JP3265568B2 - 発光素子モジュール及びその製造方法 - Google Patents
発光素子モジュール及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信分用におけ
る信号用光源やファイバ増幅器の励起用光源などに用い
られる発光素子モジュール及びその製造方法に関する。
る信号用光源やファイバ増幅器の励起用光源などに用い
られる発光素子モジュール及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の発光素子モジュールの構造を図１
１に示す。このモジュールは、パッケージ１０１上に、
半導体レーザ１０２、レンズ１０３及び光ファイバ１０
４の入射端を固定して構成している。また、半導体レー
ザ１０２から出射された光のうち、特定の波長の光を反
射させる回折格子１０５を、光ファイバ１０４のコア部
に形成している。
１に示す。このモジュールは、パッケージ１０１上に、
半導体レーザ１０２、レンズ１０３及び光ファイバ１０
４の入射端を固定して構成している。また、半導体レー
ザ１０２から出射された光のうち、特定の波長の光を反
射させる回折格子１０５を、光ファイバ１０４のコア部
に形成している。
【０００３】また、従来は、パッケージ１０１上に光フ
ァイバ１０４の入射端部を固定する際に、パッケージ１
０１表面に形成したＶ溝を利用して光ファイバ１０４の
位置合わせを行っていた。すなわち、Ｖ溝内に光ファイ
バ１０４の固定端を置くことで、Ｖ溝を構成する両側の
傾斜面に光ファイバ１０４の外周部が当接するため、自
動的に位置決めが成されるものである。
ァイバ１０４の入射端部を固定する際に、パッケージ１
０１表面に形成したＶ溝を利用して光ファイバ１０４の
位置合わせを行っていた。すなわち、Ｖ溝内に光ファイ
バ１０４の固定端を置くことで、Ｖ溝を構成する両側の
傾斜面に光ファイバ１０４の外周部が当接するため、自
動的に位置決めが成されるものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
モジュールでは、回折格子１０５が形成された光ファイ
バ１０４の部位が、パッケージ１０１の外に出ていたた
め、回折格子１０５を形成した部位に曲げ応力が加わっ
て回折波長がずれる場合があり、かかる場合には、発光
素子モジュールの発振波長がずれてしまうという問題が
あった。
モジュールでは、回折格子１０５が形成された光ファイ
バ１０４の部位が、パッケージ１０１の外に出ていたた
め、回折格子１０５を形成した部位に曲げ応力が加わっ
て回折波長がずれる場合があり、かかる場合には、発光
素子モジュールの発振波長がずれてしまうという問題が
あった。
【０００５】また、光モジュールでは、Ｖ溝や光ファイ
バ１０４外径の寸法精度の公差のために、半導体レーザ
１０２と光ファイバ１０４の位置が一致せずに光結合効
率が低下するという問題があった。また、半導体レーザ
１０２をパッケージ１０１上に実装する際に位置ずれが
発生する場合もあり、かかる場合も同様に、光結合効率
が低下する原因となっていた。
バ１０４外径の寸法精度の公差のために、半導体レーザ
１０２と光ファイバ１０４の位置が一致せずに光結合効
率が低下するという問題があった。また、半導体レーザ
１０２をパッケージ１０１上に実装する際に位置ずれが
発生する場合もあり、かかる場合も同様に、光結合効率
が低下する原因となっていた。
【０００６】そこで本発明は、これらの課題を解決すべ
くなされたものであり、その目的は、発振波長を一定に
維持し得る発光素子モジュール及びその製造方法を提供
することにある。
くなされたものであり、その目的は、発振波長を一定に
維持し得る発光素子モジュール及びその製造方法を提供
することにある。
【０００７】また、他の目的は、発光素子と光ファイバ
との間で、高い光結合効率が得られる発光素子モジュー
ル及びその製造方法を提供することにある。
