JP3749790B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、ＣＳＰ（Chip Size Package)において低コスト化および封止性の向上を図る半導体装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
以下に説明する技術は、本発明を研究、完成するに際し、本発明者によって検討されたものであり、その概要は次のとおりである。
【０００３】
薄形および小形化を図る半導体装置の一例として、チップサイズの半導体装置であるＣＳＰが知られており、このＣＳＰは、携帯用電子機器などに組み込まれるプリント配線基板に実装されることが多い。
【０００４】
ここで、ＣＳＰの一般的な構造を説明すると、外部端子であるバンプ電極を搭載しかつ半導体チップの電極パッドと電気的に接続するリードが設けられた薄膜配線基板と、半導体チップと薄膜配線基板との間に配置されかつ薄膜配線基板とほぼ同じ大きさに形成されたエラストマ（弾性構造体）と、半導体チップの電極パッドとこれに接続した薄膜配線基板のリードとを封止樹脂によって封止する封止部とからなる。
【０００５】
また、比較例として本発明者によって検討されたＣＳＰの構造については、例えば、日経ＢＰ社、１９９７年４月１日発行、「日経マイクロデバイス１９９７年４月１日号・ＮＯ．１４２」、４４〜５３頁に記載され、特に、４８頁の図６に次世代型ＣＳＰ（比較例）が紹介されている。
【０００６】
このＣＳＰは、主面に電極パッドが形成された半導体チップを有し、かつ半導体チップの内方に外部端子であるバンプ電極が配置された構造のものであるとともに、半導体チップの外方に外形リングが設けられているものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、前記した技術における一般的な構造のＣＳＰでは、封止樹脂が半導体チップの側面に溢れ易く、その結果、ＣＳＰの外形サイズの精度が悪く、ソケットに入らない場合がある。
【０００８】
すなわち、ＣＳＰの外形形状が安定しないことが問題とされる。
【０００９】
さらに、この問題の対策として封止の際の封止樹脂の量を減らすと、薄膜配線基板のリードが露出することがあり、これにより、封止部の封止性が不充分となり、その結果、耐湿信頼性の面で劣ることが問題とされる。
【００１０】
また、前記比較例のＣＳＰにおいては、外形リングを独立構造とすると、製造コストが高くなることが問題とされる。
【００１１】
なお、一般的な構造のＣＳＰにおいては、バンプ電極を形成する際のはんだリフロー時に、エラストマ中の水分および気体の膨張によって内部圧力が大きくなり、その結果、封止部などが破壊されるポップコーン現象を引き起こすことが問題とされる。
【００１２】
本発明の目的は、低コスト化および封止性の向上を図るチップサイズの半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【００１３】
また、本発明のその他の目的は、ポップコーン現象を防止する半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【００１４】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１６】
すなわち、本発明の半導体装置は、主面の外周部に接続端子が設けられた半導体チップを有するチップサイズのものであり、前記接続端子を露出させて前記半導体チップの主面上に配置された弾性構造体と、一端がリードを介して前記接続端子と電気的に接続されかつ他端が外部端子であるバンプ電極と電気的に接続される配線が設けられた基板本体部を備えるとともに、前記接続端子を露出させる開口部が設けられ、かつ前記開口部および前記半導体チップの外方に突出する基板突出部を備えた薄膜配線基板と、前記半導体チップの前記接続端子および前記薄膜配線基板の前記リードを封止する封止部とを有し、前記薄膜配線基板における前記基板本体部と前記基板突出部とが一体に形成されているものである。
【００１７】
これにより、基板突出部を基板本体部から独立した構造とせずに両者を一体で形成しているため、基板突出部を高価な材料によって形成しなくても済む。
【００１８】
その結果、半導体装置の製造コストの低コスト化を図ることができる。
【００１９】
さらに、本発明の半導体装置は、主面の外周部に接続端子が設けられた半導体チップを有するチップサイズのものであり、前記半導体チップの主面上に配置されるとともに前記接続端子を露出させる開口部が設けられかつ前記開口部および前記半導体チップの外方に突出する弾性体突出部を備えた弾性構造体と、一端がリードを介して前記接続端子と電気的に接続されかつ他端が外部端子であるバンプ電極と電気的に接続される配線が設けられた基板本体部を備えるとともに、前記接続端子を露出させる開口部が設けられ、かつ前記開口部および前記半導体チップの外方に突出する基板突出部を備えた薄膜配線基板と、前記半導体チップの前記接続端子および前記薄膜配線基板の前記リードを封止する封止部とを有し、前記薄膜配線基板における前記基板本体部と前記基板突出部とが一体に形成され、かつ前記薄膜配線基板と前記弾性構造体との外形形状がほぼ同じ大きさに形成されているものである。
【００２０】
なお、本発明の半導体装置は、主面の外周部に接続端子が設けられた半導体チップを有するチップサイズのものであり、前記接続端子を露出させて前記半導体チップの主面上に配置されかつ外方に露出する露出部を備えた弾性構造体と、一端がリードを介して前記接続端子と電気的に接続されかつ他端が外部端子であるバンプ電極と電気的に接続される配線が設けられた基板本体部を備えるとともに、前記接続端子を露出させる開口部が設けられた薄膜配線基板と、前記半導体チップの前記接続端子および前記薄膜配線基板の前記リードを封止する封止部とを有するものである。
【００２１】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、主面の外周部に接続端子が設けられた半導体チップを有するチップサイズの半導体装置のものであり、配線を有した基板本体部を備えるとともに、前記配線に接続されたリードを配置する開口部の外方に突出して前記基板本体部と一体に形成された基板突出部を備えた薄膜配線基板を準備する工程と、前記薄膜配線基板の前記基板本体部と弾性構造体とを接合する工程と、前記半導体チップの前記接続端子を前記薄膜配線基板の前記開口部に露出させて、前記半導体チップの前記主面と前記弾性構造体とを接合する工程と、前記半導体チップの前記接続端子とこれに対応した前記薄膜配線基板の前記リードとを電気的に接続する工程と、低シリカ材からなる封止樹脂を用いて前記半導体チップの前記接続端子と前記薄膜配線基板の前記リードとを封止して封止部を形成する工程と、前記基板本体部の配線と電気的に接続させてバンプ電極を形成する工程と、前記基板突出部とこれに形成された前記封止部とを同時に所望の外形サイズに切断する工程とを有するものである。
【００２２】
さらに、本発明の半導体装置の製造方法は、主面の外周部に接続端子が設けられた半導体チップを有するチップサイズの半導体装置のものであり、配線を有する基板本体部に接合した弾性構造体を備えるとともに、前記配線に接続されたリードを配置する開口部が形成され、かつ前記基板本体部が前記弾性構造体の支持部により基板枠部に支持された薄膜配線基板を準備する工程と、前記半導体チップの前記接続端子を前記薄膜配線基板の前記開口部に露出させて、前記半導体チップの前記主面と前記弾性構造体とを接合する工程と、前記半導体チップの前記接続端子とこれに対応した前記薄膜配線基板の前記リードとを電気的に接続する工程と、前記半導体チップの前記接続端子と前記薄膜配線基板の前記リードとを樹脂封止して封止部を形成する工程と、前記基板本体部の配線と電気的に接続させてバンプ電極を形成する工程と、前記弾性構造体の支持部を切断して前記基板本体部を前記基板枠部から分離するとともに、前記弾性構造体の露出部を露出させる工程とを有するものである。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００２４】
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１による半導体装置（ＣＳＰ）の構造の一例を封止部を透過して示す平面図、図２は図１に示す半導体装置の構造を示す図であり、（ａ) は図１のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ) は図１のＢ−Ｂ断面を示す断面図、（ｃ）は図１のＣ−Ｃ断面を示す断面図、図３は図１に示す半導体装置に用いられる各部材の仕様の一例を示す仕様説明図、図４は図１に示す半導体装置の製造プロセスの一例を示す製造手順図、図５は図４に示す製造プロセスの各処理における処理条件の一例を示す処理条件説明図、図６、図７および図８は本発明の実施の形態１の半導体装置（ＣＳＰ）に用いられる薄膜配線基板の製造方法の一例を示す部分平面図、図９は本発明の実施の形態１における半導体装置（ＣＳＰ）の製造方法の一例を示す図であり、（ａ) はエラストマ張り付けを示す部分平面図、（ｂ) は半導体チップ張り付けを示す部分平面図、図１０は本発明の実施の形態１の半導体装置（ＣＳＰ）の製造方法における切断位置の一例を示す部分平面図、図１１（ａ),（ｂ）は本発明の実施の形態１の半導体装置（ＣＳＰ）の製造方法におけるリード切断方法の一例を示す斜視図、図１２（ａ),（ｂ),（ｃ）は本発明の実施の形態１の半導体装置（ＣＳＰ）の製造方法におけるエラストマの張り付け状態の一例を示す斜視図、図１３（ａ),（ｂ) は本発明の実施の形態１の半導体装置（ＣＳＰ）の製造方法におけるリードのボンディング方法の一例を示す斜視図、図２７は図８に示す薄膜配線基板の詳細構造を示す拡大部分平面図である。
【００２５】
図１および図２に示す本実施の形態１の半導体装置（ＣＳＰ１１）は、パッケージサイズがチップサイズに近似した小形のものであり、複数の半導体素子が形成された主面１ａとその主面１ａの外周部に電極パッド１ｂ（接続端子）が形成された半導体チップ１を有するとともに、半導体チップ１の内方に外部端子であるバンプ電極２が配置された周辺パッドタイプのファンインＣＳＰである。
【００２６】
したがって、ＣＳＰ１１は、外部端子がバンプ電極２であるため、ボール・グリッド・アレイでもある。
【００２７】
前記ＣＳＰ１１の構造について説明すると、電極パッド１ｂを露出させて半導体チップ１の主面１ａ上に配置されたエラストマ３（弾性構造体）と、一端がリード４ｃを介して半導体チップ１の電極パッド１ｂと電気的に接続されかつ他端がバンプ電極２と電気的に接続される配線４ｄが設けられた基板本体部４ａを備えるとともに、電極パッド１ｂを露出させる開口部４ｅが設けられ、かつ開口部４ｅおよび半導体チップ１の外方に突出する基板突出部４ｂを備えた薄膜配線基板４と、半導体チップ１の電極パッド１ｂおよび薄膜配線基板４のリード４ｃを封止する封止部５とからなり、薄膜配線基板４における基板本体部４ａと基板突出部４ｂとが一体に形成されているものである。
【００２８】
なお、図１に示すＣＳＰ１１の平面図は、半導体チップ１の電極パッド１ｂや薄膜配線基板４のリード４ｃを表すために、図２に示す封止部５を透過して表したものである。
【００２９】
したがって、図１に示すＣＳＰ１１の平面図では、前記封止部５の記載が省略されているが、図１に示すＣＳＰ１１の薄膜配線基板４の開口部４ｅ内には、本来、図２に示すような封止部５が形成されている（以降、実施の形態２〜実施の形態２０についても同様である）。
【００３０】
ここで、本実施の形態１は、長方形の半導体チップ１の主面１ａにおいて、この主面１ａの長手方向に直角な方向（以降、短辺方向と呼ぶ）の対向する２辺の外周部にのみそれぞれ複数個（ここでは、片側６個）の電極パッド１ｂが設けられている場合であり、これにより、半導体チップ１の内方に１２個の外部端子であるバンプ電極２が格子状に配置されている。
【００３１】
したがって、薄膜配線基板４において、半導体チップ１の主面１ａの前記短辺方向の対向する外周端部に対応した箇所に、１つずつ長方形の開口部４ｅが形成されている。
【００３２】
これにより、半導体チップ１をエラストマ３に取り付けた際には、半導体チップ１の前記短辺方向に対向して設置された多数の電極パッド１ｂが、これに対応する位置に設けられた薄膜配線基板４の開口部４ｅから露出する。
【００３３】
ここで、本実施の形態１のＣＳＰ１１における薄膜配線基板４は、配線４ｄを有した基板本体部４ａと、２つの開口部４ｅと、基板本体部４ａおよび２つの開口部４ｅの外方周囲に突出して（張り出して）形成された基板突出部４ｂとからなる。
【００３４】
なお、半導体チップ１をエラストマ３に取り付けた際には、基板本体部４ａとエラストマ３と半導体チップ１とが積層配置され、薄膜配線基板４の基板突出部４ｂが半導体チップ１の外方周囲に鍔状に突出した状態となる。
【００３５】
さらに、基板本体部４ａには、配線４ｄと電気的に接続されかつバンプ電極２を搭載する１２個のバンプランド４ｆ（図８（ａ）参照）が設けられている。
【００３６】
また、エラストマ３は、半導体チップ１を支持する絶縁性の弾性部材であり、薄膜配線基板４と半導体チップ１との間に配置される。なお、本実施の形態１におけるエラストマ３は、半導体チップ１の外方に突出するエラストマ突出部３ｂ（弾性体突出部）を備えるとともに、ＣＳＰ１１の組み立て後、エラストマ３の所定の側面３ａ（ここでは、半導体チップ１の長手方向と同じ方向の対向する２つの側面３ａ）が外部に露出している。
【００３７】
つまり、図１または図２（ｃ）に示すように、薄膜配線基板４にエラストマ３を張り付けた際に、エラストマ３において半導体チップ１より外方に突出したエラストマ突出部３ｂは、薄膜配線基板４の基板突出部４ｂに重なって配置される。
【００３８】
また、封止部５は、半導体チップ１の電極パッド１ｂおよびこれに接続されたリード４ｃと、半導体チップ１の前記短辺方向の対向する２つの側面１ｃ全体と、半導体チップ１の長手方向の対向する２つの側面１ｃにおけるそれぞれの両端部付近とを封止樹脂によって封止して形成されるものであり、半導体チップ１の外方近傍に薄膜配線基板４の基板突出部４ｂが配置されているため、基板突出部４ｂと半導体チップ１との間に封止樹脂が跨がった（ブリッジした）状態で封止部５を形成できる。
【００３９】
ここで、図３を用いて、前記ＣＳＰ１１に用いられる各部材の仕様（材料、大きさまたは厚さなど）について説明する。ただし、ここに挙げる各部材の仕様は、一例であり、必ずしもこの仕様に限定されるものではない。
【００４０】
まず、薄膜配線基板４は、その基材となるテープが、ポリイミド樹脂によって形成され、その厚さは２５〜７５μｍ程度である。さらに、薄膜配線基板４に設けられた配線４ｄ（リード４ｃおよびバンプランド４ｆを含む）は、厚さ１８〜２５μｍ程度の銅箔である。なお、この配線４ｄを被覆するめっきは、1.５μｍ厚の両面Ａｕめっきか、または、電極パッド１ｂ側とバンプ電極２側とでその厚さを変えたＡｕ／Ｎｉめっきなどである。
【００４１】
ここで、本実施の形態１で用いる薄膜配線基板４は、図２（ａ）に示すように、配線４ｄが１層のもので、かつその配線４ｄが基材となるテープ（図６（ａ）に示すテープ基材４ｇのこと）の裏側のみに形成されたいわゆる１層裏配線のものである。
【００４２】
また、エラストマ３は、表裏両面に接着層３ｅを有した基層（骨格層３ｄでありコア層ともいう）からなる３層構造（図４７参照）のものであり、その適用例としては、図３に示した仕様例▲１▼または仕様例▲２▼などがある。なお、仕様例▲１▼については特願平９−１４９１０６号に、また、仕様例▲２▼については特願平８−１３６１５９号にその詳細が記載されている。
【００４３】
さらに、本実施の形態１で用いるエラストマ３は、無着色のものである。したがって、本実施の形態１のエラストマ３は、光を透過させるほぼ透明なものである。
【００４４】
ただし、エラストマ３は、その基層（骨格層３ｄ）が通気性や撥水性などの面から多孔質フッ素樹脂によって形成されていることが好ましい。すなわち、前記仕様例▲１▼のものを用いることが好ましい。
【００４５】
ここで、多孔質フッ素樹脂によって形成されるエラストマ３は、３次元的網目構造体により構成された骨格層３ｄを有しているものである。
【００４６】
なお、前記３次元的網目構造体は、繊維状化合物が３次元的絡み合いにより形成された不織布からなるものである。
【００４７】
また、封止部５を形成する封止材である封止樹脂については、図３に示した仕様例▲１▼または仕様例▲２▼などがある。
【００４８】
ここで、溶剤型液状樹脂は、封止後のキュアベーク時に、溶剤が揮発する際に、ボイドが発生し易い。したがって、前記仕様例▲１▼のものを用いることが好ましい。
【００４９】
なお、本実施の形態１のＣＳＰ１１で使用する封止樹脂は、比較的粘度の高いものであるが、塗布時のポッティングノズル（図示せず）の移動時間を長くして塗布に時間を掛けたり（例えば、半導体チップ１の片側の６つの電極パッド１ｂに塗布を行うのに３０秒程度）、封止樹脂を加熱するなどして、粘度の高い封止樹脂を用いることを可能にしており、これにより、基板突出部４ｂと半導体チップ１との間で前記封止樹脂をブリッジ状態にすることができる。
【００５０】
さらに、前記封止樹脂としては、封止キュア時の収縮による残留応力を小さくするために、シリカを含有した樹脂を用いることが好ましく、その際、シリカを５０重量％以上含有したものを用いることがより好ましい。
【００５１】
また、バンプ電極２の材料は、Ｓｎ／Ｐｂの共晶半田やその他の高融点半田、あるいは、Ａｕめっき付きＮｉなどであり、その直径は、0.３〜0.６ｍｍ程度である。
【００５２】
本実施の形態１のＣＳＰ１１（半導体装置）によれば、以下のような作用効果が得られる。
【００５３】
すなわち、薄膜配線基板４における基板本体部４ａと基板突出部４ｂとが一体に形成されていることにより、基板突出部４ｂを基板本体部４ａから独立した構造としないため、基板突出部４ｂを高価な材料によって形成しなくて済む。
【００５４】
その結果、ＣＳＰ１１（半導体装置）の製造コストの低コスト化を図ることができる。
【００５５】
