JP3815271B2

JP3815271B2 - 光結合器

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Publication number: JP3815271B2
Application number: JP2001235124A
Authority: JP
Inventors: 耕一鈴木; 忠彦花田; 豊賣野
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 2001-08-02
Filing date: 2001-08-02
Publication date: 2006-08-30
Anticipated expiration: 2021-08-02
Also published as: CN1253738C; US7020367B2; CA2443750C; WO2003014788A1; CA2443750A1; JP2003043279A; CN1503920A; HK1065108A1; US20040264863A1

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信に用いられる光ファイバーと光集積回路とを接続する光結合器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年の通信需要の拡大に伴い、大容量かつ長距離伝送に適したＤＷＤＭ（Dense Wavelength Division Multiplex）を用いた光通信システムが、広く使われるようになっている。ＤＷＤＭシステムのキーコンポーネントとして、図１６（平面図）に示すＡＷＧ(Arrayed Waveguide Grating)素子のような、導波路型光機能素子の需要が増している。このような導波路素子の低コスト化や高機能化を図るためには、素子サイズの小型化が重要である。素子サイズの小型化には、導波路のコア（屈折率ｎ₁）とクラッド（屈折率ｎ₂）の屈折率差Δｎを大きくすることが有効である。屈折率差Δｎを大きくすると、導波路への光の閉じ込めを強くできるため、曲がり導波路の最小曲げ半径など各導波路要素を小さくでき、素子サイズを小さくできる。
【０００３】
しかしながら、Δｎ＝（ｎ₁ ²−ｎ₂ ²）÷（ｎ₁ ²＋ｎ₂ ²）を大きくすると、光導波路内の光波のスポット径が縮小し、光ファイバーのスポット径より小さくなり、接続部での光波スポットサイズの不整合から大きな結合損が発生してしまう。例えばＰＬＣ ( Plannar Lightwave Circuit )型の導波路デバイスにおいて、直接突き合わせ接続（バットジョイント）法で接続させたときの接続損は、Δｎ＝１．５％で片端２．０ｄＢ近くにもなり、両端で４．０ｄＢになってしまう。これは、導波路デバイスの一般的な許容損失値を上回る損失である。
【０００４】
この損失を低減するため、半導体レーザと同様に導波路デバイスの光波のスポットサイズを拡大することで、光ファイバーのスポットサイズとの整合性をとるスポットサイズ変換型光結合器の開発が、進められている。これまでは、図１７に示すような２次元的なテーパー導波路構造を用いて導波路先端部分を広げることで先端部分での光波フィールドを拡大し、光ファイバーのスポットサイズまで拡大する手法がとられてきた。また、３次元的にコアの形状を変化させるスポットサイズ変換器も各種製作されているが、この技術ではプロセスが複雑化してしまう問題がある。
【０００５】
図１７に示すテーパー導波路構造は、従来より最も広く使われており、導波路１４０１の幅をラッパ状に広げることによって、２次元的に導波路１４０１のスポットサイズを拡大するものである。このような手法を用いる場合、水平方向のスポットサイズを、波面の曲がりや全体の外観が変化することなどがなく、断熱的に拡大させることができるが、基板に対して垂直方向のスポットサイズは拡大しない。このため、結合ロスのうち半分は（１．６ｄＢの結合ロスを０．８ｄＢに）、改善することができるが、これ以上の改善は望めない。上記手法は、もともとの結合損が小さい場合には効果的な手法であるが、結合損が大きい場合には所望の効果が得られない。