との間で、高い光結合効率が得られる発光素子モジュー
ル及びその製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発光素子
モジュールは、基板と、第１の反射率を有する反射面及
びこの第１の反射率に比べて低い第２の反射率を有する
出射面を有し、基板上に固定された半導体発光素子と、
一端が基板上に固定され、かつ、出射面から出射された
光が入射すると共に、特定波長の光を反射する回折格子
を少なくともコア部に形成した光ファイバとを備え、特
定波長の光を反射面と回折格子との間で繰り返し反射さ
せることにより、レーザ発振を行う発光素子モジュール
であって、光ファイバは、回折格子が形成された部位が
前記基板上に固定されている。
モジュールは、基板と、第１の反射率を有する反射面及
びこの第１の反射率に比べて低い第２の反射率を有する
出射面を有し、基板上に固定された半導体発光素子と、
一端が基板上に固定され、かつ、出射面から出射された
光が入射すると共に、特定波長の光を反射する回折格子
を少なくともコア部に形成した光ファイバとを備え、特
定波長の光を反射面と回折格子との間で繰り返し反射さ
せることにより、レーザ発振を行う発光素子モジュール
であって、光ファイバは、回折格子が形成された部位が
前記基板上に固定されている。
【０００９】このように回折格子が形成された部位を基
板上に固定することで、回折格子部分に加わる曲げ応力
が低減される。
板上に固定することで、回折格子部分に加わる曲げ応力
が低減される。
【００１０】請求項２に係る発光素子モジュールでは、
光ファイバと前記基板との間に、樹脂接着剤を介在させ
て構成する。また、請求項３にかかる発光素子モジュー
ルでは、この基板の光ファイバを固定した部位に、この
光ファイバに沿った溝部を有しており、光ファイバにお
ける回折格子が形成された部位を、この溝部上に固定し
て構成する。
光ファイバと前記基板との間に、樹脂接着剤を介在させ
て構成する。また、請求項３にかかる発光素子モジュー
ルでは、この基板の光ファイバを固定した部位に、この
光ファイバに沿った溝部を有しており、光ファイバにお
ける回折格子が形成された部位を、この溝部上に固定し
て構成する。
【００１１】このように構成することで、固定前の光フ
ァイバは、基板或はその溝部から離間した状態となり、
基板或いは溝部が光ファイバ調芯時の支障となることを
防止している。
ァイバは、基板或はその溝部から離間した状態となり、
基板或いは溝部が光ファイバ調芯時の支障となることを
防止している。
【００１２】従って、請求項４に係る発光素子モジュー
ルのように、溝部に光ファイバを当接させた状態では、
この光ファイバの光軸中心が、半導体発光素子の発光位
置よりも低い位置となることが必要である。また、請求
項５に係る発光素子モジュールのように、光ファイバに
沿った溝部を有する保護基板と基板との間に、光ファイ
バを固定してもよい。
ルのように、溝部に光ファイバを当接させた状態では、
この光ファイバの光軸中心が、半導体発光素子の発光位
置よりも低い位置となることが必要である。また、請求
項５に係る発光素子モジュールのように、光ファイバに
沿った溝部を有する保護基板と基板との間に、光ファイ
バを固定してもよい。
【００１３】また、請求項６〜８に係る発光素子モジュ
ールのように、基板上に、半導体受光素子、導体パター
ン、レンズをさらに備えることもできる。
ールのように、基板上に、半導体受光素子、導体パター
ン、レンズをさらに備えることもできる。
【００１４】また、請求項９にかかる発光素子モジュー
ルのように、この基板を、半導体材料、セラミックス材
料、金属材料、ガラス材料及びガラスセラミックス材料
のうち、いすれかの材料により形成することができる。
ルのように、この基板を、半導体材料、セラミックス材
料、金属材料、ガラス材料及びガラスセラミックス材料
のうち、いすれかの材料により形成することができる。