さらに、薄膜配線基板４においてその開口部４ｅの外方に基板突出部４ｂが設けられていることにより、前記封止樹脂を開口部４ｅを介して塗布した際に、基板突出部４ｂと半導体チップ１との間でブリッジさせた状態で封止部５を形成できる。
【００５６】
これにより、安定した封止を行えるため、封止性を向上でき、その結果、封止部５における耐湿信頼性の向上を図ることができる。
【００５７】
なお、前記封止樹脂として、シリカを５０重量％以上含有したものを用いることにより、封止キュア時の収縮による残留応力を小さくすることができる。
【００５８】
その結果、封止部５の信頼性を向上できる。
【００５９】
また、弾性構造体であるエラストマ３の基層が、多孔質フッ素樹脂によって形成され、かつ、エラストマ３における半導体チップ１の長手方向と同じ方向の対向する２つの側面３ａが外部に露出しているため、前記リフロー時の吸湿成分の発生蒸気を外部に逃がすことができ、その結果、耐リフロー性を向上できるとともに、多孔質フッ素樹脂のフッ素が有する撥水性によってＣＳＰ１１内への水分の進入を防ぐことができる。
【００６０】
その結果、ＣＳＰ１１の電気的特性の劣化を低減できる。
【００６１】
次に、本実施の形態１によるＣＳＰ１１（半導体装置）の製造方法を、その製造の際に得られる作用効果と合わせて説明する。
【００６２】
その際、図４に示す製造手順に沿って、かつ、図５に示す処理条件と照らし合わせながら説明していく。
【００６３】
また、図９、図１０、図１２および図１３に示すエラストマ３は、開口部３ｃを有するものであり、後述の実施の形態６または７におけるＣＳＰ１６，１７の製造方法を説明する図であるが、基本的な製造方法については、本実施の形態１も同じであるため、本実施の形態１においても図９、図１０、図１２および図１３はそのまま用いて説明する。
【００６４】
まず、配線４ｄを有した基板本体部４ａを備えるとともに、配線４ｄに接続されたリード４ｃを配置する開口部４ｅの外方に突出して基板本体部４ａと一体に形成された基板突出部４ｂを備えた薄膜配線基板４を準備する。
【００６５】
ここで、図６〜図８を用いて薄膜配線基板４の製造方法について説明する。
【００６６】
まず、図６（ａ）に示すポリイミド樹脂からなるテープ基材４ｇを準備する。なお、このテープ基材４ｇの表裏面には図７（ｂ）に示す銅箔４ｈを張り付けるための接着剤が塗布されている。
【００６７】
続いて、図６（ｂ）に示すように、テープ基材４ｇの両側部にテープ送り用の基準孔４ｉをほぼ等間隔に形成する。
【００６８】
その後、図７（ａ）に示すように、打ち抜き加工によって、１２個のバンプ用開口部４ｊとその両側に２つの配線接合用の開口部４ｅとを形成し、続いて、図７（ｂ）に示すように、テープ基材４ｇに銅箔４ｈを積層して張り付ける。
【００６９】
さらに、図８（ａ）に示すように、エッチング加工によって銅箔４ｈを所望の形状に加工し、これにより、配線パターンを形成する。
【００７０】
その結果、銅箔４ｈによるバンプランド４ｆと、給電ライン４ｋとを形成する。
【００７１】
なお、この給電ライン４ｋは、銅箔４ｈに金めっきを施した後、前記金めっきを電気反応させるために、隣接する給電ライン４ｋ同士が連結されていなければならない。
【００７２】
さらに、前記銅箔４ｈをエッチング加工して配線パターンを形成した後、銅箔４ｈに金めっき加工を行う。この際の金めっきの仕様は、図３に示す配線めっきの仕様であり、厚さ1.５μｍの金めっき（図３に示す配線めっきの▲１▼のもの）であっても、金とニッケルとの差厚めっき（図３に示す配線めっきの▲２▼のもの）であってもよく、また、それ以外のめっきであってもよい。
【００７３】
その後、図１１（ａ）に示す切断型６の打ち抜き型６ａを用いて、図８（ａ）に示す連結された配線リードを切断加工し、これにより、図８（ｂ）に示すように、個々のリード４ｃに分離する。
【００７４】
その際、前記打ち抜き型６ａの切断刃の幅が、５０〜２００μｍ、好ましくは、１００〜１５０μｍ程度の小形の前記切断刃を用いることにより、切断後のリード４ｃの形状を図１１（ｂ）に示すようなビーム形状４ｌに形成できる。
【００７５】
さらに、１２５μｍ程度の小形の前記切断刃を用いることにより、リード４ｃを切断加工した箇所の寸法を１２５μｍ程度に形成することができ、その結果、半導体チップ１（図１参照）を搭載した際の半導体チップ１と基板突出部４ｂとの距離を短くすることができる。
【００７６】
これにより、封止部５を形成する際の封止領域を狭くできるため、封止性を向上できる。
【００７７】
また、半導体チップ１と基板突出部４ｂとの前記距離を短くすることができるため、ＣＳＰ１１の外形の小形化を図ることができる。
【００７８】
前記切断加工して個々のリード４ｃを図１１（ｂ）に示すようなビーム形状４ｌに形成したことにより、図８（ｂ）に示すような薄膜配線基板４を準備できる。
【００７９】
ここで、本実施の形態１で使用する薄膜配線基板４の詳細構造を図８および図２７を用いて説明する。
【００８０】
図２７に示すように、基板本体部４ａの周囲には、その４辺にほぼ対応して４つの長孔４ｑが形成されている。
【００８１】
この長孔４ｑは、基板本体部４ａを切断分離させる際の切断面積を少なくして切断の容易性を向上させるためのものであるとともに、細長いテープ状の薄膜配線基板４の巻き取り時や切断時などに発生する歪みを緩和するためのものである。
【００８２】
また、基板本体部４ａの上下の長孔４ｑの外側には、切断時に位置決めを行う位置決め孔４ｐが設けられている（本実施の形態１では、上側に１個と下側に２個とで合計３個が設けられているが、この位置決め孔４ｐは、長孔４ｑの上下両外側に設けられていれば、その数は限定されるものではない）。
【００８３】
さらに、基板本体部４ａの上下の長孔４ｑのそれぞれの孔端部には配線パターンと同じ銅箔によって形成された認識パターン４ｎが設けられている。
【００８４】
この認識パターン４ｎは、切断時などにカメラによって薄膜配線基板４の位置を割り出す際に認識されるものであり、ボンディング時などに薄膜配線基板４の反対側（前記配線パターンが形成されていない側）からも認識可能なように、すなわち、薄膜配線基板４の表裏両面側から認識できるように長孔４ｑ内の端部においてブリッジさせた状態で設けられている。
【００８５】
なお、図２７に示す薄膜配線基板４は、その送り方向に対して基板本体部４ａが１列に横並びに複数設けられた場合であるが、基板本体部４ａが多列（例えば、２列）に横並びに設けられたものであってもよい。
【００８６】
その場合には、ＣＳＰ１１の製造の効率を向上できる。
【００８７】
その後、図４に示す薄膜配線基板供給２０とエラストマ供給２１とを行い、エラストマ張り付け２２を行う。
【００８８】
なお、エラストマ３の張り付けは、図５に一例を示したエラストマ張り付け条件に基づいて、図９（ａ）に示すように、薄膜配線基板４の基板本体部４ａとエラストマ３とを接合する。
【００８９】
これにより、エラストマ３を張り付けた薄膜配線基板４を形成できる。
【００９０】
ここで、エラストマ３を張り付けた際のエラストマ３と基板本体部４ａとの両者の端部での位置関係は、図１２（ａ),（ｂ),（ｃ）に示すように、３通り考えられる。
【００９１】
まず、図１２（ａ）は、基板本体部４ａの端部がエラストマ３より突出した場合であり、その突出量をＰとする。
【００９２】
さらに、図１２（ｂ）は、基板本体部４ａの端部とエラストマ３の端部とが揃った場合であり、また、図１２（ｃ）は、基板本体部４ａの端部がエラストマ３より引っ込んだ場合であり、その引っ込み量をＱとする。
【００９３】
一般に、封止材（ここでは、封止樹脂）の塗布後、加熱硬化時には、前記封止材中の揮発成分が揮発ガスとなって発生する。その際、前記揮発ガスの比重は前記封止材に比べて小さいため、発生した前記揮発ガスは前記封止材の上部から外部に抜ける。
【００９４】
しかし、後述のＰ値所定範囲を越えてエラストマ３の端部が基板本体部４ａの端部より内側（Ｐ＞３００μｍ）にあると、この基板本体部４ａの端部より内側の奥で発生した前記揮発ガスは、この上部が基板本体部４ａの端部によって塞がれているため、前記封止材の外部に抜けることができず、前記封止材の内部に気泡として溜まる。
【００９５】
また、この気泡の内部の前記揮発ガスの成分の一部は、封止材の加熱硬化後、徐々に封止材中の微細な隙間（分子間）を通って外部に抜けることによって、気泡の内圧は解放される。
【００９６】
この結果、前記気泡の存在した箇所は、前記封止材の内部に空孔（ボイド）として形成されることになる。
【００９７】
この封止材の内部の前記ボイドは、本来、前記封止材によって充填されているべき領域の一部に未充填空間を形成するので、半導体装置の耐湿信頼性および温度サイクル信頼性に対して悪影響を及ぼす。
【００９８】
したがって、前記Ｐの値を、例えば、０≦Ｐ≦３００μｍ、好ましくは、０≦Ｐ≦１００μｍのＰ値所定範囲とすることにより、基板本体部４ａによって揮発ガスの抜け道が塞がられることがなく、その結果、発生した前記揮発ガスは効率良く前記封止材の外部に放出される。
【００９９】
これにより、前記封止材の内部にボイドが形成されることはない。
【０１００】
一方、後述のＱ値所定範囲を越えてエラストマ３の端部が基板本体部４ａの端部より外側（Ｑ＞１００μｍ）にあると、リード４ｃの一部がエラストマ３によって固定されるため、リード４ｃのボンディング時に、適正な配線形状を形成できない。
【０１０１】
その結果、温度サイクル信頼性に対して悪影響を及ぼす。
【０１０２】
したがって、基板本体部４ａの端部に対するエラストマ３の端部の位置を、例えば、０≦Ｑ≦１００μｍ、好ましくは、０≦Ｑ≦５０μｍのＱ値所定範囲とすることにより、適正なリード４ｃのボンディングを行うことができる。
【０１０３】
これにより、前記Ｐと前記Ｑの値を前記所定範囲とすることにより、封止材内でのボイド発生を無くし、かつ、リード４ｃの適正なボンディングを行った信頼性の高いＣＳＰ１１の構造を得ることができる。
【０１０４】
その後、図２（ａ）に示すような主面１ａの外周部に電極パッド１ｂが設けられた半導体チップ１を供給するチップ供給２３（図４参照）を行い、これにより、図５に示すチップ張り付け条件に基づいて、図４に示すチップ張り付け２４を行う。
【０１０５】
ここで、チップ張り付け２４は、図１に示すように、半導体チップ１の電極パッド１ｂを薄膜配線基板４の開口部４ｅに露出させて、図２（ａ）に示すように、半導体チップ１の主面１ａとエラストマ３とを接合する。
【０１０６】
つまり、図９（ｂ）に示すように、エラストマ３上に半導体チップ１を張り付ける。
【０１０７】
その後、図５に示すチップ張り付け後キュア条件に基づいて、図４に示すエラストマキュアベーク２５を行い、エラストマ３と半導体チップ１との接合強度を高める。
【０１０８】
続いて、図５に示すインナリード接続条件に基づいて、図４に示すインナリード接続２６を行う。なお、図５に示す前記インナリード接続条件としては、条件▲１▼の場合と条件▲２▼の場合との２通りを紹介しているが、前記インナリード接続条件はこれに限定されるものではない。
【０１０９】
まず、図１３（ａ）に示すように、ボンディングツール７を所定位置で下降させ、その後、図１３（ｂ）に示すように、半導体チップ１の電極パッド１ｂとこれに対応した薄膜配線基板４のリード４ｃとにボンディングツール７を押し付けてリード４ｃと電極パッド１ｂとを電気的に接続する。
【０１１０】
なお、本実施の形態１によるボンディング方法は、シングルポイントボンディングである。
【０１１１】
ここで、ボンディング後、ボンディングツール７によって、リード４ｃを電極パッド１ｂ直上で押し上げる動作を行った際に、リード４ｃのテーパ形状の先端部で発生する応力をリード４ｃの基板本体部４ａの端部で発生する応力によって割った値を曲げ応力比αと定義すると、前記曲げ応力比αは、テーパ形状を特徴としたリード４ｃの寸法から次式によって表される。
【０１１２】
α＝Ｌ×（Ｋ−Ｊ）／（Ｍ×Ｋ）、（図１３（ａ）参照）
したがって、前記曲げ応力比αが1.０〜1.７５となるように、リード４ｃの寸法および形状を設計することが好ましい。
【０１１３】
その後、図４に示すように、封止材である封止樹脂の供給すなわち封止材供給２７を行う。
【０１１４】
すなわち、図３の封止材仕様に示す封止材（封止樹脂）を用いて、図４に示す樹脂封止２８を行う。
【０１１５】
その際、図示しないポッティングノズルを用いたポッティング方法によって、図１に示す薄膜配線基板４の開口部４ｅから前記封止樹脂を滴下し、半導体チップ１の電極パッド１ｂと薄膜配線基板４のリード４ｃとを封止して封止部５を形成する。なお、滴下時間は、片側の開口部４ｅに対して、例えば、３０秒程度である。
【０１１６】
本実施の形態１のＣＳＰ１１においては、基板突出部４ｂと半導体チップ１との間で、ブリッジさせた状態で封止が行えるため、安定した樹脂封止２８を行うことができ、その結果、封止部５の耐湿信頼性を向上できる。
【０１１７】
続いて、図５に示す封止後キュア条件に基づいて、図４に示す封止材キュアベーク２９を行い、封止部５を固める。
【０１１８】
さらに、図３のバンプ用ボール仕様に示すバンプ用のボール材を基板本体部４ａのバンプ用開口部４ｊ（図７（ａ）参照）に供給するボール供給３０（図４参照）を行う。
【０１１９】
その後、図５に示すバンプ形成時リフロー条件に基づいて、図４に示すバンプ形成３１を行う。
【０１２０】
この際、基板本体部４ａのバンプ用開口部４ｊに前記ボール材を供給したものを図示しないリフロー炉に通してバンプ形成３１を行う。
【０１２１】
これにより、図１および図２に示すように、基板本体部４ａの配線４ｄとバンプ電極２とが電気的に接続される。
【０１２２】
なお、本実施の形態１においては、バンプ電極２を形成する際に、吸湿した状態のＣＳＰ１１をリフローしても、エラストマ３における所定方向の側面３ａ（ここでは、半導体チップ１の長手方向と同じ方向の対向する２つの側面３ａ）が外部に露出しているため、リフロー時の発生蒸気をエラストマ３を通過させて外部に発散できる。
【０１２３】
その結果、耐リフロー性を向上できる。
【０１２４】
その後、製品（ＣＳＰ１１）の型番などのマークを付すマーク３２（図４参照）を行う。
【０１２５】
続いて、図１０に示す切断位置８で図４に示す切断３３を行って、所望サイズの個々のＣＳＰ１１を取得する。
【０１２６】
（実施の形態２）
図１４は本発明の実施の形態２による半導体装置（ＣＳＰ）の構造の一例を封止部を透過して示す平面図、図１５は図１４に示す半導体装置の構造を示す図であり、（ａ) は図１４のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ) は図１４のＢ−Ｂ断面を示す断面図、（ｃ）は図１４のＣ−Ｃ断面を示す断面図である。
【０１２７】
本実施の形態２のＣＳＰ１２（半導体装置）は、図１に示す実施の形態１のＣＳＰ１１と同様に周辺パッドタイプのファンインＣＳＰであり、ＣＳＰ１１とほぼ同じ構造を有するものであるが、実施の形態１のＣＳＰ１１に対しての変更箇所は、図４に示すバンプ形成３１後の切断３３の工程で、基板突出部４ｂに形成された封止部５の領域において、基板突出部４ｂとこれに形成された封止部５とを同時に所望の外形サイズに切断加工することであり、これにより、ＣＳＰ１２は図１に示すＣＳＰ１１と比べて、さらに小形化を図ったものである。
【０１２８】
これを実現するためには、図４に示す樹脂封止２８の工程において、封止樹脂として、シリカの割合が少ない低シリカ材からなる封止樹脂を用いる必要がある。
【０１２９】
つまり、封止樹脂中のシリカ（フィラー）の含有率を０〜５０重量％以下、好ましくは０重量％とする。
【０１３０】
ここで、前記シリカは、非常に硬質であるが、図４に示す封止材キュアベーク２９の際に、前記封止樹脂の在留応力を低減できるものでもある。
【０１３１】
なお、本実施の形態２のＣＳＰ１２におけるその他の構造とその他の製造方法とについては、実施の形態１のＣＳＰ１１のものと同様であるため、その重複説明は省略する。
【０１３２】
本実施の形態２のＣＳＰ１２およびその製造方法によって得られる作用効果について説明する。
【０１３３】
まず、基板突出部４ｂに形成された封止部５の領域において、基板突出部４ｂと封止部５とを同時に所望の外形サイズに切断加工することにより、基板突出部４ｂにおける前記封止樹脂の広がり度合い（基板突出部４ｂに形成された封止部５の大きさ）に係わらず外形切断を行うため、ＣＳＰ１２の小形化を実現できる。
【０１３４】
さらに、封止樹脂中に含まれる前記シリカの割合が少ないため、前記封止樹脂が固まった後の封止部５の硬さを緩和でき、その結果、基板突出部４ｂと封止部５とを切断加工する際に用いる切断金型の寿命を延ばすことができる。
【０１３５】
なお、本実施の形態２のＣＳＰ１２およびその製造方法によって得られるその他の作用効果については、実施の形態１のＣＳＰ１１のものと同様であるため、その重複説明は省略する。
【０１３６】
（実施の形態３）
図１６は本発明の実施の形態３による半導体装置（ＣＳＰ）の構造の一例を封止部を透過して示す平面図、図１７は図１６に示す半導体装置の構造を示す図であり、（ａ) は図１６のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ) は図１６のＢ−Ｂ断面を示す断面図、（ｃ）は図１６のＣ−Ｃ断面を示す断面図である。
【０１３７】
本実施の形態３のＣＳＰ１３（半導体装置）は、図１４および図１５に示す実施の形態２のＣＳＰ１２と同様に周辺パッドタイプのファンインＣＳＰであり、ＣＳＰ１２とほぼ同じ構造を有するものであるが、実施の形態２のＣＳＰ１２に対しての変更箇所は、図４に示す樹脂封止２８の工程において、実施の形態１で行った樹脂封止２８と合わせて、図１７（ｃ）に示すように、半導体チップ１の長手方向の対向する２つの側面１ｃに対しても樹脂封止２８を行うものである。
【０１３８】
なお、前記半導体チップ１の長手方向の対向する２つの側面１ｃに対して樹脂封止２８を行う際には、実施の形態１における封止材キュアベーク２９を行った後、一度、ＣＳＰ１３を表裏反転させる。
【０１３９】
その後、半導体チップ１の裏面（主面１ａと反対側の面）側から半導体チップ１の長手方向の対向する２つの側面１ｃおよびこれに近接する基板突出部４ｂに対して封止樹脂を塗布して樹脂封止２８を再度行う。
