JP3702672B2 - 引上げ装置内の単結晶棒の温度計測システム - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコン単結晶棒等の単結晶棒を引上げて育成する装置に関する。更に詳しくは引上げ装置内の単結晶棒の温度を計測するシステムに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、図3に示すように、チャンバ1内に設けられた石英るつぼ3にシリコン融液2が貯留され、石英るつぼ3の外周面を包囲するヒータ7がシリコン融液2を加熱し、更にシリコン融液2からシリコン単結晶棒5が引上げられるように構成された引上げ装置4が知られている。この装置4では、シリコン単結晶棒5の外周面と石英るつぼ3の内周面との間にシリコン単結晶棒5を包囲するように熱遮蔽部材6が挿入される。またチャンバ1の肩部1aには透明石英板1bが挿着された窓1cが形成され、この窓1cの外側にはチャンバ1内を臨む非接触式の温度センサ8が設置される。
上記引上げ装置4により引上げ中のシリコン単結晶棒5の外周面の温度分布を測定するには、引上げ中のシリコン単結晶棒5の外周面から発せられた輻射熱を温度センサ8により直接捉えて、シリコン単結晶棒5の長手方向の温度分布を測定している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記従来のシリコン単結晶棒の温度計測方法では、単結晶棒の外周面に不規則な凹凸があると、その温度分布を精度良く測定できない不具合があった。また光沢のあるシリコン単結晶棒の外周面は迷光、即ち主にヒータからの光を反射するため、シリコン単結晶棒からの輻射熱のみを高精度に測定することは困難であった。
本発明の目的は、単結晶棒の固液界面近傍の温度分布を監視し、その変動を抑制することにより、品質のばらつきの少ない単結晶棒を再現性良くかつ効率良く製造することができる、引上げ装置内の単結晶棒の温度計測システムを提供することにある。
本発明の別の目的は、ヒータ等から発せられかつ単結晶棒で反射した迷光の影響を殆ど受けず、また融液への炭素の混入を避けることができる、引上げ装置内の単結晶棒の温度計測システムを提供することにある。
本発明の更に別の目的は、チャンバ内の雰囲気に殆ど影響を与えず、かつ比較的簡便に高輻射率の棒をチャンバ内に設置することができる、引上げ装置内の単結晶棒の温度計測システムを提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】
請求項1に係る発明は、図1に示すように、チャンバ11内に設けられたるつぼ13に単結晶棒15となる材料の融液12が貯留され、このるつぼ13の外周面を包囲するヒータ17が上記融液12を加熱し、この融液12から単結晶棒15が引上げられるように構成された引上げ装置の改良である。
その特徴ある構成は、単結晶棒15の外周面近傍にこの単結晶棒15の引上げ軸に平行に設けられ下端が融液12に接触する高輻射率の棒23と、チャンバ11外に設けられ上記棒23の長手方向の温度分布を検出する非接触式の温度センサ24とを備えたところにある。
【0005】
この請求項1に記載された単結晶棒の温度計測システムでは、高輻射率の棒23の下端を融液12に接触させることにより、単結晶棒15の固液界面における熱伝導を模することができる。このため棒23の温度分布が引上げ中の単結晶棒15の長手方向(引上げ方向)の温度分布に近付く。即ち、棒23の温度分布の変化を温度センサ24により監視することにより、単結晶棒15の温度分布の変化を精密に推定することができる。
【0006】
請求項2に係る発明は、請求項1に係る発明であって、更に図1に示すように、高輻射率の棒23が黒鉛により形成された棒本体23aと、棒本体23aの下端に取付けられ融液12に接触する高純度石英製のチップ23bとを有することを特徴とする。
この請求項2に記載された単結晶棒の温度計測システムでは、棒本体23aを高輻射率の黒鉛により形成したので、ヒータ17等から発せられかつ単結晶棒15で反射した迷光の影響を殆ど受けない。また融液12に接触するチップ23bを高純度石英により形成したので、融液12への炭素の混入を避けることができる。
【0007】
請求項3に係る発明は、請求項1又は2に係る発明であって、更に図1に示すように、高輻射率の棒23が単結晶棒15の外周面を包囲する熱遮蔽部材22にステー26を介して取付けられたことを特徴とする。
この請求項3に記載された単結晶棒の温度計測システムでは、チャンバ11内の雰囲気に殆ど影響を与えず、かつ比較的簡便に高輻射率の棒23をチャンバ11内に設置することができる。
【0008】
【発明の実施の形態】
次に本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図1及び図2に示すように、シリコン単結晶棒15の引上げ装置10のチャンバ11内には、シリコン融液12を貯留する石英るつぼ13が設けられ、この石英るつぼ13の外面は黒鉛サセプタ14により被覆される。石英るつぼ13の下面は上記黒鉛サセプタ14を介して支軸16の上端に固定され、この支軸16の下部はるつぼ駆動手段(図示せず)に接続される(図1)。るつぼ駆動手段は図示しないが石英るつぼ13を回転させる第1回転用モータと、石英るつぼ13を昇降させる昇降用モータとを有し、これらのモータにより石英るつぼ13が所定の方向に回転し得るとともに、上下方向に移動可能となっている。石英るつぼ13の外周面は石英るつぼ13から所定の間隔をあけてヒータ17により包囲され、このヒータ17の外周面はヒータ17から所定の間隔をあけて保温筒18により包囲される。ヒータ17は石英るつぼ13に投入された高純度のシリコン多結晶体を加熱・融解してシリコン融液12にする。
【0009】
またチャンバ11の上端には円筒状のケーシング19が接続される。このケーシング19には引上げ手段21が設けられる。引上げ手段21はケーシング19の上端部に水平状態で旋回可能に設けられた引上げヘッド(図示せず)と、このヘッドを回転させる第2回転用モータ(図示せず)と、ヘッドから石英るつぼ13の回転中心に向って垂下されたワイヤケーブル21aと、上記ヘッド内に設けられワイヤケーブル21aを巻取り又は繰出す引上げ用モータ(図示せず)とを有する。ワイヤケーブル21aの下端にはシリコン融液12に浸してシリコン単結晶棒15を引上げるための種結晶21bが取付けられる。
【0010】
またシリコン単結晶棒15の外周面と石英るつぼ13の内周面との間にはシリコン単結晶棒15の外周面を包囲する熱遮蔽部材22が設けられる(図1及び図2)。この熱遮蔽部材22は円筒状に形成されヒータ17からの輻射熱を遮る筒部22a(図1)と、筒部22aの下縁に連設され下方に向かうに従って直径が小さくなるコーン部22b(図1及び図2)と、筒部22aの上縁に連設され外方に略水平方向に張り出すフランジ部22c(図1)とを有する。上記フランジ部22cを保温筒18上に載置することにより、コーン部22bの下縁がシリコン融液12表面から所定の距離だけ上方に位置するように熱遮蔽部材22がチャンバ11内に固定される(図1)。上記熱遮蔽部材22は黒鉛により形成される。
【0011】
本実施の形態の特徴ある構成は、シリコン単結晶棒15の外周面近傍にこのシリコン単結晶棒15の引上げ軸に平行に設けられた高輻射率の棒23と、チャンバ11外に設けられ上記棒23の長手方向の温度分布を検出する非接触式の温度センサ24とを備えたところにある(図1及び図2)。上記棒23はその下端がシリコン融液12に接触し、棒本体23aと、この棒本体23aの下端に取付けられたチップ23bとを有する。棒本体23aは高輻射率の材料、例えば黒鉛、SiC等により形成されるが、黒鉛により形成されることが好ましい。チップ23bはシリコン融液12に接触するように構成され、高純度石英により形成されることが好ましい。また上記棒本体23a及びチップ23bの外径は4〜12mm、好ましくは8mm程度の小径に形成され、チップ23bはこの実施の形態では棒本体23aの下端に螺合される。なお、棒本体23aを高輻射率の材料により形成したのはヒータ17等からの迷光の影響を避けるためであり、チップ23bを高純度石英により形成したのはシリコン融液12への炭素の混入を避けるためである。
【0012】
またチャンバ11の肩部11aには透明石英板11bが挿着された窓11cが形成され、上記温度センサ24はこの窓11cの外側にチャンバ11内を臨むように設置される(図1)。温度センサ24はこの実施の形態ではCCD(Charge Coupled Device:電荷結合素子)センサである。更に上記棒23は熱遮蔽部材22のコーン部22bにステー26を介して取付けられる(図1及び図2)。ステー26は略直角三角形の細い枠状に形成される。図2に詳しく示すように、棒23はステー26の斜辺部26aに平行にかつ斜辺部26aから所定の間隔をあけてボルト27及びナット28により取付けられ、ステー26は短辺部26bをボルト29によりコーン部22b上面に固定することにより熱遮蔽部材22に取付けられる。上記のようにステー26を形成することにより、チャンバ11内の雰囲気に殆ど影響を与えず、かつ比較的簡便に高輻射率の棒23をチャンバ11内に設置することができるようになっている。
【0013】
一方、チャンバ11にはこのチャンバ11のシリコン単結晶棒側に不活性ガスを供給しかつ上記不活性ガスをチャンバ11のるつぼ内周面側から排出するガス給排手段(図示せず)が接続される。また引上げ用モータの出力軸(図示せず)にはロータリエンコーダ(図示せず)が設けられ、るつぼ駆動手段には石英るつぼ13内のシリコン融液12の重量を検出する重量センサ(図示せず)と、支軸16の昇降位置を検出するリニヤエンコーダ(図示せず)とが設けられる。ロータリエンコーダ、重量センサ及びリニヤエンコーダの各検出出力はコントローラ(図示せず)の制御入力に接続され、コントローラの制御出力は引上げ手段21の引上げ用モータ及びるつぼ駆動手段の昇降用モータにそれぞれ接続される。またコントローラにはメモリ(図示せず)が設けられ、このメモリにはロータリエンコーダの検出出力に対するワイヤケーブル21aの巻取り長さ、即ちシリコン単結晶棒15の引上げ長さが第1マップとして記憶され、重量センサの検出出力に対する石英るつぼ13内のシリコン融液12の液面レベルが第2マップとして記憶される。コントローラは重量センサの検出出力に基づいて石英るつぼ13内のシリコン融液12の液面を常に一定のレベルに保つように、るつぼ駆動手段の昇降用モータを制御するように構成される。
【0014】
このように構成されたシリコン単結晶棒15の温度計測システムの動作を説明する。
引上げ中のシリコン単結晶棒15の外周面近傍に小径の高輻射率の棒23を設置し、この棒23の下端、即ち高純度石英製のチップ23bをシリコン融液12に接触させることにより、シリコン単結晶棒15の固液界面における熱伝導を模することができる。このため棒23の温度分布が引上げ中のシリコン単結晶棒15の長手方向(引上げ方向)の温度分布に近付く。そこで、棒23の外周面から発せられた輻射熱を温度センサ24にて検出することにより、この棒23の長手方向の温度分布を測定することができ、棒23の温度分布の変化を監視することにより、シリコン単結晶棒15の温度分布の変化を精密に推定することができる。この結果、測定された棒23の温度分布が予め定められた温度分布からずれていた場合には、石英るつぼ13の位置や保温筒18の形状を調節することにより、或いはシリコン単結晶棒15の引上げ速度を調整することにより、温度分布を修復して温度分布の変動を抑制する。これにより品質のばらつきの少ないシリコン単結晶棒15を再現性良くかつ効率良く製造することができる。
なお、上記実施の形態では、単結晶棒としてシリコン単結晶棒を挙げたが、ゲルマニウムやガリウムヒ素等の単結晶棒でもよい。
【0015】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、引上げ装置内の単結晶棒の外周面近傍にこの単結晶棒の引上げ軸に平行に高輻射率の棒を設け、この棒の下端を融液に接触させ、更にチャンバ外に設けられた非接触式の温度センサが上記棒の長手方向の温度分布を検出するように構成したので、高輻射率の棒下端の融液への接触により、単結晶棒の固液界面における熱伝導を模することができる。このため棒の温度分布が引上げ中の単結晶棒の長手方向の温度分布に近付く。即ち、棒の温度分布の変化を温度センサにより監視すれば、単結晶棒の温度分布の変化を精密に推定することができる。この結果、上記棒の温度分布が予め定められた温度分布からずれていれば、るつぼ位置等を調節したり、単結晶棒の引上げ速度を調整することにより、温度分布の変動を抑制することができるので、品質のばらつきの少ない単結晶棒を再現性良くかつ効率良く製造することができる。
【0016】
また高輻射率の棒の棒本体を黒鉛により形成し、棒本体の下端に取付けられた高純度石英製のチップが融液に接触するように構成すれば、ヒータ等から発せられかつ単結晶棒で反射した迷光の影響を殆ど受けず、また融液への炭素の混入を避けることができる。
更に高輻射率の棒を単結晶棒の外周面を包囲する熱遮蔽部材にステーを介して取付ければ、チャンバ内の雰囲気に殆ど影響を与えず、かつ比較的簡便に高輻射率の棒をチャンバ内に設置することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明実施形態のシリコン単結晶棒の引上げ装置を示す断面構成図。
【図2】高輻射率の棒を含む引上げ装置の要部拡大断面図。
【図3】従来例を示す図1に対応する断面構成図。
【符号の説明】
10 引上げ装置
11 チャンバ
12 シリコン融液
13 石英るつぼ
15 シリコン単結晶棒
17 ヒータ
22 熱遮蔽部材
23 高輻射率の棒
23a 棒本体
23b チップ
26 ステー
Claims (3)
- チャンバ(11)内に設けられたるつぼ(13)に単結晶棒(15)となる材料の融液(12)が貯留され、前記るつぼ(13)の外周面を包囲するヒータ(17)が前記融液(12)を加熱し、前記融液(12)から単結晶棒(15)が引上げられるように構成された引上げ装置において、
前記単結晶棒(15)の外周面近傍にこの単結晶棒(15)の引上げ軸に平行に設けられ下端が前記融液(12)に接触する高輻射率の棒(23)と、
前記チャンバ(11)外に設けられ前記棒(23)の長手方向の温度分布を検出する非接触式の温度センサ(24)と
を備えたことを特徴とする単結晶棒の温度計測システム。 - 高輻射率の棒(23)が黒鉛により形成された棒本体(23a)と、前記棒本体(23a)の下端に取付けられ融液(12)に接触する高純度石英製のチップ(23b)とを有する請求項1記載の単結晶棒の温度計測システム。
- 高輻射率の棒(23)が単結晶棒(15)の外周面を包囲する熱遮蔽部材(22)にステー(26)を介して取付けられた請求項1又は2記載の単結晶棒の温度計測システム。
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