JP3789810B2 - IC socket - Google Patents

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【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＩＣソケットに関する。特に本発明は、ＩＣと基板とを接続するコンタクトを備えるＩＣソケットに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＩＣ動作の高速化及び端子の狭ピッチ化に伴い、ＩＣの動作テスト等において使用されるＩＣソケットの、低インダクタンス化、狭ピッチ化の要求が高まっている。従来のＩＣソケットは、例えばプローブピンとコイルバネとを備えたポゴピンタイプのＩＣソケットや、絶縁性の低弾性エラストマが棒状の独立したコンタクトを保持するエラストマタイプのＩＣソケット等が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ポゴピンタイプのＩＣソケットは、接点間のインダクタンスが高いため、特に高速で動作するＩＣと試験装置とを接続した場合には入出力信号の波形の劣化を来たし、試験精度に悪影響を与えるという課題を有していた。更にポゴピンタイプのＩＣソケットは、構造が複雑なため、狭ピッチ化やコストダウンが困難であるという課題も有していた。また、エラストマタイプのＩＣソケットは、接触信頼性及び耐久性が十分でないという課題を有していた。
【０００４】
そこで本発明は、上記の課題を解決することのできるＩＣソケットを提供することを目的とする。この目的は特許請求の範囲における独立項に記載の特徴の組み合わせにより達成される。また従属項は本発明の更なる有利な具体例を規定する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明の第１のの形態によると、ＩＣと基板とを接続する第１のコンタクトを備えるＩＣソケットは、第１のコンタクトが、ＩＣと接触する第１のデバイス側電極と、第１のデバイス側電極と対向して設けられ、基板と接触する第１の基板側電極と、第１のデバイス側電極と第１の基板側電極とを電気的に接続する第１の伝送線路と、第１のデバイス側電極と第１の基板側電極との間に設けられた第１の弾性部材とを有する。
【０００６】
第１の弾性部材は、第１のデバイス側電極に沿って設けられた第１のデバイス側絶縁板と、第１の基板側電極に沿って設けられた第１の基板側絶縁板と、一端が第１のデバイス側絶縁板の端部に接続され、他端が第１の基板側絶縁板の端部に接続された第１の接続板とを含んでもよい。
【０００７】
第１のデバイス側電極と、第１の基板側電極と、伝送線路とは、一体に形成されてもよい。第１のデバイス側絶縁板と、第１の基板側絶縁板と、第１の接続板とは、一体に形成されてもよい。また、第１のデバイス側電極、第１の基板側電極、及び第１の伝送線路は、第１の弾性部材の表面に設けられてもよい。
【０００８】
第１のデバイス側絶縁板と、第１の基板側絶縁板と、第１の接続板とは、実質的にコの字形状をなすように接続されてもよい。そして、第１のデバイス側電極が、第１のデバイス側電極から第１の基板側電極への方向に押下された場合に、第１の弾性部材は、第１のデバイス側電極を方向に平行移動させるべく変形してもよい。また、第１の接続板は、第１のデバイス側絶縁板から第１の基板側絶縁板への方向に対して屈曲していてもよい。また、第１の伝送線路は、第１の接続板の表面に設けられた、切り欠きを持つ金属膜であってもよい。
【０００９】
第１のコンタクトは、第１のデバイス側絶縁板と第１の基板側絶縁板とに挟まれた第１の弾性支持体を更に有してもよい。また、第１の弾性支持体は、第１のデバイス側絶縁板と第１の基板側絶縁板とを略平行に保ってもよい。また、第１の弾性支持体は、第１のデバイス側絶縁板及び第１の基板側絶縁板に固着されていてもよい。また、第１の弾性支持体は、第１のデバイス側絶縁板と第１の基板側絶縁板との間隔を広げる方向に第１のデバイス側絶縁板及び第１の基板側絶縁板を押圧してもよい。
【００１０】
第１のデバイス側絶縁板が第１のデバイス側絶縁板から第１の基板側絶縁板への方向に押下された場合に、第１の弾性支持体は、第１のデバイス側絶縁板を前記方向に平行移動させるべく変形してもよい。また、第１の弾性支持体は、第１のデバイス側絶縁板から第１の基板側絶縁板への方向に対して屈曲していてもよい。また、第１の弾性支持体は、第１のデバイス側絶縁板から第１の基板側絶縁板への方向に対して略垂直な方向へ切り欠かれていてもよい。
【００１１】
第１の接続板は、第１のデバイス側絶縁板が第１のデバイス側絶縁板から第１の基板側絶縁板への方向に押下された場合に屈曲し、第１の接続板の屈曲する部分と、第１の弾性支持体とは接触しなくてもよい。また、第１の接続板は、第１の弾性支持体の方向に屈曲しており、第１の弾性支持体は、第１の接続板が屈曲した方向と実質的に同一方向に屈曲していてもよい。また、第１の弾性支持体は、第１の接続板の屈曲した角度よりも鋭角に屈曲していてもよい。
【００１２】
第１の弾性支持体は、第１のデバイス側絶縁板が、第１のデバイス側絶縁板から第１の基板側絶縁板への方向に押下された場合に、前記方向に対して略垂直な方向に、第１の接続板を押してもよい。また、第１のデバイス側絶縁板と、第１の接続板と、第１の弾性支持体とが、隙間を形成し、第１の基板側絶縁板と、第１の接続板と、第１の弾性支持体とが、隙間を形成してもよい。また、第１の弾性部材と第１の弾性支持体とは、弾性係数が異なる材料で形成されてもよい。
【００１３】
第１の弾性支持体は、第１のデバイス側絶縁板及び第１の基板側絶縁板よりも突出した突出部を含んでもよい。突出部は、絶縁性を有してもよい。また、ＩＣソケットは、ＩＣと接触する第２のデバイス側電極と、第２のデバイス側電極と対向して設けられ、基板と接触する第２の基板側電極と、第２のデバイス側電極と第２の基板側電極とを電気的に接続する第２の伝送線路と、第２のデバイス側電極に沿って設けられた第２のデバイス側絶縁板、第２の基板側電極に沿って設けられた第２の基板側絶縁板、及び一端が第２のデバイス側絶縁板の端部に接続され、他端が第２の基板側絶縁板の端部に接続された第２の接続板を含み、第２のデバイス側電極と第２の基板側電極との間に設けられた第２の弾性部材とを有する第２のコンタクトを更に備えてもよく、突出部は第２の伝送線路に接触してもよい。
【００１４】
ＩＣソケットは、ＩＣと接触する第２のデバイス側電極と、第２のデバイス側電極と対向して設けられ、基板と接触する第２の基板側電極と、第２のデバイス側電極と第２の基板側電極とを電気的に接続する第２の伝送線路と、第２のデバイス側電極に沿って設けられた第２のデバイス側絶縁板、第２の基板側電極に沿って設けられた第２の基板側絶縁板、及び一端が第２のデバイス側絶縁板の端部に接続され、他端が第２の基板側絶縁板の端部に接続された第２の接続板を含み、第２のデバイス側電極と第２の基板側電極との間に設けられた第２の弾性部材と、第２のデバイス側絶縁板と第２の基板側絶縁板とに挟まれた第２の弾性支持体とを有する第２のコンタクトを更に備えてもよく、第１の弾性支持体と第２の弾性支持体とは、一体に設けられていてもよい。
【００１５】
ＩＣソケットは、ＩＣと接触する第２のデバイス側電極と、第２のデバイス側電極と対向して設けられ、基板と接触する第２の基板側電極と、第２のデバイス側電極と第２の基板側電極とを電気的に接続する第２の伝送線路と、第２のデバイス側電極と第２の基板側電極との間に設けられた第２の弾性部材とを有する第２のコンタクトを更に備えてもよく、第１の弾性部材と第２の弾性部材とは、一体に設けられていてもよい。また、第２の弾性部材は、第２のデバイス側電極に沿って設けられた第２のデバイス側絶縁板と、第２の基板側電極に沿って設けられた第２の基板側絶縁板と、一端が第２のデバイス側絶縁板の端部に接続され、他端が第２の基板側絶縁板の端部に接続された第２の接続板とを含んでもよく、第１の接続板と第２の接続板とは、一体に設けられていてもよい。
【００１６】
第１のデバイス側電極は、金属微粒子からなる金属微粒子層を有してもよい。また、第１のデバイス側電極は、金属微粒子層の表面に形成された金属膜を更に有してもよい。また、金属微粒子は、導電性の磁性体であってもよい。また、金属微粒子は、鋭角な先端を持っていてもよい。更に、金属微粒子は、先端が第１のデバイス側電極の法線方向に向いていてもよい。
【００１７】
なお上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群のサブコンビネーションも又発明となりうる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態はクレームにかかる発明を限定するものではなく、又実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【００１９】
図１は、本発明の一実施形態に係るＩＣソケット１００を用いてＩＣ２００の動作を試験する場合に、ＩＣソケット１００とＩＣ２００とを実装するＩＣホルダ５００の分解斜視図を示す。ＩＣホルダ５００は、ソケットボード２０６と、ＩＣソケット１００と、ソケットガイド２０４と、インサート２０３と、加圧ヘッド２１０とを備える。半導体試験装置とＩＣ２００とは、基板の一例であるソケットボード２０６及びＩＣソケット１００を経由して電気的に接続される。
ＩＣソケット１００は、ＩＣ２００の端子配列に基づいて配置された複数のコンタクト１０と、複数のコンタクト１０を保持する絶縁性の筐体９０とを備える。ソケットガイド２０４は、ＩＣソケット１００を位置決めする。ソケットガイド２０４及びＩＣソケット１００は、ソケットボード２０６に固定される。
【００２０】