【００１５】一方、請求項１０にかかる発光素子モジュ
ールの製造方法は、基板上に塗布した樹脂接着剤内に、
固定すべき光ファイバの一端部を配置する工程を備え、
該一端部には、少なくともコア部に回折格子が形成した
回折格子が設けられており、硬化前の前記樹脂接着剤内
において前記光ファイバを変位させ、前記基板上の半導
体発光素子との間で光軸を調芯する工程を備え、調芯
後、前記樹脂接着剤を硬化させる工程を備える。
ールの製造方法は、基板上に塗布した樹脂接着剤内に、
固定すべき光ファイバの一端部を配置する工程を備え、
該一端部には、少なくともコア部に回折格子が形成した
回折格子が設けられており、硬化前の前記樹脂接着剤内
において前記光ファイバを変位させ、前記基板上の半導
体発光素子との間で光軸を調芯する工程を備え、調芯
後、前記樹脂接着剤を硬化させる工程を備える。
【００１６】このように光ファイバを樹脂接着剤内に位
置させることで、光ファイバと基板表面とが離間した状
態となり、基板に対して光ファイバを上下左右に変位さ
せ得る。
置させることで、光ファイバと基板表面とが離間した状
態となり、基板に対して光ファイバを上下左右に変位さ
せ得る。
【００１７】また、請求項１１にかかる発光素子モジュ
ールの製造方法は、基板上に塗布した樹脂接着剤内に、
固定すべき光ファイバの一端を位置させる工程と、硬化
前の樹脂接着剤内において光ファイバを変位させ、基板
上の半導体発光素子との間で光軸を調芯する工程と、さ
らに調芯を継続しつつ、樹脂接着剤を硬化させる工程と
を備える。
ールの製造方法は、基板上に塗布した樹脂接着剤内に、
固定すべき光ファイバの一端を位置させる工程と、硬化
前の樹脂接着剤内において光ファイバを変位させ、基板
上の半導体発光素子との間で光軸を調芯する工程と、さ
らに調芯を継続しつつ、樹脂接着剤を硬化させる工程と
を備える。
【００１８】このように調芯を行いながら樹脂接着剤を
硬化させるので、樹脂固化に伴う光軸ずれを防ぐことが
できる。
硬化させるので、樹脂固化に伴う光軸ずれを防ぐことが
できる。
【００１９】また、請求項１２に係る発光素子モジュー
ルの製造方法では、この調芯は、半導体発光素子から光
ファイバ内に光を入射させると共に、この光ファイバの
光出力が所望の値となるように、樹脂接着剤内において
前記光ファイバを変位させて実施する。
ルの製造方法では、この調芯は、半導体発光素子から光
ファイバ内に光を入射させると共に、この光ファイバの
光出力が所望の値となるように、樹脂接着剤内において
前記光ファイバを変位させて実施する。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本実施形態に係る発光素子
モジュールの製造方法につき、工程順に説明する。
モジュールの製造方法につき、工程順に説明する。
【００２１】まず、図１に、後述する半導体レーザや光
ファイバ等を固定する基板１０を示す。この基板１０は
セラミックスで形成されており、図示したように一端か
ら中央に向かってＶ溝１１を形成している。このＶ溝１
１は、主に、後に塗布する樹脂接着剤がこの内部に溜ま
るように形成したものであり、Ｖ溝１１の２つの傾斜面
を利用して光ファイバの位置決めを行うためのものでは
ない。従って、ここでは、この溝の端面形状をＶ形とし
て例示したが、この形状に限定するものではなく、例え
ば半円形や矩形形など、塗布した樹脂接着剤が内部に溜
まり得るような溝が形成されていればよい。
ファイバ等を固定する基板１０を示す。この基板１０は
セラミックスで形成されており、図示したように一端か
ら中央に向かってＶ溝１１を形成している。このＶ溝１
１は、主に、後に塗布する樹脂接着剤がこの内部に溜ま
るように形成したものであり、Ｖ溝１１の２つの傾斜面
を利用して光ファイバの位置決めを行うためのものでは
ない。従って、ここでは、この溝の端面形状をＶ形とし
て例示したが、この形状に限定するものではなく、例え
ば半円形や矩形形など、塗布した樹脂接着剤が内部に溜
