JP2007165013A - Pattern defect correcting method and device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、パターン欠陥修正方法およびパターン欠陥修正装置に関し、特に、基板上に形成された微細パターンの欠損箇所に修正ぺーストを塗布し、乾燥、焼成および余分な修正ペーストの除去整形等を行なって欠損箇所を修正するパターン欠陥修正方法およびパターン欠陥修正装置に関する。 The present invention relates to a pattern defect correction method and a pattern defect correction apparatus, and in particular, applies a correction paste to a defective portion of a fine pattern formed on a substrate, and performs drying, baking, removal and shaping of excess correction paste, and the like. The present invention relates to a pattern defect correction method and a pattern defect correction apparatus for correcting a defective portion.
図5は、プラズマディスプレィパネル(PDP)の構成を示す図である。
同図を参照して、プラズマディスプレィパネル(PDP)は、前面ガラス基板70と、透明電極71と、バス電極72と、誘電体層73と、保護層74と、背面ガラス基板80と、アドレス電極81と、微細パターンである隔壁(リブ)83と、蛍光体84とを備える。
FIG. 5 is a diagram showing a configuration of a plasma display panel (PDP).
Referring to the figure, a plasma display panel (PDP) includes a
PDPでは、前面ガラス基板70と背面ガラス基板80とが張り合わされ、背面ガラス基板80の、前面ガラス基板70との張り合わせ面には多数のリブ(隔壁)83が形成されている。
In the PDP, a
リブ83の形は、同図では例として線状に形成されたストライプタイプを示しているが、矩形に形成されたワッフルタイプ等種々の形が提案されている。
The shape of the
ところで、背面ガラス基板にリブを形成する際、異物の混入および製作上の不具合により、リブの一部が欠損する欠陥が発生する場合がある。このようなリブの欠陥は、製作後のPDP点灯時に混色および暗い点を生じさせ、PDPの品質を著しく低下させるため、リブの欠損箇所(以下、リブ欠損部とも称する。)を修正する必要がある。 By the way, when the rib is formed on the rear glass substrate, a defect in which a part of the rib is lost may occur due to the mixing of foreign matters and a manufacturing defect. Such rib defects cause color mixing and dark spots when the PDP is turned on after production, and the quality of the PDP is remarkably lowered. Therefore, it is necessary to correct a rib defect portion (hereinafter also referred to as a rib defect portion). is there.
リブ欠損部を修正する装置として、たとえば、特許文献1には以下のようなパターン欠陥修正装置が開示されている。すなわち、ペースト塗布機構によりリブ欠け欠陥部に修正ペーストをはみ出る程度に塗布し、リブの上部をスキージ機構を用いて整形し、IR(赤外線)光源により塗布した修正ペーストを乾燥させ、カット用レーザ部により修正ペーストのはみ出し部をカットし、スクラッチ機構を用いてはみ出し部を除去し、バキューム機能により修正かすを吸引除去した後、半導体レーザを用いて焼成する。 As an apparatus for correcting the rib defect portion, for example, Patent Document 1 discloses the following pattern defect correcting apparatus. In other words, the paste is applied to the extent that the correction paste protrudes from the defective portion of the rib by the paste application mechanism, the upper part of the rib is shaped using the squeegee mechanism, the correction paste applied by the IR (infrared) light source is dried, and the cutting laser unit Then, the protruding portion of the correction paste is cut, the protruding portion is removed using a scratch mechanism, the correction debris is sucked and removed by the vacuum function, and then baked using a semiconductor laser.