【０００６】
このため、垂直方向のスポットサイズの拡大を図る新たな方法が、複数提案されている。一つは、導波路幅を細くしていくことで導波路による束縛を弱めてスポットサイズを拡大していく手法である。また、３次元的に垂直方向の導波路構造を広げたり窄めたりし、３次元的にスポットサイズの拡大を図る手法がある。
例えば、文献１（特許２９２９４８１号公報）には、導波路先端での規格化伝搬定数Ｖを、光ファイバーと結合率が最適になるように設計した先細り型光結合器について示されている。
【０００７】
文献１の技術では、先端部の規格化伝搬定数ｂ「＝（ｎ_eff ²−ｎ₂ ²）÷（ｎ₁ ²＋ｎ₂ ²）」を、光ファイバーとの結合効率が低損失になるような０．１以下から０．０１以上の導波路構造をパラメーターに設定しておき、通常導波路部分から先端部分へとテーパー導波路で変換するものとしている。
ここで、ｎ_effは導波路の伝搬定数であり、導波路中を伝搬する光の実効的な進行方向への波数を表す。一方、規格化伝搬定数ｂとは、伝搬定数ｎ_effをコアおよびクラッドの屈折率ｎ₁，ｎ₂を用いて規格化した値であり、材料や構造が異なる導波路間で伝搬定数を比較する際に用いられるパラメーターである。
【０００８】
規格化伝搬定数ｂが１に近いということは、導波路の進行方向波数が、導波路のコアの進行方向端数とほぼ同じであることを意味しており、この場合、光エネルギーのほとんどはコアに閉じ込められている。一方、規格化伝搬定数ｂが０に近いということは、光波のスポットがコアより広がってしまい、ほとんどの光エネルギーがクラッド中に存在していると言うことである。規格化伝搬定数ｂは、導波路を導波する光波のうちどれくらいの割合がコアを感じているかを意味するパラメーターでもあり、例えば、「ｂ＝０．０７」は、導波光波のうちの７％が導波路コア中を伝搬しているものととらえることができる。
【０００９】
しかし、文献１に示されているように構成しても、目標の導波路幅まで細めていく間に放射ロスが発生してしまい、安定した光波の変換が行われない。文献１の技術を用いて目標の導波路幅まで細めていく場合に、光波が放射モードに結合してしまい放射ロスが発生する。文献１の技術では、局在的に結合損失が小さくなる場所が存在するが、上記放射ロスのために、低損失な部分のトレランスを確保することができない。
【００１０】
図１８は、３次元ビーム伝播法を用いて解析した、直線テーパー型の先細り光結合器での結合効率の推移である。テーパー導波路を進行方向の途中で切断し、切断した先に光ファイバーを結合させたときの結合損を現している。横軸が進行方向距離で、縦軸が結合損になる。本構造は、ＰＬＣデバイスを想定したものであり、導波路構造は４．０μｍ×４．０μｍで、クラッド屈折率ｎ₂＝１．４５７５６８、Δｎ＝１．３％であり、テーパー長１２００μｍのストレートテーパー構造で、導波路を０．４μｍ×４．０μｍまで縮小している。スポットサイズ変換器を用いずに直線導波路に結合させれば、１．６ｄＢの損失が発生する。
【００１１】
図１８に示すように、このような光結合器の場合、伝搬する光信号が導波路の進行方向に向かうにつれ、結合損が最大０．４ｄＢと改善する（１４００μｍ付近）。しかしながら、伝搬していく光波（光信号）は、放射モードに変換されているので、スポットサイズが拡大しすぎて結合損が大幅に増加する。この条件のときは、結合損が０．５ｄＢ以下の領域は２５０μｍ程度しか存在しない。ここに示したような放射モードは、すでに導波路の束縛から離れてしまい、このまま拡大していくだけであるから、結合効率が良好な領域を１ｍｍ以上とすることは難しい。
【００１２】
以上説明したような問題を改善するために、光導波路に設けるテーパーの変化を多項式などの曲線形状を用いて安定的な光波変換を行う構造とした、スポットサイズ変換器が提案されている。しかしながら、このような構造を用いたとしても、図１８に示すように結合率が最適な導波路構造に到達する前に放射モードが発生してしまい、結合率とトレランスの大幅な低下をもたらす。
【００１３】
