JP3781580B2 - Pattern correction device - Google Patents

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  • Laser Beam Processing (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明はパターン修正装置に関し、特に、プラズマディスプレイのリブ(隔壁)の製造工程において発生するリブ欠け欠陥を修正するようなパターン修正装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
図4はプラズマディスプレイ(PDP)の構造要素であるリブの欠陥を修正する方法を説明するための図である。図4(a)において、プラズマディスプレイでは、ガラス基板21の上にリブ22が形成されている。リブ22はその高さが150μm程度,幅が60〜100μm程度で作製されるが、リブ22の一部が欠如したようなリブ欠け欠陥23が発生した場合、たとえば特開平8−29442号公報に記載された装置で修正が行なわれる。
【0003】
すなわち、リブ欠け欠陥23の両側の残存リブを利用し、塗布針31に修正用ペースト24を付着させて、図4(b)に示すようにリブ欠け欠陥23に塗布し、修正用ペースト24の表面張力による形状保持力によりリブ欠け部が再生される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上述の従来の方法では、修正ペースト24の粘度とリブ欠け欠陥23の幅との関係で修正可能なリブ欠け欠陥23の幅が制限されてしまい、200μm〜300μm程度の欠陥までしか満足な修正をすることができなかった。しかも、リブ欠け幅が大きい欠陥については、修正用ペースト24が欠け中央部で垂れてしまうため、本来必要とされるリブ高さを再現することができない。また、リブ幅も広くなってしまい、修正品位の点でも修正不良となってしまっていた。
【0005】
それゆえにこの発明の主たる目的は、比較的幅の大きな欠陥でも修正が可能なパターン修正装置を提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
この発明に係るパターン修正装置は、基板上に形成されたリブの欠陥部を修正するためのパターン修正装置であって、基板がその上に載置されて水平方向に移動するテーブルと、リブの一部が欠けたリブ欠け欠陥部に修正ペーストをはみ出る程度に塗布する針と、針を上下方向に移動可能な駆動機構と、塗布した修正ペーストのうちのリブの幅方向にはみ出た余分な修正ペーストを切除するためのレーザ照射機構と、リブの幅方向にはみ出た余分な修正ペーストを除去するためのスクラッチ針機構とを備えて構成される。
【0007】
好ましくは、レーザ照射機構は、さらに、リブ欠け欠陥部に塗布されて整形された修正ペーストを焼成する。このレーザ照射機構は、修正ペーストを焼成するための連続発振レーザと、余分な修正ペーストを切除するためのパルス発振レーザとを含む。
【0008】
また好ましくは、レーザ照射機構は、さらに、リブ欠け欠陥部に塗布されて整形された修正ペーストを焼成する。このレーザ照射機構は、修正ペーストを焼成するための連続発振と、余分な修正ペーストを切除するためのパルス発振とを切換可能なレーザを含む。
【0009】
また好ましくは、さらに塗布した修正ペーストの高さを整形するためのスキージング機構を含む。
【0010】
また好ましくは、さらにスクラッチ針機構によって除去された余分修正ペーストを吸引するためのバキューム機構を含む。
【0011】
また好ましくは、レーザ照射機構は、さらに、リブの一部が幅方向に膨れたリブ幅太り欠陥部のうちのリブの幅方向にはみ出た余分な部分を切除する。スクラッチ針機構は、さらに、リブの幅方向にはみ出た余分な部分を除去する。
【0012】
【発明の実施の形態】
図1はこの発明の一実施形態のパターン修正装置の全体の構成を示す図である。図1において、パターン修正装置を大きく分類すると、ペースト焼成用レーザ部を含む観察光学系1と、カット用レーザ部2と、導電性ペーストあるいは欠陥修正用インクを塗布する針からなるペースト塗布機構3と、はみ出したペーストをならすスキージ機構4と、余分な修正ペーストを除去するスクラッチ機構5と、修正ペーストを乾燥させるIR光源6と、欠陥を認識する画像処理機構7と、装置全体を制御するホストコンピュータ8と、装置機構部の動作を制御する制御用コンピュータ9とから構成される。さらに、その他にワークを搭載するXYテーブル10と、XYテーブル10上でワークを保持するチャック台11と、レーザ照射機構を上下に駆動するZ軸テーブル12などが設けられている。
【0013】
図2はこの発明の一実施形態によるリブ欠陥修正方法を説明するための図である。まず、リブ22の形成されたガラス基板21をXYテーブル10上に載置し、XYテーブル10を水平方向に移動させ、リブ欠け欠陥23がペースト塗布機構3の真下にくるように位置決めする。ペースト塗布機構3はたとえば特開平9−265007号公報の図8に示すような機構が用いられ、塗布針31に修正用ペースト4を付着させ、リブ欠け部23に塗布する。このとき、従来は修正用ペースト24がはみ出てしまうと後で修正する方法がなかったために、修正品位にそのまま影響してしまい、修正不良となってしまっていた。しかし、この実施形態では、図2(b)に示すように、修正箇所から修正ペースト24がはみ出る程度に塗布される。
【0014】
次に、図2(c)に示すように、スキージ機構4により、リブ頂点よりはみ出した修正ペースト24を整形するためにスキージングを行なう。次に、図2(d)に示すように、IR光源6により修正部分を照射して塗布した修正ペースト24を乾燥させる。