また、特許文献2には以下のようなパターン欠陥修正装置が開示されている。すなわち、補修ペースト充填機構と、ペースト焼成機構と、リブ規定断面はみ出し材を機械的に切削整形する機械的整形機構と、平面基板に垂直方向に移動する垂直方向移動機構と、充填機構および焼成機構および整形機構を搭載したヘッド部と平面基板に平行な平面方向に相対的に移動する水平方向位置決め機構とを備え、ヘッド部に搭載される各機構を垂直方向移動機構に連動させる。
しかしながら、特許文献1記載のパターン欠陥修正装置では、一般的に高さが120〜200μm程度あるリブ欠損部に塗布された修正ペースト(以下、リブ修正部とも称する。)をレーザ光で一度に焼成するため、レーザ光の熱がリブ修正部に接する正常なリブ側に逃げ、リブ修正部の底部へ伝わる熱量が少なくなり、リブ修正部と誘電体層との結合が弱まる場合がある。また、リブ修正部と誘電体層との結合を強めるためにレーザ光のパワーを上げると、リブ修正部の上面が過大に過熱されて溶解し、溶解した修正ペーストが硬化時に収縮して内部応力が発生し、リブ修正部にクラックが発生する場合がある。また、リブ修正部に対して乾燥および整形を行なった後、リブ修正部全体を焼成すると、整形した形状が焼成時に変形してしまう場合がある。したがって、特許文献1記載のパターン欠陥修正装置では、パターン欠陥修正を良好に行なえない場合があるという問題点があった。 However, in the pattern defect correction apparatus described in Patent Document 1, a correction paste (hereinafter also referred to as a rib correction part) applied to a rib defect part generally having a height of about 120 to 200 μm is baked at once with a laser beam. Therefore, the heat of the laser beam escapes to the normal rib side in contact with the rib correcting portion, and the amount of heat transmitted to the bottom of the rib correcting portion is reduced, and the coupling between the rib correcting portion and the dielectric layer may be weakened. In addition, if the power of the laser beam is increased in order to strengthen the bond between the rib correction part and the dielectric layer, the upper surface of the rib correction part is excessively heated and melts, and the melted correction paste shrinks at the time of hardening and causes internal stress. May occur, and cracks may occur in the rib correction portion. Moreover, after drying and shaping the rib correction portion, if the entire rib correction portion is fired, the shaped shape may be deformed during firing. Therefore, the pattern defect correction apparatus described in Patent Document 1 has a problem that pattern defect correction cannot be performed satisfactorily.
また、特許文献2記載のパターン欠陥修正装置は、焼成時に変形したリブ修正部の上面および壁面を、焼成後に機械加工によって整形する構成であるが、リブ間の幅はたとえば0.2mm〜0.3mm程度と狭いため、リブ間の加工を行なうための工具は0.2mm以下の細い外形のものである必要があり、また、焼成後であるため加工対象が硬く、加工能率が悪い。したがって、特許文献2記載のパターン欠陥修正装置では、修正効率が低くなるという問題点があった。
Moreover, although the pattern defect correction apparatus of
それゆえに、本発明の目的は、パターン欠陥修正を良好に行なうとともに修正効率の向上を図ることが可能なパターン欠陥修正方法およびパターン欠陥修正装置を提供することである。 SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to provide a pattern defect correction method and a pattern defect correction apparatus that can correct a pattern defect well and improve the correction efficiency.
上記課題を解決するために、この発明のある局面に係わるパターン欠陥修正方法は、基板上に形成されたパターンの欠損部に1層目の修正ペーストを塗布する塗布ステップと、塗布された1層目の修正ペーストを整形するステップと、整形された1層目の修正ペーストを焼成するステップと、焼成された1層目の修正ペーストの上に、さらに修正ペーストを塗布するステップと、さらに塗布された修正ペーストを焼成するステップとを含む。 In order to solve the above problems, a pattern defect correction method according to an aspect of the present invention includes an application step of applying a first correction paste to a defect portion of a pattern formed on a substrate, and an applied one layer A step of shaping the eye correction paste, a step of baking the shaped first layer correction paste, a step of applying a correction paste on the fired first layer correction paste, and a step of further applying Firing the modified paste.
好ましくは、パターン欠陥修正方法は、さらに、塗布された1層目の修正ペーストを乾燥するステップを含み、整形するステップにおいては、乾燥された1層目の修正ペーストを整形する。 Preferably, the pattern defect correction method further includes a step of drying the applied first layer correction paste, and in the step of shaping, the dried first layer correction paste is shaped.
上記課題を解決するために、この発明のある局面に係わるパターン欠陥修正装置は、基板上に形成されたパターンの欠損部に1層目の修正ペーストを塗布する塗布機構と、塗布された1層目の修正ペーストを整形する整形機構と、整形された1層目の修正ペーストを焼成する熱放射機構とを備え、塗布機構は、焼成された1層目の修正ペーストの上に、さらに修正ペーストを塗布し、熱放射機構は、さらに塗布された修正ペーストを焼成する。 In order to solve the above-described problems, a pattern defect correction apparatus according to an aspect of the present invention includes an application mechanism for applying a first correction paste to a pattern defect formed on a substrate, and an applied one layer. A shaping mechanism for shaping the eye correction paste and a heat radiation mechanism for firing the shaped first layer correction paste, and the coating mechanism is further provided on the fired first layer correction paste. The heat radiation mechanism bakes the further applied correction paste.