また、図１９に示すように、テーパー領域１６０１の結合率が良好化したところに、直線導波路１６０２を結合させても、光ファイバーとの結合トレランスは改善しない。これは、直線導波路に到達する前に光波のほとんどが放射モードに変換されてしまうことが原因である。一度放射モードに結合した光波は、波面が湾曲していくためにただ直線導波路を配置しただけでは結合されないことがわかる。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
以上説明したように、従来の光結合器では、局所的に大きな結合効率の向上を得ることができるが、切断位置のトレランスが厳しくなり、切断位置がずれると深刻な結合損の悪化を招く。前述したように、従来の光結合器のピーク結合効率は０．５ｄＢ弱だが、トレランスは数百μｍ以下であり、チップ切断工程での切断精度によって結合損が確定してしまう。このため、従来の光結合器では、光導波路デバイスの歩留まりが、光結合器の切断位置の精度によって決定されてしまう。
また導波路構造を３次元的にした光結合器は、安定的な結合が得られる可能性はあるが、３次元的な構造を形成するための製造プロセスが、極めて複雑化してしまう問題がある。
【００１５】
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、製造コストを増大させることなく、光ファイバーとの結合損を低減できるようにすることを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明の一形態における光結合器は、所定の開始位置から光信号の放出端にいくほど導波路幅が狭くなるように形成されたテーパー導波路を備え、このテーパー導波路は、テーパー導波路を第１の箇所で切断した場合の第１の箇所と同じ幅の導波路との固有モードにおける第１の結合率と、テーパー導波路を第１の箇所から放出端方向に所定距離離れた第２の箇所で切断した場合の第２の箇所と同じ幅の導波路との固有モードにおける第２の結合率との差が、予め定められた範囲内となるようにされているものである。
この光結合器によれば、テーパー導波路を伝搬する光信号は、放出端にいくほどスポットサイズが広がる。
【００１７】
上記光結合器において、第１の結合率と第２の結合率との差は、放出端の先でこの放出端より放射された光信号が結合される対象との間の所望とする結合損を１より減じた第１の値を、第１の箇所と第２の箇所との距離でテーパー導波路を分割した分割数の逆数で累乗し、この結果得られた第２の値を１から減じた１−（１−結合損） ^{1/ 分割数} で計算される第３の値より小さいものであるようにする。
【００１８】
本発明の他の形態における光結合器は、所定の開始位置から光信号の放出端にいくほど導波路幅が狭くなるように形成されたテーパー導波路を備え、このテーパー導波路の幅の変化は、光信号の進行方向に指数関数形状に変化するものである。
この光結合器によれば、テーパー導波路を伝搬する光信号は、放出端にいくほどスポットサイズが広がる。
【００１９】
上記光結合器において、指数関数は、導波路幅をＷ、テーパー導波路の開始点からの距離をｚ、テーパー導波路の初期導波路幅をＷ_i、放出端の幅をＷ₀、テーパー導波路のスタート時の初期導波路幅減少値から算出される定数をα₁としたとき、Ｗ（ｚ）＝（Ｗ_i−Ｗ₀）ｅｘｐ（−α₁ｚ）＋Ｗ₀で示されるものとする。
【００２０】
上述した光結合器において、導波路は、例えば石英などのシリコン系ガラス材料や、半導体から、もしくは、高分子材料から構成することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。
図１は、本発明の実施の形態における光結合器の概略的な構成を示す平面図、図２は部分平面図、図３は側面図、図４は斜視図である。図１に示すように、本実施の形態の光結合器１０１は、図示しない小型光導波路型機能デバイスと、単一モード光ファイバー１０２との間に配置して用いる。
【００２２】
図２に示しように、本実施の形態の光結合器１０１は、周囲をクラッド１０１ｂで覆われたコア１０１ａの幅を、所定の箇所より徐々に狭くした形状とすることで、スポットサイズの変換を行うようにした。一方、図３に示すように、コア１０１ａの基板に対して垂直な方向の高さは、変化させずに一定のものとした。このため、一般的によく知られているフォトリソグラフィ技術を利用し、図２に示す形状のマスクパターンを用いて所望とする光学材料をエッチング加工することで、本実施の形態の光結合器を形成することができる。
