JP3667843B2 - 半導体集積回路装置及びこれを用いた無電池方式のrfid - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路装置およびこれに用いた無電池方式のRFID(Radio Frequency Indentification )に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、IC(集積回路)を内蔵したICカードが様々な分野で利用されつつある。従来のICカードは、EEPROM(電気的に消去可能なプログラマブルROM)を内蔵しており、上記EEPROMにデータを記憶したり、このEEPROMに記憶されているデータを用いて所定の命令を実行したりするようになされていた。
【0003】
しかし、このようなICカードを使用する場合は、カードリーダなどの専用の読み取り装置にICカードを挿入しなくてはならないため、非常に面倒であった。そこで、最近では、無線周波数帯の電波を使ってホスト側とデータをやり取りすることにより、カードを一々挿入することなく簡便に操作できるようにした非接触方式のICカード、すなわち、RFID(Radio Frequency Indentification )あるいはデータキャリアが提案されるに至っている。
【0004】
ところで、上記RFIDを動作させるためには、その内蔵ICに電力を供給することが必要である。そのため、従来は、IC駆動用の電池を内蔵したRFIDが多く提案されていた。一方、近年ではホスト側から送られてくる電波を利用して内部で電力をつくり出すことができるようにした無電池方式のRFIDも提案されている。
【0005】
すなわち、このような無電池方式のRFIDでは、ホスト側から送られてくる電波から電磁誘導により交流電圧を発生させ、それを直流電圧に整流することにより、IC駆動に必要な電力を内部でつくり出すことができるようになされていた。
【0006】
従来、このような無電池方式のRFIDは、種々のデータを記憶するためのEEPROMと、上記EEPROMに記憶されているデータに従って動作するロジック回路と、電波を使ってホスト側とデータのやり取りを行うためのRF部と、ホスト側から送られてくる電波を用いて電力をつくり出すパワー部とを備えるのが一般的であった。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したように、従来の無電池方式のRFIDでは、IC内部の動作を制御するのはロジック回路であった。このため、データの書き換えが可能なEEPROMを内蔵したICが備えているにもかかわらず、IC内部の制御プロトコルを自由に組むことはできなかった。また、制御速度もそれほど速くなく、処理に時間がかかるという問題もあった。
【0008】
本発明は、このような問題を解決するために成されたものであり、RFIDを制御するためのプロトコルを自由に組むことができるようにするとともに、処理速度を速くできるようにすることを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体集積回路装置は、データを記憶するための記憶手段と、上記記憶手段の記憶内容に従って動作するCPUと、上記CPUによる制御に従って外部との間で電波によるデータの送受信を行う送受信手段と、上記外部より送信されてくる電波から電磁誘導により交流電流を発生する電圧発生手段と、上記電圧発生手段により発生される交流電流を直流電圧に整流して内部電源電圧をつくり出す電圧整流手段と、上記電圧整流手段によりつくり出される内部電源電圧のレベルが所定の第1のしきい値を下回った場合、上記記憶手段をリセットしてデータの書き込みを禁止し、上記所定の第1のしきい値より小さな所定の第2のしきい値を下回った場合、上記CPUをリセットするリセット手段とを備え、上記CPUを構成する演算装置用に備えられているデータ格納用のレジスタの一部と上記送受信手段とを直接接続したことを特徴とする。
本発明の無電池方式のRFIDは、データを記憶するための記憶手段と、上記記憶手段の記憶内容に従って動作するCPUと、上記CPUによる制御に従って外部との間で電波によるデータの送受信を行う送受信手段と、上記外部より送信されてくる電波から電磁誘導により交流電流を発生する電圧発生手段と、上記電圧発生手段により発生される交流電流を直流電圧に整流して内部電源電圧をつくり出す電圧整流手段と、上記電圧整流手段によりつくり出される内部電源電圧のレベルが所定の第1のしきい値を下回った場合、上記記憶手段をリセットしてデータの書き込みを禁止し、上記所定の第1のしきい値より小さな所定の第2のしきい値を下回った場合、上記CPUをリセットするリセット手段とを備え、上記CPUを構成する演算装置用に備えられているデータ格納用のレジスタの一部と上記送受信手段とを直接接続したことを特徴とする。