好ましくは、熱放射機構は、さらに、塗布された1層目の修正ペーストを乾燥し、整形機構は、乾燥された1層目の修正ペーストを整形する。 Preferably, the heat radiation mechanism further dries the applied first layer of correction paste, and the shaping mechanism shapes the dried first layer of correction paste.
より好ましくは、整形機構は、先端の断面形状が略半円である切削工具を含む。
好ましくは、整形機構は、研削工具または研削砥石を含む。
More preferably, the shaping mechanism includes a cutting tool whose tip has a substantially semicircular cross-sectional shape.
Preferably, the shaping mechanism includes a grinding tool or a grinding wheel.
好ましくは、整形機構は、レーザ光を照射して整形を行なう。 Preferably, the shaping mechanism performs shaping by irradiating a laser beam.
本発明によれば、パターン欠陥修正を良好に行なうとともに修正効率の向上を図ることができる。 According to the present invention, it is possible to correct the pattern defect well and improve the correction efficiency.
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals and description thereof will not be repeated.
[構成および基本動作]
図1は、本発明の実施の形態に係るパターン欠陥修正装置の構成を示す外観図である。
[Configuration and basic operation]
FIG. 1 is an external view showing a configuration of a pattern defect correction apparatus according to an embodiment of the present invention.
同図を参照して、このパターン欠陥修正装置は、位置決め機構と、パーソナルコンピュータ(制御機構)22とを備える。位置決め機構は、Y軸テーブル1と、Z軸テーブル2と、X軸テーブル3とを含む。 With reference to the figure, the pattern defect correcting apparatus includes a positioning mechanism and a personal computer (control mechanism) 22. The positioning mechanism includes a Y-axis table 1, a Z-axis table 2, and an X-axis table 3.
Y軸テーブル1は、修正対象となるPDP用パネルの背面ガラス基板80が置かれ、背面ガラス基板80と平行なY軸方向に移動する。
The
Z軸テーブル2は、Y軸テーブル1上に置かれた背面ガラス基板80に対して垂直なZ軸方向に移動する。
The Z-axis table 2 moves in the Z-axis direction perpendicular to the
X軸テーブル3は、Z軸テーブル2を搭載し、背面ガラス基板80と平行でかつY軸と直交するX軸方向に移動する。
The X-axis table 3 carries the Z-axis table 2 and moves in the X-axis direction parallel to the
パーソナルコンピュータ22は、このパターン欠陥修正装置全体を制御する。たとえば、パーソナルコンピュータ22は、Y軸テーブル1と、Z軸テーブル2と、X軸テーブル3とを移動させる制御を行なう。
The
図2は、図1のA部拡大図を示す外観図である。
図2を参照して、このパターン欠陥修正装置は、Z軸駆動モータ12と、Z軸テーブル2に搭載される修正ヘッドを備える。修正ヘッドは、観察光学系4と、塗布機構5と、連続発振CO2レーザ(熱放射機構)6と、整形機構と、レーザ変位計11とを含む。整形機構は、工具回転スピンドル7と、スクラッチ機構9と、テープ研磨ユニット10とを含む。
FIG. 2 is an external view showing an enlarged view of a portion A in FIG.
With reference to FIG. 2, the pattern defect correcting device includes a Z-
観察光学系4は、背面ガラス基板80の表面におけるリブ83の欠陥を観察する。
塗布機構5は、リブ欠損部に針を用いて修正ペーストを塗布する。
The observation optical system 4 observes defects of the
The application mechanism 5 applies the correction paste to the rib defect using a needle.
