JP3763225B2 - Ion drift type flow meter - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、工業分野や医療分野等において流体の流速あるいは流量を測定するための流量計、特にイオンドリフト式流量計に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来のイオンドリフト式流量計の一例を図4を参照しながら説明する。図中、参照符号1は、円管11内を流れる空気流量を測定するイオンドリフト式流量計を示している。
【0003】
図4に示すように、イオンドリフト式流量計1は円盤形状のコロナ電極12と所定の抵抗を有するコレクタ電極13とから構成される。円管11内を流れる空気流量を測定する際、上記コロナ電極12は円管11の中心軸上に置かれ、一方コレクタ電極13は円筒11の外周面を覆うようにして設けられ、かつ該コレクタ電極13の上流側部位131および下流側部位132から接地されている。
【0004】
ところで、コロナ電極12とコレクタ電極13との間には電界が生じるが、コロナ電極12周端部では電界が局部的に集中し不平等な電界状態となるので、印加電圧を適切に採ればコロナ電極12の周端部のみで放電するコロナ放電状態となる。同部分では流体分子あるいは流体中の粒子がイオン化され、コレクタ電極に向かって速度Vd でドリフトし電流が流れる。このとき円管11内の流体に流れがあると、ドリフトするイオンは流速あるいは流量に応じて到達中心がDだけ変移する。コレクタ電極13は適当な抵抗分を持つので、上流側131に流れる電流をI1 、下流側132に流れる電流をI2 とすれば、D=C・(I2 −I1 )/(I2 +I1 )として算出できるので(Cは定数)、これより流速あるいは流量を検出することが出来る。このようなイオンドリフト式流量計は、発生するイオンの電極間移動時間で応答性が決まるため、非常に高い応答性が得られる。また可動部を持たないため機械的信頼性が高いなどの利点を持つ。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来のイオンドリフト式流量計1は以下のような解決すべき課題を有する。
【0006】
すなわち、従来のイオンドリフト式流量計は、機械加工と組み立てとを前提とした製作方法に依るため、小型化には限界がありサイズ的な面で測定対象の制約を受ける。またイオンの到達位置を正確に測定するためには高い加工精度、組み立て精度が必要となり、そのため高いコストが要求される。さらにこの種の流量計は一般に空気の絶縁耐圧を破るだけの電界が必要であるため、高電圧源が必要となり、これもコストアップの要因となる。
【0007】
したがって、本発明の目的は上記課題を解決し、低コストかつ高性能で、さらに小型化が可能なイオンドリフト式流量計を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
以上説明した問題点を解決するために、本発明では、請求項1に記載の発明は、イオンドリフト式流量計において、基板上に、短冊状に形成されて一端が先鋭状になり、他端がパッドを介して外部電源に接続されたコロナ電極と、互いに対向し、かつそれぞれが各パッドと接続されて、各パッドから電流検出手段を介してそれぞれ接地された第1のコレクタ電極および第2のコレクタ電極とを備え、コロナ電極、第1のコレクタ電極および第2のコレクタ電極は、フォトリソグラフィーを用いて形成された金属の導電性薄膜あるいは不純物拡散を行なったシリコンであり、およびコロナ電極のパッド、第1のコレクタ電極および第2のコレクタ電極の各パッドは、ボンディングが可能な金属薄膜であって、かつフォトリソグラフィーにより形成されていることを特徴とする。
【0009】
請求項2に記載の発明は、イオンドリフト流量計において、基板上に、基板の一端部側に積層されたスペーサ部材と、スペーサ部材上に一端部側が置かれ、かつ他端部側がスペーサ部材から先細りとなって突出したビーム部材と、スペーサ部材とビーム部材との間にビーム部材の突出した部分に沿って設けられたコロナ電極と、スペーサ部材が積層された一端部側とは反対側の部分に矩形状をなす第1のコレクタ電極および第2のコレクタ電極とを備え、コロナ電極、第1のコレクタ電極および第2のコレクタ電極は、フォトリソグラフィーを用いて形成された金属の導電性薄膜あるいは不純物拡散を行なったシリコンであり、および第1のコレクタ電極および第2のコレクタ電極は、フォトリソグラフィーにより形成され、かつ互いの一端部がコロナ電極の自由端の延長線方向に沿って平行に離間して配置されていることを特徴とする。
【0018】
【発明の実施の形態】
<第1の実施形態例>
本発明にもとづくイオンドリフト式流量計の一例を、図1を参照しながら説明する。図1の(a)はイオンドリフト式流量計の模式的平面図、(b)は(a)のI-I'線に沿う模式的断面図であり、図中の参照符号2はイオンドリフト式流量計を示す。また、図中、破線と黒点とでイオンの流れを示す。
【0019】
イオンドリフト式流量計2は、基板20上に短冊状に形成され、一端が先鋭状となった一端(以下、単に先端ともいう)とパッド23を介して外部電源(不図示)に接続する他端とを有するコロナ電極21と、互いに対向し、かつそれぞれがパッド24a,24bに接続され電流検出手段を介して接地される2つのコレクタ電極22a,22bとから構成される。
【0020】
つぎに、上記構成からなるイオンドリフト式流量計の動作について説明する。このイオンドリフト式流量計を、図1(a)に示すように矢印A方向から流れる空気流の中に置く。コロナ電極21に適当な電圧を印加するとコレクタ電極22a,22bとの間に不平等電界が形成され、コロナ電極21の先端でコロナ放電が発生し、イオンドリフト式流量計上を通過する流体あるいは流体中の粒子がイオン化される。イオン化された流体分子はコレクタ電極22a,22bにドリフトする。このとき流体の流れに応じて、イオンは上流側のコレクタ電極22aに比し下流側22bにより多く到達し、電流Ia に比し電流Ib が増加するので、この比を取ることで流速あるいは流量を検出することができる。