【0014】
本発明は上記技術手段より成るので、近年におけるCPUの高度な処理能力の活用により、例えば、従来のロジック回路では行うことが困難であった2以上の処理の並列化を容易に行うことが可能となる。また、CPU用のデータ格納用に設けられているレジスタの一部がCPUと送受信手段との間でデータ転送を行うためのI/Oレジスタとして用いられ、例えば、送受信手段で受信されたデータが、所定の演算を行うために格納することが必要なレジスタにダイレクトに入力されることとなり、I/Oポートを介してデータ転送を行っていた従来と比べて、データ入出力のための処理ステップを少なくすることが可能となる。
また本発明においては、電圧整流手段によりつくり出される内部電源電圧のレベルが所定の第1のしきい値を下回った場合、記憶手段をリセットしてデータの書き込みを禁止し、上記所定の第2のしきい値を下回った場合、CPUをリセットするように構成している。即ち、電圧整流手段において生成される直流電圧が徐々に小さくなっていく過程で、まず最初に記憶手段をリセットしてデータの書き込みを禁止した後で、CPUをリセットするように構成している。これにより、CPUがリセットされるときには、記憶手段へのデータの書き込みが必ず禁止されている状態にすることができ、リセット時におけるCPUの誤動作によって誤ったデータが記憶手段に書き込まれてしまうという不都合をなくすことができる。
【0015】
また、CPUは、記憶手段に記憶されているプログラム等に従って動作するので、上記記憶手段内のプログラムを変更することによってCPUの制御プロトコルを自由に組むことが可能となる。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。
図1は、本実施形態による無電池方式のRFIDの特徴を最もよく表す構成図であり、図2は、本実施形態の無電池方式のRFIDの全体構成を概略的に示すブロック図である。
【0017】
まず、図2を用いて本実施形態による無電池方式のRFIDの全体構成および動作について簡単に説明する。
図2において、21はCPU、22はROM、23はEEPROMであり、ROM22やEEPROM23には、CPU21の実行プログラムや種々のデータが記憶されるようになっている。
【0018】
上記ROM22の記憶容量は、例えば1024ワード×12ビットであり、上記EEPROM23の記憶容量は、例えば2048ワード×12ビットである。これらのROM22およびEEPROM23は、同一のメモリ空間に位置している。そのうち、EEPROM23のメモリ空間においては、上記CPU21の実行プログラムや種々のデータの書き換えが可能である。
【0019】
すなわち、CPU21は、ROM22やEEPROM23の記憶内容に従って種々の命令を実行するが、その命令そのものをEEPROM23を使って自由に書き換えることが可能である。つまり、CPU21の実行プログラムをRFIDの外部から自由に書き換えることが可能である。
【0020】
このように、本実施形態では、従来の無電池方式のRFIDにおいてロジック回路を用いていた代わりに、CPU21を用いている。CPU21を内蔵することにより、命令実行のプロトコルを自由に組むことができるようになるだけでなく、多数のRFIDで送受信される電波の同時認識もできるようになる。
【0021】
つまり、本実施形態のRFIDでは、専用の読み取り装置にICカード等を挿入することなく、電波を使って非接触でデータのやり取りを行っているため、図示しないホストとの間で通信可能な距離の中に複数のRFIDが存在する場合に、上記複数のRFIDとホストとの間で複数の電波が同時に送受信されることが考えられる。
【0022】
また、従来のロジック回路では、受信した電波がホスト側から出力されたものなのか他のRFIDから出力されたものなのかを識別することができなかったが、CPU21を内蔵する本実施形態のRFIDではこれを識別することができる。これにより、ホスト以外の他のRFIDから送られてくるデータに従って内蔵ICの動作が制御されないようにすることができ、内蔵ICが誤動作を起こさないようにすることができる。
