JP3816720B2 - Semiconductor device - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体基板の活性領域を保護するための構造を有する半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体チップ自身の大きさ程度にまで小型化されたICパッケージは、チップサイズパッケージと呼ばれている。このチップサイズパッケージ型半導体装置の具体的な構成例は、図3に示されている。
半導体チップ51の活性面には、内部回路と電気接続されたパッド52が形成されており、このパッド52の表面に、たとえば金からなるバンプ53が隆起して設けられている。このバンプ53は、たとえばセラミックなどからなる基板61の表面に設けられた金めっき部63に接合されている。金めっき部63は、セラミック基板61の表面に形成された導体パターン62上に設けられている。セラミック基板61の表面は、レジスト64によって覆われており、金めっき部63は、このレジスト64から突出するように形成されている。
【0003】
セラミック基板61と半導体チップ51との間には、樹脂57が介在されていて、これにより、主として半導体チップ51の活性面の保護が行われている。
セラミック基板61の下面、すなわち、半導体チップ51とは反対側の表面には、複数個の導体パターン65が、レジスト67から露出するように形成されている。各導体パターン65の表面には、半田ボール66が配置されている。この半田ボール66は、セラミック基板61の下面に二次元的に配列されている。半田ボール66と接合されている複数の導体パターン65は、セラミック基板61の内部に形成された多層配線(図示せず)を介して、セラミック基板61の上面側に設けられた複数の導体パターン62とそれぞれ接続されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
この図3の構成においては、半導体チップ51は、その活性面を除いて外部空間に露出することになる。そのため、外部からの衝撃によって、特に角部が欠ける、いわゆるチッピングが生じやすいという問題がある。このチッピングは、半導体チップ51の非活性面側の角部において生じても問題はないけれども、活性面側の角部58においてチッピングが生じれば、活性領域の一部が破損し、この半導体チップ51の動作特性が損なわれる。
【0005】
そこで、半導体チップ51とセラミック基板61との間を封止するための樹脂57を多めに配置し、この樹脂57によって半導体チップ51の活性面側の角部58の保護を図ることが考えられる。
ところが、樹脂57による半導体チップ51の角部58の保護は必ずしも確実に行えるとは限らず、樹脂57の量が少なければ、角部58が露出するおそれがある。また、樹脂57の量が十分であったとしても、この樹脂57が半導体チップ51とセラミック基板61との間に一様に配置される保証はないから、半導体チップ51の角部58の一部が露出する場合がある。
【0006】
一方、半導体チップ51とセラミック基板61との間への樹脂57の配置は、セラミック基板61上に半導体チップ51を接合した後に、液状の樹脂をこれらの間の空間に、いわゆる毛細管現象を利用して浸透させ、その後にこの液状の樹脂を硬化させるようにして行われる。しかし、毛細管現象による液状樹脂の浸透には、たとえば約3分程度の長い時間が必要であり、さらには、この液状樹脂を硬化させるための処理にも比較的長い時間を要する。そのため、図3の構造のチップサイズパッケージ型半導体装置の製造には、長い時間がかかるという問題もあった。
【0007】
そこで、この発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、機能素子が形成された活性領域を確実に保護することができる構造の半導体装置を提供することである。
この発明の他の目的は、半導体チップと配線基板との接合を、短時間に、かつ、容易に行うことができる半導体装置を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記の目的を達成するための請求項1記載の発明は、配線基板と、半導体基板を有し、前記配線基板に前記半導体基板の活性面を対向させて接合した半導体チップとを含む半導体装置であって、前記半導体チップは、一方表面を活性面とし、他方表面を非活性面とした前記半導体基板と、この半導体基板の前記活性面において機能素子が形成された活性領域と、前記活性面と、この活性面側の前記半導体基板の角部とを覆って形成され、前記半導体基板よりも低弾性の材料からなる低弾性被覆膜とからなり、前記低弾性被覆膜は、前記半導体基板の角部から連続して当該半導体基板の端面を被覆する端面被覆部を有し、前記半導体基板の端面には、前記活性面からの深さが前記活性領域の深さよりも深い位置において外方に張り出した段部が形成されており、これにより、前記半導体基板の端面が、前記段部よりも前記活性面側の第1端面部と、前記段部よりも前記非活性面側にあって前記第1端面部よりも外方に位置する第2端面部とに分かれており、前記端面被覆部は、少なくとも前記第1端面部を覆っており、前記第2端面部は、前記第1端面部に沿う部分の前記端面被覆部よりも外方に位置しており、前記配線基板と前記半導体チップとが、当該配線基板と当該半導体チップとの間の空間に樹脂を配置することなく接合されていることを特徴とする半導体装置である。
この構成によれば、半導体基板の活性面およびこの活性面側の半導体基板の角部は、半導体基板よりも弾性の低い材料からなる低弾性被覆膜によって覆われている。したがって、外部からの衝撃が加わっても、半導体基板の活性面側の角部に損傷が生じることがないから、機能素子が形成された活性領域を確実に保護することができる。
【0009】
また、この発明では、半導体基板の端面には、活性面からの深さが活性領域の深さよりも深い位置において外方に張り出した段部が形成されており、これによって、前記半導体基板の端面が、前記段部よりも前記活性面側の第1端面部と、前記段部よりも前記非活性面側にあって前記第1端面部よりも外方に位置する第2端面部とに分かれており、前記端面被覆部は、少なくとも前記第1端面部を覆っていて、前記第2端面部は、前記第1端面部に沿う部分の前記端面被覆部よりも外方に位置している。したがって、活性領域を外部からの衝撃から確実に保護することができ、半導体チップの動作特性を良好に保持することができる。
低弾性被覆膜は、たとえば、ポリイミド膜などの、イミド結合もしくはアシド結合またはイミド結合およびアシド結合の両方を含む樹脂などで構成することができる。
【0010】
上記半導体チップの製造方法は、半導体基板の活性面に、機能素子が作り込まれた活性領域を設ける工程と、この活性領域の周囲に溝を形成する工程と、この溝が形成された半導体基板の表面を、この半導体基板よりも低弾性の低弾性被覆膜で被覆する工程と、上記低弾性被覆膜で被覆された半導体基板を、上記溝の中心線にほぼ沿って、この溝の幅よりも小さな幅で切断する工程とを含む。上記活性領域の周囲に形成される溝は、上記活性面からの深さが、上記活性領域の深さよりも深くなるように形成される。切断工程は、溝の幅よりも小さな幅の切断工具を用いて行ってもよい。
【0011】
この方法によれば、活性領域の周囲に比較的幅広の溝が形成され、この溝の中心線に沿って、溝よりも小さな幅で半導体基板を切断することによって、請求項1に記載された半導体チップが作成される。これにより、ウエハ状の大きな半導体基板から、請求項1に記載した特徴を有する複数個の半導体チップを一括して切り出すことができる。これにより、半導体チップの生産性を向上できる。
【0012】
また、この方法では、活性領域の周囲に活性領域の深さよりも深い溝を形成することとしているので、低弾性被覆膜は半導体基板の端面を活性領域の深さよりも深い位置まで被覆することになる。これにより、活性領域の保護を確実に達成できる。
なお、この製造方法により製造された半導体チップは、その端面において、上記の溝と切断工具による切断面との間に段差部を有することになる。切断面においては、半導体基板の端面が露出することになるが、溝の深さが活性領域の深さよりも深く形成されるので、当該切断面に加えられた衝撃によって活性領域が傷つけられるおそれはない。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、この発明の一実施形態に係る半導体装置の構成を示す図解的な断面図である。この半導体装置は、セラミック基板21上に半導体チップ10を接合して構成された、いわゆるチップサイズパッケージ型の装置である。半導体チップ10は、その基体をなす半導体基板11の活性面11aをセラミック基板21(配線基板)に対向させて、このセラミック基板21の表面21aに接合されている。半導体基板11の活性面11aには、活性領域12が設けられている。この活性領域12には、半導体基板11の表層領域に不純物拡散層を形成したり、活性面11aの表面に電極や絶縁膜を形成したりして、トランジスタ、キャパシタまたは抵抗などの機能素子が作りこまれている。そして、これらの機能素子により構成される内部回路に接続された内部配線の一部が、外部接続用のパッド13として、表面保護膜(図示せず)から露出させられている。パッド13の表面には、たとえば金などの耐酸化性金属からなるバンプ14が表面保護膜から隆起して形成されている。
