JP3742324B2

JP3742324B2 - 電極プローバー

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Publication number: JP3742324B2
Application number: JP2001319599A
Authority: JP
Inventors: 賢一中村; 良文高橋; 節夫古田土; 健治河野
Original assignee: Anritsu Corp
Current assignee: Anritsu Corp
Priority date: 2001-10-17
Filing date: 2001-10-17
Publication date: 2006-02-01
Anticipated expiration: 2021-10-17
Also published as: JP2003121468A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はＩＣ試験装置に用いられる電極プローバーに関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、半導体製造工場の品質検査ラインに組込まれたＩＣ試験装置においては、この品質検査ラインを介して順次搬入される半導体製品であるＩＣ（集積回路）が組込まれた各ＩＣパッケージの動作試験を順番に実施していく。ＩＣパッケージの一面には、このＩＣパッケージに組込まれたＩＣに対して電源を供給したり、ＩＣに対して信号を印加したり、このＩＣから出力される信号を取出すための多数の電極が設けられている。
【０００３】
このＩＣパッケージの動作試験を実施するＩＣ試験装置内には、図７（ａ）に示すように、ＩＣ取付基板１が組込まれており、このＩＣ取付基板１の上面に、複数の電極２が設けられたＩＣ取付面３が形成されている。このＩＣ取付面３に試験対象のＩＣパッケージ４が装着される。図７（ｂ）に示すように、ＩＣパッケージ４の下面の各電極８とＩＣ取付面３の各電極２とが十分なオーミックコンタクトを有して接触するように、このＩＣパッケージ４の上面をパット５を介して付勢機構７でＩＣ取付基板１方向へ付勢している。
【０００４】
しかし、ＩＣパッケージ４の各電極８とＩＣ取付面３の各電極２とを直接半田付けできないので、図７（ｂ）に示すように、ＩＣパッケージ４の電極８の高さのバラツキに起因して電極８、２相互間に隙間が生じ、接続不良が発生する懸念がある。
【０００５】
このような不都合を解消するために、ＩＣパッケージ４の各電極８とＩＣ取付面３の各電極２との間にシート状の電極プローバーを介在させて、ＩＣパッケージ４の各電極８とＩＣ取付面３の各電極２とを導通させるようにしている。
【０００６】
図８は、ＩＣ試験装置のＩＣ取付面３の１つの電極２とＩＣパッケージ４の１つの電極８との間に介挿される電極プローバー９の断面模式図である。試験装置のＩＣ取付面３の電極２に下面が固定された図示断面形状を有した接続導体１０内に弾性ゴム１１が封入されており、可動接点１２の下端がこの弾性ゴム１１に当接し、可動接点１２の上端がＩＣパッケージ４の電極８に当接する。この可動接点１２は、接続導体１０に設けられた穴内を摺動可能に設けられている。
【０００７】
ＩＣパッケージ４の電極８と可動接点１２が接触するように、ＩＣパッケージ４を上方からこの電極プローバー９に押し当てる。このとき、可動接点１２は接続導体１０に設けられた穴内に沿って押し込まれ、その移動分は弾性ゴム１１の変形により吸収される。ＩＣパッケージ４を取除けば、可動接点１２はＩＣパッケージ４の電極８から受ける外力から開放され、弾性ゴム１１が元の形に戻ろうとするため、可動接点１２も元の位置に戻る。
【０００８】
なお、図８では、1組のＩＣパッケージ４の電極８とＩＣ取付面３の電極２に対する例を示したが、複数電極８．２の組合せに対してもこの電極プローバー９を利用することができる。この場合、ＩＣパッケージ４の電極８の大きさやＩＣパッケージ４の反りに起因した電極８の高さのバラツキは可動電極１２により吸収され、全ての電極２、８の組合せに対して電気的導通を実現することができる。