【0015】
次に、図2(e)に示すように、カット用レーザ部2からYLFレーザを塗布した修正ペースト24のはみ出した必要以外の部分に照射し、レーザカットして分離する。このとき、レーザカットのみではみ出し部分を除去する方法も考えられるが、はみ出し部下層には電極が設けられており、はみ出した修正ペースト部分のみを選択的に除去することは困難であった。
【0016】
これに対して、この実施形態では、下層電極部以外の部分をカットするため、下層電極部には悪影響を及ぼすことがない。ここでいう電極への悪影響とは、レーザカット時における電極への熱的影響または一部分カットによる電気的不具合の発生をいう。また、ここで用いるレーザは、Qスイッチ付きのジャイアントパルス発振レーザ(1pps〜20pps程度)ではなく、発振周波数が1000Hz〜5000Hz程度の疑似連続発振レーザを用いる。これはカットに要する時間を短縮するためである。
【0017】
次に、図2(f)に示すようにスクラッチ機構5を用いてはみ出し部を除去する。スクラッチ機構5にはスクラッチ針51が設けられており、このスクラッチ針51により修正ペースト24のはみ出し部を除去する。スクラッチ針51によるはみ出し部除去範囲下層には電極が設けられているが、スクラッチ針51による除去においては電極に悪影響を及ぼすことはない。スクラッチ機構部5にはバキューム機能(図示せず)が設けられており、スクラッチ針51により除去された修正ペーストのかすを吸引することが可能となっている。このため、修正後も修正箇所を清浄状態に保つことが可能となる。
【0018】
次に、図2(g)に示すようにリブ欠け欠陥部23に塗布した修正ペースト24を整形した後、この修正ペースト24の焼成を行なう。修正ペースト24の焼成は観察光学系部1に加えるLD(半導体レーザ)のようなペースト焼成用レーザを用いて行なう。ただし、焼成の方法は、修正用ペースト24を焼成可能な温度(550℃程度)まで上げる方法であれば、CW(連続発振)レーザまたは電気炉などを用いることはできる。
【0019】
また、上述の説明では、修正ペースト24を焼成するためのレーザと、レーザカットするためのカット用レーザ部2を別個に設けるようにしたが、これを1つのレーザで切換えるようにしてもよい。
【0020】
上述の工程により、リブ欠け欠陥23の修正が完了する。
なお、リブ22を形成するとき、図2(a)に示すようなリブ欠け欠陥23以外の図3に示すようにリブ幅方向に膨れたリブ幅太り欠陥を生ずる場合がある。この場合、前述したように、下層に電極があるためレーザカットによる修正方法を用いることができず、修正が困難となっていた。
【0021】
これに対して、この実施形態ではこのようなリブ幅太り欠陥についても、前述の図2(e),(f)に示すようにはみ出し部カットおよびはみ出し部除去の工程を適用することにより欠陥修正が可能となる。この場合、装置構成としては、図1に示したパターン修正装置において、ペースト塗布機構3と、観察光学系部1内に含まれるペースト焼成用レーザ部と、スキージ機構4と、IR光源6が不要となる以外は同一の構成の装置で修正が可能となる。
【0022】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【0023】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、欠陥部に修正ペーストをはみ出る程度に塗布し、塗布した修正ペーストを焼成し、はみ出た部分をレーザでカットし、カットした余分な修正ペーストを除去するようにしたので、従来修正可能な欠陥幅が200〜300μm程度であったものを、この発明を適用することにより300μm以上の欠陥の修正が可能となる。
【0024】
しかも、リブ欠陥幅方向の整形にレーザカットによる方法とスクラッチ機構を用いることにより下層電極に悪影響を及ぼさずに整形が可能となる。
【0025】
さらにスクラッチ機構にバキューム機能を持たせることにより、欠陥修正時に発生する修正かすを吸引除去することができ、修正後も修正箇所を清浄状態に保つことが可能となる。
【0026】
さらに、従来修正困難であったリブ幅太り欠陥の修正も可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施形態による装置の全体の構成を示す図である。
【図2】この発明の一実施形態によるリブ欠陥修正方法を示す図である。
【図3】リブ幅方向に膨れたリブ幅太り欠陥を示す図である。
【図4】従来のリブ欠け欠陥修正方法を示す図である。
【符号の説明】
1 観察光学系部
2 カット用レーザ部
3 ペースト塗布機構
4 スキージ機構
5 スクラッチ機構
6 IR光源
7 画像処理機構
8 ホストコンピュータ
9 制御用コンピュータ
10 XYテーブル
11 チャック台
12 Z軸テーブル
13 モニタ
21 ガラス基板
22 リブ
23 リブ欠け欠陥
24 修正用ペースト
31 塗布針
51 スクラッチ針
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a pattern correcting apparatus, and more particularly to a pattern correcting apparatus that corrects a rib chip defect that occurs in a manufacturing process of ribs (partitions) of a plasma display.