まり得るような溝が形成されていればよい。
【００２２】そこで、まず、この基板１０上には、Ｖ溝
１１の延長線上の所定位置に、発光素子としての半導体
レーザ２０を固定する（図２）。半導体レーザ２０は、
一般的なファブリペロー型の半導体レーザと同様に、Ｉ
ｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰのヘテロ構造体から構成されてお
り、このへテロ構造体の一端面に反射面２０ａを形成
し、対向側には出射面２０ｂを形成している。反射面２
０ａは、半導体レーザ２０の出力波長である１．３１μ
ｍの波長の光を、約８０％以上と高い反射率で反射し、
出射面２０ｂは、１．３１μｍの波長の光に対して、約
０．５％以下と低い反射率を有する。
１１の延長線上の所定位置に、発光素子としての半導体
レーザ２０を固定する（図２）。半導体レーザ２０は、
一般的なファブリペロー型の半導体レーザと同様に、Ｉ
ｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰのヘテロ構造体から構成されてお
り、このへテロ構造体の一端面に反射面２０ａを形成
し、対向側には出射面２０ｂを形成している。反射面２
０ａは、半導体レーザ２０の出力波長である１．３１μ
ｍの波長の光を、約８０％以上と高い反射率で反射し、
出射面２０ｂは、１．３１μｍの波長の光に対して、約
０．５％以下と低い反射率を有する。
【００２３】次に、半導体レーザ２０の反射面２０ａ側
の基板１０上には半導体受光素子２１を固定する（図２
参照）。反射面２０ａから透過した光を半導体受光素子
２１で受光することで、半導体レーザ２０の発光状態を
モニターする。
の基板１０上には半導体受光素子２１を固定する（図２
参照）。反射面２０ａから透過した光を半導体受光素子
２１で受光することで、半導体レーザ２０の発光状態を
モニターする。
【００２４】次に、Ｖ溝１１内に、固定すべき光ファイ
バ３０の一端部を配置する（図３）。この光ファイバ３
０のコア部には、実効屈折率を、光軸に沿った位置に応
じて最小屈折率と最大屈折率との間で周期的に変化させ
ており、この屈折率変化を利用して回折格子３１を形成
している。また、この光ファイバ３０では、基板１０上
に固定する固定端に回折格子３１が形成されており、こ
の回折格子３１の形成部位がちょうどＶ溝１１内に位置
する状態となっている。
バ３０の一端部を配置する（図３）。この光ファイバ３
０のコア部には、実効屈折率を、光軸に沿った位置に応
じて最小屈折率と最大屈折率との間で周期的に変化させ
ており、この屈折率変化を利用して回折格子３１を形成
している。また、この光ファイバ３０では、基板１０上
に固定する固定端に回折格子３１が形成されており、こ
の回折格子３１の形成部位がちょうどＶ溝１１内に位置
する状態となっている。
【００２５】また、この状態では、半導体レーザ２０の
発光位置と光ファイバ３０の光軸中心との位置関係は、
図４のようになっている。すなわち、光ファイバ３０の
光軸中心の高さｈ２は、半導体レーザ２０の発光位置の
高さｈ１よりも低くなるように設定されている。すなわ
ち、この状態で互いの光軸は一致していない。なお、図
示した高さｈは、基板１０の底面を基準としている。
発光位置と光ファイバ３０の光軸中心との位置関係は、
図４のようになっている。すなわち、光ファイバ３０の
光軸中心の高さｈ２は、半導体レーザ２０の発光位置の
高さｈ１よりも低くなるように設定されている。すなわ
ち、この状態で互いの光軸は一致していない。なお、図
示した高さｈは、基板１０の底面を基準としている。
【００２６】次に、Ｖ溝１１内に位置する光ファイバ３
０上に、樹脂接着剤４０を塗布すると共に（図５）、こ
の樹脂接着剤４０を固化させる前に光軸調芯を行う。な
お、この樹脂接着剤４０としては、エポキシ系樹脂、ア
クリレート系の接着剤やセラミック接着剤が挙げられ
る。
