JP2000249573A - Magnetic detector - Google Patents

Magnetic detector

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JP2000249573A
JP2000249573A JP11050692A JP5069299A JP2000249573A JP 2000249573 A JP2000249573 A JP 2000249573A JP 11050692 A JP11050692 A JP 11050692A JP 5069299 A JP5069299 A JP 5069299A JP 2000249573 A JP2000249573 A JP 2000249573A
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JP
Japan
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magnet
bias
conversion element
magnetic
magnetic detection
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Application number
JP11050692A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshimi Kikuchi
良巳 菊池
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nidec Sankyo Corp
Original Assignee
Nidec Sankyo Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enhance S/N ratio of detection output through simple arrangement by setting the magnetic detecting position of an electromagnetic conversion element at a position where a high output can be obtained with low distortion of detection signal. SOLUTION: A bias magnet 12 is disposed in front of a mover 11 while spaced apart therefrom by a specified interval. An electromagnetic conversion element MR 13 is disposed in the bias field of the bias magnet 12 in order to convert the bias field variable according to the movement of the mover 11 into an electric signal. The bias magnet 12 has magnet parts 12a, 12b arranged on the opposite sides of a spacer 12c in the moving direction of the mover 11. Corresponding parts of the magnet parts 12a, 12b in same direction are magnetized with opposite polarities. The MR element 13 is shifted slightly from the center of the spacer 12c. The MR element 13 is shifted to approach one side of the magnet parts 12a, 12b and the center thereof is located in the low distortion region of the magnet parts 12a, 12b.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、バイアス磁界の変
化を磁電変換素子により検出して出力するようにした磁
気検出装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetism detecting device which detects a change in a bias magnetic field by a magneto-electric conversion element and outputs it.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来よりモータ制御装置等において、各
種型式の磁気検出装置が広く用いられている。例えば、
図6に示されているように、抵抗値が磁界に応じて変化
する磁気抵抗素子(MR素子)1を用いた磁気検出装置
では、バイアス磁石2を構成する一対の磁石部2a,2
bが、磁界を検出すべき磁気検出位置Pを挟むようにし
て配置されているとともに、これら一対の磁石部2a,
2bによって上記磁気検出位置Pに形成されるバイアス
磁界の変化を、当該磁気検出位置Pに配置された磁気抵
抗素子(MR素子)1によって検出し、所定の電気信号
として出力している。
2. Description of the Related Art Various types of magnetic detectors have been widely used in motor control devices and the like. For example,
As shown in FIG. 6, in a magnetic detection device using a magnetoresistive element (MR element) 1 whose resistance value changes according to a magnetic field, a pair of magnet parts 2 a and 2
b are arranged so as to sandwich the magnetic detection position P at which the magnetic field is to be detected, and the pair of magnet portions 2a,
The change in the bias magnetic field formed at the magnetic detection position P by 2b is detected by the magnetoresistive element (MR element) 1 arranged at the magnetic detection position P and is output as a predetermined electric signal.

【0003】このとき、上記磁気抵抗素子(MR素子)
1は、バイアス磁石2を構成する一対の磁石部2a,2
bどうしの間の部分、すなわち上記バイアス磁石2の中
心位置に配置されており、その中心位置が磁気検出位置
Pに設定されている。
At this time, the above-mentioned magnetoresistive element (MR element)
1 is a pair of magnet parts 2a, 2 constituting the bias magnet 2.
The bias magnet 2 is disposed at a portion between the b, that is, the center position of the bias magnet 2, and the center position is set as the magnetic detection position P.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところが、このように
バイアス磁石2の中心位置に磁電変換素子1が配置され
た従来の磁気検出装置では、検出信号における歪みが大
きくなってしまい、しかも弱い出力でしか得られないこ
とから、いわゆるS/N比が良好でなく高精度な出力信
号が得られないということが判明した。
However, in the conventional magnetic detecting device in which the magneto-electric conversion element 1 is arranged at the center position of the bias magnet 2, distortion in a detection signal becomes large, and furthermore, a weak output is obtained. It has been found that the so-called S / N ratio is not good and a highly accurate output signal cannot be obtained.