また、インサート２０３はＩＣ２００を位置決めし、保持する。そして、ＩＣ２００を保持したインサート２０３は、ソケットガイド２０４にガイドされながら嵌合する。最後に加圧ヘッド２１０は、インサート２０３をソケットボード２０６に対して垂直に加圧することによって、ＩＣ２００をＩＣソケット１００に均一に押さえつける。ＩＣ２００がＩＣソケット１００に押さえつけられることによって、ＩＣソケット１００が備える複数のコンタクト１０のそれぞれは、ＩＣ２００が備える複数の端子のそれぞれと、ソケットボード２０６が備える複数のランド２０８のそれぞれとを電気的に接続する。
【００２１】
図２は、本実施形態に係るＩＣ２００の外形の一例を示す。本例におけるＩＣ２００は、パッケージ裏面において、グリッド状に配置された端子のそれぞれに半田ボール２０２が設けられた、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）タイプのＩＣである。
【００２２】
図３は、本実施形態に係るＩＣソケット１００が備える複数のコンタクト１０のうちのコンタクト１０ａの構成の一例を示す。コンタクト１０ａは、ＩＣ２００と接触するデバイス側電極１２ａと、デバイス側電極１２ａと対向して設けられ、ソケットボード２０６と接触する基板側電極１４ａと、デバイス側電極１２ａと基板側電極１４ａとを電気的に接続する伝送線路１６ａと、デバイス側電極１２ａと基板側電極１４ａとの間に設けられた絶縁性の弾性部材１８ａとを有する。弾性部材１８ａは、デバイス側電極１２ａに沿って設けられたデバイス側絶縁板２０ａと、基板側電極１４ａに沿って設けられた基板側絶縁板２２ａと、一端がデバイス側絶縁板２０ａの端部に接続され、他端が基板側絶縁板２２ａの端部に接続された接続板２４ａとを含む。
【００２３】
デバイス側絶縁板２０ａと、基板側絶縁板２２ａと、接続板２４ａとは、例えばポリイミド等の絶縁性の材料により一体に形成されてもよい。また、デバイス側電極１２ａと、基板側電極１４ａと、伝送線路１６ａとは、例えば、銅箔等の金属膜により一体に形成され、弾性部材１８ａの表面に設けられてもよい。そして、デバイス側電極１２ａ、基板側電極１４ａ、伝送線路１６ａ、及び弾性部材１８ａは、ポリイミドフイルムと銅箔とを貼り合わせ、銅箔を所定のパターン形状にエッチングした後、キャビティとコアを有する金型を用いて実質的にコの字形状をなすように曲げ加工し、最後に所定の外形にカットすることによって製造される。また、当該曲げ加工の工程においては、加熱処理を行うことによって加工後の形状を安定させてもよい。
【００２４】
コンタクト１０ａは、デバイス側絶縁板２０ａと基板側絶縁板２２ａとに挟まれた弾性支持体２６ａを更に備える。弾性支持体２６ａは、例えばウレタンフォーム、シリコンゴム、ウレタンゴム、エポキシ樹脂等の材料で形成される。そして、弾性支持体２６ａは、液状の材料を金型に充填して、金型の形状とほぼ同一形状に成型することによって得られるので、寸法精度及び形状安定性に優れる。一方、弾性部材１８ａの製造方法の一例である前述の曲げ加工は、曲げ角度がばらつきやすいため、デバイス側絶縁板２０ａと基板側絶縁板２２ａとの間隔はばらつきやすい。
【００２５】
そこで、弾性支持体２６ａの優れた寸法精度及び形状安定性を利用して、弾性部材１８ａの形状を補正する。まず、弾性部材１８ａの形状が、デバイス側絶縁板２０ａと基板側絶縁板２２ａとの間隔が開く方向にばらつく場合には、弾性支持体２６ａは、デバイス側絶縁板２０ａ及び基板側絶縁板２２ａに固着されることにより、デバイス側絶縁板２０ａと基板側絶縁板２２ａとを、略均一間隔、かつ略平行に補正する。固着の手段は、接着、超音波溶着、もしくは熱溶着であってもよいし、インサート成形による固着であってもよい。また、弾性部材１８ａの形状が、デバイス側絶縁板２０ａと基板側絶縁板２２ａとの間隔が狭まる方向にばらつく場合には、弾性支持体２６ａは、デバイス側絶縁板２０ａと基板側絶縁板２２ａとの間隔を広げる方向にデバイス側絶縁板２０ａ及び基板側絶縁板２２ａを押圧することによって、デバイス側絶縁板２０ａと基板側絶縁板２２ａとを、略均一間隔、かつ略平行に補正する。
【００２６】
弾性支持体２６ａは、デバイス側絶縁板２０ａから基板側絶縁板２２ａへの方向に対して接続板２４ａの方向に屈曲している。そして、デバイス側絶縁板２０ａと、接続板２４ａと、弾性支持体２６ａとは、隙間２８ａを形成し、基板側絶縁板２２ａと、接続板２４ａと、弾性支持体２６ａとは、隙間３０ａを形成する。弾性支持体２６ａは、屈曲した形状ではなく、デバイス側絶縁板２０ａから基板側絶縁板２２ａへの方向に対して略垂直な方向へ切り欠かれていてもよい。また、弾性支持体２６ａは、デバイス側絶縁板２０ａ及び基板側絶縁板２２ａよりも突出した突出部３２ａを含む。突出部３２ａは、絶縁性の材料で形成されることにより、絶縁性を有している。
【００２７】
以上の構成によるコンタクト１０ａは、デバイス側電極１２ａと、基板側電極１４ａと、伝送線路１６ａとが、弾性部材１８ａに貼り合わせられた状態で加工されるので製造が容易であり、加工精度の向上と、コストダウンが実現できる。また、弾性支持体２６ａを有しているので、デバイス側電極１２ａと基板側電極１４ａとの距離を均一に保つことができる。従って、半田ボール２０２がデバイス側電極１２ａに接触するタイミングを一定にすることができる。
【００２８】
図４は、コンタクト１０ａの構成の他の例を示す。ここでは、図３で説明したコンタクト１０ａの例と異なる部分のみ説明する。
接続板２４ａは、デバイス側絶縁板２０ａから基板側絶縁板２２ａへの方向に対して弾性支持体２６ａの方向に屈曲している。そして、弾性支持体２６ａは、接続板２４ａが屈曲した方向と実質的に同一方向に、接続板２４ａの屈曲した角度よりも鋭角な角度に屈曲して設けられている。また、弾性支持体２６ａは、屈曲する代わりに、接続板２４ａに対向する部分が接続板２４ａの屈曲した角度よりも鋭角な角度でくの字に切り欠かれて設けられてもよい。
【００２９】
デバイス側電極１２ａが、デバイス側電極１２ａから基板側電極１４ａへの方向に押下された場合において、予め接続板２４ａが屈曲している方向と同一方向に屈曲している弾性支持体２６ａは、接続板２４ａが更に屈曲する方向と同一方向に更に屈曲する。この場合、弾性支持体２６ａが、接続板２４ａの屈曲した角度よりも鋭角に屈曲しているので、接続板２４ａの屈曲する部分と弾性支持体２６ａとは接触せず、独立して変形する。
【００３０】
図５は、本実施形態に係るコンタクト１０ａ及びコンタクト１０ｂが、ＩＣ２００とソケットボード２０６とを接続した状態の一例を示す。複数のコンタクト１０のうちのコンタクト１０ｂは、コンタクト１０ａと同様の構成であって、ＩＣ２００と接触するデバイス側電極１２ｂと、デバイス側電極１２ｂに対向して設けられ、ソケットボード２０６と接触する基板側電極１４ｂと、デバイス側電極１２ｂと基板側電極１４ｂとを電気的に接続する伝送線路１６ｂと、デバイス側電極１２ｂに沿って設けられたデバイス側絶縁板２０ｂ、基板側電極１４ｂに沿って設けられた基板側絶縁板２２ｂ、及び一端がデバイス側絶縁板２０ｂの端部に接続され、他端が基板側絶縁板２２ｂの端部に接続された接続板２４ｂを含み、デバイス側電極１２ｂと基板側電極１４ｂとの間に設けられた弾性部材１８ｂとを有する。コンタクト１０ａとコンタクト１０ｂとは、突出部３２ａと伝送線路１６ｂとを接触させて隣接している。
【００３１】
ＩＣ２００がソケットボード２０６の方向に押下された場合、デバイス側電極１２ａは、デバイス側電極１２ａから基板側電極１４ａへの方向に押下される。同時に、デバイス側絶縁板２０ａは、デバイス側絶縁板２０ａから基板側絶縁板２２ａへの方向に押下される。そして、弾性支持体２６ａは、切り欠かれて設けられた部分が屈曲、または、予め屈曲して設けられた部分が更に屈曲する。この場合、弾性支持体２６ａの屈曲する部分の先端が、接続板２４ａの内壁面を、前記押下の方向に対して略垂直な方向に押し出すことによって、接続板２４ａは、屈曲する。そして、弾性支持体２６ａが、デバイス側絶縁板２０ａの内壁面を支持した状態で、接続板２４ａを外側へ屈曲させることにより、デバイス側絶縁板２０ａは、デバイス側絶縁板２０ａから基板側絶縁板２２ａへの方向に平行移動する。また、弾性部材１８ａは、デバイス側絶縁板２０ａが前記方向に移動することにより、デバイス側電極１２ａを、デバイス側電極１２ａから基板側電極１４ａへの方向に平行移動させる。また、デバイス側絶縁板２０ａと、接続板２４ａと、弾性支持体２６ａとが、隙間２８ａを形成することによって、デバイス側絶縁板２０ａと接続板２４ａとが形成する角は、弾性支持体２６ａに妨げられることなく変形する。また、基板側絶縁板２２ａと、接続板２４ａと、弾性支持体２６ａとが隙間３０ａを形成することによって、基板側絶縁板２２ａと接続板２４ａとが形成する角は、弾性支持体２６ａに妨げられることなく変形する。コンタクト１０ａは前述の様に変形することにより、半田ボール２０２ａとデバイス側電極１２ａ、及び基板側電極１４ａとランド２０８ａの安定した導通を確保し、半田ボール２０２ａとランド２０８ａとを電気的に接続する。また、コンタクト１０ｂは、コンタクト１０ａと同様に、半田ボール２０２ｂとランド２０８ｂとを電気的に接続する。
【００３２】
弾性支持体２６ａ及び２６ｂは、弾性部材１８ａ及び１８ｂと弾性係数が異なる材料で形成される。そして、弾性支持体２６ａ及び２６ｂの材料は、ＩＣソケット１００の実装制約や、コンタクト１０ａ及び１０ｂに要求される特性に応じて選定される。一例として、ＩＣソケット１００が高温下で使用される場合、または、コンタクト１０ａ及びコンタクト１０ｂに高い耐久性が要求される場合は、弾性支持体２６ａ及び２６ｂは、耐熱性に優れ、圧縮残留歪が少ないシリコンゴムで形成されることが好ましい。
【００３３】
また、他の例として、コンタクト１０ａ及び１０ｂのストロークが比較的大きく確保される場合は、弾性支持体２６ａ及び２６ｂは、ネオプレンフォームやウレタンフォーム等の比較的弾性係数の低い発泡樹脂で形成されることが好ましい。弾性支持体２６ａ及び２６ｂの弾性係数が低い場合、デバイス側電極１２ａから基板側電極１４ａへの方向におけるコンタクト１０ａの弾性係数、及びデバイス側電極１２ｂから基板側電極１４ｂへの方向におけるコンタクト１０ｂの弾性係数は、比較的低くなる。従って、半田ボール２０２ａと２０２ｂとの高さのばらつき、またはコンタクト１０ａと１０ｂとの高さのばらつきによって、コンタクト１０ａと１０ｂとのストロークとが異なった場合でも、半田ボール２０２ａと２０２ｂとに加わる反力の差は、比較的低く抑えられる。この結果、複数の半田ボール２０２に加える応力が局所的に高くなることがなく、半田ボール２０２及びＩＣ２００の破損を防止することができる。
