまずλ0 =1.3、neff =3.25、θ=90°、i=2を代入すると、Λ=400nmという値が得られる。そこで、本実施例の素子においてはこの値を0.15%大きくした400.6nmを回折格子の周期とする。
【0021】
また、図1(a)、(b)に示すように、クラッド層21が前記導電層22のV字状の溝を埋めるように形成されており、クラッド層21と導波路層20とで回折格子26が構成されている。このクラッド層21は、SiO2 、Si3N4 、SiC、MgO、MgF2 、Al2O3 、TiO2 等の誘電体、Ge等の半導体、またはポリイミド、エポキシ、さらにはケイ素化合物[RnSi(OH)4-n ]等の有機系化合物のうちのいずれかを材料とするものである。なお、これらの材料は光の波長に対して透明なものである。
【0022】
また、図1(b)に示すように、導電層22の上面には上部電極層23、23が形成され、半導体基板16の下面には下部電極層24が形成されている。したがって、素子15の縦方向に延びる上部電極層23、23の間の領域は回折格子26により上方に回折された光S1 を素子15の外部へ出射させるための矩形の窓部28となっている。これら上部、下部電極層23、24は、ともにCrとAuとの積層、またはn側(導電層22側)はAu−Ge−Ni合金とAuとの積層、p側(半導体基板16側)はAu−Zn合金とAuとの積層、さらにはこれらの上にCrとAuを積層した構造となっている。
【0023】
上記構成の空間型光偏向素子15を使用するに際しては、図2に示すように、上部電極層23、23と下部電極層24の間に電源33を接続する。そして、導波路層20に対して光S0 を入射すると、入射した光S0 は回折格子26の作用により上方に向けて回折し、上部電極層23の窓部28を通して素子15の外部に出射される。そこで、上部、下部電極層23、24間に電圧印加を行なうと、導波路層20の屈折率が変化することに伴って回折角が変化する。すなわち、回折光S1 が光の導波方向に沿う面内において偏向し(S2 、S3 )、窓部28から素子15の外部に出射される。
【0024】
本実施例の空間型光偏向素子15において電圧印加と偏向角の関係は次のようになる。すなわち、上部、下部電極層23、24間に電圧を印加しない状態では屈折率変化が0であるから、(1)式においてλ0 =1.3、neff =3.25、Λ=400.6nm、i=2を代入すると、回折角θは85.56°(偏向角が−4.44°)となる。そして、電圧を印加して屈折率が0.15%増大した(neff' =3.25×1.0015)ときに初めて(1)式より回折角が90°(偏向角が0°)となる。さらに、屈折率が0.15%増大する(neff" =3.25×1.003)と(1)式より回折角は94.44°(偏向角が4.44°)となる。このように、本実施例の空間型光偏向素子15における最大の偏向角は4.44°×2=8.88°となる。したがって、電圧を印加しない状態での回折角を90°としていた従来の素子における偏向角6.28°に対して偏向角を2.6°程度大きくすることができる。
【0025】
そこで、光インターコネクションにおいて空間型光偏向素子から多数の受光素子に光信号を送信したい場合、従来の空間型光偏向素子では偏向角が小さいことに起因して光信号のクロストーク、または受光素子における光強度の低下という問題が生じていた。ところが、本実施例の空間型光偏向素子15によれば、従来の素子に比べて偏向角を2.6°程度、割合にして4割程度大きくすることができるため、偏向角が小さいことに起因する上記の問題点を解決することができる。したがって、この空間型光偏向素子15の適用により集積度の高い光スイッチングシステム、並列光情報伝送システム等のシステムを実現することができる。
【0026】
なお、本実施例においては、前提条件として入射光の波長を1.3μm、導波路の等価屈折率を3.25としたが、これらの数値は一例に過ぎず、適宜設定することができ、その設定値に合わせて(1)式から回折格子の周期を計算すればよい。また、本実施例では、回折格子の周期を計算値より0.15%大きく設定したが、光の吸収をさらに考慮するならば0.1%大きくする程度に留めておくことが好ましい。
【0027】
また、半導体基板16およびバッファ層17の材料としてp−InPを、導電層22の材料としてn−InPを用いたが、これらの導電型は逆であってもよいし、また、ブロック層25として用いたu−InPの代わりに、n−InPの導電層22に接する上側にp−InP、p−InPのバッファ層17に接する下側にn−InPを適用した2層構造のブロック層を用いることもできる。そして、材料もInP系に限らず例えばGaAs系材料を用いてもよい。さらに、クラッド層の材料としてn−InPを用いてもよい。
【0028】
また、本発明を適用し得る空間型光偏向素子の基本構造は本実施例に限るものではない。例えば、(1)導波路の構造として本実施例のInGaAsP導波路層20とMQW層19の積層構造に代えて、MQW構造の導波路層、またはバルクの導波路層の単層構造、(2)回折格子の形成位置が異なるもの、(3)裏面反射膜、集光用レンズ等、他の構成要素を有するもの、等の種々の構造の素子に本発明を適用することができる。そして、空間型光偏向素子の使用に際しては、上部、下部電極層間に電圧を印加することに代えて、電流を注入する方法を採ってもよい。