【０００９】
図９は、他の電極プローバー９ａの概略構成を示す断面模式図である。この電極プローバー９ａは、例えばゴム材料で形成された絶縁シート１３と、この絶縁シート１３のＩＣパッケージ４の電極８とＩＣ試験装置のＩＣ取付面３の電極２に対向する位置に形成された導体粒子埋込部１４とで形成されている。この導体粒子埋込部１４は、圧縮されると、内部に埋込まれた導体粒子どうしが接触して、導体粒子埋込部１４の上面と下面とは導通する。
【００１０】
したがって、この導体粒子埋込部１４は、ＩＣパッケージ４の電極８とＩＣ試験装置のＩＣ取付面３の電極２とで挟込まれて圧力を加えられる前は、必ずしも導体粒子どうしは接触していない。ＩＣパッケージ４の電極８とＩＣ取付面３の電極２により挟まれて圧力が加えられて導体粒子周辺にある支持体の絶縁シート１３が変形すると、導体粒子どうしが電気的に接触し、ＩＣパッケージ４の電極８とＩＣ取付面３の電極２との間に電気的導通が実現する。
【００１１】
導体粒子埋込部１４をＩＣパッケージ４の電極８のパターンに従って配列すれば、ＩＣパッケージ４の電極８とＩＣ取付面３の電極２との複数の組合せに対して電気的導通が得られる。また、絶縁シート１３自体が弾性を有するため、導体粒子埋込部１４はＩＣパッケージ４の電極８とＩＣ取付面３の電極２で挟まれたときに変形することが可能であり、図８に示した電極プローバー９と同様に、この電極プローバー９ａにおいても、ＩＣパッケージ４の電極８の高さ方向のバラツキを吸収することができる。
【００１２】
図１０は、さらに別の電極プローバー９ｂの概略構成を示す模式図である。この電極プローバー９ｂは、例えば円形断面形状を有した弾性ゴムで形成された絶縁棒１５と、この絶縁棒１５におけるＩＣパッケージ４の電極８とＩＣ試験装置のＩＣ取付面３の電極２に対向する位置に巻装された環状導体１６とで構成されている。
【００１３】
そして、この環状導体１６をＩＣパッケージ４の電極８とＩＣ取付面３の電極２とで挟込むことにより、ＩＣパッケージ４の電極８とＩＣ取付面３の電極２との間で電気的導通を実現する。この場合、絶縁棒１５は弾性ゴムで形成されているため、高さの異なるＩＣパッケージ４の電極８とＩＣ取付面３の電極２との複数の組合せに対して、その高さを吸収してＩＣパッケージ４の電極８とＩＣ取付面３の電極２の全組合せに対して電気的導通を実現することができる。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図８、図９、図１０に示す各電極プローバー９．９ａ、９ｂにおいてもまだ解消すべき次のような課題があった。
【００１５】
すなわち、図８に示した電極プローバー９においては、ＩＣパッケージ４の電極８における数十μm以上の高さのバラツキを吸収できるものの、接続導体１０の下面を半田によりＩＣ試験装置におけるＩＣ取付基板１のＩＣ取付面３に固定されてしまうため、ＩＣ取付基板１を単独で取替えることができないという問題がある。
【００１６】
また、図９に示した電極プローバー９ａにおいては、薄いゴム材料で形成された絶縁シート１３を用いているので、絶縁シート１３が有するバネ性が小さいため、数十μm以上のＩＣパッケージ４の電極８の高さのバラツキを吸収することができない。また、大きな変形を得ようとすると塑性変形するために、繰り返しの使用に耐えられない。よって、それ以上のバラツキを有するＩＣパッケージ４の各電極８に導体粒子埋込部１４を接触させることが困難である。
【００１７】
また、図１０に示した電極プローバー９ｂにおいては、ＩＣパッケージ４の電極８の高さのバラツキを吸収する絶縁棒１５をゴム材料で構成しているために、その使用回数の増加と共に弾性材料の劣化が速く進み、変形後に元の形状に戻りきらなくなってしまう。結果として、ＩＣパッケージ４の電極８の高さのバラツキを吸収できなくなり、ＩＣパッケージ４の電極８の中には、絶縁棒１５に巻装された環状導体１６に接触できない電極８が発生する懸念があった。