【００３４】
コンタクト１０ｂが、半田ボール２０２ｂとランド２０８ｂとを接続する場合、半田ボール２０２ｂがデバイス側電極１２ｂを押下するに従って、接続板２４ｂ及び伝送線路１６ｂは、弾性支持体２６ａの方向に屈曲する。ここで弾性支持体２６ａは、接続板２４ｂ及び伝送線路１６ｂが屈曲する部分との間に、接続板２４ｂ及び電送線路１６ｂの屈曲する大きさよりも大きい隙間を形成しているため、コンタクト１０ａとコンタクト１０ｂとは互いに干渉することなく、独立して動作する。
【００３５】
以上の構成によるコンタクト１０ａは、デバイス側電極１２ａと基盤側電極１４ａとを略平行に保ちながら、半田ボール２０２ａとランド２０８ａとに、所定の荷重とストロークで接触するので、ＩＣ２００とソケットボード２０６とを電気的に安定して接続することができる。また、コンタクト１０ａは、部品点数が少なく構造が簡単なため、小型化と狭ピッチ化、及びコストダウンが容易である。さらに、コンタクト１０ａは、絶縁性を有する突出部３２ａを、隣接するコンタクト１０ｂの伝送線路１６ａに接触させることにより、コンタクト１０ｂとのショート及び動作干渉を起こすことなく、コンタクト１０ａとコンタクト１０ｂとを狭ピッチで配列することができる。また、デバイス側電極１２ａと基板側電極１４ａの距離を小さくすることにより、インダクタンス成分を低く抑えることができる。
【００３６】
図６は、本実施形態に係るコンタクト１０ａ及びコンタクト１０ｂが、ＩＣ２００と基板２０６とを接続した状態の他の例を示す。コンタクト１０ｂは、コンタクト１０ａと同様の仕組みでＩＣ２００とソケットボード２０６とを接続するため、説明を省略する。コンタクト１０ａにおいて、半田ボール２０２がデバイス側電極１２ａを押下すると、予め弾性支持体２６ａの方向に屈曲している接続板２４ａは、弾性支持体２６ａの方向に更に屈曲する。そして、予め接続板２４ａが屈曲している方向と同一方向に屈曲している弾性支持体２６ａは、接続板２４ａが更に屈曲する方向と同一方向に更に屈曲する。この場合、弾性支持体２６ａが、接続板２４ａの屈曲した角度よりも鋭角に屈曲していることによって、接続板２４ａの屈曲する部分と弾性支持体２６ａとは接触せず、独立して変形する。また、弾性支持体２６ａの伝送線路１６ｂに対向した面は、伝送線路１６ｂの屈曲した角度よりも鈍角をなして設けられており、弾性支持体２６ａの屈曲する部分と伝送線路１６ｂとは接触せず、独立して変形する。
【００３７】
従って、本例によるコンタクト１０ａは、デバイス側電極１２ａと基盤側電極１４ａとを略平行に保ちながら、半田ボール２０２ａとランド２０８ａとに、所定の荷重とストロークで接触するので、ＩＣ２００とソケットボード２０６とを電気的に安定して接続することができる。また、コンタクト１０ａ及び１０ｂは、互いにショート及び動作干渉を起こすことなく、狭ピッチで配列することができる。
【００３８】
図７は、本実施形態に係るコンタクト１０ａと、コンタクト１０ｃとが隣接して設けられた状態の一例を、弾性支持体２６ａの方向から見た図である。弾性支持体２６ａと、弾性支持体２６ｃとは、一体に設けられている。従って、コンタクト１０ａとコンタクト１０ｃとは、所定の間隔を維持した状態で一体として取り扱われるので、取り扱いが容易であり、均一で狭いピッチに配列することができる。
【００３９】
図８は、本実施形態に係るコンタクト１０ａとコンタクト１０ｃとが隣接して設けられた状態の一例を、伝送線路１６ａの方向から見た図である。接続板２４ａと、接続板２４ｃとが一体に設けられることにより、弾性部材１８ａと弾性部材１８ｃとは、一体として取り扱われる。従って、コンタクト１０ａとコンタクト１０ｃとは、所定の間隔を維持した状態で一体として取り扱われるので、取り扱いが容易であり、均一で狭いピッチに配列することができる。また、デバイス側絶縁板２０ａとデバイス側絶縁板２０ｃとを分離することにより、ＩＣ２００からソケットボード２０６への方向における、デバイス側絶縁板２０ａ及びデバイス側絶縁板２０ｃの変形が独立する。従って、コンタクト１０ａ及びコンタクト１０ｃは、半田ボール２０２の高さが不均一な場合でも、半田ボール２０２に対して確実に接触する。
【００４０】
伝送線路１６ａは、例えば銅箔をエッチングすることによって得られる、所定のパターンに切り欠かれた金属膜である。また、伝送線路１６ａの膜厚が薄いので、伝送線路１６ａの形状は、コンタクト１０ａの弾性率に実質的に影響しない。そして、伝送線路１６ａは、エッチングパターンの形状に応じて、所定のインピーダンスを有して形成される。従って、コンタクト１０ａは、ＩＣ２００からソケットボード２０６への方向におけるコンタクト１０ａのばね特性を実質的に変更することなく、デバイス側電極１２ａと基板側電極１４ａとの間に所望のインピーダンスを有して形成される。
【００４１】
図９は、ＩＣ２００の端子配列に応じて、複数のコンタクト１０をグリッド状に配列する一例を示す。図９に示すＸ方向に配列される複数のコンタクト１０は、図５で説明したように配列され、一体に設けることができる。また、図９に示すＹ方向に配列される複数のコンタクト１０は、図７で説明したように互いに接触して配列される。従って、複数のコンタクト１０は、ＩＣ２００の端子配列に対応して、グリッド状に、狭ピッチで配列される。また、Ｘ方向に配列された複数のコンタクト１０を一体に設けることにより、製造時の組み立てを容易にすることができる。
【００４２】
図１０は、デバイス側電極１２ａ及びデバイス側絶縁板２０ａの断面の例を示す。デバイス側電極１２ａは、ポリイミドフイルム等からなるデバイス側絶縁板２０ａに貼り合わせた銅箔３００と、金属微粒子を堆積させた金属微粒子層３０２と、金属微粒子層３０２の表面に形成された金属膜の一例であるめっき層３０４とを含む。金属微粒子３０６は、平均粒子径４０μｍのニッケル、コバルト、鉄等からなる比較的硬度の高い導電性磁性体粒子であって、材料を、先端が鋭角な回転対称形状に切削加工して得られる。金属微粒子３０６を銅箔３００の表面に堆積させる場合には、銅箔３００の表面に対して略法線方向へ、実質的に平行な磁場を作用させることによって、磁性体である金属微粒子３０６の向きを前記方向に整列させる。そして整列した金属微粒子３０６の表面に、例えば電解めっきにより得られるめっき層３０４を堆積させる。めっき層３０４は、接点との接触抵抗が低く、耐食性、耐摩耗性に優れた、金、パラジウム、ロジウム、ルテニウム等で形成されることが好ましい。
【００４３】
このように生成されたデバイス側電極１２ａの表面は、金属微粒子３０６の形状に応じて細かい凹凸形状をなす。そして、デバイス側電極１２ａが、所定の荷重で半田ボール２０２と接触した場合の接触圧力分布は、デバイス側電極１２ａの表面形状に基づいて決まる。つまり、金属微粒子３０６の頂点に相当する凸部分の接触圧力は局部的に高くなる。デバイス側電極１２ａは、この局部的に高い接触圧力によって半田ボール２０２の表面に形成される酸化膜を突き破り、安定した低い接触抵抗を保つことができる。
【００４４】
以上、本発明を実施形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲には限定されない。上記実施形態に、多様な変更または改良を加えることができる。そのような変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【００４５】
【発明の効果】
上記説明から明らかなように、本発明によればＩＣと基板とを接続するコンタクトを備えるＩＣソケットであって、低インダクタンスで狭ピッチ化が可能なＩＣソケットを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本実施形態に係るＩＣホルダ５００の分解斜視図である。
【図２】 本実施形態に係るＩＣ２００の外形の一例を示す図である。
【図３】 本実施形態に係るＩＣソケット１００が備えるコンタクト１０ａの一例を示す構造図である。
【図４】 本実施形態に係るＩＣソケット１００が備えるコンタクト１０ａの他の例を示す構造図である。
【図５】 本実施形態に係るコンタクト１０ａ及びコンタクト１０ｂが、ＩＣ２００と基板２０６とを接続した状態の一例を示す図である。
【図６】 本実施形態に係るコンタクト１０ａ及びコンタクト１０ｂが、ＩＣ２００と基板２０６とを接続した状態の他の例を示す図である。
【図７】 本実施形態に係るコンタクト１０ａとコンタクト１０ｃとが隣接して設けられた状態の一例を、弾性支持体２６ａの方向から見た図である。
【図８】 本実施形態に係るコンタクト１０ａとコンタクト１０ｃとが隣接して設けられた状態の一例を、伝送線路１６ａの方向から見た図である。
【図９】 ＩＣ２００の端子配列に応じて、複数のコンタクト１０を配列した状態の一例を示す図である。
【図１０】 本実施形態に係るデバイス側電極１２ａの断面構成を示す図である。
【符号の説明】
１０…コンタクト １２…デバイス側電極
１４…基板側電極 １６…伝送線路
１８…弾性部材 ２０…デバイス側絶縁板
２２…基板側絶縁板 ２４…接続板
２６…弾性支持体 ３２…突出部
１００…ＩＣソケット ２００…ＩＣ
２０３…インサート ２０４…ソケットガイド
２０６…ソケットボード ２０８…ランド
２１０…加圧ヘッド ３００…銅箔
３０４…めっき層 ３０６…金属微粒子[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an IC socket. In particular, the present invention relates to an IC socket having a contact for connecting an IC and a substrate.