【0029】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明の空間型光偏向素子においては、回折格子の周期を適切に設定することにより電圧を印加しない状態または電流を注入しない状態における回折角を90°未満とするため、屈折率変化に対する偏向角の変化率が最も大きい領域を使うことになり、従来の素子の場合に比べて偏向角が大きくなる。そこで、本発明の空間型光偏向素子によれば、偏向角が小さいことに起因する信号のクロストーク、受光素子における光強度の低下といった従来の素子における問題点を解決することができる。したがって、この空間型光偏向素子の適用により集積度の高い光スイッチングシステム、並列光情報伝送システム等を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施例である空間型光偏向素子を示す(a)縦方向断面図、(b)横方向断面図である。
【図2】 同、空間型光偏向素子を使用する状態を示す図である。
【図3】 屈折率変化と偏向角の関係を示す図である。
【図4】 電圧印加時の屈折率変化量の波長依存性を示す図である。
【図5】 電圧印加時の吸収係数の波長依存性を示す図である。
【図6】 従来の空間型光偏向素子の一例を示す(a)縦方向断面図、(b)横方向断面図である。
【符号の説明】
15…空間型光偏向素子、16…半導体基板、19…MQW層、20…導波路層、21…クラッド層、22…導電層、23…上部電極層、24…下部電極層、26…回折格子、28…窓部、S0 …入射光、S1 …回折光
Claims (1)
- 半導体基板と、該半導体基板の上方に形成された導波路層と、該導波路層の上方に形成されたクラッド層と、前記導波路層への入射光を上方に向けて回折させるための回折格子と、前記クラッド層の上方に形成され回折光を出射する窓部が設けられた上部電極層と、前記半導体基板の下方に形成された下部電極層を有してなり、前記上部、下部電極層間に電圧印加または電流注入を行なって前記導波路層の屈折率を変化させることにより前記回折光を偏向させる空間型光偏向素子において、
前記回折格子の周期を所定の値に設定することにより電圧を印加しない状態または電流を注入しない状態における回折光の回折角が90°未満に調整されており、
前記回折角をθ、前記回折光の次数をi、前記入射光の波長をλ 0 、前記導波路層の等価屈折率をn eff 、前記回折格子の周期をΛとしたとき、
sin θ=i・{λ 0 /(n eff ・Λ)}−1 ……(1)
で表される(1)式において、θ=90°、i=2、λ 0 およびn eff に前記空間型光偏向素子で使用される値をそれぞれ代入したときに計算されるΛの値に対して、0.15%大きくした値を前記回折格子の周期として設定したことを特徴とする空間型光偏向素子。
Priority Applications (1)
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JP15968995A JP3824683B2 (ja) | 1995-06-26 | 1995-06-26 | 空間型光偏向素子 |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPH0915659A JPH0915659A (ja) | 1997-01-17 |
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54133082A (en) * | 1978-04-07 | 1979-10-16 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Insulater gate fet transistor |
JPS61231763A (ja) * | 1985-04-08 | 1986-10-16 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH053206A (ja) * | 1990-08-29 | 1993-01-08 | Toshiba Corp | オフセツトゲート構造トランジスタおよびその製造方法 |
-
1995
- 1995-06-26 JP JP15968995A patent/JP3824683B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
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JPH0915659A (ja) | 1997-01-17 |
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