JP3795786B2 - ろう付けしたダイヤモンド及びダイヤモンドのろう付け方法 - Google Patents
ろう付けしたダイヤモンド及びダイヤモンドのろう付け方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3795786B2 JP3795786B2 JP2001310937A JP2001310937A JP3795786B2 JP 3795786 B2 JP3795786 B2 JP 3795786B2 JP 2001310937 A JP2001310937 A JP 2001310937A JP 2001310937 A JP2001310937 A JP 2001310937A JP 3795786 B2 JP3795786 B2 JP 3795786B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diamond
- brazing material
- vanadium
- brazing
- silver
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000005219 brazing Methods 0.000 title claims description 108
- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims description 95
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims description 93
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 80
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 44
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Ag] Chemical compound [Cu].[Ag] NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims description 12
- -1 vanadium hydride Chemical compound 0.000 claims description 9
- RYZCLUQMCYZBJQ-UHFFFAOYSA-H lead(2+);dicarbonate;dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Pb+2].[Pb+2].[Pb+2].[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O RYZCLUQMCYZBJQ-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims description 8
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 7
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 claims description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- INZDTEICWPZYJM-UHFFFAOYSA-N 1-(chloromethyl)-4-[4-(chloromethyl)phenyl]benzene Chemical compound C1=CC(CCl)=CC=C1C1=CC=C(CCl)C=C1 INZDTEICWPZYJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 13
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 7
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 7
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 7
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000004781 supercooling Methods 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 229910026551 ZrC Inorganic materials 0.000 description 1
- OTCHGXYCWNXDOA-UHFFFAOYSA-N [C].[Zr] Chemical compound [C].[Zr] OTCHGXYCWNXDOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 210000004692 intercellular junction Anatomy 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- NFVUDQKTAWONMJ-UHFFFAOYSA-I pentafluorovanadium Chemical compound [F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[V+5] NFVUDQKTAWONMJ-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23P—METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; COMBINED OPERATIONS; UNIVERSAL MACHINE TOOLS
- B23P5/00—Setting gems or the like on metal parts, e.g. diamonds on tools
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
- B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
- B23K35/30—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 1550 degrees C
- B23K35/3006—Ag as the principal constituent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
- C04B35/5607—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on refractory metal carbides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B37/00—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
- C04B37/02—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles
- C04B37/023—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles characterised by the interlayer used
- C04B37/026—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles characterised by the interlayer used consisting of metals or metal salts
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
- B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
- B23K35/30—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 1550 degrees C
- B23K35/3013—Au as the principal constituent
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
- B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
- B23K35/30—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 1550 degrees C