０上に、樹脂接着剤４０を塗布すると共に（図５）、こ
の樹脂接着剤４０を固化させる前に光軸調芯を行う。な
お、この樹脂接着剤４０としては、エポキシ系樹脂、ア
クリレート系の接着剤やセラミック接着剤が挙げられ
る。
【００２７】この樹脂接着剤４０をＶ溝１１内に塗布す
ることにより、光ファイバ３０とＶ溝１１との間に、樹
脂接着剤４０が介在する状態となり、光ファイバ３０が
Ｖ溝１１から離間した状態となる（図６）。これによ
り、光ファイバ３０を基板１０に対して上下左右に変位
させ得る状態となる。従って、この後、この光ファイバ
３０内に半導体レーザ２０の出射光を入射させつつ、こ
のファイバ端出力が所望の値となるように、樹脂接着剤
４０内に位置する光ファイバ３０を変位させることで調
芯を実施する。
ることにより、光ファイバ３０とＶ溝１１との間に、樹
脂接着剤４０が介在する状態となり、光ファイバ３０が
Ｖ溝１１から離間した状態となる（図６）。これによ
り、光ファイバ３０を基板１０に対して上下左右に変位
させ得る状態となる。従って、この後、この光ファイバ
３０内に半導体レーザ２０の出射光を入射させつつ、こ
のファイバ端出力が所望の値となるように、樹脂接着剤
４０内に位置する光ファイバ３０を変位させることで調
芯を実施する。
【００２８】次に、この樹脂接着剤４０に紫外線を照射
し、ＵＶ硬化させる。なお、この硬化の途中において
も、上記した調芯作業を継続して実施することで、硬化
後においても所望の高い光結合効率を得ることができ
る。
し、ＵＶ硬化させる。なお、この硬化の途中において
も、上記した調芯作業を継続して実施することで、硬化
後においても所望の高い光結合効率を得ることができ
る。
【００２９】以上の工程で発光素子モジュールを製作す
るが、この際、樹脂接着剤４０を塗布した光ファイバ３
０の上部を、基板１０と同じ材質で形成され、かつＶ溝
１３を有する上部基板１２で覆う構造を採用することも
できる（図７（ａ）、（ｂ））。このように、樹脂接着
剤４０を塗布した部位を上部基板１２で覆うことで、光
ファイバ３０の固定強度を上げることができるので、光
軸ズレが少なくなる。
るが、この際、樹脂接着剤４０を塗布した光ファイバ３
０の上部を、基板１０と同じ材質で形成され、かつＶ溝
１３を有する上部基板１２で覆う構造を採用することも
できる（図７（ａ）、（ｂ））。このように、樹脂接着
剤４０を塗布した部位を上部基板１２で覆うことで、光
ファイバ３０の固定強度を上げることができるので、光
軸ズレが少なくなる。
【００３０】また、図８に示すように、光ファイバ３０
と半導体レーザ２０との間に、集光レンズ５０を固定し
てもよい。このように集光レンズ５０を介して光ファイ
バ３０と半導体レーザ２０とを光結合させることで、よ
り高い光結合効率が得られる。
と半導体レーザ２０との間に、集光レンズ５０を固定し
てもよい。このように集光レンズ５０を介して光ファイ
バ３０と半導体レーザ２０とを光結合させることで、よ
り高い光結合効率が得られる。
【００３１】さらに、図９に示すように、基板１０の表
面にＡｕ、或はＡｌを含む金属による導体パターン１４
を形成した基板１０’を用いることもできる。この導体
パターン１４は、半導体レーザ２０や半導体受光素子２
１の固定や配線に用いられる。
面にＡｕ、或はＡｌを含む金属による導体パターン１４
を形成した基板１０’を用いることもできる。この導体
パターン１４は、半導体レーザ２０や半導体受光素子２
１の固定や配線に用いられる。
【００３２】また、上記した実施態様では、基板１０の
表面にＶ溝１１を形成したタイプを例示したが、Ｖ溝１
１を有しない平坦な基板を用いても、上述した製造工程
と同様に発光素子モジュールを製造できる。この場合、
平坦な基板１０”上に塗布した樹脂接着剤４０内に光フ
ァイバ３０を位置させると、図１０に示すように、基板
１０”と光ファイバ３０とが離間した状態となる。この
状態で、光ファイバ３０を上下左右に変位させて光軸調
芯を行い、調芯後、樹脂接着剤４０を固化させる。