【００１８】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、ＩＣパッケージの電極の高さのバラツキを吸収するバネ材料を選択することにより、半永久的な使用に対しても塑性変形することなくバネ性を失わずに、ＩＣパッケージの各電極とＩＣ試験装置のＩＣ取付面の各電極との間における電気的導通を確保でき、長期に亘って安定した接触特性を維持できる電極プローバーを提供することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、複数の電極が形成された試験対象のＩＣパッケージと、このＩＣパッケージの動作試験を行うＩＣ試験装置のＩＣ取付面との間に介挿され、ＩＣ試験装置のＩＣ取付面の各電極とＩＣパッケージの各電極とを導通させる電極プローバーに適用される。
【００２０】
そして、上記課題を解消するために、本発明の電極プローバーは、一端がＩＣ取付面の電極に当接し他端がＩＣパッケージの電極に当接するとともに共有結合性結晶材料で形成された伸縮可能な複数のバネ部材と、この各バネ部材の表面を覆う導電性の金属皮膜と、複数のバネ部材における各バネ部材の中途位置を互いに非接触で支持する基板とを備えている。
【００２１】
このように構成された電極プローバーにおいては、ＩＣパッケージの各電極はそれぞれ専用のバネ部材を介して、ＩＣ試験装置のＩＣ取付面における自己に対向する電極に電気的に導通される。
【００２２】
さらに、各バネ部材は共有結合性結晶材料で構成されている。この共有結合性結晶材料は、たとえ、大きな変位量が印加されたとしても塑性変形がしにくく、かつ、繰返し圧縮応力に対しても、材料的に劣化しにくい特性を有する。
【００２３】
したがって、ＩＣパッケージの電極の高さのバラツキを十分吸収できるとともに、ＩＣパッケージの各電極とＩＣ試験装置のＩＣ取付面の各電極との間における電気的導通を長期に亘って安定して確保できる。
【００２４】
また、別の発明は、上述した発明の電極プローバーにおいて、各バネ部材は基板に穿設された貫通孔に貫通され、この各バネ部材が各貫通孔に貫通された状態でこの各貫通孔に接着剤が充填されている。
【００２５】
さらに、別の発明は、上述した発明の電極プローバーにおいて、各バネ部材の各電極に当接する先端部に、各電極と一定面積以上で接触する接触部が形成されている。
このように、各バネ部材の各電極に当接する先端部に接触部を形成することによって、各電極との間でより良好な接触状態を維持できる。
【００２６】
さらに、別の発明は、上述した発明の電極プローバーにおいて、各バネ部材は、一つの面内で伸縮可能に形成されている。
このような構成のバネ部材を採用することによって、バネ部材を板状の共有結合性結晶材料から簡単に作成することができる。
【００２７】
さらに、別の発明は、上述した発明の電極プローバーにおいて、各バネ部材は、一つの面内で互いに平行するとともに、各電極に当接する位置で連通する一体形成された一対の単位バネ部材で構成されている。
【００２８】
このように、バネ部材を一対の単位バネ部材で構成することにより、バネ部材の安定性が向上する。
【００２９】
さらに、別の発明の電極プローバーにおいては、共有結合性結晶材料を単結晶シリコンで形成している。
さらに、基板の材料にポリイミドやセラミック基板等を採用し、導電性の金属皮膜の材料に金やニッケル等を採用している。これは、シート自体が変形する必要がない場合は、基板材料にセラミック基板を採用してもよいからである。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の各実施形態を図面を用いて説明する。
（第１実施形態）
図２（ａ）は本発明の第１実施形態に係る電極プローバー１９の概略構成を示す斜視図であり、図２（ｂ）は同第１実施形態の電極プローバー１９をＩＣ試験装置におけるＩＣ取付基板１のＩＣ取付面３の各電極２と試験対象のＩＣパッケージ４の各電極８との間に装着した状態を示す側断面図であり、図１は同電極プローバー１９をＩＣ試験装置に装着した状態を示す正面断面図である。
【００３１】