【００２３】
図２に示すように、コア１０１ａの幅を、光出射端２０１に近くなるにつれて細くなるようにしたテーパー導波路を備えるようにしたので、光導波路１０１を伝播する光信号のスポットサイズは、横方向だけではなく３次元的に拡大する。このため、本実施の形態の光導波路１０１によれば、光ファイバーとの結合率が低減できる。しかしながら、ＰＬＣ型光機能デバイスのようにΔｎが３％以下と半導体型光機能素子より小さいデバイスに対応させる場合、コア１０１ａの幅を最適な導波路幅まで細めていく間に、放射モードに結合する光波モードが大きくなる。
【００２４】
放射モードは、導波路１０１の束縛から逃れて周囲に広がっていくため、スポットサイズが見かけ上拡大していくが、最適なスポットサイズになった後も拡大を続ける。このため、放射モードは、更に進行方向に進むとスポットサイズが広がりすぎてしまい、光ファイバーのスポットサイズより大きくなってしまうので、再び結合効率が悪化してしまう。
このような現象が発生するのは、規格化伝搬定数ｂが小さくなると広がった光波モードが導波路コアを感じる割合が小さくなるため、導波路幅が変化すると導波モードに変換される成分よりも放射モードに変換される成分が大きくなることが原因である。
【００２５】
規格化伝搬定数ｂ（ｂ＝（ｎ_eff ²−ｎ₂ ²）÷（ｎ₁ ²＋ｎ₂ ²））は、導波路を伝搬する光モードのうち、どの程度の割合がコアの中に存在するかを表すパラメーターであり、ｂ＝０．１であれば、光波のうち１０％程度が導波路のコアを感じている（コアの中に存在する）ことになる。
【００２６】
ひとたび導波路の束縛を離れ放射モードに結合されてしまった光波モードの光信号は、進行するにしたがって波面が湾曲してしまうため、一度放射モードに結合された光信号は、伝搬する導波路構造を変化させても、再び導波路モードに結合しなおすのは至難である。
ここで、導波路からの放射モードの比率が、ある一定の値にコントロールできるように、ＢＰＭ (Beam Propagation Method)を用いてつぎに示すようなプログラムを製作し、導波路の形状をシミュレーションした。ＢＰＭは、上述したような導波路の進行方向での光パワーの変化を扱う、一般的なシミュレーション手法である。
【００２７】

【００２８】
上述のプログラムでは、導波路断面の固有モードとテーパー導波路で進行してきた変換モードとの結合率を求めているが、この結合率の低下分が放射モードに結合している光波の割合である。導波路幅の変化に対してある一定の結合率しか変化しないような構造を探索すれば、放射モードへの結合を抑制することができる。
【００２９】
言い換えると、つぎに示すこととなる。まず、テーパー導波路の所定の箇所を第１の箇所とし、この第１の箇所からテーパー導波路の光信号が放射する方向に所定距離離れた箇所、すなわち第１の箇所から上述の１ステップ進んだところを第２の箇所とする。このとき、テーパー導波路を第１の箇所で切断した場合の第１の箇所と同じ幅の導波路との固有モードにおける第１の結合率と、テーパー導波路を第２の箇所で切断した場合の第２の箇所と同じ幅の導波路との固有モードにおける第２の結合率との差が、予め定められた範囲内、すなわち上記εより小さい値となるように、上記テーパー導波路が構成されていればよい。
【００３０】
このような手法で設計した光結合器の構造は、つぎのような式で近似することができる。
Ｗ（ｚ）＝（Ｗ_i−Ｗ₀）ｅｘｐ（−α₁ｚ）＋Ｗ₀
この式において、Ｗは導波路幅、ｚはテーパー形状の開始点からの距離である。また、Ｗ_iはテーパー導波路の初期導波路幅である。また、Ｗ₀は、ここでは臨界導波路幅としているものであり、導波路幅がＷ₀より小さくなると放射モードへの結合比率がある一定の値以上に増大してしまうことを示す。また、α₁は、導波路のスタート時の初期導波路幅減少値から算出される定数である。
【００３１】