- B23K35/302—Cu as the principal constituent
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2311/00—Metals, their alloys or their compounds
- B32B2311/30—Iron, e.g. steel
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3239—Vanadium oxides, vanadates or oxide forming salts thereof, e.g. magnesium vanadate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/44—Metal salt constituents or additives chosen for the nature of the anions, e.g. hydrides or acetylacetonate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/12—Metallic interlayers
- C04B2237/122—Metallic interlayers based on refractory metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/12—Metallic interlayers
- C04B2237/125—Metallic interlayers based on noble metals, e.g. silver
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/32—Ceramic
- C04B2237/36—Non-oxidic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/32—Ceramic
- C04B2237/36—Non-oxidic
- C04B2237/363—Carbon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/40—Metallic
- C04B2237/405—Iron metal group, e.g. Co or Ni
- C04B2237/406—Iron, e.g. steel
Description
【発明の属する技術分野】
本発明はダイヤモンドと金属とを接合させるためのろう材に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
ダイヤモンド装飾品、ダイヤモンド工具、セラミックス工具などでは金属で作られた台座、シャンクなどの基板にダイヤモンドやセラミックスを接合して用いられることが多い。この接合には、チタンを含有する銀−銅共晶ろう材が用いられている。チタンを含有する銀−銅共晶ろう材はTiCuSil(ティクシル)と呼ばれるもので、銀−銅の共晶組成をした合金中にチタン箔がフレーク状にちぎれて分散している。ダイヤモンドやセラミックスを基板にろう付けしたものは、接着剤などによって接合したものに比して強度が高い。
【0003】
TiCuSilろう材を用いてダイヤモンドを金属基板に接合したものは、その接合面が黒くなることが知られている。黒くなった接合面がダイヤモンドの上に透けて見えるために、装飾品には好ましいものではなかった。しかしセラミックスをTiCuSilで接合したものでは着色はほとんど無視されていた。
【0004】
ダイヤモンドをTiCuSilで接合する場合、ろう材中のチタンがダイヤモンド中の炭素と反応して炭化チタンを生成し、この炭化チタンがダイヤモンドとろう材との間に存在して、ダイヤモンドをろう材に結合する。炭化チタンを生成する際にダイヤモンド表面に凹凸が生じて光が散乱するので、ダイヤモンド接合面が黒く見えることが判明した。
【0005】
また、TiCuSilろう材は、ダイヤモンド工具を作る際にも広く用いられているが、たまに接合強度の低いものが生じることが知られている。接合強度の低い工具があるとその工具を用いて金属製品を加工する際に、ダイヤモンドがはがれて金属製品とシャンクとの接触が生じ、製品、工具ともに損傷を受けることがあった。ダイヤモンドとシャンクとの間の接合強度の低いものができても、原因の十分な探求が行われずに、ろう付け作業の未熟と言うことで片づけられていた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明の第一の目的とするところは、安定した接合強度が得られるとともに、装飾用ダイヤモンドにも適用することができる、接合界面が鏡のような光沢を持ったろう付けしたダイヤモンドを提供するものである。
【0007】
また、本発明の他の目的とするところは、装飾用ダイヤモンドの接合にも適したダイヤモンドのろう付け方法を提供するものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明者等はろう付け時の接合界面の理論的解析をもとに、ダイヤモンドの接合に適したろう材及び好ましい接合界面を研究し、本発明に至ったものである。
【0009】
本発明は、金属基板上にろう材でろう付けをしたダイヤモンドであって、そのろう材は銀−銅共晶組成からなる主成分と0.01〜0.5質量%のバナジウムとからなり、ダイヤモンドとろう材との接合界面が銀白色を呈していることを特徴とするものである。
【0010】
本発明のろう付けしたダイヤモンドに用いているろう材が含有するバナジウム量が0.01質量%以上で0.5質量%以下のときがダイヤモンドを金属基板上に接合する上で最も好ましい。バナジウム量が0.5質量%を超えると接合面に溶け残ったバナジウムが小さな粒子として観察されることがある。しかし2.0質量%以下であれば肉眼で観察する限りでは黒化度はひどくない。バナジウム量が2.0質量%を超えてもダイヤモンドの接合はできるが、そのように多く含有させる必要はない。2質量%を超えてバナジウムを含ませた場合、過剰のバナジウムが排出されて接合面に付けたろう材が汚くなってくる。ろう材中でバナジウムが偏析することを考慮して、美観を重視しないときには、5質量%までのバナジウムを含有させることができる。
【0011】
本発明によるダイヤモンドのろう付け方法は、銀−銅共晶組成からなる主成分と0.01〜0.5質量%のバナジウムとからなるろう材を接合すべき金属基板上に載せ、そのろう材上にダイヤモンドを載せて、ろう材を加熱溶融させた後、ダイヤモンド側から冷却してろう材を凝固させて、ダイヤモンドとろう材との接合界面を銀白色に呈させることを特徴とする。
【0012】
本発明によるダイヤモンドのろう付け方法において、銀−銅共晶合金からなるろう材板の間に、ろう材全体に対するバナジウム含有量が0.01〜0.5質量%となる量の水素化バナジウム粉末を挟んでろう材としたものを用いることができる。
本発明で、ろう付けするときのろう材の加熱温度は、ろう材の融点よりも10K以上高い温度とすることが好ましい。
【0013】
本発明に従って、ダイヤモンドをろう付けした際にダイヤモンドとろう材との接合界面に、炭化バナジウムが微細な島状に形成されている。島状の炭化バナジウムがダイヤモンドと強固に結合し、ダイヤモンドをろう材に結合させている。しかも、ダイヤモンド表面を侵食していないので、表面に大きな凹凸を生じないので、美観のよい界面を得ることができる。
【0014】
【発明の実施の形態】
本発明に従ってダイヤモンドを金属基板上にろう付けしたものの側面図を図1に示している。この図で1は金属基板、2は接合されているダイヤモンド、3はろう材である。ろう材3は銀−銅共晶ろう材にバナジウムを0.01〜0.5質量%含んでいる。ろう材を用いてダイヤモンドを金属基板上にろう付けすると、ろう材とダイヤモンドとの接合部にダイヤモンド中の炭素とろう材中のバナジウムとが反応して反応生成物、例えば炭化バナジウム(VC)が生成される。炭化バナジウムはダイヤモンドの例えば(111)面の結晶格子とのミスフィットが極めて小さいものであることが判明した。結晶格子ミスフィットが小さいとその間での結合が強くなるものである。
【0015】
結晶格子ミスフィットは、薄膜の成長形成を記述する際に用いられるもので、次の数1で表される。
【0016】
【数1】
【0017】
ここでσffは基盤であるダイヤモンドの原子間距離、σssは接合している膜の原子間距離である。炭化バナジウムの場合の結晶格子ミスフィットηを炭化チタン、炭化ジルコニウムの値と比較したものを表1に示す。
【0018】
【表1】
【0019】
表1から明らかなように炭化バナジウムの結晶格子ミスフィットがこれらの中で最も小さく、ダイヤモンドとの接合強度を上げることが期待できるものであった。
【0020】