【0023】
また、従来のロジック回路では1つの動作が終わるまで次の動作を行うことができないのに対して、CPU21では複数の動作を同時に行うことができる。例えば、EEPROM23へのデータの書き込み中に、ROM22に記憶されているデータを読み出して処理することができる。
【0024】
このように、近年開発されているCPUは非常に処理能力が高く、種々の処理を非常に高速に行うことができる。このため、CPU21を内蔵した本実施形態の無電池方式のRFIDでは、ロジック回路を使用していた従来のRFIDに比べて、全体としての処理時間を短くすることもできるようになる。
【0025】
上記CPU21と上記ROM22、および上記CPU21と上記EEPROM23との間のデータのやり取りは、それぞれアドレスバス25およびデータバス26を介して行われる。上記アドレスバス25およびデータバス26のバス幅は、共に12ビットである。また、CPU21内に備えられている図示しないALU(算術論理演算ユニット)やレジスタの1ワードも12ビットである。
【0026】
このように、バス幅、およびALUやレジスタの1ワードを12ビットとすることにより、CPU21の1つの命令を構成するオペコードおよびオペランドを1ワードで記述することが可能となる。また、イミディエートアドレスも1ワードで記述することが可能となる。
【0027】
24はパワー/RF部である。このパワー/RF部24は、電波(例えば、無線周波数帯などの高周波の電波)を使って、図示しないホスト側の装置との間で種々のデータを送受信するRF部と、上記ホスト側から送られてくる電波を用いて内部電源電力をつくり出すパワー部とを兼ね備えている。
【0028】
すなわち、上記パワー/RF部24に備えられているいくつかの端子のうち、S1,S2は電波の送受信用端子であり、これら2つの電波送受信用端子S1,S2を介して本実施形態のRFIDと図示しないホスト側とで電波によりデータを送受信するようになっている。
【0029】
また、上記電波送受信用端子S1,S2には、同調用コイル30とコンデンサ31とから成る共振回路が接続されている。そして、この共振回路に外部のホストから送信される電波によって発生する磁界の変化に応じて同調用コイル30に交流電圧が誘導される。パワー/RF部24は、このようにして誘導された交流電圧を上記電波送受信用端子S1,S2を介して入力し、それを直流電圧に整流することにより内部電源電力を得るようにしている。
【0030】
上記パワー/RF部24で生成された直流電圧は、内部電圧端子CVddおよび内部グランド端子CGNDを介して出力される。上記内部電圧端子CVddおよび内部グランド端子CGNDには、平滑化コンデンサ32が接続されており、出力される直流電圧の安定化が図られている。
【0031】
上記パワー/RF部24は、I/Oバス27を介してCPU21、タイマー28およびシリアルI/Oポート29に接続されている。後述するように、本実施形態による無電池方式のRFIDでは、CPU21を単に内蔵しただけでなく、パワー/RF部24とCPU21との接続の仕方を工夫することにより、全体としての処理速度を更に速くすることができるようにしている。
【0032】
また、本実施形態では、タイマー28を内蔵することにより、ソフトウェアによるリセット動作を実現することが可能となる。このタイマー28は、例えば、24ビットタイマーで構成される。また、上記シリアルI/Oポート29には3つの入出力端子I/O0 ,I/O1 ,I/O2 が接続されており、これらの入出力端子I/O0 ,I/O1 ,I/O2 を介して外部負荷を接続することが可能である。外部負荷としては、例えばLED(図示せず)を用いることができる。
【0033】
このようにLEDを接続した場合は、本実施形態のRFIDとホストとが近づいて通信可能な範囲内に入ったときにLEDが点灯するようにすることができ、通信が可能かどうかをユーザが一目で分かるようにすることができる。この外部負荷であるLEDを駆動するための電源をつくり出すのも上記パワー/RF部24である。なお、LEDの代わりにブザーなどを用いても良い。
【0034】
本実施形態の半導体集積回路装置は、上述したCPU21、ROM22、EEPROM23、パワー/RF部24、アドレスバス25、データバス26、I/Oバス27、タイマー28およびシリアルI/Oポート29が1チップ化されて構成される。
