JP3709888B2 - 液晶表示装置とその製造方法 - Google Patents
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Description
2,4 対向基板
100,118,600,618 透明基板
101,601 下部遮光膜
102,602 下地膜
103,603 ドレイン領域
104,604 ソース領域
105,605 ゲート絶縁膜
106,606 ゲート電極
107,607 第1層間絶縁膜
108,608 配線金属膜
109,609 第2層間絶縁膜
110,610 上部遮光膜
111,611 第3層間絶縁膜
112 平坦化膜
113,117,613,617 透明電極
114,116,614,616 配向膜
115,615 液晶層
119,619 ポリシリコン膜
Claims (6)
- アクティブ素子の薄膜トランジスタ(TFT)が形成されたTFT基板と、各画素に共通する電極が形成された対向基板と、それらの基板の間に充填して形成された液晶層とを備え、前記TFT基板が、第1の透明基板と、その上に順次形成された第1の遮光膜、下地膜、TFT、第1層間絶縁膜、配線金属膜、第2層間絶縁膜、第3層間絶縁膜、平坦化膜、第1の透明電極膜、第1の配向膜とを備え、前記対向基板が、第2の透明基板と、その上に順次形成された第2の透明電極および第2の配向膜とを備え、前記平坦化膜が波長300nm以上の光を吸収する感光基を有しないモノマーを熱重合により形成したアクリル樹脂から構成され、
前記アクリル樹脂が、下記式(3)で表わされるアセトキシテトラシクロ[4.4.0.1 2,5 .1 7,10 ]ドデシルアクリレート−3,4−エポキシトリシクロ[5.2.1.0 2,6 ]デシルアクリレートから作製された樹脂であることを特徴とする液晶表示装置。
- アクティブ素子の薄膜トランジスタ(TFT)が形成されたTFT基板と、各画素に共通する電極が形成された対向基板と、それらの基板の間に充填して形成された液晶層とを備え、前記TFT基板が、第1の透明基板と、その上に順次形成された第1の遮光膜、下地膜、TFT、第1層間絶縁膜、配線金属膜、第2層間絶縁膜、第3層間絶縁膜、平坦化膜、第1の透明電極膜、第1の配向膜とを備え、前記対向基板が、第2の透明基板と、その上に順次形成された第2の透明電極および第2の配向膜とを備え、前記平坦化膜が波長300nm以上の光を吸収する感光基を有しないモノマーを熱重合により形成したアクリル樹脂から構成され、
前記アクリル樹脂が、下記式(4)で表わされるポリ(アセトキシテトラシクロ[4.4.0.1 2,5 .1 7,10 ]ドデシルアクリレート−2−エポキシノルボルニルアクリレート)から作製された樹脂であることを特徴とする液晶表示装置。
- アクティブ素子の薄膜トランジスタ(TFT)が形成されたTFT基板と、各画素に共通する電極が形成された対向基板と、それらの基板の間に充填して形成された液晶層とを備えた液晶表示装置の製造方法であって、前記TFT基板が、第1の透明基板上に第1の遮光膜、下地膜、TFT、第1層間絶縁膜、配線金属膜、第2層間絶縁膜、第3層間絶縁膜、平坦化膜、第1の透明電極膜、第1の配向膜とを順次形成して作製され、前記対向基板が、第2の透明基板上に第2の透明電極および第2の配向膜とを順次形成して作製され、前記平坦化膜が波長300nm以上の光を吸収する感光基を有しないモノマーを熱重合により形成したアクリル樹脂から作製され、
前記アクリル樹脂が、下記式(3)で表わされるアセトキシテトラシクロ[4.4.0.1 2,5 .1 7,10 ]ドデシルアクリレート−3,4−エポキシトリシクロ[5.2.1.0 2,6 ]デシルアクリレートと加熱により酸を発生せしめる熱潜在性触媒とを有機溶媒に溶解してなる溶液を前記第3の層間絶縁膜表面に塗布して熱重合することにより形成されることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
- アクティブ素子の薄膜トランジスタ(TFT)が形成されたTFT基板と、各画素に共通する電極が形成された対向基板と、それらの基板の間に充填して形成された液晶層とを備えた液晶表示装置の製造方法であって、前記TFT基板が、第1の透明基板上に第1の遮光膜、下地膜、TFT、第1層間絶縁膜、配線金属膜、第2層間絶縁膜、第3層間絶縁膜、平坦化膜、第1の透明電極膜、第1の配向膜とを順次形成して作製され、前記対向基板が、第2の透明基板上に第2の透明電極および第2の配向膜とを順次形成して作製され、前記平坦化膜が波長300nm以上の光を吸収する感光基を有しないモノマーを熱重合により形成したアクリル樹脂から作製され、
前記アクリル樹脂が、下記式(4)で表わされるポリ(アセトキシテトラシクロ[4.4.0.1 2,5 .1 7,10 ]ドデシルアクリレート−2−エポキシノルボルニルアクリレート)と加熱により酸を発生せしめる熱潜在性触媒とを有機溶媒に溶解してなる溶液を前記第3の層間絶縁膜表面に塗布して熱重合することにより形成されることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
- アクティブ素子の薄膜トランジスタ(TFT)が形成されたTFT基板と、各画素に共通する電極が形成された対向基板と、それらの基板の間に充填して形成された液晶層とを備えた液晶表示装置の製造方法であって、前記TFT基板が、第1の透明基板上に第1の遮光膜、下地膜、TFT、第1層間絶縁膜、配線金属膜、第2層間絶縁膜、第3層間絶縁膜、平坦化膜、第1の透明電極膜、第1の配向膜とを順次形成して作製され、前記対向基板が、第2の透明基板上に第2の透明電極および第2の配向膜とを順次形成して作製され、前記平坦化膜が波長300nm以上の光を吸収する感光基を有しないモノマーを熱重合により形成したアクリル樹脂から作製され、
前記アクリル樹脂が、下記式(3)で表わされるアセトキシテトラシクロ[4.4.0.1 2,5 .1 7,10 ]ドデシルアクリレート−3,4−エポキシトリシクロ[5.2.1.0 2,6 ]デシルアクリレートと、加熱により酸を発生せしめる熱潜在性触媒である2−オキソシクロヘキシルメチル(2−ノルボルニル)スルホニウムトリフレートおよびシクロヘキシルメチル(2−オキソシクロヘキシル)スルホニウムトリフレートから選ばれた一つとを有機溶媒に溶解してなる溶液を前記第3の層間絶縁膜表面に塗布して熱重合することにより形成されることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
- アクティブ素子の薄膜トランジスタ(TFT)が形成されたTFT基板と、各画素に共通する電極が形成された対向基板と、それらの基板の間に充填して形成された液晶層とを備えた液晶表示装置の製造方法であって、前記TFT基板が、第1の透明基板上に第1の遮光膜、下地膜、TFT、第1層間絶縁膜、配線金属膜、第2層間絶縁膜、第3層間絶縁膜、平坦化膜、第1の透明電極膜、第1の配向膜とを順次形成して作製され、前記対向基板が、第2の透明基板上に第2の透明電極および第2の配向膜とを順次形成して作製され、前記平坦化膜が波長300nm以上の光を吸収する感光基を有しないモノマーを熱重合により形成したアクリル樹脂から作製され、
前記アクリル樹脂が、下記式(4)で表わされるポリ(アセトキシテトラシクロ[4.4.0.1 2,5 .1 7,10 ]ドデシルアクリレート−2−エポキシノルボルニルアクリレート)と、加熱により酸を発生せしめる熱潜在性触媒である2−オキソシクロヘキシルメチル(2−ノルボルニル)スルホニウムトリフレートおよびシクロヘキシルメチル(2−オキソシクロヘキシル)スルホニウムトリフレートから選ばれた一つとを有機溶媒に溶解してなる溶液を前記第3の層間絶縁膜表面に塗布して熱重合することにより形成されることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
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