表面にＶ溝１１を形成したタイプを例示したが、Ｖ溝１
１を有しない平坦な基板を用いても、上述した製造工程
と同様に発光素子モジュールを製造できる。この場合、
平坦な基板１０”上に塗布した樹脂接着剤４０内に光フ
ァイバ３０を位置させると、図１０に示すように、基板
１０”と光ファイバ３０とが離間した状態となる。この
状態で、光ファイバ３０を上下左右に変位させて光軸調
芯を行い、調芯後、樹脂接着剤４０を固化させる。
【００３３】また、基板１０の材質はセラミックスとし
て例示したが、この他にも、基板材料として金属やＡｌ
Ｎを用いることもでき、この場合には熱伝導性が良いの
で、基板上に半導体レーザを固定した場合には、発熱し
た半導体レーザの放熱を効率良く行うことができる。ま
た、石英、シリコン、ＡｌＮ、ガラスセラミックス、ム
ライトなど、光ファイバと線膨張係数が同程度の材料を
基板１０に用いることで、温度変化によって光ファイバ
に加わる熱応力を低減できる。さらに、ＩｎＰやＧａＡ
ｓなどの半導体基板を使用すれば、基板上に半導体レー
ザや半導体発光素子をモノリシックに形成できる。さら
に、ガラス材を基板とすれば、樹脂接着材としてＵＶ硬
化樹脂を使用した場合には、光ファイバを基板上に固定
する際、基板の表面からと共に、裏面からもＵＶ光を照
射することができるため、接着剤を均一に硬化させるこ
とができる。
て例示したが、この他にも、基板材料として金属やＡｌ
Ｎを用いることもでき、この場合には熱伝導性が良いの
で、基板上に半導体レーザを固定した場合には、発熱し
た半導体レーザの放熱を効率良く行うことができる。ま
た、石英、シリコン、ＡｌＮ、ガラスセラミックス、ム
ライトなど、光ファイバと線膨張係数が同程度の材料を
基板１０に用いることで、温度変化によって光ファイバ
に加わる熱応力を低減できる。さらに、ＩｎＰやＧａＡ
ｓなどの半導体基板を使用すれば、基板上に半導体レー
ザや半導体発光素子をモノリシックに形成できる。さら
に、ガラス材を基板とすれば、樹脂接着材としてＵＶ硬
化樹脂を使用した場合には、光ファイバを基板上に固定
する際、基板の表面からと共に、裏面からもＵＶ光を照
射することができるため、接着剤を均一に硬化させるこ
とができる。
【００３４】また、上記した実施態様では、光ファイバ
３０、半導体レーザ２０を同一の基板１０上に固定する
例を示したが、光ファイバ３０等をそれぞれ別個の基板
に固定した後、基板同士の位置合わせ等を行って光軸調
芯することも可能である。
３０、半導体レーザ２０を同一の基板１０上に固定する
例を示したが、光ファイバ３０等をそれぞれ別個の基板
に固定した後、基板同士の位置合わせ等を行って光軸調
芯することも可能である。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１〜９にか
かる発光素子モジュールによれば、回折格子が形成され
た光ファイバの部位が基板上に固定されることとなるた
め、回折格子部分に加わる曲げ応力を低減できるので、
回折格子部分に曲げ応力が加わることで発生していた回
折波長の変動を低減させることができる。
かる発光素子モジュールによれば、回折格子が形成され
た光ファイバの部位が基板上に固定されることとなるた
め、回折格子部分に加わる曲げ応力を低減できるので、
回折格子部分に曲げ応力が加わることで発生していた回
折波長の変動を低減させることができる。
【００３６】また、請求項１０〜１２にかかる発光素子
モジュールの製造方法によれば、光ファイバを樹脂接着
剤内に位置させることで、光ファイバと基板表面とが離
間した状態となり、基板に対して光ファイバを上下左右
に変位させることできる。このため、従来のようにＶ溝
やファイバ外径の形状自体に依存した調芯に比べ、細か
い位置合わせを行うことが可能となり、より高い光結合
効率を得ることができる。
モジュールの製造方法によれば、光ファイバを樹脂接着
剤内に位置させることで、光ファイバと基板表面とが離