【0014】
半導体基板11の一方表面である活性面11aは、複数のバンプ14を露出させた状態で、たとえばポリイミドからなる低弾性被覆膜15によって被覆されている。この低弾性被覆膜15は、活性面11aの角部17を覆っており、さらに半導体基板11の端面18を覆う端面被覆部15aを有している。端面18には、活性面11aからの深さが、活性領域12の深さよりも深い位置において外方に張り出した段部19が形成されている。端面被覆部15aは、この段部19に至る端面18の部分18a(第1端面部)を被覆している。段部19よりも半導体基板11の他方表面である非活性面11bの側においては、半導体基板11の端面18の部分18b(第2端面部)は、露出しており、上記端面部分18aよりも外方に位置している。この露出している端面部分18bは、当該半導体チップ10をウエハから切り出したときの切断面である。この端面部分18bは、端面部分18aに沿う部分の端面被覆部15aよりも外方に位置している。
【0015】
一方、セラミック基板21の表面21aは、レジスト24で覆われており、このレジスト24の下方には、導体パターン22が形成されている。この導体パターン22は、半導体チップ10のバンプ14に対応する位置で露出しており、この露出部には金めっき部23が隆起して形成されている。この金めっき部23に半導体チップ10のバンプ14を押し付けて接合することにより、半導体チップ10とセラミック基板21とが電気的および機械的に接続されている。
【0016】
セラミック基板21の裏面21bは、レジスト27で覆われている。このレジスト27からは、裏面21bに二次元的に配列された導体パターン25が露出している。この導体パターン25の表面には、外部接続端子としての半田ボール26が配置されている。この半導体装置を実装基板に実装するときには、半田ボール26が実装基板上のランドに接合されることになる。
セラミック基板21の内部には、表面21aの複数の導体パターン22と、裏面21bの複数の導体パターン25とを、予め定めた態様で接続するための多層構造の内部配線(図示せず)が形成されている。これにより、半導体チップ10の活性領域12に形成された内部回路は、バンプ14、金めっき部23、セラミック基板21の内部配線および半田ボール26など介して実装基板に電気接続されることになる。
【0017】
この半導体装置においては、半導体チップ10の基体をなす半導体基板11は、その活性面11a、およびこの活性面11aの角部17が、半導体基板11よりも低弾性の低弾性被覆膜15によって被覆されている。これにより、半導体チップ10に外部からの衝撃が加えられた場合であっても、活性面11aの角部17は、低弾性被覆膜15によって確実に保護される。したがって、いわゆるチッピングが活性面11aの角部17で生じることがない。
【0018】
しかも、低弾性被覆膜15が、半導体基板11の端面18を活性領域12よりも深い位置まで覆う端面被覆部15aを有していることにより、活性領域12に作り込まれた機能素子が損傷を受けるおそれはない。したがって、半導体チップ10は、外部からの衝撃に対して極めて良好な耐久性を有することができ、その電気的特性を良好に保持することができる。
また、図1と上述の図3との比較から理解されるとおり、この半導体装置の一つの特徴は、セラミック基板21と半導体チップ10との間の空間30に樹脂が配置されていないことである。図3の構成における樹脂57は、主として半導体チップ51の活性面を保護するものであるが、図1に示されたこの実施形態の半導体チップ10においては、活性面11aが低弾性被覆膜15により十分に保護されているため、空間30への樹脂の配置が必ずしも必要ではない。したがって、その製造工程においては、セラミック基板21と半導体基板11との間の空間30への樹脂の配置を省略することができるから、製造工程の所要時間を短縮できるとともに、工程自体を簡単にすることができる。
【0019】
図2は、半導体チップ10の製造工程を説明するための断面図である。この製造工程では、個片に切り出された時の半導体チップ10の基体をなす半導体基板11よりもさらに大きな半導体基板であるウエハWの活性面Waに複数の半導体チップ10に対応した活性領域12が複数個設けられる。すなわち、ウエハWの活性面Waに対しては、不純物拡散層処理、配線膜の形成および絶縁膜の形成などが行われ、そのようにして活性領域12に上述のような機能素子が設けられ、所要の機能を発揮する内部回路が形成される。この活性領域12の表面には、上述のようにパッド13およびバンプ14が設けられる。この状態が図2(a)に示されている。