屈折率差Δが変化しても、臨界導波路幅は規格化周波数Ｖパラメーターが０．４近辺になることが、上述の計算手法によって明らかになっており、各屈折率差ΔでのＷ₀と、このＷ₀でのＶパラメーターを以下の表１に示す
【００３２】
【表１】

【００３３】
この設計手法を用い、以下の式に示すように、先すぼみテーパー導波路を２Ｄ−ＢＰＭで解析した。なお、屈折率差は、Δ１．３％で、スタート時の導波路幅は、２．０μｍである。
【００３４】
Ｗ（ｚ）＝１．５５ｅｘｐ（−０．００６５４ｚ）＋０．４５
【００３５】
このときの２ＤＢＰＭの解析結果を、図５，図６に示す。なお、図５は、光の強度プロファイルの変化を示す説明図であり、図６は、テーパーの進行方向長さと光ファイバーとの結合ロスを示している。図５に示すように、最初に放射があるが、この後、ビーム上に光エネルギーが断熱変換されていることがわかる。また、図６に示すように、光ファイバーとの結合損からも波面湾曲のコントロールができていることもわかる。
【００３６】
このような指数関数型の光結合器内での光波の挙動については、図７のように導波路の進行方向に向けて３段階に分けて考えることが可能であり、便宜上、第１段階を断熱的変換領域、第２段階を放射モード領域、第３段階をモード安定領域とする。
第１段階の断熱的変換領域について説明すると、これは、導波路中の光波のスポットサイズの拡大と放射モードへの変換が進行していく過程であり、導波路幅の減少に伴ってスポットサイズが拡大していく。
【００３７】
つぎに、第２の放射モード領域について説明すると、これは、放射モードの光波が回折放射される過程であるので、最も結合損が改善する領域である。放射モード領域での結合損の改善は、放射モードに結合した光波のスポットサイズが拡大することによって得られる。しかし、ひとたび放射モードに結合してしまった光波のスポットサイズは、導波路の束縛を離れてしまっている。このため、導波路の進行方向に進むにつれスポットサイズは拡大しつづけ、光ファイバーとの整合が大きさを超えて拡大してしまうことから、結合損の増大を示ししまう。
【００３８】
つぎに、第３のモード安定領域について説明すると、ここでは導波路幅がほぼＷ₀になっており、放射モードに結合した光波は放射してしまい、導波モードに結合した光波だけになっている。モード安定領域では、結合損は安定になる。図７に示すように、Ｗ₀の変化に伴いモード安定領域での結合損が変化する。Ｗ₀が小さいとスポットサイズが充分に広がらないため、光ファイバーとの結合損は大きくなり、逆にＷ₀を大きくしすぎると放射モードへの結合が増大してしまうことから再び結合損が大きくなる。これらのことから、Ｗ₀には導波路パラメーターから決定される最適値があることがわかる。
【００３９】
臨界導波路幅Ｗ₀は、規格化伝搬定数ｂから定義することができ、前述したプログラムのステップ結合損差εをどの程度の値にするかで決定する。例えばプログラム上で、ｚ方向に１ステップで０．０１μｍずつ前進するようにし、また、２０００μｍ先の導波路先端（放出端）での結合損失を１％とする。この場合、ステップ結合損差εは、トータルで２０００００ステップ先でのロスが１％になるようなステップ結合損差εと考えて、ε＝１−（１−０．０１）^1/200000で決定すればよく、ε＝５．０２５Ｅ−０８となる。ここで、導出された臨界導波路幅Ｗ₀に対応するＶパラメーターであるところのＶ＝０．４は、規格化周波数ｂパラメーターに変換するとｂ＝０．１程度である。
【００４０】
一般に、ｂパラメーターを減らすことで光ファイバーとの結合率が改善する。従来の導波路を細めるタイプの光結合器においては、導波路先端でのｂパラメーターを０．０１〜０．２の間に設定する。しかし臨界導波路幅のｂパラメーターが０．１程度であるため、屈折率差をより高くしたハイΔ導波路では、放射モード結合が増大してしまい、切断位置のトレランスを確保することができなくなる。従って導波路先端部の導波路幅を臨界導波路幅より小さくならないように調整することで、光ファイバーとの結合損失を低減することができる。
臨界導波路幅Ｗ₀を決定するために必要なｂパラメーターは、導波路先端部まででの放射ロスから上述の手法によりεを求め、上記プログラムを実行することで決定することができる。
【００４１】