【0035】
次に、上記したCPU21の内部構成を図3に示す。
図3において、1はレジスタファイル(レジスタ群)、2は命令デコーダ、3はALU、4はフラグレジスタ、5はアドレスバッファ、6はデータバッファ、7は論理演算バスである。また、アドレスバス25およびデータバス26は、図2に示したものと同じである。
【0036】
上記レジスタファイル1は、ALU3で使用する種々のデータを一時的に格納するものである。図3の例では、16ワード×12ビットの記憶容量を有している。本実施形態では、16ワード分のレジスタのうち、第0ワードのレジスタR0をプログラムカウンタとして用いている。また、第15ワードのレジスタR15は、上述したパワー/RF部24との間で直接的にデータの入出力を行うためのI/Oレジスタとして用いている。なお、これについての詳細は後述する。
【0037】
上記命令デコーダ2は、図2のROM22あるいはEEPROM23からデータバス26を介して与えられる命令を解読するものである。この命令デコーダ2は、解読した命令に従って所定の制御信号をレジスタファイル1に出力する。これにより、上記レジスタファイル1から所定のデータが読み出され、あるいは上記レジスタファイル1に所定のデータが書き込まれるようになっている。
【0038】
上記レジスタファイル1から読み出されたデータは、データAあるいはデータBとしてALU3に供給される。ALU3は、レジスタファイル1から受け取ったデータを用いて上記解読された命令に基づく算術論理演算を実行する。このとき、演算結果にキャリーが生じた場合には、そのキャリーをフラグレジスタ4に格納する。
【0039】
上記アドレスバッファ5は、図2のROM22やEEPROM23の読み出しアドレスおよび書き込みアドレスを格納するものである。すなわち、ALU3によってROM22またはEEPROM23の読み出しアドレスまたは書き込みアドレスが計算されたときは、そのALU3の演算結果は、論理演算バス7を介してアドレスバッファ5に格納される。
【0040】
また、上記データバッファ6は、EEPROM23に書き込むデータ、およびROM22やEEPROM23から読み出されたデータを格納するものである。すなわち、ALU3の演算結果をEEPROM23に書き込むときは、ALU3の演算結果は論理演算バス7を介してデータバッファ6に格納される。また、ROM22やEEPROM23に記憶されているデータをALU3で使用する場合には、上記ROM22やEEPROM23から読み出されたデータがデータバス26を介してこのデータバッファ6に格納される。
【0041】
また、ALU3の演算結果や上記データバッファ6に格納されたデータを用いてALU3で演算を実行するときは、ALU3の演算結果およびデータバッファ6内のデータは、論理演算バス7を介してレジスタファイル1に格納される。なお、上記論理演算バス7のバス幅は、アドレスバス25およびデータバス26と同様、12ビットである。
【0042】
この図3のような構成を持つCPU21と図2のパワー/RF部24との接続状態を詳しく示すと、図1のようになる。なお、この図1では、CPU21の内部構成だけでなく、パワー/RF部24の内部構成も詳しく示している。
【0043】
図1に示すように、本実施形態のパワー/RF部24は、電圧整流回路11と、電圧レギュレータ12と、リセット回路13と、FSK(周波数偏移変調)回路14と、PSK(位相偏移変調)回路15とを備えている。また、本実施形態による無電池方式のRFIDは、パワー/RF部24やCPU21内の各部の動作の基準となるクロックパルスMCLKを発生するための発振回路16も備えている。
【0044】
このようなパワー/RF部24の構成のうち、電圧整流回路11、電圧レギュレータ12およびリセット回路13により、上述した本実施形態のパワー部が構成される。また、FSK回路14およびPSK回路15により、上述した本実施形態のRF部が構成される。
【0045】
まず最初に、パワー部について説明する。
上記電圧整流回路11は、その入力側に2つの電波送受信用端子S1,S2が接続されるとともに、出力側に内部電圧端子CVddおよび内部グランド端子CGNDが接続されている。
【0046】
この電圧整流回路11は、2つの電波送受信用端子S1,S2より入力される単相の交流電圧を直流電圧に整流することにより、出力電圧がほぼ一定になるように制御するものである。この電圧整流回路11には、交流の両方向成分(1サイクル分の全て)を直流電圧に変換する全波整流回路を用いるのが好ましい。