[0002]
[Prior art]
FIG. 4 is a view for explaining a method of correcting a defect of a rib which is a structural element of a plasma display (PDP). In FIG. 4A, in the plasma display, ribs 22 are formed on a glass substrate 21. The rib 22 is manufactured with a height of about 150 μm and a width of about 60 to 100 μm. If a rib chip defect 23 such that a part of the rib 22 is missing occurs, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-29 2 442. Corrections are made with the device described in the publication.
[0003]
That is, using the remaining ribs on both sides of the rib chip defect 23, the correction paste 24 is attached to the application needle 31 and applied to the rib chip defect 23 as shown in FIG. The rib missing portion is regenerated by the shape retention force due to the surface tension.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
In the conventional method described above, the width of the rib chip defect 23 that can be corrected is limited by the relationship between the viscosity of the correction paste 24 and the width of the rib chip defect 23, and a satisfactory correction can be made only up to a defect of about 200 μm to 300 μm. I couldn't. In addition, for defects having a large rib chip width, the correction paste 24 hangs down at the center of the chip, so that the originally required rib height cannot be reproduced. In addition, the rib width was widened, and the correction was poor in terms of correction quality.
[0005]
Therefore, a main object of the present invention is to provide a pattern correcting apparatus capable of correcting even a relatively large defect.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
A pattern correction apparatus according to the present invention is a pattern correction apparatus for correcting a defective portion of a rib formed on a substrate , and a table on which the substrate is placed and moved in a horizontal direction ; The needle that applies the correction paste to the defective part of the missing rib, the drive mechanism that can move the needle up and down, and the extra correction that protrudes in the rib width direction of the applied correction paste A laser irradiation mechanism for excising the paste and a scratch needle mechanism for removing excess correction paste protruding in the width direction of the rib are configured.
[0007]
Preferably, the laser irradiation mechanism further bakes the correction paste applied and shaped to the defect portion having the rib. This laser irradiation mechanism includes a continuous wave laser for firing the correction paste and a pulsed laser for cutting off the excess correction paste.
[0008]
Preferably, the laser irradiation mechanism further bakes the correction paste applied and shaped to the defective portion of the rib. This laser irradiation mechanism includes a laser capable of switching between continuous oscillation for firing the correction paste and pulse oscillation for cutting off the excess correction paste .
[0009]
Also preferably , a squeezing mechanism for shaping the height of the applied correction paste is further included.
[0010]
Also preferably, further includes a vacuum mechanism for sucking the excess modifications paste removed by scratching needle mechanism.
[0011]
Preferably, the laser irradiation mechanism further cuts off an excess portion protruding in the width direction of the rib among the rib width-thickening defect portions in which a part of the rib swells in the width direction. The scratch needle mechanism further removes an excessive portion protruding in the width direction of the rib .
[0012]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
FIG. 1 is a diagram showing the overall configuration of a pattern correction apparatus according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, the pattern correction apparatus is roughly classified into an observation optical system 1 including a paste firing laser part, a cutting laser part 2, and a paste application mechanism 3 including a needle for applying a conductive paste or defect correction ink. And a squeegee mechanism 4 for smoothing the protruding paste, a scratch mechanism 5 for removing excess correction paste, an IR light source 6 for drying the correction paste, an image processing mechanism 7 for recognizing defects, and a host for controlling the entire apparatus. It comprises a computer 8 and a control computer 9 that controls the operation of the device mechanism. In addition, an XY table 10 on which a workpiece is mounted, a chuck base 11 that holds the workpiece on the XY table 10, a Z-axis table 12 that drives the laser irradiation mechanism up and down, and the like are provided.