【0005】本発明は、簡易・安価な構成で良好な検出
信号を得ることができるようにした磁気検出装置を提供
することを目的とする。
It is an object of the present invention to provide a magnetic detecting device capable of obtaining a good detection signal with a simple and inexpensive configuration.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明では、磁界を検出すべき磁気検出位置に近接配
置されて上記磁気検出位置に所定のバイアス磁界を形成
するバイアス磁石と、上記磁気検出位置におけるバイア
ス磁界の変化を電気信号に変換して出力するセンサ部を
備えた磁電変換素子とを有し、上記バイアス磁石が、前
記磁気検出位置を挟むように配置された一対の磁石部を
含む磁気検出装置において、上記磁電変換素子のセンサ
部を、前記一対の磁石部のうちの一方側に位置するよう
に偏らせて配置している。
According to the present invention, there is provided a bias magnet arranged near a magnetic detection position where a magnetic field is to be detected to form a predetermined bias magnetic field at the magnetic detection position. A magneto-electric conversion element including a sensor unit that converts a change in a bias magnetic field at a magnetic detection position into an electric signal and outputs the electric signal, wherein the bias magnet is disposed so as to sandwich the magnetic detection position. In the magnetic detection device including (1), the sensor unit of the magnetoelectric conversion element is arranged so as to be biased so as to be located on one side of the pair of magnet units.

【0007】このような構成を有する本発明によれば、
検出信号の歪み率が小さく、かつ比較的高出力が得られ
る位置に磁電変換素子の磁気検出位置が設定されること
となり、磁電変換素子の位置を替えるだけで、検出出力
のS/N比が飛躍的に向上される。
According to the present invention having such a configuration,
The magnetic detection position of the magneto-electric conversion element is set at a position where the distortion rate of the detection signal is small and a relatively high output can be obtained. By simply changing the position of the magneto-electric conversion element, the S / N ratio of the detection output can be reduced. Dramatically improved.

【0008】すなわち、図2に示されているように、バ
イアス磁石12の中心位置から磁電変換素子13のセン
サ部13cを変位させておき、図4に示されているよう
に、磁電変換素子13ののセンサ部13cの変位量γ
(横軸:mm)と、当該磁電変換素子13のセンサ部1
3cからの出力電圧V0(縦軸:mV)との関係を調べ
たところ、バイアス磁石12と磁電変換素子13との間
の検出ギャップδにかかわらず、バイアス磁石12の中
心位置における出力値が最も小さく、バイアス磁石12
の端部側である各磁石部12a,12bの前面側領域で
最大出力となることが解った。
That is, as shown in FIG. 2, the sensor portion 13c of the magneto-electric conversion element 13 is displaced from the center position of the bias magnet 12, and as shown in FIG. Displacement amount γ of the sensor unit 13c
(Horizontal axis: mm) and the sensor unit 1 of the magnetoelectric conversion element 13
3c, the output value at the center position of the bias magnet 12 was the most irrespective of the detection gap δ between the bias magnet 12 and the magnetoelectric conversion element 13. Small, bias magnet 12
It has been found that the maximum output is obtained in the region on the front side of each of the magnet portions 12a and 12b, which is the end side.

【0009】次に、図5に示されているように、上記バ
イアス磁石12の中心位置からの磁電変換素子13のセ
ンサ部13cの変位量γ(横軸:mm)に対して、当該
磁電変換素子13のセンサ部13cの出力信号における
歪み率κd(縦軸:%)を調べたところ(検出ギャップ
δ=100μm、バイアスギャップδ=2.4m
m)、バイアス磁石12の中心位置における歪み率が極
めて高く、その中心位置の両側部分で急激に落ち込んで
おり、バイアス磁石12の端部側である各磁石部12
a,12bの前面側領域で再び急増していることが解っ
た。
Next, as shown in FIG. 5, the displacement γ (horizontal axis: mm) of the sensor unit 13c of the magneto-electric conversion element 13 from the center position of the bias magnet 12 is compared with the magneto-electric conversion. The distortion rate κd (vertical axis:%) in the output signal of the sensor unit 13c of the element 13 was examined (detection gap δ = 100 μm, bias gap δ b = 2.4 m).
m), the distortion rate at the center position of the bias magnet 12 is extremely high, and drops sharply on both sides of the center position.
It can be seen that the number has rapidly increased again in the front side areas of a and 12b.

【0010】なお、上述した歪み率κdは、下式で定義
されるものとした。
The above-mentioned distortion rate κd is defined by the following equation.