接合部分の構造を仔細に観察すると、ろう材3とダイヤモンド2との境界に図2のモデルで示すように炭化バナジウム35が島状に形成されていることが好ましいことが判明した。炭化バナジウムの島35は直径がほぼ100nmで厚さがほぼ10nmである。炭化バナジウムの島の上に銀−銅ろう材中の銀が析出し、炭化バナジウムの島の間のダイヤモンド上に銅が結合した構造をしている。その接合部の断面は図3に示すモデルのような構造であると考えられる。
【0021】
炭化バナジウムがダイヤモンド接合界面に島状に形成されていることによって、ダイヤモンドが強固にろう材に接合されるとともに、ダイヤモンド表面が炭化バナジウムによって侵食されないで美観のよい界面が保たれる。
【0022】
このモデルは、金属溶液の添加元素に対する融点降下の影響を論ずるために導入された平面不整合度を用いて理解することができる。平面不整合度を結晶構造の異なる物質に対しても適用できるように三方向における原子間隔のずれを平均化することにより求められ、数2で示される。
【0023】
【数2】
【0024】
ここでd[uvw]cは異質核(添加金属)の低指数面における最密原子間距離、d[uvw]sは固体結晶(ベース金属)の低指数面における最密原子間距離、θは両物質間の最密方位間のなす角度である。液体金属の優先凝固を考える場合、数2において、d[uvw]sにろう付け面での化合物(炭化バナジウム)の安定サイトの原子間距離をとる。これは接合表面を基準とするためである。またd[uvw]cに対しては凝固する金属の低指数面での最密原子間距離をとる。表2にそれぞれの物質間の界面不整合度を示す。炭化バナジウムと銀の組み合わせでは界面不整合度の値が0.01298となり、銅とダイヤモンドの間の値が0.01327といずれも小さいので、炭化バナジウム反応核に銀の優先凝固が期待でき、ダイヤモンド上には銅の凝固が期待できる。これにより、炭化バナジウム上には密着性のよい銀鏡のような接合界面が形成できることが説明できる。一方、炭化バナジウムと銅との間の不整合度は0.13100と大きいので、銅は炭化バナジウムの上には付着しないと考えられる。
【0025】
【表2】
【0026】
バナジウムの添加量は0.01〜0.5質量%であって、理論量は0.01質量%である。バナジウムの添加量0.01〜5質量%の範囲ではダイヤモンドを金属材の上に接合できる。しかしバナジウムの添加量が0.5質量%を超えると未反応のバナジウムが小さな粒子として接合面に出てくることがある。また炭化バナジウムの反応生成物がダイヤモンドとろう材との接合界面に多量に形成されて、次第にダイヤモンドの接合面が粗くなってくる。バナジウムの添加量2.0質量%までは接合面による光の散乱が少ないが、それを超えると接合面が黒くなってくる。バナジウムが2質量%を超えると、接合面による光の散乱が多くなってその面が黒く見えてくる。そこで装飾用ダイヤモンドの接合界面が銀白色を呈するにはろう材へのバナジウムの添加量は0.01〜0.5質量%である。工具などのように美的な観点を必要としない場合には5質量%までのバナジウムを含むことができる。
【0027】
ダイヤモンドの接合面に形成された炭化バナジウムは島状になっていることを上に述べたが、接合面にある炭化バナジウムの島の面積は接合面比率で23%以下であることが好ましい。23%を超えると接合面が粗くなってくる。
【0028】
ろう材へのバナジウムの添加量は以下のことから推定することができる。まず銀−銅共晶ろう材で過冷却が生じることは次のことからいえる。すなわち平衡系で組成的過冷却が起こる条件は次の数3で表される。
【0029】
【数3】
【0030】
ここでCo:溶質濃度(銀−銅共晶系で銅濃度は約39.9at%)、DL:液相中の拡散係数で5×10-9m2/s、ke:平衡分配係数で0.356とすると、GL/V≦6.562×1010である。この値は通常の真空ろう付け条件で満足される値である。
【0031】
炭化バナジウムの島上に形成される銀半球の半径(臨界核半径:r*)を固液界面の摂動による界面乱れ波長λと結びつける。臨界核半径r*は
【0032】
【数4】
【0033】
から
【0034】
【数5】
【0035】
で与えられる。ここで、Ghomoは均質核のギブス自由エネルギー、rは凝固核半径、σLSは界面自由エネルギー、Tmは融点、ρは固体の密度、ΔHは凝固潜熱、ΔTは過冷度である。過冷度はろう付け装置での銀に対する測定値から2Kとした。図3の接合界面における摂動モデルから銀の優先凝固によりr*Agまで異質核成長が起きたとする。r*AgはΔH/Tm=11.3/1235 kJ/mol・K、σLS=101×10-3J/m2から113.4nmと見当を付けることができる。セル接合界面が生じる条件は
【0036】
【数6】
【0037】
となる。
【0038】
半径r*Agの大きさの島状反応生成物35が図2,図3のように形成されたとすると、一辺λの平行四辺形中に一個の島があることから、接合面にしめる反応生成物の割合が求まり、接合面の23%以下が反応生成物で覆われた状態が良い接合界面と言うことができる。一つの島状反応生成物を円筒と仮定し、厚さを実測から求めた10nmを用いると、添加バナジウム量が決定できる。銀−銅共晶ろう材の大きさを6mm×6mm×厚さ0.1mmとすると、これに添加する理論的バナジウム量は0.4μgであり、0.01質量%に相当する。
【0039】
【実施例】
本発明のろう材を用いてダイヤモンドを金属基板上にろう付けする方法を一例として図4と図5とに示している。この例では金属基板1として、42インバー合金基板(長さ55mm×厚さ0.2mm)上に人造ダイヤモンド2(厚さ0.6mm)を接合する例である。人造ダイヤモンドの接合面を(111)とした。図4にあるように銀−銅共晶合金の大きさ6mm×6mm×厚さ0.05mmのろう材板31を2枚用い、その1枚を42インバー合金基板上に載せてその上に水素化バナジウム粉末(VHx)32(0.075mm篩目を通る粒度)の必要量を付けて、更にその上にろう材板31を載せて、その上に接合すべきダイヤモンド2を載せた。
【0040】
ろう付け装置はその概略正面図を図5に示すように、スプリング51で支えられている試料ホルダー5に試料(金属基板1)の両端をねじで固定できるようになっている。試料ホルダー5の両端部にある端子52間に電圧をかけると42インバー合金基板を流れる電流によって、合金基板が発熱する。接合すべきダイヤモンド3に上部から荷重53を加えるとともに、ダイヤモンド上面を冷却するようにこの荷重53は銅チラーとなっている。ろう付け時に銅チラーとろう材板の温度を測定するために、銅チラー及びろう材板には熱電対54,55が付けられている。
【0041】
42インバー合金基板に通電して、ろう材を約1065Kに加熱しろう付けをした。この温度は水素化バナジウムが分解をしてろう材と合金を作り、バナジウムが接合すべきダイヤモンド表面の炭素と反応して反応生成物(炭化バナジウム)を生成するように、ろう材の融点(銀−39.9at%銅の共晶合金の融点は約1052K)よりも10K以上高い温度とした。なお、ろう付け時の真空度を1×10-2Paとした。ろう付け時に銅チラーを用いてダイヤモンド側から冷却して一方向凝固をさせることによって、図2,図3に示すようにダイヤモンド接合面に炭化バナジウムの島35が形成される。その上にまず銀が凝固する。一方銅は直接にダイヤモンド上に析出するものと考えられる。それらの上に、ろう材合金が析出してダイヤモンドを接合する。一方向凝固をさせることで、炭化バナジウムの島35が形成されやすくなる。
【0042】
ここで水素化バナジウムを用いたのは、金属バナジウムは活性なので大気中で取り扱うと急激に酸素と反応して酸化物になるのに対して、水素化バナジウムは安定であり加熱によって容易に水素を放出して、バナジウムがろう材と合金化するためである。
【0043】
バナジウムを粉末の水素化バナジウムとして用いて、予めクラッドにしておいたり、金属バナジウムをろう材中に合金化しておいたものを用いることもできる。
【0044】
【実験1】
上記の実施例と同様にして人造ダイヤモンドを42インバー合金基板上に接合した。ここでは本発明の銀−銅共晶合金ろう材を用いたが、添加した水素化バナジウムの量を変えて、バナジウム量をろう材に対してそれぞれ0.01,0.2,0.5,1.0,2.0質量%含有するようにした。このようにして人造ダイヤモンドを接合した試料の接合部分の評価を、肉眼観察によって接合部分の色を見るとともに、接合界面を削り出して非接触アトミックフォース顕微鏡(NCAFM)で観察して行った。この結果を表3に示す。表3から明らかなように、バナジウム含有量が0.5質量%までは接合部分が銀白色を呈していた。1.0質量%のものでも小さな粒子が観察されたが銀色であった。2.0質量%のものは接合部分が黒くなっていた。またNCAFMの観察結果ではバナジウム含有量1.0質量%以下の試料では島が明瞭に見えた。
【0045】
【表3】
【0046】
この観察結果から、0.5質量%以下のバナジウム含有量が最も好ましいことが判る。バナジウム含有量が2.0質量%を超えても、接合は可能であるが、接合面が黒くなるので、装飾の用途にはあまり適さない。バナジウムを水素化バナジウムとして添加した場合は、バナジウムがろう材中に均一に分布しやすい。