【0020】
この状態から、幅W1のダイシングソー31を用いて、ウエハWの活性面Waに溝35が形成される(図2(b)参照)。この溝35は、活性面Waからの深さが活性領域12の深さよりも深くなるように、かつ、活性領域12から一定の距離をあけた位置に形成される。具体的には、溝35は、複数個の半導体チップ10をウエハWを切り出すときの切断面線であるスクライブラインに沿って形成される。
【0021】
次に、溝35が形成された状態のウエハWの表面に、たとえば液状のポリイミドを塗布して、活性面Waおよび溝35の内面を覆う低弾性被覆膜15が形成される。この状態を、図2(c)に示す。
低弾性被覆膜15が形成された状態において、バンプ14は、この低弾性被覆膜15の表面から突出した状態となっている。この状態で、上述のダイシングソー31よりも小さな幅W2を有する別のダイシングソー32を用いて、溝35のほぼ中心線に沿って、ウエハWが切断される。これにより、図2(d)に示すように、半導体チップ10の個片が得られる。
【0022】
この半導体チップ10を、図1に示すように、セラミック基板21に接合することにより、半導体装置が組み立てられる。
このようにして、比較的大きな幅W1を有するダイシングソー31でウエハWの活性面Waに溝35を形成し、その後に低弾性被覆膜15で活性面Waを被覆し、さらに比較的小さな幅W2を有するダイシングソー32で半導体ウエハWを切断することにより、複数個の半導体チップ10を一括して生産することができる。
【0023】
ウエハWの切断に用いるダイシングソー32の幅W2は、低弾性被覆膜15の形成後の溝35の幅Tよりも小さくする必要がある。この場合に、ダイシングソー32による切断位置の誤差を見込んで、一定のマージンが確保されるように、幅Tよりもダイシングソー32の幅W2を十分に小さくしておくことが好ましい。
以上、この発明の一実施形態ついて説明したが、この発明は他の形態で実施することもできる。たとえば、上述の実施形態では、断面がほぼ矩形の溝35をウエハWの活性面Waに形成することとしたけれども、スクライブラインに沿って、断面がほぼV字形の幅広の溝を形成し、その後に低弾性被覆膜で活性面WaおよびV字形溝の内面を覆うとともに、この断面V字形の溝の谷部付近を当該溝の上端の幅よりも狭い幅のダイシングソーで切断するようにしてもよい。
【0024】
また、上述の実施形態では、低弾性被覆膜としてポリイミド膜を例示したが、半導体基板11よりも弾性が低い材料であれば、外部からの衝撃を緩衝することができるから、ポリイミド膜のほかにも、イミド結合もしくはアシド結合またはイミド結合およびアシド結合の両方を含む樹脂などの絶縁材料を低弾性被覆膜15として用いてもよい。
また、上述の実施形態では、半導体チップ10が活性面11aから隆起したバンプ14を有する場合について説明したけれども、このようなバンプを持たない半導体チップに対してもこの発明を適用することができる。
【0025】
さらに、上述の実施形態では、セラミック基板21の裏面21bにおいて、導体パターン25の表面に半田ボール26を配置した、いわゆるボールグリッドアレイを有する表面実装型の半導体装置を例にとったが、半田ボール26を配置せずに、導体パターン25露出させて、いわゆるランドグリッドアレイ型の半導体装置としてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された技術的事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施形態に係る半導体装置の基本的な構成を示す図解的な断面図である。
【図2】上記半導体装置を構成する半導体チップの製造工程を工程順に示す断面図である。
【図3】従来からのチップサイズパッケージ型半導体装置の構成を示す図解的な断面図である。
【符号の説明】
10 半導体チップ
11 半導体基板
11a 活性面
11b 非活性面
12 活性領域
13 パッド
14 バンプ
15 低弾性被覆膜
15a 端面被覆部
17 角部
18 端面
19 段部
21 セラミック基板
31 ダイシングソー
32 ダイシングソー
35 溝
W ウエハ
Wa 活性面
W1 幅
W2 幅[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
This invention relates to semiconductor equipment having a structure for protecting the active region of the semiconductor substrate.