連続発振CO2レーザ6は、塗布した修正ペーストからなるリブ修正部にレーザ光を照射して乾燥させる。また、連続発振CO2レーザ6は、乾燥後のリブ修正部にレーザ光を照射して焼成する。なお、熱放射機構6として連続発振CO2レーザを使用する構成に限らず、修正ペーストに対して熱を放射するものを連続発振CO2レーザ6の代わりに使用する構成であってもよい。
The
整形機構は、リブ修正部を切削等して整形する。より詳細には、工具回転スピンドル7は、正常なリブの幅からはみだした余分な修正ペーストをカットして除去する。スクラッチ機構9は、正常なリブの幅からはみだした余分な修正ペーストを針によって除去する。テープ研磨ユニット10は、リブ上面の突起欠陥または正常なリブの上面に対してはみ出している修正ペーストを研磨テープを用いて除去する。
The shaping mechanism shapes the rib correcting portion by cutting or the like. More specifically, the
レーザ変位計11は、Z軸テーブル2と背面ガラス基板80との距離を検出する。Z軸駆動モータ12は、Z軸テーブル2を駆動する。
The
なお、位置決め機構の構成はY軸テーブル1と、Z軸テーブル2と、X軸テーブル3とを含む構成に限定するものではなく、PDPと修正ヘッドとの相対位置をX軸、Y軸およびZ軸方向に移動調整できるものであればどんなものでもよい。また、塗布した修正ペーストの乾燥時には、連続発振CO2レーザ6の代わりに、IR光源および半導体レーザ等を使用することも可能である。また、パターン欠陥修正装置が、工具回転スピンドル7の代わりに同図に示すYVO4レーザ8を備え、YVO4レーザ8からの絞り込まれたレーザ光で、正常なリブの幅からはみ出した余分な修正ペーストをカットして除去する構成であってもよい。また、YVO4レーザではなく、YAGレーザ等であってもよい。
The configuration of the positioning mechanism is not limited to the configuration including the Y-axis table 1, the Z-axis table 2, and the X-axis table 3. The relative positions of the PDP and the correction head are the X-axis, Y-axis, and Z-axis. Anything can be used as long as it can move and adjust in the axial direction. Further, when the applied correction paste is dried, it is also possible to use an IR light source, a semiconductor laser, or the like instead of the
観察光学系4によって観察される画像は、パーソナルコンピュータ22の画面上に表示される。作業者はこの画面を見て、塗布位置、レーザ照射位置、工具移動位置および測定位置等をパーソナルコンピュータ22経由でパターン欠陥修正装置の各機構に指示し、塗布、乾燥、整形および焼成等の修正作業を行なう。なお、作業者が修正作業を各機構に指示する構成に限らず、パーソナルコンピュータ22が自動的に各機構を制御して修正作業を行なう構成であってもよい。
An image observed by the observation optical system 4 is displayed on the screen of the
[動作]
次に、本発明の実施の形態に係るパターン欠陥修正装置がリブの欠損箇所を修正する際の動作について説明する。
[Operation]
Next, an operation when the pattern defect correcting device according to the embodiment of the present invention corrects a defective portion of the rib will be described.
図3は、本発明の実施の形態に係るパターン欠陥修正装置がリブの欠損箇所を修正する様子を示す図である。 FIG. 3 is a diagram showing how the pattern defect correcting device according to the embodiment of the present invention corrects a missing portion of a rib.
同図を参照して、塗布機構5は、リブ欠損部32の底部に適量の修正ペーストをライン状に1層塗布する。以下、リブ欠損部32の底部に塗布された1層目の修正ペーストをベース部31と称する。
With reference to the figure, the coating mechanism 5 applies an appropriate amount of correction paste to the bottom of the
連続発振CO2レーザ6は、ベース部31にレーザ光を照射して乾燥させる。
連続発振CO2レーザ6による乾燥後、たとえば工具回転スピンドル7がリブ間に挿入され、ベース部31のうち、正常なリブの幅からはみだした余分な修正ペーストであるペーストはみだし部33が除去され、ベース部31の壁面が整形される。このとき、工具回転スピンドル7が、ベース部31の上面も平面状に整形する構成であってもよい。
The
After drying by the continuous
ここで、ベース部31は乾燥しているが焼成されていないため柔らかく、かつ整形対象となる修正ペーストは1層分のみなので整形対象の厚さは薄い。したがって、本発明の実施の形態に係るパターン欠陥修正装置では、整形時の工具への負荷が小さく、細い工具であっても十分整形可能となる。また、前述のようにYVO4レーザおよびYAGレーザ等を使用しても、ベース部31を壁面に沿って精度良く整形することができる。
Here, since the
整形機構による整形後、連続発振CO2レーザ6は、乾燥時のレーザ光よりも強い出力でベース部31にレーザ光を照射して焼成を行なう。
After shaping by the shaping mechanism, the
以上の工程により、リブ欠損部32底部へのベース部31の形成が完了する。なお、パターン欠陥修正装置が、リブ欠損部32の底部にベース部31を1層だけ形成する構成に限定されるものではなく、ベース部31の形成工程を繰り返し行なって複数のベース部を積層する構成とすることも可能である。