【数1】 ここに、V1/2は1/2次成分、Vは基本波成分、
はn次高調波(n=2,3,4,・・・)成分であ
る。
(Equation 1) Where V 1/2 is a 1 / order component, V 1 is a fundamental wave component,
V n is the n-th harmonic (n = 2,3,4, ···) is a component.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下、直線移動方式の磁気検出装
置に対して本発明を適用した場合についての実施形態
を、図面に基づいて詳細に説明する。図1及び図2に示
されているように、被検出体としての可動子11は、略
直線状に延在する細長板状部材からなり、当該可動子の
長手方向(x方向)に向かって往復移動するように構成
されている。その可動子11の前面(図1の右側面)に
は、上記移動方向(x方向)に沿って凹凸状の歯部11
aが多数並設するように設けられているとともに、これ
らの歯部11aの凹凸形状に対して所定のバイアス磁界
を形成するバイアス磁石12が、上記可動子11の前面
側から所定の間隔(y方向)離すようにして配置されて
いる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment in which the present invention is applied to a linear movement type magnetic detecting device will be described below in detail with reference to the drawings. As shown in FIGS. 1 and 2, the mover 11 as a detection target is formed of an elongated plate-like member extending substantially linearly, and is moved in the longitudinal direction (x direction) of the mover. It is configured to reciprocate. On the front surface (the right side surface in FIG. 1) of the mover 11, uneven tooth portions 11 are formed along the moving direction (x direction).
a are provided in parallel with each other, and a bias magnet 12 for forming a predetermined bias magnetic field with respect to the uneven shape of the teeth 11 a is provided at a predetermined distance (y from the front side of the movable element 11. Direction).

【0012】さらに、上記バイアス磁石12により形成
されるバイアス磁界中には、磁電変換素子としてのMR
素子13が配置されており、前記可動子11の移動に伴
って変化するバイアス磁界の変化を、当該MR素子13
により検出して電気信号に変換し、出力する構成になさ
れている。この磁電変換素子としてのMR素子13は、
前記可動子11の前面側の凹凸状歯部11aに対して、
所定の検出ギャップδ(y方向)を介在するようにして
配置されているとともに、そのMR素子13と前記バイ
アス磁石12との間には、バイアスギャップδ(y方
向)が設けられている。
Further, in a bias magnetic field formed by the bias magnet 12, an MR as a magnetoelectric conversion element is provided.
An element 13 is disposed, and a change in the bias magnetic field that changes with the movement of the mover 11 is detected by the MR element 13.
To convert the signal into an electric signal and output the electric signal. The MR element 13 as this magnetoelectric conversion element
For the uneven tooth portion 11a on the front side of the mover 11,
The bias gap δ b (y direction) is provided between the MR element 13 and the bias magnet 12 while being arranged so as to interpose a predetermined detection gap δ (y direction).

【0013】本実施形態におけるMR素子13として
は、特に図3に示されているようなストライプ型の素子
が採用されている。このストライプ型のMR素子13に
は、例えば、厚さ0.4mmのガラス基板13a上に露
出電極部13bが設けられており、その露出電極部13
bから、細長帯状のパーマロイ材からなるセンサ部(感
磁導電路部)13cが、縦長の方向(z方向)に延在す
るように被着形成されているとともに、そのセンサ部1
3cの延出端(図示上端)からは、幅広のパーマロイ材
からなる引き出し電極部13dが、上記センサ部13c
と略平行に延在している。この引き出し電極部13dの
先端部分(図示下端部分)は、露出電極部13eに形成
されている。
As the MR element 13 in the present embodiment, a stripe type element as shown in FIG. 3 is particularly employed. The stripe-type MR element 13 is provided with, for example, an exposed electrode portion 13b on a glass substrate 13a having a thickness of 0.4 mm.
b, a sensor portion (magnetically sensitive conductive path portion) 13c made of a strip-shaped permalloy material is formed so as to extend in a vertically long direction (z direction), and the sensor portion 1 is formed.
From the extended end (upper end in the figure) of 3c, a lead electrode portion 13d made of a wide permalloy material is connected to the sensor portion 13c.
And extend substantially in parallel. A leading end portion (a lower end portion in the drawing) of the extraction electrode portion 13d is formed on the exposed electrode portion 13e.