間した状態となり、基板に対して光ファイバを上下左右
に変位させることできる。このため、従来のようにＶ溝
やファイバ外径の形状自体に依存した調芯に比べ、細か
い位置合わせを行うことが可能となり、より高い光結合
効率を得ることができる。
【図１】本実施形態で用いる基板を示す斜視図である。
【図２】図１で示した基板上に半導体レーザ及び半導体
発光素子を実装した状態を示す平面図である。
発光素子を実装した状態を示す平面図である。
【図３】図２で示した基板上に光ファイバの固定端を配
した状態を示す平面図である。
した状態を示す平面図である。
【図４】Ｖ溝内に位置する光ファイバの光軸中心と半導
体レーザの出射位置と位置関係を示す説明図である。
体レーザの出射位置と位置関係を示す説明図である。
【図５】図３に続き、光ファイバの固定端部に樹脂接着
剤を塗布した状態を示す平面図である。
剤を塗布した状態を示す平面図である。
【図６】光ファイバの固定端部に樹脂接着剤を塗布した
際に、光ファイバと基板とが離間した状態を示す説明図
である。
際に、光ファイバと基板とが離間した状態を示す説明図
である。
【図７】（ａ）は、樹脂接着剤を塗布した光ファイバの
上部を、上部基板で覆う構造を示す平面図、（ｂ）は
（ａ）の場合における光ファイバの固定状態を示す説明
図である。
上部を、上部基板で覆う構造を示す平面図、（ｂ）は
（ａ）の場合における光ファイバの固定状態を示す説明
図である。
【図８】発光素子モジュールの他の実施形態を示す平面
図である。
図である。
【図９】発光素子モジュールの他の実施形態を示す平面
図である。
図である。
【図１０】平坦な基板上に光ファイバの固定端を配し、
樹脂接着剤を塗布した状態を示す説明図である。
樹脂接着剤を塗布した状態を示す説明図である。
【図１１】従来の発光素子モジュールを示す平面図であ
る。
る。
１０…基板、１１…Ｖ溝、１２…上部基板（保護基
板）、２０…半導体レーザ（半導体発光素子）、２０ａ
…反射面、２０ｂ…出射面、２１…半導体受光素子、３
０…光ファイバ、３１…回折格子、４０…樹脂接着剤。
板）、２０…半導体レーザ（半導体発光素子）、２０ａ
…反射面、２０ｂ…出射面、２１…半導体受光素子、３
０…光ファイバ、３１…回折格子、４０…樹脂接着剤。
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02B 6/42 H01S 3/094
Claims (12)
- 【請求項１】 基板と、第１の 反射率を有する反射面及びこの第１の反射率に比
べて低い第２の反射率を有する出射面を有し、前記基板
上に固定された半導体発光素子と、 一端が前記基板上に固定され、かつ、前記出射面から出
射された光が入射すると共に、特定波長の光を反射する
回折格子を少なくともコア部に形成した光ファイバとを
備え、前記特定波長の光を前記反射面と前記回折格子と
の間で繰り返し反射させることにより、レーザ発振を行
う発光素子モジュールであって、 前記光ファイバは、前記回折格子が形成された部位が前
記基板上に固定されたことを特徴とする発光素子モジュ
ール。 - 【請求項２】 前記光ファイバと前記基板との間に、樹
脂接着剤が介在する請求項１記載の発光素子モジュー
ル。 - 【請求項３】 前記基板は、前記光ファイバを固定した
部位に、この光ファイバに沿った溝部を有しており、 前記光ファイバにおける回折格子が形成された部位が、
この溝部上に固定された請求項２記載の発光素子モジュ
ール。 - 【請求項４】 前記溝部に対して前記光ファイバを当接
させた状態では、この光ファイバの光軸中心が、前記半
導体発光素子の発光位置よりも低い位置となる請求項３
記載の発光素子モジュール。 - 【請求項５】 前記光ファイバに沿った溝部を有する保
護基板をさらに備え、この保護基板と前記基板との間
に、前記光ファイバを固定した請求項２〜４のいずれか
一つに記載の発光素子モジュール。 - 【請求項６】 前記半導体発光素子の反射面側の基板上