【0047】
【実験2】
接合不良の発生状況を調べるために、まず従来のTiCuSilろう材を用いて人造ダイヤモンド20個を42インバー合金基板上に接合した。ダイヤモンドの結晶面(100)、(110)、(111)それぞれをろう付けした場合の接合不良の発生率を表4に示す。ダイヤモンドの(110)面を接合した場合に不良率が高く、(111)面でもかなりの不良率であった。
【0048】
本発明のろう材(銀−銅共晶合金に0.3質量%バナジウム含有)を用いて、ダイヤモンドの(111)面を接合したところ、表4に示すように接合不良は0%であった。
【0049】
【表4】
【0050】
【発明の効果】
以上詳しく説明したように、本発明では銀−銅共晶組成からなる主成分と0.01〜0.5質量%のバナジウムとからなるろう材を用いているのでダイヤモンドを強固に安定して金属基板上にろう付けすることができる。バナジウムの添加量を0.01〜5質量%とすることができるが、バナジウム量を0.01質量%〜2.0質量%含むろう材では、ダイヤモンドの接合界面に炭化バナジウムが島状に形成されるので、更に安定したろう付けとなる。バナジウムが0.5質量%以下の場合、ダイヤモンドの接合界面が侵食されないので美観のよい銀白色の界面を保つことができる。
【0051】
また、本発明のろう付け方法でろう付け時にダイヤモンド側からろう材を冷却して凝固させるので、ダイヤモンド接合界面に炭化バナジウムの島が形成されやすく、安定したろう付けが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるろう材を用いてダイヤモンドを金属基板にろう付けしたものの側面図である。
【図2】本発明に従ってろう付けしたダイヤモンド接合界面のモデルを平面図で示す。
【図3】本発明に従ってろう付けしたダイヤモンド接合界面のモデルを断面図で示す。
【図4】本発明に従ってダイヤモンドをろう付けする方法の一例を示す展開斜視図である。
【図5】本発明に用いるろう付け装置の概略正面図である。
【符号の説明】
1 金属基板
2 ダイヤモンド
3 ろう材
31 ろう材板
32 水素化バナジウム粉末
35 炭化バナジウム(島)
5 試料ホルダー
51 スプリング
52 端子
53 荷重
54,55 熱電対
Claims (4)
- 金属基板上にろう材でろう付けをしたダイヤモンドであって、
そのろう材は銀−銅共晶組成からなる主成分と0.01〜0.5質量%のバナジウムとからなり、ダイヤモンドとろう材との接合界面が銀白色を呈していることを特徴とするろう付けしたダイヤモンド。 - 銀−銅共晶組成からなる主成分と0.01〜0.5質量%のバナジウムとからなるろう材を接合すべき金属基板上に載せ、そのろう材上にダイヤモンドを載せて、
ろう材を加熱溶融させた後、ダイヤモンド側から冷却してろう材を凝固させて、ダイヤモンドとろう材との接合界面を銀白色に呈させることを特徴とするダイヤモンドのろう付け方法。 - 銀−銅共晶合金からなるろう材板の間に、ろう材全体に対するバナジウム含有量が0.01〜0.5質量%となる量の水素化バナジウム粉末を挟んでろう材として、そのろう材を接続すべき金属基板上に載せ、そのろう材上にダイヤモンドを載せて、
ろう材を加熱溶融させた後、ダイヤモンドの側から冷却してろう材を凝固させて、ダイヤモンドとろう材との接合界面を銀白色に呈させることを特徴とするダイヤモンドのろう付け方法。 - ろう材を加熱溶融させるときの加熱温度がろう材の融点よりも10K以上高い請求項2あるいは3記載のダイヤモンドのろう付け方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001310937A JP3795786B2 (ja) | 2001-10-09 | 2001-10-09 | ろう付けしたダイヤモンド及びダイヤモンドのろう付け方法 |
US10/262,741 US6889890B2 (en) | 2001-10-09 | 2002-10-02 | Brazing-filler material and method for brazing diamond |
DE60225395T DE60225395T2 (de) | 2001-10-09 | 2002-10-08 | Hartlötwerkstoff und Verfahren zum Hartlöten von Diamanten |
EP02256964A EP1302273B1 (en) | 2001-10-09 | 2002-10-08 | Brazing-filler material and method for brazing diamond |
CN02154548.0A CN1254346C (zh) | 2001-10-09 | 2002-10-09 | 钎焊的钻石和钎焊钻石的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001310937A JP3795786B2 (ja) | 2001-10-09 | 2001-10-09 | ろう付けしたダイヤモンド及びダイヤモンドのろう付け方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003117682A JP2003117682A (ja) | 2003-04-23 |
JP3795786B2 true JP3795786B2 (ja) | 2006-07-12 |
Family
ID=19129846
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001310937A Expired - Fee Related JP3795786B2 (ja) | 2001-10-09 | 2001-10-09 | ろう付けしたダイヤモンド及びダイヤモンドのろう付け方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6889890B2 (ja) |
EP (1) | EP1302273B1 (ja) |
JP (1) | JP3795786B2 (ja) |
CN (1) | CN1254346C (ja) |
DE (1) | DE60225395T2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101875717B1 (ko) * | 2016-07-26 | 2018-07-09 | 에스티이엠 주식회사 | 다이아몬드 톱날의 용접방법 및 그 장치 |
Families Citing this family (87)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005025797A1 (en) * | 2003-09-15 | 2005-03-24 | Accutech Co., Ltd. | Hydrogen gas brazing method for manufacturing a diamond tool and arch-shaped hydrogen gas brazing apparatus for performing the same |
US7740414B2 (en) | 2005-03-01 | 2010-06-22 | Hall David R | Milling apparatus for a paved surface |
US7665552B2 (en) * | 2006-10-26 | 2010-02-23 | Hall David R | Superhard insert with an interface |
US8109349B2 (en) | 2006-10-26 | 2012-02-07 | Schlumberger Technology Corporation | Thick pointed superhard material |
CN1318185C (zh) * | 2005-06-16 | 2007-05-30 | 西安交通大学 | 金属基超薄金刚石切割片真空钎焊制造方法 |
US20070157670A1 (en) * | 2005-12-30 | 2007-07-12 | Chien-Min Sung | Superhard mold face for forming ele |
US7469972B2 (en) * | 2006-06-16 | 2008-12-30 | Hall David R | Wear resistant tool |
US7568770B2 (en) | 2006-06-16 | 2009-08-04 | Hall David R | Superhard composite material bonded to a steel body |
US7950746B2 (en) * | 2006-06-16 | 2011-05-31 | Schlumberger Technology Corporation | Attack tool for degrading materials |