【０１４０】
さらに、図４に示す切断３３の工程において、基板突出部４ｂと、エラストマ３のエラストマ突出部３ｂと、これに形成された封止部５とを同時に所望の外形サイズに切断加工する。
【０１４１】
その結果、図１７に示すように、本実施の形態３のＣＳＰ１３においては、半導体チップ１の４つの側面１ｃ全てに対して樹脂封止２８が行われ、これにより、半導体チップ１の４つの全ての側面１ｃに封止部５が形成されている。
【０１４２】
なお、本実施の形態３のＣＳＰ１３におけるその他の構造とその他の製造方法とについては、実施の形態２のＣＳＰ１２のものと同様であるため、その重複説明は省略する。
【０１４３】
本実施の形態３のＣＳＰ１３およびその製造方法によって得られる作用効果について説明する。
【０１４４】
ＣＳＰ１３によれば、半導体チップ１の４つの全ての側面１ｃが封止樹脂によって覆われているため、半導体チップ１の封止性（ここでは、耐湿信頼性）を向上できる。
【０１４５】
その結果、小形でかつ信頼性の高いＣＳＰ１３を実現できる。
【０１４６】
なお、本実施の形態３のＣＳＰ１３およびその製造方法によって得られるその他の作用効果については、実施の形態２のＣＳＰ１２のものと同様であるため、その重複説明は省略する。
【０１４７】
（実施の形態４）
図１８は本発明の実施の形態４による半導体装置（ＣＳＰ）の構造の一例を封止部を透過して示す平面図、図１９は図１８に示す半導体装置の構造を示す図であり、（ａ) は図１８のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ) は図１８のＢ−Ｂ断面を示す断面図、（ｃ）は図１８のＣ−Ｃ断面を示す断面図である。
【０１４８】
本実施の形態４のＣＳＰ１４（半導体装置）は、図１６および図１７に示す実施の形態３のＣＳＰ１３と同様に周辺パッドタイプのファンインＣＳＰであり、ＣＳＰ１３とほぼ同じ構造を有するものであるが、実施の形態３のＣＳＰ１３に対しての変更箇所は、図１８に示すように、エラストマ３が薄膜配線基板４の基板本体部４ａとほぼ同じ大きさに形成されていることである。
【０１４９】
すなわち、本実施の形態４のＣＳＰ１４におけるエラストマ３は、実施の形態１〜３に示したエラストマ突出部３ｂを有していない。
【０１５０】
したがって、実施の形態３で説明した樹脂封止２８の方法と同様の方法で樹脂封止２８を行った際に、半導体チップ１の４つの全ての側面１ｃが封止樹脂によって覆われることに合わせて、エラストマ３の４つの全ての側面３ａも前記封止樹脂によって覆われる。
【０１５１】
これにより、半導体チップ１とエラストマ３との外周全ての側面１ｃ，３ａを一体に覆った封止部５を形成でき、かつ前記外周全ての側面１ｃ，３ａを一体に覆った前記封止部５が薄膜配線基板４の基板突出部４ｂに対しても直接接合している。
【０１５２】
また、ＣＳＰ１４は、エラストマ３における全ての面が、封止部５と基板本体部４ａと半導体チップ１とによって覆われた構造となっている。
【０１５３】
なお、本実施の形態４のＣＳＰ１４におけるその他の構造とその他の製造方法とについては、実施の形態３のＣＳＰ１３のものと同様であるため、その重複説明は省略する。
【０１５４】
本実施の形態４のＣＳＰ１４およびその製造方法によって得られる作用効果について説明する。
【０１５５】
ＣＳＰ１４によれば、エラストマ３の全ての面が覆われているため、エラストマ３の側面３ａを露出させた際の作用効果を得ることはできないが、これに対して、半導体チップ１とエラストマ３との外周全ての側面１ｃ，３ａを一体に覆って封止部５を形成でき、かつ前記外周全ての前記封止部５が薄膜配線基板４の基板突出部４ｂに対しても直接接合しているため、半導体チップ１の封止性（耐湿信頼性）をさらに向上できる。
【０１５６】
なお、本実施の形態４のＣＳＰ１４およびその製造方法によって得られるその他の作用効果については、実施の形態３のＣＳＰ１３のものと同様であるため、その重複説明は省略する。
【０１５７】
（実施の形態５）
図２０は本発明の実施の形態５による半導体装置（ＣＳＰ）の構造の一例を封止部を透過して示す平面図、図２１は図２０に示す半導体装置の構造を示す図であり、（ａ) は図２０のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ) は図２０のＢ−Ｂ断面を示す断面図、（ｃ）は図２０のＣ−Ｃ断面を示す断面図である。
【０１５８】
本実施の形態５のＣＳＰ１５（半導体装置）は、図１８および図１９に示す実施の形態４のＣＳＰ１４と同様に周辺パッドタイプのファンインＣＳＰであり、ＣＳＰ１４とほぼ同じ構造を有するものであるが、実施の形態４のＣＳＰ１４に対しての変更箇所は、図２０に示すように、薄膜配線基板４の基板突出部４ｂに、電極パッド１ｂを露出させる開口部４ｅとは別に、半導体チップ１の長手方向の対向する２つの側面１ｃ（図２１（ｃ）参照）に対応した箇所に封止用開口部４ｍが設けられていることである。
【０１５９】
すなわち、本実施の形態４のＣＳＰ１４における薄膜配線基板４には、半導体チップ１の両側の電極パッド１ｂを露出させる位置に設けられた対向する２つの開口部４ｅと、これと直角を成す方向で対向する位置に設けられた２つの封止用開口部４ｍとが設けられている。
【０１６０】
これにより、図４に示す樹脂封止２８を行う際には、薄膜配線基板４の表面側からこの開口部４ｅと封止用開口部４ｍとを介して封止樹脂を塗布できる。
【０１６１】
したがって、このポッティング方法で、半導体チップ１の４つの側面１ｃを封止樹脂によって覆うことができる。
【０１６２】
なお、本実施の形態５のＣＳＰ１５におけるその他の構造とその他の製造方法とについては、実施の形態４のＣＳＰ１４のものと同様であるため、その重複説明は省略する。
【０１６３】
本実施の形態５のＣＳＰ１５およびその製造方法によって得られる作用効果について説明する。
【０１６４】
ＣＳＰ１５によれば、薄膜配線基板４の表面側（一方側）からこの開口部４ｅと封止用開口部４ｍとを介して封止樹脂を塗布して樹脂封止２８を行えるため、樹脂封止２８の際に、ＣＳＰ１５を反転させる必要がないため、生産効率の向上を図ることができる。
【０１６５】
なお、本実施の形態５のＣＳＰ１５およびその製造方法によって得られるその他の作用効果については、実施の形態４のＣＳＰ１４のものと同様であるため、その重複説明は省略する。
【０１６６】
（実施の形態６）
図２２は本発明の実施の形態６による半導体装置（ＣＳＰ）の構造の一例を封止部を透過して示す平面図、図２３は図２２に示す半導体装置の構造を示す図であり、（ａ) は図２２のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ) は図２２のＢ−Ｂ断面を示す断面図、（ｃ）は図２２のＣ−Ｃ断面を示す断面図である。
【０１６７】
本実施の形態６のＣＳＰ１６（半導体装置）は、図１４および図１５に示す実施の形態２のＣＳＰ１２と同様に周辺パッドタイプのファンインＣＳＰであり、ＣＳＰ１２とほぼ同じ構造を有するものであるが、実施の形態２のＣＳＰ１２に対しての変更箇所は、図２２に示すように、エラストマ３も薄膜配線基板４と同様の半導体チップ１の電極パッド１ｂを露出させる開口部３ｃを有していることである。
【０１６８】
すなわち、ＣＳＰ１６におけるエラストマ３は、電極パッド１ｂを露出させる２つの開口部３ｃが設けられ、かつこの開口部３ｃおよび半導体チップ１の外方に突出するエラストマ突出部３ｂ（弾性体突出部）を備えているものである。
【０１６９】
これにより、薄膜配線基板４にエラストマ３を張り付ける際には、それぞれの部材の２つの開口部４ｅと開口部３ｃとの位置を合わせて張り付ける。
【０１７０】
なお、本実施の形態６のエラストマ突出部３ｂは、エラストマ３の外周全体に亘って設けられている。
【０１７１】
また、本実施の形態６のＣＳＰ１６における樹脂封止２８（図４参照）は、実施の形態２における樹脂封止２８と同様である。
【０１７２】
その際、エラストマ３においてもその開口部３ｃの外方にエラストマ突出部３ｂが設けられているため、図２３（ｂ）に示すように、開口部３ｃの外方周囲のエラストマ突出部３ｂが封止樹脂の流れを阻止するダムの機能も兼ね備えている。
【０１７３】
したがって、本実施の形態６のＣＳＰ１６においては、図４に示す切断３３を行う際に、薄膜配線基板４の基板突出部４ｂとこれに積層したエラストマ突出部３ｂとを同時に切断加工して小形化を図るものである。
【０１７４】
すなわち、切断３３によって薄膜配線基板４とエラストマ３との外形形状をほぼ同じ大きさに形成する。
【０１７５】
また、ＣＳＰ１６においては、樹脂封止２８によって形成された封止部５を、切断３３の際に切断加工しないため、封止材である封止樹脂として、シリカの含有率が５０重量％以上の前記封止樹脂を用いることが可能になる。
【０１７６】
なお、本実施の形態６のＣＳＰ１６におけるその他の構造とその他の製造方法とについては、実施の形態２のＣＳＰ１２のものと同様であるため、その重複説明は省略する。
【０１７７】
本実施の形態６のＣＳＰ１６およびその製造方法によって得られる作用効果について説明する。
【０１７８】
ＣＳＰ１６によれば、エラストマ３に設けられたエラストマ突出部３ｂによって樹脂封止２８の際の封止樹脂の流れ出しを防止できる。
【０１７９】
その際、エラストマ突出部３ｂがエラストマ３の外周全体に亘って設けられているため、薄膜配線基板４の基板突出部４ｂの全体に亘って前記封止樹脂の流出を防止できる。
【０１８０】
これにより、切断３３の際に、前記封止樹脂を切断加工することなく、かつ、ＣＳＰ１６の外形の小形化を図ることができる。
【０１８１】
さらに、切断３３の際に、前記封止樹脂を切断加工することがないため、前記封止樹脂として、シリカの含有率が５０重量％以上のものを用いることが可能になる。
【０１８２】
これにより、図４に示す封止材キュアベーク２９の際の封止樹脂の収縮率を小さくすることが可能になり、前記封止樹脂が有する在留応力を低減できる。
【０１８３】
なお、本実施の形態６のＣＳＰ１６およびその製造方法によって得られるその他の作用効果については、実施の形態２のＣＳＰ１２のものと同様であるため、その重複説明は省略する。
【０１８４】
（実施の形態７）
図２４は本発明の実施の形態７による半導体装置（ＣＳＰ）の構造の一例を封止部を透過して示す平面図、図２５は図２４に示す半導体装置の構造を示す図であり、（ａ) は図２４のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ) は図２４のＢ−Ｂ断面を示す断面図、（ｃ）は図２４のＣ−Ｃ断面を示す断面図、（ｄ) は図２４の正面図、（ｅ) は図２４の側面図、図２６は図２４に示す半導体装置の裏面側の構造を示す底面図である。
【０１８５】
本実施の形態７のＣＳＰ１７（半導体装置）は、図２２および図２３に示す実施の形態６のＣＳＰ１６と同様に周辺パッドタイプのファンインＣＳＰであり、ＣＳＰ１６とほぼ同じ構造を有するものであるが、実施の形態６のＣＳＰ１６に対しての変更箇所は、図２５（ａ),（ｂ),（ｃ）に示すように、ＣＳＰ１７を組み立てた際に、エラストマ３のエラストマ突出部３ｂによって半導体チップ１の４つの側面１ｃが囲まれる程度に、エラストマ３の厚さを厚くしていることである。
【０１８６】
なお、ＣＳＰ１７においては、エラストマ３の厚さを厚く形成するために、多孔質フッ素樹脂によって形成されたエラストマ３を用いる。
【０１８７】
これにより、本実施の形態７のＣＳＰ１７においては、図２５（ｃ）に示すように、半導体チップ１が、その外周の側面１ｃがエラストマ３のエラストマ突出部３ｂ（弾性体突出部）によって囲まれて取り付けられている。
【０１８８】
また、図２６は、ＣＳＰ１７の内部において配線４ｄのレイアウト（引き回し）を示したものである。
【０１８９】
ここで、図２５（ｃ）に示す半導体チップ１の張り付け（固定）方法について説明する。
【０１９０】
図４に示すチップ張り付け２４を行う際に、エラストマ３が多孔質フッ素樹脂であることを利用して、エラストマ３に対して半導体チップ１を押し込むようにして張り付ける。
【０１９１】
その際、エラストマ３は多孔質フッ素樹脂であるため、比較的小さな荷重で容易に凹ませることができる。
【０１９２】
これにより、半導体チップ１の直下のエラストマ３の厚さを半導体チップ１の外周の厚さより充分に薄くすることができる。
【０１９３】
その結果、半導体チップ１を、その外周の側面１ｃが外周全体のエラストマ突出部３ｂによって囲まれた状態に取り付けた構造とすることができる。
【０１９４】
その後、薄膜配線基板４の開口部４ｅおよびエラストマ３の開口部３ｃを介して封止樹脂を塗布し、半導体チップ１の両端部における封止部５を形成する。
【０１９５】
ここで、ＣＳＰ１７においては、半導体チップ１の長手方向の対向する側面１ｃの中央部付近は、図２５（ｃ）に示すように、前記封止樹脂による封止が行われずに、半導体チップ１をエラストマ３に押し込んで取り付けたことにより、エラストマ３のエラストマ突出部３ｂのみによって覆われた構造となる。
【０１９６】
なお、本実施の形態７のＣＳＰ１７におけるその他の構造とその他の製造方法とについては、実施の形態６のＣＳＰ１６のものと同様であるため、その重複説明は省略する。
【０１９７】
本実施の形態７のＣＳＰ１７およびその製造方法によって得られる作用効果について説明する。
【０１９８】
ＣＳＰ１７によれば、エラストマ３が多孔質フッ素樹脂であり、かつ半導体チップ１の直下のエラストマ３の厚さを半導体チップ１の外周の厚さより充分に薄くすることができるため、半導体チップ１の外周の側面１ｃをエラストマ突出部３ｂによって囲んだ状態に取り付けることができる。
【０１９９】
したがって、図４に示す樹脂封止２８の際に、このエラストマ突出部３ｂによって外側への封止樹脂の流出を防止でき、その結果、封止樹脂を切断加工する必要がないため、ＣＳＰ１７の小形化を図ることができる。
【０２００】
なお、本実施の形態７のＣＳＰ１７およびその製造方法によって得られるその他の作用効果については、実施の形態６のＣＳＰ１６のものと同様であるため、その重複説明は省略する。
【０２０１】
（実施の形態８）
図２８は本発明の実施の形態８による半導体装置（ＣＳＰ）の構造の一例を封止部を透過して示す平面図、図２９は図２８に示す半導体装置の構造を示す図であり、（ａ) は図２８のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ) は図２８のＢ−Ｂ断面を示す断面図、（ｃ）は図２８のＣ−Ｃ断面を示す断面図である。
【０２０２】
本実施の形態８のＣＳＰ１８（半導体装置）は、図１４に示す実施の形態２のＣＳＰ１２と同様に周辺パッドタイプのファンインＣＳＰであり、ＣＳＰ１２とほぼ同じ構造を有するものであるが、実施の形態２のＣＳＰ１２に対しての変更箇所は、薄膜配線基板４の基板突出部４ｂのチップ搭載側の面における開口部４ｅの周囲に、樹脂封止２８（図４参照）の際の封止樹脂の流出を阻止するコ字形状のダム部材３４が設けられていることである。
【０２０３】
なお、このダム部材３４は、例えば、エポキシ系の塗布樹脂などを固めて形成したものである。
【０２０４】
また、ＣＳＰ１８においては、樹脂封止２８によって形成された封止部５を、切断３３（図４参照）の際に切断加工しないことにより、封止材である封止樹脂として、シリカの含有率が５０重量％以上の前記封止樹脂を用いることが可能になる。
【０２０５】
なお、本実施の形態８のＣＳＰ１８においては、半導体チップ１の長手方向に平行な方向の対向する２つの側面１ｃは封止されずに露出している。
【０２０６】
ここで、本実施の形態８のＣＳＰ１８におけるその他の構造とその他の製造方法とについては、実施の形態２のＣＳＰ１２のものと同様であるため、その重複説明は省略する。
【０２０７】
本実施の形態８のＣＳＰ１８およびその製造方法によって得られる作用効果について説明する。
【０２０８】
まず、薄膜配線基板４の基板突出部４ｂに樹脂封止２８の際の前記封止樹脂の流出を阻止するダム部材３４が設けられていることにより、切断３３の際に、前記封止樹脂を切断加工することなく、かつ、ＣＳＰ１８の外形の小形化を図ることができる。
【０２０９】
さらに、切断３３の際に、前記封止樹脂を切断加工しないため、前記封止樹脂として、シリカの含有率が５０重量％以上のものを用いることが可能になる。
【０２１０】
これにより、図４に示す封止材キュアベーク２９の際の封止樹脂の収縮率を小さくすることが可能になり、前記封止樹脂が有する在留応力を低減できる。
【０２１１】
なお、本実施の形態８のＣＳＰ１８およびその製造方法によって得られるその他の作用効果については、実施の形態２のＣＳＰ１２のものと同様であるため、その重複説明は省略する。
【０２１２】
（実施の形態９）
図３０は本発明の実施の形態９による半導体装置（ＣＳＰ）の構造の一例を封止部を透過して示す平面図、図３１は図３０に示す半導体装置の構造を示す図であり、（ａ) は図３０のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ) は図３０のＢ−Ｂ断面を示す断面図、（ｃ）は図３０のＣ−Ｃ断面を示す断面図である。
【０２１３】
本実施の形態９のＣＳＰ１９（半導体装置）は、図２８に示す実施の形態８のＣＳＰ１８と同様に周辺パッドタイプのファンインＣＳＰであり、ＣＳＰ１８とほぼ同じ構造を有するものであるが、実施の形態８のＣＳＰ１８に対しての変更箇所は、薄膜配線基板４の基板突出部４ｂのチップ搭載側の面に設けられたダム部材３４が、基板突出部４ｂの外周全体に亘って枠状に形成されていることである。
【０２１４】
したがって、本実施の形態９のＣＳＰ１９におけるエラストマ３は、エラストマ突出部３ｂ（図２８参照）を有していない形状である。
【０２１５】
なお、ダム部材３４が、基板突出部４ｂの外周全体に亘って枠状に形成されているため、本実施の形態９のＣＳＰ１９では、半導体チップ１の４つの側面１ｃ全てに亘って樹脂封止２８を行っている。
【０２１６】
ここで、本実施の形態９のＣＳＰ１９におけるその他の構造とその他の製造方法とについては、実施の形態８のＣＳＰ１８のものと同様であるため、その重複説明は省略する。
【０２１７】
本実施の形態９のＣＳＰ１９およびその製造方法によって得られる作用効果について説明する。
