JP3764315B2 - Tungsten material and manufacturing method thereof - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、放電灯用タングステン電極とそれに用いられるタングステン又はタングステン合金からなるタングステン材料と、それらの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から放電灯用の電極は、その特性上、高い融点が求められるため、タングステン材料で製造されていた。しかし、タングステンは、融点が高く、溶解法による製造が困難で有るため粉末冶金法を用いて製造されている。その代表的なタングステン電極の製造方法としては、水素還元法で製造された粒度１〜５μｍ、純度９９．９５ ％程度の粉末を金型プレスもしくは静水圧プレスを用いて圧粉体を製造し、その後、圧粉体を水素雰囲気中で焼結を行い、インゴットを製造する方法がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
従来、粉末冶金法で製造されたインゴットは、その特性上内部に多数の閉空孔が存在し、本来のタングステンの真比重まで密度が上がっていない。内部に空孔が有り緻密化されていないタングステンを放電灯の陽極として使用した場合、熱伝導度が低下し先端の放電部のみ温度上昇が起きることが考えられる。また、この場合、先端部の温度がタングステンの融点近くまで上昇し先端部が溶融・変形・蒸発する原因となる。
【０００４】
従来から、タングステン電極用素材は、インゴットを加熱圧延又は熱間鍛造法等により塑性加工を行い緻密化させた後、電極として使用していた。
【０００５】
しかしながら、現在では、さらに耐放電特性が優れていて、寿命の長いタングステン材料が要求されている。
【０００６】
よって、本発明の技術的課題は、粉末冶金法と塑性加工法を用いて製造されたタングステン材料よりも更に耐放電特性の優れた電極を開発し、この電極とその製造方法とを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、多岐にわたる試験を繰り返した後、上記課題を解決する為には以下の様な手段を講じる必要があるとの知見を得、本発明をなすに至ったものである。
【０００８】
本発明によれば、純度の高いタングステン粉末から製造されたインゴットに塑性加工を施したタングステン又はタングステン合金からなるタングステン材料であって、前記インゴットは、ＪＩＳ（ＪＩＳ Ｈ １４０３）に規定されるタングステン材料の分析方法によるタングステン純分が９９．９９％以上であり、前記インゴットは、窒素、酸素、及び炭素の含有量の合計が０．０２％未満で且つ電子ビーム、プラズマ、又は高周波加熱を用いて真空中又は水素雰囲気中で２６５０℃以上の温度に加熱処理後のタングステン粒子の平均粒径が３７μｍ以上６００μｍ未満であり、前記塑性加工は、断面減少率３０％以上の加工であることを特徴とするタングステン材料が得られる。
【０００９】
また、本発明によれば、前記タングステン材料において、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２の内少なくとも１種類を０．００１〜０．５％含有していることを特徴とするタングステン材料が得られる。
【００１０】
また、本発明によれば、前記いずれかのタングステン材料からなることを特徴とするタングステン電極が得られる。
【００１１】
また、本発明によれば、純度の高いタングステン粉末からインゴットを製造し、塑性加工を施すタングステン又はタングステン合金からなるタングステン材料の製造方法であって、前記インゴットは、ＪＩＳ（ＪＩＳ Ｈ １４０３）に規定されるタングステン材料の分析方法によるタングステン純分が９９．９９％以上であり、窒素、酸素、及び炭素の含有量の合計が０．０２％未満で且つ電子ビーム、プラズマ、又は高周波加熱を用いて真空中又は水素雰囲気中で２６５０℃以上の温度に加熱処理後のタングステン粒子の平均粒径が３７μｍ以上６００μｍ未満であり、前記塑性加工は、断面減少率３０％以上の加工であり、前記塑性加工の後、電子ビーム、プラズマ、又は高周波加熱を用いて真空中又は水素雰囲気中で２６５０℃以上の温度で、先端部又は全体を加熱処理することを特徴とするタングステン材料の製造方法が得られる。
【００１２】
また、本発明によれば、前記タングステン材料の製造方法において、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２の内少なくとも１種類を０．００１〜０．５％含有させる工程を備えていることを特徴とするタングステン材料の製造方法が得られる。
【００１３】
また、本発明によれば、前記いずれかのタングステン材料の製造方法によりタングステン電極を製造することを特徴とするタングステン電極の製造方法が得られる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
まず、本発明の原理について説明する。
【００１５】
まず、タングステン材料のタングステン純分について説明する。
【００１６】
従来において、タングステン棒の純分は日本工業規格（ＪＩＳ Ｈ ４４６２の照明及び電子機器用タングステン棒）として１種と２種とが定められその純度が１種９９．９６％以上、２種９９．９％以上と定められ、広く世の中の基準となっている。
【００１７】
