JP3747131B2 - 高耐圧半導体装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は高耐圧半導体装置に係り、特に、MOSFET、IGBT等の高耐圧半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】
一般にMOSFET、IGBT等の高耐圧半導体装置の終端部分は図11に示すようにアノード層であるp型の拡散層11とチャネルストッパ層であるn型の拡散層12とを有するSi等の半導体基板13が備えられ、この上部にパシべーションとしての絶縁膜14を形成している。
【0003】
この高耐圧半導体装置の絶縁膜14の外部にナトリウムイオン等の電荷が付着すると半導体基板13の素子を形成する上面15に誘起電荷が生じ、空乏層の延びに支障をきたすばかりか耐圧劣化等の故障を伴うことがあった。
【0004】
この高耐圧半導体装置の耐圧を上昇させるには半導体基板13の不純物濃度を下げるため高耐圧になるにしたがい誘起電荷の影響力が顕著となる。
【0005】
また、高耐圧半導体装置の半導体基板13の終端部には図12に示すようにシリコンに酸素、窒素、炭素のいずれか1つを添加した抵抗率を107〜1013Ωcmにした半導性電膜16の上部に絶縁膜14を形成させるものがある。
【0006】
この半導性電膜16はある程度のシールド性を有するため高耐圧半導体装置の絶縁膜14の外部にナトリウムイオン等の電荷が付着しても半導体基板13の素子を形成する上面15に誘起する誘起電荷の発生を抑えることができる。
【0007】
しかし、耐圧が上昇すると半導体基板13の不純物濃度が下がりそのマージンが少なくなるので半導電性膜16の膜厚を厚くする等して対応していた。
【0008】
この半導電性膜16の膜厚を厚くするとAl等の電極17のコンタクトをとる際に絶縁膜14等の幅に対する高さの比であるアスペクト比が大きくなり必然的に製造限界が決まるばかりかパワーデバイスとしての特性に劣化を生じると言う問題があった。
【0009】
そこで本発明は高耐圧半導体装置の絶縁膜の外部にナトリウムイオン等の電荷が付着しても充分に高電圧に耐えるようにした高耐圧半導体装置を提供することを目的とするものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明の一態様によれば、半導体基板の上面に間隔を置いて形成される第1拡散層および第2拡散層と、これら第1拡散層および第2拡散層との間の半導体基板の上部に形成される第1の絶縁膜と、この第1の絶縁膜の上部に形成される導電性膜と、この導電性膜の上部に形成される第2の絶縁膜とを備え、前記導電性膜は、電気的にフローティング状態に形成されることを特徴とする高耐圧半導体装置が提供される。
【0011】
また、本発明の一態様によれば、半導体基板の上面に間隔を置いて形成される第1拡散層および第2拡散層と、これら第1拡散層および第2拡散層との間の半導体基板の上部に形成される第1の絶縁膜と、この第1の絶縁膜の上部に形成される導電性膜と、この導電性膜の上部に形成される第2の絶縁膜とを備え、前記第1拡散層は、前記第2拡散層により取り囲まれるように設けられ、且つ前記導電性膜の一端は、前記第1拡散層に電気的に接続されていることを特徴とする高耐圧半導体装置が提供される。
【0012】
また、本発明の一態様によれば、半導体基板の上面に間隔を置いて形成される第1拡散層および第2拡散層と、これら第1拡散層および第2拡散層との間の半導体基板の上部に形成される半導電性膜と、この半導電性膜の上部に形成される導電性膜と、この導電性膜の上部に形成される絶縁膜と、を備えたことを特徴とする高耐圧半導体装置が提供される。
【0013】
さらに、請求項4の発明の導電性膜はp型の拡散層に接続される電極に電気的に接続されることを特徴とする高耐圧半導体装置を提供するものである。
【0014】
さらに、請求項5の発明の半導電性膜はシリコンに酸素、窒素、炭素の少なくともいずれか1つを添加したものであることを特徴とする高耐圧半導体装置を提供するものである。
【0015】
さらに、請求項6の発明の半導電性膜は抵抗率が107〜1013Ωcmあることを特徴とする高耐圧半導体装置を提供するものである。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下本発明高耐圧半導体装置の第1の実施の形態を図1ないし図6を参照しながら絶縁膜に導電膜を形成したものについて説明する。