【０２１８】
ＣＳＰ１９によれば、エラストマ３の全ての面が覆われているため、エラストマ３の側面３ａを露出させた際の作用効果を得ることはできないが、これに対して、半導体チップ１とエラストマ３との外周全ての側面１ｃ，３ａを一体に覆って封止部５を形成でき、かつ前記外周全ての封止部５が薄膜配線基板４の基板突出部４ｂに対しても直接接合しているため、半導体チップ１の封止性（耐湿信頼性）を向上できる。
【０２１９】
なお、本実施の形態９のＣＳＰ１９およびその製造方法によって得られるその他の作用効果については、実施の形態８のＣＳＰ１８のものと同様であるため、その重複説明は省略する。
【０２２０】
（実施の形態１０）
図３２は本発明の実施の形態１０による半導体装置（ＣＳＰ）の構造の一例を封止部を透過して示す平面図、図３３は図３２に示す半導体装置の構造を示す図であり、（ａ) は図３２のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ) は図３２のＢ−Ｂ断面を示す断面図、（ｃ）は図３２のＣ−Ｃ断面を示す断面図である。
【０２２１】
本実施の形態１０のＣＳＰ４０（半導体装置）は、図２２に示す実施の形態６のＣＳＰ１６と同様に周辺パッドタイプのファンインＣＳＰであり、ＣＳＰ１６とほぼ同じ構造を有するものであるが、実施の形態６のＣＳＰ１６に対しての変更箇所は、図３２に示すように、薄膜配線基板４の基板突出部４ｂとエラストマ３のエラストマ突出部３ｂとに、電極パッド１ｂを露出させる開口部４ｅ、開口部３ｃとは別に、半導体チップ１の長手方向の対向する２つの側面１ｃ（図３３（ｃ）参照）に対応した箇所に封止用開口部４ｍ，３ｆが設けられていることである。
【０２２２】
すなわち、本実施の形態１０のＣＳＰ４０における薄膜配線基板４とエラストマ３とには、半導体チップ１の両側の電極パッド１ｂを露出させる位置に設けられた対向する２つの開口部４ｅ，３ｃと、これと直角を成す方向で対向する位置に設けられた２つの封止用開口部４ｍ，３ｆとが設けられており、薄膜配線基板４とエラストマ３とがほぼ同じ形状のものである。
【０２２３】
これにより、図４に示す樹脂封止２８を行う際には、薄膜配線基板４の表面側からこの開口部４ｅ，開口部３ｃと封止用開口部４ｍ，封止用開口部３ｆとをそれぞれ介して封止樹脂を塗布できる。
【０２２４】
したがって、このポッティング方法で、半導体チップ１の４つの側面１ｃを封止樹脂によって覆うことができる。
【０２２５】
また、エラストマ３が、半導体チップ１の４辺の外方に突出したエラストマ突出部３ｂを有しているため、半導体チップ１の４つの側面１ｃ全てに亘って樹脂封止２８を行っている。
【０２２６】
なお、本実施の形態１０のＣＳＰ４０におけるその他の構造とその他の製造方法とについては、実施の形態６のＣＳＰ１６のものと同様であるため、その重複説明は省略する。
【０２２７】
本実施の形態１０のＣＳＰ４０およびその製造方法によって得られる作用効果について説明する。
【０２２８】
ＣＳＰ４０によれば、半導体チップ１の４つの側面１ｃが封止されているため、半導体チップ１の封止性（耐湿信頼性）を向上できる。
【０２２９】
さらに、エラストマ突出部３ｂによって樹脂封止２８の際の前記封止樹脂の流れ出しを防ぐことができるため、切断３３の際に、前記封止樹脂を切断加工することなく、かつ、ＣＳＰ４０の外形の小形化を図ることができる。
【０２３０】
また、開口部３ｃ，４ｅ，封止用開口部３ｆ，封止用開口部４ｍの４箇所全て同一の方向から封止樹脂の塗布を行えるため、封止工程の作業性を向上できるとともに、生産効率を向上できる。
【０２３１】
なお、本実施の形態１０のＣＳＰ４０およびその製造方法によって得られるその他の作用効果については、実施の形態１０のＣＳＰ４０のものと同様であるため、その重複説明は省略する。
【０２３２】
（実施の形態１１）
図３４は本発明の実施の形態１１による半導体装置（ＣＳＰ）の構造の一例を封止部を透過して示す平面図、図３５は図３４に示す半導体装置の構造を示す図であり、（ａ) は図３４のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ) は図３４のＢ−Ｂ断面を示す断面図、（ｃ）は図３４のＣ−Ｃ断面を示す断面図である。
【０２３３】
本実施の形態１１のＣＳＰ４１（半導体装置）は、図３２に示す実施の形態１０のＣＳＰ４０と同様に周辺パッドタイプのファンインＣＳＰであり、ＣＳＰ４０とほぼ同じ構造を有するものであるが、実施の形態１０のＣＳＰ４０に対しての変更箇所は、図３５に示すように、ＣＳＰ４１を組み立てた際に、エラストマ３のエラストマ突出部３ｂによって半導体チップ１の４つの側面１ｃが封止部５を介して囲まれる程度に、エラストマ３の厚さをＣＳＰ４０のエラストマ３の厚さより厚くしていることである。
【０２３４】
なお、ＣＳＰ４１においては、エラストマ３の厚さを厚く形成するために、多孔質フッ素樹脂によって形成されたエラストマ３を用いる。
【０２３５】
これにより、本実施の形態１１のＣＳＰ４１においては、図３５（ｃ）に示すように、半導体チップ１が、その外周の側面１ｃが封止部５を介してエラストマ３のエラストマ突出部３ｂによって囲まれて取り付けられている。
【０２３６】
ここで、図３５（ｃ）に示す半導体チップ１の張り付け（固定）方法について説明する。
【０２３７】
図４に示すチップ張り付け２４を行う際に、エラストマ３が多孔質フッ素樹脂であることを利用して、エラストマ３に対して半導体チップ１を押し込むようにして張り付ける。
【０２３８】
その際、エラストマ３は多孔質フッ素樹脂であるため、比較的小さな荷重で容易に凹ませることができる。
【０２３９】
これにより、半導体チップ１の直下のエラストマ３の厚さを半導体チップ１の外周の厚さより充分に薄くすることができる。
【０２４０】
その結果、半導体チップ１を、その外周の側面１ｃが外周全体のエラストマ突出部３ｂによって囲まれた状態に取り付けた構造とすることができる。
【０２４１】
その後、薄膜配線基板４の開口部４ｅおよびエラストマ３の開口部３ｃ、さらに、薄膜配線基板４の封止用開口部４ｍおよびエラストマ３の封止用開口部３ｆを介して封止樹脂を塗布する。
【０２４２】
これにより、半導体チップ１の主面１ａの外周部と４つの側面１ｃとを、基板突出部４ｂおよびエラストマ突出部３ｂと半導体チップ１との間で封止部５をブリッジさせた状態で形成できる。
【０２４３】
なお、本実施の形態１１のＣＳＰ４１におけるその他の構造とその他の製造方法とについては、実施の形態１０のＣＳＰ４０のものと同様であるため、その重複説明は省略する。
【０２４４】
本実施の形態１１のＣＳＰ４１およびその製造方法によって得られる作用効果について説明する。
【０２４５】
ＣＳＰ４１によれば、エラストマ３が多孔質フッ素樹脂であり、かつ半導体チップ１の直下のエラストマ３の厚さを半導体チップ１の外周のエラストマ突出部３ｂの厚さより充分に薄くすることができるため、半導体チップ１の外周の側面１ｃをエラストマ突出部３ｂによって囲んだ状態に取り付けることができる。
【０２４６】
したがって、図４に示す樹脂封止２８の際に、このエラストマ突出部３ｂによって外側への封止樹脂の流出を防止でき、その結果、封止樹脂を切断加工する必要がないため、ＣＳＰ４１の小形化を図ることができる。
【０２４７】
なお、本実施の形態１１のＣＳＰ４１およびその製造方法によって得られるその他の作用効果については、実施の形態１１のＣＳＰ４１のものと同様であるため、その重複説明は省略する。
【０２４８】
（実施の形態１２）
図３６は本発明の実施の形態１２による半導体装置（ＣＳＰ）の構造の一例を封止部を透過して示す平面図、図３７は図３６に示す半導体装置の構造を示す図であり、（ａ) は図３６のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ) は図３６のＢ−Ｂ断面を示す断面図、（ｃ）は図３６のＣ−Ｃ断面を示す断面図である。
【０２４９】
本実施の形態１２のＣＳＰ４２（半導体装置）は、図３２に示す実施の形態１０のＣＳＰ４０と同様に周辺パッドタイプのファンインＣＳＰであり、ＣＳＰ４０とほぼ同じ構造を有するものであるが、実施の形態１０のＣＳＰ４０に対しての変更箇所は、図３６に示すように、半導体チップ１の主面１ａの４辺の外周部に電極パッド１ｂが設けられていることである。
【０２５０】
したがって、薄膜配線基板４とエラストマ３とに、それぞれ４つの開口部４ｅおよび開口部３ｃが設けられ、それぞれの開口部４ｅ，３ｃが対応して同じ箇所に形成されたことにより、各々の開口部４ｅ，３ｃにおいて半導体チップ１の４辺の電極パッド１ｂを露出させることができる。
【０２５１】
さらに、この４つの開口部４ｅ，３ｃを介して封止樹脂を塗布し、これにより、樹脂封止２８を行って前記４つの開口部４ｅ，３ｃに封止部５が形成されている。
【０２５２】
なお、本実施の形態１２のＣＳＰ４２におけるその他の構造とその他の製造方法とについては、実施の形態１０のＣＳＰ４０のものと同様であるため、その重複説明は省略する。
【０２５３】
本実施の形態１２のＣＳＰ４２およびその製造方法によって得られる作用効果について説明する。
【０２５４】
ＣＳＰ４２によれば、半導体チップ１が、その主面１ａの４辺の外周部に電極パッド１ｂが設けられている場合においても、薄膜配線基板４とエラストマ３とに、それぞれ４つの開口部４ｅ，３ｃを形成して、この４つの開口部４ｅ，３ｃを介して樹脂封止２８を行うことにより、耐湿信頼性を向上させた小形のＣＳＰ４２を実現できる。
【０２５５】
なお、本実施の形態１２のＣＳＰ４２およびその製造方法によって得られるその他の作用効果については、実施の形態１０のＣＳＰ４０のものと同様であるため、その重複説明は省略する。
【０２５６】
（実施の形態１３）
図３８は本発明の実施の形態１３による半導体装置（ＣＳＰ）の構造の一例を封止部を透過して示す平面図、図３９は図３８に示す半導体装置の構造を示す図であり、（ａ) は図３８のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ) は図３８のＢ−Ｂ断面を示す断面図、（ｃ）は図３８のＣ−Ｃ断面を示す断面図である。
【０２５７】
本実施の形態１３のＣＳＰ４３（半導体装置）は、図２４に示す実施の形態７のＣＳＰ１７と同様に周辺パッドタイプのファンインＣＳＰであり、ＣＳＰ１７とほぼ同じ構造を有するものであるが、実施の形態７のＣＳＰ１７に対しての変更箇所は、実施の形態１２のＣＳＰ４２と同様に、図３８に示すように、半導体チップ１の主面１ａの４辺の外周部に電極パッド１ｂが設けられていることである。
【０２５８】
したがって、薄膜配線基板４とエラストマ３とに、それぞれ４つの開口部４ｅおよび開口部３ｃが設けられ、それぞれの開口部４ｅ，３ｃが対応して同じ箇所に形成されたことにより、各々の開口部４ｅ，３ｃにおいて半導体チップ１の４辺の電極パッド１ｂを露出させることができる。
【０２５９】
さらに、この４つの開口部４ｅ，３ｃを介して封止樹脂を塗布し、これにより、樹脂封止２８を行って前記４つの開口部４ｅ，３ｃに封止部５が形成されている。
【０２６０】
なお、本実施の形態１３のＣＳＰ４３におけるその他の構造とその他の製造方法とについては、実施の形態７のＣＳＰ１７のものと同様であるため、その重複説明は省略する。
【０２６１】
本実施の形態１３のＣＳＰ４３およびその製造方法によって得られる作用効果について説明する。
【０２６２】
ＣＳＰ４３によれば、半導体チップ１が、その主面１ａの４辺の外周部に電極パッド１ｂが設けられている場合であっても薄膜配線基板４とエラストマ３とに、それぞれ４つの開口部４ｅ，３ｃを形成することにより、耐湿信頼性を向上させた小形のＣＳＰ４３を実現できる。
【０２６３】
さらに、樹脂封止２８の際に、４つの開口部４ｅ，３ｃの４箇所全て同一の方向から封止樹脂の塗布を行えるため、封止工程の作業性を向上できるとともに、生産効率を向上できる。
【０２６４】
また、半導体チップ１の４つの側面１ｃがエラストマ突出部３ｂもしくは封止部５によって封止されているため、半導体チップ１の封止性（耐湿信頼性）を向上できる。
【０２６５】
なお、本実施の形態１３のＣＳＰ４３およびその製造方法によって得られるその他の作用効果については、実施の形態７のＣＳＰ１７のものと同様であるため、その重複説明は省略する。
【０２６６】
（実施の形態１４）
図４０は本発明の実施の形態１４における半導体装置の非結線リードの構造の一例を示す図であり、（ａ）は非結線リードを変形させる場合の断面図、（ｂ) および（ｃ）は非結線リードを変形させない場合の断面図である。
【０２６７】
本実施の形態１４は、実施の形態１〜１３に示す半導体装置（ＣＳＰ）において、前記半導体装置が非結線リード３５（半導体チップ１の電極パッド１ｂと結線を行わないリード４ｃのこと）を有する場合を説明するものであり、非結線リード３５の使用目的と、その変形の有無について説明するものである。
【０２６８】
なお、非結線リード３５とは、ＣＳＰにおいてモードの切り換え、すなわち機能の切り換えのために行うものであり、同一の配線パターンの個々のリード４ｃの結線または非結線を選択して目的に合った配線４ｄを形成するものである。
【０２６９】
したがって、非結線を選択したリード４ｃつまり非結線リード３５については、ボンディング工程においてボンディングツール７（図１３参照）による接続処理を一切行わない。
【０２７０】
ここで、図４０に示す非結線リード３５について、実施の形態７で説明したＣＳＰ１７をその代表例として用いて説明する。
【０２７１】
ただし、実施の形態７以外の実施の形態１〜１３についても、適用可能であることは言うまでもない。
【０２７２】
図４０（ａ）に示すＣＳＰ１７においては、非結線リード３５が半導体チップ１の電極パッド１ｂに近づく方向に変形されている。
【０２７３】
これは、ボンディング工程においてボンディングツール７による接続処理は行わないものの、ボンディングツール７を用いて電極パッド１ｂに接触しない程度に下方（半導体チップ１の主面１ａの方向）にリード４ｃを押し下げるものである。
【０２７４】
なお、図４０（ｂ）および（ｃ）は、両者とも非結線リード３５を変形させない場合である。
【０２７５】
図４０（ｂ）に示すＣＳＰ１７は、変形をさせなかった非結線リード３５が封止部５内に収まった状態を表すものである。
【０２７６】
また、図４０（ｃ）に示すＣＳＰ１７は、変形をさせなかった非結線リード３５の先端が封止部５から突出した状態を表すものであり、これは、封止樹脂が固まった際に封止部５の表面が多少凹んだ形状になるため、これにより、非結線リード３５が突出したものである。
【０２７７】
なお、半導体装置（ＣＳＰ）が非結線リード３５を有する場合、封止性を考慮して、図４０（ａ）に示すように、非結線リード３５を半導体チップ１の主面１ａの方向に変形させることが好ましいが、必ずしも変形させるものではなく、図４０（ｂ）および（ｃ）に示すように、変形させなくてもよい。
【０２７８】
本実施の形態１４の半導体装置（ＣＳＰ）におけるその他の構造については、実施の形態１〜１３に示すＣＳＰと同様であるため、その重複説明は省略する。
【０２７９】
なお、本実施の形態１４で説明した非結線リード３５は、ＣＳＰが必ずしも有するものではなく、ＣＳＰの機能に応じて適用するものである。
【０２８０】
その際、実施の形態７以外の実施の形態１〜１３についても、適用可能であることは言うまでもない。
【０２８１】
ここで、本実施の形態１４の半導体装置（ＣＳＰ）によって得られる作用効果について説明する。
【０２８２】
ＣＳＰにおいて、製品ごとに個別に配線パターンを準備することなく、共通パターンを用いてリード４ｃの結線／非結線を選択することにより、所望の回路を構成することができる。
【０２８３】
これにより、共通部材の使用が可能となり、その結果、ＣＳＰの製造コストを安価にできる。
【０２８４】
また、前記ＣＳＰが非結線リード３５を有し、その際、この非結線リード３５が半導体チップ１の電極パッド１ｂに近づく方向に変形されていることにより、樹脂封止後、封止部５の外方に非結線リード３５が露出することを防げるため、耐湿信頼性を向上できる。
【０２８５】
さらに、非結線リード３５を半導体チップ１の電極パッド１ｂに近づく方向に変形することにより、封止部５の表面が多少凹んだ形状になる場合であっても、非結線リード３５を封止部５内に確実に収めることができる。
【０２８６】
これにより、封止樹脂の制約を減らすことができ、使用可能な封止樹脂の種類を増やすことができる。
【０２８７】
（実施の形態１５）
図４１（ａ),（ｂ),（ｃ）は本発明の実施の形態１５の半導体装置において１層表配線の薄膜配線基板を用いた構造の一例を示す断面図、図４２（ａ),（ｂ),（ｃ）は本発明の実施の形態１５の半導体装置において２層配線の薄膜配線基板を用いた構造の一例を示す断面図である。
【０２８８】
ここで、実施の形態１〜１４に示す半導体装置（ＣＳＰ）における薄膜配線基板４の配線４ｄが、１層のものでかつその配線４ｄが基材となるテープの裏側にのみ形成されたいわゆる１層裏配線のものであるのに対し、本実施の形態１５では、薄膜配線基板４が１層表配線の場合と２層配線の場合とについて、実施の形態１（ＣＳＰ１１）、実施の形態２（ＣＳＰ１２）および実施の形態７（ＣＳＰ１７）で説明した半導体装置をその代表例として用いて説明する。
【０２８９】
まず、図４１は、薄膜配線基板４が１層表配線の場合であり、そのうち、図４１（ａ）は、半導体装置の外形構造がテープ外形のもの（例えば、実施の形態１のＣＳＰ１１）であり、また、図４１（ｂ）は、半導体装置の外形構造が封止外形のもの（例えば、実施の形態２のＣＳＰ１２）であり、さらに、図４１（ｃ）は、半導体装置の外形構造がエラストマ外形のもの（例えば、実施の形態７のＣＳＰ１７）である。
【０２９０】
ここで、１層表配線は、薄膜配線基板４のテープ基材４ｇの表側に配線４ｄが形成され、さらに、テープ基材４ｇ上のバンプランド４ｆ（図２７参照）を除く箇所に厚さ１０〜３０μｍ程度の絶縁コーティングであるソルダレジスト４ｒが形成されている。
【０２９１】
この１層表配線を用いることにより、ソルダレジスト４ｒの厚さが１０〜３０μｍと比較的薄いため、バンプ電極２のバンプランド接合部付近のはんだ食われ量を抑えることができ、これにより、バンプ電極２の取り付け高さのばらつきを低減できる。