しかしながら、本発明者らは、タングステン中に含まれる不純分は、タングステンと合金を形成し、タングステンの融点を下げ、電極として使用したとき寿命の原因となりうるとの知見を得た。
【００１８】
そこで、本発明者らは、独自の技術により９９．９９％以上の高い純度の粉末を精製しこれを使用することで、課題の糸口を見出だした。
【００１９】
また、この粉末を用いて本発明の製造方法により作られたインゴットの成分の酸素、炭素、窒素の各元素の合計が０．０２％未満である事を確認した。
【００２０】
又、用途によつてはタングステン材料中にＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２の内少なくとも１種類を０．００１〜０．５％含有させることで、更に寿命が改善される事も確認した。
【００２１】
これは、タングステンを放電灯の電極として使用する場合、電源の入力エネルギー変動の大きな使用方法をした場合、電極の熱膨張、収縮による歪みが生じ、この歪みを基に電極中の結晶粒径が粗大化することが確認された。この粗大化が寿命低下の原因になつておりＡｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２は、結晶粒径の粗大化を抑制し均一な放電を促す役割を果たしていると考えている。
【００２２】
添加されるＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２はその量が多いほど結晶粒の粗大化の抑制効果が認められるが、０．５％以上添加した場合には加工性の低下と電極として使用中に添加元素の蒸発による寿命の短縮が起こるため０．５％を上限とした。
【００２３】
次に、本発明のタングステン材料の製造方法について説明する。
【００２４】
本発明者らは、確認試験の中で得た知見を基にタングステンの純度、結晶特性を満たすためには、次の様な製法を用いるべきであるとの確信を得た。
【００２５】
まず、静水圧プレス又は金型プレスを用いて圧粉体を製造する。この圧粉体を水素雰囲気又は真空中で焼結する。この時、焼結されたタングステンインゴットの密度は、相対密度で８８〜９３％である。
【００２６】
次に、熱間での圧延又は／及び転打加工により断面減少率で３０％以上の加工を行う。このことにより、密度９９％以上に緻密化する事ができる。上記の製法によつて製造されたタングステンは、純度、密度が高く、電極として使用される場合に最適な性能を示す。
【００２７】
又、電極としての使用中に結晶粒が粗大化して短寿命化するのを防止するために、タングステン電極を電子ビーム、ブラズマ、及び高周波加熱等を用いて真空中又は水素雰囲気中で２６５０℃以上の温度に加熱処理することで、更なる長寿命化が得られる事も見いだした。これは、特に放電が集中する先端部又は全体を加熱処理することで使用中の結晶粒の成長を著しく抑制する事が出来、その効果が得られる。
【００２８】
従来のものでも一部には、間接加熱により２４００℃以下の熱処理が行われる場合があったが、本発明では、２次再結晶粒の成長を防止するために間接加熱では、到達不可能な２６５０℃以上の高温で処理する事が最大のポイントとなる。
【００２９】
次に、本発明のタングステン電極材料の製造の具体例について説明する。
【００３０】
タングステン粉末の製造に当たり独自の精製を行い、純度の高い粉末を製造した。次に、静水圧プレスを用いて２２５６Ｎ／ｃｍ２（２２．５６ＭＰａ）の圧力でそれぞれの圧粉体を製造した。その圧粉体を水素雰囲気炉の中で１７２０℃×５０時間焼結を行い、インゴットを製造した。
【００３１】
できあがったインゴットを分析したところ、成分は以下の表１の通りであった。また、比重を測定したところ、１７．８１であった（以下、素材１と呼ぶ）。
【００３２】
【表１】
また、更に、タングステンにＡｌ２Ｏ３及びＳｉＯ２を添加した粉末を製造し、同じ条件でインゴットの製造を行った。この時のインゴットの成分は下記表２の通りである。また、比重を測定したところ、１７．８１であった（以下、素材２と呼ぶ）。
【００３４】
【表２】
次に、比較用に従来より使用されている一般的なタングステン粉末を用意し、同じ条件でインゴットを製造した、成分は下記の表３の通りであった。また、比重を測定したところ、１７．８０であった（以下、素材３と呼ぶ）。
【００３６】
【表３】
上記３種類のインゴットを、それぞれ以下に示すような熱間圧延法によって加工し、その後、熱処理を行い、電極として放電灯に組み込みまれる。
【００３８】
ここで、熱間圧延方法について更に詳しく説明する。熱間圧延の方法としては、溝ロールを用いて１４００℃に加熱した後加工を行い電極を製造した。この時のインゴットからの断面減少率は３５％であり、比重は素材１で１９．１７、素材２で１９．０８、素材３で１９．１５であった。
【００３９】
さらに、続く加熱処理について詳しく説明する。
【００４０】
本来、電子ビーム等の高エネルギー源を用いればタングステン粉末から直接電極素材を溶融し鋳造することやインゴットを直接熱処理することでも寿命を改善することは可能であるが、直接鋳造した場合、不純分の偏析が発生する可能性があり、本来の粉末の特性による寿命の差が観察し難くなる可能性があるため、本発明の実施の形態においては、水素雰囲気中で焼結した素材１〜３のインゴットを熱間圧延加工を行った後、１０−５ｔｏｒｒ（≒１．３３×１０−３Ｐａ）の真空中で電子ビーム法により放電が集中する先端部を２６５０℃の加熱処理をおこなった。
【００４１】