この電極プローバー１９において、矩形形状を有した試験対象のＩＣパッケージ４より一回り大きい矩形形状を有した基板２０は絶縁性に優れた材料であるポリイミドで形成されている。基板２０の厚みは５０μｍ〜１００μｍと非常に薄い。基板２０には、ＩＣ試験装置のＩＣ取付面３の各電極２及びＩＣパッケージ４の各電極８に対向する位置に矩形断面を有する貫通孔２１が穿設されている。この実施形態のＩＣパッケージ４においては、合計６個の電極８が２列に亘って形成されているので、基板２０の貫通孔２１も同様に６個、２列に亘って穿設されている。この各貫通孔２１の一辺の大きさは５０μｍ〜１００μｍである。
【００３２】
基板２０に形成された各貫通孔２１内にバネ部材２２が貫通されている。このバネ部材２２は、図３（ａ）に示すように長さＬ＝１００μｍ〜２００μｍ、厚みｔ＝１０μｍ〜２０μｍを有する単結晶シリコンウエハ材料２６から、図３（ｂ）に示すように、幅Ｗ＝１００μｍ、厚みｔ＝１０μｍ〜２０μｍの正弦波形状に、エッチング手法にて切出したものである。
【００３３】
したがって、このバネ部材２２は、単結晶シリコンウエハ材料２６の表面に平行する一つの面内で図中矢印Ａ方向にのみ伸縮する。そして、このバネ部材２２の先端部には、それぞれＩＣパッケージ４の電極８及びＩＣ取付面３の電極２と一定面積以上で接触する接触部２４，２５が形成されている。
【００３４】
この単結晶シリコンで形成されたバネ部材２２の表面は、金（Ａｕ）からなる導電性金属被膜で覆われている。なお、金（Ａｕ）からなる導電性金属被膜は、単結晶シリコンに比較して十分に伸縮性を有するので、たとえ、バネ部材２２が矢印Ａ方向に大きく伸縮したとしても、導電性金属被膜がバネ部材２２の表面から剥げ落ちることはない。
【００３５】
基板２０に形成された各貫通孔２１内に、導電性金属被膜で覆われたバネ部材２２の長さＬ方向の中央部を位置させた状態で、この各貫通孔２１内に熱硬化性やＵＶ（紫外線）硬化性の接着剤２３を充填して、各バネ部材２２を基板２０に固定する。
【００３６】
次に、このように構成された第１実施形態の電極プローバー１９の使用方法及び特徴を説明する。
図１に示すように、ＩＣ試験装置におけるＩＣ取付基板１のＩＣ取付面３上に、各バネ部材２２の下側の接触部２５がＩＣ取付面３の各電極２に当接するように装着する。次に、試験対象のＩＣパッケージ４の各電極８を電極プローバー１９の各バネ部材２２の上側の接触部２４に当接するように装着する。実際には、品質検査ラインから順次搬入されるＩＣパッケージ４を専用の装着装置を用いて、電極プローバー１９上に装着して、図７（ａ）（ｂ）で説明した付勢機構７を用いてＩＣパッケージ４を図中下方へ付勢する。
【００３７】
ＩＣパッケージ４が下方へ付勢されると、ＩＣパッケージ４の各電極８がバネ部材２２のバネ反発力にうち勝って下方へ移動して、各電極８はバネ部材２２の各接触部２４に対してほぼ一定の接触圧を有して接触する。電極プローバー１９の各バネ部材２２の下側の接触部２５もほぼ一定の接触圧を有してＩＣ取付面３の各電極２に接触する。この場合、ＩＣパッケージ４の電極８の高さのバラツキをバネ部材２２の伸縮動作で十分吸収できる。
【００３８】
また、バネ部材２２の材料として、共有結合性結晶材料の一種である単結晶シリコンを採用している。この単結晶シリコンは、たとえ、大きな変異量が印加されたとしても塑性変形しにくく、かつ、繰返し圧縮応力に対しても、材料的に劣化しにくい特性を有する。したがって、前述したように、ＩＣパッケージ４の電極８の高さのバラツキを十分吸収できるとともに、ＩＣパッケージ４の各電極８とＩＣ試験装置のＩＣ取付面３の各電極２との間における電気的導通を長期に亘って安定して確保できる。
【００３９】
さらに、単結晶シリコンは、図３（ａ）（ｂ）を用いて説明したように、加工性が優れ、かつ高い寸法精度を確保できる。その結果、ＬＳＩのような多数の電極８が設けられたＩＣパッケージ４の動作試験用の電極プローバー１９をも簡単に製造できる。
【００４０】
また、単結晶シリコンで形成されたバネ部材２２を、図３（ａ）に示すように、単結晶シリコンウエハ材料２６からエッチング手法にて簡単にかつ大量に製造可能であるので、電極プローバー１９を低価格でかつ大量生産が可能となる。
【００４１】