【0014】なお、本発明を適用する磁電変換素子とし
てのMR素子13は、上述した単体のセンサ部13cを
備えた構造のものに限定されることはなく、多数状のセ
ンサ部を備えた従来公知のストライプ構造のものに対し
ても同様に適用することができるものである。
It should be noted that the MR element 13 as a magnetoelectric conversion element to which the present invention is applied is not limited to the above-described structure having the single sensor section 13c, and is not limited to the conventional one having a large number of sensor sections. The present invention can be similarly applied to a known stripe structure.

【0015】このとき、上記MR素子13のセンサ部1
3cの幾何学的中心部Pは、磁界を検出すべき磁気検出
位置になされることとなるが、その磁気検出位置Pは、
上述したバイアス磁石12に対して所定の位置関係とな
るように配置されている。以下、上記バイアス磁石12
に対するMR素子13の配置関係を、バイアス磁石12
の詳細な構造とともに説明する。
At this time, the sensor section 1 of the MR element 13
The geometric center portion 3c of FIG. 3c is set at a magnetic detection position where a magnetic field is to be detected.
It is arranged so as to have a predetermined positional relationship with the bias magnet 12 described above. Hereinafter, the bias magnet 12
Of the MR element 13 with respect to the bias magnet 12
It will be described together with the detailed structure of.

【0016】まず、前記バイアス磁石12は、特に図2
に示されているように、一対の磁石部12a,12bを
有している。これら一対の磁石部12a,12bは、ア
ルミ材などの非磁性部材からなるスペーサ12cを両側
から挟み込むようにして配置されており、これら一対の
磁石部12a,12b、及びスペーサ12cが、前記可
動子11の移動方向(x方向)に沿うようにして配列さ
れている。さらに、上記各磁石部12a,12bは、前
記可動子11の移動方向(x方向)において略同一の幅
を備えるように形成されており、これらの各磁石部12
a,12bにおいて、同方向(x方向)に対応する部位
どうしは、互いに反対極性となるように着磁が施されて
いることによって、上述した磁気検出位置P、すなわち
上記MR素子13のセンサ部13cの幾何学的中心部に
対して、所定のバイアス磁界が形成されるようになって
いる。
First, the bias magnet 12 is particularly shown in FIG.
As shown in FIG. 2, the magnet has a pair of magnet parts 12a and 12b. The pair of magnet portions 12a and 12b are arranged so as to sandwich a spacer 12c made of a non-magnetic material such as an aluminum material from both sides, and the pair of magnet portions 12a and 12b and the spacer 12c are arranged by the mover. 11 are arranged along the moving direction (x direction). Further, the magnet portions 12a and 12b are formed so as to have substantially the same width in the moving direction (x direction) of the mover 11, and these magnet portions 12a and 12b are formed.
In FIGS. 12A and 12B, portions corresponding to the same direction (x direction) are magnetized so as to have opposite polarities, so that the magnetic detection position P described above, that is, the sensor unit of the MR element 13 is used. A predetermined bias magnetic field is formed with respect to the geometric center of 13c.

【0017】このとき、上記MR素子13の配置位置
は、上記スペーサ12cの中心位置SLからx方向にや
やずらされて設定されている。すなわち、上記MR素子
13は、前記バイアス磁石12の一対の磁石部12a,
12bのうちの一方側(本実施形態では磁石部12a
側)に近接するように偏らされており、その一方側の磁
石部12aの前面側領域にMR素子13が配置されてい
る。より具体的には、上記MR素子13のセンサ中心で
ある磁気検出位置Pは、上記両磁石部12a,12bに
よって形成されるバイアス磁界の範囲内で、かつ、前述
した図5における低歪み率となっている領域内に配置さ
れている。この低歪み率の領域内では、図5に示されて
いるように、比較的高い出力電圧が得られる。
At this time, the arrangement position of the MR element 13 is set slightly shifted in the x direction from the center position SL of the spacer 12c. That is, the MR element 13 includes a pair of magnet portions 12a of the bias magnet 12,
12b (in this embodiment, the magnet portion 12a
Side), and the MR element 13 is arranged in the front side region of the magnet part 12a on one side. More specifically, the magnetic detection position P, which is the center of the sensor of the MR element 13, is within the range of the bias magnetic field formed by the magnet portions 12a and 12b, and the low distortion rate shown in FIG. Are arranged in the area. In this low distortion region, a relatively high output voltage is obtained as shown in FIG.