【０２９２】
また、図４２は、薄膜配線基板４が２層配線の場合であり、そのうち、図４２（ａ）は、半導体装置の外形構造がテープ外形のもの（例えば、実施の形態１のＣＳＰ１１）であり、また、図４２（ｂ）は、半導体装置の外形構造が封止外形のもの（例えば、実施の形態２のＣＳＰ１２）であり、さらに、図４２（ｃ）は、半導体装置の外形構造がエラストマ外形のもの（例えば、実施の形態７のＣＳＰ１７）である。
【０２９３】
ここで、２層配線は、薄膜配線基板４のテープ基材４ｇの表裏両面に配線４ｄが形成され、かつ、この表裏両面の配線４ｄがスルーホール４ｗによって電気的に接続され、さらに、テープ基材４ｇの表面側の前記バンプランド４ｆを除く箇所に厚さ１０〜３０μｍ程度の絶縁コーティングであるソルダレジスト４ｒが形成されている。
【０２９４】
なお、本実施の形態１５の半導体装置（ＣＳＰ）におけるその他の構造については、実施の形態１〜１４に示すＣＳＰと同様であるため、その重複説明は省略する。
【０２９５】
さらに、本実施の形態１５で説明した１層表配線と２層配線は、ＣＳＰが必ずしも有するものではなく、１層裏配線であってもよく、また、実施の形態１，２および７以外の実施の形態１〜１４についても、適用可能であることは言うまでもない。
【０２９６】
本実施の形態１５によれば、この２層配線を用いることにより、バンプ電極２の数が増えて複雑な配線４ｄの引き回しを行わなければならない場合であっても、テープ基材４ｇの表裏両面にスルーホール４ｗを介して配線４ｄを形成できるため、複雑な配線４ｄの引き回しにも対応できる。
【０２９７】
その結果、バンプ電極２の数が増えてもＣＳＰを実現できる。
【０２９８】
（実施の形態１６）
図４３は本発明の実施の形態１６の半導体装置の製造方法におけるリード先端処理の手順の一例を示す拡大部分断面図であり、（ａ）はボンディング前、（ｂ）はボンディング時、（ｃ）はボンディング後、（ｄ）は封止後をそれぞれ示す図、図４４および図４５は図４３に示すリード先端処理に対する比較例のリード先端処理の手順を示す拡大部分断面図であり、（ａ）はボンディング前、（ｂ）はボンディング時、（ｃ）は封止後をそれぞれ示す図である。
【０２９９】
本実施の形態１６は、実施の形態１〜１５に示す半導体装置（ＣＳＰ）において、ボンディング時のリード４ｃの先端処理について説明するものである。
【０３００】
なお、本実施の形態１６では、実施の形態７で説明したＣＳＰ１７をその代表例として用いて説明する。
【０３０１】
まず、図４４に示す比較例は、図４４（ａ）に示す距離Ｐが比較的長いため、図４４（ｂ）に示すように、ボンディングツール７を移動（下降）させてボンディングを行い、その後、リード４ｃの先端処理を行わずに図４４（ｃ）に示すように樹脂封止２８（図４参照）を行って封止部５を形成したものである。
【０３０２】
この場合、図４４（ａ）に示す距離Ｐが比較的長いため、ボンディング後のリード４ｃの先端が余ることなく、図４４（ｃ）に示すように封止部５内に収まった状態となる。
【０３０３】
また、図４５に示す比較例は、図４５（ａ）に示す距離Ｐが比較的短く、かつ、図４５（ｂ）に示すように、ボンディングツール７を移動（下降）させてボンディングを行い、その後、リード４ｃの先端処理を行わずに図４５（ｃ）に示すように前記樹脂封止２８を行って封止部５を形成したものである。
【０３０４】
この場合、図４５（ａ）に示す距離Ｐが比較的短く、かつ、図４５（ｂ）に示すように、ボンディング後のリード４ｃの先端処理を行っていないため、図４５（ｃ）に示すように、ボンディング後のリード４ｃの先端が封止部５から飛び出して露出した状態となっている。
【０３０５】
これに対して、図４３に示す本実施の形態１６のＣＳＰ１７では、図４３（ｂ）に示すように、ボンディングツール７を半導体チップ１の電極パッド１ｂに向けて垂直降下させ、その後、ボンディングツール７の加圧動作を行って半導体チップ１の電極パッド１ｂと薄膜配線基板４のリード４ｃとを電気的に接続する。さらに、その後、図４３（ｃ）に示すように、ボンディングツール７を半導体チップ１の主面１ａに対してほぼ平行に、かつリード４ｃの先端方向に移動（水平移動）させる。
【０３０６】
すなわち、ボンディング後、ボンディングツール７の加圧を除去し、かつボンディングツール７をリード４ｃの先端方向に所定量（例えば、１０〜３００μｍ、好ましくは３０〜２００μｍ）水平移動させ、その後、前記樹脂封止２８を行って、図４３（ｄ）に示すように封止部５を形成する。
【０３０７】
これにより、リード４ｃの先端付近の跳ね上げ角度を小さくできる。
【０３０８】
なお、リード４ｃの先端処理を行う際には、ボンディングツール７の加圧除去と同時にボンディングツール７を所定量（例えば、５〜１００μｍ、好ましくは１０〜６０μｍ）上昇させた後、ボンディングツール７をリード４ｃの先端方向に前記所定量（例えば、１０〜３００μｍ、好ましくは３０〜２００μｍ）水平移動させてもよい。
【０３０９】
また、リード４ｃの先端処理については、図４３（ａ）に示す距離Ｐ，長さＬ，厚さＥにおいて、少なくとも距離Ｐが、突出したリード４ｃの長さＬとエラストマ３の厚さＥとに対して相対的に短い（例えば、Ｐ≦Ｌ−Ｅ、好ましくはＰ≦Ｌ−Ｅ−１００μｍ）場合にのみ、ボンディングツール７をリード４ｃの先端方向に前記所定量（例えば、１０〜３００μｍ、好ましくは３０〜２００μｍ）水平移動させればよく、図４３（ａ）に示す距離Ｐ，Ｌ，Ｅにおける前記条件が当てはまらない場合には、リード４ｃの先端処理を行わないようにしてもよい。
【０３１０】
なお、リード４ｃの先端処理については、図４３（ａ）に示す距離Ｐ、長さＬ、厚さＥに係わらず、特に行わなくてもよいことは言うまでもない。
【０３１１】
ここで、本実施の形態１６の半導体装置（ＣＳＰ）におけるその他の構造については、実施の形態１〜１５に示すＣＳＰと同様であるため、その重複説明は省略する。
【０３１２】
さらに、本実施の形態１６で説明したリード４ｃの先端処理は、ＣＳＰにおいて必ず行うものではなく、特に行わなくてもよい。
【０３１３】
また、実施の形態７以外の実施の形態１〜１５についても、適用可能であることは言うまでもない。
【０３１４】
本実施の形態１６によれば、半導体チップ１上の電極パッド１ｂの位置に係わらず、ボンディングに必要な長さより長いリード４ｃのボンディングを行う場合においても、リード４ｃの接続形状に関して、余分なリード４ｃの先端が半導体チップ１の表面（主面１ａ）から上方に必要以上に突出することを防ぐことができる。
【０３１５】
これにより、リード４ｃおよび電極パッド１ｂを樹脂封止２８して封止部５を形成した後においても、リード４ｃの先端が封止部５から外方に露出することを防ぐことができ、その結果、半導体装置（ＣＳＰ１７）の耐湿信頼性を向上できる。
【０３１６】
（実施の形態１７）
図４６は本発明の実施の形態１７の半導体装置（ＣＳＰ）に用いるエラストマ（弾性構造体）の着色仕様の一例を示すエラストマ仕様図である。
【０３１７】
本実施の形態１７は、実施の形態１〜１６に示す半導体装置（ＣＳＰ）において、着色させたエラストマ３を用いる場合について説明するものである。
【０３１８】
すなわち、実施の形態１〜１６におけるＣＳＰのエラストマ３は、無着色のものであり、光を透過させるほぼ透明なものである。
【０３１９】
これに対し、本実施の形態１７によるエラストマ３（弾性構造体）は、図４６に示すように、骨格層３ｄ（後述の図４７参照）の両面に形成された接着層３ｅに着色材を含有させたものである。
【０３２０】
なお、着色させたエラストマ３の仕様の具体例として示したものが、図４６に示す着色エラストマ仕様例▲１▼または着色エラストマ仕様例▲２▼であり、ここで用いる着色材は、炭素である。
【０３２１】
ただし、図４６に示す着色エラストマの仕様例▲１▼および仕様例▲２▼は、骨格層３ｄの両面の接着層３ｅに着色材を含有させたものであるが、これに限らず、何れか一方側の接着層３ｅにのみ着色材が含有されていてもよい。
【０３２２】
さらに、本実施の形態１７の図４６に示す仕様例▲１▼および仕様例▲２▼は、接着層３ｅに着色材を含有させたものであるが、骨格層３ｄである中間層材料に着色材を含有させてもよく、また、接着層３ｅと骨格層３ｄとの両者に着色材を含有させてもよい。
【０３２３】
すなわち、エラストマ３を構成する部材のうち、少なくとも１つの部材に着色材が含有されていればよい。
【０３２４】
なお、図４６に示す仕様例▲１▼および仕様例▲２▼では、着色材を炭素の粒子としたが、前記着色材は、これに限らず、他の無機系顔料または有機系染料などであってもよい。
【０３２５】
さらに、図４６に示す仕様例▲１▼および仕様例▲２▼では、着色材として、黒色の炭素を用いた場合を示したが、これに限らず、赤色、青色、緑色、桃色、黄色またはその他の色、あるいは、これらの中間色であってもよい。
【０３２６】
なお、本実施の形態１７の半導体装置（ＣＳＰ）におけるその他の構造については、実施の形態１〜１６に示すＣＳＰと同様であるため、その重複説明は省略する。
【０３２７】
また、本実施の形態１７で説明したエラストマ３に着色材を含有させることは、ＣＳＰにおいて必ず行うものではなく、特に行わなくてもよい。
【０３２８】
本実施の形態１７によれば、エラストマ３に所定量の着色材を含有させることによって、エラストマ３の弾性率、熱膨張係数、難燃性および吸湿性などの基本物性に影響を及ぼすことなく、エラストマ３の透過率を下げることができる。
【０３２９】
これにより、半導体チップ１の回路に対する遮光性を得ることができる。
【０３３０】
その結果、半導体チップ１の誤動作を招くとされる紫外線などを遮断できるため、ＣＳＰの電気回路動作の安定性を向上できる。
【０３３１】
さらに、着色材として、炭素を用いることにより、少ない添加量で所望の遮光性を得ることができるため、エラストマ３の基本物性の劣化を最小限に抑えることができる。
【０３３２】
また、エラストマ３の骨格層３ｄでなく、少なくとも一方の接着層３ｅに着色材を含有することにより、安価にエラストマ３の着色を実現できる。
【０３３３】
（実施の形態１８）
図４７（ａ) 〜（ｈ）は本発明の実施の形態１８の半導体装置におけるエラストマの詳細組成の一例を示す組成概念図、図４８（ａ) 〜（ｅ）は本発明の実施の形態１８の半導体装置におけるエラストマの詳細組成の一例を示す概念図であり、（ａ) 〜（ｄ）は３層構造の組成概念図、（ｅ）は５層構造の組成概念図である。
【０３３４】
本実施の形態１８は、実施の形態１〜１７に示す半導体装置（ＣＳＰ）におけるエラストマ３の各構成部材の具体的材質について説明したものである。
【０３３５】
ここで、図４７および図４８（ａ）〜（ｄ）は、エラストマ３が３層からなる場合を示したものであり、図４８（ｅ）は、エラストマ３が５層構造の場合である。
【０３３６】
なお、５層構造は、骨格層３ｄとその両外側（最外側）の接着層３ｅとの間のそれぞれの界面に他の接着層３ｅを薄く形成したものであり、本実施の形態１８では、図４８（ｅ）に５層構造の１つの具体例を示したが、図４７および図４８において、骨格層３ｄの両面に塗布層ではなくフィルム層が形成されているエラストマ３については、前記５層構造を用いることが特に有効である。
【０３３７】
外側の上下層にフィルム層を形成するエラストマ３において、前記５層構造を用いることにより、前記フィルム層（接着層３ｅ）の剛性をさらに小さくすることができる。
【０３３８】
その結果、エラストマ３としての剛性も小さくなるため、リード４ｃに倣い易くなり、これにより、エラストマ３の密着性を向上できる。
【０３３９】
ここで、エラストマ３の各構成部材の具体的材質については、図４７および図４８に示す本実施の形態１８のものに限定されるものではなく、また、層数についても、３層や５層以外の多層構造であってもよい。
【０３４０】
ただし、骨格層３ｄには、３次元的網目構造体により構成された多孔質部材（この多孔質部材の詳細構造については実施の形態１を参照のこと）を用いることが好ましい。
【０３４１】
なお、本実施の形態１８の半導体装置（ＣＳＰ）におけるその他の構造については、実施の形態１〜１７に示すＣＳＰと同様であるため、その重複説明は省略する。
【０３４２】
（実施の形態１９）
図４９（ａ),（ｂ) は本発明の実施の形態１９の半導体装置におけるエラストマの骨格層と接着層の厚さの一例を示す概念図である。
【０３４３】
本実施の形態１９は、実施の形態１〜１８に示す半導体装置（ＣＳＰ）のエラストマ３（弾性構造体）において、接着層３ｅ（図４７および図４８参照）と骨格層３ｄの厚さについて説明したものである。
【０３４４】
ここで、図４９は、エラストマ３が３層からなる場合を示したものである。
【０３４５】
まず、エラストマ３において、テープ側接着層３ｇの厚さを、テープ基材４ｇ上の配線４ｄの厚さより厚くする（例えば、1.２倍以上好ましくは1.５倍以上にする）。
【０３４６】
具体的には、例えば、配線４ｄの厚さが１８μｍの場合、テープ側接着層３ｇの厚さを、２1.６μｍ以上好ましくは２７μｍ以上とする。
【０３４７】
また、例えば、配線４ｄの厚さが２５μｍの場合、テープ側接着層３ｇの厚さを、３０μｍ以上好ましくは３7.５μｍ以上とする。
【０３４８】
ここで、図４９（ａ）は、テープ側接着層３ｇ（薄膜基板側接着層）とチップ側接着層３ｈが同じ厚さの場合であり、その一例として、両者の厚さが３０μｍ、中間層である骨格層３ｄの厚さが１００μｍの場合である。
【０３４９】
その際、例えば、配線４ｄの厚さを１８μｍとすると、上下接着層３ｅ（ここではテープ側接着層３ｇとチップ側接着層３ｈのこと）の厚さが３０μｍで、かつ、骨格層３ｄの厚さが１００μｍであり、その結果、エラストマ３の全体の厚さが１６０μｍとなる。
【０３５０】
また、図４９（ｂ）は、テープ側接着層３ｇがチップ側接着層３ｈより厚く形成されている場合であり、その一例として、テープ側接着層３ｇの厚さが７５μｍ、チップ側接着層３ｈの厚さが５０μｍ、中間層である骨格層３ｄの厚さが２５μｍの場合である。
【０３５１】
その際、例えば、配線４ｄの厚さを１８μｍとすると、テープ側接着層３ｇの厚さが７５μｍで、かつチップ側接着層３ｈの厚さが５０μｍ、さらに、骨格層３ｄの厚さが２５μｍであり、その結果、エラストマ３の全体の厚さが１５０μｍとなる。
【０３５２】
なお、図４９に記載された各層の厚さは、一例であり、これに限定されるものではない。
【０３５３】
ここで、本実施の形態１９の半導体装置（ＣＳＰ）におけるその他の構造については、実施の形態１〜１８に示すＣＳＰと同様であるため、その重複説明は省略する。
【０３５４】
さらに、テープ側接着層３ｇとチップ側接着層３ｈの厚さは、同じであっても、異なっていてもよい。
【０３５５】
本実施の形態１９によれば、テープ側接着層３ｇの厚さを配線４ｄの厚さより厚くする（例えば、1.２倍以上好ましくは1.５倍以上にする）ことにより、テープ基材４ｇの接着面の配線４ｄによる凹凸を埋め込むことができ、その結果、テープ側接着層３ｇの密着性を向上できる。
【０３５６】
これにより、信頼性の高いＣＳＰを実現できる。
【０３５７】
また、テープ側接着層３ｇとチップ側接着層３ｈとを同じ厚さにすることにより、テープ基材４ｇおよび半導体チップ１との接着性を向上できるとともに、効率の良い安価なエラストマ３の製造が可能になる。
【０３５８】
さらに、テープ側接着層３ｇの厚さをチップ側接着層３ｈの厚さより厚く形成することにより、決められたエラストマ全体厚さの条件の中で、配線４ｄによるテープ側接着層３ｇの凹凸に対して、さらに最適な密着性を確保でき、その結果、良好な接着が行えるため、信頼性の高いＣＳＰを実現できる。
【０３５９】
（実施の形態２０）
図５０は本発明の実施の形態２０の半導体装置の裏面側の構造を示す底面図である。
【０３６０】
本実施の形態２０は、実施の形態１〜１９に示す半導体装置（ＣＳＰ）において、薄膜配線基板４の配線４ｄの幅について説明するものである。
【０３６１】
なお、本実施の形態２０では、実施の形態７で説明したＣＳＰ１７をその代表例として用いて説明する。
【０３６２】
図５０に示すＣＳＰ１７は、薄膜配線基板４に形成された配線４ｄにおいてバンプランド４ｆとの接続部４ｓの配線幅が、この接続部４ｓから離れた箇所の配線４ｄの配線幅より広く形成され、かつ、接続部４ｓの配線幅がバンプランド４ｆから離れるにつれて徐々に狭くなるように形成されている。
【０３６３】
すなわち、テープ基材４ｇ（図２７参照）に形成されたバンプランド４ｆからリード４ｃに至る配線４ｄにおいて、バンプランド４ｆとの接続部４ｓの配線幅が、この接続部４ｓから離れた箇所の配線４ｄの配線幅より広く形成された幅広形状となっており、さらに、接続部４ｓの配線幅がバンプランド４ｆから離れるにつれて徐々に狭くなるようにテーパを有して形成されている。
【０３６４】
なお、図２０に示すＣＳＰ１７においては、１２個の全ての接続部４ｓの配線幅が幅広形状に形成されるとともに、この幅広の接続部４ｓがバンプランド４ｆから離れるにつれて徐々に狭くなるように形成されている。
【０３６５】
ここで、本実施の形態２０の半導体装置（ＣＳＰ）におけるその他の構造については、実施の形態１〜１９に示すＣＳＰと同様であるため、その重複説明は省略する。
【０３６６】
さらに、本実施の形態２０で説明した幅広の接続部４ｓは、ＣＳＰにおいて必ず行うものではなく、特に行わなくてもよい。
【０３６７】
なお、前記テープ基材４ｇ上に形成された配線４ｄのうち、リード４ｃ側の直近に配置されたバンプランド４ｆに接続する接続部４ｓから延在する配線４ｄは、リード４ｃまでの距離が比較的短い。
【０３６８】
これにより、リード４ｃおよび配線４ｄに荷重がかかった際に、前記リード４ｃ側の直近に配置されたバンプランド４ｆに接続する接続部４ｓに応力が集中し易い。
【０３６９】
したがって、幅広の接続部４ｓを形成する際に、少なくともリード４ｃ側の直近に配置されたバンプランド４ｆに接続する接続部４ｓに対して幅広の接続部４ｓを形成することが望ましい。
【０３７０】
また、実施の形態７以外の実施の形態１〜１９についても、適用可能であることは言うまでもない。
【０３７１】
本実施の形態２０によれば、配線４ｄとバンプランド４ｆとの接続部４ｓが幅広形状に形成されているため、この接続部４ｓに応力集中が起こりにくい。
【０３７２】