[0002]
[Prior art]
An IC package miniaturized to the size of a semiconductor chip itself is called a chip size package. A specific configuration example of this chip size package type semiconductor device is shown in FIG.
A
[0003]
A
A plurality of
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
In the configuration of FIG. 3, the
[0005]
Therefore, it is conceivable to arrange a large amount of
However, the
[0006]
On the other hand, the
[0007]
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above technical problem and provide a semiconductor device having a structure capable of reliably protecting an active region in which a functional element is formed.
Another object of the invention, the junction between the semiconductor chip and the wiring substrate, in a short time, and is to provide a semiconductor equipment which can be easily performed.
[0008]
[Means for Solving the Problems and Effects of the Invention]
An invention according to
According to this configuration, the active surface of the semiconductor substrate and the corners of the semiconductor substrate on the active surface side are covered with the low-elasticity coating film made of a material having lower elasticity than the semiconductor substrate. Therefore, even if an external impact is applied, the corner on the active surface side of the semiconductor substrate is not damaged, so that the active region in which the functional element is formed can be reliably protected.
[0009]
Further, in the present invention, the end surface of the semiconductor substrate is formed with a stepped portion protruding outward at a position where the depth from the active surface is deeper than the depth of the active region, whereby the end surface of the semiconductor substrate is formed. Is divided into a first end surface portion on the active surface side with respect to the step portion and a second end surface portion located on the non-active surface side with respect to the step portion and located on the outer side with respect to the first end surface portion. The end face covering portion covers at least the first end face portion, and the second end face portion is located outward from the end face covering portion at a portion along the first end face portion. Therefore, the active region can be surely protected from external impact, and the operating characteristics of the semiconductor chip can be maintained well.
The low-elasticity coating film can be made of, for example, a resin including an imide bond or an acid bond, or both an imide bond and an acid bond, such as a polyimide film.
[0010]
The semiconductor chip manufacturing method includes a step of providing an active region in which a functional element is formed on an active surface of a semiconductor substrate, a step of forming a groove around the active region, and a semiconductor substrate having the groove formed therein. Covering the surface of the groove with a low elastic coating film having a lower elasticity than that of the semiconductor substrate and a semiconductor substrate coated with the low elastic coating film substantially along the center line of the groove. including a step of than the width cut with a small width. Grooves formed on the periphery of the active region has a depth from the active surface, Ru is formed to be deeper than the depth of the active region. The cutting step may be performed using a cutting tool having a width smaller than the width of the groove.
[0011]
According to this method, a relatively wide groove is formed around the active region, and the semiconductor substrate is cut along the center line of the groove with a smaller width than the groove . A semiconductor chip is created. As a result, a plurality of semiconductor chips having the characteristics described in
[0012]
Further, in this method, since a groove deeper than the depth of the active region is formed around the active region, the low elastic coating film covers the end face of the semiconductor substrate to a position deeper than the depth of the active region. become. Thereby, protection of the active region can be reliably achieved.
In addition, the semiconductor chip manufactured by this manufacturing method has a level | step-difference part between said groove | channel and the cut surface by a cutting tool in the end surface. At the cut surface, the end surface of the semiconductor substrate is exposed, but since the depth of the groove is formed deeper than the depth of the active region, there is a possibility that the active region may be damaged by the impact applied to the cut surface. Absent.