【0021】
なお、上記基板20は、例えばガラス基板あるいはシリコン基板上に絶縁層を形成したものとすることができる。電極21,22a,22bはフォトリソグラフィを用いて形成した金属などの導電性薄膜、あるいは不純物拡散を行ったシリコンなどである。またコロナ放電により電極表面が酸化されるような場合、Ptなど耐酸化性の金属材料を用いることが有効である。さらに電極パッド23,24a,24bはボンディングが可能な金属薄膜が適当であり、フォトリソグラフィにより形成することができる。
【0022】
また必要に応じて、磁石あるいは誘導により発生させた磁束Bを、図1(b)のようにコロナ電極21とコレクタ電極22a,22bの間にイオンの流れ(図中、破線で示す)と交差するよう通せば、電界が曲がりイオンの流れを基板からより浮き上がらせ、流体の流れを捉え易くなる。また同時にコレクタ電極22a,22b側でのエッジへの電界集中度を緩和させることができるので、より電界の不平等性が高まりコロナ放電の安定化に繋がる。
【0023】
以上のように基板上にフォトリソグラフィを用いてイオンドリフト式流量計を形成すれば、微小サイズのイオンドリフト式流量計を得ることができるので、測定対象における空間的な制約を受けずに流量の計測を行うことが出来る。また電極間のギャップも短くできるので、電界を高め従来に比し印加電圧を低減させ、電源部分のコストを抑えることができる。製作にはフォトリソグラフィによるバッチプロセスを用いるので、量産効果により製作コストを低減させることができる。さらに、組み立て不要で高精度の加工が可能となるので、電極の寸法、位置精度を高め、比較的容易に流量検知精度を高めることができる。
【0024】
<第2の実施形態例>
本発明にもとづくイオンドリフト式流量計の第2の実施形態例を、図2を参照しながら説明する。図2の(a)はイオンドリフト式流量計の模式的平面図、(b)は(a)のII-II'線に沿う模式的断面図であり、図中の参照符号3はイオンドリフト式流量計を示す。図中、破線と黒点とでイオンの流れを示す。また、矢印Aは、流体の流れる方向を示す。
【0025】
イオンドリフト式流量計3は、基板30の中央に立設し、かつ円錐状に形成されたコロナ電極31と、上記コロナ電極31の周面と所定の間隔で離間するように弧状に切欠された一端が互いに対向するようにして、基板30上に絶縁層33を介して配された2枚のコレクタ電極32a,32bとから構成される。円錐形状のコロナ電極31は、例えばシリコンのエッチング加工、金属の蒸着加工などにより形成することができる。コロナ電極31に電圧を印加し、コレクタ電極32a,32bを接地すれば、コロナ電極31とコレクタ電極32a,32bの間にイオン流が形成され、第一実施例と同様の原理、効果の下に流速あるいは流量を測定することができる。
【0026】
<第3の実施形態例>
本発明にもとづくイオンドリフト式流量計の第3の実施形態例を、図3を参照しながら説明する。図3の(a)はイオンドリフト式流量計の模式的平面図、(b)は(a)のII-II'線に沿う模式的断面図であり、図中の参照符号4はイオンドリフト式流量計を示す。図中、破線と黒点とでイオンの流れを示す。また、矢印Aは、流体の流れる方向を示す。
【0027】
イオンドリフト式流量計4は、基板40と、該基板の一端部側に積層されたスペーサ部材41と、該スペーサ部材41上に一端部側が置かれ、かつ他端部側がスペーサ部材41から先細りとなって突出したビーム部材42と、スペーサ部材41とビーム部材42との間に設けられ、上記ビーム部材42の突出した部分に沿って設けられたコロナ電極43とから構成される。
【0028】
基板40、スペーサ部材41、およびビーム部材42は、例えばガラス、シリコン等の基板からなるものとし、適当な接合方法により積層することができる。基板40には、上記スペーサ部材41が積層された一端部側とは反対側の部分に、2枚のコレクタ電極45a,45bが配されている。これらのコレクタ電極45a,45bは矩形状をなし、また互いの一端部が2段階に先細りとなったコロナ電極43の自由端の延長線方向に沿って平行に離間して配されている。コロナ電極43に電圧を印加しコレクタ電極45a,45bを接地すれば、イオン流がコロナ電極43とコレクタ電極45a,45bの間にイオン流が形成され、第1実施例と同様の原理、効果の下に流体の流速あるいは流量を測定することができる。
【0029】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明にもとづくイオンドリフト式流量計は、従来のものに比べて、微小サイズのイオンドリフト式流量計を得ることが可能となり、測定対象における空間的な制約を受けずに流量の計測を行うことができ、また電極間のギャップも短くできるので、電界を高め従来に比し印加電圧を低減させ、電源部分のコストを抑えることができ、さらに製作にはフォトリソグラフィによるバッチプロセスを用いることが可能となるため、量産効果により製作コストを低減させることができ、組み立て不要で高精度の加工が可能となることから、電極の寸法および位置精度を高め、比較的容易に流量検知精度を高めることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明にもとづくイオンドリフト式流量計の第1の実施形態例を説明するための図で、(a)はイオンドリフト式流量計の模式的平面図、(b)は(a)のI-I'線に沿う模式的断面図である。
【図2】本発明にもとづくイオンドリフト式流量計の第2の実施形態例を説明するための図で、(a)はイオンドリフト式流量計の模式的平面図、(b)は(a)のII-II'線に沿う模式的断面図である。
【図3】本発明にもとづくイオンドリフト式流量計の第3の実施形態例を説明するための図で、(a)はイオンドリフト式流量計の模式的平面図、(b)は(a)のIII-III'線に沿う模式的断面図である。
【図4】従来のイオンドリフト式流量計を説明するための模式図である。