これにより、温度サイクル環境下において、前記テープ基材４ｇとともに、配線４ｄが熱収縮・膨張によって変形しても、配線４ｄとバンプランド４ｆとの接続部４ｓで断線することを防止できる。
【０３７３】
（実施の形態２１）
図５１は本発明の実施の形態２１による半導体装置の構造の一例を示す図であり、（ａ）は底面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は一部を破断して示す平面図、（ｄ）は正面図、図５２は図５１に示す半導体装置の構造を示す図であり、（ａ) は図５１のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ) は図５１のＢ−Ｂ断面を示す断面図、（ｃ）は図５１のＣ−Ｃ断面を示す断面図、図５３は図５２に示す半導体装置の構造を示す拡大部分断面図であり、（ａ) は図５２（ｂ）のＤ部を示す図、（ｂ) は図５２（ｃ）のＥ部を示す図、図５４は本発明の実施の形態２１の半導体装置に用いられる薄膜配線基板の製造方法の一例を示す図であり、（ａ),（ｃ),（ｅ) は部分平面図、（ｂ),（ｄ),（ｆ) は各々のＡ−Ａ断面を示す断面図、図５５は本発明の実施の形態２１の半導体装置に用いられる薄膜配線基板の製造方法の一例を示す図であり、（ａ),（ｃ) は部分平面図、（ｂ),（ｄ) は各々のＡ−Ａ断面を示す断面図、図５６は本発明の実施の形態２１による半導体装置の製造方法の一例を示す図であり、（ａ),（ｄ) は部分平面図、（ｂ),（ｅ) は各々のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｃ),（ｆ) は各々のＢ−Ｂ断面を示す断面図、図５７は本発明の実施の形態２１による半導体装置の製造方法の一例を示す図であり、（ａ),（ｄ) は部分平面図、（ｂ),（ｅ) は各々のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｃ),（ｆ) は各々のＢ−Ｂ断面を示す断面図、図５８は本発明の実施の形態２１による半導体装置の製造方法の一例を示す図であり、（ａ),（ｄ) は部分平面図、（ｂ),（ｅ) は各々のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｃ),（ｆ) は各々のＢ−Ｂ断面を示す断面図である。
【０３７４】
本実施の形態２１のＣＳＰ５１（半導体装置）は、図２４に示す実施の形態７のＣＳＰ１７と同様に周辺パッドタイプのファンインＣＳＰであり、ＣＳＰ１７とほぼ同じ構造を有するものであるが、実施の形態７のＣＳＰ１７に対しての変更箇所は、薄膜配線基板４が図２４に示すような基板突出部４ｂを有していないことと、図５１（ｂ）に示すように、弾性構造体であるエラストマ３（図５１（ａ）参照）が外方に露出する露出部３ｉを有していることである。
【０３７５】
つまり、実施の形態１〜２０のＣＳＰは、少なくとも薄膜配線基板４が半導体チップ１の外方周囲に突出する基板突出部４ｂを有した構造であったのに対し、本実施の形態２１のＣＳＰ５１は、薄膜配線基板４が基板突出部４ｂを有していない構造のものである。
【０３７６】
したがって、ＣＳＰ５１は、図２４に示すＣＳＰ１７のエラストマ３に設けられたエラストマ突出部３ｂも有していない。
【０３７７】
ここで、本実施の形態２１によるＣＳＰ５１の詳細構造について説明する。
【０３７８】
ＣＳＰ５１は、電極パッド１ｂ（接続端子）を露出させて半導体チップ１の主面１ａ上に配置されかつ外方に露出する露出部３ｉを備えたエラストマ３（弾性構造体）と、一端がリード４ｃを介して電極パッド１ｂと電気的に接続されかつ他端がバンプ電極２（外部端子）と電気的に接続される配線４ｄが設けられた基板本体部４ａを備えるとともに、電極パッド１ｂを露出させる開口部４ｅが設けられた薄膜配線基板４と、半導体チップ１の電極パッド１ｂおよび薄膜配線基板４のリード４ｃを封止する封止部５とからなる。
【０３７９】
なお、図５１に示すＣＳＰ５１は、２０個のバンプ電極２が取り付けられているものである。
【０３８０】
また、ＣＳＰ５１は、図５１（ｂ）に示すように、長辺側の２つの側面５１ａに露出するエラストマ３（図５１（ａ）参照）の露出部３ｉを有しており、ＣＳＰ５１の２つの側面５１ａにおいて各々４つの露出部３ｉが露出している。
【０３８１】
なお、本実施の形態２１のＣＳＰ５１におけるその他の構造については、実施の形態７のＣＳＰ１７のものと同様であるため、その重複説明は省略する。
【０３８２】
本実施の形態２１によるＣＳＰ５１の製造方法について説明する。
【０３８３】
まず、図５４、図５５に示すように、配線４ｄを有する基板本体部４ａに接合したエラストマ３を備えるとともに、配線４ｄに接続されたリード４ｃを配置する開口部４ｅが形成され、かつ、基板本体部４ａがエラストマ３の支持部３ｊにより基板枠部４ｔに支持された薄膜配線基板４（図５５（ｃ）参照）を準備する。
【０３８４】
ここで、図５４および図５５を用いて薄膜配線基板４の製造方法について説明する。
【０３８５】
まず、図５４（ａ）に示すポリイミド樹脂からなるテープ基材４ｇを準備する。なお、このテープ基材４ｇの表面または裏面または表裏両面には図５４（ｃ）に示す銅箔４ｈを張り付けるための接着剤が塗布されている。
【０３８６】
続いて、テープ基材４ｇの両側部にテープ送り用の基準孔４ｉをほぼ等間隔に形成する。
【０３８７】
その後、打ち抜き加工によって、図５４（ａ）に示すように、２０個のバンプ用開口部４ｊとその両側に２つの配線接合用の開口部４ｅと２つの切断用の長孔４ｑとを形成し、続いて、図５４（ｃ),（ｄ）に示すように、テープ基材４ｇに銅箔４ｈを積層して張り付ける。
【０３８８】
さらに、図５４（ｅ）に示すように、エッチング加工によって銅箔４ｈを所望の形状に加工し、これにより、配線パターンを形成する。
【０３８９】
続いて、図５５（ａ),（ｂ）に示すように、テープ基材４ｇにエラストマ３を張り付ける。
【０３９０】
なお、本実施の形態２１で用いるエラストマ３は、図５５（ａ）に示すように、片側に４個（両側で合計８個）の細長い支持部３ｊを有しており、この支持部３ｊは、薄膜配線基板４の長孔４ｑを跨がって、基板枠部４ｔに届く長さのものである。
【０３９１】
ただし、支持部３ｊの数は、８個に限定されるものではなく、何個であってもよい。
【０３９２】
この支持部３ｊの数が、ＣＳＰ５１の露出部３ｉの数に相当する。
【０３９３】
これにより、薄膜配線基板４にエラストマ３を張り付ける際には、薄膜配線基板４の基板本体部４ａにエラストマ３の本体部を張り付けるとともに、エラストマ３の８個の支持部３ｊを薄膜配線基板４の長孔４ｑを跨がらせて基板枠部４ｔに張り付ける。
【０３９４】
その後、図５５（ａ）に示す基板本体部４ａを支持する４つの吊り部４ｕを切断して、基板本体部４ａがエラストマ３の支持部３ｊによって基板枠部４ｔに支持された状態を形成する。
【０３９５】
つまり、図５５（ｃ）に示す薄膜配線基板４は、その基板本体部４ａが、これに張り付けられたエラストマ３によって支持されている。
【０３９６】
その結果、図５５（ｃ),（ｄ）および図５６（ａ) 〜（ｃ）に示すように、エラストマ３を張り付けた薄膜配線基板４を製造できる。
【０３９７】
その後、半導体チップ１の電極パッド１ｂ（図５１参照）を薄膜配線基板４の開口部４ｅに露出させて、半導体チップ１の主面１ａとエラストマ３とを接合する。
【０３９８】
つまり、図５６（ｄ) 〜（ｆ）に示すように、エラストマ３に半導体チップ１を張り付ける。
【０３９９】
その後、図５７（ａ）に示すように、半導体チップ１の電極パッド１ｂ（図５１参照）とこれに対応した薄膜配線基板４のリード４ｃとを電気的に接続する。
【０４００】
続いて、図５７（ｄ) 〜（ｆ）に示すように、封止樹脂を用いたポッティング方法によって、半導体チップ１の前記電極パッド１ｂと薄膜配線基板４のリード４ｃとの樹脂封止２８（図４参照）を行い、これにより、封止部５を形成する。
【０４０１】
なお、樹脂封止２８は、トランスファモールド方法により行ってもよい。
【０４０２】
その後、基板本体部４ａのバンプ用開口部４ｊにバンプ用のボール材を供給し、さらに、図示しないリフロー炉に通して、図５８（ａ) 〜（ｃ）に示すように、バンプ電極２の形成を行う。
【０４０３】
これにより、基板本体部４ａの配線４ｄ（図５１または図５２参照）とバンプ電極２とが電気的に接続される。
【０４０４】
その後、エラストマ３の支持部３ｊを切断して基板本体部４ａを基板枠部４ｔから分離するとともに、切断された支持部３ｊによって形成されたエラストマ３の露出部３ｉ（図５８（ｅ）参照）が露出する。
【０４０５】
これにより、図５８（ｄ) 〜（ｆ）または図５１に示すようなＣＳＰ５１を製造できる。
【０４０６】
なお、ＣＳＰ５１のその他の製造方法については、実施の形態７のＣＳＰ１７のものと同様であるため、その重複説明は省略する。
【０４０７】
さらに、本実施の形態２１のＣＳＰ５１においても、前記実施の形態１４〜２０に記載された技術が適用可能であることは言うまでもない。
【０４０８】
本実施の形態２１のＣＳＰ５１およびその製造方法によれば、以下のような作用効果が得られる。
【０４０９】
すなわち、バンプ電極２を形成する際のはんだリフロー時などに、エラストマ３中の水分および気体の膨張によって内部圧力が大きくなった場合でも、図５１（ａ）に示すように、エラストマ３の露出部３ｉから外方にガス抜き経路３６を介してガス（気体）を逃がすことができる（８箇所の露出部３ｉのどこからでもガスを逃がすことができる）。
【０４１０】
つまり、エラストマ３の露出部３ｉによってガス抜きを行うことができる。
【０４１１】
これにより、封止部５などが破壊されるポップコーン現象の発生を防ぐことができる。
【０４１２】
その結果、ＣＳＰ５１の信頼性を向上できる。
【０４１３】
なお、本実施の形態２１のＣＳＰ５１およびその製造方法によって得られるその他の作用効果については、実施の形態７のＣＳＰ１７のものと同様であるため、その重複説明は省略する。
【０４１４】
（実施の形態２２）
図５９は本発明の実施の形態２２による半導体装置の構造の一例を示す図であり、（ａ）は側面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は正面図である。
【０４１５】
本実施の形態２２のＣＳＰ５２（半導体装置）は、図５１に示す実施の形態２１のＣＳＰ５１と同様に周辺パッドタイプのファンインＣＳＰであり、ＣＳＰ５１とほぼ同じ構造を有するものであるが、実施の形態２１のＣＳＰ５１に対しての変更箇所は、図５９に示すように、エラストマ３（図５１参照）の側面全てがＣＳＰ５２の側面５２ａに露出していることである。
【０４１６】
すなわち、ＣＳＰ５２においては、製造完了後に、図５９（ａ）に示すように、エラストマ３の側面全体がそのまま露出部３ｉになる。
【０４１７】
なお、本実施の形態２２のＣＳＰ５２におけるその他の構造とその他の製造方法とについては、実施の形態２１のＣＳＰ５１のものと同様であるため、その重複説明は省略する。
【０４１８】
さらに、本実施の形態２２のＣＳＰ５２においても、前記実施の形態１４〜２０に記載された技術が適用可能であることは言うまでもない。
【０４１９】
本実施の形態２２のＣＳＰ５２およびその製造方法によって得られる作用効果について説明する。
【０４２０】
ＣＳＰ５２によれば、エラストマ３の側面全体がそのまま露出部３ｉになるため、エラストマ３の露出面積を増やすことができる。
【０４２１】
これにより、エラストマ３の露出部３ｉによるガス抜きの効果をさらに向上できる。
【０４２２】
その結果、ＣＳＰ５２の信頼性をさらに向上できる。
【０４２３】
なお、本実施の形態２２のＣＳＰ５２およびその製造方法によって得られるその他の作用効果については、実施の形態２２のＣＳＰ５２のものと同様であるため、その重複説明は省略する。
【０４２４】
（実施の形態２３）
図６０は本発明の実施の形態２３による半導体装置の構造の一例を示す図であり、（ａ）は底面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は平面図、（ｄ）は正面図、図６１は本発明の実施の形態２３の半導体装置の製造方法における封止完了時の状態の一例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は底面図、図６２は図６１（ａ）に示す平面図の各断面を示す図であり、（ａ）はＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ）はＢ−Ｂ断面を示す断面図、（ｃ）はＣ−Ｃ断面を示す断面図、図６３は本発明の実施の形態２３の半導体装置の製造方法における切断完了時の状態の一例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は底面図、図６４は本発明の実施の形態２３の半導体装置におけるガス抜きの状態の一例を示す概念図である。
【０４２５】
本実施の形態２３のＣＳＰ５３（半導体装置）は、図５１に示す実施の形態２１のＣＳＰ５１と同様に周辺パッドタイプのファンインＣＳＰであり、ＣＳＰ５１とほぼ同じ構造を有するものであるが、実施の形態２１のＣＳＰ５１に対しての変更箇所は、図６０（ａ）に示すように、封止部５が半導体チップ１の両端部付近にのみに形成され、これにより、図６０（ｂ),（ｃ）に示すように、エラストマ３の側面全体に相当する露出部３ｉとその表裏面の外周部の左右中央付近が露出して形成された露出部３ｉとを有していることである。
【０４２６】
すなわち、ＣＳＰ５３においては、樹脂封止２８が半導体チップ１の全側面１ｃに行われるのではなく、電極パッド１ｂ（図５１参照）付近のみに行われるものである。
【０４２７】
ここで、図６１および図６２は、ＣＳＰ５３の製造工程において、樹脂封止２８が完了した時点の構造を示すものであり、図６１（ａ）は平面図、（ｂ）は裏面側から見た底面図である。
【０４２８】
図６１（ｂ）に示すように、封止部５は半導体チップ１の短辺の側面１ｃと、長辺の側面１ｃの両端部とに形成されており、側面１ｃの中央付近には形成されていないため、エラストマ３の表裏面の外周部の左右中央付近が露出した構造となる。
【０４２９】
また、本実施の形態２３のＣＳＰ５３では、図６１に示すように、エラストマ３の形状をテープ基材４ｇの形状とほぼ同一に形成している。
【０４３０】
つまり、薄膜配線基板４の開口部４ｅ、長孔４ｑ、吊り部４ｕおよび基板枠部４ｔを含めて、エラストマ３の形状を薄膜配線基板４の形状にほぼ合わせたものとしている。
【０４３１】
また、図６３は、樹脂封止後に、図６１に示す薄膜配線基板４の吊り部４ｕとエラストマ３の吊り部３ｋとにおいて切断して基板本体部４ａを基板枠部４ｔから分離した状態を示すものである。
【０４３２】
なお、本実施の形態２３のＣＳＰ５３におけるその他の構造とその他の製造方法とについては、実施の形態２１のＣＳＰ５１のものと同様であるため、その重複説明は省略する。
【０４３３】
さらに、本実施の形態２３のＣＳＰ５３においても、前記実施の形態１４〜２０に記載された技術が適用可能であることは言うまでもない。
【０４３４】
本実施の形態２３のＣＳＰ５３およびその製造方法によって得られる作用効果について説明する。
【０４３５】
ＣＳＰ５３によれば、エラストマ３の表裏面の外周部の左右中央付近を露出させた構造とすることにより、切断箇所の露出部３ｉと合わせてエラストマ３の露出面積を増やせるため、図６４に示すガス抜き経路３６を介してガス抜きが行われる際に、ガス抜きの効果をさらに向上できる。
【０４３６】
また、エラストマ３の形状をテープ基材４ｇの形状とほぼ同一に形成したことにより、ＣＳＰ５３の製造工程において、薄膜配線基板４の強度を向上させることができ、その結果、ＣＳＰ５３の不良品を低減するとともに、歩留りの向上を図れる。
【０４３７】
なお、本実施の形態２３のＣＳＰ５３およびその製造方法によって得られるその他の作用効果については、実施の形態２１のＣＳＰ５１のものと同様であるため、その重複説明は省略する。
【０４３８】
（実施の形態２４）
図６５は本発明の実施の形態２４による半導体装置の構造の一例を示す図であり、（ａ）は底面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は平面図、（ｄ）は正面図、（ｅ）は（ｃ）のＣ−Ｃ断面を示す断面図である。
【０４３９】
本実施の形態２４のＣＳＰ５４（半導体装置）は、図５１に示す実施の形態２１のＣＳＰ５１と同様に周辺パッドタイプのファンインＣＳＰであり、ＣＳＰ５１とほぼ同じ構造を有するものであるが、実施の形態２１のＣＳＰ５１に対しての変更箇所は、図６５（ｃ),（ｅ）に示すように、薄膜配線基板４に、エラストマ３を露出させる開口孔４ｖが設けられていることであり、かつ、図６５に示すように、開口孔４ｖ以外では、エラストマ３を露出させる箇所が設けられていないことである。
【０４４０】
すなわち、本実施の形態２４のＣＳＰ５４においては、薄膜配線基板４の基板本体部４ａの内方に２つの開口孔４ｖが設けられている。
【０４４１】
これにより、ＣＳＰ５４を組み立てた際には、この開口孔４ｖを介してエラストマ３を露出させることができる。
【０４４２】
したがって、開口孔４ｖによりエラストマ３の露出部３ｉを形成できる。
【０４４３】
なお、ＣＳＰ５４においては、開口孔４ｖ以外には、エラストマ３を露出させる箇所が設けられていない。
【０４４４】
つまり、図６５（ａ),（ｂ),（ｃ),（ｄ）に示すように、半導体チップ１の側面１ｃを露出させることなく全ての側面１ｃに亘って樹脂封止２８を行ったものである。
【０４４５】
なお、本実施の形態２４のＣＳＰ５４において、開口孔４ｖの設置箇所は、薄膜配線基板４の基板本体部４ａであり、かつ、ＣＳＰ５４の組立後にエラストマ３を露出可能な箇所であればどこに形成してもよい。
【０４４６】
また、開口孔４ｖの設置数についても、特に限定されるものではない。
【０４４７】
なお、本実施の形態２４のＣＳＰ５４におけるその他の構造とその他の製造方法とについては、実施の形態２１のＣＳＰ５１のものと同様であるため、その重複説明は省略する。
【０４４８】
さらに、本実施の形態２４のＣＳＰ５４においても、前記実施の形態１４〜２０に記載された技術が適用可能であることは言うまでもない。