このような設計手法を用いてΔ１．３％での光ファイバーとの結合特性を３次元フルベクトルＢＰＭで見積もると、図８に示すようになり、ある程度のテーパー長より先では、安定的な結合が得られていることがわかる。この導波路構造では、導波路の幅を初期値の４．０μｍから１．３μｍへと２５００μｍで指数関数テーパーで細めている。導波路幅が１．５μｍ以下になるところで結合損が最も少なくなり、この後しばらく結合損が変動してから、テーパー長１．０ｍｍ程度のところから、結合損は０．４ｄＢ程度に安定し、この後に伝搬していることがわかる。
【００４２】
図９は、Ｗ₀を臨界導波路幅より細く設定した場合の結合特性である。直線テーパー構造と同様に、放射モードが発生して安定的な結合が得られないことがわかる。従来提案されていた方法では、テーパー先端部分での規格化周波数を結合させるデバイスに対して最適化していたために、先端導波路の規格化伝搬定数ｂが最適な規格化伝搬定数ｂより小さくなる条件であると、放射モードに結合する光波が大きくなり、結果的に結合損が増大して結合の安定性が得られない。
【００４３】
つぎに、以下の式により、光結合器を製造するときに発生する屈折率差Δの変動に対するトレランスを検討する。下に示す条件で屈折率差Δが１．２％，１．４％で解析した。
【００４４】
Ｗ（ｚ）＝２．９ｅｘｐ（−０．００３４４８ｚ）＋１．１
【００４５】
屈折率差Δ１．２％の結果を図１０に示し、屈折率差Δ１．４％の結果を図１１に示す。結合ロスは、どちらも０．５ｄＢ未満であり、トレランス幅０．１ｄＢを維持できている。このことから、本実施の形態における光結合器によって、結合損の製造トレランスが大きく得られることは明らかである。
【００４６】
＜実施の形態２＞
つぎに、本発明の他の形態について説明する。
本発明の他の形態としてＡＰ−ＣＶＤ（常圧化学気相成長法）を用いてΔ１．４％の導波路構造を製作した。導波路構造は４．０μｍ×４．０μｍである。ＳＳＣ構造として「Ｗ（ｚ）＝２．９ｅｘｐ（−０．００３４４８ｚ）＋１．１」を用いている。
このＳＳＣの構造は、図８に結果を示したものと同じである。図８の結果と同様に、切断位置と結合損を示すグラフが図１２である。図１２では、ＴＭモードの状態とＴＥモードの状態とを示している。この測定結果は、片端だけがＳＳＣの構造のものであるが、接続損２．０ｄＢが０．５ｄＢにまで改善していることがわかる。
【００４７】
つぎに、光結合器の製造方法について説明する。
まず、図１３（ａ）に示すように、ＰＳＧ（燐ドーピングシリカガラス）を、ＡＰ−ＣＶＤ（常圧化学気相成長法）によりＳｉ基板１３０１上に堆積し、クラッド層１３０２を形成する。次いで、図１３（ｂ）に示すように、ＢＰＳＧ（ボロン燐ドーピングシリカガラス）を、ＡＰ−ＣＶＤ（常圧化学気相成長法）によりクラッド層１３０２上に堆積し、ガラス層１３０３を形成し、これらを８００℃度雰囲気で６時間アニールする。
【００４８】
つぎに、アニールしたガラス層１３０３上に、上述した実施の形態に示したように所定の形状で徐々に細くなるパターン１３０４を、フォトリソグラフィ技術により形成する（図１３（ｃ））。この後、形成したパターン１３０４をマスクとし、ガラス層１３０３をＣＦ₄ガスを用いたＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）により加工し、図１３（ｄ）に示すように、徐々に細くなるコア１３０３ａを形成する。この後、コア１３０３ａ上のパターン１３０４を、例えば酸素ガスを用いたアッシングにより除去する。
【００４９】
最後に、ＡＰ−ＣＶＤ法によりＢＰＳＧを堆積し、これらを８００℃度雰囲気で６時間アニールし、図１３（ｅ）に示すように、コア１３０３ａを覆う上部クラッド層１３０５を形成する。
以上のことにより、ガラスによる導波路構造の光結合器が完成する。なお、ここでは石英ガラスを例にあげたが、他のガラス材料を用いたガラス導波路構造でも同様に実現できる。また、ここでは埋め込み型導波路について示したが、リッジ構造導波路でも同様に製造できる。
【００５０】