【0018】このように本実施形態では、MR素子13
による磁気検出位置Pが、検出信号の歪み率が低く、か
つ比較的高出力が得られる位置に設定されていることか
ら、MR素子13の位置を替えるだけの簡易な構成で、
検出出力のS/N比が飛躍的に向上される。
As described above, in the present embodiment, the MR element 13
Is set at a position where the distortion rate of the detection signal is low and a relatively high output is obtained, so that the magnetic detection position P can be simply changed by changing the position of the MR element 13.
The S / N ratio of the detection output is dramatically improved.

【0019】例えば、要求されている歪み率κdが15
%以下であるとしたときには、図5中に引かれた歪み率
15%の境界線より下側の領域の歪み率が得られるよう
にMR素子13のセンサ部13cの変位量を設定すれば
よいこととなる。すなわち、図5から明らかなように、
本実施形態において歪み率15%以下を満足するMR素
子13の位置は、前記各磁石部12a,12bの前面側
領域におけるスペーサ12c寄りの端部側領域から、磁
石部12a,12bの中央位置寄りの領域(変位量:+
0.15mm以上+0.6mm以下又は−0.8mm以
上−0.2mm以下)までである。
For example, if the required distortion rate κd is 15
%, The amount of displacement of the sensor section 13c of the MR element 13 may be set so as to obtain a distortion rate in a region below the 15% distortion boundary drawn in FIG. It will be. That is, as is apparent from FIG.
In this embodiment, the position of the MR element 13 that satisfies the distortion rate of 15% or less is closer to the center of the magnet parts 12a and 12b from the end side area near the spacer 12c in the front side area of each of the magnet parts 12a and 12b. Area (displacement: +
0.15 mm or more and +0.6 mm or less or -0.8 mm or more and -0.2 mm or less).

【0020】なお、このようにMR素子13を変位させ
た場合には、上述した図4より、当該MR素子13の出
力電圧が変動することとなるが、例えば、増幅回路を採
用することによって、MR素子13からの出力電圧を所
望の電圧に調整することとすればよい。
When the MR element 13 is displaced as described above, the output voltage of the MR element 13 fluctuates from FIG. 4 described above. For example, by employing an amplifier circuit, The output voltage from the MR element 13 may be adjusted to a desired voltage.

【0021】以上、本発明者によってなされた発明の実
施形態を具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変形可能であるというのはいうまでもない。
Although the embodiments of the present invention made by the inventor have been specifically described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be variously modified without departing from the gist thereof. Needless to say.

【0022】例えば、上記実施形態は、直線移動方式の
磁気検出装置に本発明を適用したものであるが、回転方
式の磁気検出装置に対しても本発明は同様に適用するこ
とができる。また、磁電変換素子としては、上述した実
施形態のようなMR素子13に限定されることはなく、
他の多種多様な磁電変換素子に対しても本発明は同様に
適用することが可能である。
For example, in the above embodiment, the present invention is applied to a linear movement type magnetic detection device, but the present invention can be similarly applied to a rotation type magnetic detection device. Further, the magnetoelectric conversion element is not limited to the MR element 13 as in the above-described embodiment,
The present invention can be similarly applied to various other various magnetoelectric conversion elements.

【0023】[0023]

【発明の効果】以上述べたように本発明は、MR素子等
の磁電変換素子における磁気検出位置を、検出信号の歪
み率が低く、かつ比較的高出力が得られる位置に設定
し、磁電変換素子の位置を替えるだけの簡易な構成で検
出出力のS/N比を向上させるように構成したものであ
るから、良好な生産性を維持しつつ磁気検出装置の検出
精度を飛躍的に高めることができる。
As described above, according to the present invention, the magnetic detection position in the magnetoelectric conversion element such as the MR element is set to a position where the distortion rate of the detection signal is low and a relatively high output is obtained. Since the S / N ratio of the detection output is improved with a simple configuration simply by changing the position of the element, the detection accuracy of the magnetic detection device is dramatically improved while maintaining good productivity. Can be.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態における磁気検出装置の概
略構成を表した外観斜視説明図である。
FIG. 1 is an external perspective explanatory view illustrating a schematic configuration of a magnetic detection device according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1に示された磁気検出装置の平面説明図であ
る。
FIG. 2 is an explanatory plan view of the magnetic detection device shown in FIG. 1;

【図3】図1に示された磁気検出装置に用いられている
MR素子の構造を表した正面説明図である。
FIG. 3 is an explanatory front view showing a structure of an MR element used in the magnetic detection device shown in FIG. 1;

【図4】磁気検出装置に用いられているMR素子の位置
に対する出力電圧特性を表した線図である。
FIG. 4 is a diagram showing an output voltage characteristic with respect to a position of an MR element used in the magnetic detection device.