【０４４９】
本実施の形態２４のＣＳＰ５４およびその製造方法によって得られる作用効果について説明する。
【０４５０】
ＣＳＰ５４によれば、半導体チップ１の側面１ｃをその全体に亘って樹脂封止２８したことにより、半導体チップ１の封止性を向上できる。
【０４５１】
その結果、半導体チップ１の不良を低減できるとともに、ＣＳＰ５４の信頼性を向上できる。
【０４５２】
また、薄膜配線基板４に開口孔４ｖが設けられたことにより、半導体チップ１の側面１ｃ全体を樹脂封止２８した際にも、この開口孔４ｖを用いてガス抜きを行うことができる。
【０４５３】
したがって、半導体チップ１の封止性を向上しつつ、エラストマ３からのガス抜き効果も向上できる。
【０４５４】
なお、本実施の形態２４のＣＳＰ５４およびその製造方法によって得られるその他の作用効果については、実施の形態２１のＣＳＰ５１のものと同様であるため、その重複説明は省略する。
【０４５５】
（実施の形態２５）
図６６は本発明の実施の形態２５による半導体装置の構造の一例を示す図であり、（ａ）平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は底面図、図６７は本発明の実施の形態２５の半導体装置の製造方法における封止完了時の状態の一例を示す部分平面図、図６８は図６７に示す部分平面図の各断面を示す図であり、（ａ）はＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ）はＢ−Ｂ断面を示す断面図、図６９は本発明の実施の形態２５の半導体装置の製造方法における封止完了時の状態の一例を示す図であり、（ａ）は底面図、（ｂ）は半導体チップを取り外した状態の底面図、図７０は本発明の実施の形態２５の半導体装置におけるガス抜けの状態の一例を示す概念図である。
【０４５６】
本実施の形態２５のＣＳＰ５５（半導体装置）は、図６６に示すように、周辺パッドタイプのファンイン・ファンアウトＣＳＰである。したがって、実施の形態２１のＣＳＰ５１に対しての変更箇所は、半導体チップ１の主面１ａの４辺の外周部に電極パッド１ｂが設けられていることと、薄膜配線基板４において、半導体チップ１の内方（基板本体部４ａ）および外方（基板突出部４ｂ）に外部端子であるバンプ電極２が配置されていることである。
【０４５７】
ここで、ＣＳＰ５５の構成を説明すると、電極パッド１ｂ（接続端子）を露出させて半導体チップ１の主面１ａ上に配置されかつ外方に露出する露出部３ｉを備えるとともに、半導体チップ１の周囲外方に突出したエラストマ突出部３ｂ（弾性体突出部）を備えたエラストマ３と、一端がリード４ｃ（図５１参照）を介して電極パッド１ｂと電気的に接続されかつ他端がバンプ電極２と電気的に接続される配線４ｄが設けられた基板本体部４ａを備えるとともに、電極パッド１ｂ（図５１参照）を露出させる開口部４ｅが設けられかつ開口部４ｅおよび半導体チップ１の外方に突出する基板突出部４ｂを備えた薄膜配線基板４と、半導体チップ１の電極パッド１ｂおよび薄膜配線基板４のリード４ｃを封止する封止部５とからなり、薄膜配線基板４とエラストマ３との外形形状がほぼ同じ大きさに形成され、かつ基板本体部４ａおよび基板本体部４ａにバンプ電極２が設けられている。
【０４５８】
したがって、ＣＳＰ５５においては、薄膜配線基板４が、基板本体部４ａとこれの外方周囲に一体で形成された基板突出部４ｂとを有しており、この基板突出部４ｂに、半導体チップ１の外方に設けられるバンプ電極２が配置される。
【０４５９】
ここで、図６７〜図６９は、ＣＳＰ５５の製造工程において、樹脂封止２８が完了した時点の構造を示すものであり、図６７は平面図、図６８は断面図、図６９（ａ）は、裏面側から見た底面図、また、図６９（ｂ）は、半導体チップ１を透過させてテープ基材４ｇを裏面側から見た図である。
【０４６０】
なお、図６７に示すように、薄膜配線基板４において、基板本体部４ａと基板突出部４ｂとは、基板本体部４ａの４つの角部の吊り部４ｕによって、かつ、基板本体部４ａの外方周囲に形成された４つの開口部４ｅ（図６８（ａ）参照）を介して連結支持されている。
【０４６１】
さらに、基板突出部４ｂの外周周囲には、切断時に用いる４つの長孔４ｑが形成され、基板突出部４ｂもその４つの角部の吊り部４ｕによって基板枠部４ｔに支持されている。
【０４６２】
なお、図６９（ａ）に示すように、本実施の形態２５のエラストマ３は、図６７に示す薄膜配線基板４における基板本体部４ａと基板突出部４ｂとを合わせた形状とほぼ同一の形状である。
【０４６３】
したがって、エラストマ３には、吊り部３ｋ（図６９（ｂ）参照）によって支持されかつ基板突出部４ｂとほぼ同じ形状のエラストマ突出部３ｂが設けられており、薄膜配線基板４の４つの開口部４ｅとほぼ等しい大きさの４つの開口部３ｃが設けられている。
【０４６４】
また、封止部５は、図６８（ａ）に示すように、薄膜配線基板４の４つの開口部４ｅに対して、すなわち、半導体チップ１の電極パッド１ｂ付近に対してのみ形成されている。
【０４６５】
したがって、ＣＳＰ５５は、ファンイン・ファンアウト構造であることも含めて、その組立て完了後には、図６６（ｂ),（ｃ）に示すように、エラストマ３の裏面の半導体チップ１に覆われた箇所（エラストマ突出部３ｂ）を除く箇所と全ての側面３ａとが露出して露出部３ｉとなった構造である。
【０４６６】
ここで、図６６は、樹脂封止後に、図６７に示す薄膜配線基板４の基板突出部４ｂの角部の４つの吊り部４ｕで切断して、基板本体部４ａと基板突出部４ｂとを基板枠部４ｔから分離した状態を示すものである。
【０４６７】
なお、本実施の形態２５のＣＳＰ５５におけるその他の構造については、実施の形態２１のＣＳＰ５１のものと同様であるため、その重複説明は省略する。
【０４６８】
本実施の形態２５のＣＳＰ５５の製造方法について説明する。
【０４６９】
まず、配線４ｄ（図５１参照）を有する基板本体部４ａとこれの外方周囲に形成された基板突出部４ｂとを備え、かつ基板突出部４ｂと基板本体部４ａとを合わせた形状とほぼ同じ形状のエラストマ３が接合されるとともに、配線４ｄに接続されたリード４ｃを配置する開口部４ｅが形成された薄膜配線基板４を準備する。
【０４７０】
続いて、半導体チップ１の電極パッド１ｂ（図５１参照）を薄膜配線基板４の開口部４ｅに露出させて、半導体チップ１の主面１ａとエラストマ３とを接合する。
【０４７１】
さらに、半導体チップ１の電極パッド１ｂとこれに対応した薄膜配線基板４のリード４ｃとを電気的に接続する。
【０４７２】
その後、半導体チップ１の電極パッド１ｂと薄膜配線基板４のリード４ｃとを樹脂封止２８して封止部５を形成する。
【０４７３】
なお、封止完了の状態の図を図６７、図６８および図６９に示す。
【０４７４】
その後、配線４ｄと電気的に接続させて基板本体部４ａおよび基板突出部４ｂにバンプ電極２を形成する。
【０４７５】
さらに、図６７に示す基板突出部４ｂの外側角部の４箇所の吊り部４ｕを切断して基板本体部４ａおよび基板突出部４ｂを基板枠部４ｔから分離する。
【０４７６】
ここで、切断完了の状態の図を図６６（ａ),（ｂ),（ｃ）に示す。
【０４７７】
なお、本実施の形態２５のＣＳＰ５５におけるその他の製造方法については、実施の形態２１のＣＳＰ５１のものと同様であるため、その重複説明は省略する。
【０４７８】
さらに、本実施の形態２１のＣＳＰ５１においても、前記実施の形態１４〜２０に記載された技術が適用可能であることは言うまでもない。
【０４７９】
本実施の形態２５のＣＳＰ５５およびその製造方法によって得られる作用効果について説明する。
【０４８０】
ＣＳＰ５５によれば、ファンイン・ファンアウト構造においても、図７０に示すように、エラストマ３においてこれに設けられた吊り部３ｋ（図６９（ｂ）参照）を介し、これにより、ガス抜き経路３６に通して外方にガス（気体）を逃がすことができる。
【０４８１】
これにより、封止部５などが破壊されるポップコーン現象の発生を防ぐことができ、その結果、ＣＳＰ５５の信頼性を向上できる。
【０４８２】
なお、本実施の形態２５のＣＳＰ５５およびその製造方法によって得られるその他の作用効果については、実施の形態２１のＣＳＰ５１のものと同様であるため、その重複説明は省略する。
【０４８３】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態１〜２５に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態１〜２５に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【０４８４】
例えば、前記実施の形態１〜２５において、図３に示した各部材の仕様と、図５に示した各処理条件は、最適なものの一例であり、必ずしも、図３および図５に示したものに限定されるものではない。
【０４８５】
また、前記実施の形態１〜２５においては、半導体チップ１が長方形の場合について説明したが、半導体チップ１は正方形であってもよい。
【０４８６】
さらに、半導体チップ１に設けられる電極パッド１ｂの設置箇所についても、半導体チップ１の主面１ａの外周部であれば、両端部に限らず、例えば、外周全体に設けられていてもよい。
【０４８７】
なお、その際の電極パッド１ｂの数およびバンプ電極２の数についても、１２個あるいは２０個に限定されるものではなく、１２個以下、１３〜１９個、または、２０個以上であってもよい。
【０４８８】
また、薄膜配線基板４の開口部４ｅおよびエラストマ３の開口部３ｃの形状についても、長方形に限定されるものではなく、半導体チップ１の電極パッド１ｂを露出可能な形状であれば、長方形以外の形状であってもよい。
【０４８９】
なお、前記実施の形態１〜２５で説明した半導体装置（ＣＳＰ）は、例えば、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory) 、Ｓ（Syncronous) ＤＲＡＭ、Ｓ（Static）ＲＡＭ、ＲＡＭＢＵＳ（ラムバス）、フラッシュメモリ、ＡＳＩＣ（Application Specific IC)、ＣＰＵ（Central Processing Unit)、ゲートアレイなどに用いることができ、その応用製品としては、例えば、モジュールやカードなどである。
【０４９０】
ただし、前記モジュールやカード以外の製品に用いてもよいことは言うまでもない。
【０４９１】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【０４９２】
（１）．半導体装置（ＣＳＰ）の薄膜配線基板における基板本体部と基板突出部とが一体に形成されていることにより、基板突出部を独立構造としないため、基板突出部を高価な材料によって形成しなくて済む。その結果、半導体装置の製造コストの低コスト化を図ることができる。
【０４９３】
（２）．薄膜配線基板においてその開口部の外方に基板突出部が設けられていることにより、封止樹脂を前記開口部を介して塗布した際に、基板突出部と半導体チップとの間でブリッジさせた状態で封止部を形成できる。これにより、安定した封止を行えるため、封止性を向上でき、その結果、封止部における耐湿信頼性の向上を図ることができる。
【０４９４】
（３）．バンプ電極を形成する際に、吸湿した状態の半導体装置をリフローしても、弾性構造体における所定方向の側面が外部に露出しているため、リフロー時の発生蒸気を弾性構造体を通過させて外部に発散できる。その結果、耐リフロー性を向上できる。
【０４９５】
（４）．弾性構造体が多孔質フッ素樹脂によって形成されていることにより、前記リフロー時の発生蒸気を外部に逃がしつつ、かつフッ素が有する撥水性によって半導体装置内への水分の進入を防ぐことができる。その結果、半導体装置の電気的特性の劣化を低減できる。
【０４９６】
（５）．弾性構造体に着色材を含有させることによって、弾性構造体の基本物性に影響を及ぼすことなく、弾性構造体の光の透過率を下げることができる。これにより、半導体チップの回路に対する遮光性を得ることができ、その結果、半導体チップの誤動作を招くとされる紫外線を遮断できるため、半導体装置の電気回路動作の安定性を向上できる。
【０４９７】
（６）．薄膜配線基板において、配線とバンプランドとの接続部を幅広に形成することにより、この接続部に対しての応力集中を起こりにくくできる。これにより、温度サイクル環境下において、テープ基材とともに、配線が熱収縮・膨張によって変形しても、配線とバンプランドとの接続部４ｓで断線することを防止できる。
【０４９８】
（７）．弾性構造体に露出部が形成されたことにより、リフロー時などに弾性構造体の内部圧力が大きくなった場合でも、弾性構造体の露出部から外方にガスを逃がすことができる。これにより、封止部などが破壊されるポップコーン現象の発生を防ぐことができ、その結果、半導体装置の信頼性を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１による半導体装置（ＣＳＰ）の構造の一例を封止部を透過して示す平面図である。
【図２】図１に示す半導体装置の構造を示す図であり、（ａ) は図１のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ) は図１のＢ−Ｂ断面を示す断面図、（ｃ）は図１のＣ−Ｃ断面を示す断面図である。
【図３】図１に示す半導体装置に用いられる各部材の仕様の一例を示す仕様説明図である。
【図４】図１に示す半導体装置の製造プロセスの一例を示す製造手順図である。
【図５】図４に示す製造プロセスの各処理における処理条件の一例を示す処理条件説明図である。
【図６】（ａ),（ｂ）は本発明の実施の形態１の半導体装置（ＣＳＰ）に用いられる薄膜配線基板の製造方法の一例を示す部分平面図である。
【図７】（ａ),（ｂ）は本発明の実施の形態１の半導体装置（ＣＳＰ）に用いられる薄膜配線基板の製造方法の一例を示す部分平面図である。
【図８】（ａ),（ｂ）は本発明の実施の形態１の半導体装置（ＣＳＰ）に用いられる薄膜配線基板の製造方法の一例を示す部分平面図である。
【図９】本発明の実施の形態１における半導体装置（ＣＳＰ）の製造方法の一例を示す図であり、（ａ) はエラストマ張り付けを示す部分平面図、（ｂ) は半導体チップ張り付けを示す部分平面図である。
【図１０】本発明の実施の形態１の半導体装置（ＣＳＰ）の製造方法における切断位置の一例を示す部分平面図である。
【図１１】（ａ),（ｂ）は本発明の実施の形態１の半導体装置（ＣＳＰ）の製造方法におけるリード切断方法の一例を示す斜視図である。
【図１２】（ａ),（ｂ),（ｃ）は本発明の実施の形態１の半導体装置（ＣＳＰ）の製造方法におけるエラストマの張り付け状態の一例を示す斜視図である。
【図１３】（ａ),（ｂ) は本発明の実施の形態１の半導体装置（ＣＳＰ）の製造方法におけるリードのボンディング方法の一例を示す斜視図である。
【図１４】本発明の実施の形態２による半導体装置（ＣＳＰ）の構造の一例を封止部を透過して示す平面図である。
【図１５】図１４に示す半導体装置の構造を示す図であり、（ａ) は図１４のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ) は図１４のＢ−Ｂ断面を示す断面図、（ｃ）は図１４のＣ−Ｃ断面を示す断面図である。
【図１６】本発明の実施の形態３による半導体装置（ＣＳＰ）の構造の一例を封止部を透過して示す平面図である。
【図１７】図１６に示す半導体装置の構造を示す図であり、（ａ) は図１６のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ) は図１６のＢ−Ｂ断面を示す断面図、（ｃ）は図１６のＣ−Ｃ断面を示す断面図である。
【図１８】本発明の実施の形態４による半導体装置（ＣＳＰ）の構造の一例を封止部を透過して示す平面図である。
【図１９】図１８に示す半導体装置の構造を示す図であり、（ａ) は図１８のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ) は図１８のＢ−Ｂ断面を示す断面図、（ｃ）は図１８のＣ−Ｃ断面を示す断面図である。
【図２０】本発明の実施の形態５による半導体装置（ＣＳＰ）の構造の一例を封止部を透過して示す平面図である。
【図２１】図２０に示す半導体装置の構造を示す図であり、（ａ) は図２０のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ) は図２０のＢ−Ｂ断面を示す断面図、（ｃ）は図２０のＣ−Ｃ断面を示す断面図である。
【図２２】本発明の実施の形態６による半導体装置（ＣＳＰ）の構造の一例を封止部を透過して示す平面図である。
【図２３】図２２に示す半導体装置の構造を示す図であり、（ａ) は図２２のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ) は図２２のＢ−Ｂ断面を示す断面図、（ｃ）は図２２のＣ−Ｃ断面を示す断面図である。
【図２４】本発明の実施の形態７による半導体装置（ＣＳＰ）の構造の一例を封止部を透過して示す平面図である。
【図２５】図２４に示す半導体装置の構造を示す図であり、（ａ) は図２４のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ) は図２４のＢ−Ｂ断面を示す断面図、（ｃ）は図２４のＣ−Ｃ断面を示す断面図、（ｄ) は図２４の正面図、（ｅ) は図２４の側面図である。
【図２６】図２４に示す半導体装置の裏面側の構造を示す底面図である。
【図２７】図８に示す薄膜配線基板の詳細構造を示す拡大部分平面図である。
【図２８】本発明の実施の形態８による半導体装置（ＣＳＰ）の構造の一例を封止部を透過して示す平面図である。
【図２９】図２８に示す半導体装置の構造を示す図であり、（ａ) は図２８のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ) は図２８のＢ−Ｂ断面を示す断面図、（ｃ）は図２８のＣ−Ｃ断面を示す断面図である。
【図３０】本発明の実施の形態９による半導体装置（ＣＳＰ）の構造の一例を封止部を透過して示す平面図である。
【図３１】図３０に示す半導体装置の構造を示す図であり、（ａ) は図３０のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ) は図３０のＢ−Ｂ断面を示す断面図、（ｃ）は図３０のＣ−Ｃ断面を示す断面図である。