さらに、各バネ部材２２の先端には、各電極８、２に対して一定面積以上で接触する接触部２４、２５が形成されているので、付勢機構７を用いてＩＣパッケージ４を図中下方へ付勢したとしても、各電極８、２に大きな損傷を与えることが防止できる。ささに、各バネ部材２２と各電極８、２との間で良好な接触状態を維持できる。
【００４２】
さらに、この電極プローバー１９は、図８に示す従来の電極プローバー９のようにＩＣ試験装置におけるＩＣ取付基板１のＩＣ取付面３に固定する必要がないので、ＩＣ取付基板１を単独で取替えることができ、ＩＣ取付基板１及び電極プローバー１９の汎用性を向上できる。
【００４３】
（第２実施形態）
図４は、本発明の第２実施形態の電極プローバー１９ａの一部を取出して示す断面模式図である。図１に示す第１実施形態の電極プローバー１９と同一部分には同一符号が付してある。したがって、重複する部分の詳細説明を省略する。
【００４４】
この第２実施形態の電極プローバー１９ａに組込まれている、ＩＣパッケージ４の各電極８とＩＣ取付面３の各電極２とを電気的に導通する導電性金属で被服された各バネ部材３０は、一つの面内で互いに平行するとともに、各電極８、２に当接する位置で連通する一体形成された一対の単位バネ部材３０ａ、３０ｂで構成されている。そして、各電極８、２に当接する部分は、各電極８、２に対して一定面積以上で接触するように平面に形成されている。したがって、この平面に形成された部分が、図１、図３に示す接触部に相当する。
【００４５】
また、この一対の単位バネ部材３０ａ、３０ｂからなる各バネ部材３０が貫通する基板２０の貫通孔２１内に、２本の単位バネ部材３０ａ、３０ｂの中途位置が接着剤２３で固定されている。なお、この一対の単位バネ部材３０ａ、３０ｂからなる各バネ部材３０の製造方法は、第１実施形態の電極プローバー１９の各バネ部材２２と同様に、単結晶シリコンウエハ材料２６からエッチング手法を用いて切出す。
【００４６】
このように、各バネ部材３０を一体形成された一対の単位バネ部材３０ａ、３０ｂで構成することにとり、図４における紙面に平行する面内での安定性が向上する。
【００４７】
（応用例）
図５は、第１実施形態の電極プローバー１９の応用例を示す模式図である。この電極プローバー９におけるＩＣパッケージ４の各電極８とＩＣ取付面３の各電極２とを電気的に接続する各バネ部材２２ａ、２２ｂの幅Ｗが異なる。したがって、各バネ部材２２ａ、２２ｂの幅Ｗのみが異なる複数種類の電極プローバー９が準備されている。
【００４８】
そして、ＩＣパッケージ４の２個の電極８のうちの一方を接地し、ＩＣ取付面３の２個の電極２のうち一方を接地するとする。図５においては、バネ部材２２ｂ側が接地側であり、バネ部材２２ａ側が信号側である。
【００４９】
ＩＣパッケージ４の動作試験を実行する場合、ＩＣパッケージ４の信号線の接地に対するインピーダンスＺの影響が無視できない。すなわち、インピーダンスＺの値を調整して、ＩＣパッケージ４の信号端のインピーダンスＺとＩＣ試験装置の信号端のインピーダンスＺとの間のインピーダンス整合を図って、信号の入出力端での高周波信号の反射を極力抑制する必要がある。
【００５０】
信号側のバネ部材２２ａと接地側のバネ部材２２ｂとの間のインピーダンスＺは、バネ部材２２ａ、２２ｂの相互間距離（隙間Ｂ）、空気の誘電率、基板２０の誘電率、接着剤２３の誘電率等で定まる。
【００５１】
そこで、各バネ部材２２ａ、２２ｂの幅Ｗを変更することによって、バネ部材２２ａ、２２ｂの隙間Ｂを変化させて、インピーダンスＺを変更可能である。したがって、各信号端におけるインピーダンス整合が図れるインピーダンスＺとなる幅Ｗを有したバネ部材２２ａ、２２ｂが組込まれた電極プローバー９を選択すればよい。なお、幅Ｗだけでなく、厚み方向も変化させてインピーダンスを調整することも可能である。
【００５２】
図６に、インピーダンス整合を実施しない状態での各信号端における信号の反射率の周波数依存特性（点線）と、インピーダンス整合を実施した状態での各信号端における信号の反射率の周波数依存特性（実線）とを示す。
【００５３】
この周波数依存特性でも理解できるように、インピーダンス整合を実施した状態においては、各信号端における信号の反射率を大幅に低減できることが実証された。このように、インピーダンス整合を実施することによって、試験対象のＩＣパッケージ４の動作試験をより高い精度で実施できる。