【0047】
電圧レギュレータ12は、上記電圧整流回路11の出力側に並列に接続されている。すなわち、上記電圧レギュレータ12の一方の入力端子は上記内部電圧端子CVddに接続され、他方の入力端子は上記内部グランド端子CGNDに接続されている。これにより、上記電圧整流回路11で生成された直流電圧がこの電圧レギュレータ12に供給される。
【0048】
この電圧レギュレータ12は、上記電圧整流回路11で生成される直流電圧を一定レベル以下に抑えるように制御するものである。すなわち、上記電圧整流回路11より供給される直流電圧が所定のしきい値(例えば3V)を越えるかどうかを判断し、そのしきい値を越える場合はリミット動作をかけることにより、外部からの電波を使って生成する内部電源電圧の大きさが上記所定のしきい値よりも大きくならないように制御する。
【0049】
このような電圧レギュレータ12を設けることにより、本実施形態のRFIDと図示しないホストとの通信距離が短くなり、図2の同調用コイル30に誘導される交流電圧が非常に大きくなっても、内部電源電圧として使用する直流電圧の大きさが必要以上に大きくならないようにすることができる。これにより、RFIDとホストとが近づいたときに内蔵ICに過大な電力が供給されることを防ぎ、ICにかかる負担を少なくすることができる。
【0050】
また、リセット回路13は、上記電圧レギュレータ12と同様に、電圧整流回路11の出力側に並列に接続されている。すなわち、リセット回路13の一方の入力端子は上記内部電圧端子CVddに接続され、他方の入力端子は上記内部グランド端子CGNDに接続されている。これにより、上記電圧整流回路11で生成された直流電圧(電圧レギュレータ12でリミット動作がかけられているときはその電圧)がこのリセット回路13に供給される。
【0051】
このリセット回路13は、電圧整流回路11より供給される直流電圧のレベルが所定のしきい値より小さいときに、CPU21およびEEPROM23の動作をリセットするように制御するものである。このリセット回路13に用いられる上記所定のしきい値は、CPU21およびEEPROM23が正常に動作するのに十分な電圧レベルに設定される。
【0052】
このようなリセット回路13を設けることにより、本実施形態のRFIDと図示しないホストとの通信距離が長くなり、電圧整流回路11で生成される直流電圧の大きさが非常に小さくなったときに、CPU21およびEEPROM23が動作し続けることによって誤動作を起こしてしまうことを防ぐことができる。
【0053】
ところで、リセット回路13によりリセットがかけられた時点でRFIDがホストと通信途中であることも考えられる。この場合に内蔵ICの全てを同時にリセットすると、リセット時におけるCPU21の誤動作によってEEPROM23の内容が書き換えられてしまうことが考えられる。
【0054】
周知のように、EEPROM23は不揮発性のメモリであり、電源が切られてもその記憶内容は失われない。したがって、EEPROM23の内容が誤動作によって書き換えられると、その誤った内容がそのまま残されてしまうことになり、著しく不都合である。
【0055】
そこで、本実施形態では、図示しないホストとの通信距離が長くなって、電圧整流回路11で生成される直流電圧が徐々に小さくなっていく過程で、まず最初に内部発生の上記直流電圧が第1のしきい値(例えば2.3V)を下回ったときに、第1のリセット信号RST1 によりEEPROM23をリセットする。その後、上記第1のしきい値よりも小さな第2のしきい値(例えば2.0V)を下回ったときに、第2のリセット信号RST2 によりCPU21をリセットするようにリセット回路13を動作させる。
【0056】
すなわち、本実施形態においては、まず最初にEEPROM23をリセットしてデータの書き込みを禁止した後でCPU21をリセットするようにしている。これにより、CPU21がリセットされるときには、EEPROM23へのデータの書き込みが必ず禁止されている状態にすることができ、リセット時におけるCPU21の誤動作によって誤ったデータがEEPROM23に書き込まれてしまうという不都合をなくすことができる。
【0057】
次に、本実施形態のRF部について説明する。