【符号の説明】
2 イオンドリフト式流量計
3 イオンドリフト式流量計
4 イオンドリフト式流量計
20 基板
21 コロナ電極
22a,22b コレクタ電極
23,24a,24b 電極パッド
30 基板
31 コロナ電極
32a,32b コレクタ電極
33 絶縁層
40 基板
41 スペーサ部材
42 ビーム部材
43 コロナ電極
45a,45b コレクタ電極[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a flow meter for measuring a flow velocity or flow rate of a fluid in an industrial field, a medical field, or the like, and more particularly to an ion drift type flow meter.
[0002]
[Prior art]
An example of a conventional ion drift flow meter will be described with reference to FIG. In the figure,
[0003]
As shown in FIG. 4, the ion drift
[0004]
By the way, although an electric field is generated between the
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, the conventional ion drift
[0006]
That is, since the conventional ion drift type flow meter depends on a manufacturing method on the premise of machining and assembly, there is a limit to downsizing, and the measurement object is restricted in terms of size. Further, in order to accurately measure the arrival position of ions, high processing accuracy and assembly accuracy are required, and therefore high cost is required. Furthermore, since this type of flow meter generally requires an electric field sufficient to break the dielectric strength of air, a high voltage source is required, which also increases costs.
[0007]
Accordingly, an object of the present invention is to provide an ion drift type flow meter that solves the above-described problems, is low in cost, has high performance, and can be further downsized.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the problems described above, in the present invention, the invention according to
[0009]
According to a second aspect of the present invention, in the ion drift flowmeter, a spacer member laminated on one end side of the substrate on the substrate, one end side placed on the spacer member, and the other end side from the spacer member A beam member projecting in a tapered manner, a corona electrode provided along a projecting portion of the beam member between the spacer member and the beam member, and a portion opposite to the one end side where the spacer member is laminated And a corona electrode, a first collector electrode, and a second collector electrode are formed of a metal conductive thin film formed by photolithography or the like. The impurity-diffused silicon is formed, and the first collector electrode and the second collector electrode are formed by photolithography, and one end of each other There, characterized in that it is spaced apart in parallel along the extension direction of the free end of the corona electrode.