Through the above steps, the formation of the
ここで、焼成対象は修正ペースト1層のみなので焼成対象の厚さが薄いため、本発明の実施の形態に係るパターン欠陥修正装置では、ベース部31の上部および下部で焼成状態が変わってしまうことを防ぐことができ、また、整形された形状が焼成によって大きく崩れてしまうことを防ぐことができ、ベース部31を良好に形成することができる。
Here, since the baking target is only one layer of the correction paste, the thickness of the baking target is thin, and therefore, in the pattern defect correction apparatus according to the embodiment of the present invention, the baking state changes at the upper part and the lower part of the
次に、塗布機構5は、さらにベース部31の上に適量の修正ペーストをライン状に1層塗布する。
Next, the application mechanism 5 further applies an appropriate amount of correction paste on the
連続発振CO2レーザ6は、ベース部31の上に塗布された修正ペーストに乾燥時のレーザ光よりも強い出力でレーザ光を照射して焼成を行なう。
The
パターン欠陥修正装置は、上記のようにベース部31の上に修正ペーストをライン状に重ねて塗布し、かつ焼成する工程を繰り返し、リブ欠損部32が修正ペーストで充填されるまで修正ペーストを積層する。
The pattern defect correcting device repeats the process of applying the correction paste in a line on the
ここで、本発明の実施の形態に係るパターン欠陥修正装置では、ベース部31の上に修正ペーストを塗布して焼成する工程においても、焼成対象は修正ペースト1層のみなので焼成対象の厚さが薄いため、塗布した修正ペーストの上部および下部で焼成状態が変わってしまうことを防ぐことができ、また、整形された修正ペーストの形状が焼成によって大きく崩れてしまうことを防ぐことができ、また、ベース部31の上に塗布された修正ペーストが焼成時にベース部31から大きくはみ出してしまうことを防ぐことができる。さらに、積層される修正ペーストの焼成状態を均一化することができる。
Here, in the pattern defect correction apparatus according to the embodiment of the present invention, even in the step of applying the correction paste on the
テープ研磨ユニット10は、リブ欠損部32に充填された修正ペーストの、正常なリブの上面に対してはみ出している部分を研磨テープを用いて除去し、整形する。
The
図4(a)は、工具回転スピンドル7の構成を示す外観図である。(b)は、工具回転スピンドル7の先端形状を示す断面図である。
FIG. 4A is an external view showing the configuration of the
工具回転スピンドル7は、細い形状である、正規のエンドミル形状の工具であってもよいが、同図に示すように先端の断面形状が略半円である切削工具であってもよい。このような構成により、工具回転スピンドル7を簡易に製作することができ、パターン欠陥修正装置の製造コストを低減することができる。
The
なお、回転切削工具である工具回転スピンドル7を使用する構成に限らず、工具回転スピンドル7の代わりに小径研削砥石を使用してペーストはみだし部33を除去する構成であってもよい。
The configuration is not limited to using the
ところで、特許文献1記載のパターン欠陥修正装置では、欠陥修正を良好に行なえない場合があるという問題点があり、また、特許文献2記載のパターン欠陥修正装置では、修正効率が低くなるという問題点があった。しかしながら、本発明の実施の形態に係るパターン欠陥修正装置では、塗布機構、熱放射機構および整形機構が、塗布、乾燥、焼成および整形を行なってリブ欠損部32の底部にベース部31を形成し、形成したベース部31の上にさらに修正ペーストを塗布して焼成することにより、リブ欠損部32に修正ペーストを充填する。
Incidentally, the pattern defect correction apparatus described in Patent Document 1 has a problem that defect correction cannot be performed satisfactorily, and the pattern defect correction apparatus described in
ここで、通常、リブ欠損部32の底部において、リブ83の材質がなく誘電体層73の表面が出ている部分があると、その部分に修正ペーストを塗布した場合、修正ペーストが広がりやすい性質がある。一方、欠陥部32の底部において、リブ83の材質が正常な壁面を有していて誘電体層73の表面が出ていない状態では、リブ欠損部32に塗布される修正ペーストは残存しているリブ83の形に添った状態で積層される性質がある。このため、一回で塗布する修正ペーストの量を適量で安定させておけば、塗布した修正ペーストがベース部31からたれて広がることがなく、ベース部31の上に塗布した修正ペーストを乾燥して整形する工程を省略することができる。
Here, usually, if there is a portion where the
以上より、本発明の実施の形態に係るパターン欠陥修正装置では、パターン欠陥修正を良好に行なうとともに修正効率の向上を図ることができる。 As described above, in the pattern defect correction apparatus according to the embodiment of the present invention, it is possible to correct the pattern defect satisfactorily and improve the correction efficiency.