RF部を構成するFSK回路14およびPSK回路15は、それぞれ上記した2つの電波送受信用端子S1,S2に接続され、データの送受信が行われるようになっている。ここで、上記FSK回路14はデータ受信用に用いられ、上記PSK回路15はデータ送信用に用いられる。
【0058】
すなわち、FSK回路14は、周波数のシフトにより受信した情報をCPU21に伝送する。例えば、電波送受信用端子S1,S2で受信したデータ値が“1”であるときには125KHzの正弦波を伝送路に送り出し、受信したデータ値が“0”であるときには117.65KHzの正弦波を伝送路に送り出すようにする。
【0059】
例えば、FSK回路14は、発振回路16より供給されるクロックパルスMCLKをデータ値“1”、“0”に応じて異なる分周比で分周することにより上記した125KHzの信号および117.65KHzの信号を検出する。
【0060】
また、PSK回路15は、位相のシフトにより情報を外部に送信する。例えば、搬送周波数が62.5KHzの4相位相変調を用いることができる。この場合は、信号の種類が位相で0°、90°、180°270°と4種類あるので、1つの信号あたり2ビットの伝送が行われる。
【0061】
このように、本実施形態では、電波の送受信をFSK方式(受信)とPSK方式(送信)とに分けて行うようにしている。また、本実施形態では、従来のロジック回路と異なり、CPU21を内蔵している。したがって、送信用の電波と受信用の電波とをCPU21が認識することができ、データの送受信を同時に行うことができるようになる。
【0062】
また、本実施形態では、RF部を構成するFSK回路14およびPSK回路15と、CPU21内に備えられているレジスタファイル1の第15レジスタ(I/Oレジスタ)R15とを、RF信号線8を介して直接接続している。つまり、パワー/RF部24のRF部とCPU21内のレジスタファイル1とをI/Oポートなどの入出力端子を用いることなく、直接的に接続するようにしている。
【0063】
このように構成することにより、FSK回路14で受信したデータは、I/Oポートなどを介することなくレジスタファイル1内の第15レジスタR15にダイレクトに入力されるようになる。また、第15レジスタR15に格納されたデータは、I/Oポートなどを介することなくPSK回路15にダイレクト送られて外部に送信されるようになる。
【0064】
上述した図3の説明から明らかなように、ALU3で加減算を行うためには、レジスタファイル1にデータを必ず格納しなければならないが、本実施形態によれば、従来のようにI/Oポートを介してデータ転送を行う必要がないので、I/Oポートからデータを読み出してレジスタファイル1に書き込むための処理ステップを省くことができる。
【0065】
これにより、ALU3における演算の実行時間を従来よりも実質的に短くすることができ、RFID全体としての処理速度をより速くすることができる。また、I/Oポートを介さなくて済む分だけデータ入出力のためのプログラムステップを少なくすることができるので、プログラム自体が簡易になるというメリットもある。
【0066】
以上のような動作を実現するために、本実施形態では、レジスタファイル1内の第15レジスタR15を、図4のように構成している。
本実施形態による第15レジスタR15の構成を説明する前に、従来のレジスタ(本実施形態の第1レジスタR1〜第14レジスタR14にも用いられている)の構成について、図5を用いて説明する。
【0067】
図5において、41はトランスミッションゲートであり、ライトイネーブル端子WEが“H”レベルになるとともに、反転ライトイネーブル端子WEバーが“L”レベルになることによって導通する。上記ライトイネーブル端子WEは、レジスタファイル1にデータを書き込むときに、命令デコーダ2より出力される制御信号に応じて“H”レベルになる。
【0068】
また、データ入力端子DIには、ALU3やデータバッファ6より出力されたデータが論理演算バス7を介して入力される。上記トランスミッションゲート41が導通状態になると、データ入力端子DIより入力されたデータが、トランスミッションゲート41を介して、インバータ42とクロックドインバータ43とにより構成されるフリップフロップに供給されて保持される。
【0069】
このフリップフロップに保持されたデータは、リードイネーブル端子REが“H”レベルになることによって読み出される。このリードイネーブル端子REは、レジスタファイル1からデータを読み出すときに、命令デコーダ2より出力される制御信号に応じて“H”レベルになる。