またＳｉ基板の換わりに石英基板など他の基板を用いることも可能である。また、各材料からなる層の形成は、ＣＶＤ法に限るものではなく、ＳｉＣｌ₄とＴｉＣｌ₄との混合ガスの酸化反応による火炎中で生成するガラス微粒子を基板に堆積する火炎堆積法のような別の堆積手法を用いても良い。
【００５１】
つぎに、化合物半導体を材料とした光結合器の製造方法について説明する。
まず、図１４（ａ）に示すように、ＩｎＰ基板１４０１上に、例えば有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）により、ＩｎＰクラッド層１４０２を結晶成長する。次いで、図１４（ｂ）に示すように、導波光に対して透明なコアとなる半導体層１４０３を形成する。半導体層１４０３は、膜厚５０ｎｍのアンドープＩｎＰの層と、膜厚１５０ｎｍの波長組成１．３μｍの無歪ＩｎＧａＡｓＰの層と、膜厚５０ｎｍのアンドープＩｎＰ層から構成する。
【００５２】
次いで、形成した半導体層１４０３を、公知のフォトリソグラフィ技術と誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）によるドライエッチング技術とにより加工し、図１４（ｃ）に示すように、ＩｎＰクラッド層１４０２上にコア層１４０３ａを形成する。ここでは、コア層１４０３ａを、指数関数的に徐々に細くなるテーパー形状に形成した。
【００５３】
この後、選択成長を行い、ドーピング濃度７．０×１０¹⁷（１／ｃｍ³）のｐ−ＩｎＰ層１４０４を厚さ０．６μｍに結晶成長し、更に、ドーピング濃度７．０×１０¹⁷（１／ｃｍ³）のｎ−ＩｎＰクラッド１４０５を、膜厚３μｍ程度に結晶成長する。最後に、ドーピング濃度１．０×１０¹⁹（１／ｃｍ³）のｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層１４０６を膜厚１００ｎｍに形成する。このようにクラッドを厚く形成することで、スポットサイズ変換に伴うスポットサイズの拡大が起こっても光が基板上部に放射されることは無い。
【００５４】
以上の工程により、電気的に絶縁されたＩｎＰ半導体導波路構造の光結合器が形成できる。このような構成では、ＩｎＰ系半導体では屈折率差Δが４％程度であり、この光結合器を２μｍ幅の導波路から指数関数的に導波路幅を０．４μｍ程度まで狭めることでスポットサイズの変換を行うことができる。ここでは、ＩｎＰを例にあげたが、ＧａＡｓなどの他の半導体導波路構造でも同様に実現できる。またここでは埋め込み型導波路について記したが、図１４（ｅ）に示すようなハイメサ構造導波路や、図１４（ｆ）に示すようなリッジ構造導波路でも同様に製造できる。
【００５５】
つぎに、高分子材料を用いた光結合器の製造方法について説明する。
まず、図１５（ａ）に示すように、Ｓｉ基板１５０１上に、重水素化ＰＭＭＡ（ポリメタクリル酸メチル）をスピンコート法により塗布し、これを熱硬化することで、膜厚２０μｍ程度のクラッド層１５０２を形成する。引き続き、クラッド層１５０２上に、やはりスピンコート法により紫外線硬化エポキシ樹脂からなる感光性樹脂膜１５０３を、膜厚８μｍ程度に形成する。
【００５６】
次いで、紫外線を光源とし、前述したようなテーパー状に先細りとなる形状の光像を感光性樹脂膜１５０３に露光し、コアとする領域を紫外線硬化させる。この後、酸素ガスを用いたドライエッチングを行い、図１５（ｂ）に示すように、上述したテーパー状に先細りとなる形状のコア１５０３ａを形成する。なお、ドライエッチングの後に加熱することで、コア１５０３ａの効果を促進させる。最後に、コア１５０３ａを覆うように、重水素化ＰＭＭＡを塗布して熱硬化することで、図１５（ｃ）に示すように、オーバークラッド層１５０４を形成すれば、埋め込み導波路構造が形成される。
【００５７】
この導波路の屈折率差は１．３％程度であり，前述した光結合器として効果的に機能する。なお、高分子材料としてＰＭＭＡ系ポリマーを例にあげたが、フッ化物ポリマーなどの他の高分子材料を用いるようにしても良い。また、埋め込み型導波路に限るものではなく、ハイメサ構造導波路やリッジ構造導波路を構成するようにしても良い。