US7980582B2 (en) * | 2006-08-09 | 2011-07-19 | Atc Leasing Company Llc | Front tow extended saddle |
US9051795B2 (en) | 2006-08-11 | 2015-06-09 | Schlumberger Technology Corporation | Downhole drill bit |
US7635168B2 (en) * | 2006-08-11 | 2009-12-22 | Hall David R | Degradation assembly shield |
US7637574B2 (en) | 2006-08-11 | 2009-12-29 | Hall David R | Pick assembly |
US7413256B2 (en) * | 2006-08-11 | 2008-08-19 | Hall David R | Washer for a degradation assembly |
US7669674B2 (en) * | 2006-08-11 | 2010-03-02 | Hall David R | Degradation assembly |
US8136887B2 (en) | 2006-08-11 | 2012-03-20 | Schlumberger Technology Corporation | Non-rotating pick with a pressed in carbide segment |
US9145742B2 (en) | 2006-08-11 | 2015-09-29 | Schlumberger Technology Corporation | Pointed working ends on a drill bit |
US7722127B2 (en) | 2006-08-11 | 2010-05-25 | Schlumberger Technology Corporation | Pick shank in axial tension |
US8449040B2 (en) | 2006-08-11 | 2013-05-28 | David R. Hall | Shank for an attack tool |
US8033616B2 (en) * | 2006-08-11 | 2011-10-11 | Schlumberger Technology Corporation | Braze thickness control |
US8622155B2 (en) | 2006-08-11 | 2014-01-07 | Schlumberger Technology Corporation | Pointed diamond working ends on a shear bit |
US8007051B2 (en) | 2006-08-11 | 2011-08-30 | Schlumberger Technology Corporation | Shank assembly |
US7464993B2 (en) * | 2006-08-11 | 2008-12-16 | Hall David R | Attack tool |
US8215420B2 (en) | 2006-08-11 | 2012-07-10 | Schlumberger Technology Corporation | Thermally stable pointed diamond with increased impact resistance |
US7445294B2 (en) * | 2006-08-11 | 2008-11-04 | Hall David R | Attack tool |
US7475948B2 (en) | 2006-08-11 | 2009-01-13 | Hall David R | Pick with a bearing |
US7396086B1 (en) | 2007-03-15 | 2008-07-08 | Hall David R | Press-fit pick |
US7946657B2 (en) * | 2006-08-11 | 2011-05-24 | Schlumberger Technology Corporation | Retention for an insert |
US8453497B2 (en) * | 2006-08-11 | 2013-06-04 | Schlumberger Technology Corporation | Test fixture that positions a cutting element at a positive rake angle |
US7320505B1 (en) * | 2006-08-11 | 2008-01-22 | Hall David R | Attack tool |
US7387345B2 (en) * | 2006-08-11 | 2008-06-17 | Hall David R | Lubricating drum |
US8414085B2 (en) | 2006-08-11 | 2013-04-09 | Schlumberger Technology Corporation | Shank assembly with a tensioned element |
US7648210B2 (en) | 2006-08-11 | 2010-01-19 | Hall David R | Pick with an interlocked bolster |
US7963617B2 (en) | 2006-08-11 | 2011-06-21 | Schlumberger Technology Corporation | Degradation assembly |
US8567532B2 (en) | 2006-08-11 | 2013-10-29 | Schlumberger Technology Corporation | Cutting element attached to downhole fixed bladed bit at a positive rake angle |
US8714285B2 (en) | 2006-08-11 | 2014-05-06 | Schlumberger Technology Corporation | Method for drilling with a fixed bladed bit |
US7384105B2 (en) * | 2006-08-11 | 2008-06-10 | Hall David R | Attack tool |
US7600823B2 (en) * | 2006-08-11 | 2009-10-13 | Hall David R | Pick assembly |
US8292372B2 (en) | 2007-12-21 | 2012-10-23 | Hall David R | Retention for holder shank |
US7413258B2 (en) * | 2006-08-11 | 2008-08-19 | Hall David R | Hollow pick shank |
US8201892B2 (en) * | 2006-08-11 | 2012-06-19 | Hall David R | Holder assembly |
US7997661B2 (en) * | 2006-08-11 | 2011-08-16 | Schlumberger Technology Corporation | Tapered bore in a pick |
US7410221B2 (en) * | 2006-08-11 | 2008-08-12 | Hall David R | Retainer sleeve in a degradation assembly |
US8500210B2 (en) * | 2006-08-11 | 2013-08-06 | Schlumberger Technology Corporation | Resilient pick shank |
US7992944B2 (en) * | 2006-08-11 | 2011-08-09 | Schlumberger Technology Corporation | Manually rotatable tool |
US8485609B2 (en) * | 2006-08-11 | 2013-07-16 | Schlumberger Technology Corporation | Impact tool |
US7871133B2 (en) | 2006-08-11 | 2011-01-18 | Schlumberger Technology Corporation | Locking fixture |