【0070】
上記リードイネーブル端子REが“H”レベルになって第1のNMOSトランジスタ45が導通状態になると、上記フリップフロップから第2のNMOSトランジスタ46に与えられるデータの論理レベルに応じてデータ出力端子DOの電圧が変化することにより、上記フリップフロップに保持されていたデータが出力される。このデータ出力端子DOから出力されたデータは、ALU3に供給され、所定の演算処理に利用される。
【0071】
このように、従来のレジスタ(本実施形態の第1レジスタR1〜第14レジスタR14も同様)は、データの入出力用端子としてデータ入力端子DIおよびデータ出力端子DOのみを備えていた。
【0072】
これに対して、本実施形態の第15レジスタR15は、図4に示すように、上記データ入力端子DIおよびデータ出力端子DOの他に、CPU21の外部にあるパワー/RF部24との間で直接的にデータのやり取りを行うための外部入力端子INおよび外部出力端子OUTを備えている。
【0073】
すなわち、図5に示した従来のレジスタでは、インバータ42とクロックドインバータ43とにより構成されるフリップフロップに保持されているデータは、第2のNMOSトランジスタ46に供給されるようになっていた。
【0074】
これに対して、図4に示す本実施形態の第15レジスタR15では、上記フリップフロップ内のデータは、第2のインバータ44を介して外部出力端子OUTに供給され、上記第2のNMOSトランジスタ46には外部入力端子INから入力されるデータが供給されるようになっている。そして、上記外部入力端子INおよび外部出力端子OUTは、図1のRF信号線8を介してFSK回路14およびPSK回路15に接続されている。
【0075】
これにより、ライトイネーブル端子WEが“H”レベルになると、ALU3やデータバッファ6から論理演算バス7を介してデータ入力端子DIに入力されたデータが上記フリップフロップに保持されるとともに、第2のインバータ44を介して外部出力端子OUTに出力される。そして、外部出力端子OUTに出力されたデータは、RF信号線8を介してPSK回路15に供給される。なお、第2のインバータ44を設けているのは、上記フリップフロップの動作の安定化を図るためであり、必ずしもこれを設ける必要はない。
【0076】
一方、リードイネーブル端子REが“H”レベルになると、FSK回路14よりRF信号線8を介して外部入力端子INに入力されたデータがデータ出力端子DOを介してALU3に供給される。
【0077】
このような構成により、本実施形態では、レジスタファイル1内の第15レジスタR15をI/Oレジスタとして用い、パワー/RF部24内のFSK回路14およびPSK回路15と、CPU21内レジスタファイル1との間でダイレクトにデータ転送を行うことができるようになる。これにより、RFID全体としての処理速度を速くすることができる。また、CPU21とパワー/RF部24との間に専用のI/Oポートを設けなくても良いので、構成が簡単になるというメリットもある。
【0078】
なお、以上の説明では第15レジスタR15をI/Oレジスタとして用いるようにしたが、他のレジスタをI/Oレジスタとして用いるようにしても良い。
【0079】
【発明の効果】
本発明は上述したように、従来のロジック回路の代わりにCPUを用いて種々の制御を行わせるようにするとともに、CPUを構成する演算装置用に備えられているデータ格納用のレジスタの一部と送受信手段とを信号線を介して直接接続するようにしたので、近年におけるCPUの高度な処理能力を活用することによって、例えば2以上の処理を並列に行うようにすることができる。また、例えば、送受信手段で受信されたデータを、I/Oポートを介することなく、所定の演算を行うために格納することが必要なレジスタにダイレクトに入力することが可能となり、I/Oポートを介さない分だけデータ入出力のための処理ステップを従来よりも少なくすることができる。以上のことにより、全体としての処理速度を従来よりも格段に速くすることができる。
また本発明によれば、CPUがリセットされるときには、記憶手段へのデータの書き込みが必ず禁止されている状態にすることができ、リセット時におけるCPUの誤動作によって誤ったデータが記憶手段に書き込まれてしまうという不都合をなくすことができる。
【0080】