【００５８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、放射モードへの結合比率が制御され、放射モードに結合する光エネルギーが抑制されるようになるので、断熱変化が可能な状態となり、光ファイバーとの結合損を低減できるようになるというすぐれた効果が得られる。また、導波路の高さは変化させないので、製造コストの増大を招くことなく、上記のことが実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態における光結合器の概略的な構成を示す平面図である。
【図２】本発明の実施の形態における光結合器の概略的な構成を示す部分的な平面図である。
【図３】本発明の実施の形態における光結合器の概略的な構成を示す側面図である。
【図４】本発明の実施の形態における光結合器の概略的な構成を示す斜視図である。
【図５】２ＤＢＰＭの解析結果を示す説明図である。
【図６】実施の形態の光結合器におけるテーパーの進行方向長さと光ファイバーとの結合ロスを示す特性図である。
【図７】指数関数型の光結合器内での光波の挙動を示す特性図である。
【図８】屈折率差Δを１．３％とした光結合器におけるテーパーの進行方向長さと光ファイバーとの結合ロスを示す特性図である。
【図９】光結合器のＷ₀を臨界導波路幅より細く設定した場合の結合特性を示す特性図である。
【図１０】屈折率差Δを１．２％とした光結合器におけるテーパーの進行方向長さと光ファイバーとの結合ロスを示す特性図である。
【図１１】屈折率差Δを１．４％とした光結合器におけるテーパーの進行方向長さと光ファイバーとの結合ロスを示す特性図である。
【図１２】切断位置と結合損を示す特性図である。
【図１３】光結合器の製造過程を示す工程図である。
【図１４】光結合器の製造過程を示す工程図である。
【図１５】光結合器の製造過程を示す工程図である。
【図１６】導波路型光機能素子であるＡＷＧ(Arrayed Waveguide Grating)素子の構成を示す説明図。
【図１７】従来のテーパー型光結合器の一部構成を示す構成図である。
【図１８】３次元ビーム伝播法を用いて解析した直線テーパー型の先細り光結合器での結合効率の推移を示す説明図である。
【図１９】従来のテーパー型光結合器の一部構成を示す構成図である。
【符号の説明】
１０１…光結合器、１０１ａ…コア、１０１ｂ…クラッド、２０１…光出射端。

Claims

所定の開始位置から光信号の放出端にいくほど導波路幅が狭くなるように形成されたテーパー導波路を備え、
このテーパー導波路は、
前記テーパー導波路を第１の箇所で切断した場合の前記第１の箇所と同じ幅の導波路との固有モードにおける第１の結合率と、
前記テーパー導波路を前記第１の箇所から前記放出端方向に所定距離離れた第２の箇所で切断した場合の前記第２の箇所と同じ幅の導波路との固有モードにおける第２の結合率と
の差が、
前記放出端の先でこの放出端より放射された光信号が結合される対象との間の所望とする結合損を１より減じた第１の値を、前記第１の箇所と前記第２の箇所との距離で前記テーパー導波路を分割した分割数の逆数で累乗し、この結果得られた第２の値を１から減じた１−（１−結合損） ^{1/ 分割数} で計算される第３の値より小さいものである
ことを特徴とする光結合器。
所定の開始位置から光信号の放出端にいくほど導波路幅が狭くなるように形成されたテーパー導波路を備え、
このテーパー導波路の幅の変化は、前記光信号の進行方向に指数関数形状に変化するものであり、
前記指数関数は、導波路幅をＷ、前記テーパー導波路の開始点からの距離をｚ、テーパー導波路の初期導波路幅をＷ _i 、前記放出端の幅をＷ ₀ 、前記テーパー導波路のスタート時の初期導波路幅減少値から算出される定数をα ₁ としたとき、Ｗ（ｚ）＝（Ｗ _i −Ｗ ₀ ）ｅｘｐ（−α ₁ ｚ）＋Ｗ ₀ で示されるものである
ことを特徴とする光結合器。
請求項１又は２記載の光結合器において、
前記導波路は、シリコン系ガラス材料から構成されたものであることを特徴とする光結合器。
請求項１又は２記載の光結合器において、
前記導波路は、半導体から構成されたものであることを特徴とする光結合器。
請求項１又は２記載の光結合器において、
前記導波路は、高分子材料から構成されたものであることを特徴とする光結合器。