JP3776110B2 - 光半導体素子の実装方法 - Google Patents
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Description
この発明は上記のような課題を解消するためになされたものであり、基板の高さ方向において、位置精度よく光半導体素子を実装することができる光半導体素子の実装方法を提供することを目的とする。
図1は本発明の実施の形態1に係る光半導体素子の実装方法を示す、モニタ光の光軸に対して垂直な側面図であり、ここでは特に光半導体素子としてモニタフォトダイオードチップ3を用いた場合について説明する。図において、50は光半導体装置であり、Si基板1は、その表面に断面形状が同一のV字形状である溝11(以下,V溝と称す)を2つ以上備えている。同じ直径の光ファイバ12がそれぞれのV溝11上に配置されている。V溝11は光ファイバ12の最上部がSi基板1表面よりも高い位置に位置するような形状となっている。平坦な表面を有するとともに、この表面の所定の領域に受光部6を備えたモニタフォトダイオードチップ3は、その表面が各光ファイバ12に接するように、その表面がSi基板1の表面に対向するように配置され、Si基板1表面に配置された半田材10により固着されている。半田材のかわりに樹脂等の他の固着材を用いるようにしてもよい。なお、Si基板1上にはモニタ光がSi基板1表面で反射されて受光部6に入るようにレーザダイオード素子も配置されるがここでは省略している。
図2は、本発明の実施の形態2に係る光半導体素子の実装方法を示す、モニタ光の光軸に対して垂直な側面図であり、この実施の形態2はSi基板21とモニタフォトダイオード3とを同一の直径を有する複数の粒状材14aを粒状スペーサとして含む半田材14により固着することにより、Si基板21表面と受光部6との距離を精度よく制御できるようにしたものである。
図3は本発明の実施の形態3に係る光半導体素子の実装方法を示す、モニタ光の光軸に対して垂直な側面図であり、図において図1、図2と同一符号は同一又は相当する部分を示している。なお、Si基板21上にはモニタ光がSi基板21表面で反射されて受光部6に入るようにレーザダイオード素子も配置されるがここでは省略している。この実施の形態3は、Si基板21の表面及びモニタフォトダイオードチップ3の受光部6が形成されている表面に反射膜15a,15bをそれぞれ設けて、反射膜15a,15bによって反射可能な波長のレーザ光16を外部から、モニタフォトダイオードチップ3の裏面側より照射してこれを反射膜15a,15bによって反射させ、反射光17a,17bの強度をモニタしながらモニタフォトダイオードチップ3のSi基板1からの高さ5を制御するものである。
図5は本発明の実施の形態4に係る光半導体素子の実装方法を示す側面図であり、図において、図1、図2と同一符号は同一又は相当する部分を示している。なお、Si基板21上にはモニタ光がSi基板21表面で反射されて受光部6に入るようにレーザダイオード素子も配置されるがここでは省略している。この実施の形態4は、Si基板21上にモニタフォトダイオードチップ3を配置した状態で、両者が接近している部分近傍の一側面にレーザ光26を当て、その反射光27の強度をモニタしながら、モニタフォトダイオードチップ3のSi基板21からの高さ5を制御するものである。
2 半導体レーザチップ
2a 活性層
3 モニタフォトダイオードチップ
4 金メッキ
5 高さ
6 受光部
7 出射光
8 モニタ光
9 チップ間距離
10 半田材
11 V溝
12 光ファイバ
13 キャピラリ
15a,15b 反射膜
16,26 レーザ光、
17a,17b,27 反射光
18 光カプラ
18a,18b 入力ポート
19,29 光パワーメータ
20 光位相調整期
50,51,52 光半導体装置
Claims (1)
- 平坦な表面を有する基板と、直径が同一である繊維状スペーサを同一の長さで短冊状に寸断してなる粒状スペーサを複数有する固着材とを用意し、
平坦な表面を有する光半導体素子と上記基板とを、その表面同士が互いに対向するとともに、上記粒状スペーサとそれぞれの表面が接するように上記固着材を挟み込んで配置し、その表面同士を該固着材により固着することを特徴とする光半導体素子の実装方法。
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