には、この反射面を透過した光をモニターする半導体受
光素子を備えた請求項２〜５のいずれか一つに記載の発
光素子モジュール。 - 【請求項７】 前記基板上に、導体パターンが形成され
た請求項２〜６のいずれか一つに記載の発光素子モジュ
ール。 - 【請求項８】 前記半導体発光素子と前記光ファイバと
の間の基板上に、この間を伝搬される光を集光するレン
ズを備える請求項２〜７のいずれか一つに記載の発光素
子モジュール。 - 【請求項９】 前記基板は、半導体材料、セラミックス
材料、金属材料、ガラス材料及びガラスセラミックス材
料のうち、いすれかの材料により形成された請求項１〜
８のいずれか一つに記載の発光素子モジュール。 - 【請求項１０】 基板上に塗布した樹脂接着剤内に、固
定すべき光ファイバの一端部を配置する工程を備え、該
一端部には、少なくともコア部に回折格子が設けられて
おり、 硬化前の前記樹脂接着剤内において前記光ファイバを変
位させ、前記基板上の半導体発光素子との間で光軸を調
芯する工程を備え、 調芯後、前記樹脂接着剤を硬化させる工程を備える発光
素子モジュールの製造方法。 - 【請求項１１】 基板上に塗布した樹脂接着剤内に、固
定すべき光ファイバの一端部を配置する工程と、 硬化前の前記樹脂接着剤内において前記光ファイバを変
位させ、前記基板上の半導体発光素子との間で光軸を調
芯する工程と、 さらに調芯を継続しつつ、前記樹脂接着剤を硬化させる
工程と、 を有する発光素子モジュールの製造方法。 - 【請求項１２】 前記調芯は、前記半導体発光素子から
前記光ファイバ内に光を入射させると共に、この光ファ
イバの光出力が所望の値となるように、前記樹脂接着剤
内において前記光ファイバを変位させて実施する請求項
１０又は１１記載の発光素子モジュールの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32046495A JP3265568B2 (ja) | 1995-12-08 | 1995-12-08 | 発光素子モジュール及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32046495A JP3265568B2 (ja) | 1995-12-08 | 1995-12-08 | 発光素子モジュール及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09159878A JPH09159878A (ja) | 1997-06-20 |
| JP3265568B2 true JP3265568B2 (ja) | 2002-03-11 |
Family
ID=18121750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32046495A Expired - Fee Related JP3265568B2 (ja) | 1995-12-08 | 1995-12-08 | 発光素子モジュール及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3265568B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000299001A (ja) * | 1999-04-14 | 2000-10-24 | Japan Aviation Electronics Industry Ltd | 端面発光素子 |
-
1995
- 1995-12-08 JP JP32046495A patent/JP3265568B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09159878A (ja) | 1997-06-20 |
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