[0013]
FIG. 2 is a view for explaining a rib defect correcting method according to an embodiment of the present invention. First, the glass substrate 21 on which the ribs 22 are formed is placed on the XY table 10, the XY table 10 is moved in the horizontal direction, and the rib chip defect 23 is positioned so as to be directly below the paste application mechanism 3. For example, a mechanism as shown in FIG. 8 of Japanese Patent Laid-Open No. 9-265007 is used as the paste application mechanism 3, and the correction paste 4 is attached to the application needle 31 and applied to the rib notch 23. At this time, conventionally, when the correction paste 24 protrudes, there is no method for correcting it later, so that the correction quality is affected as it is, and the correction becomes defective. However, in this embodiment, as shown in FIG. 2B, the correction paste 24 is applied to the extent that the correction paste 24 protrudes from the correction portion.
[0014]
Next, as shown in FIG. 2C, squeegeeing is performed by the squeegee mechanism 4 in order to shape the correction paste 24 protruding from the rib apex. Next, as shown in FIG. 2D, the correction paste 24 applied by irradiating the correction portion with the IR light source 6 is dried.
[0015]
Next, as shown in FIG. 2 (e), the portion of the correction paste 24 to which the YLF laser is applied from the cutting laser unit 2 is irradiated to a portion other than the necessary portion, and laser cutting is performed for separation. At this time, a method of removing the protruding portion by laser cutting alone is also conceivable, but an electrode is provided in the lower layer of the protruding portion, and it is difficult to selectively remove only the protruding corrected paste portion.
[0016]
On the other hand, in this embodiment, since portions other than the lower electrode portion are cut, the lower electrode portion is not adversely affected. Here, the adverse effect on the electrode means the thermal influence on the electrode at the time of laser cutting or the occurrence of an electrical failure due to partial cutting. The laser used here is not a giant pulse oscillation laser with a Q switch (about 1 pps to 20 pps) but a pseudo continuous oscillation laser having an oscillation frequency of about 1000 Hz to 5000 Hz. This is to shorten the time required for cutting.
[0017]
Next, as shown in FIG. 2F, the protruding portion is removed using the scratch mechanism 5. The scratch mechanism 51 is provided with a scratch needle 51, and the protruding portion of the correction paste 24 is removed by the scratch needle 51. Although an electrode is provided in the lower layer of the protruding portion removal range by the scratch needle 51, the removal by the scratch needle 51 does not adversely affect the electrode. The scratch mechanism unit 5 is provided with a vacuum function (not shown), and can absorb the residue of the correction paste removed by the scratch needle 51. For this reason, it becomes possible to keep a correction location in a clean state even after correction.
[0018]
Next, as shown in FIG. 2G, after the correction paste 24 applied to the rib chip defect 23 is shaped, the correction paste 24 is baked. The correction paste 24 is fired by using a paste firing laser such as an LD (semiconductor laser) added to the observation optical system unit 1. However, as long as the baking method is a method of raising the correction paste 24 to a temperature at which baking can be performed (about 550 ° C.), a CW (continuous oscillation) laser or an electric furnace can be used.
[0019]
In the above description, the laser for firing the correction paste 24 and the cutting laser unit 2 for laser cutting are separately provided, but this may be switched by one laser.
[0020]
The correction of the rib chip defect 23 is completed by the above-described process.
When the rib 22 is formed, there may be a rib width thickening defect that swells in the rib width direction as shown in FIG. 3 other than the rib chip defect 23 as shown in FIG. In this case, as described above, since there is an electrode in the lower layer, the correction method using laser cutting cannot be used, and correction is difficult.
[0021]
On the other hand, in this embodiment, even for such a rib width widening defect, the defect correction is performed by applying the protruding portion cutting and protruding portion removing processes as shown in FIGS. 2 (e) and 2 (f). Is possible. In this case, the apparatus configuration does not require the paste application mechanism 3, the paste firing laser part included in the observation optical system part 1, the squeegee mechanism 4, and the IR light source 6 in the pattern correction apparatus shown in FIG. Except for the above, correction can be made with an apparatus having the same configuration.
[0022]
The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.
[0023]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the correction paste is applied to the defective portion so that it protrudes, the applied correction paste is baked, the protruding portion is cut with a laser, and the cut excess correction paste is removed. Since the defect width that can be corrected in the past is about 200 to 300 μm, it is possible to correct defects of 300 μm or more by applying the present invention.
[0024]
Moreover, by using a laser cutting method and a scratch mechanism for shaping in the rib defect width direction, shaping can be performed without adversely affecting the lower layer electrode.