なお、本発明の実施の形態に係るパターン欠陥修正装置では、連続発振CO2レーザ6がベース部31にレーザ光を照射して乾燥させ、整形機構が含む工具回転スピンドル7が乾燥後のベース部31を整形する構成としたが、これに限定するものではない。ベース部31を乾燥する熱放射機構を備えない構成であっても、修正ペーストが乾燥しやすい物質である場合等、修正ペーストの塗布後に特に乾燥を行なわずに良好に整形が行なえる場合には、本発明の目的を達成することが可能である。
In the pattern defect correction apparatus according to the embodiment of the present invention, the continuous
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。 The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.
1 Y軸テーブル、2 Z軸テーブル、3 X軸テーブル、4 観察光学系、5 塗布機構、6 連続発振CO2レーザ(熱放射機構)、7 工具回転スピンドル、9 スクラッチ機構、10 テープ研磨ユニット、11 レーザ変位計、12 Z軸駆動モータ、22 パーソナルコンピュータ(制御機構)、31 ベース部、32 リブ欠損部、33 ペーストはみだし部、70 前面ガラス基板、71 透明電極、72 バス電極、73 誘電体層、74 保護層、80 背面ガラス基板、81 アドレス電極、83 隔壁(リブ)、84 蛍光体。 1 Y-axis table, 2 Z-axis table, 3 X-axis table, 4 observation optical system, 5 coating mechanism, 6 continuous oscillation CO2 laser (thermal radiation mechanism), 7 tool rotating spindle, 9 scratch mechanism, 10 tape polishing unit, 11 Laser displacement meter, 12 Z-axis drive motor, 22 Personal computer (control mechanism), 31 Base part, 32 Rib defect part, 33 Paste protruding part, 70 Front glass substrate, 71 Transparent electrode, 72 Bus electrode, 73 Dielectric layer, 74 protective layer, 80 back glass substrate, 81 address electrode, 83 barrier rib (rib), 84 phosphor.
Claims (7)
前記塗布された1層目の修正ペーストを整形するステップと、
前記整形された1層目の修正ペーストを焼成するステップと、
前記焼成された1層目の修正ペーストの上に、さらに修正ペーストを塗布するステップと、
前記さらに塗布された修正ペーストを焼成するステップとを含むパターン欠陥修正方法。 An application step of applying a first layer of correction paste to a defective portion of a pattern formed on the substrate;
Shaping the applied first layer of correction paste;
Firing the shaped first layer correction paste;
Applying a correction paste on the fired first layer correction paste; and
And baking the further applied correction paste.
前記塗布された1層目の修正ペーストを乾燥するステップを含み、
前記整形するステップにおいては、前記乾燥された1層目の修正ペーストを整形する請求項1記載のパターン欠陥修正方法。 The pattern defect correction method further includes:
Drying the applied first layer of correction paste;
The pattern defect correction method according to claim 1, wherein in the shaping step, the dried first layer correction paste is shaped.
前記塗布された1層目の修正ペーストを整形する整形機構と、
前記整形された1層目の修正ペーストを焼成する熱放射機構とを備え、
前記塗布機構は、前記焼成された1層目の修正ペーストの上に、さらに修正ペーストを塗布し、
前記熱放射機構は、前記さらに塗布された修正ペーストを焼成するパターン欠陥修正装置。 An application mechanism for applying a first layer of correction paste to a defective portion of a pattern formed on a substrate;
A shaping mechanism for shaping the applied first layer correction paste;
A heat radiation mechanism for firing the shaped first layer correction paste,
The coating mechanism further applies a correction paste on the baked first layer correction paste,
The thermal radiation mechanism is a pattern defect correction device for firing the further applied correction paste.
前記整形機構は、前記乾燥された1層目の修正ペーストを整形する請求項3記載のパターン欠陥修正装置。 The thermal radiation mechanism further dries the applied correction paste of the first layer,
The pattern defect correction device according to claim 3, wherein the shaping mechanism shapes the dried first layer correction paste.
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- 2005-12-09 JP JP2005356580A patent/JP2007165013A/en not_active Withdrawn
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