[0018]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
<First Embodiment>
An example of an ion drift type flow meter according to the present invention will be described with reference to FIG. 1A is a schematic plan view of an ion drift flow meter, FIG. 1B is a schematic cross-sectional view taken along line II ′ of FIG. 1A, and
[0019]
The ion drift
[0020]
Next, the operation of the ion drift type flow meter having the above configuration will be described. This ion drift type flow meter is placed in an air flow flowing from the direction of arrow A as shown in FIG. When an appropriate voltage is applied to the
[0021]
In addition, the said board |
[0022]
If necessary, the magnetic flux B generated by a magnet or induction intersects the flow of ions (indicated by a broken line in the figure) between the
[0023]
As described above, if an ion drift flow meter is formed on a substrate using photolithography, an ion drift flow meter with a very small size can be obtained. Measurement can be performed. Further, since the gap between the electrodes can be shortened, the electric field can be increased, the applied voltage can be reduced as compared with the conventional case, and the cost of the power supply portion can be suppressed. Since a batch process by photolithography is used for the production, the production cost can be reduced due to the mass production effect. Further, since high-precision processing is possible without requiring assembly, the dimensions and position accuracy of the electrodes can be increased, and the flow rate detection accuracy can be increased relatively easily.
[0024]
<Second Embodiment>
A second embodiment of an ion drift flow meter according to the present invention will be described with reference to FIG. 2A is a schematic plan view of an ion drift flow meter, FIG. 2B is a schematic cross-sectional view taken along the line II-II ′ of FIG. 2A, and reference numeral 3 in the drawing is an ion drift type. Indicates a flow meter. In the figure, broken lines and black dots indicate ion flows. An arrow A indicates the direction of fluid flow.
[0025]
The ion drift type flow meter 3 is erected in the center of the
[0026]
<Third Embodiment>
A third embodiment of the ion drift flow meter according to the present invention will be described with reference to FIG. 3A is a schematic plan view of an ion drift flow meter, FIG. 3B is a schematic cross-sectional view taken along the line II-II ′ of FIG. 3A, and
[0027]
The ion drift
[0028]
The
[0029]
【The invention's effect】
As described above, the ion drift type flow meter based on the present invention can obtain an ion drift type flow meter of a minute size compared with the conventional one, without being subjected to spatial restrictions on the measurement target. Since the flow rate can be measured and the gap between the electrodes can be shortened, the electric field can be increased, the applied voltage can be reduced compared to the conventional case, and the cost of the power supply part can be reduced. Since the process can be used, the production cost can be reduced due to the mass production effect, and high-precision machining is possible without assembling. Therefore, the dimensions and position accuracy of the electrodes are increased and the flow rate is relatively easy. It becomes possible to improve detection accuracy.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram for explaining a first embodiment of an ion drift type flow meter according to the present invention, wherein (a) is a schematic plan view of the ion drift type flow meter, and (b) is (a). FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along the line II ′.
FIGS. 2A and 2B are diagrams for explaining a second embodiment of the ion drift type flow meter according to the present invention, FIG. 2A is a schematic plan view of the ion drift type flow meter, and FIG. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along line II-II ′.
FIGS. 3A and 3B are diagrams for explaining a third embodiment of the ion drift flow meter according to the present invention, wherein FIG. 3A is a schematic plan view of the ion drift flow meter, and FIG. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view taken along line III-III ′.
FIG. 4 is a schematic diagram for explaining a conventional ion drift flow meter.
[Explanation of symbols]
2 Ion drift type flow meter 3 Ion drift
Claims (2)
前記コロナ電極、前記第1のコレクタ電極および前記第2のコレクタ電極は、フォトリソグラフィーを用いて形成された金属の導電性薄膜あるいは不純物拡散を行なったシリコンであり、および前記コロナ電極のパッド、前記第1のコレクタ電極および前記第2のコレクタ電極の各パッドは、ボンディングが可能な金属薄膜であって、かつフォトリソグラフィーにより形成されていることを特徴とするイオンドリフト式流量計。On the substrate, a corona electrode formed in a strip shape and having one end sharpened and the other end connected to an external power source through a pad is opposed to each other, and each is connected to each pad, A first collector electrode and a second collector electrode each grounded from the pad via current detection means,
The corona electrode, the first collector electrode, and the second collector electrode are a metal conductive thin film formed by photolithography or silicon subjected to impurity diffusion, and the corona electrode pad, The ion drift type flow meter, wherein each pad of the first collector electrode and the second collector electrode is a metal thin film that can be bonded and is formed by photolithography.
前記コロナ電極、前記第1のコレクタ電極および前記第2のコレクタ電極は、フォトリソグラフィーを用いて形成された金属の導電性薄膜あるいは不純物拡散を行なったシリコンであり、および前記第1のコレクタ電極および前記第2のコレクタ電極は、フォトリソグラフィーにより形成され、かつ互いの一端部がコロナ電極の自由端の延長線方向に沿って平行に離間して配置されていることを特徴とするイオンドリフト式流量計。The corona electrode, the first collector electrode and the second collector electrode are a metal conductive thin film formed by photolithography or silicon subjected to impurity diffusion, and the first collector electrode and The second collector electrode is formed by photolithography, and one end portions of the second collector electrode are spaced apart in parallel along the extension line direction of the free end of the corona electrode. Total.
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