[0002]
[Prior art]
In recent years, with the increase in the speed of IC operation and the narrowing of the pitch of terminals, there is an increasing demand for a low inductance and a narrow pitch of an IC socket used in an IC operation test or the like. As the conventional IC socket, for example, a pogo pin type IC socket provided with a probe pin and a coil spring, an elastomer type IC socket in which an insulating low-elastic elastomer holds a rod-like independent contact, and the like are known.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
However, since the pogo pin type IC socket has a high inductance between the contacts, especially when an IC that operates at high speed and a test apparatus are connected, the waveform of the input / output signal is degraded, and the test accuracy is adversely affected. Had problems. Furthermore, the pogo pin type IC socket has a problem that it is difficult to reduce the pitch and reduce the cost because of its complicated structure. In addition, the elastomer type IC socket has a problem that contact reliability and durability are not sufficient.
[0004]
Accordingly, an object of the present invention is to provide an IC socket that can solve the above-described problems. This object is achieved by a combination of features described in the independent claims. The dependent claims define further advantageous specific examples of the present invention.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
That is, according to the first aspect of the present invention, the IC socket including the first contact for connecting the IC and the substrate includes the first device-side electrode in which the first contact is in contact with the IC, and the first contact. A first substrate-side electrode that is provided opposite to the device-side electrode and is in contact with the substrate; a first transmission line that electrically connects the first device-side electrode and the first substrate-side electrode; A first elastic member provided between the first device-side electrode and the first substrate-side electrode.
[0006]
The first elastic member includes a first device-side insulating plate provided along the first device-side electrode, a first substrate-side insulating plate provided along the first substrate-side electrode, and one end May be connected to the end of the first device-side insulating plate, and the other end may be connected to the end of the first substrate-side insulating plate.
[0007]
The first device side electrode, the first substrate side electrode, and the transmission line may be integrally formed. The first device-side insulating plate, the first substrate-side insulating plate, and the first connection plate may be integrally formed. The first device side electrode, the first substrate side electrode, and the first transmission line may be provided on the surface of the first elastic member.
[0008]
The first device-side insulating plate, the first substrate-side insulating plate, and the first connecting plate may be connected so as to form a substantially U shape. When the first device side electrode is pressed in the direction from the first device side electrode to the first substrate side electrode, the first elastic member is parallel to the first device side electrode in the direction. You may deform | transform so that it may move. The first connection plate may be bent with respect to the direction from the first device-side insulating plate to the first substrate-side insulating plate. The first transmission line may be a metal film having a notch provided on the surface of the first connection plate.
[0009]
The first contact may further include a first elastic support body sandwiched between the first device-side insulating plate and the first substrate-side insulating plate. Further, the first elastic support may keep the first device-side insulating plate and the first substrate-side insulating plate substantially parallel. In addition, the first elastic support may be fixed to the first device side insulating plate and the first substrate side insulating plate. The first elastic support member presses the first device-side insulating plate and the first substrate-side insulating plate in a direction that widens the distance between the first device-side insulating plate and the first substrate-side insulating plate. May be.
[0010]
When the first device-side insulating plate is pressed in the direction from the first device-side insulating plate to the first substrate-side insulating plate, the first elastic support body is configured so that the first device-side insulating plate You may deform | transform so that it may translate in a direction. Further, the first elastic support may be bent with respect to the direction from the first device-side insulating plate to the first substrate-side insulating plate. Further, the first elastic support may be cut out in a direction substantially perpendicular to the direction from the first device-side insulating plate to the first substrate-side insulating plate.
[0011]
The first connection plate is bent when the first device-side insulating plate is pressed in the direction from the first device-side insulating plate to the first substrate-side insulating plate, and the first connection plate is bent. The portion and the first elastic support may not be in contact with each other. Further, the first connection plate is bent in the direction of the first elastic support, and the first elastic support is bent in substantially the same direction as the direction in which the first connection plate is bent. May be. Further, the first elastic support may be bent at an acute angle with respect to the bent angle of the first connection plate.
[0012]
The first elastic support body is substantially perpendicular to the direction when the first device-side insulating plate is pressed in the direction from the first device-side insulating plate to the first substrate-side insulating plate. The first connecting plate may be pushed in the direction. In addition, the first device-side insulating plate, the first connecting plate, and the first elastic support form a gap, and the first substrate-side insulating plate, the first connecting plate, and the first The elastic support may form a gap. Further, the first elastic member and the first elastic support may be formed of materials having different elastic coefficients.
[0013]
The first elastic support may include a protruding portion that protrudes from the first device-side insulating plate and the first substrate-side insulating plate. The protrusion may have an insulating property. The IC socket is provided with a second device-side electrode that contacts the IC, a second substrate-side electrode that contacts the substrate, and a second device-side electrode that contacts the substrate. A second transmission line that electrically connects the second substrate side electrode, a second device side insulating plate provided along the second device side electrode, and provided along the second substrate side electrode The second substrate-side insulating plate, and the second connecting plate having one end connected to the end of the second device-side insulating plate and the other end connected to the end of the second substrate-side insulating plate. And a second contact having a second elastic member provided between the second device-side electrode and the second substrate-side electrode, and the protrusion may be provided on the second transmission line. You may touch.
[0014]
The IC socket is provided so as to face the second device side electrode in contact with the IC, the second device side electrode in contact with the substrate, the second device side electrode, and the second device side electrode. A second transmission line that electrically connects the substrate-side electrode of the semiconductor device, a second device-side insulating plate provided along the second device-side electrode, and a second substrate-side electrode provided along the second device-side electrode A second substrate-side insulating plate, and a second connecting plate having one end connected to the end of the second device-side insulating plate and the other end connected to the end of the second substrate-side insulating plate, A second elastic member provided between the second device-side electrode and the second substrate-side electrode, and a second sandwiched between the second device-side insulating plate and the second substrate-side insulating plate A second contact having an elastic support may be further provided, and the first elastic support and the second elastic support are integrated. It may be provided.
[0015]
The IC socket is provided so as to face the second device side electrode in contact with the IC, the second device side electrode in contact with the substrate, the second device side electrode, and the second device side electrode. A second contact having a second transmission line for electrically connecting the substrate-side electrode of the second and a second elastic member provided between the second device-side electrode and the second substrate-side electrode The first elastic member and the second elastic member may be provided integrally. The second elastic member includes a second device-side insulating plate provided along the second device-side electrode, and a second substrate-side insulating plate provided along the second substrate-side electrode. A second connection plate having one end connected to the end of the second device side insulating plate and the other end connected to the end of the second substrate side insulating plate. And the second connection plate may be provided integrally.
[0016]
The first device-side electrode may have a metal fine particle layer made of metal fine particles. The first device-side electrode may further include a metal film formed on the surface of the metal fine particle layer. The metal fine particles may be a conductive magnetic material. Moreover, the metal fine particles may have a sharp tip. Furthermore, the metal fine particles may have their tips directed in the normal direction of the first device-side electrode.