以下の表４に、素材と加工方向並びに熱処理後の素材の平均粒径を示す。
【００４２】
【表４】
表１乃至表３に示される３種類のインゴットを熱間圧延及び熱処理を行いタングステン電極としての寿命についての比較を行った。寿命は、黒化の進行による照度の低下で評価し、初期状態を１００％として５００時間経過迄の照度を比較した。その結果を図１及び図２に示す。
【００４４】
図１は図２本発明の実施の形態によるタングステン電極の寿命を示す図で、図１は圧延加工しただけのＷ電極の照度の経時変化を示す図、図２は圧延加工の後熱処理したＷ電極の寿命を示す図である。
【００４５】
図１及図２を参照すると、素材１及び素材２は、従来からの素材である素材３よりも、照度の低下が少なく、素材として従来の物より優れていることが判明した。
【００４６】
また、圧延後、さらに、高温熱処理をする事で照度の低下が減少しているのは本発明の重要な効果であると考えられる。これは使用中のタングステンの結晶粒の粗大化と関係付けられる。以下の表５に本発明で観察された代表的な結晶粒径を示す。
【００４７】
【表５】
上記表５に示すように、圧延加工後２６５０℃で熱処理されたものは５００時間経過後でもあまり結晶粒が成長していないのに対し、圧延加工のみで電極として使用されたものは著しく粒成長しており、本発明の効果が顕れたものと考えられる。
【００４９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、粉末冶金法と塑性加工法を用いて製造されたタングステン材料よりも更に耐放電特性の優れた電極を開発し、この電極とその製造方法とを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態による圧延加工しただけのＷ電極の照度の経時変化を示す図で、併せて従来の素材３も示してある。
【図２】本発明の実施の形態による圧延加工後、熱処理したＷ電極の照度の経時変化を示す図で、併せて従来の素材も示してある。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a tungsten electrode for a discharge lamp, a tungsten material made of tungsten or a tungsten alloy used therefor, and a manufacturing method thereof.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, an electrode for a discharge lamp has been manufactured from a tungsten material because a high melting point is required for its characteristics. However, since tungsten has a high melting point and is difficult to manufacture by a melting method, it is manufactured using a powder metallurgy method. As a typical method for producing a tungsten electrode, a powder having a particle size of 1 to 5 μm and a purity of about 99.95% produced by a hydrogen reduction method is produced using a mold press or an isostatic press, Thereafter, there is a method for producing an ingot by sintering the green compact in a hydrogen atmosphere.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
Conventionally, ingots manufactured by powder metallurgy have many closed pores inside due to their characteristics, and the density has not increased to the true specific gravity of the original tungsten. When tungsten, which has voids inside and is not densified, is used as the anode of the discharge lamp, it is considered that the thermal conductivity is lowered and the temperature rises only at the discharge part at the tip. Further, in this case, the temperature of the tip portion rises to near the melting point of tungsten, causing the tip portion to melt, deform, and evaporate.