【0017】
本発明高耐圧半導体装置を製造するには図1に示すように比抵抗ρが170Ωcm、厚さdが625μmのSi等のn型の半導体基板21が備えられる。
【0018】
この半導体基板21の中央部の上面22には図2に示すようにイオン種B、加速電圧60keV、ドーズ量1×1014cm-2、拡散温度1150℃、拡散時間60分の窒素雰囲気中でイオンを注入しアノードであるp型の拡散層23が選択的に形成される。
【0019】
この半導体基板21の上面22の両側にはイオン種As、加速電圧40keV、ドーズ量5×1015cm-2、拡散温度1000℃、拡散時間20分の酸素雰囲気中でイオンを注入しチャネルストッパ層であるn型の拡散層24が選択的に形成される。
【0020】
また、この半導体基板21の下部にはイオンを注入しn型のカソード層25が形成される。
【0021】
この半導体基板21の上部には図3に示すように熱酸化法により厚さ400nmの絶縁性の熱酸化膜26が形成され、これを第1のパシべーション用の膜とする。
【0022】
この熱酸化膜26の上部にはLP-CVD法によりポリシリコン等の導電性膜27が堆積される。この導電性膜27は図4に示すように選択的にエッチングされ、拡散層23と拡散層24との間にフローティング状に導電性のシールド膜28を形成する。
【0023】
このシールド膜28を含む熱酸化膜26の上面には図5に示すように常圧CVD法により酸化膜29が形成され、これを第2のパシべーション用の膜とする。
【0024】
この酸化膜29、熱酸化膜26が図6に示すように選択的にエッチングされ、拡散層23、24にコンタクトするAl等のアノード電極30、チャネルストッパー電極31を形成する。
【0025】
さらに、半導体基板21の下部のカソード層25にはAl等のカソード電極32を形成する。
【0026】
このような高耐圧半導体装置によれば熱酸化膜26と酸化膜29との間に導電性のシールド膜28が形成されているから高耐圧半導体装置の絶縁膜29の外部にナトリウムイオン等の電荷が付着しても電荷が導電性のシールド膜28により電磁遮蔽され半導体基板21の上面に誘起電荷を生じさせることがない。
【0027】
そのため、高耐圧半導体装置に逆バイアスを印加したときに生じる空乏層の延びを乱すことがないばかりか高耐圧半導体装置の耐圧を劣化させ故障を発生させることがない。その結果高耐圧の高耐圧半導体装置を得ることができる。
【0028】
図7ないし図10は半導体基板21の上部の半導電性膜と絶縁膜との間に導電性膜を形成した本発明高耐圧半導体装置の第2の実施の形態を示すものである。
【0029】
この第2の実施の形態は基本的には第1の実施の形態とほぼ同一であるから同一部分は同一符号を付し詳細な説明を省略して説明する。
【0030】
半導体基板21の上面には図7に示すようにアノード層であるp型の拡散層23およびチャネルストッパ層であるn型の拡散層24が形成される。
【0031】
この半導体基板21の上部には図8に示すように熱酸化法により厚さ400nmの絶縁性の熱酸化膜26が形成され、これを第1のパシべーション用の膜とする。
【0032】
拡散層23と拡散層24との間の上部の熱酸化膜26が選択的にエッチングされ、このエッチングされた半導体基板21の上部に700℃でLP-CVD法により厚さが1.5μmの半導電性膜42およびポリシリコン等の導電性膜27とを成膜する。
【0033】
この半導電性膜42は酸素、窒素、または炭素の少なくともいずれか1つを添加したシリコンにより構成され、半導体基板21の上部に形成されるpn接合を短絡させないために抵抗率が107Ωcmより高いことが望ましく、また、電磁遮蔽効果を高めるためには抵抗率が1013Ωcmより低いことが望ましい。
【0034】
この半導電性膜42と導電性膜27は図10に示すように選択的にエッチングされ、拡散層23と拡散層24との間にフローティング状に導電性のシールド膜28を形成する。
【0035】
このシールド膜28等の上部には常圧CVD法により酸化膜29を形成され、これを第2のパシべーション用の膜とする。
【0036】
この熱酸化膜26、酸化膜29が選択的にエッチングされ、このエッチング部に拡散層23と拡散層24とコンタクトするAl等のアノード電極30とチャネルストッパ電極31とを形成する。
【0037】