[0017]
The above summary of the invention does not enumerate all the necessary features of the present invention, and sub-combinations of these feature groups can also be the invention.
[0018]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be described through embodiments of the invention. However, the following embodiments do not limit the claimed invention, and all combinations of features described in the embodiments are the solution of the invention. It is not always essential to the means.
[0019]
FIG. 1 is an exploded perspective view of an IC holder 500 for mounting the IC socket 100 and the IC 200 when the operation of the IC 200 is tested using the IC socket 100 according to the embodiment of the present invention. The IC holder 500 includes a socket board 206, an IC socket 100, a socket guide 204, an insert 203, and a pressure head 210. The semiconductor test apparatus and the IC 200 are electrically connected via a socket board 206 and an IC socket 100 which are examples of a substrate.
The IC socket 100 includes a plurality of contacts 10 arranged based on the terminal arrangement of the IC 200 and an insulating housing 90 that holds the plurality of contacts 10. The socket guide 204 positions the IC socket 100. The socket guide 204 and the IC socket 100 are fixed to the socket board 206.
[0020]
The insert 203 positions and holds the IC 200. The insert 203 holding the IC 200 is fitted while being guided by the socket guide 204. Finally, the pressure head 210 presses the insert 203 perpendicularly to the socket board 206 to uniformly press the IC 200 against the IC socket 100. When the IC 200 is pressed against the IC socket 100, each of the plurality of contacts 10 included in the IC socket 100 electrically connects each of the plurality of terminals included in the IC 200 and each of the plurality of lands 208 included in the socket board 206. Connecting.
[0021]
FIG. 2 shows an example of the outer shape of the IC 200 according to this embodiment. The IC 200 in this example is a BGA (Ball Grid Array) type IC in which solder balls 202 are provided on each of the terminals arranged in a grid on the back surface of the package.
[0022]
FIG. 3 shows an example of the configuration of the contact 10a among the plurality of contacts 10 included in the IC socket 100 according to the present embodiment. The contact 10a is provided so as to face the device side electrode 12a in contact with the IC 200, the device side electrode 12a, and electrically connect the substrate side electrode 14a in contact with the socket board 206, the device side electrode 12a, and the substrate side electrode 14a. A transmission line 16a connected to the device, and an insulating elastic member 18a provided between the device side electrode 12a and the substrate side electrode 14a. The elastic member 18a includes a device-side insulating plate 20a provided along the device-side electrode 12a, a substrate-side insulating plate 22a provided along the substrate-side electrode 14a, and one end at the end of the device-side insulating plate 20a. And a connection plate 24a having the other end connected to the end of the substrate-side insulating plate 22a.
[0023]
The device side insulating plate 20a, the substrate side insulating plate 22a, and the connection plate 24a may be integrally formed of an insulating material such as polyimide. Moreover, the device side electrode 12a, the board | substrate side electrode 14a, and the transmission line 16a may be integrally formed, for example with metal films, such as copper foil, and may be provided in the surface of the elastic member 18a. The device-side electrode 12a, the substrate-side electrode 14a, the transmission line 16a, and the elastic member 18a are bonded to each other with a polyimide film and a copper foil, etched into a predetermined pattern shape, and then a gold having a cavity and a core. It is manufactured by bending so as to form a substantially U shape using a mold, and finally cutting into a predetermined outer shape. In the bending process, the shape after processing may be stabilized by performing heat treatment.
[0024]
The contact 10a further includes an elastic support 26a sandwiched between the device-side insulating plate 20a and the substrate-side insulating plate 22a. The elastic support 26a is formed of a material such as urethane foam, silicon rubber, urethane rubber, or epoxy resin. Since the elastic support 26a is obtained by filling a mold with a liquid material and molding the mold into substantially the same shape as the mold, the elastic support 26a is excellent in dimensional accuracy and shape stability. On the other hand, since the bending process described above, which is an example of a method for producing the elastic member 18a, easily varies in bending angle, the distance between the device-side insulating plate 20a and the substrate-side insulating plate 22a is likely to vary.
[0025]
Therefore, the shape of the elastic member 18a is corrected using the excellent dimensional accuracy and shape stability of the elastic support 26a. First, when the shape of the elastic member 18a varies in the direction in which the distance between the device-side insulating plate 20a and the substrate-side insulating plate 22a increases, the elastic support 26a is placed on the device-side insulating plate 20a and the substrate-side insulating plate 22a. By being fixed, the device-side insulating plate 20a and the substrate-side insulating plate 22a are corrected so as to be substantially evenly spaced and substantially parallel. The means for fixing may be adhesion, ultrasonic welding, or heat welding, or may be fixing by insert molding. Further, when the shape of the elastic member 18a varies in the direction in which the distance between the device-side insulating plate 20a and the substrate-side insulating plate 22a is narrowed, the elastic support 26a includes the device-side insulating plate 20a, the substrate-side insulating plate 22a, and the like. By pressing the device-side insulating plate 20a and the substrate-side insulating plate 22a in the direction of increasing the distance between the device-side insulating plate 20a and the substrate-side insulating plate 22a, the device-side insulating plate 20a and the substrate-side insulating plate 22a are corrected to be substantially uniform and substantially parallel.
[0026]
The elastic support 26a is bent in the direction of the connection plate 24a with respect to the direction from the device-side insulating plate 20a to the substrate-side insulating plate 22a. The device-side insulating plate 20a, the connecting plate 24a, and the elastic support 26a form a gap 28a, and the substrate-side insulating plate 22a, the connecting plate 24a, and the elastic support 26a form a gap 30a. To do. The elastic support 26a may not be bent, but may be cut out in a direction substantially perpendicular to the direction from the device-side insulating plate 20a to the substrate-side insulating plate 22a. The elastic support 26a includes a protruding portion 32a protruding from the device-side insulating plate 20a and the substrate-side insulating plate 22a. The protrusion 32a is made of an insulating material and thus has an insulating property.
[0027]
The contact 10a having the above configuration is easily manufactured because the device side electrode 12a, the substrate side electrode 14a, and the transmission line 16a are bonded to the elastic member 18a, and the processing accuracy is improved. Cost reduction can be realized. Moreover, since the elastic support body 26a is provided, the distance between the device side electrode 12a and the substrate side electrode 14a can be kept uniform. Therefore, the timing at which the solder ball 202 contacts the device-side electrode 12a can be made constant.
[0028]
FIG. 4 shows another example of the configuration of the contact 10a. Here, only parts different from the example of the contact 10a described in FIG. 3 will be described.
The connection plate 24a is bent in the direction of the elastic support 26a with respect to the direction from the device-side insulating plate 20a to the substrate-side insulating plate 22a. The elastic support 26a is provided in a direction substantially the same as the direction in which the connection plate 24a is bent, and is bent at an angle that is sharper than the angle at which the connection plate 24a is bent. Further, the elastic support 26a may be provided in such a manner that a portion facing the connection plate 24a is notched into a dogleg shape at an acute angle than the bent angle of the connection plate 24a, instead of being bent.
[0029]
When the device-side electrode 12a is pressed in the direction from the device-side electrode 12a to the substrate-side electrode 14a, the elastic support body 26a bent in advance in the same direction as the direction in which the connection plate 24a is bent is connected The plate 24a is further bent in the same direction as the direction in which the plate 24a is further bent. In this case, since the elastic support 26a is bent at an acute angle with respect to the bent angle of the connection plate 24a, the bent portion of the connection plate 24a and the elastic support 26a are not in contact with each other and deformed independently.
[0030]
FIG. 5 shows an example of a state in which the contact 10 a and the contact 10 b according to the present embodiment connect the IC 200 and the socket board 206. The contact 10b of the plurality of contacts 10 has the same configuration as the contact 10a, and is provided on the device side electrode 12b in contact with the IC 200 and on the substrate side in contact with the device board electrode 12b and in contact with the socket board 206. An electrode 14b, a transmission line 16b that electrically connects the device side electrode 12b and the substrate side electrode 14b, a device side insulating plate 20b provided along the device side electrode 12b, and a substrate side electrode 14b. A substrate side insulating plate 22b, and a connection plate 24b having one end connected to the end of the device side insulating plate 20b and the other end connected to the end of the substrate side insulating plate 22b. And an elastic member 18b provided between the electrodes 14b. The contact 10a and the contact 10b are adjacent to each other with the protruding portion 32a and the transmission line 16b in contact with each other.
[0031]
When the IC 200 is pushed in the direction of the socket board 206, the device side electrode 12a is pushed in the direction from the device side electrode 12a to the substrate side electrode 14a. At the same time, the device-side insulating plate 20a is pushed in the direction from the device-side insulating plate 20a to the substrate-side insulating plate 22a. And the elastic support body 26a is bent at a notched portion, or is further bent at a previously bent portion. In this case, the connecting plate 24a bends when the tip of the bent portion of the elastic support 26a pushes the inner wall surface of the connecting plate 24a in a direction substantially perpendicular to the pressing direction. The device-side insulating plate 20a is bent from the device-side insulating plate 20a to the substrate-side insulating plate by bending the connecting plate 24a outward while the elastic support 26a supports the inner wall surface of the device-side insulating plate 20a. Translate in the direction to 22a. Further, the elastic member 18a translates the device side electrode 12a in the direction from the device side electrode 12a to the substrate side electrode 14a when the device side insulating plate 20a moves in the above direction. Further, the device-side insulating plate 20a, the connecting plate 24a, and the elastic support 26a form a gap 28a, so that the angle formed by the device-side insulating plate 20a and the connecting plate 24a is in the elastic support 26a. Deforms unhindered. Further, the substrate-side insulating plate 22a, the connecting plate 24a, and the elastic support 26a form a gap 30a, so that the angle formed by the substrate-side insulating plate 22a and the connecting plate 24a is obstructed by the elastic support 26a. It transforms without being done. The contact 10a is deformed as described above to ensure stable conduction between the solder ball 202a and the device side electrode 12a, and the substrate side electrode 14a and the land 208a, and electrically connect the solder ball 202a and the land 208a. . Further, the contact 10b electrically connects the solder ball 202b and the land 208b in the same manner as the contact 10a.