[0004]
Conventionally, a tungsten electrode material has been used as an electrode after the ingot has been densified by plastic working by hot rolling or hot forging.
[0005]
However, at present, there is a demand for a tungsten material that is further excellent in discharge resistance characteristics and has a long life.
[0006]
Therefore, the technical problem of the present invention is to develop an electrode having a better discharge resistance than a tungsten material produced by using powder metallurgy and plastic working methods, and to provide this electrode and its production method. It is in.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
The present inventors have obtained the knowledge that it is necessary to take the following means in order to solve the above-mentioned problems after repeating various tests, and have made the present invention.
[0008]
According to the present invention, a tungsten material made of tungsten or a tungsten alloy obtained by subjecting an ingot manufactured from high-purity tungsten powder to plastic processing, wherein the ingot is a tungsten material defined in JIS (JIS H 1403). The pure tungsten content according to the analysis method is 99.99% or more, and the ingot has a total content of nitrogen, oxygen, and carbon of less than 0.02% and uses electron beam, plasma, or high-frequency heating. The average particle diameter of tungsten particles after heat treatment at a temperature of 2650 ° C. or higher in a vacuum or hydrogen atmosphere is 37 μm or more and less than 600 μm, and the plastic working is processing with a cross-section reduction rate of 30% or more. A tungsten material is obtained.
[0009]
According to the present invention, there is obtained a tungsten material characterized in that the tungsten material contains 0.001 to 0.5% of at least one of Al 2 O 3 and SiO 2 .
[0010]
In addition, according to the present invention, a tungsten electrode comprising any one of the above tungsten materials can be obtained.
[0011]
According to the present invention, there is also provided a method for producing a tungsten material made of tungsten or a tungsten alloy for producing an ingot from a high-purity tungsten powder and subjecting it to plastic working. The ingot is specified in JIS (JIS H 1403). The tungsten content by the method of analyzing the tungsten material is 99.99% or more, the total content of nitrogen, oxygen, and carbon is less than 0.02% and using electron beam, plasma, or high frequency heating The average particle diameter of the tungsten particles after heat treatment at a temperature of 2650 ° C. or higher in a vacuum or hydrogen atmosphere is 37 μm or more and less than 600 μm, and the plastic working is a work with a cross-sectional reduction rate of 30% or more. after, electron beam, plasma, or by using a high-frequency heating in vacuum or in a hydrogen atmosphere 2650 ° C. or more temperature In method of manufacturing a tungsten material, which comprises heating the tip or the entire can be obtained.
[0012]
Further, according to the present invention, the tungsten material manufacturing method further comprises a step of containing 0.001 to 0.5% of at least one of Al 2 O 3 and SiO 2. A material manufacturing method is obtained.
[0013]
In addition, according to the present invention, there is obtained a method for producing a tungsten electrode, characterized in that a tungsten electrode is produced by any one of the above-described methods for producing a tungsten material.
[0014]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
First, the principle of the present invention will be described.
[0015]
First, the pure tungsten content of the tungsten material will be described.
[0016]
Conventionally, the purity of tungsten rods is determined as Japanese Industrial Standard (JIS H 4462 lighting and electronic device tungsten rods) of 1 type and 2 types, and the purity is 99.96% or more of 1 type and 99.96 of 2 types. It is set at 9% or more and is widely used in the world.
[0017]
However, the present inventors have found that the impurity contained in tungsten forms an alloy with tungsten, lowers the melting point of tungsten, and can cause a life when used as an electrode.
[0018]
Therefore, the present inventors have found a clue of the problem by purifying a powder having a high purity of 99.99% or more by using the original technology and using the purified powder.
[0019]
It was also confirmed that the total of oxygen, carbon and nitrogen elements of the ingot component produced by the production method of the present invention using this powder was less than 0.02% .
[0020]
It was also confirmed that the life could be further improved by adding 0.001 to 0.5% of at least one of Al 2 O 3 and SiO 2 in the tungsten material depending on the application.