US7338135B1 (en) * | 2006-08-11 | 2008-03-04 | Hall David R | Holder for a degradation assembly |
US8590644B2 (en) | 2006-08-11 | 2013-11-26 | Schlumberger Technology Corporation | Downhole drill bit |
US8500209B2 (en) | 2006-08-11 | 2013-08-06 | Schlumberger Technology Corporation | Manually rotatable tool |
US7419224B2 (en) * | 2006-08-11 | 2008-09-02 | Hall David R | Sleeve in a degradation assembly |
US8123302B2 (en) * | 2006-08-11 | 2012-02-28 | Schlumberger Technology Corporation | Impact tool |
US7669938B2 (en) | 2006-08-11 | 2010-03-02 | Hall David R | Carbide stem press fit into a steel body of a pick |
US7390066B2 (en) * | 2006-08-11 | 2008-06-24 | Hall David R | Method for providing a degradation drum |
CN101511542B (zh) * | 2006-08-30 | 2011-05-25 | 3M创新有限公司 | 延长寿命的磨料制品及方法 |
US8960337B2 (en) | 2006-10-26 | 2015-02-24 | Schlumberger Technology Corporation | High impact resistant tool with an apex width between a first and second transitions |
US9068410B2 (en) | 2006-10-26 | 2015-06-30 | Schlumberger Technology Corporation | Dense diamond body |
US7347292B1 (en) | 2006-10-26 | 2008-03-25 | Hall David R | Braze material for an attack tool |
US8485756B2 (en) * | 2006-12-01 | 2013-07-16 | David R. Hall | Heated liquid nozzles incorporated into a moldboard |
US8403595B2 (en) * | 2006-12-01 | 2013-03-26 | David R. Hall | Plurality of liquid jet nozzles and a blower mechanism that are directed into a milling chamber |
US7976238B2 (en) * | 2006-12-01 | 2011-07-12 | Hall David R | End of a moldboard positioned proximate a milling drum |
US9051794B2 (en) * | 2007-04-12 | 2015-06-09 | Schlumberger Technology Corporation | High impact shearing element |
US7594703B2 (en) * | 2007-05-14 | 2009-09-29 | Hall David R | Pick with a reentrant |
US7926883B2 (en) * | 2007-05-15 | 2011-04-19 | Schlumberger Technology Corporation | Spring loaded pick |
US8038223B2 (en) * | 2007-09-07 | 2011-10-18 | Schlumberger Technology Corporation | Pick with carbide cap |
CN101873917A (zh) * | 2007-09-21 | 2010-10-27 | 马斯特模具(2007)有限公司 | 具有带金刚石顶部的喷嘴尖端的注射模制喷嘴 |
US7832808B2 (en) | 2007-10-30 | 2010-11-16 | Hall David R | Tool holder sleeve |
US20110254349A1 (en) | 2007-12-21 | 2011-10-20 | Hall David R | Resilent Connection between a Pick Shank and Block |
CN101952098A (zh) * | 2007-12-21 | 2011-01-19 | 马斯特模具(2007)有限公司 | 制造热浇道部件的方法和热浇道部件 |
US8540037B2 (en) | 2008-04-30 | 2013-09-24 | Schlumberger Technology Corporation | Layered polycrystalline diamond |
US7628233B1 (en) | 2008-07-23 | 2009-12-08 | Hall David R | Carbide bolster |
US8061457B2 (en) | 2009-02-17 | 2011-11-22 | Schlumberger Technology Corporation | Chamfered pointed enhanced diamond insert |
US8322796B2 (en) * | 2009-04-16 | 2012-12-04 | Schlumberger Technology Corporation | Seal with contact element for pick shield |
US8701799B2 (en) * | 2009-04-29 | 2014-04-22 | Schlumberger Technology Corporation | Drill bit cutter pocket restitution |
US20100326740A1 (en) * | 2009-06-26 | 2010-12-30 | Hall David R | Bonded Assembly Having Low Residual Stress |
US8262168B2 (en) | 2010-09-22 | 2012-09-11 | Hall David R | Multiple milling drums secured to the underside of a single milling machine |
US8261471B2 (en) | 2010-06-30 | 2012-09-11 | Hall David R | Continuously adjusting resultant force in an excavating assembly |
US8449039B2 (en) | 2010-08-16 | 2013-05-28 | David R. Hall | Pick assembly with integrated piston |
US8728382B2 (en) | 2011-03-29 | 2014-05-20 | David R. Hall | Forming a polycrystalline ceramic in multiple sintering phases |
US8668275B2 (en) | 2011-07-06 | 2014-03-11 | David R. Hall | Pick assembly with a contiguous spinal region |
US9194189B2 (en) | 2011-09-19 | 2015-11-24 | Baker Hughes Incorporated | Methods of forming a cutting element for an earth-boring tool, a related cutting element, and an earth-boring tool including such a cutting element |
EP2884865B1 (en) | 2012-08-20 | 2017-12-27 | Forever Mount, LLC | A brazed joint for attachment of gemstones |