[0013]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a schematic sectional view showing a configuration of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. This semiconductor device is a so-called chip size package type device formed by bonding a
[0014]
The active surface 11a, which is one surface of the
[0015]
On the other hand, the
[0016]
The
Inside the
[0017]
In this semiconductor device, a
[0018]
In addition, since the low-
As understood from a comparison between FIG. 1 and FIG. 3 described above, one feature of this semiconductor device is that no resin is disposed in the
[0019]
FIG. 2 is a cross-sectional view for explaining a manufacturing process of the
[0020]
From this state, a
[0021]
Next, for example, liquid polyimide is applied to the surface of the wafer W in a state where the
In a state where the low
[0022]
As shown in FIG. 1, the semiconductor device is assembled by bonding the
In this way, the
[0023]
The width W2 of the dicing saw 32 used for cutting the wafer W needs to be smaller than the width T of the
While one embodiment of the present invention has been described above, the present invention can be implemented in other forms. For example, in the above-described embodiment, the
[0024]
In the above-described embodiment, the polyimide film is exemplified as the low-elasticity coating film. However, any material having lower elasticity than the
In the above-described embodiment, the case where the
[0025]
Furthermore, in the above-described embodiment, the surface mounting type semiconductor device having a so-called ball grid array in which the
In addition, various design changes can be made within the scope of technical matters described in the claims.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an illustrative sectional view showing a basic configuration of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of a semiconductor chip constituting the semiconductor device in order of process.
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a conventional chip size package type semiconductor device.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
Claims (1)
前記半導体チップは、
一方表面を活性面とし、他方表面を非活性面とした前記半導体基板と、
この半導体基板の前記活性面において機能素子が形成された活性領域と、
前記活性面と、この活性面側の前記半導体基板の角部とを覆って形成され、前記半導体基板よりも低弾性の材料からなる低弾性被覆膜とからなり、
前記低弾性被覆膜は、前記半導体基板の角部から連続して当該半導体基板の端面を被覆する端面被覆部を有し、
前記半導体基板の端面には、前記活性面からの深さが前記活性領域の深さよりも深い位置において外方に張り出した段部が形成されており、これにより、前記半導体基板の端面が、前記段部よりも前記活性面側の第1端面部と、前記段部よりも前記非活性面側にあって前記第1端面部よりも外方に位置する第2端面部とに分かれており、
前記端面被覆部は、少なくとも前記第1端面部を覆っており、
前記第2端面部は、前記第1端面部に沿う部分の前記端面被覆部よりも外方に位置しており、
前記配線基板と前記半導体チップとが、当該配線基板と当該半導体チップとの間の空間に樹脂を配置することなく接合されている
ことを特徴とする半導体装置。A semiconductor device comprising: a wiring substrate; and a semiconductor chip having a semiconductor substrate and bonded to the wiring substrate with an active surface of the semiconductor substrate facing each other,
The semiconductor chip is
The semiconductor substrate having one surface as an active surface and the other surface as an inactive surface ;
An active region functional element is formed in the active surface of the semiconductor substrate,
And the active surface, is formed over the corner portion of the semiconductor substrate of the active surface side and a low elastic covering film made of low elasticity material than the semiconductor substrate,
The low elastic covering layer has an end face covering portion continuously from the corner of the semiconductor substrate to cover the end surface of the semiconductor substrate,
Wherein the semiconductor substrate end face of the depth from the active surface has a stepped portion which protrudes Oite outward is formed at a position deeper than the depth of the active region, thereby, the end surface of the semiconductor substrate The first end surface portion on the active surface side with respect to the step portion, and the second end surface portion located on the non-active surface side with respect to the step portion and located on the outer side with respect to the first end surface portion. And
The end surface covering portion covers the first end surface portion even without low,
The second end face portion, and SQLDESC_BASE_TABLE_NAME This located outward from the end surface covering portion of the portion along the first end face portion,
The semiconductor device, wherein the wiring board and the semiconductor chip are joined to each other without arranging resin in a space between the wiring board and the semiconductor chip .
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