[0021]
This is because, when tungsten is used as an electrode for a discharge lamp, when a method of using a large input energy fluctuation of the power supply is used, distortion due to thermal expansion and contraction of the electrode occurs, and the crystal grain size in the electrode is based on this distortion. It was confirmed to be coarse. It is thought that this coarsening causes a reduction in life, and Al 2 O 3 and SiO 2 play a role of promoting uniform discharge by suppressing the coarsening of the crystal grain size.
[0022]
As the amount of Al 2 O 3 and SiO 2 added increases, the effect of suppressing the coarsening of the crystal grains is recognized. However, when 0.5% or more is added, workability decreases and the electrode is added during use. The lifetime was shortened by element evaporation, so 0.5% was made the upper limit.
[0023]
Next, the manufacturing method of the tungsten material of this invention is demonstrated.
[0024]
Based on the knowledge obtained in the confirmation test, the present inventors have convinced that the following manufacturing method should be used to satisfy the purity and crystal characteristics of tungsten.
[0025]
First, a green compact is manufactured using an isostatic press or a die press. The green compact is sintered in a hydrogen atmosphere or vacuum. At this time, the density of the sintered tungsten ingot is 88 to 93% in relative density.
[0026]
Next, 30% or more of the reduction of the cross section is performed by hot rolling and / or rolling. Thereby, it can be densified to a density of 99% or more. Tungsten manufactured by the above manufacturing method has high purity and density, and shows optimum performance when used as an electrode.
[0027]
Further, in order to prevent the crystal grains from becoming coarse and shortening the life during use as an electrode, the tungsten electrode is heated to 2650 ° C. or higher in a vacuum or in a hydrogen atmosphere using an electron beam, plasma, high-frequency heating, or the like. It has also been found that a longer life can be obtained by heat treatment at a temperature of. In particular, the growth of crystal grains in use can be remarkably suppressed by heat-treating the tip portion or the whole where the discharge is concentrated, and the effect is obtained.
[0028]
In some cases, heat treatment at 2400 ° C. or less is performed by indirect heating even in the conventional one, but in the present invention, indirect heating is not possible in order to prevent the growth of secondary recrystallized grains. Processing at a high temperature of 2650 ° C. or higher is the biggest point.
[0029]
Next, a specific example of manufacturing the tungsten electrode material of the present invention will be described.
[0030]
In the production of tungsten powder, we performed our own purification and produced a high-purity powder. Next, each green compact was manufactured with the pressure of 2256 N / cm < 2 > (22.56 MPa) using the hydrostatic pressure press. The green compact was sintered in a hydrogen atmosphere furnace at 1720 ° C. for 50 hours to produce an ingot.
[0031]
When the resulting ingot was analyzed, the components were as shown in Table 1 below. Further, the specific gravity was measured to be 17.81 (hereinafter referred to as material 1).
[0032]
[Table 1]
Further, a powder obtained by adding Al 2 O 3 and SiO 2 to tungsten was manufactured, and an ingot was manufactured under the same conditions. The components of the ingot at this time are as shown in Table 2 below. Further, the specific gravity was measured and found to be 17.81 (hereinafter referred to as material 2).
[0034]
[Table 2]
Next, a general tungsten powder conventionally used for comparison was prepared, and an ingot was produced under the same conditions. The components were as shown in Table 3 below. Further, the specific gravity was measured and found to be 17.80 (hereinafter referred to as material 3).
[0036]
[Table 3]
The above three types of ingots are each processed by a hot rolling method as shown below, and then heat-treated to be incorporated into a discharge lamp as an electrode.
[0038]
Here, the hot rolling method will be described in more detail. As a method of hot rolling, an electrode was manufactured by performing processing after heating to 1400 ° C. using a groove roll. At this time, the cross-section reduction rate from the ingot was 35%, and the specific gravity was 19.17 for
[0039]
Further, the subsequent heat treatment will be described in detail.
[0040]
Originally, if a high energy source such as an electron beam is used, it is possible to improve the service life by melting and casting the electrode material directly from tungsten powder, or by directly heat treating the ingot. In the embodiment of the present invention,
[0041]
Table 4 below shows the material, the processing direction, and the average particle size of the material after heat treatment.