RU2552810C1 (ru) * | 2013-12-30 | 2015-06-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физико-технических проблем Севера им. В.П. Ларионова Сибирского отделения Российской академии наук | Сплав для соединения монокристалла алмаза с металлами |
CN104128783B (zh) * | 2014-07-17 | 2016-08-24 | 哈尔滨工业大学 | 一种单刃金刚石微铣刀的制造方法 |
RU2611254C1 (ru) * | 2015-09-30 | 2017-02-21 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физико-технических проблем Севера им. В.П. Ларионова Сибирского отделения Российской академии наук | Способ соединения монокристалла алмаза с металлами |
CN108149057B (zh) * | 2017-12-26 | 2019-09-06 | 北京有色金属与稀土应用研究所 | 一种AgCuNiV合金材料及其制备方法 |
CN114905422A (zh) * | 2022-05-09 | 2022-08-16 | 浙江大学高端装备研究院 | 用于钎焊金刚石工具布料的振动布料装置 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3691607A (en) * | 1971-01-18 | 1972-09-19 | Gen Electric | High temperature brazing alloy system |
US4009027A (en) * | 1974-11-21 | 1977-02-22 | Jury Vladimirovich Naidich | Alloy for metallization and brazing of abrasive materials |
DE2457198C2 (de) | 1974-12-04 | 1983-10-20 | Institut problem materialovedenija Akademii Nauk Ukrainskoj SSR, Kiev | Legierung zum Metallisieren und Löten von überharten Werkstoffen |
US4684579A (en) * | 1982-07-01 | 1987-08-04 | Gte Products Corporation | Ductile low temperature brazing alloy foil |
DE3316807A1 (de) * | 1983-05-07 | 1984-11-08 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Hartlot-legierung zum verbinden von oxidkeramiken unter sich oder mit metallen |
US4670025A (en) * | 1984-08-13 | 1987-06-02 | Pipkin Noel J | Thermally stable diamond compacts |
JPS61123499A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-11 | Toshiba Corp | セラミツクス−金属接合用ろう材 |
US4729504A (en) * | 1985-06-01 | 1988-03-08 | Mizuo Edamura | Method of bonding ceramics and metal, or bonding similar ceramics among themselves; or bonding dissimilar ceramics |
DE3635369A1 (de) * | 1986-10-17 | 1988-04-28 | Degussa | Verfahren zum beschichten von oberflaechen mit hartstoffen |
US5055361A (en) * | 1989-03-17 | 1991-10-08 | Gte Laboratories Incorporated | Bonded ceramic-metal article |
US5239746A (en) * | 1991-06-07 | 1993-08-31 | Norton Company | Method of fabricating electronic circuits |
WO1994003305A1 (en) | 1992-08-04 | 1994-02-17 | The Morgan Crucible Company Plc | Gold-nickel-vanadium brazing materials |
US5523158A (en) * | 1994-07-29 | 1996-06-04 | Saint Gobain/Norton Industrial Ceramics Corp. | Brazing of diamond film to tungsten carbide |
JPH08241942A (ja) * | 1994-12-28 | 1996-09-17 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 薄膜積層体 |
WO1997005757A1 (en) | 1995-07-31 | 1997-02-13 | Crystalline Materials Corporation | Diamond electronic packages featuring bonded metal |
AU5960698A (en) * | 1997-01-17 | 1998-08-07 | California Institute Of Technology | Microwave technique for brazing materials |
US5855314A (en) * | 1997-03-07 | 1999-01-05 | Norton Company | Abrasive tool containing coated superabrasive grain |
US6102024A (en) * | 1998-03-11 | 2000-08-15 | Norton Company | Brazed superabrasive wire saw and method therefor |
US6575353B2 (en) * | 2001-02-20 | 2003-06-10 | 3M Innovative Properties Company | Reducing metals as a brazing flux |
-
2001
- 2001-10-09 JP JP2001310937A patent/JP3795786B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-10-02 US US10/262,741 patent/US6889890B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-10-08 EP EP02256964A patent/EP1302273B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-10-08 DE DE60225395T patent/DE60225395T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-10-09 CN CN02154548.0A patent/CN1254346C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101875717B1 (ko) * | 2016-07-26 | 2018-07-09 | 에스티이엠 주식회사 | 다이아몬드 톱날의 용접방법 및 그 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20030080177A1 (en) | 2003-05-01 |
DE60225395T2 (de) | 2009-03-19 |
EP1302273A2 (en) | 2003-04-16 |
CN1254346C (zh) | 2006-05-03 |