[0032]
The elastic supports 26a and 26b are formed of a material having an elastic coefficient different from that of the elastic members 18a and 18b. The material of the elastic supports 26a and 26b is selected according to the mounting restrictions of the IC socket 100 and the characteristics required for the contacts 10a and 10b. As an example, when the IC socket 100 is used at a high temperature or when high durability is required for the contact 10a and the contact 10b, the elastic supports 26a and 26b are excellent in heat resistance and have compressive residual strain. It is preferable to form with little silicon rubber.
[0033]
As another example, when the strokes of the contacts 10a and 10b are relatively large, the elastic supports 26a and 26b are formed of a foamed resin having a relatively low elastic coefficient such as neoprene foam or urethane foam. It is preferable. When the elastic coefficients of the elastic supports 26a and 26b are low, the elastic coefficient of the contact 10a in the direction from the device side electrode 12a to the substrate side electrode 14a and the elasticity of the contact 10b in the direction from the device side electrode 12b to the substrate side electrode 14b. The coefficient is relatively low. Accordingly, even when the strokes of the contacts 10a and 10b are different due to the variation in the height of the solder balls 202a and 202b or the variation in the height of the contacts 10a and 10b, the reaction applied to the solder balls 202a and 202b. The difference in force is kept relatively low. As a result, the stress applied to the plurality of solder balls 202 does not increase locally, and damage to the solder balls 202 and the IC 200 can be prevented.
[0034]
When the contact 10b connects the solder ball 202b and the land 208b, the connection plate 24b and the transmission line 16b bend in the direction of the elastic support 26a as the solder ball 202b presses the device side electrode 12b. Here, since the elastic support 26a forms a gap larger than the bending size of the connection plate 24b and the transmission line 16b between the connection plate 24b and the portion where the transmission line 16b is bent, the contact 10a and the contact 10a are in contact with each other. 10b operate independently without interfering with each other.
[0035]
The contact 10a configured as described above contacts the solder ball 202a and the land 208a with a predetermined load and stroke while keeping the device-side electrode 12a and the base-side electrode 14a substantially parallel. Can be electrically connected stably. Further, since the contact 10a has a small number of parts and a simple structure, the contact 10a can be easily reduced in size, pitch, and cost. Further, the contact 10a makes the contact 10a and the contact 10b narrow without causing a short circuit and operation interference with the contact 10b by bringing the projecting portion 32a having an insulating property into contact with the transmission line 16a of the adjacent contact 10b. They can be arranged at a pitch. Further, by reducing the distance between the device side electrode 12a and the substrate side electrode 14a, the inductance component can be kept low.
[0036]
FIG. 6 shows another example in which the contact 10 a and the contact 10 b according to the present embodiment connect the IC 200 and the substrate 206. Since the contact 10b connects the IC 200 and the socket board 206 with the same mechanism as the contact 10a, description thereof is omitted. In the contact 10a, when the solder ball 202 depresses the device side electrode 12a, the connection plate 24a bent in the direction of the elastic support 26a is further bent in the direction of the elastic support 26a. And the elastic support body 26a bent in the same direction as the direction in which the connection plate 24a is bent in advance is further bent in the same direction as the direction in which the connection plate 24a is further bent. In this case, since the elastic support 26a is bent at an acute angle with respect to the bent angle of the connection plate 24a, the bent portion of the connection plate 24a and the elastic support 26a are not in contact with each other and deformed independently. . Further, the surface of the elastic support 26a facing the transmission line 16b is provided with an obtuse angle than the bent angle of the transmission line 16b, and the bent portion of the elastic support 26a and the transmission line 16b are in contact with each other. Instead, it deforms independently.
[0037]
Accordingly, the contact 10a according to the present example contacts the solder ball 202a and the land 208a with a predetermined load and stroke while keeping the device side electrode 12a and the base side electrode 14a substantially parallel, so that the IC 200 and the socket board 206 are contacted. Can be electrically connected stably. Further, the contacts 10a and 10b can be arranged at a narrow pitch without causing short circuit and operation interference with each other.
[0038]
FIG. 7 is a view of an example of a state in which the contact 10a and the contact 10c according to the present embodiment are provided adjacent to each other, as viewed from the direction of the elastic support 26a. The elastic support body 26a and the elastic support body 26c are integrally provided. Therefore, since the contact 10a and the contact 10c are handled as a single body while maintaining a predetermined distance, they are easy to handle and can be arranged at a uniform and narrow pitch.
[0039]
FIG. 8 is a view of an example of a state in which the contact 10a and the contact 10c according to the present embodiment are provided adjacent to each other, as viewed from the direction of the transmission line 16a. By providing the connection plate 24a and the connection plate 24c integrally, the elastic member 18a and the elastic member 18c are handled as a single unit. Therefore, since the contact 10a and the contact 10c are handled as a single body while maintaining a predetermined distance, they are easy to handle and can be arranged at a uniform and narrow pitch. Further, by separating the device-side insulating plate 20a and the device-side insulating plate 20c, the deformation of the device-side insulating plate 20a and the device-side insulating plate 20c in the direction from the IC 200 to the socket board 206 is independent. Accordingly, the contact 10a and the contact 10c reliably contact the solder ball 202 even when the height of the solder ball 202 is not uniform.
[0040]
The transmission line 16a is a metal film cut out in a predetermined pattern, for example, obtained by etching a copper foil. Further, since the transmission line 16a is thin, the shape of the transmission line 16a does not substantially affect the elastic modulus of the contact 10a. The transmission line 16a is formed with a predetermined impedance according to the shape of the etching pattern. Therefore, the contact 10a is formed with a desired impedance between the device-side electrode 12a and the substrate-side electrode 14a without substantially changing the spring characteristics of the contact 10a in the direction from the IC 200 to the socket board 206. Is done.
[0041]
FIG. 9 shows an example in which a plurality of contacts 10 are arranged in a grid according to the terminal arrangement of the IC 200. The plurality of contacts 10 arranged in the X direction shown in FIG. 9 are arranged as described in FIG. 5 and can be provided integrally. Further, the plurality of contacts 10 arranged in the Y direction shown in FIG. 9 are arranged in contact with each other as described in FIG. Therefore, the plurality of contacts 10 are arranged at a narrow pitch in a grid shape corresponding to the terminal arrangement of the IC 200. Moreover, the assembly at the time of manufacture can be made easy by integrally providing the plurality of contacts 10 arranged in the X direction.
[0042]
FIG. 10 shows an example of a cross section of the device side electrode 12a and the device side insulating plate 20a. The device-side electrode 12a includes a copper foil 300 bonded to the device-side insulating plate 20a made of polyimide film or the like, a metal fine particle layer 302 on which metal fine particles are deposited, and a metal film formed on the surface of the metal fine particle layer 302. And a plating layer 304 as an example. The metal fine particles 306 are conductive magnetic particles having a relatively high hardness and made of nickel, cobalt, iron or the like having an average particle diameter of 40 μm, and are obtained by cutting a material into a rotationally symmetric shape with an acute tip. When the metal fine particles 306 are deposited on the surface of the copper foil 300, a magnetic field substantially parallel to the surface of the copper foil 300 is applied to the surface of the copper foil 300 in a substantially normal direction, thereby The orientation is aligned with the direction. Then, a plating layer 304 obtained by, for example, electrolytic plating is deposited on the surface of the aligned metal fine particles 306. The plating layer 304 is preferably formed of gold, palladium, rhodium, ruthenium, or the like, which has a low contact resistance with the contact and has excellent corrosion resistance and wear resistance.
[0043]
The surface of the device-side electrode 12 a generated in this way has a fine uneven shape according to the shape of the metal fine particles 306. The contact pressure distribution when the device-side electrode 12a comes into contact with the solder ball 202 with a predetermined load is determined based on the surface shape of the device-side electrode 12a. That is, the contact pressure of the convex portion corresponding to the apex of the metal fine particles 306 is locally increased. The device-side electrode 12a can break through the oxide film formed on the surface of the solder ball 202 by this locally high contact pressure, and can maintain a stable low contact resistance.
[0044]
As mentioned above, although this invention was demonstrated using embodiment, the technical scope of this invention is not limited to the range as described in the said embodiment. Various modifications or improvements can be added to the above embodiment. It is apparent from the scope of the claims that the embodiments added with such changes or improvements can be included in the technical scope of the present invention.
[0045]
【The invention's effect】
As is apparent from the above description, according to the present invention, it is possible to provide an IC socket including a contact for connecting an IC and a substrate, which can reduce pitch with a low inductance.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an exploded perspective view of an IC holder 500 according to the present embodiment.
FIG. 2 is a diagram showing an example of an outer shape of an IC 200 according to the present embodiment.
FIG. 3 is a structural diagram showing an example of a contact 10a provided in the IC socket 100 according to the present embodiment.
FIG. 4 is a structural diagram showing another example of a contact 10a provided in the IC socket 100 according to the present embodiment.
FIG. 5 is a diagram illustrating an example of a state in which the contact 10a and the contact 10b according to the present embodiment connect the IC 200 and the substrate 206. FIG.
6 is a diagram showing another example of a state in which the contact 10a and the contact 10b according to the present embodiment connect the IC 200 and the substrate 206. FIG.