【００５４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の電極プローバーにおいでは、ＩＣパッケージの電極の高さのバラツキを吸収するバネ部材を採用し、このバネ部材の材料として単結晶シリコンで代表される共有結合性結晶材料を用いている。したがって、半永久的な使用に対しても塑性変形することなくバネ性を失わずにＩＣパッケージの各電極とＩＣ試験装置のＩＣ取付面の各電極との間における電気的導通を確保でき、長期に亘って安定した接触特性を維持できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係わる電極プローバーの概略構成を示す断面図
【図２】同第１実施形態に係わる電極プローバーを示す斜視図及び側断面図
【図３】同電極プローバーに組込まれたバネ部材の製造方法を説明するための図
【図４】本発明の第２実施形態に係わる電極プローバーの要部を取出して示す断面図
【図５】本発明の第１実施形態に係わる電極プローバーの応用例を説明するための図
【図６】同応用例の効果を説明するための反射率の周波数依存特性を示す図
【図７】ＩＣパッケージの試験方法を示す模式図
【図８】従来の電極プローバーの概略構成を示す断面図
【図９】同じく他の従来の電極プローバーの概略構成を示す断面図
【図１０】同じくさらに別の従来の電極プローバーの概略構成を示す断面図
【符号の説明】
１…ＩＣ取付基板
２、８…電極
３…ＩＣ取付面
４…ＩＣパッケージ
７…付勢機構
９、９ａ、９ｂ、１９、１９ａ…電極プローバー
２０…基板
２１…貫通孔
２２、２２ａ、２２ｂ、３０…バネ部材
２３…接着剤
２４、２５…接触部
２６…単結晶シリコンウエハ材料
３０ａ、３０ｂ…単位バネ部材

Claims

複数の電極（８）が形成された試験対象のＩＣパッケージ（４）と、このＩＣパッケージの動作試験を行うＩＣ試験装置のＩＣ取付面（３）との間に介挿され、前記ＩＣ試験装置のＩＣ取付面の各電極（２）と前記ＩＣパッケージの各電極（８）とを導通させる電極プローバー（１９、１９ａ）において、
一端が前記ＩＣ取付面の電極（２）に当接し他端が前記ＩＣパッケージの電極（８）に当接するとともに共有結合性結晶材料で形成された伸縮可能な複数のバネ部材（２２、２２ａ、２２ｂ、３０）と、
この各バネ部材の表面を覆う導電性の金属皮膜と、
前記複数のバネ部材における各バネ部材の中途位置を互いに非接触で支持する基板（２０）と
を備えた電極プローバー。
前記各バネ部材（２２、２２ａ、２２ｂ、３０）は前記基板（２０）に穿設された貫通孔（２１）に貫通され、この各バネ部材が各貫通孔に貫通された状態でこの各貫通孔に接着剤（２３）が充填されていることを特徴とする請求項１記載の電極プローバー。
前記各バネ部材（２２、２２ａ、２２ｂ、３０）の前記各電極（８、２）に当接する先端部に、前記各電極と一定面積以上で接触する接触部（２４、２５）が形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の電極プローバー。
前記各バネ部材（２２、２２ａ、２２ｂ、３０）は、一つの面内で伸縮可能に形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項記載の電極プローバー。
前記各バネ部材（３０）は、一つの面内で互いに平行するとともに、各電極（８，２）に当接する位置で連通する一体形成された一対の単位バネ部材（３０ａ、３０ｂ）で構成されたことを特徴とする請求項４記載の電極プローバー。
前記共有結合性結晶材料は単結晶シリコンであることを特徴とする請求項４又は５記載の電極プローバー。
前記基板（２０）の材料はポリイミドであることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項記載の電極プローバー。
前記導電性の金属皮膜の材料は金であることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項記載の電極プローバー。