JP2003117682A (ja) | 2003-04-23 |
EP1302273A3 (en) | 2004-07-28 |
EP1302273B1 (en) | 2008-03-05 |
CN1413794A (zh) | 2003-04-30 |
US6889890B2 (en) | 2005-05-10 |
DE60225395D1 (de) | 2008-04-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3795786B2 (ja) | ろう付けしたダイヤモンド及びダイヤモンドのろう付け方法 | |
Dai et al. | Brazing SiC ceramic using novel B4C reinforced Ag–Cu–Ti composite filler | |
Durov et al. | Investigation of interaction of metal melts and zirconia. | |
Chen et al. | Morphology and kinetic study of the interfacial reaction between the Sn-3.5 Ag solder and electroless Ni-P metallization | |
CN104551382B (zh) | 铝合金材料的接合方法 | |
Zhang et al. | Active brazing of pure alumina to Kovar alloy based on the partial transient liquid phase (PTLP) technique with Ni–Ti interlayer | |
EP0937536B1 (en) | Method for bonding different kinds of members | |
EP1976004A1 (en) | Semiconductor element mounting substrate, semiconductor device using the same, and process for producing semiconductor element mounting substrate | |
US4471026A (en) | Ternary alloys in brazing ceramics | |
JP2001122673A (ja) | 異種部材の接合用接着剤組成物、同組成物を用いた接合方法、および同接合方法により接合された複合部材 | |
Lopez et al. | Flux-assisted wetting and spreading of Al on TiC | |
Chen et al. | Effects of surface microstructure on the active element content and wetting behavior of brazing filler metal during brazing Ti3SiC2 ceramic and Cu | |
Xu et al. | Bonding and strengthening mechanism on ultrasonic-assisted soldering of sapphire using Sn-3.5 Ag-4Al solder | |
Durov et al. | Joining of zirconia to metal with Cu–Ga–Ti and Cu–Sn–Pb–Ti fillers | |
Wan et al. | Optimization of wettability and adhesion in reactive nickel-based alloys/alumina systems by a thermodynamic approach | |
Li et al. | Microstructure and formation mechanism of Al2O3/Zn5Al/2024Al joint by ultrasonic assisted soldering process | |
EP0145933A1 (en) | Low temperature aluminum based brazing alloys | |
Tsai et al. | Microstructure evolution of gold-tin eutectic solder on Cu and Ni substrates | |
Sun et al. | Microstructure evolution and bonding mechanism of ZrO2 ceramic and Ti-6Al-4V alloy joints brazed by Bi2O3-B2O3-ZnO glass paste | |
Liu et al. | Thermal behavior and microstructure of the intermetallic compounds formed at the Sn–3Ag–0.5 Cu/Cu interface after soldering and isothermal aging | |
Ding et al. | Interfacial reaction between cubic boron nitride and Ti during active brazing | |
Xian | Joining of sialon ceramics by Sn-5 at% Ti based ternary active solders | |
Fischer et al. | Wetting and interfacial reactions in liquid Au-Ti alloys/ZrO2 system | |
Zhang et al. | Wetting and interfacial reaction between liquid Ag-Cu-Ti and SiO2f/SiO2 composites | |
JP3466438B2 (ja) | 拡散防止方法および拡散防止層を設けたダイヤモンド構成体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040312 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050216 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050301 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050427 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060104 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060301 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20060301 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060411 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060413 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090421 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100421 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120421 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120421 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120421 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120421 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120421 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130421 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130421 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140421 Year of fee payment: 8 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |