JP3672752B2 - デュアルダマシン構造体とその形成方法 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、デュアルダマシン構造体とその形成方法に係り、特に浅い疑似金属ライン・パターンを用いたデュアルダマシン構造体とその成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
多くの高集積度半導体装置には、配線ライン構造を形成するための、多重レベル相互接続と呼ばれる二層以上の相互接続金属層が存在している。多重レベル相互接続のプロセスは、通常、金属配線および相互接続の第一のまたは下の層構造を供給し、次に、金属配線の前記第一の層と相互接続する金属配線の第二の層を形成する。金属配線の第一の層は、ポリシリコンまたは金属層であり、基板内で前記装置のドレイン/ソースに電気的に接続する。
【0003】
装置のサイズが小さくなるにつれて、単位面積当たりの装置の数は増大する。そのため、装置を接続するための抵抗が低く、信頼性が高い相互接続は、近代の高品質の集積回路の開発にとって重要な問題である。
【0004】
現在のところ、デュアルダマシンと呼ばれる金属相互接続を形成するための方法は、集積回路を製造するための、より安定で、より進歩的なプロセスである。それ故、デュアルダマシンは、金属相互接続の効率が高く、安定性の高い構造体を形成することができる0.25ミクロン以下のVLSIプロセスに広く適用されてきた。
【0005】
図1〜図5について説明すると、これらの図はデュアルダマシン構造体を形成するための従来のプロセスを示す。最初に、図1に示すように、第一の金属間誘電104が、第一の金属ライン102を含む半導体基板100上に形成される。第一の金属間誘電104は酸化シリコン(SiO2)である。次に、エッチング・ストップ層として使用されるストップ層106が、化学蒸着法(CVD)により、第一の金属間誘電層104上に形成される。前記ストップ層106の材料は、窒化シリコン(SiNx)または類似の材料である。次にビアホールの第一のフォトレジスト・パターン108が前記ストップ層106上に形成され、その後、前記第一のフォトレジスト・パターン108により保護されていない前記ストップ層106および第一の金属間誘電層104が、対応する第一の金属ライン102の上にできる第一の開口部110が形成されるまで異方性エッチングによりエッチングされる。この第一の開口部の深さは浅い。
【0006】
図2について説明すると、第一のフォトレジスト・パターン108を除去した後で、第二の金属間誘電層112がストップ層106全体の上に形成され、第一の開口部110の内部が満たされる。第二の金属間誘電層の材料は、酸化シリコンのような第一の金属間誘電層104の材料と同じものである。図3について説明すると、第二のフォトレジスト・パターン114は、第二の金属間誘電層112上に形成され、その後、第二のフォトレジスト・パターン114によって保護されていない第二の金属間誘電層112、ストップ層106および第の金属間誘電層104が、異方性エッチングによりエッチングされる。それ故、第二の金属ライン・トレンチ116は、第一の開口部110を通して形成され、その結果、第一の金属ライン102の表面が露出され、ビアホール118が形成される。そのうえ、多数の第三の金属ライン・トレンチ120が、第二の金属ライン・トレンチ116の一方の側方で形成され、これら第三の金属ライン・トレンチ120が金属ライン・トレンチのいわゆる高集積度領域である領域121上に形成される。第二の金属ライン・トレンチ116の底部およびビアホール118の頂部が連絡していて、ストップ層106が第三の金属ライン・トレンチ120の底部で露出していることに留意されたい。
【0007】
図4について説明すると、第二のフォトレジスト・パターン114を除去した後、接着層122が、第二の金属間誘電層112の表面に、第二の金属ライン・トレンチ116、ビアホール118および第三の金属ライン・トレンチ120の側壁部および底部に沿って形成される。接着層122の材料は、隣接する層の材料間の接着をよりよくするために、チタン、窒化チタン、タンタルまたは窒化タンタルであり、半導体基板100の表面とその後で蒸着された導体との間のスパイク現象を防止するためのバリアとしての機能を持つ。次に、金属層124が、接着層122の上に形成され、第二の金属ライン・トレンチ116、ビアホール118および第三の金属ライン・トレンチ120の内側が充填される。化学的機械的研磨(CMP)により、第二の金属間誘電層112より高い金属124および接着層122が研磨され、表面が図5に示すように平らにされる。金属層124および接着層122が第二の金属ライン・トレンチ116、ビアホール118および第三の金属ライン・トレンチ120に残り、第二の金属ライン116a、第一の金属ライン102第二の金属ライン106aを接続しているビアプラグ118a、および第三の金属ライン120a形成される
【0008】
第二の金属間誘電層112より高い金属層124を研磨した後で、接着層122が研磨される。しかし、接着層122の材料は、金属層124とは異なり、その結果、接着層122を除去するのは難しい。研磨のために露出している接着層の面積が大きい場合には、接着層を除去するには長い時間が掛かり、研磨が過度になり、その結果、金属ラインまたは誘電層が浸食され、そのため金属ラインの厚さが薄くなる。金属ラインの間隔が広い場合には、浸食の問題は重大なものではない。金属ラインの間隔が狭くな、特に近代技術の0.18ミクロン以下になると、過度の研磨による金属ラインの浸食はますます重大な問題になる。金属ラインの厚さが薄くなる、金属ラインの抵抗が増大し、金属ラインの電気伝導度が低下する。
【0009】
すでに説明したように、疑似金属ライン・パターンを使用する他の従来の方法は、過度の研磨による金属ラインの厚さの減少と、抵抗の増大を防止するためのものである。図6〜図10は、疑似金属ライン・パターンによる、デュアルダマシン構造体を形成するための方法の断面である。図6について説明すると、第一の金属間誘電層204およびストップ層206は、第一の金属ライン202を含む半導体基板200上に形成される。この場合、その材料が酸化シリコンである第一の金属間誘電層204は基板200上に形成され、その材料が窒化シリコンであるストップ層206は第一の金属間誘電層204上に形成される。次に、ビアホールの第一のフォトレジスト・パターン208がストップ層206上に形成され、その後、第一のフォトレジスト・パターン208により保護されていないストップ層206および第一の金属間誘電層204の一部が異方性エッチングによりエッチングされ、第一の開口部210が形成される。
【0010】
その後、図7に示すように、第一のフォトレジスト・パターン208を除去した後で、その材料が酸化シリコンのような、誘電層204の材料と同じ第二の金属間誘電層212がストップ層206上に形成され、第一の開口部210内部が充填される。その後、図8に示すように、集中的な金属ライン領域221および疑似金属ライン領域223を含む第二のフォトレジスト・パターン214が第二の金属間誘電層212上に形成される。その後、第二のフォトレジスト・パターン214により保護されていない第二の金属間誘電層212およびストップ層206、ストップ層206が若干エッチングされるまでエッチングされる。さらに、第一の開口部210部分の第一の金属間誘電層204がエッチングされる。それにより、第二の金属ライン・トレンチ216、および第一の金属ライン202上のビアホール218、集中的な金属ライン領域221における第三の金属ライン・トレンチ220、および疑似金属ライン領域223における疑似金属ライン・トレンチ226が形成される。それ故、第二の金属ライン・トレンチ216の底部ビアホール218の頂部が連絡し、第の金属ライン202の表面がビアホール218の底部に露出される。また、その底部がストップ層206の表面より少し低い第三の金属ライン・トレンチ220は、第二の金属ライン・トレンチ216の一方の側に位置する。さらに、その底部ストップ層206の表面より若干低い疑似金属ライン・トレンチ226は、第二の金属ライン・トレンチ216の他方の側に位置している。
【0011】
図9について説明すると、第二のフォトレジスト・パターン214を除去した後で、その材料が異なる層の間の接着力を増大させる、チタン、窒化チタン、タンタルまたは窒化タンタルである接着層222が、第二の金属間誘電層212上に、ビアホール218、第三の金属ライン・トレンチ220および疑似金属ライン・トレンチ226の側壁部および底部に沿って形成される。接着層222、半導体基板200のシリコン表面と、その後で蒸着された導体との間のスパイク現象を防止するためのバリアとしての機能持つ。その後、金属層224が接着層222の上に形成され、第二の金属ライン・トレンチ216、ビアホール218および第三の金属ライン・トレンチ220と疑似金属ライン・トレンチ226の内側が充填される。最後に、図10に示すように、化学的機械的研磨(CMP)により、第二の金属間誘電層212より高い、前記接着層222および金属層224の一部が研磨される。その結果、第二の金属ライン216a、ビアプラグ218aおよび多数の第三の金属ライン220aならびに疑似金属ライン226aが形成される。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
すでに説明したように、多数の疑似金属ライン226aを備える疑似金属ライン領域223aが、後で除去しなければならない接着層の面積を少なくするので、研磨時間を短縮することができる。それ故、金属ラインの厚さは薄くならないで、そのため上記の従来の方法のように、金属ラインの抵抗が増大することはない。しかし、疑似金属ライン226aにより、導体ラインの間に寄生容量が生じ、電流が装置を通って流れると、装置動作速度が低下する。
【0013】
結論からいうと、従来の方法は下記の多数の欠点を持つ。
【0014】
(1)デュアルダマシン構造体を形成するとき、疑似金属ライン・パターンの助けを借りない場合は、CMPによる金属ラインの過度の研磨により、金属ラインの浸食が起こる。特に、金属ライン間の幅が狭場合には、金属ラインの厚さが、ますます薄くなってしまう。
【0015】
(2)デュアルダマシン構造体を形成するとき、疑似金属ライン・パターンを使用する場合は、金属ラインの厚さは薄くはならない。しかし、装置がオンすると、導体ライン間の寄生容量が増大し、その結果、装置の動作速度が低下する。
【0016】
本発明の目的は、疑似金属ラインを使用した改良型のデュアルダマシン構造体とその形成方法を提供することある。
【0017】
【課題を解決するための手段】
本発明のデュアルダマシン構造体は、半導体基板と、前記半導体基板の表面部内に位置する第一の金属ラインと、前記半導体基板の全面上に位置する第一の金属間誘電層と、前記第一の金属間誘電層上に位置するストップ層と、前記ストップ層と前記第一の金属間誘電層に形成され、前記第一の金属ラインに到達するビアホールと、前記ビアホールの一方の側方で前記ストップ層に形成された開口部と、前記開口部を充填して前記ストップ層上全面に形成され、前記開口部上の表面においては、前記開口部に起因して擬似金属ライン・トレンチとしての浅い溝が形成された第二の金属間誘電層と、前記ビアホールに連通して前記第二の金属間誘電層に形成された第二の金属ライン・トレンチと、表面に前記浅い溝を有しない前記第二の金属ライン・トレンチの一方の側方の領域で前記第二の金属間誘電層に形成された第三の金属ライン・トレンチと、接着層と金属層からなり、前記第三の金属ライン・トレンチに形成された第三の金属ラインと、接着層と金属層からなり、前記第二の金属ライン・トレンチおよびビアホールに形成された第二の金属ラインおよびビアプラグと、接着層と金属層からなり、擬似金属ライン・トレンチとしての前記浅い溝に、前記第二および第三の金属ラインと同じ高さで形成された擬似金属ラインとを備えることを特徴とする。
【0018】
本発明のデュアルダマシン構造体の形成方法は、表面部内に第一の金属ラインを含む半導体基板上の全面に第一の金属間誘電層を形成し、その第一の金属間誘電層上にストップ層を形成し、そのストップ層上に第一のフォトレジスト・パターンを形成するステップと、前記第一のフォトレジスト・パターンをマスクとして前記ストップ層をエッチングすることにより、前記第一の金属ライン上に位置する第一の開口部、およびその第一の開口部の一方の側方に位置する第二の開口部を前記ストップ層に形成するステップと、前記第一のフォトレジスト・パターンを除去した後、前記第一の開口部および第二の開口部を充填して前記ストップ層上の全面に第二の金属間誘電層を形成することにより、前記第二の開口部上の前記第二の金属間誘電層表面には、擬似金属ライン・トレンチとしての浅い溝を形成するステップと、前記第二の金属間誘電層上に第二のフォトレジスト・パターンを形成するステップと、前記第二のフォトレジスト・パターンをマスクとして前記第二および第一の金属間誘電層をエッチングすることにより、前記第一の開口部を、前記第一の金属ラインに到達するビアホールに形成するとともに、このビアホールに連通する第二の金属ライン・トレンチを前記第二の金属間誘電層に形成し、さらに、表面に前記浅い溝を有しない前記第二の金属ライン・トレンチの一方の側方の領域で前記第二の金属間誘電層に第三の金属ライン・トレンチを形成するステップと、前記第二のフォトレジスト・パターンを除去した後、前記第三の金属ライン・トレンチ、前記第二の金属ライン・トレンチとビアホールおよび前記疑似金属ライン・トレンチとしての浅い溝を充填して前記第二の金属間誘電層上の全面に接着層および金属層を形成するステップと、前記金属層および接着層を、前記第二の金属間誘電層の表面まで化学的機械的研磨により研磨することにより、残存金属層および残存接着層からなる第三の金属ラインを前記第三の金属ライン・トレンチに形成すると同時に、残存金属層および残存接着層からなる第二の金属ラインおよびビアプラグを前記第二の金属ライン・トレンチおよびビアホールに形成し、さらに、残存金属層および残存接着層からなる疑似金属ラインを前記疑似金属ライン・トレンチとしての浅い溝に、前記第二および第三の金属ラインと同じ高さに形成するステップとからなることを特徴とする。
0019
【発明の実施の形態】
図11〜図15は、本発明の好適な実施形態を工程別に示す素子断面である。図11について説明すると、第一の金属ライン302を含む半導体基板300が用意され、この基板300全体の上に、材料として酸化シリコンを使用することができる第一の金属間誘電層304が形成される。次に、ストップ層306が第一の金属間誘電層304上に蒸着されるが、その厚さは約1000Å−1500Åである。その後、ビアホールを形成するためのパターンと疑似金属ライン・パターン314を持つ第一のフォトレジスト・パターン308がストップ層306上に形成される。その後、第一のフォトレジスト・パターン308で保護されていないストップ層306および第一の金属間誘電層304が、第一の金属間誘電層304が若干エッチングされるまで、異方性乾式エッチングによりエッチングされる。それ故、第一の開口部312が、第一の金属ライン302上に位置してストップ層306に形成され、多数の第二の開口部310が、第一の開口部312の一方の側方でストップ層306に形成される。第一の金属間誘電層304の表面は若干エッチングされ、前記第一の開口部312および第二の開口部の底部で露出する。ストップ層306の一部エッチングにより除去されるので、ストップ層306と他の層との間の応力が減少する。
0020
次に、図12に示すように、第一のフォトレジスト・パターン308を除去した後で、第二の金属間誘電層316がストップ層306の上に形成され、第一の開口部312および多数の第二の開口部310が充填される。ストップ層306が第一の開口部312および第二の開口部310を持っているので、第二の金属間誘電層316の表面の状態はギザギザになり、そのため、第二の金属間誘電層316に、それぞれ開口部310、312に対応して、多数の浅い金属ラインの溝318が形成される。第二の金属間誘電層316の材料は、酸化シリコンまたは類似の材料のような、第一の金属間誘電層304の材料と同じものであり、そのため、第一および第二の金属間誘電層を金属間誘電層317と呼ぶことができる。
0021
その後、図13に示すように、第二のフォトレジスト・パターン320が金属間誘電層317上に形成される。そして、第二のフォトレジスト・パターン320で保護されていない金属間誘電層317が異方性エッチングによりエッチングされる。その結果、第一の開口部312部分の第一の金属間誘電層304がエッチングされて、第一の開口部312が、第一の金属ライン302に到達するビアホール324となる。また、このビアホール324の上部で第二の金属ライン・トレンチ322が第二の金属間誘電層316に形成される。さらに、疑似金属ライン・トレンチとしての浅い溝318が存在しない第二の金属ライン・トレンチ322の一方の側方の領域で、第二の金属間誘電層316に多数の第三の金属ライン・トレンチ326が形成される。ここで、第二の金属ライン・トレンチ322の底部ビアホール324の頂部は相互に連絡していて、第一の金属ライン302の表面はビアホール324の底部で露出する。ストップ層306は第三の金属ライン・トレンチ326の底部で露出する。
0022
図14について説明すると、薄い接着層328が、第二の金属ライン・トレンチ322、ビアホール324、第三の金属ライン・トレンチ326の側壁部および底部に沿うかた ちで、浅い金属ライン溝318および金属間誘電層317の表面上に形成される。接着層328の材質は、チタン、窒化チタン、タンタルまたは窒化タンタルで、その厚さは約300Å−400Åであり、この接着層により、二つの層の間の接着力を増大させることができる。接着層328は、またその後蒸着される導体とシリコン基板300との間の接合部で起こるスパイク現象を防止するバリアの働きをする。その後、金属層330が接着層328上に蒸着され、第二の金属ライン・トレンチ322、ビアホール324、第三の金属ライン・トレンチ326、および浅い金属ライン溝318が充填される。このとき、ギザギザの表面と金属間誘電層317の開口部により、金属層の表面はギザギザになる。
0023
次に、図15に示すように、金属間誘電層317より高いところにある金属層330および接着層328が化学的機械的研磨(CMP)により研磨される。その結果、第二の金属ライン・トレンチ322、第三の金属ライン・トレンチ326および浅い疑似金属ライン溝318の内側を充填している金属層330および接着層328は、金属間誘電層317と同じ高さとなり、第二の金属ライン・トレンチ322には第二の金属ライン322a、第二の金属ライン322aの下のビアホール324内にはビアプラグ324a、第三の金属ライン・トレンチ326内には第三の金属ライン326a、疑似金属ライン・トレンチとしての浅い溝318には浅い疑似金属ライン318aが形成される。浅い疑似金属ライン318aが存在して、研磨しなければならない接着層の面積が減るので、従来の方法のように、金属ラインの厚さを薄くし、抵抗を大きくする金属ラインの過度の研磨が起こらなくなる。さらに、浅い疑似金属ラインの厚さは薄く、浅い疑似金属ラインによる寄生容量は小さいので、装置の動作速度は低下しない。
0024
【発明の効果】
上記好適な実施形態の場合には、本発明は下記の利点を持つ。
0025
(1)浅い疑似金属ラインが存在するために、研磨しなければならない接着層の面積が減り、そのため、研磨時間も短くなり、その結果、金属ラインの厚さが過度に研磨されない。
0026
(2)疑似金属ラインの深さは浅い。そのため、装置がオンになった場合、浅い疑似金属ラインによる寄生容量は小さく、装置の動作速度に対する影響が最も少ない。
0027
(3)追加のステップを必要としないので、製造コストの増大を防止できる。
0028
(4)浅い疑似金属ラインの下のストップ層がエッチングにより除去され、その結果、その材質が通常窒化シリコンであるストップ層による層間応力が減少する。
0029
好適な実施形態を例に使用して、本発明を説明してきたが、上記説明は本発明を制限するものではない。当業者であれば、前記実施形態を種々に修正できることは明らかであろう。それ故、添付の特許請求の範囲は、上記すべての修正および実施形態を本発明の範囲内に含む。
【図面の簡単な説明】
【図1】 デュアルダマシン構造体を形成する従来の方法の工程別素子断面図である(その1)。
【図2】 デュアルダマシン構造体を形成する従来の方法の工程別素子断面図である(その2)。
【図3】 デュアルダマシン構造体を形成する従来の方法の工程別素子断面図である(その3)。
【図4】 デュアルダマシン構造体を形成する従来の方法の工程別素子断面図である(その4)。
【図5】 デュアルダマシン構造体を形成する従来の方法の工程別素子断面図である(その5)。
【図6】 疑似金属ライン・パターンを使用する、デュアルダマシン構造体を形成する他の従来の方法の工程別素子断面図である(その1)。
【図7】 疑似金属ライン・パターンを使用する、デュアルダマシン構造体を形成する他の従来の方法の工程別素子断面図である(その2)。
【図8】 疑似金属ライン・パターンを使用する、デュアルダマシン構造体を形成する他の従来の方法の工程別素子断面図である(その3)。
【図9】 疑似金属ライン・パターンを使用する、デュアルダマシン構造体を形成する他の従来の方法の工程別素子断面図である(その4)。
【図10】 疑似金属ライン・パターンを使用する、デュアルダマシン構造体を形成する他の従来の方法の工程別素子断面図である(その5)。
【図11】 本発明の浅い疑似金属ライン・パターンを使用する、デュアルダマシン構造体を形成する方法の工程別素子断面図である(その1)。
【図12】 本発明の浅い疑似金属ライン・パターンを使用する、デュアルダマシン構造体を形成する方法の工程別素子断面図である(その2)。
【図13】 本発明の浅い疑似金属ライン・パターンを使用する、デュアルダマシン構造体を形成する方法の工程別素子断面図である(その3)。
【図14】 本発明の浅い疑似金属ライン・パターンを使用する、デュアルダマシン構造体を形成する方法の工程別素子断面図である(その4)。
【図15】 本発明の浅い疑似金属ライン・パターンを使用する、デュアルダマシン構造体を形成する方法の工程別素子断面図である(その5)。
【符号の説明】
300:シリコン基板
302:第一の金属ライン
304:第一の金属間誘電層
306:ストップ層
308:第一のフォトレジスト・パターン
310:第二の開口部
312:第一の開口部
314:疑似金属ライン・パターン
316:第二の金属間誘電層
317:金属間誘電層
318:疑似金属ライン・トレンチ
320:第二のフォトレジスト・パターン
322:第二の金属ライン・トレンチ
324:ビアホー
326:第三の金属ライン・トレンチ
328:接着層
330:金属層
322a:第二の金属ライン
324a:ビアプラグ
326a:第三の金属ライン
318a:疑似金属ライン

Claims (11)

  1. 半導体基板と、
    前記半導体基板の表面部内に位置する第一の金属ラインと、
    前記半導体基板の全面上に位置する第一の金属間誘電層と、
    前記第一の金属間誘電層上に位置するストップ層と、
    前記ストップ層と前記第一の金属間誘電層に形成され、前記第一の金属ラインに到達するビアホールと、
    前記ビアホールの一方の側方で前記ストップ層に形成された開口部と、
    前記開口部を充填して前記ストップ層上全面に形成され、前記開口部上の表面においては、前記開口部に起因して擬似金属ライン・トレンチとしての浅い溝が形成された第二の金属間誘電層と、
    前記ビアホールに連通して前記第二の金属間誘電層に形成された第二の金属ライン・トレンチと、
    表面に前記浅い溝を有しない前記第二の金属ライン・トレンチの一方の側方の領域で前記第二の金属間誘電層に形成された第三の金属ライン・トレンチと、
    接着層と金属層からなり、前記第三の金属ライン・トレンチに形成された第三の金属ラインと、
    接着層と金属層からなり、前記第二の金属ライン・トレンチおよびビアホールに形成された第二の金属ラインおよびビアプラグと、
    接着層と金属層からなり、擬似金属ライン・トレンチとしての前記浅い溝に、前記第二および第三の金属ラインと同じ高さで形成された擬似金属ラインと
    を備えることを特徴とするデュアルダマシン構造体。
  2. 請求項1記載のデュアルダマシン構造体において、前記第一および第二の金属間誘電層の材質が酸化シリコンであることを特徴とするデュアルダマシン構造体。
  3. 請求項1記載のデュアルダマシン構造体において、前記ストップ層の材質が窒化シリコンであることを特徴とするデュアルダマシン構造体。
  4. 請求項1記載のデュアルダマシン構造体において、前記ストップ層の厚さが1000Å−1500Åであることを特徴とするデュアルダマシン構造体。
  5. 請求項1記載のデュアルダマシン構造体において、接着層の厚さが300Å−400Åであることを特徴とするデュアルダマシン構造体。
  6. 請求項1記載のデュアルダマシン構造体において、接着層の材質が窒化チタンであることを特徴とするデュアルダマシン構造体。
  7. 表面部内に第一の金属ラインを含む半導体基板上の全面に第一の金属間誘電層を形成し、その第一の金属間誘電層上にストップ層を形成し、そのストップ層上に第一のフォトレジスト・パターンを形成するステップと、
    前記第一のフォトレジスト・パターンをマスクとして前記ストップ層をエッチングすることにより、前記第一の金属ライン上に位置する第一の開口部、およびその第一の開口部の一方の側方に位置する第二の開口部を前記ストップ層に形成するステップと、
    前記第一のフォトレジスト・パターンを除去した後、前記第一の開口部および第二の開口部を充填して前記ストップ層上の全面に第二の金属間誘電層を形成することにより、前記第二の開口部上の前記第二の金属間誘電層表面には、擬似金属ライン・トレンチとしての浅い溝を形成するステップと、
    前記第二の金属間誘電層上に第二のフォトレジスト・パターンを形成するステップと、
    前記第二のフォトレジスト・パターンをマスクとして前記第二および第一の金属間誘電層をエッチングすることにより、前記第一の開口部を、前記第一の金属ラインに到達するビアホールに形成するとともに、このビアホールに連通する第二の金属ライン・トレンチを前記第二の金属間誘電層に形成し、さらに、表面に前記浅い溝を有しない前記第二の金属ライン・トレンチの一方の側方の領域で前記第二の金属間誘電層に第三の金属ライン・トレンチを形成するステップと、
    前記第二のフォトレジスト・パターンを除去した後、前記第三の金属ライン・トレンチ、前記第二の金属ライン・トレンチとビアホールおよび前記疑似金属ライン・トレンチとしての浅い溝を充填して前記第二の金属間誘電層上の全面に接着層および金属層を形成するステップと、
    前記金属層および接着層を、前記第二の金属間誘電層の表面まで化学的機械的研磨により研磨することにより、残存金属層および残存接着層からなる第三の金属ラインを前記第三の金属ライン・トレンチに形成すると同時に、残存金属層および残存接着層からなる第二の金属ラインおよびビアプラグを前記第二の金属ライン・トレンチおよびビアホールに形成し、さらに、残存金属層および残存接着層からなる疑似金属ラインを前記疑似金属ライン・トレンチとしての浅い溝に、前記第二および第三の金属ラインと同じ高さに形成するステップと
    からなることを特徴とするデュアルダマシン構造体の形成方法。
  8. 請求項7記載のデュアルダマシン構造体の形成方法において、前記第一および第二の金属間誘電層の材質がそれぞれ酸化シリコンであることを特徴とするデュアルダマシン構造体の形成方法。
  9. 請求項7記載のデュアルダマシン構造体の形成方法において、前記ストップ層の材質が窒化シリコンであることを特徴とするデュアルダマシン構造体の形成方法。
  10. 請求項7記載のデュアルダマシン構造体の形成方法において、前記ストップ層の厚さが1000Å−1500Åであることを特徴とするデュアルダマシン構造体の形成方法。
  11. 請求項7記載のデュアルダマシン構造体の形成方法において、前記接着層の厚さが300Å−400Åであることを特徴とするデュアルダマシン構造体の形成方法。
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