また、CPUは、記憶手段に記憶されているプログラム等に従って動作するので、上記記憶手段内のプログラムを変更することによってRFID内における命令実行の制御プロトコルを自由に組むことができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態であり、本発明による無電池方式のRFIDの特徴を最もよく表すCPUとパワー/RF部との接続状態を示す構成図である。
【図2】本実施形態による無電池方式のRFIDの全体構成を概略的に示すブロック図である。
【図3】図2に示したCPUの内部構成を示す図である。
【図4】本実施形態によるI/Oレジスタの構成を示す図である。
【図5】従来のレジスタの構成例を示す図である。
【符号の説明】
1 レジスタファイル
8 RF信号線
11 電圧整流回路
12 電圧レギュレータ
13 リセット回路
14 FSK回路
15 PSK回路
21 CPU
22 ROM
23 EEPROM
24 パワー/RF部
S1,S2 電波送受信用端子
CVdd 内部電圧端子
CGND 内部グランド端子
Claims (5)
- データを記憶するための記憶手段と、
上記記憶手段の記憶内容に従って動作するCPUと、
上記CPUによる制御に従って外部との間で電波によるデータの送受信を行う送受信手段と、
上記外部より送信されてくる電波から電磁誘導により交流電流を発生する電圧発生手段と、
上記電圧発生手段により発生される交流電流を直流電圧に整流して内部電源電圧をつくり出す電圧整流手段と、
上記電圧整流手段によりつくり出される内部電源電圧のレベルが所定の第1のしきい値を下回った場合、上記記憶手段をリセットしてデータの書き込みを禁止し、上記所定の第1のしきい値より小さな所定の第2のしきい値を下回った場合、上記CPUをリセットするリセット手段とを備え、
上記CPUを構成する演算装置用に備えられているデータ格納用のレジスタの一部と上記送受信手段とを直接接続したことを特徴とする半導体集積回路装置。 - 上記送受信手段は、データ送信用のPSK回路およびデータ受信用のFSK回路を備え、上記CPUを構成する演算装置用のレジスタの一部と上記PSK回路およびFSK回路とを直接接続したことを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置。
- データを記憶するための記憶手段と、
上記記憶手段の記憶内容に従って動作するCPUと、
上記CPUによる制御に従って外部との間で電波によるデータの送受信を行う送受信手段と、
上記外部より送信されてくる電波から電磁誘導により交流電流を発生する電圧発生手段と、
上記電圧発生手段により発生される交流電流を直流電圧に整流して内部電源電圧をつくり出す電圧整流手段と、
上記電圧整流手段によりつくり出される内部電源電圧のレベルが所定の第1のしきい値を下回った場合、上記記憶手段をリセットしてデータの書き込みを禁止し、上記所定の第1のしきい値より小さな所定の第2のしきい値を下回った場合、上記CPUをリセットするリセット手段とを備え、
上記CPUを構成する演算装置用に備えられているデータ格納用のレジスタの一部と上記送受信手段とを直接接続したことを特徴とする無電池方式のRFID。 - 上記送受信手段は、データ送信用のPSK回路およびデータ受信用のFSK回路を備え、上記CPUを構成する演算装置用のレジスタの一部と上記PSK回路およびFSK回路とを直接接続したことを特徴とする請求項3に記載の無電池方式のRFID。
- 上記CPUを構成する演算装置用のレジスタの一部は、ライトイネーブル端子と、反転ライトイネーブル端子と、データ入力端子と、データ出力端子と、リードイネーブル端子とを具備するとともに、上記ライトイネーブル端子および上記反転ライトイネーブル端子が所定の論理レベルになったときに、上記データ入力端子に与えられているデータを導通するゲート回路と、上記ゲート回路を通過したデータを一時的に保持する保持回路と、上記リードイネーブル端子が所定の論理レベルになったときに上記保持回路に保持されているデータを上記データ出力端子を介して上記演算装置に出力するデータ出力回路とを具備するものであって、
上記データ受信用のFSK回路から入力されるデータを上記データ出力回路を介して上記演算装置に供給する外部入力端子と、
上記保持回路に保持されているデータを上記データ送信用のPSK回路に出力するための外部出力端子とが設けられていることを特徴とする請求項4に記載の無電池方式のRFID。
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