【図5】磁気検出装置に用いられているMR素子の位置
に対する出力電圧波形の歪み率特性を表した線図であ
る。
FIG. 5 is a diagram showing a distortion rate characteristic of an output voltage waveform with respect to a position of an MR element used in a magnetic detection device.

【図6】従来における磁気検出装置の概略構成を表した
平面説明図である。
FIG. 6 is an explanatory plan view showing a schematic configuration of a conventional magnetic detection device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 可動子 11a 凹凸状歯部 12 バイアス磁石 12a,12b 磁石部 12c スペーサ 13 MR素子(磁電変換素子) 13c センサ部(感磁導電路部) DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Movable element 11a Irregular tooth part 12 Bias magnet 12a, 12b Magnet part 12c Spacer 13 MR element (magnetoelectric conversion element) 13c Sensor part (magnetically sensitive conductive path part)

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 磁界を検出すべき磁気検出位置に近接配
置されて上記磁気検出位置に所定のバイアス磁界を形成
するバイアス磁石と、 上記磁気検出位置におけるバイアス磁界の変化を電気信
号に変換して出力するセンサ部を備えた磁電変換素子
と、を有し、 上記バイアス磁石が、前記磁気検出位置を挟むように配
置された一対の磁石部を含む磁気検出装置において、 上記磁電変換素子のセンサ部を、前記一対の磁石部のう
ちの一方側に位置するように偏らせて配置したことを特
徴とする磁気検出装置。
1. A bias magnet which is arranged close to a magnetic detection position where a magnetic field is to be detected and forms a predetermined bias magnetic field at the magnetic detection position, and converts a change in the bias magnetic field at the magnetic detection position into an electric signal. A magneto-electric conversion element having a sensor part for outputting, wherein the bias magnet includes a pair of magnet parts arranged so as to sandwich the magnetic detection position, wherein the sensor part of the magneto-electric conversion element The magnetic detection device is arranged so as to be biased so as to be located on one side of the pair of magnet portions.
【請求項2】 前記一対の磁石部を、非磁性部材からな
るスペーサを挟んで両側に配置し、 上記磁電変換素子のセンサ部を、前記スペーサの中心か
ら前記一方の磁石部側に位置するように偏らせて配置し
たことを特徴とする請求項1記載の磁気検出装置。
2. A method according to claim 1, wherein the pair of magnet parts are arranged on both sides of a spacer made of a non-magnetic member, and the sensor part of the magnetoelectric conversion element is positioned on the one magnet part side from the center of the spacer. 2. The magnetic detecting device according to claim 1, wherein the magnetic detecting device is arranged so as to be deviated to the direction.
【請求項3】 前記磁電変換素子を、前記一方の磁石部
の前面側領域に配置したことを特徴とする請求項1記載
の磁気検出装置。
3. The magnetism detecting device according to claim 1, wherein said magnetoelectric conversion element is arranged in a front side region of said one magnet part.
【請求項4】 前記一対の磁石部を、凹凸状の歯部を有
する可動子の移動方向に並設させているとともに、各磁
石部は、上記可動子の移動方向において略同一の幅を有
し、かつ、 前記磁電変換素子のセンサ部を、上記両磁石部の前面側
領域において当該両磁石部により形成されるバイアス磁
界の範囲内に配置したことを特徴とする請求項3記載の
磁気検出装置。
4. A pair of magnet parts are arranged side by side in a moving direction of a mover having uneven teeth, and each magnet part has substantially the same width in the moving direction of the mover. 4. The magnetic detection device according to claim 3, wherein the sensor unit of the magnetoelectric conversion element is disposed within a range of a bias magnetic field formed by the two magnet units in a front-side region of the two magnet units. apparatus.
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