[0025]
Further, by providing the scratch mechanism with a vacuum function, it is possible to suction and remove the correction debris generated at the time of defect correction, and it is possible to keep the corrected portion in a clean state even after correction.
[0026]
Further, it is possible to correct a defect having a large rib width, which has been difficult to be corrected conventionally.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing an overall configuration of an apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a view showing a rib defect correcting method according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a diagram showing a rib width thickening defect that swells in the rib width direction;
FIG. 4 is a view showing a conventional rib chip defect correcting method.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Observation optical system part 2 Cutting laser part 3 Paste application mechanism 4 Squeegee mechanism 5 Scratch mechanism 6 IR light source 7 Image processing mechanism 8 Host computer 9 Control computer 10 XY table 11 Chuck base 12 Z-axis table 13 Monitor 21 Glass substrate 22 Rib 23 Rib chip defect 24 Correction paste 31 Application needle 51 Scratch needle

Claims (6)

基板上に形成されたリブの欠陥部を修正するためのパターン修正装置であって、
前記基板がその上に載置されて水平方向に移動するテーブルと、
前記リブの一部が欠けたリブ欠け欠陥部に修正ペーストをはみ出る程度に塗布する針と、
前記針を上下方向に移動可能な駆動機構と、
前記塗布した修正ペーストのうちの前記リブの幅方向にはみ出た余分な修正ペーストを切除するためのレーザ照射機構と、
前記リブの幅方向にはみ出た余分な修正ペーストを除去するためのスクラッチ針機構とを備えた、パターン修正装置。
A pattern correcting device for correcting a defective portion of a rib formed on a substrate,
A table on which the substrate is placed and moved in the horizontal direction;
A needle that is applied to the extent that the correction paste protrudes into the defective portion of the rib lacking part of the rib ; and
A drive mechanism capable of moving the needle vertically;
A laser irradiation mechanism for excising excess correction paste protruding in the width direction of the rib of the applied correction paste;
A pattern correction device, comprising: a scratch needle mechanism for removing excess correction paste protruding in the width direction of the rib .
前記レーザ照射機構は、さらに、前記リブ欠け欠陥部に塗布されて整形された修正ペーストを焼成し、
前記レーザ照射機構は、
前記修正ペーストを焼成するための連続発振レーザと、
前記余分な修正ペーストを切除するためのパルス発振レーザとを含む、請求項1に記載のパターン修正装置。
The laser irradiation mechanism further baked a correction paste applied and shaped to the rib chip defect portion,
The laser irradiation mechanism is
A continuous wave laser for firing the correction paste;
The pattern correction apparatus according to claim 1, further comprising a pulsed laser for cutting off the excess correction paste.
前記レーザ照射機構は、さらに、前記リブ欠け欠陥部に塗布されて整形された修正ペーストを焼成し、
前記レーザ照射機構は、前記修正ペーストを焼成するための連続発振と、前記余分な修正ペーストを切除するためのパルス発振とを切換可能なレーザを含む、請求項1に記載のパターン修正装置。
The laser irradiation mechanism further baked a correction paste applied and shaped to the rib chip defect portion,
The pattern correction apparatus according to claim 1, wherein the laser irradiation mechanism includes a laser capable of switching between continuous oscillation for firing the correction paste and pulse oscillation for cutting off the excess correction paste .
さらに、前記塗布した修正ペーストの高さを整形するためのスキージング機構を含む、請求項1から請求項3までのいずれかに記載のパターン修正装置。The pattern correction apparatus according to claim 1, further comprising a squeezing mechanism for shaping the height of the applied correction paste. さらに、前記スクラッチ針機構によって除去された前記余分修正ペーストを吸引するためのバキューム機構を含む、請求項1から請求項4までのいずれかに記載のパターン修正装置。The pattern correction device according to claim 1, further comprising a vacuum mechanism for sucking the excess correction paste removed by the scratch needle mechanism. 前記レーザ照射機構は、さらに、前記リブの一部が幅方向に膨れたリブ幅太り欠陥部のうちの前記リブの幅方向にはみ出た余分な部分を切除し、
前記スクラッチ針機構は、さらに、前記リブの幅方向にはみ出た余分な部分を除去することを特徴とする、請求項1から請求項5までのいずれかに記載のパターン修正装置。
The laser irradiation mechanism further cuts off an excess portion protruding in the width direction of the rib of the rib width-thick defect portion in which a part of the rib swells in the width direction,
6. The pattern correcting apparatus according to claim 1, wherein the scratch needle mechanism further removes an excess portion protruding in the width direction of the rib .
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