【図３２】本発明の実施の形態１０による半導体装置（ＣＳＰ）の構造の一例を封止部を透過して示す平面図である。
【図３３】図３２に示す半導体装置の構造を示す図であり、（ａ) は図３２のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ) は図３２のＢ−Ｂ断面を示す断面図、（ｃ）は図３２のＣ−Ｃ断面を示す断面図である。
【図３４】本発明の実施の形態１１による半導体装置（ＣＳＰ）の構造の一例を封止部を透過して示す平面図である。
【図３５】図３４に示す半導体装置の構造を示す図であり、（ａ) は図３４のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ) は図３４のＢ−Ｂ断面を示す断面図、（ｃ）は図３４のＣ−Ｃ断面を示す断面図である。
【図３６】本発明の実施の形態１２による半導体装置（ＣＳＰ）の構造の一例を封止部を透過して示す平面図である。
【図３７】図３６に示す半導体装置の構造を示す図であり、（ａ) は図３６のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ) は図３６のＢ−Ｂ断面を示す断面図、（ｃ）は図３６のＣ−Ｃ断面を示す断面図である。
【図３８】本発明の実施の形態１３による半導体装置（ＣＳＰ）の構造の一例を封止部を透過して示す平面図である。
【図３９】図３８に示す半導体装置の構造を示す図であり、（ａ) は図３８のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ) は図３８のＢ−Ｂ断面を示す断面図、（ｃ）は図３８のＣ−Ｃ断面を示す断面図である。
【図４０】（ａ),（ｂ),（ｃ）は本発明の実施の形態１４における半導体装置の非結線リードの構造の一例を示す図であり、（ａ）は非結線リードを変形させる場合の断面図、（ｂ) および（ｃ）は非結線リードを変形させない場合の断面図である。
【図４１】（ａ),（ｂ),（ｃ）は本発明の実施の形態１５の半導体装置において１層表配線の薄膜配線基板を用いた構造の一例を示す断面図である。
【図４２】（ａ),（ｂ),（ｃ）は本発明の実施の形態１５の半導体装置において２層配線の薄膜配線基板を用いた構造の一例を示す断面図である。
【図４３】（ａ),（ｂ),（ｃ),（ｄ）は本発明の実施の形態１６の半導体装置の製造方法におけるリード先端処理の手順の一例を示す拡大部分断面図であり、（ａ）はボンディング前、（ｂ）はボンディング時、（ｃ）はボンディング後、（ｄ）は封止後である。
【図４４】（ａ),（ｂ),（ｃ) は図４３に示すリード先端処理に対する比較例のリード先端処理の手順を示す拡大部分断面図であり、（ａ）はボンディング前、（ｂ）はボンディング時、（ｃ）は封止後である。
【図４５】（ａ),（ｂ),（ｃ) は図４３に示すリード先端処理に対する比較例のリード先端処理の手順を示す拡大部分断面図であり、（ａ）はボンディング前、（ｂ）はボンディング時、（ｃ）は封止後である。
【図４６】本発明の実施の形態１７の半導体装置（ＣＳＰ）に用いるエラストマ（弾性構造体）の着色仕様の一例を示すエラストマ仕様図である。
【図４７】（ａ) 〜（ｈ）は本発明の実施の形態１８の半導体装置におけるエラストマの詳細組成の一例を示す組成概念図である。
【図４８】（ａ) 〜（ｅ）は本発明の実施の形態１８の半導体装置におけるエラストマの詳細組成の一例を示す概念図であり、（ａ) 〜（ｄ）は３層構造の組成概念図、（ｅ）は５層構造の組成概念図である。
【図４９】（ａ),（ｂ) は本発明の実施の形態１９の半導体装置におけるエラストマの骨格層と接着層の厚さの一例を示す概念図である。
【図５０】本発明の実施の形態２０の半導体装置の裏面側の構造を示す底面図である。
【図５１】（ａ),（ｂ),（ｃ),（ｄ）は本発明の実施の形態２１による半導体装置の構造の一例を示す図であり、（ａ）は底面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は一部を破断して示す平面図、（ｄ）は正面図である。
【図５２】（ａ),（ｂ),（ｃ) は図５１に示す半導体装置の構造を示す図であり、（ａ) は図５１のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ) は図５１のＢ−Ｂ断面を示す断面図、（ｃ）は図５１のＣ−Ｃ断面を示す断面図である。
【図５３】（ａ),（ｂ) は図５２に示す半導体装置の構造を示す拡大部分断面図であり、（ａ) は図５２（ｂ）のＤ部を示す図、（ｂ) は図５２（ｃ）のＥ部を示す図である。
【図５４】（ａ) 〜（ｆ）は本発明の実施の形態２１の半導体装置に用いられる薄膜配線基板の製造方法の一例を示す図であり、（ａ),（ｃ),（ｅ) は部分平面図、（ｂ),（ｄ),（ｆ) は各々のＡ−Ａ断面を示す断面図である。
【図５５】（ａ) 〜（ｄ）は本発明の実施の形態２１の半導体装置に用いられる薄膜配線基板の製造方法の一例を示す図であり、（ａ),（ｃ) は部分平面図、（ｂ),（ｄ) は各々のＡ−Ａ断面を示す断面図である。
【図５６】（ａ) 〜（ｆ）は本発明の実施の形態２１による半導体装置の製造方法の一例を示す図であり、（ａ),（ｄ) は部分平面図、（ｂ),（ｅ) は各々のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｃ),（ｆ) は各々のＢ−Ｂ断面を示す断面図である。
【図５７】（ａ) 〜（ｆ）は本発明の実施の形態２１による半導体装置の製造方法の一例を示す図であり、（ａ),（ｄ) は部分平面図、（ｂ),（ｅ) は各々のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｃ),（ｆ) は各々のＢ−Ｂ断面を示す断面図である。
【図５８】（ａ) 〜（ｆ）は本発明の実施の形態２１による半導体装置の製造方法の一例を示す図であり、（ａ),（ｄ) は部分平面図、（ｂ),（ｅ) は各々のＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｃ),（ｆ) は各々のＢ−Ｂ断面を示す断面図である。
【図５９】（ａ),（ｂ),（ｃ) は本発明の実施の形態２２による半導体装置の構造の一例を示す図であり、（ａ）は側面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は正面図である。
【図６０】（ａ),（ｂ),（ｃ),（ｄ）は本発明の実施の形態２３による半導体装置の構造の一例を示す図であり、（ａ）は底面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は平面図、（ｄ）は正面図である。
【図６１】（ａ),（ｂ) は本発明の実施の形態２３の半導体装置の製造方法における封止完了時の状態の一例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は底面図である。
【図６２】（ａ),（ｂ),（ｃ）は図６１（ａ）に示す平面図の各断面を示す図であり、（ａ）はＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ）はＢ−Ｂ断面を示す断面図、（ｃ）はＣ−Ｃ断面を示す断面図である。
【図６３】（ａ),（ｂ),（ｃ) は本発明の実施の形態２３の半導体装置の製造方法における切断完了時の状態の一例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は底面図である。
【図６４】本発明の実施の形態２３の半導体装置におけるガス抜きの状態の一例を示す概念図である。
【図６５】（ａ) 〜（ｅ）は本発明の実施の形態２４による半導体装置の構造の一例を示す図であり、（ａ）は底面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は平面図、（ｄ）は正面図、（ｅ）は（ｃ）のＣ−Ｃ断面を示す断面図である。
【図６６】（ａ),（ｂ),（ｃ) は本発明の実施の形態２５による半導体装置の構造の一例を示す図であり、（ａ）平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は底面図である。
【図６７】本発明の実施の形態２５の半導体装置の製造方法における封止完了時の状態の一例を示す部分平面図である。
【図６８】（ａ),（ｂ) は図６７に示す部分平面図の各断面を示す図であり、（ａ）はＡ−Ａ断面を示す断面図、（ｂ）はＢ−Ｂ断面を示す断面図である。
【図６９】（ａ),（ｂ) は本発明の実施の形態２５の半導体装置の製造方法における封止完了時の状態の一例を示す図であり、（ａ）は底面図、（ｂ）は半導体チップを取り外した状態の底面図である。
【図７０】本発明の実施の形態２５の半導体装置におけるガス抜けの状態の一例を示す概念図である。
【符号の説明】
１ 半導体チップ
１ａ 主面
１ｂ 電極パッド（接続端子）
１ｃ 側面
２ バンプ電極（外部端子）
３ エラストマ（弾性構造体）
３ａ 側面
３ｂ エラストマ突出部（弾性体突出部）
３ｃ 開口部
３ｄ 骨格層
３ｅ 接続部
３ｆ 封止用開口部
３ｇ テープ側接着層（薄膜基板側接着層）
３ｈ チップ側接着層
３ｉ 露出部
３ｊ 支持部
３ｋ 吊り部
４ 薄膜配線基板
４ａ 基板本体部
４ｂ 基板突出部
４ｃ リード
４ｄ 配線
４ｅ 開口部
４ｆ バンプランド
４ｇ テープ基材
４ｈ 銅箔
４ｉ 基準孔
４ｊ バンプ用開口部
４ｋ 給電ライン
４ｌ ビーム形状
４ｍ 封止用開口部
４ｎ 認識パターン
４ｐ 位置決め孔
４ｑ 長孔
４ｒ ソルダレジスト
４ｓ 接続部
４ｔ 基板枠部
４ｕ 吊り部
４ｖ 開口孔
４ｗ スルーホール
５ 封止部
６ 切断型
６ａ 打ち抜き型
７ ボンディングツール
８ 切断位置
１１，１２，１３，１４，１５，１６，１７，１８，１９，４０，４１，４２，４３，５１，５２，５３，５４，５５ ＣＳＰ（半導体装置）
２０ 薄膜配線基板供給
２１ エラストマ供給
２２ エラストマ張り付け
２３ チップ供給
２４ チップ張り付け
２５ エラストマキュアベーク
２６ インナリード接続
２７ 封止材供給
２８ 樹脂封止
２９ 封止材キュアベーク
３０ ボール供給
３１ バンプ形成
３２ マーク
３３ 切断
３４ ダム部材
３５ 非結線リード
３６ ガス抜き経路
５１ａ，５２ａ 側面

Claims (18)

1. 主面の外周部に接続端子が設けられた半導体チップを有するチップサイズの半導体装置であって、
   前記接続端子を露出させて前記半導体チップの主面上に配置された弾性構造体と、
   一端がリードを介して前記接続端子と電気的に接続されかつ他端が外部端子であるバンプ電極と電気的に接続される配線が設けられた基板本体部を備えるとともに、前記接続端子を露出させる開口部が設けられ、かつ前記開口部および前記半導体チップの外方に突出する基板突出部を備えた薄膜配線基板と、
   前記半導体チップの前記接続端子および前記薄膜配線基板の前記リードを封止する封止部とを有し、
   前記薄膜配線基板における前記基板本体部と前記基板突出部とが一体に形成されていることを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１記載の半導体装置であって、前記薄膜配線基板の前記基板突出部における前記半導体チップの側面に対応した箇所に封止用開口部が設けられていることを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または２記載の半導体装置であって、前記封止部が封止樹脂によって形成され、かつ前記封止樹脂がこれに含まれるシリカの割合が少ない低シリカ材であることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１，２または３記載の半導体装置であって、前記薄膜配線基板の前記開口部の周囲に、樹脂封止の際の封止樹脂の流出を阻止するダム部材が設けられていることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１，２，３または４記載の半導体装置であって、前記弾性構造体が前記半導体チップの外方に突出する弾性体突出部を備えるとともに、前記弾性構造体の所定側面が露出していることを特徴とする半導体装置。
6. 主面の外周部に接続端子が設けられた半導体チップを有するチップサイズの半導体装置であって、
   前記半導体チップの主面上に配置されるとともに、前記接続端子を露出させる開口部が設けられ、かつ前記開口部および前記半導体チップの外方に突出する弾性体突出部を備えた弾性構造体と、
   一端がリードを介して前記接続端子と電気的に接続されかつ他端が外部端子であるバンプ電極と電気的に接続される配線が設けられた基板本体部を備えるとともに、前記接続端子を露出させる開口部が設けられ、かつ前記開口部および前記半導体チップの外方に突出する基板突出部を備えた薄膜配線基板と、
   前記半導体チップの前記接続端子および前記薄膜配線基板の前記リードを封止する封止部とを有し、
   前記薄膜配線基板における前記基板本体部と前記基板突出部とが一体に形成され、かつ前記薄膜配線基板と前記弾性構造体との外形形状がほぼ同じ大きさに形成されていることを特徴とする半導体装置。
7. 請求項６記載の半導体装置であって、前記半導体チップが、その側面が前記弾性構造体の前記弾性体突出部によって囲まれて取り付けられていることを特徴とする半導体装置。
8. 請求項６または７記載の半導体装置であって、前記薄膜配線基板の前記基板突出部における前記半導体チップの側面に対応した箇所に封止用開口部が設けられていることを特徴とする半導体装置。
9. 請求項１，２，３，４，５，６，７または８記載の半導体装置であって、前記リードにおいて前記半導体チップの前記接続端子と結線を行わない非結線リードを有し、かつこの非結線リードが前記接続端子に近づく方向に変形されていることを特徴とする半導体装置。
10. 請求項１，２，３，４，５，６，７，８または９記載の半導体装置であって、前記弾性構造体が、表裏両面に接着層を有した多孔質フッ素樹脂によって形成されていることを特徴とする半導体装置。
11. 請求項１０記載の半導体装置であって、前記弾性構造体が、３次元的網目構造体により構成された骨格層を有していることを特徴とする半導体装置。
12. 請求項１０または１１記載の半導体装置であって、前記弾性構造体における一方の前記接着層もしくは両方の前記接着層に着色材を含有させたことを特徴とする半導体装置。
13. 請求項１０，１１または１２記載の半導体装置であって、前記弾性構造体において、薄膜基板側接着層がチップ側接着層より厚く形成されていることを特徴とする半導体装置。
14. 請求項１，２，３，４，５，６，７，８，９，１０，１１，１２または１３記載の半導体装置であって、前記薄膜配線基板に形成された配線におけるバンプランドとの接続部の配線幅が、この接続部から離れた箇所の配線の配線幅より広く形成され、かつ、前記接続部の配線幅が前記バンプランドから離れるにつれて徐々に狭くなるように形成されていることを特徴とする半導体装置。
15. 主面の外周部に接続端子が設けられた半導体チップを有するチップサイズの半導体装置の製造方法であって、
    配線を有した基板本体部を備えるとともに、前記配線に接続されたリードを配置する開口部の外方に突出して前記基板本体部と一体に形成された基板突出部を備えた薄膜配線基板を準備する工程と、
    前記薄膜配線基板の前記基板本体部と弾性構造体とを接合する工程と、
    前記半導体チップの前記接続端子を前記薄膜配線基板の前記開口部に露出させて、前記半導体チップの前記主面と前記弾性構造体とを接合する工程と、
    前記半導体チップの前記接続端子とこれに対応した前記薄膜配線基板の前記リードとを電気的に接続する工程と、
    低シリカ材からなる封止樹脂を用いて前記半導体チップの前記接続端子と前記薄膜配線基板の前記リードとを封止して封止部を形成する工程と、
    前記基板本体部の配線と電気的に接続させてバンプ電極を形成する工程と、
    前記基板突出部とこれに形成された前記封止部とを同時に所望の外形サイズに切断する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
16. 請求項１５記載の半導体装置の製造方法であって、前記半導体チップの前記接続端子とこれに対応した前記薄膜配線基板の前記リードとを電気的に接続する際に、ボンディングツールの加圧動作を行って前記半導体チップの前記接続端子と前記薄膜配線基板の前記リードとを接続した後、前記ボンディングツールを前記半導体チップの前記主面に対してほぼ平行にかつ前記リードの先端方向に移動させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
17. 主面の外周部に接続端子が設けられた半導体チップを有するチップサイズの半導体装置の製造方法であって、
    配線を有する基板本体部とこれの外方周囲に形成された基板突出部とを備え、かつ前記基板突出部と前記基板本体部とを合わせた形状とほぼ同じ形状の弾性構造体が接合されるとともに、前記配線に接続されたリードを配置する開口部が形成された薄膜配線基板を準備する工程と、
    前記半導体チップの前記接続端子を前記薄膜配線基板の前記開口部に露出させて、前記半導体チップの前記主面と前記弾性構造体とを接合する工程と、
    前記半導体チップの前記接続端子とこれに対応した前記薄膜配線基板の前記リードとを電気的に接続する工程と、
    前記半導体チップの前記接続端子と前記薄膜配線基板の前記リードとを樹脂封止して封止部を形成する工程と、
    前記配線と電気的に接続させて前記基板本体部および前記基板突出部にバンプ電極を形成する工程と、
    前記基板本体部および前記基板突出部を基板枠部から分離する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
18. 請求項１５，１６または１７記載の半導体装置の製造方法であって、封止樹脂を用いて封止を行う際に、前記半導体チップの側面を封止することを特徴とする半導体装置の製造方法。

Images