[0042]
[Table 4]
The three types of ingots shown in Tables 1 to 3 were subjected to hot rolling and heat treatment to compare the lifetimes as tungsten electrodes. The lifetime was evaluated based on the decrease in illuminance due to the progress of blackening, and the illuminance was compared until the lapse of 500 hours with the initial state as 100%. The results are shown in FIGS.
[0044]
FIG. 1 is a diagram showing the lifetime of a tungsten electrode according to an embodiment of the present invention. FIG. 1 is a diagram showing a change with time in the illuminance of a W electrode just rolled, and FIG. It is a figure which shows the lifetime of an electrode.
[0045]
Referring to FIG. 1 and FIG. 2, it was found that
[0046]
In addition, it is considered that the reduction in illuminance is reduced by performing high-temperature heat treatment after rolling, which is an important effect of the present invention. This is related to the coarsening of tungsten grains during use. Table 5 below shows typical crystal grain sizes observed in the present invention.
[0047]
[Table 5]
As shown in Table 5 above, those that were heat-treated at 2650 ° C. after rolling did not grow so much after 500 hours, whereas those that were used as electrodes only by rolling were markedly grown. Therefore, it is considered that the effect of the present invention is manifested.
[0049]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, an electrode having a better discharge resistance than that of a tungsten material manufactured using a powder metallurgy method and a plastic working method has been developed, and the electrode and a method for manufacturing the electrode are provided. can do.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a change over time in the illuminance of a W electrode that has just been rolled according to an embodiment of the present invention, and also shows a
FIG. 2 is a diagram showing a change over time in the illuminance of a W electrode heat-treated after rolling according to an embodiment of the present invention, and also shows a conventional material.
Claims (6)
前記インゴットは、ＪＩＳに規定されるタングステン材料の分析方法によるタングステン純分が９９．９９％以上であり、前記インゴットは、窒素、酸素、及び炭素の含有量の合計が０．０２％未満で且つ電子ビーム、プラズマ、又は高周波加熱を用いて真空中又は水素雰囲気中で２６５０℃以上の温度に加熱処理後のタングステン粒子の平均粒径が３７μｍ以上６００μｍ未満であり、前記塑性加工は、断面減少率３０％以上の加工であることを特徴とするタングステン材料。A tungsten material made of tungsten or a tungsten alloy obtained by performing plastic working on an ingot manufactured from high-purity tungsten powder,
The ingot has a pure tungsten content of 99.99% or more according to a tungsten material analysis method specified in JIS, and the ingot has a total content of nitrogen, oxygen, and carbon of less than 0.02%, and The average particle diameter of tungsten particles after heat treatment at a temperature of 2650 ° C. or higher in a vacuum or hydrogen atmosphere using electron beam, plasma, or high-frequency heating is 37 μm or more and less than 600 μm. Tungsten material characterized by being 30% or more processed.
前記インゴットは、ＪＩＳに規定されるタングステン材料の分析方法によるタングステン純分が９９．９９％以上であり、窒素、酸素、及び炭素の含有量の合計が０．０２％未満で且つ電子ビーム、プラズマ、又は高周波加熱を用いて真空中又は水素雰囲気中で２６５０℃以上の温度に加熱処理後のタングステン粒子の平均粒径が３７μｍ以上６００μｍ未満であり、
前記塑性加工は、断面減少率３０％以上の加工であり、
前記塑性加工の後、電子ビーム、プラズマ、及び高周波加熱を用いて真空中又は水素雰囲気中で２６５０℃以上の温度で、先端部又は全体を加熱処理することを特徴とするタングステン材料の製造方法。A method for producing a tungsten material made of tungsten or a tungsten alloy, in which an ingot is produced from a highly pure tungsten powder and subjected to plastic working,
The ingot has a pure tungsten content of 99.99% or more according to the tungsten material analysis method specified in JIS, the total content of nitrogen, oxygen, and carbon is less than 0.02%, and an electron beam, plasma Or the average particle size of the tungsten particles after heat treatment to a temperature of 2650 ° C. or higher in vacuum or hydrogen atmosphere using high-frequency heating is 37 μm or more and less than 600 μm,
The plastic working is a work with a cross-section reduction rate of 30% or more,
After the plastic working, electron beam, plasma, and at a temperature above 2650 ° C. in a vacuum or hydrogen atmosphere using a high frequency heating method for producing a tungsten material, which comprises heating the tip or the entire .
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