7 is a view of an example of a state in which a contact 10a and a contact 10c according to the present embodiment are provided adjacent to each other, as viewed from the direction of an elastic support 26a. FIG.
FIG. 8 is a view of an example of a state in which a contact 10a and a contact 10c according to the present embodiment are provided adjacent to each other, as viewed from the direction of a transmission line 16a.
9 is a diagram showing an example of a state in which a plurality of contacts 10 are arranged according to the terminal arrangement of the IC 200. FIG.
FIG. 10 is a diagram showing a cross-sectional configuration of a device-side electrode 12a according to the present embodiment.
[Explanation of symbols]
10 ... Contact 12 ... Device side electrode
14 ... Substrate side electrode 16 ... Transmission line
18 ... elastic member 20 ... device side insulating plate
22 ... Insulating board on substrate side 24 ... Connecting board
26 ... Elastic support 32 ... Projection
100 ... IC socket 200 ... IC
203 ... Insert 204 ... Socket guide
206 ... Socket board 208 ... Land
210 ... Pressure head 300 ... Copper foil
304 ... plating layer 306 ... metal fine particles

Claims (28)

ＩＣと基板とを接続する第１のコンタクトを備えるＩＣソケットであって、
前記第１のコンタクトは、
前記ＩＣと接触する第１のデバイス側電極と、
前記第１のデバイス側電極と対向して設けられ、前記基板と接触する第１の基板側電極と、
前記第１のデバイス側電極と前記第１の基板側電極とを電気的に接続する第１の伝送線路と、
前記第１のデバイス側電極と前記第１の基板側電極との間に設けられた絶縁性の第１の弾性体と、
前記第１のデバイス側絶縁板と前記第１の基板側絶縁板とに挟まれた第１の弾性支持体と
を有し、
前記第１の弾性体は、
前記第１のデバイス側電極に沿って設けられた第１のデバイス側絶縁板と、
前記第１の基板側電極に沿って設けられた第１の基板側絶縁板と、
一端が前記第１のデバイス側絶縁板の端部に接続され、他端が前記第１の基板側絶縁板の端部に接続された第１の接続板と
を含む第１の弾性部材であり、
前記第１のデバイス側絶縁板と、前記第１の基板側絶縁板と、前記第１の接続板とは、実質的にコの字形状をなすように接続され、
前記第１のデバイス側電極、前記第１の基板側電極、前記第１のデバイス側絶縁板および前記第１の基板側絶縁板は、前記ＩＣおよび前記基板に接触する方向に垂直な平板形状を有し、
前記第１の弾性支持体は、前記第１のデバイス側絶縁板と前記第１の基板側絶縁板とを略平行に保ち、
前記第１のデバイス側電極が、前記第１のデバイス側電極から前記第１の基板側電極への方向に押下された場合に、前記第１の弾性部材は、前記第１のデバイス側電極を前記方向に平行移動させるべく変形するとともに、前記第１の弾性支持体は、前記第１のデバイス側絶縁板を前記方向に平行移動させるべく変形することを特徴とするＩＣソケット。An IC socket comprising a first contact for connecting an IC and a substrate,
The first contact is:
A first device side electrode in contact with the IC;
A first substrate-side electrode provided opposite to the first device-side electrode and in contact with the substrate;
A first transmission line that electrically connects the first device side electrode and the first substrate side electrode;
An insulating first elastic body provided between the first device side electrode and the first substrate side electrode ;
A first elastic support body sandwiched between the first device-side insulating plate and the first substrate-side insulating plate ;
The first elastic body is:
A first device-side insulating plate provided along the first device-side electrode;
A first substrate-side insulating plate provided along the first substrate-side electrode;
A first connection plate having one end connected to an end of the first device-side insulating plate and the other end connected to an end of the first substrate-side insulating plate;
A first elastic member including
The first device side insulating plate, the first substrate side insulating plate, and the first connection plate are connected so as to form a substantially U-shape,
The first device-side electrode, the first substrate-side electrode, the first device-side insulating plate, and the first substrate-side insulating plate have a flat plate shape perpendicular to a direction in contact with the IC and the substrate. Have
The first elastic support body keeps the first device-side insulating plate and the first substrate-side insulating plate substantially parallel,
When the first device side electrode is pressed in the direction from the first device side electrode to the first substrate side electrode, the first elastic member causes the first device side electrode to The IC socket is deformed so as to be translated in the direction, and the first elastic support body is deformed so as to translate the first device-side insulating plate in the direction . 前記第１のデバイス側電極と、前記第１の基板側電極と、前記伝送線路とは、一体に形成されることを特徴とする請求項１に記載のＩＣソケット。2. The IC socket according to claim 1, wherein the first device-side electrode, the first substrate-side electrode, and the transmission line are integrally formed. 前記第１のデバイス側絶縁板と、前記第１の基板側絶縁板と、前記第１の接続板とは、一体に形成されることを特徴とする請求項１に記載のＩＣソケット。2. The IC socket according to claim 1, wherein the first device-side insulating plate, the first substrate-side insulating plate, and the first connection plate are integrally formed. 前記第１のデバイス側電極、前記第１の基板側電極、及び前記第１の伝送線路は、前記第１の弾性部材の表面に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のＩＣソケット。2. The IC according to claim 1, wherein the first device side electrode, the first substrate side electrode, and the first transmission line are provided on a surface of the first elastic member. socket. 前記第１の接続板は、前記第１のデバイス側絶縁板から前記第１の基板側絶縁板への方向に対して屈曲していることを特徴とする請求項１に記載のＩＣソケット。2. The IC socket according to claim 1, wherein the first connection plate is bent with respect to a direction from the first device-side insulating plate to the first substrate-side insulating plate. 前記第１の伝送線路は、前記第１の接続板の表面に設けられた、切り欠きを持つ金属膜であることを特徴とする請求項１に記載のＩＣソケット。2. The IC socket according to claim 1, wherein the first transmission line is a metal film having a notch provided on a surface of the first connection plate. 前記第１の弾性支持体は、前記第１のデバイス側絶縁板及び前記第１の基板側絶縁板に固着されていることを特徴とする請求項１に記載のＩＣソケット。2. The IC socket according to claim 1, wherein the first elastic support is fixed to the first device-side insulating plate and the first substrate-side insulating plate. 前記第１の弾性支持体は、前記第１のデバイス側絶縁板と前記第１の基板側絶縁板との間隔を広げる方向に前記第１のデバイス側絶縁板及び前記第１の基板側絶縁板を押圧することを特徴とする請求項１に記載のＩＣソケット。The first elastic support member includes the first device-side insulating plate and the first substrate-side insulating plate in a direction in which a gap between the first device-side insulating plate and the first substrate-side insulating plate is increased. The IC socket according to claim 1, wherein the IC socket is pressed. 前記第１の弾性支持体は、前記第１のデバイス側絶縁板から前記第１の基板側絶縁板への方向に対して屈曲していることを特徴とする請求項１に記載のＩＣソケット。2. The IC socket according to claim 1, wherein the first elastic support is bent with respect to a direction from the first device-side insulating plate to the first substrate-side insulating plate. 前記第１の弾性支持体は、前記第１のデバイス側絶縁板から前記第１の基板側絶縁板への方向に対して略垂直な方向へ切り欠かれていることを特徴とする請求項１に記載のＩＣソケット。The first elastic support according to claim characterized in that it is cut out into a direction substantially perpendicular to the direction from the first device-side insulating plate to the first substrate side insulating plate 1 IC socket according to. 前記第１の接続板は、前記第１のデバイス側絶縁板が前記第１のデバイス側絶縁板から前記第１の基板側絶縁板への方向に押下された場合に屈曲し、
前記第１の接続板の屈曲する部分と、前記第１の弾性支持体とは接触しないことを特徴とする請求項１に記載のＩＣソケット。The first connection plate is bent when the first device-side insulating plate is pressed in a direction from the first device-side insulating plate to the first substrate-side insulating plate,
2. The IC socket according to claim 1, wherein the bent portion of the first connection plate does not contact the first elastic support. 3. 前記第１の接続板は、前記第１の弾性支持体の方向に屈曲しており、前記第１の弾性支持体は、前記第１の接続板が屈曲した方向と実質的に同一方向に屈曲していることを特徴とする請求項１に記載のＩＣソケット。The first connecting plate is bent in the direction of the first elastic support, and the first elastic support is bent in substantially the same direction as the direction in which the first connecting plate is bent. The IC socket according to claim 1, wherein: 前記第１の弾性支持体は、前記第１の接続板の屈曲した角度よりも鋭角に屈曲していることを特徴とする請求項１２に記載のＩＣソケット。The IC socket according to claim 12, wherein the first elastic support is bent at an acute angle with respect to the bent angle of the first connection plate. 前記第１の弾性支持体は、前記第１のデバイス側絶縁板が、前記第１のデバイス側絶縁板から前記第１の基板側絶縁板への方向に押下された場合に、前記方向に対して略垂直な方向に、前記第１の接続板を押すことを特徴とする請求項１に記載のＩＣソケット。The first elastic support is configured so that the first device-side insulating plate is pressed against the direction when the first device-side insulating plate is pressed in the direction from the first device-side insulating plate to the first substrate-side insulating plate. The IC socket according to claim 1, wherein the first connection plate is pushed in a substantially vertical direction. 前記第１のデバイス側絶縁板と、前記第１の接続板と、前記第１の弾性支持体とが、隙間を形成し、
前記第１の基板側絶縁板と、前記第１の接続板と、前記第１の弾性支持体とが、隙間を形成することを特徴とする請求項１に記載のＩＣソケット。The first device-side insulating plate, the first connection plate, and the first elastic support form a gap,