このような高耐圧半導体装置では半導電性膜42の上部にシールド膜28を形成したからナトリウムイオン等の電荷が絶縁膜29の外部に付着してもこれをほぼ完全に電磁遮蔽し半導体基板21の上面15に誘導電荷を生じることがない。
【0038】
そのため、半導体基板21の上面での空乏層の延びが乱されず逆バイアスを印加したとき支障をきたさないばかりか耐圧劣化等の故障を生じることがない。
【0039】
なお、上記実施の形態ではシールド膜28をフローテイング状としたがこれをアノード電極30に接続し電荷の残留を防止するようにしてもよい。
【0040】
また、上記実施の形態ではダイオード型の高耐圧半導体装置について説明したが、アノード層をベースとすることによってトランジスタ,MOS,FET,IGBTにも同様に使用することができ同等の効果を得ることができる。
【0041】
【発明の効果】
各請求項の発明は半導体基板の上面に間隔を置いて形成される第1拡散層および第2拡散層と、これら第1拡散層および第2拡散層との間の半導体基板の上部に形成される第1の絶縁膜と、この第1の絶縁膜の上部に形成される導電性膜と、この導電性膜の上部に形成される第2の絶縁膜とを備えたからナトリウムイオン等の電荷が高耐圧半導体装置の絶縁膜に付着しても耐圧劣化させ故障を生じさせることがない。
【0042】
また、SUS耐圧の劣化対策に関しても十分な効果が確証されている。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明高耐圧半導体装置の第1の実施の形態の第1の製造工程を説明する説明図。
【図2】本発明高耐圧半導体装置の第1の実施の形態の第2の製造工程を説明する説明図。
【図3】本発明高耐圧半導体装置の第1の実施の形態の第3の製造工程を説明する説明図。
【図4】本発明高耐圧半導体装置の第1の実施の形態の第4の製造工程を説明する説明図。
【図5】本発明高耐圧半導体装置の第1の実施の形態の第5の製造工程を説明する説明図。
【図6】本発明高耐圧半導体装置の第1の実施の形態の第6の製造工程を説明する説明図。
【図7】本発明高耐圧半導体装置の第2の実施の形態の第1の製造工程を説明する説明図。
【図8】本発明高耐圧半導体装置の第2の実施の形態の第2の製造工程を説明する説明図。
【図9】図8を上部から見た平面図。。
【図10】本発明高耐圧半導体装置の第2の実施の形態の第3の製造工程を説明する説明図。
【図11】従来の高耐圧半導体装置の概要を示す断面図。
【図12】従来の高耐圧半導体装置の他の概要を示す断面図。
【符号の説明】
11、23 p型の拡散層
12、24 n型の拡散層
13、21 半導体基板
14 絶縁膜
16、42 半導電性膜
17 電極
26 熱酸化膜
27 導電性膜
28 シールド膜
29 酸化膜
30 アノード電極
31 チャネルストッパ電極
32 アソード電極
Claims (5)
- 半導体基板の上面に間隔を置いて形成される第1拡散層および第2拡散層と、
これら第1拡散層および第2拡散層との間の半導体基板の上部に形成される第1の絶縁膜と、
この第1の絶縁膜の上部に形成される導電性膜と、
この導電性膜の上部に形成される第2の絶縁膜とを備え、
前記導電性膜は、電気的にフローティング状態に形成されることを特徴とする高耐圧半導体装置。 - 半導体基板の上面に間隔を置いて形成される第1拡散層および第2拡散層と、
これら第1拡散層および第2拡散層との間の半導体基板の上部に形成される第1の絶縁膜と、
この第1の絶縁膜の上部に形成される導電性膜と、
この導電性膜の上部に形成される第2の絶縁膜とを備え、
前記第1拡散層は、前記第2拡散層により取り囲まれるように設けられ、且つ前記導電性膜の一端は、前記第1拡散層に電気的に接続されていることを特徴とする高耐圧半導体装置。 - 半導体基板の上面に間隔を置いて形成される第1拡散層および第2拡散層と、
これら第1拡散層および第2拡散層との間の半導体基板の上部に形成される半導電性膜と、
この半導電性膜の上部に形成される導電性膜と、
この導電性膜の上部に形成される絶縁膜と、
を備えたことを特徴とする高耐圧半導体装置。 - 前記導電性膜は、電気的にフローティング状態に形成されることを特徴とする請求項3記載の高耐圧半導体装置。
- 前記第1拡散層は、前記第2拡散層により取り囲まれるように設けられ、且つ前記導電性膜の一端は、前記第一拡散層に電気的に接続されていることを特徴とする請求項3記載の高耐圧半導体装置。
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