2. The IC socket according to claim 1, wherein the first substrate-side insulating plate, the first connection plate, and the first elastic support form a gap. 前記第１の弾性部材と前記第１の弾性支持体とは、弾性係数が異なる材料で形成されることを特徴とする請求項１に記載のＩＣソケット。2. The IC socket according to claim 1, wherein the first elastic member and the first elastic support are formed of materials having different elastic coefficients. 前記第１の弾性支持体は、前記第１のデバイス側絶縁板及び前記第１の基板側絶縁板よりも突出した突出部を含むことを特徴とする請求項１に記載のＩＣソケット。2. The IC socket according to claim 1, wherein the first elastic support includes a protruding portion protruding from the first device-side insulating plate and the first substrate-side insulating plate. 前記突出部は、絶縁性を有することを特徴とする請求項１７に記載のＩＣソケット。The IC socket according to claim 17, wherein the protrusion has an insulating property. 前記ＩＣソケットは、
前記ＩＣと接触する第２のデバイス側電極と、
前記第２のデバイス側電極と対向して設けられ、前記基板と接触する第２の基板側電極と、
前記第２のデバイス側電極と前記第２の基板側電極とを電気的に接続する第２の伝送線路と、
前記第２のデバイス側電極に沿って設けられた第２のデバイス側絶縁板、前記第２の基板側電極に沿って設けられた第２の基板側絶縁板、及び一端が前記第２のデバイス側絶縁板の端部に接続され、他端が前記第２の基板側絶縁板の端部に接続された第２の接続板を含み、前記第２のデバイス側電極と前記第２の基板側電極との間に設けられた、絶縁性の第２の弾性部材とを有する第２のコンタクトを更に備え、
前記突出部は前記第２の伝送線路に接触することを特徴とする請求項１８に記載のＩＣソケット。The IC socket is
A second device side electrode in contact with the IC;
A second substrate-side electrode provided opposite to the second device-side electrode and in contact with the substrate;
A second transmission line for electrically connecting the second device side electrode and the second substrate side electrode;
A second device-side insulating plate provided along the second device-side electrode, a second substrate-side insulating plate provided along the second substrate-side electrode, and one end of the second device A second connecting plate connected to the end of the side insulating plate and having the other end connected to the end of the second substrate side insulating plate, the second device side electrode and the second substrate side A second contact having an insulating second elastic member provided between the electrode and the electrode;
The IC socket according to claim 18, wherein the protruding portion contacts the second transmission line. 前記ＩＣソケットは、
前記ＩＣと接触する第２のデバイス側電極と、
前記第２のデバイス側電極と対向して設けられ、前記基板と接触する第２の基板側電極と、
前記第２のデバイス側電極と前記第２の基板側電極とを電気的に接続する第２の伝送線路と、
前記第２のデバイス側電極に沿って設けられた第２のデバイス側絶縁板、前記第２の基板側電極に沿って設けられた第２の基板側絶縁板、及び一端が前記第２のデバイス側絶縁板の端部に接続され、他端が前記第２の基板側絶縁板の端部に接続された第２の接続板を含み、前記第２のデバイス側電極と前記第２の基板側電極との間に設けられた、絶縁性の第２の弾性部材と、
前記第２のデバイス側絶縁板と前記第２の基板側絶縁板とに挟まれた第２の弾性支持体とを有する第２のコンタクトを更に備え、
前記第１の弾性支持体と前記第２の弾性支持体とは、一体に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のＩＣソケット。The IC socket is
A second device side electrode in contact with the IC;
A second substrate-side electrode provided opposite to the second device-side electrode and in contact with the substrate;
A second transmission line for electrically connecting the second device side electrode and the second substrate side electrode;
A second device-side insulating plate provided along the second device-side electrode, a second substrate-side insulating plate provided along the second substrate-side electrode, and one end of the second device A second connecting plate connected to the end of the side insulating plate and having the other end connected to the end of the second substrate side insulating plate, the second device side electrode and the second substrate side An insulating second elastic member provided between the electrodes;
A second contact having a second elastic support sandwiched between the second device-side insulating plate and the second substrate-side insulating plate;
2. The IC socket according to claim 1, wherein the first elastic support and the second elastic support are provided integrally. 前記ＩＣソケットは、
前記ＩＣと接触する第２のデバイス側電極と、
前記第２のデバイス側電極と対向して設けられ、前記基板と接触する第２の基板側電極と、
前記第２のデバイス側電極と前記第２の基板側電極とを電気的に接続する第２の伝送線路と、
前記第２のデバイス側電極と前記第２の基板側電極との間に設けられた絶縁性の第２の弾性部材と
を有する第２のコンタクトを更に備え、
前記第１の弾性部材と前記第２の弾性部材とは、一体に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のＩＣソケット。The IC socket is
A second device side electrode in contact with the IC;
A second substrate-side electrode provided opposite to the second device-side electrode and in contact with the substrate;
A second transmission line for electrically connecting the second device side electrode and the second substrate side electrode;
A second contact having an insulating second elastic member provided between the second device side electrode and the second substrate side electrode;
The IC socket according to claim 1, wherein the first elastic member and the second elastic member are provided integrally. 前記第２の弾性部材は、
前記第２のデバイス側電極に沿って設けられた第２のデバイス側絶縁板と、
前記第２の基板側電極に沿って設けられた第２の基板側絶縁板と、
一端が前記第２のデバイス側絶縁板の端部に接続され、他端が前記第２の基板側絶縁板の端部に接続された第２の接続板とを含み、
前記第１の接続板と前記第２の接続板とは、一体に設けられていることを特徴とする請求項２１に記載のＩＣソケット。The second elastic member is
A second device-side insulating plate provided along the second device-side electrode;
A second substrate-side insulating plate provided along the second substrate-side electrode;
A second connection plate having one end connected to the end of the second device-side insulating plate and the other end connected to the end of the second substrate-side insulating plate;
The IC socket according to claim 21, wherein the first connection plate and the second connection plate are provided integrally. 前記第１のデバイス側電極は、金属微粒子からなる金属微粒子層を有することを特徴とする請求項１に記載のＩＣソケット。The IC socket according to claim 1, wherein the first device-side electrode has a metal fine particle layer made of metal fine particles. 前記第１のデバイス側電極は、前記金属微粒子層の表面に形成された金属膜を更に有することを特徴とする請求項２３に記載のＩＣソケット。24. The IC socket according to claim 23, wherein the first device side electrode further includes a metal film formed on a surface of the metal fine particle layer. 前記金属微粒子は、導電性の磁性体であることを特徴とする請求項２４に記載のＩＣソケット。25. The IC socket according to claim 24, wherein the metal fine particles are a conductive magnetic material. 前記金属微粒子は、鋭角な先端を持つことを特徴とする請求項２４に記載のＩＣソケット。25. The IC socket according to claim 24, wherein the metal fine particles have a sharp tip. 前記金属微粒子は、前記先端が前記第１のデバイス側電極の法線方向に向いていることを特徴とする請求項３１に記載のＩＣソケット。32. The IC socket according to claim 31 , wherein the tip of the metal fine particle is oriented in a normal direction of the first device side electrode. ＩＣと基板とを接続する第１のコンタクトを備えるＩＣソケットの前記第１のコンタクトを製造する製造方法であって、A manufacturing method for manufacturing the first contact of an IC socket including a first contact for connecting an IC and a substrate,
前記ＩＣと接触する第１のデバイス側電極と、前記第１のデバイス側電極と対向して設けられ、前記基板と接触する第１の基板側電極と、前記第１のデバイス側電極と前記第１の基板側電極とを電気的に接続する第１の伝送線路とを金属膜により一体的に形成し、A first device side electrode in contact with the IC; a first substrate side electrode in contact with the substrate; provided in contact with the first device side electrode; the first device side electrode; A first transmission line that is electrically connected to one substrate side electrode is integrally formed of a metal film;
前記第１のデバイス側電極に沿って設けられた第１のデバイス側絶縁板と、前記第１の基板側電極に沿って設けられた第１の基板側絶縁板と、一端が前記第１のデバイス側絶縁板の端部に接続され、他端が前記第１の基板側絶縁板の端部に接続された第１の接続板とを有する第１の弾性体を一体的に形成し、A first device-side insulating plate provided along the first device-side electrode; a first substrate-side insulating plate provided along the first substrate-side electrode; and one end of the first device-side insulating plate provided along the first substrate-side electrode A first elastic body integrally connected to the end portion of the device-side insulating plate and having the other end connected to the end portion of the first substrate-side insulating plate;
前記第１のデバイス側電極、前記第１の基板側電極および前記第１の伝送線路と、前記第１の弾性体とを張り合わせ、Bonding the first device side electrode, the first substrate side electrode and the first transmission line, and the first elastic body,
前記第１のデバイス側電極、前記第１の基板側電極、前記第１のデバイス側絶縁板および前記第１の基板側絶縁板は、前記ＩＣおよび前記基板に接触する方向に垂直な平板形状となるように、実質的にコの字形状をなすように曲げ加工し、The first device-side electrode, the first substrate-side electrode, the first device-side insulating plate, and the first substrate-side insulating plate have a flat plate shape perpendicular to a direction in contact with the IC and the substrate. Bend so that it is substantially U-shaped,
第１の弾性支持体を金型により成型し、Molding the first elastic support with a mold;
前記第１の弾性支持体を前記第１のデバイス側絶縁板と前記第１の基板側絶縁板との間The first elastic support is interposed between the first device-side insulating plate and the first substrate-side insulating plate. に配する製造方法。Manufacturing method to be distributed to.
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